Una introduccin sobre las imperfecciones cristalinas.

La Teora Cristalina se basa en tres importantes postulados, son estos: - Postulado Reticular; el cristal es un medio peridico infinito definido por una de las catorce redes de Bravais. - Postulado estructural; el cristal posee una estructura atmica y la simetra de esta corresponde a uno de los 230 grupos espaciales ( 32 clases de simetra puntual + 14 redes de Bravais) - Postulado energtico; los atomos en la estructura cristalina ocupan posiciones de equilibrio para los cuales la energa es mnima. Por todo esto, la teora cristalina nos proporciona una idea del cristal donde el orden, existe, manda, en todo momento. Pero la realidad es muy distinta, el cristal real no es un ente atmico perfecto, sino que esta lleno de defectos. Por ejemplo, un cristal de Fluorita se origina por la aposicin de miles de millones de tomos, y en este proceso es muy posible que se generen errores en su estructura. Estos errores son los que hacen que cada especimen mineral sea nico e irrepetible. Estas imperfecciones son una caracterstica esencial del cristal. Pero solo puede existir un nmero finito de imperfecciones en el cristal ya que de lo contrario dejara de ser un slido cristalino. Tipos de imperfecciones en los cristales: - Relativas a su extensin: La primera imperfeccin del cristal es su propia limitacin, la teora cristalina considera que la materia cristalina es un medio peridico infinitamente extendido en las tres direcciones del espacio. Pero un cristal real esta limitado en el espacio por caras, por otros cristales adyacentes, o por otros materiales. Por ejemplo un cristal de fluorita puede crecer en una grieta de roca caliza, la estructura de la fluorita se ve limitada en ese caso por la caliza.

En las caras de los cristales existe un estado de no saturacin, por ello tiene tendencia a absorber partculas creando por ejemplo epitaxias o pelculas orientadas. (Definicin de epitaxia: es el crecimiento de cristales de un mineral en una cara cristalina de otro mineral (puede darse entre minerales iguales, homoepitaxia), de forma que el sustrato cristalino de ambos minerales tiene la misma orientacin estructural. Existe, homoepitaxia o heteroepitaxia segn los materiales sean iguales o distintos.

- Relativas a su composicin: Los minerales no suelen ser sustancias puras, un mineral puro es algo excepcional. La mayora presenta una variacin en su composicin qumica.

Es determinante en la estructura del cristal el tamao de las partculas que la forman, la coordinacin de estas dependen de reglas geomtricas fijas. Sustitucin: tomos de igual o parecido tamao pueden jugar un papel idntico en la estructura, la geometria no se altera pero la periodicidad si. Existen minerales en la naturaleza con mayor capacidad para aceptar en su estructura otros elementos que no son los que teoricamente tiene su composicin bsica. Por ejemplo, un mineral muy comn, la calcita (Co3Ca), si su composicin es pura, es incolora, pero suele tener colores muy diferentes debido a que su composicin bsica puede variar, dependendiendo de las condiciones en la que crezca, si alrededor existe manganeso, atomos de este elemento se introducen en la estructura de la calcita, sustituyendo atomos de Calcio. En ciertos casos, los nuevos tomos que entran sustituyendo a otros tienen valencia distinta y como el cristal debe de permanecer neutro, la solucin es no ocupar todas las posiciones atmicas ocupadas por el in o atomos de carga menor, esto es lo que se llama lugares vacantes.

Si el tomo que se incorpora a la estructura es muy pequeo puede situarse, sin alterarla profundamente, en los espacios interatmicos existentes, llamados lugares intersticiales. Las impurezas del medio pueden ser englobadas por el cristal que crece, a estas impurezas se las llama inclusiones. Por ejemplo, no es raro que el cuarzo tenga cristales de otro mineral dentro de l. Un caso muy vistoso son los cristales de cuarzo en la mina Panasqueira en Portugal, donde los cuarzos pueden contener cristales de apatito, arsenopirita, ferberita, turmalina, etc.

- Relativas a su integridad estructural: El cristal ideal requiere una continuidad perfecta de la red cristalina. La integridad estructural del cristal sufre cuando se rompe esta continuidad de la red. Las imperfecciones ms importantes que afectan a la continuidad de una

red son las dislocaciones. Las imperfecciones que tiene un cristal real hacen aumentar su energa, pero este tiende a configurarse de la forma ms estable posible, es decir con las mnimas imperfecciones. El cristal ideal tiene una estructura cuya energa es mnima. Como la eliminacin total de imperfecciones es imposible las concentra en regiones de su estructura y adyacentemente a estas regiones mal formadas estan otras bien formadas. Esta es una idea a la que se lleg gracias a la aplicacin de los rayos-X al estudio de los cristales.

- Relativas a su dinmica: El cristal es un medio dinmico y su entorno, la naturaleza, tambin lo es, y como tal puede sufrir procesos de corrosin, meteorizacin, cambios de fase (polimorfismo). El polimorfismo es una caracterstica de algunas sustancias o elementos qumicos para cristalizar en ms de un tipo de estructura. Las diferentes estructuras que puede crear una misma sustancia o elemento se llaman formas polimorfas o polimorfos. Por ejemplo el elemento C puede dar, segn las condiciones existentes, dos minerales el grafito y el diamante. La sustancia SiO2 puede dar cuarzo bajo, cuarzo alto, tridimita alta, cristobalita alta, coesita y estisovita. Y todas tienen un grupo espacial distinto. Son minerales diferentes pero tienen la misma frmula qumica.

Dimensiones de los defectos cristalinos Defectos puntuales, un lugar vacante en una estructura que afecta a solo un tomo. La introduccin de impurezas en una estructura no representa un cambio importante en ella , ya que las impurezas entran en cantidades muy pequeas y solo producen alteraciones locales sin efectos importantes en la estructura general.Isomorfismo: hay particulas que forman estructuras de igual dimensin y geometra pero cuya composicin qumica es distinta. Defectos lineales, dislocaciones, afecta a una serie lineal de tomos. Una dislocacin es una discontinuidad en la estructura a lo largo de una fila reticular. Defectos bidimensionales, son el resultado de una anomala en un plano reticular. La cara de un cristal es un defecto bidimensional ya que la condicin de no saturacin de las valencias de los tomos que la forman, hace que se introduzcan efectos que la distinguen del resto del cristal. Los defectos bidimensionales ms importantes son los defectos de apilamiento se definen como irregularidades en la secuencia de planos atmicos en una estructura. Estas irregularidades pueden aparecer solo en determinadas circunstancias o bien aparecer siempre en determinados compuestos, por ejemplo el grupo de las micas, cuando esto ocurre la secuencia "anmala" pero comn a estos

compuestos se denomina politipo y al fenmeno politipismo. Es una variedad especial de polimorfismo. La esfalerita (ZnS) y su polimorfo la wurtzita (ZnS) es un caso de politipismo. Los iones (s2-) en la esfalerita poseen un empaquetamiento cbico compacto mientras que en la wurtzita poseen un empaquetamiento hexagonal compacto. Defectos tridimensionales, la mayor parte son inclusiones que rompen la continuidad del cristal en una parte. .. Imperfecciones cristalinas Imperfecciones cristalinasImperfecciones cristalinas No existen cristales perfectos No existen cristales perfectos Los cristales contienen varios tipos de defectos e imp q pp erfecciones que afectan a muchas de sus propiedades fsicas y mecnicas Se clasifican en: D f l d di i Defectos puntuales de dimensin cero Defectos de lnea o de una dimensin, ( dislocaciones) Defectos de dos dimensiones que incluyen superficies Defectos de dos dimensiones, que incluyen superficies externas y lmites de grano internos Defectos tridimensionales, poros, fisuras e inclusiones extraas.Imperfecciones cristalinas Defectos puntuales Defectos puntuales El ms simple se denomina vacante Se producen por: El proceso de solidificacin Deformacin plstica de metal Enfriamiento rpido Bombardeo de partculas energticas tales como los neutrones Las vacantes pueden trasladarseImperfecciones cristalinas Defectos puntuales Defectos puntuales A veces un tomo ocupa un hueco intersticial, este defecto se denomina intersticialImperfecciones cristalinas En cristales inicos los defectos son ms complejos En cristales inicos los defectos son ms complejos Cuando los iones son opuestos se crea una vacante aninica catinica, que se conoce como defecto Schottky Si un catin se desplaza a un hueco intersticial en un cristal inico se crea una vacante catinica y se cristal inico se crea una vacante catinica y se denomina defecto de FrenkelImperfecciones cristalinas Las impurezas de tipo sustitucional o intersticial, son tambin defectos puntuales y se pueden presentar en tambin defectos puntuales y se pueden presentar en cristales metlicos o covalentes.Imperfecciones cristalinas Defectos de lnea Defectos de lnea Dislocaciones Dislocaciones

 Dan lugar a una distorsin de la red centrada en Dan lugar a una distorsin de la red centrada en torno a una lnea Se crean: Durante la solidificacin P d f i l ti d l lid i t li Por deformacin plstica del slido cristalino Por condensacin de vacantes Por enparejamientos atmicos incorrectos Por enparejamientos atmicos incorrectosImperfecciones cristalinas Tipos de dislocaciones Tipos de dislocaciones De cua Helicoidal -------------------- NTRODUCCION El auge que ha alcanzado la ciencia de los materiales en los ltimos tiempos ha motivado un desarrollo acelerado en el estudio de los sistemas cristalinos y no cristalinos. Es por ello que en el siguiente trabajo abordamos tpicos como: Defectos puntuales. Defectos lineales. Defectos superficiales. Sistemas no cristalinos. Buscando proporcionar mejores ideas, conceptos claros y precisos que esperamos nos lleven a una comprensin integral. IMPERFECCIONES CRISTALINAS En realidad, no existen cristales perfectos y contienen varios tipos de defectos o imperfecciones que afectan a muchas propiedades importantes fsicas y mecnicas, de los materiales para ingeniera como la conformacin en frio de aleaciones, la conductividad elctrica de semiconductores, la velocidad de migracin de tomos en aleaciones y corrosin de metales. Las imperfecciones en la red cristalina se pueden clasificar, en tres grupos principales: 1. Defectos puntuales o de dimensin cero. 2. Defectos de lnea o de una dimensin (dislocaciones). 3. De dos dimensiones que incluyen superficies d limite de grano. Los defectos macroscpicos tridimensionales o de volumen tambin pueden incluirse. Ejemplos de estos defectos son: poros, fisuras e inclusiones. 1. Defectos puntuales Se denomina as debido a que su ubicacin es en sitios aislados dentro de la red cristalina. A pesar de que estas imperfecciones en la red cristalina ocupan un volumen, su extensin se limita a un desorden local y en onsecuencia se les considera como puntos. Entre los principales defectos puntuales tenemos: 2.1 Vacante Son las imperfecciones ms comunes en los cristales. Esta imperfeccin es originada por un sitio vacante en la red cristalina en donde hace falta un tomo, como se muestra en la figura 1.1. Las vacantes son defectos

termodinmicamente estables. Las vacantes pueden producirse durante la solidificacin, durante el crecimiento de cristales, o pueden ser debidas a reordenaciones atmicas en un cristal ya existentes debido a la movilidad de los tomos. El nmero de vacantes en equilibrio Nv para una cantidad dada de material, depende de la temperatura como se muestra en la ecuacin 1.1.

a 1234C y 5,2610-3 en el punto de fusin. Calcular la entalpa de formacin de vacantes, (Hv). Solucin 2.2 Defecto Schottky En este defecto se presenta en cristales inicos, y se produce por la migracin de un par de iones (positivos y negativos). Generando de esta manera la asociacin de dos vacancias una aninica y otra catinica, como se muestra en la figura 1.2. Es necesario la ausencia del par de iones para mantener localmente le neutralidad de cargas dentro de la estructura del cristal. Figura 1.2 Defecto de Schottky (http://www.unalmed.edu.co/~cpgarcia/Defectos1.pdf) 2.3 Defecto Intersticial Este tipo de imperfeccin cristalina se origina cuando un tomo pequeo ocupa un lugar intersticial en la red cristalina de tomos relativamente grande, tiende a producir grandes distorsiones alrededor de los tomos. Figura 1.3. Defecto Intersticial (Introduction to materials science for engineers seventh edition James F. Shackelford pag.104) Por lo general, este tipo de defecto se da en metales que contienen como impurezas a tomos de radio pequeo tales como: hidrogeno, nitrgeno, carbono y boro. Tambin cuando un tomo del mismo metal ocupa el intersticio, recibiendo el nombre de auto intersticial. La presencia de estos tomos extrao, influyen de manera importante en las propiedades del material. Un ejemplo de este defecto es el C en el Fe. 2.4 Defecto Frenkel Este defecto se forma por el desplazamiento de un ion desde su posicin normal en la red ristalina hasta un sitio intersticial del cristal, es decir una combinacin vacancia- intersticio. La formacin del defecto frenkel requiere una alta energa de activacin debido a que el espacio intersticial es muy limitado y por lo tanto las vibraciones trmicas no lo podran realizar. Las altas energas como las que generan en los reactores nucleares, hacen posible la presencia de este defecto en grandes cantidades.

Defecto sustitucional o tomo de impureza sustitucional Este tipo de defecto se da cuando un tomo de impureza ocupa una posicin reticular en la red cristalina del metal. Este tomo que ocupa esta posicin se suele llamar soluto, mientras que los tomos en la red cristalina del metal constituiran el solvente, obteniendo de esta forma una solucin slida sustitucional. La impureza o tomo de soluto puede ser de dimetro mayor o menor que los tomos de la red, por lo que podra originar expansiones o contracciones locales en la celda (Figura 1.5), originando una variacin en las propiedades fsicas y mecnicas del metal. . Defectos lineales, o dislocaciones: Imperfecciones Lineales Las dislocaciones son imperfecciones lineales que provocan una distorsin de la red centrada en torno a una lnea y con ello interrupciones en la periodicidad de la red cristalina. Generalmente se originan en el proceso de solidificacin del material o al deformarlo. Los principales tipos de dislocacin son dos: Dislocacin de borde (o de arista) y la hlice (o de tornillo). La combinacin de las dos da las dislocaciones mixtas, que tienen componentes de borde y helicoidal. 3.6 Dislocacin de borde La dislocacin de borde puede interpretarse como la introduccin de un semiplano extra de tomos en la red cristalina, tal como se muestra en la Figura 2.1. La ubicacin de este semiplano produce una distorsin a lo largo de una lnea conocida como lnea de dislocacin que se halla a lo largo del borde de la fila extra de tomos (Figura 2.1). Figura 2.1. Dislocacin de borde o arista (Zavaleta Gurierres, Estructura y Propiedades de los materiales, Ed. 2006 Consitec, pag.194) Los tomos que se encuentran encima de la lnea de dislocacin estn en compresin, mientras que los que estn por debajo de sta se encuentran en traccin. El tipo de dislocacin cuyo semiplano se encuentra en la parte superior, se denomina dislocacin de borde positiva Determinacin de las estructuras cristalinas Las estructuras cristalinas pueden identificarse por medio de la aplicacin de las tcnicas de difraccin de rayos X. Estas se fundamentan en los fenmenos que aparecen cuando un haz de rayos X de una determinada longitud de onda inciden en una estructura cristalina. En efecto, la radiacin X incidente provoca que los tomos del cristal emitan una radiacin electromagntica de la misma longitud de onda la que en cuanto se cumplen ciertas condiciones se produce una difraccin. La figura 3.39 muestra un corte de un cristal que tiene planos atmicos con una distancia interplanar dhkl, siendo hkl los ndices de Miller del plano cristalino.

Figura 3.39. Esquema de la difraccin de rayos X Los planos son perpendiculares al dibujo. Un haz de radiacin de longitud de onda incide sobre el cristal en algn ngulo . La difraccin debida a la dispersin de Thomson producir una fuerte reflexin en un ngulo si se cumplen las condiciones siguientes: a) Slo es posible un ngulo tal que = b) debe satisfacer la ley de Bragg, es decir:

(3.11) siendo n un nmero entero = 1, 2, 3... A mayores valores de n, la intensidad reflejada se reduce rpidamente. c) Es posible que los tomos que se localizan entre los planos difractantes estn colocados de tal modo que se destruye el haz difractado. En consecuencia, cada tipo de estructura cristalina dispone de unos definidos planos cristalinos conocidos que producen difraccin. 4.1 DIFRACTMETRO DE RAYOS X El difractmetro de rayos X es el instrumento que permite la identificacin de las estructuras cristalinas, fundamentado en la difraccin segn Bragg. En esencia consta de una fuente de radiacin K monocromtica, un portaprobetas mvil con ngulo variable, 2, y un contador de radiacin X asociado al portamuestras. La figura 3.40 muestra esta disposicin bsica.

Figura 3.40. Esquema bsico de un difractmetro de rayos X. La fuente de radiacin es el antictodo, AC, de un tubo de rayos X. Existen diversos antictodos usuales: Cobre, Cromo, Hierro, etc. Cada uno emite sus radiaciones con longitudes de onda, , caractersticas en funcin del nivel del electrn orbital que provoca la radiacin. Por ejemplo, la longitud de onda del Cu K = 1.541 . Esp = f (AC) (3.12) Cada elemento emite un espectro de radiaciones caractersticas. Un filtro monocromatizador, F, selecciona la radiacin deseada. mono = f (AC, F) (3.13) La intensidad de la radiacin Ir, es funcin del voltaje, KV, e intensidad, mA, que alimenta la lmpara, L, lo que constituye las condiciones operatorias del tubo. Ir(Esp) = f (KV, mA) (3.14) El portamuestras contiene la muestra, normalmente plana en forma de polvos, lo que significa compuesta por muchos cristales aleatoriamente orientados. Sobre la muestra incide la radiacin con un ngulo de incidencia de ensayo. Si en esta orientacin algn plano cristalino (h, k, l), de distancia interplanar dhkl, cumple con las condiciones 6.5, se produce una difraccin para = El contador de radiacin X, Geiger, contabiliza la intensidad del haz difractado, en cuentas por segundo, cuando forma un ngulo 2 con la muestra y cumple con las condiciones de reflexin. El mecanismo de desplazamiento del contador est conectado al de desplazamiento de la muestra a doble velocidad.

En la figura 3.38 se muestra un espectro caracterstico, Ir = f (2), del registro obtenido para el cobre. La tcnica de difraccin de rayos X es til para determinar las estructuras cristalinas caractersticas usando diversas radiaciones monocromticas o para resolver el problema inverso, es decir, la identificacin de slidos cristalinos. Esto es fcil cuando se dispone de una coleccin de los espectros caractersticos de cada fase monocristalina, pues existe una relacin biunvoca entre espectros caractersticos y fases. Figura 3.41. Difractograma obtenido para el Cu.

Figura 3.42. Ficha de la JCPDS para el cobre, fase (estructura c.c.c.) Los diagramas caractersticos estn recogidos por la Joint Comittee on Powder Difraction Standards (JCPDS). En la figura 3.42 se reproduce la ficha del cobre . Tal como se observa, la ficha describe: a) Radiacin monocromtica de ensayo, (Rad). b) Distancias interplanares (dhkl) correspondientes a los ngulos de difrac-cin registrados, por la ley de Bragg (d ). c) Intensidades relativas de cada distancia, dhkl (I/I1). d) Indices de Miller de los planos que provocan la difraccin (h, k, l). En la figura siguiente, 3.43, se reproduce tanto el difractograma como la ficha JCPDS correspondiente al hierro .

Materiales Cermicos: Introduccin: Los materiales cermicos son compuestos qumicos o soluciones complejas, que contienen elementos metlicos y no metlicos. Por ejemplo la almina es un cermico que tiene tomos metlicos (aluminio) y no metlicos (oxgeno). Los materiales cermicos tienen una amplia gama de propiedades mecnicas y fsicas. Las aplicaciones varan desde productos de alfarera, cemento, fabricacin de ladrillos y azulejos, utensilios de cocina, hasta vidrio, materiales refractarios, imanes, dispositivos elctricos, fibras y abrasivos. El hormign est hecho con cemento y las losetas que protegen al trasbordador espacial estn hechas de slice, un material cermico. En la mayora de estas aplicaciones el producto tiene una propiedad esencial o una combinacin particular de propiedades que no puede ser obtenida con ningn otro material; siendo esto la base de su seleccin. Debido a sus enlaces inicos o covalentes, los materiales cermicos por lo general son duros, frgiles, con un alto punto de fusin, tienen baja conductividad elctrica y trmica, buena estabilidad qumica y trmica, y elevada resistencia a la compresin. Sin embargo, a veces constituyen un

enigma, pues aunque de hecho son frgiles, algunos compuestos con matriz cermica tienen valores de tenacidad a la fractura superiores a los de algunos metales (como las aleaciones de aluminio endurecidas por envejecimiento) e incluso algunos son superplsticos. Aunque la mayora de los productos cermicos son buenos aislantes elctricos y trmicos, algunos tienen conductividades trmicas parecidas a las de los metales. Los productos cermicos como el Fe0 y el ZnO, son semiconductores y, adems, han sido descubiertos materiales cermicos superconductores. En este captulo analizaremos los mecanismos mediante los cuales estos materiales se deforman al aplicrseles una carga. Igualmente, es de importancia crtica observar que los materiales cermicos son frgiles, que los defectos inevitablemente presentes en la estructura pueden hacer que el material falle por su fragilidad, que el tamao y el nmero de las imperfecciones difieren en cada pieza cermica individual y que las propiedades mecnicas slo pueden describirse de manera estadstica. Por estas razones, el comportamiento mecnico de los materiales cermicos es menos predecible que el de los metales, por esta caracterstica, su uso en aplicaciones crticas de alta resistencia es muy limitado. -------------------------------------------------------------------------------La estructura de los cermicos cristalinos: En el captulo 3 se presentaron varias estructuras cristalinas para materiales con enlaces inicos. En estas estructuras, los iones de las celdas unitarias ocupan sitios en la red que proporcionan la coordinacin adecuada y aseguran que se obtenga el equilibrio adecuado de cargas. Un gran nmero de materiales cermicos, poseen la estructura del cloruro de sodio. La estructura de la blenda de zinc es tpica del ZnS, del BeO, y del SiC; en tanto que varios materiales cermicos, incluyendo el CaF, el Th0, y el Ce0, tienen la estructura de la fluorita. La mayora de los cermicos, sin embargo, tienen estructuras cristalinas ms complicadas. La estructura de los silicatos cristalinos. Algunos materiales cermicos contienen enlaces covalentes. Un ejemplo es la forma cristobalita del SiO, o slice, que es una materia prima importante para los productos cermicos (figura), La disposicin de los tomos en la celda unitaria proporciona la coordinacin adecuada, equilibra la carga y, adems, asegura que no se viole la direccionalidad de los enlaces covalentes.

FIGURA Estructura cristalina de la cristobalita, una de las formas del Si02. En el slice, el enlace covalente requiere que los tomos de silicio tengan cuatro vecinos cercanos (cuatro tomos de oxgeno), creando as una estructura tetradrica. Los tetraedros de silicio-oxgeno son las unidades estructurales fundamentales del slice, de las arcillas y de silicatos vtreos. Los tetraedros de slice, se comportan como grupos inicos; los iones de oxgeno en las esquinas de los tetraedros son atrados por otros iones o tambin, uno o ms iones de oxgeno pueden ser compartidos por dos grupos tetradricos, a fin de satisfacer el equilibrio de cargas. -------------------------------------------------------------------------------Imperfecciones en las estructuras cermicas cristalinas Igual que en los metales, las estructuras de los materiales cermicos contienen una diversidad de imperfecciones. En lo que se refiere a propiedades fsicas, como la conductividad elctrica, los defectos puntuales son de especial importancia. Las propiedades mecnicas estn determinadas por superficies, incluyendo bordes de grano, superficies de partcula y poros.

Dislocaciones En algunos materiales cermicos, se observan dislocaciones. Sin embargo, stas no se mueven con facilidad, debido a un vector de Burgers grande, a la presencia de relativamente pocos sistemas de deslizamiento, y a la necesidad de romper enlaces inicos fuertes para despus obligar a los iones a deslizarse frente a los de carga opuesta. Debido a que no ocurre deslizamiento las grietas no se redondean por la deformacin del material que se encuentra en la punta de la grieta y, en consecuencia, su propagacin contina. El material cermico es frgil.

Aunque las dislocaciones se mueven con mayor facilidad a temperaturas elevadas, es ms probable que ocurra deformacin mediante mecanismos como el deslizamiento de bordes de grano y el flujo viscoso de las fases vtreas. Defectos superficiales Los lmites de grano y las superficies de las partculas son defectos superficiales importantes en los cermicos. Tpicamente, los cermicos con un grano de tamao fino tienen mayor resistencia que los cermicos de grano ms grueso. Los granos ms finos ayudan a reducir los esfuerzos que se desarrollan en sus bordes debido a la expansin y la contraccin anisotrpica. Normalmente, se produce un tamao de grano fino utilizando desde el principio materias primas cermicas de partculas ms finas. Las superficies de las partculas, que representan planos de uniones covalentes o inicas rotas y no satisfechas son reactivas. Las molculas gaseosas, por ejemplo, pueden ser absorbidas en la superficie para reducir la energa superficial. En los depsitos de arcilla, iones distintos al material pueden ser atrados hacia la superficie de la plaqueta alterando su composicin, sus propiedades y la conformabilidad de la arcilla y de sus productos. Porosidad: Los poros pueden ser considerados como un tipo especial de defecto superficial. En un material cermico los poros pueden estar interconectados o bien cerrados. La porosidad aparente mide los poros interconectados y determina la permeabilidad, es decir, la facilidad con la cual pasan gases y otros fluidos a travs del componente cermico. -------------------------------------------------------------------------------La estructura de los vidrios cermicos Los materiales cermicos no cristalinos ms importantes son los vidrios. Un vidrio es un material slido que se ha endurecido y vuelto rgido sin cristalizar. En cierta forma, el vidrio es parecido a un lquido subenfriado. Sin embargo, por debajo de la temperatura de transicin del vidrio (figura ), se reduce la velocidad de contraccin volumtrica por enfriamiento y el material se puede considerar un vidrio y no un lquido subenfriado.

FIGURA Cuando el slice se cristaliza durante el enfriamiento, se observa un cambio sbito de densidad. Para el slice vtreo, sin embargo, el cambio en la pendiente de la temperatura de transicin del vidrio indica la formacin de un vidrio a partir del lquido subenfriado. Las estructuras vtreas se producen al unirse los tetraedros de slice u otros grupos inicos, para producir una estructura reticular no cristalina, pero slida (figura).

FIGURA Estructuras cristalina y vtrea de silicatos. Ambas estructuras tienen orden de corto alcance, pero solamente la estructura cristalina tiene orden de largo alcance. Tambin se pueden encontrar estructuras no cristalinas en polvos excepcionalmente finos, como en Geles y coloides. En estos materiales, el tamao de las partculas puede ser de 10 nm o menos. Estos materiales amorfos, como algunos cementos y adhesivos , se producen por condensacin de vapores, por electrodeposicin por reacciones qumicas. Vidrios de silicato Los vidrios de silicato son los ms ampliamente utilizados. El slice fundido, hecho a partir de SiO, puro, tiene un alto punto de fusin y sus cambios dimensinales durante el calentamiento y el enfriamiento son reducidos (figura). Sin embargo, generalmente los vidrios de silicato contienen xidos adicionales. Aunque los xidos como el slice se comportan como formadores de vidrio, un xido intermedio (como el xido de plomo o de aluminio) no forma vidrio por s mismo, pero se incorpora en la estructura de red de los formadores de vidrio. Un tercer grupo de xidos, los modificadores, rompen la estructura reticular y finalmente hacen que el vidrio se desvitrifique, es decir, se cristalice.

FIGURA Efecto M Na20 sobre la red vtrea del slice. La sosa es un modificador que interrumpe la red vtrea, reduciendo la capacidad de formar vidrio. Vidrios de silicato modificados:

Si la relacin oxgeno-silicio aumenta de manera significativa los modificadores rompen la red de slice. Por ejemplo, cuando se agrega Na2O, los iones de sodio entran en los huecos dentro de la red, en vez de formar parte de la misma. Sin embargo, el ion de oxgeno que se introduce con el Na2O, s se combina y forma parte de la red (figura ). Cuando esto ocurre, no existen suficientes iones de silicio para combinarse con los iones de oxgeno adicionales y conservar la red intacta. La modificacin tambin reduce el punto de fusin y la viscosidad del slice, lo que permite producir vidrio a temperaturas ms bajas. Al agregar Ca0, estos vidrios se modifican an ms, lo cual reduce la solubilidad el vidrio en agua. -------------------------------------------------------------------------------Fallas mecnicas en los materiales cermicos Los materiales cermicos, tanto cristalinos como no cristalinos son muy frgiles, particularmente a temperaturas bajas. El problema con la fractura frgil de los materiales cermicos se intensifica por la presencia de imperfecciones como pequeas grietas, porosidad, inclusiones extraas, fases cristalinas o un tamao grande de grano, que tpicamente se introducen en el proceso de manufactura. Los defectos varan en tamao, forma y orientacin, tanto dentro de un solo componente, como de un componente a otro. Fractura frgil Cualquier grieta o imperfeccin limita la capacidad de un producto cermico para resistir un esfuerzo a tensin. Esto es debido a que una grieta (a veces conocida como defecto de Griffith) concentra y amplifica el esfuerzo aplicado. La figura muestra una grieta de longitud a en la superficie de un material frgil. Tambin aparece el radio de curvatura r de la punta de la grieta.

FIGURA Diagrama esquemtico del defecto de G riff ith en un cermico. Para grietas muy delgadas (r pequea) o para grietas largas (a grande), la relacin Sigma Real /Sigma hace grande y el esfuerzo se amplifica. Si el esfuerzo amplificado excede el lmite elstico, la grieta crece y finalmente causa la fractura, aun cuando el esfuerzo real aplicado a sea pequeo. Desde otro punto de vista se reconoce que un esfuerzo aplicado genera una deformacin elstica, relacionada con el mdulo de elasticidad E del material. Cuando se propaga una grieta, se libera esta energa de deformacin reduciendo la energa general. Sin embargo, al tiempo de extenderse la grieta se crean dos nuevas superficies, esto incrementa la energa asociada con la superficie. Igualando energa de deformacin y energa superficial. Los defectos resultan de mxima importancia cuando actan esfuerzos de tensin sobre el material. Los esfuerzos a la compresin tienden a cerrar las grietas en vez de abrirlas; en consecuencia, a menudo los cermicos tienen excelente resistencia a la compresin. -------------------------------------------------------------------------------Mtodos para mejorar la tenacidad Para mejorar la tenacidad a la fractura se utilizan varios mtodos, los cuales a su vez resultan en una mayor resistencia a la fractura y en

esfuerzos mayores en servicio. Un mtodo tradicional para mejorar la tenacidad consiste en rodear las partculas frgiles del cermico con un material matriz mas suave y tenaz. Tambin, se pueden introducir grietas o concentradores de esfuerzos mediante transformaciones de fases, al calentar o enfriar un cermico. El procesamiento del producto cermico es tambin crtico para poder mejorar la tenacidad. Las tcnicas de procesamiento que producen cermicos con un grano excepcionalmente fino, de alta pureza y completamente densos, mejoran la resistencia y la tenacidad. Otro proceso es introducir deliberadamente muchas mcrogrietas, demasiado pequeas para propagarse por s mismas pero que pueden ayudar a detener otras grietas mayores que pudieran intentar crecer.

Este resorte de cemento ilustra lo dicho sobre la resistencia y tenacidad con alta densidad y libre de defectos. -------------------------------------------------------------------------------Deformacin de los cermicos a altas temperaturas En los cermicos las dislocaciones no se mueven a bajas temperaturas y

no se observa deformacin plstica significativa. A temperaturas ms altas, el flujo viscoso y el deslizamiento de bordes de grano se convierten en mecanismos importantes de deformacin. El flujo viscoso ocurre en los vidrios y en cermicos que contienen una mezcla de fases vtrea y cristalina; el deslizamiento de bordes de grano ocurre en cermicos que principalmente son cristalinos. Termofluencia en los cermicos Como los cermicos a menudo se disean para uso a altas temperaturas, la resistencia a la termofluencia es una propiedad importante. Los cermicos cristalinos tienen buena resistencia a la termofluencia, por sus altos puntos de fusin y su elevada energa de activacin para la difusin. La figura compara la resistencia a la flexin de varios materiales cermicos con una superaleacin Ni-Cr; los cermicos tienden a conservar su resistencia, algunas veces por encima de 1200'C.

FIGURA Efecto de la temperatura sobre la resistencia a la flexin de varios materiales cermicos, en comparacin con una superaleacin de nquel-cromo. La termofluencia en los cermicos cristalinos frecuentemente ocurre como resultado del deslizamiento de los bordes de grano. Conforme los granos se deslizan uno sobre otro, se pueden iniciar las grietas y finalmente causar la falla. Varios factores facilitan el deslizamiento de los bordes de grano y, en consecuencia, reducen la resistencia a la termofluencia:

1. Tamao de grano. Los tamaos de grano ms pequeos incrementan la tasa de termofluencia; as existen ms bordes de grano y el deslizamiento de bordes de stos se facilita. 2. Porosidad. Al incrementar la porosidad en el cermico, se reduce su seccin transversal y aumenta el esfuerzo que acta sobre el producto cermico para una carga dada; los poros tambin facilitan el deslizamiento de los bordes de grano. En consecuencia, la tasa de termofluencia se incrementa 3. Impurezas. Diversas impurezas pueden provocar la formacin de fases vtreas en los bordes de grano, permitiendo termofluencia debido al flujo viscoso. 4. Temperatura. Las altas temperaturas reducen la resistencia de los bordes de grano, incrementan la velocidad de difusin y promueven la formacin de fases vtreas. -------------------------------------------------------------------------------Procesamiento y aplicaciones de productos de arcilla. Los cermicos cristalinos frecuentemente se usan para la manufactura de artculos tiles, preparando una forma o compacto con materias primas en polvo fino. A continuacin el polvo se une por reaccin qumica, vitrificacin parcial o completa (fusin), o por sinterizado. Los productos de arcilla forman un grupo de cermicos tradicionales que se utilizan para la produccin de tubos, ladrillos, artefactos de cocina y otros productos comunes. La arcilla, como la caolinita, y el agua sirven como aglutinante inicial para los polvos cermicos, que tpicamenente son slice. Secado y horneado de productos de arcilla Durante el secado, la humedad excesiva se elimina y ocurren grandes cambios dimensinales. Inicialmente, el agua existente entre las plaquetas de arcilla o agua interparticular se evapora y es la causa de la mayor parte de la contraccin. Despus ocurrir un cambio dimensional relativamente pequeo cuando se evapore el agua restante entre los poros. Para conseguir un secado uniforme de toda la pieza, se controla cuidadosamente la temperatura y la humedad, minimizando as esfuerzos, distorsin y agrietamiento. La rigidez y la resistencia de una pieza cermica se obtienen durante su horneado. Durante el calentamiento, la arcilla se deshidrata eliminando el agua que forma parte de la estructura cristalina de la caolinita y empieza

la vitrificacin, o la fusin . Las impurezas y el agente fundente reaccionan con las partculas cermicas (SiO,) y con la arcilla, produciendo una fase lquida de bajo punto de fusin en las superficies de grano. El lquido ayuda a eliminar la porosidad y, despus del enfriamiento, se convierte en un vidrio rgido que une a las partculas cermicas. Esta fase vtrea proporciona una unin cermica, pero tambin causa una contraccin adicional de la totalidad del cuerpo cermico. El tamao de grano de la pieza final est determinado principalmente por el tamao de las partculas del polvo original. Adems, conforme se incrementa la cantidad de fundente, se reduce la temperatura de fusin; se formar ms vidrio y los poros se harn ms redondos y ms pequeos. Un menor tamao de grano inicial acelera este proceso, al generar ms superficies en las cuales pueda ocurrir la vitrificacin. -------------------------------------------------------------------------------Aplicaciones de productos de arcilla Muchos productos estructurales de arcilla y loza se producen mediante los procesos descritos. Los ladrillos y losetas que se utilizan en la construccin se elaboran por compresin o extrusin, se secan y se hornean para producir la unin cermica. Altas temperaturas de horneado o partculas ms pequeas producen mayor vitrificacin, menos porosidad y una densidad superior. Una densidad ms elevada mejora las propiedades mecnicas, aunque reduce la calidad aislante del ladrillo o de la loseta. -------------------------------------------------------------------------------Otros materiales cermicos y sus aplicaciones Adems de su uso en la produccin de materiales para la construccin, en aparatos domsticos, en materiales estructurales y refractarios, los materiales cermicos encuentran toda una infinidad de aplicaciones, incluyendo las siguientes. Cementos: En un proceso conocido como cementacin, las materias primas cermicas se unen utilizando un aglutinante que no requiere horneado o sinterizado. Una reaccin qumica convierte una resina lquida en un slido que une las partculas. En el caso del silicato de sodio, la introduccin de gas C02 acta como catalizador para deshidratar la solucin de silicato de sodio y convertirla en un material vtreo. El silicato de sodio lquido recubre los granos de arena, proporcionando puentes entre los mismos. La introduccin del C02 convierte los puentes en slidos, uniendo los granos de arena.

Las soluciones de polvo fino de almina, catalizadas mediante cido fosfrico producen un cemento de fosfato de aluminio. Cuando las partculas de almina se unen con el cemento del fosfato de aluminio, se producen refractarios capaces de operar a temperaturas tan altas como 1650C. El yeso es otro material que se endurece con la reaccin por cementacin. Cuando reacciona la pasta lquida, crecen cristales slidos de entrelazamiento de sulfato de calcio, con poros muy pequeos entre los cristales. Mayores cantidades de agua en la pasta original proporcionan ms porosidad, pero tambin reducen la resistencia final del yeso. Uno de los usos importantes de este material es el recubrimiento o estuco de muros y losas en edificios. La reaccin de cementacin ms comn e importante ocurre en el cemento Portland, utilizado para producir el hormign. Recubrimientos: Con frecuencia los productos cermicos se utilizan como recubrimientos protectores de otros materiales. Los recubrimientos comerciales comunes incluyen los vidriados y los esmaltados. Los vidriados se aplican sobre la superficie de un material cermico para sellar un cuerpo de arcilla permeable, para dar proteccin y decorar, o para fines especiales. Los esmaltados se aplican sobre superficies metlicas. Los esmaltados y vidriados son productos de arcilla que se vitrifican fcilmente durante el horneado. Mediante la adicin de otros minerales se pueden producir en los vidriados y esmaltados colores especiales. El silicato de circonio da un vidriado blanco, el xido de cobalto un vidriado azul, el xido de cromo produce verde, el xido de plomo da un color amarillo y se puede producir un vidriado rojo agregando una mezcla de sulfuros de selenio y cadmio. Uno de los problemas que tienen los vidriados y esmaltados son las grietas o cuarteaduras superficiales, que ocurren cuando el vidriado tiene un coeficiente de expansin trmica distinto al del material subyacente, Frecuentemente, ste es el factor de mayor importancia para determinar la composicin del recubrimiento. Para materiales cermicos avanzados y para metales de operacin a alta temperatura se utilizan recubrimientos especiales. A los materiales compuestos carbono-carbono se les aplican recubrimientos de SiC para mejorar su resistencia a la oxidacin. A las superaleaciones base nquel se le pueden aplicar recubrimientos de circonia, como barreras trmicas que protejan al metal contra la fusin o contra reacciones adversas. Fibras:

A partir de materiales cermicos se producen fibras para diversos usos como refuerzo de materiales compuestos, para ser tejidas en telas o para uso en sistemas de fibras pticas. Las fibras de vidrio de borosilicato, las ms comunes, proporcionan resistencia y rigidez a la fibra de vidrio. Tambin se pueden producir fibras con una diversidad de materiales cermicos, incluyendo almina, carburo de silicio y carburo de boro. Un tipo especial de material fibroso es la loseta de slice utilizada en el sistema de proteccin trmica del trasbordador espacial. Las fibras de slice estn unidas por polvo de slice para producir una loseta excepcionalmente ligera, con densidades tan bajas como 0. 144 g/cm3; esta loseta est recubierta con vidriados especiales de alta emisividad para conseguir proteccin hasta los 1300C. Transcripcin de la prezi DEFECTOS ESTRUCTURA CRISTALINA Defectos Puntuales Defectos de Superficie Defectos lineales ES UNA DISCONTINUIDAD DE LA RED EN LOS ATMOS Tipos SUSTITUCIONAL PEQUEO Vacante DEFECTO SCHOTTKY SUSTITUCIONAL GRANDE INTERSTICIAL DEFECTO FRENKEL IMPORTANCIA COMUNES MATERIALES CERMICOS MEZCLA INTERSTICIO-VACANTE ATOMOS MAYORES SE PRODUCE COMPRESIN ATOMOS MENORES SE PRODUCE TENSIN ATOMO EN POSICIN DESOCUPADA PRODUCE UNA RED DISTORCIONADA FALTA DE UN ATMO EN UN SITIO NORMAL FORMADA POR ALTAS TEMPERATURAS O RADIACIN DISTORCIONAN LA RED A LO LARGO DE ESPACIADOS ATMICOS DISLOCACIN DONDE LOS ATMOS NO ESTAN EN POSICIN DE EQUILIBRIO UN MAYOR ESFUERZO PARA QUE LA DISLOCACIN VENZA AL DEFECTO "VENCER A ESTE DEFECTO INCREMENTANDOCE LA RESISTENCIA DEL MATERIAL" DISLOCACIN DE ARISTAS DISLOCACIONES MIXTAS DESLIZAMIENTOS DISLOCACIN HELICOIDAL EL VECTOR BURGERS ES PARALELO A LA DISLOCACIN EL VECTOR BURGERS ES PERPENDICULAR A LA DISLOCACIN EL VECTOR DE BURGERS SE CONSERVA IQUAL PARA TODAS LAS POCIONES LE DA DUCTIBILIDAD A LOS METALES SON IMPERFECCIONES EN UNA RED IDEAL "EL VECTOR DE BURGERS SE REQUIERE PARA CERRAR LA TRAYECTORIA Y VOLVER AL PUNTO INICIAL" TIPOS MECANISMOS DE ENDURECIMIENTO SUPERFICIE DE MATERIAL FRONTERAS DE GRANO POR SOLUCIN SLIDA POR DEFORMACIN POR REDUCCIN DEL TAMAO DE GRANO "SON SUPERFICIES EXTERNAS DEL MATERIAL" "ES LA SUPERFICIE QUE SEPARA A LOS GRANOS" ENDURECIMIENTO

IMPERFECCIONES EN LAS REDES CRISTALINAS: Las imperfecciones se encuentran dentro de la zona de ordenamiento de largo alcance (grano) y se clasifican de la siguiente manera: DEFECTOS PUNTUALES(puntos defectuosos): Defectos puntuales: Los defectos puntuales son discontinuidades de la red que involucran uno o quiz varios tomos. Estos defectos o imperfecciones,, pueden ser generados en el material mediante el movimiento de los tomos al ganar energa por calentamiento; durante el procesamiento del material; mediante la introduccin de impurezas; o intencionalmente a travs de las aleaciones. Huecos: Un Hueco se produce cuando falta un tomo en un sitio normal. Las vacancias se crean en el cristal durante la solidificacin a altas temperaturas o como consecuencia de daos por radiacin. A temperatura ambiente aparecen muy pocas vacancias, pero stas se incrementan de manera exponencial conforme se aumenta la temperatura. Defectos intersticiales: Se forma un defecto intersticial cuando se inserta un tomo adicional en una posicin normalmente desocupada dentro de la estructura cristalina. Los tomos intersticiales, aunque mucho ms pequeos que los tomos localizados en los puntos de la red, an as son mayores que los sitios intersticiales que ocupan; en consecuencia, la red circundante aparece comprimida y distorsionada. Los tomos intersticiales como el hidrgeno a menudo estn presentes en forma de impurezas; los tomos de carbono se agregan al hierro para producir acero. Una vez dentro del material, el nmero de tomos intersticiales en la estructura se mantiene casi constante, incluso al cambiar la temperatura. Defectos sustitucionales: Se crea un defecto sustitucional cuando se remplaza un tomo por otro de un tipo distinto. El tomo sustitucional permanece en la posicin original. Cuando estos tomos son mayores que los normales de la red, los tomos circundantes se comprimen; si son ms pequeos, los tomos circundantes quedan en tensin. En cualquier caso, el defecto sustitucional distorsiona la red circundante. Igualmente, se puede encontrar el defecto sustitucional como una impureza o como un elemento aleante agregado deliberadamente y, una vez introducido, el nmero de defectos es relativamente independiente de la temperatura. IMPORTANCIA DE LOS DEFECTOS PUNTUALES: Los defectos puntuales alteran el arreglo perfecto de los tomos circundantes, distorsionando la red a lo largo de quizs cientos de espaciamientos atmicos, a partir del defecto. Una dislocacin que se mueva a travs de las cercanas generales de un defecto puntual encuentra una red en la cual los tomos no estn en sus posiciones de equilibrio. Esta alteracin requiere que se aplique un esfuerzo ms alto para obligar a que la dislocacin venza al defecto, incrementndose as la resistencia del material.

EFECTOS LINEALES(dislocaciones) : Defectos Lineales ( Dislocaciones): Las dislocaciones son imperfecciones lineales en una red que de otra forma sera perfecta. Generalmente se introducen en la red durante el proceso de solidificacin del material o al deformarlo. Aunque en todos los materiales hay dislocaciones presentes, incluyendo los materiales cermicos y los polmeros, son de particular utilidad para explicar la deformacin y el endurecimiento de los metales. Podemos identificar dos tipos de dislocaciones: la dislocacin de tornillo y la dislocacin de borde.

Dislocacin de tornillo: La dislocacin de tornillo se puede ilustrar haciendo un corte parcial a travs de un cristal perfecto, torcindolo y desplazando un lado del corte sobre el otro la distancia de un tomo. Dislocaciones de borde: Una dislocacin de borde se puede ilustrar haciendo un corte parcial a travs de un cristal perfecto, separndolo y rellenando parcialmente el corte con un plano de tomos adicional. El borde inferior de este plano adicional representa la dislocacin de borde. Dislocaciones mixtas: Las dislocaciones mixtas tienen componentes tanto de borde como de tornillo, con una regin de transicin entre ambas. El vector de Burgers, sin embargo, se conserva igual para todas las porciones de la dislocacin mixta. IMPORTANCIA DE LAS DISLOCACIONES: Aunque en algunos materiales cermicos y polmeros puede ocurrir deslizamiento, el proceso de deslizamiento es de particular utilidad para entender el comportamiento mecnico de los metales.

En primer trmino, el deslizamiento explica por qu la resistencia de los metales es mucho menor que el valor predecible a partir del enlace metlico. Si ocurre el deslizamiento, slo es necesario que se rompa en algn momento una pequea fraccin de todas las uniones metlicas a travs de la interfase, por lo que la fuerza requerida para deformar el metal resulta pequea. Segundo, el deslizamiento le da ductilidad a los metales. Si no hay dislocaciones presentes, una barra de hierro sera frgil; los metales no podran ser conformados utilizando los diversos procesos, que involucran la deformacin para obtener formas tiles, como la forja. En tercer lugar, controlamos las propiedades mecnicas de un metal o aleacin al interferir el movimiento de las dislocaciones. Un obstculo introducido en el cristal impedir que en una dislocacin se deslice, a menos que apliquemos mayor fuerza. Si es necesario aplicar una fuerza superior, entonces el metal resulta ser ms resistente. Estos obstculos pueden ser defectos puntuales o borde de grano. En cuarto lugar, se puede prevenir el deslizamiento de las dislocaciones achicando el tamao de grano o introduciendo tomos de diferente tamao, que son las aleaciones. En los materiales se encuentran enormes cantidades de dislocaciones. La densidad de dislocaciones, o la longitud total de dislocaciones por unidad de volumen, generalmente se utiliza para representar la cantidad de dislocaciones presentes. Densidades de dislocacin de 10-6 cm/cm3 son tpicas en los metales ms suaves, en tanto que se pueden conseguir densidades de hasta 10-12 cm/cm3 deformando el material. RESUMEN La distribucin atmica en slidos cristalinos puede describirse mediante una red espacial donde se especifican las posiciones atmicas por medio de una celdilla unidad que se repite y que posee las propiedades del metal correspondiente. Existen siete sistemas cristalinos basados en la geometra de las longitudes axiales y ngulos interaxiales de la celdilla unidad, con catorce subretculos basados en la distribucin interna de sta. En los metales las celdillas unidad de las estructuras cristalinas ms comunes son: cbica centrada en el cuerpo (bcc), cbica centrada en las caras ( fcc) y hexagonal compacta (hcp) que es una variacin compacta de la estructura hexagonal simple. En estos sistemas cristalinos, las direcciones se indican por los ndices de Miller, enteros positivos o negativos como [uvw], las familias de direcciones se indican por los ndices uvw, los planos cristalinos se indican por los inversos de las intersecciones axiales del plano, con la transformacin de las fracciones a los enteros proporcionales, (hkl), la familia de los planos se indican {hkl}. En los cristales hexagonales los planos cristalogrficos se indican como (hkil), estos ndices son los recprocos de las intersecciones del plano sobre los ejes a1, a2, a3 y c de la celdilla unidad hexagonal de la estructura cristalina; las

direcciones cristalinas en los cristales hexagonales se indican como [uvtw]. Utilizando el modelo de la esfera rgida para los tomos, se pueden calcular las densidades atmicas volumtricas, planar y lineal en las celdillas unidad. Los planos en los que los tomos estn empaquetados tan juntos como es posible se denominan planos compactos. Los factores de empaquetamiento atmico para diferentes estructuras cristalinas pueden determinarse a partir del modelo atmico de esferas rgidas. Algunos metales tienen diferentes estructuras cristalinas a diferentes rangos de presin y temperatura, este fenmeno se denomina alotropa. Las estructuras cristalinas de slidos cristalinos pueden determinarse mediante anlisis de difraccin de rayos X utilizando difractmetros por el mtodo de muestra en polvo. Los rayos X son difractados por los cristales cuando se cumplen las condiciones de la ley de Bragg.

Estructura Cristalina: se refiere al tamao, la forma y la organizacin atmica dentro de la red de un material. Red : Conjunto de puntos, conocidos como puntos de red, que estan ordenados de acuerdo a un patron que se repite en forma identica. Puntos de Red : Puntos que conforman la red cristalina. Lo que rodea a cada punto de red es identico en cualquier otra parte del material. Celda Unitaria : es la subdivision de la red cristalina que sigue conservando las caracterisiticas generales de toda la red.

Indices de mantenibilidad Los principales son:

ndice de Mantenibilidad o Razn de servicio. RS = TO / TD. Donde: RS = Razn de servicio. TO = Tiempo operativo. TD = Tiempo total disponible. Caractersticas: * Se lo controla usualmente para equipos mayores o crticos * Se lo puede calcular de acuerdo a como se planifique el mantenimiento de la mquina: mensualmente, trimestralmente, etc. * La RS no est relacionada con las causas

ndice de Mantenimiento Cclico. Relaciona los tiempos invertidos en mantenimiento preventivo, correctivo y reparaciones generales. Frmula: IMC =

1 (RC(T) + MP(T) + OH(T)/T) Donde: RC(T) = Tiempo total invertido en mantenimiento correctivo en un periodo de tiempo T MP(T) = Tiempo total invertido en mantenimiento preventivo en un periodo de tiempo T OH(T) = Tiempo invertido en reparaciones generales T = Periodo de tiempo entre dos reparaciones generales

ndice de Reparacin. Relaciona el tiempo invertido en mantenimiento correctivo que apoyan untiempo de operacin obtenido. Frmula: IR = 1 (RC(T)/t + RC(T)) Donde: IR = ndice de reparacin RC(T) = Tiempo invertido en mantenimiento correctivo para apoyar t horas de operacin t = Tiempo en horas de reparacin T = Periodo de tiempo

Disponibilidad. Es la probabilidad de que el equipo est operando satisfactoriamente en el momento en que sea requerido cuando se usa bajo condiciones estables. Que funcione cuando lo necesito La disponibilidad es funcin de: La confiabilidad (Probabilidad que un equipo no falle mientras est en servicio durante un perodo de tiempo dado).La mantenibilidad (Probabilidad que un sistema, subsistema o equipo que ha fallado pueda ser reparado dentro de un perodo de tiempo determinado).Frmula: D = TPEF / (TPEF + TPPR) ; D = TPEF / (TPEF + TPFS) Donde: D = Disponibilidad * TPEF = Tiempo Promedio Entre Fallas * TPPR = Tiempo Promedio Para Reparar

* TPFS = Tiempo Promedio Fuera de Servicio Tambin se puede calcular por medio de la razn de servicio. La disponibilidad esta definida por la siguiente formula: Disponibilidad estndar = (TT MT) / TT Donde : TT = Tiempo Total MT = Tiempo de Mantenimiento DTT = Tiempo Total Es la suma de todo el tiempo requerido por los departamentos operacionales para el uso de la maquinaria o equipo, depende de los turnos. Es decir 8, 16 o 24 horas al da. MT = Tiempo de Mantenimiento Es todo el tiempo que un equipo no est disponible por razones asociadas con la funcin del mantenimiento. Este tiempo incluye mantenimiento programado, mantenimiento no programado y paros por fallas. Hagamos las cuentas: MTBF = 43200 horas = 43200 / 24 horas * 365 dias al ao = 4.93 ao Si nosotros revisamos la frmula del MTBF en detalle es: MTBF = # equipos * t (Intervalo en horas) / # de fallas o sea las unidades del MTBF son # de equipo-tiempo por falla. Es decir que para el ejemplo anterior el MTBF = 4.93 equipos para que haya una falla en un intervalo de un ao

MC (1) Es el tiempo fuera de servicio para mantenimiento correctivo en un ao. MP (1) Es el tiempo fuera de servicio por motivo del mantenimiento preventivo e inspecciones en un ao. La disponibilidad tambin se determinar segn la siguiente frmula: Donde: TPEF =Tiempo promedio entre fallas (MTEF) TPFS =Tiempo promedio fuera de servicio (MTFS) El tiempo promedio entre fallas (TPEF) se calculara, por equipos, y mediante la frmula: Hop=horas de operacin del equipo No. de fallas = nmero de fallas del equipo El tiempo promedio para reparar (TPPR), se calculara por equipos por planta y mediante la frmula: Donde: Hpnp = horas de paros no programados

No. de fallas = nmero de fallas del equipo

Indicadores de volumen de produccin Indicador Unidad Frmula Efectividad global del equipamiento % Disponibilidad x ejecucin x calidad Tasa de disponibilidad neta % Tiempo de operacin Tiempo disponible Tasa de ejecucin % Cantidad produccin nominal Cantidad producida en condiciones ptimas Tasa de calidad % Cantidad producida en conformidad Cantidad producida total MTBF (tiempo medio entre fallas) Horas Tiempo promedio entre dos fallas para una instalacin sobre un perodo de tiempo dado Nmero de paradas que causan detencin de la produccin Nmero La suma de las paradas que ocurrieron durante un perodo dado MTTR (tiempo medio para la reparacin) Horas Tiempo promedio entre el momento cuando ocurre la falla y el momento cuando esta es reparada