Antonio Tejeda y Arantzazu Mascaraque son doctores en fsica por la Universidad Autnoma de Madrid.

Tejeda es investigador del Instituto Jean Lamour del CNRS francs. Mascaraque es profesora de la Universidad Complutense o de Madrid, donde estudia las propiedades electrnicas en el grupo de sicoqumica de super cies. Ambos estn interesados en las propiedades electrnicas de los sistemas de baja dimensionalidad..

M AT E R I A L E S

Aislante o metal?
La interaccin entre electrones puede hacer que compuestos en principio metlicos se conviertan en aislantes. El comportamiento de estos materiales, los aislantes de Mott, guarda relacin con el de los superconductores de alta temperatura
Antonio Tejeda y Arantzazu Mascaraque

o a o o oo a cidad y el calor. Los aislantes, en cambio, no. Pensemos en un cable elctrico: un cordn de hilos de cobre (metal) recubiertos de plstico (aislante). Sin embargo, la temperatura o la presin pueden convertir algunos metales en aislantes. Aunque ello no coincide con el sueo de los alquimistas de convertir el plomo en oro, se trata de un fenmeno incluso ms sorprendente, debido a la diferencia en las propiedades de las dos sustancias. Un aislante de Mott es precisamente un material que debera ser metlico pero presenta un comportamiento aislante. La temperatura o la presin puede transformarlo en metlico o viceversa: experimenta una transicin de fase metal-aislante (transicin de Mott). Los aislantes de Mott despiertan un gran inters debido a su parentesco con los superconductores de alta temperatura crtica; la comprensin de estos arrojara luz sobre aquellos. Muchas de las propiedades sorprendentes que muestran ciertos sistemas se deben a que estos presentan una disminucin extrema de una de sus dimensiones espaciales. Las supercies ofrecen un ejemplo de reduccin dimensional, puesto que una de

sus dimensiones (el grosor) no es relevante en comparacin con las otras dos. Dado que es de esperar que una dimensionalidad reducida afecte tambin a las propiedades de los aislantes de Mott, en nuestro grupo hemos investigado la transicin metalaislante en un sistema supercial formado por estao y germanio (Sn/Ge). El estudio del comportamiento de los electrones y de la estructura de la red cristalina nos ha permitido ahondar en la comprensin de estos interesantes materiales anmalos.
MODELOS TERICOS

Antes de presentar los resultados de nuestra investigacin, conviene recordar la evolucin de las teoras que han descrito las propiedades de los metales. El primer modelo se desarroll a partir del descubrimiento del electrn. Paul Drude (1900) propuso que los electrones ms alejados de los ncleos atmicos se movan libremente en el slido, como las molculas en un gas. Este modelo del gas de electrones libres supona que los electrones externos estaban poco afectados por los otros electrones. Sin embargo, predeca que el calor especco electrnico (variacin de la energa de los electrones al cambiar la temperatura) era constante. Lo cual es falso.
ALBERT MARN/INVESTIGACION Y CIENCIA

EN SNTESIS

La teora de bandas falla al describir los aislantes de Mott, materiales en principio metlicos que se comportan como aislantes.

Las propiedades conductoras de estas sustancias varan en funcin de la temperatura, la presin y el dopado. Estos factores modican la interaccin electrosttica de los electrones, que dejan de comportarse como partculas libres.

Dado que algunos superconductores de alta temperatura corresponden a aislantes de Mott dopados, la comprensin del comportamiento de estos arrojara luz sobre la superconductividad.

Los autores han observado la primera transicin de Mott en una intercara de estao y germanio. El sistema se ha convertido en un modelo para el estudio de super cies con correlacin electrnica.

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Marzo 2011, InvestigacionyCiencia.es 65

Ms adelante, Arnold Sommerfeld (1927) mejor el modelo clsico mediante la introduccin de la mecnica cuntica. La consideracin del electrn como una partcula cuntica (fermin sujeto al principio de exclusin de Pauli) permiti predecir correctamente las propiedades trmicas ms importantes, entre ellas la dependencia del calor especco con la temperatura. Felix Bloch (1928) dio el ltimo paso en la descripcin de los metales: incluy el concepto de red cristalina. En los metales cristalinos, los electrones se ven afectados por el campo elctrico asociado a los iones positivos que forman la red. Este campo elctrico puede considerarse pequeo y peridico, por lo que su tratamiento matemtico se simplica. Bloch desarroll el modelo de electrones cuasi-libres, basado en un gas de electrones sin inuencia mutua (electrones independientes) en un campo elctrico peridico y dbil (electrones cuasi-libres). Describa bastante bien el movimiento de los electrones en el slido y, en particular, su propiedad ms importante: la energa. Los niveles de energa de los electrones en un slido se distribuyen en bandas, que pueden considerarse resultado de la superposicin de los estados atmicos que integran la red. Estas reejan el hecho de que los electrones pueden desplazarse a lo largo de todo el material: pertenecen al slido, no a un tomo concreto. Las bandas se llenan comenzando por los estados de menor energa. El nmero mximo de electrones que puede ocupar una banda es igual al que cabra en todos los orbitales atmicos que se han superpuesto para crear la banda. Dado que en cada orbital atmico caben dos electrones (cada uno con diferente espn), en cada banda caben dos electrones por tomo. El nivel de energa ms alto ocupado corresponde al nivel de Fermi. Conocer en detalle los estados que existen en el nivel de Fermi resulta bsico para entender el comportamiento electrnico del sistema. Solo los electrones prximos al nivel de Fermi cuentan con estados vacos accesibles; solo ellos pueden interactuar con el exterior mediante el intercambio de energa. Los metales se caracterizan porque poseen bandas que no estn completamente llenas. As, cuando se aporta cierta energa al sistema, los electrones del nivel de Fermi ascienden un estado energtico dentro de su banda que antes estaba vaco. Este nuevo estado permite un aumento de la energa cintica, lo que se traduce en la posibilidad de desplazarse por el cristal. Los aislantes, en cambio, tienen la ltima banda completamente ocu-

pada. Por ello, sus electrones no pueden alcanzar tan fcilmente la banda desocupada ms cercana: necesitan una energa al menos tan grande como la diferencia de energa entre dos bandas consecutivas. El concepto de nivel de Fermi resulta tan til que se extiende incluso a los aislantes. En estos materiales, el nivel de Fermi se encuentra dentro del rango de energa prohibida: entre la ltima banda completamente ocupada y la primera completamente vaca. El estudio del mismo sirve para diferenciar la naturaleza elctrica de un material: los metales son materiales que tienen electrones en el nivel de Fermi, mientras que los aislantes carecen de ellos. Por tanto, la medida experimental de los estados electrnicos del nivel de Fermi nos permite determinar si un material es metlico (conductor) o aislante. Pero, funciona siempre este modelo? En 1937, Jan Hendrik de Boer y Evert J. Willem Verwey sealaron que ciertos xidos de metales de transicin como el xido de nquel (NiO), con bandas parcialmente llenas, eran malos conductores de la electricidad e incluso aislantes. Este hallazgo, que pona en tela de juicio la teora de bandas para este tipo de compuestos, fascin a los fsicos y conllev el desarrollo de una nueva teora.
ELECTRONES CORRELACIONADOS

Sabemos ahora que el NiO es un aislante de Mott. Con este nombre se denominan ciertos materiales que, si bien la teora de bandas predice que deben ser conductores, no conducen la electricidad. Deben su nombre a Nevill Mott, quien estudi la transicin metal-aislante en un artculo publicado en 1949. Si la teora de bandas no explica las propiedades electrnicas de los aislantes de Mott es porque supone que los electrones son independientes. Sin embargo, los electrones s se afectan unos a otros: se repelen fuertemente debido a la fuerza culombiana entre cargas del mismo signo. Y en ciertas ocasiones esta interaccin no puede ignorarse. Decimos entonces que existe correlacin electrnica. De hecho, la correlacin electrnica puede llegar a ser la responsable de las principales propiedades fsicas del material. Podramos explicar este comportamiento aislante inesperado, aunque solo de forma cualitativa, a partir de la repulsin electrosttica entre cargas del mismo signo. Los electrones tenderan a localizarse alrededor de un tomo y a reducir su movilidad para no interactuar con otros electrones.

HISTORIA

Sir Nevill Mott

El fsico terico Nevill Mott naci en Leeds en 1905. Recibi el Premio Nobel en 1977, junto a P. W. Anderson y J. H. Van Vleck, por sus investigaciones tericas fundamentales de la estructura electrnica de sistemas magnticos y desordenados. Durante veinte aos dirigi la ctedra de fsica terica de la Universidad de Bristol, hasta que en 1953 recibi una oferta de Cambridge para suceder a W. H. Bragg al frente de la ctedra del Instituto Cavendish de Ciencias Experimentales. Fue uno de los primeros en proponer que fsicos tericos y experimentales trabajaran juntos en la resolucin de los problemas cientcos. Su trabajo se dedic sobre todo al estudio de la aplicacin de la mecnica cuntica a los slidos. Public su primer artculo en 1927, en los albores de la fsica cuntica, y el ltimo en 1996, sobre superconductividad a alta temperatura, cuatro meses antes de morir a los 90 aos. Su apellido da nombre a numerosas ideas y conceptos de la fsica moderna. Segn sus colaboradores, su talento para visualizar el slido como un conjunto de tomos y ondas electrnicas haca que fuera capaz de predecir los mismos resultados que otros obtenan tras complejos clculos matemticos.

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PHYSICS PORTRAIT GALLERY, UNIVERSIDAD DE BRISTOL

E STRUC TURA ELE C TRNICA

Metales que no son metales

La conductividad de un material viene determinada por el nivel de Fermi (EF) y la estructura de bandas electrnicas. Los niveles energticos desocupados ms bajos conforman la banda de conduccin (azul); los niveles ocupados de mayor energa, la banda de valencia (naranja). En los metales, el nivel de Fermi corresponde al nivel energtico ms alto ocupado; la banda de conduccin y la de valencia se solapan. En los aislantes, en cambio, el nivel de Fermi se halla vaco, en medio de una brecha energtica que impide el paso de los electrones de una banda a otra. En ocasiones, la conductividad se ve alterada por los fenmenos de repulsin electrnica. Ciertos materiales que deberan ser metlicos por tener su ltima banda a medio ocupar se comportan como aislantes porque la energa asociada a la repulsin electrosttica entre partculas del mismo signo (U) es mayor que la anchura energtica de la banda (W ). En estas condiciones de fuerte correlacin electrnica, la banda inicial se desdobla en dos: una banda ocupada y otra vaca. Los sistemas en donde la repulsin es tan fuerte que deberan ser metales pero son aislantes se denominan aislantes de Mott.

ENERGA

ENERGA

EF

EF

Metal Al poseer bandas medio llenas, los electrones del nivel de Fermi pueden ascender a un estado energtico dentro de su banda que antes estaba vaco. Ello se traduce en un aumento de la energa cintica y, por tanto, en una mayor facilidad para desplazarse por el cristal.

Aislante de Mott Al tener la ltima banda completamente ocupada, sus electrones no pueden alcanzar tan fcilmente la banda de conduccin: necesitan una energa al menos tan grande como la diferencia de energa entre dos bandas consecutivas.

Mott explic el comportamiento de esos compuestos mediante la variacin de la presin. Supongamos que aplicamos a un metal una presin negativa que separa sus tomos. Este aumento de la distancia reduce la interaccin entre los electrones, lo que puede afectar drsticamente al equilibrio energtico. Si la separacin de los tomos es sucientemente grande, los electrones dejarn de interactuar unos con otros y el sistema se aproximar ms a un conjunto de tomos aislados, donde cada electrn se aloja alrededor de un tomo, que a un metal, donde los electrones se mueven por todo el material. Sin embargo, desde un punto de vista experimental, la manera ms sencilla de modicar la interaccin entre electrones es a travs de cambios de temperatura. En una conferencia celebrada en Londres en 1937, Rudolf Ernest Peierls propuso que la fuerza culombiana entre electrones podra llegar a localizarlos alrededor de los tomos. En algunas situaciones, al bajar la temperatura, los electrones reducen su movilidad y pasan ms tiempo cerca de sus iones. De esta forma, aquellos que saltan a otro ion lo encuentran seguramente ocupado por otro electrn, que lo repele, dicultando el movimiento de los electrones por el material. Por ltimo, cabe citar el efecto de la concentracin de carga (dopado). La introduccin de un elemento dopante altera la concentracin de portadores de carga; ello afecta a la capacidad del sistema para apantallar la interaccin electrosttica y, por tanto, incrementa los efectos debidos a la correlacin electrnica. De ah que desempee una funcin en la transicin de metal a aislante. La inuencia de estos tres factores (presin, temperatura y dopado) ha sido analizada en la transicin metal-aislante que sufre el xido de vanadio volmico (V2O3), uno de los aislantes de Mott ms estudiados.

AISLANTES DE MOTT BIDIMENSIONALES

Para el estudio de la fsica de los aislantes de Mott, resultan de gran inters las supercies: al tener una de las tres dimensiones espaciales muy reducida, facilitan el connamiento de los electrones. Sin embargo, la investigacin con supercies de este tipo entraa una gran dicultad experimental; para mantenerlas limpias es necesario trabajar en condiciones de vaco extremo (ultra-alto vaco), lo que diculta su manipulacin. Con todo, la fsica de supercies cuenta en la actualidad con las tcnicas necesarias para realizar este tipo de experimentos. Unos buenos candidatos a aislantes de Mott bidimensionales son las supercies semiconductoras. Dado que sus bandas electrnicas son estrechas en energa, los electrones se hallan ya bastante localizados, por lo que puede esperarse que la repulsin culombiana afecte de forma notable al sistema. La bsqueda de aislantes de Mott en supercies semiconductoras comenz en los aos noventa del siglo pasado. Durante aos se encontraron solo dos compuestos: una variedad del carburo de silicio (SiC) y el propio silicio dopado con boro y potasio (K/Si:B, con el dopaje se obtiene una banda medio llena). Sin embargo, en 2006 nuestro grupo descubri una nueva transicin metal-aislante en una intercara (supercie lmite entre dos fases) de germanio (Ge) y estao (Sn). Al cubrir con tomos de estao la supercie de un cristal de germanio obtuvimos un sistema Sn/Ge, que, siendo un metal a temperatura ambiente, se converta en un aislante de Mott al bajar la temperatura. Mediante el microscopio de efecto tnel de la Universidad de Nancy observamos la supercie que se formaba al depositar un tercio de capa atmica de Sn sobre Ge. Puesto que este microscopio permita variar la temperatura de la muestra entre la

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Sincrotrn del Instituto Paul Scherrer (Swiss Light Source), cerca de Zrich, donde se han realizado los experimentos de fotoemisin.

del helio lquido (4 K) y la temperatura ambiente, pudimos estudiar los cambios de posicin que sufran los tomos de Sn al enfriar el sistema. Para lograr una energa y reactividad mnimas, los tomos de una supercie a menudo se reorganizan en reconstrucciones. Cuando se deposita una capa atmica sobre una superTRANSICIN

De metal a aislante
La estructura de bandas de un sistema puede estudiarse mediante fotoemisin. Se ilumina la muestra con una luz de energa determinada, que, por efecto fotoelctrico, extrae electrones. Estos abandonan el material con energas y ngulos que dependen de su estado en el interior del slido. De este modo, la caracterizacin del electrn en el exterior del material permite determinar el estado del que proviene en el interior del mismo y, por tanto, conocer la estructura de bandas.

METAL
25

AISLANTE

20

15

10

0,8

0,4

0,0

0,4

0,8 0,8 0,4

0,0

0,4

0,8

Energa de ligadura (eV)

Se ha determinado mediante fotoemisin la estructura de bandas del sistema Sn/Ge y su variacin con la temperatura. A 140 K (izquierda), el material muestra un comportamiento metlico: se observa una banda (zona brillante) que llega al nivel de Fermi (verde). A 12 K (derecha), el material se torna aislante: la banda que cortaba el nivel de Fermi ha desaparecido.

cie, la celda unidad resultante (conjunto mnimo de tomos que describen la totalidad de la supercie por repeticin) suele ser un mltiplo de la original; se describe mediante los valores x e y por los que se ha multiplicado la celda original. El sistema Sn/Ge que estudiamos presenta una reconstruccin (3 3) en un rango de temperaturas de entre 150 y 30 K. Ello implica que la celda unidad es tres veces mayor en cada direccin que la celda unidad del Ge de partida. Esta reconstruccin espacial posee tres tomos de Sn por cada celda unidad. Pero los tres tomos de Sn no se hallan a la misma altura sino que uno de ellos est en una posicin ms elevada que los otros dos, algo ms bajos. A esta estructura supercial se la conoce como modelo 1 arriba 2 abajo. La posicin de los tomos de Sn reviste suma importancia para las propiedades electrnicas del material, puesto que una modicacin de la geometra de la red cristalina afecta directamente a la estructura de bandas. Las estructuras cristalina y electrnica se hallan acopladas. La diferencia de altura entre los tomos de Sn reeja la transferencia de carga electrnica que se produce entre estos y los tomos de Ge con los que se enlazan. Al trasferirse carga de un tomo de Sn a otro a travs de los tomos de Ge vecinos, el Sn donador se asemeja a un tomo con tres electrones de valencia; ello hace que preera un entorno geomtrico en el que los enlaces y el ion de Sn se disponen en el mismo plano (como si los enlaces apuntaran hacia los vrtices de un tringulo). El Sn receptor, en cambio, lo mismo que un tomo con cuatro electrones de valencia, buscar una geometra que le permita ocupar el centro de un tetraedro. El resultado es una disposicin geomtrica donde los tomos de Sn se encuentran a distinta altura y la carga se transere de los tomos inferiores a los superiores. Al disminuir la temperatura hasta unos 30 K, la disposicin de los tomos de Sn en la supercie se transforma completamente. Aparece una nueva reconstruccin. Los tomos de Sn, que en la fase (3 3) estaban a alturas diferentes, se disponen todos en el mismo plano. La simetra de la supercie se ve modicada y la celda unidad pasa a tener solo un tomo de Sn en una estructura que se conoce como (3 3)R30o. Con el propsito de descubrir el mecanismo que subyace bajo esta transicin de fase, hemos estudiado la transformacin que sufre una zona de la supercie conforme desciende la temperatura. Para determinar la altura de los tomos de Sn en una fase hay que jar un origen de coordenadas. En nuestro sistema, hemos usado como punto de referencia los defectos naturales preexistentes en la supercie, dado que la altura de los mismos no cambia durante la transicin. De este modo, hemos determinado que la altura de los tomos de Sn a baja temperatura en la reconstruccin (3 3)R30o a temperaturas menores de 30 K se halla entre las alturas de los dos tipos de tomos de la reconstruccin (3 3). La celda unidad de la fase ( 3 3)R30o contiene un solo tomo de Sn, que aporta un electrn. Dado que el nmero total

ngulo de emisin (grados)

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WIKIMEDIA COMMONS/HABI ( arriba); ANTONIO TEJEDA Y ARANTZAZU MASCARAQUE ( abajo)

E S T R U C T U R A C R I S TA L I N A

Transicin estructural
La estructura cristalina reviste suma importancia para las propiedades electrnicas de un material, puesto que una modicacin de la geometra de la red afecta directamente a la estructura de bandas. La estructura cristalina y la electrnica se hallan, pues, acopladas. Esta dependencia se observa en el sistema Sn/Ge, una super cie de germanio (Ge, verde) recubierta con tomos de estao (Sn, rojo y naranja, o azul). Al descender la temperatura, el material sufre una reorganizacin estructural que lo convierte en aislante.

FASE METLICA

FASE AISLANTE

La disminucin de la temperatura provoca una reorganizacin de la red cristalina

Sn

Sn

Ge

Ge

RECONSTRUCCIN (3 3) Celda unidad: 3 tomos de Sn. Temperaturas elevadas. Los tomos de Sn se hallan a alturas distintas: de cada tres, uno (rojo) ms elevado que los otros dos (naranja).

RECONSTRUCCIN (3 3)R30o Celda unidad: 1 tomo de Sn. Temperaturas bajas. Los tomos de Sn, antes con alturas distintas, se disponen ahora en el mismo plano (azul).

de electrones en la celda unidad es impar, el sistema tiene una banda parcialmente llena. Segn la teora de bandas, debera ser metlico. Sin embargo, los datos experimentales obtenidos mediante espectroscopia de fotoemisin indican lo contrario. En la espectroscopia de fotoemisin, la luz que se enva a la muestra arranca electrones por efecto fotoelctrico. El anlisis del nmero de electrones que abandonan la muestra (intensidad) en funcin de su energa y del ngulo de escape permite obtener el diagrama de estados electrnicos del sistema. Los experimentos de fotoemisin se realizaron en el sincrotrn suizo cerca de Zrich (Swiss Light Source), que ofrece la posibilidad de realizar fotoemisin resuelta en ngulo a 10 K. Ello nos permiti obtener la estructura de bandas del sistema en funcin de la temperatura y, en particular, la evolucin de la regin prxima al nivel de Fermi. Por encima de 30 K, existe una banda parcialmente ocupada; ello se pone de maniesto por la presencia de intensidad electrnica en el nivel de Fermi. A esa temperatura el sistema es, por tanto, metlico, como predice la teora de bandas para la fase (3 3). Cuando la temperatura disminuye, en cambio, desaparecen los estados en torno al nivel de Fermi: aparece una zona de energa prohibida. El sistema se convierte en aislante.

Puesto que el nmero de electrones del sistema no cambia por variar la temperatura, se concluye que la supercie ha experimentado una transicin metal-aislante. Pero, qu ha ocurrido realmente en el material?
DE METAL A AISLANTE

Se conocen varias transiciones metal-aislante. Cada una se debe a una causa distinta. En la transicin de Anderson, un sistema originalmente metlico se torna aislante porque el desorden estructural atrapa a los electrones e impide que se muevan por el cristal. Sin embargo, las imgenes de microscopa tnel del sistema Sn/Ge muestran que los defectos superciales que existen de forma natural no desempean ninguna funcin en la transicin de fase. Al estudiar la variacin de una misma regin de la supercie en funcin de la temperatura hemos analizado el comportamiento de varios defectos debidos a tomos de Sn que son sustituidos por tomos de Ge y otros defectos que corresponden a la ausencia de Sn (vacantes de Sn). Y hemos observado que estos defectos no aumentan en nmero ni varan su posicin en la supercie. Actan nicamente a modo de centros de nucleacin de las fases cuando se inicia la transicin, pero no son imprescindibles para la misma. Por tanto,

ANTONIO TEJEDA Y ARANTZAZU MASCARAQUE

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la transicin de Anderson no explica los resultados de nuestros experimentos. Otras transiciones de fase metal-aislante se asocian a deformaciones de la red cristalina. Por botn de muestra, los aislantes de Peierls. En estos materiales, la red se deforma para disminuir la energa electrnica del sistema. La transicin est ligada a una distorsin geomtrica particular asociada con la periodicidad del cristal. Debido a dicha distorsin, que cambia la celda unidad de la supercie, la estructura electrnica se modica, porque debe adaptarse a la nueva geometra. En la nueva estructura de bandas los electrones pasan a llenar completamente una banda (aislante) que antes estaba medio llena (metal), por lo que deja de haber intensidad en el nivel de Fermi. El balance energtico nal, es decir, el cambio estructural ms la modicacin de la energa de los electrones, resulta favorable porque en la nueva estructura electrnica los electrones ocupan estados electrnicos de menor energa. La disminucin de la energa electrnica compensa la energa que se necesita para distorsionar la red. Sin embargo, al estudiar las propiedades electrnicas de la fase de alta temperatura en el sistema Sn/Ge no hemos observado dicha disposicin especial de la estructura de bandas. Adems, en los aislantes de Peierls la celda unidad de la supercie a baja temperatura es siempre de mayor tamao que la de alta temperatura. En cambio, en nuestro caso ocurre justamente lo contrario: la celda (3 3) de alta temperatura es mayor que la celda ( 3 3)R30o de la fase de baja temperatura. Por tanto, puede descartarse que en el sistema Sn/Ge se produzca una transicin de tipo Peierls. Llegamos, por n, a la transicin de Mott. En efecto, el sistema Sn/Ge posee todas las caractersticas propias de una tran-

sicin de Mott: existe una transicin metal-aislante en la que hemos podido estudiar la fase metlica y la fase aislante, la redistribucin de la intensidad electrnica en el nivel de Fermi no est relacionada con la periodicidad de la supercie sino que es uniforme y la dimensin de la zona de energa prohibida que se abre queda dentro de lo esperable. En el sistema Sn/Ge pueden estudiarse las transiciones de fase metal-aislante con mayor facilidad que en el carburo de silicio y el silicio dopado con boro y potasio, los otros candidatos a aislantes de Mott. En el SiC no existe unanimidad acerca de si la transicin de Mott sucede o no. En el caso del K/Si:B, si bien se acepta la existencia de una fase aislante de Mott, el sistema se encuentra ya en esa fase a temperatura ambiente; y dado que se destruye al calentarlo, no se ha podido observar la transicin de fase metal-aislante.
ORIGEN DE LA TRANSICIN

El mecanismo que origina la transicin de fase en la capa Sn/Ge debe modicar la energa libre del sistema en funcin de la temperatura de manera que aparezca un nuevo mnimo correspondiente a la estructura plana de la fase Mott. Ese mecanismo provoca que los efectos de correlacin electrnica cobren mayor importancia. Habra dos explicaciones alternativas. En un principio podra pensarse que el origen de la transicin guarda relacin con la energa elstica y con el cambio del signo del coeciente de dilatacin que tiene lugar en el germanio a 30 K. Pero la modicacin del parmetro de red debida a este cambio es muy pequeo e insuciente para modicar el equilibrio de la fase (3 3) y desencadenar la transicin de Mott. Otra posibilidad sera que la transicin estuviera relacionada con la modicacin del apantallamiento electrnico. Al

MICROSCOPA

Imgenes con resolucin atmica

El microscopio de efecto tnel permite estudiar la topografa de una super cie a escala atmica. Este dispone de una punta muy alada, que se mueve sobre la super cie sin entrar en contacto fsico con ella. El movimiento se realiza con precisin atmica gracias a unos actuadores piezoelctricos. Se establece luego una diferencia de potencial entre la punta y la super cie, y se produce una corriente de origen cuntico. Los electrones responsables de esta corriente atraviesan, por efecto tnel, la distancia entre la punta y la muestra. El sistema de control por ordenador del microscopio acta de forma que la corriente que circula entre ambas sea constante en todo el movimiento de exploracin de la super cie, de modo que cuando la punta se halla sobre un agujero tender a desplazarse hacia la muestra para evitar que disminuya la corriente. As, para lograr que la corriente sea constante, la punta debe alejarse o acercarse a la super cie, por lo que su movimiento se corresponder con la topografa de la superficie. Dado que el efecto tnel depende exponencialmente de la distancia entre la punta y la muestra, podemos determinar la topografa de la super cie con una resolucin vertical extrema. En realidad, este instrumento no proporciona un mapa de las posiciones atmicas propiamente dichas (coordenadas del centro del ncleo), sino que explora la densidad electrnica de la superficie (extrae o inyecta electrones en los estados electrnicos). Sin embargo, puesto que la densidad electrnica de super cie y las posiciones atmicas suelen estar relacionadas, se considera que este microscopio permite ver los tomos. Microscopas de efecto tnel (4 4 nanmetros) de una capa atmica de estao (monocapa) sobre un sustrato de germanio. A 130 K, los tomos de estao de la super cie tienen dos alturas diferentes, por lo que se observan con dos intensidades (arriba). A 12 K, todos los tomos se disponen a la misma altura y por ello aparecen todos con la misma intensidad (abajo).

Cabeza del microscopio de efecto tnel.

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ANTONIO TEJEDA Y ARANTZAZU MASCARAQUE

Microscopio de efecto tnel del grupo de fsica de la nanoescala de la Universidad de Nancy. Se trata de uno de los pocos sistemas experimentales en el mundo que permite el estudio simultneo de la estructura cristalina y electrnica de superficies sin necesidad de exponer la muestra a presin atmosfrica. Asimismo, opera en un rango de temperaturas que va desde la ambiental hasta 4 K. Consta de tres campanas de ultra-alto vaco, interconectadas pero independientes, dotadas de tcnicas propias. Un sistema de transferencia permite desplazar la muestra de una campana a otra.

disminuir la temperatura, se reduce el nmero de electrones trmicamente excitados, por lo que disminuye tambin la facilidad con que los electrones pueden apantallar la carga. Ello implica un aumento de la repulsin electrnica efectiva y, por tanto, una modicacin en la intensidad de las correlaciones electrnicas que puede dar lugar a la estabilizacin de una fase Mott. El mecanismo que desencadena la transicin debe afectar a la estructura de la supercie, que se modica a lo largo de la transicin, as como al comportamiento electrnico, que pasa de metal a aislante. El grupo de Fernando Flores, de la Universidad Autnoma de Madrid, especializado en clculos tericos de sistemas bidimensionales, centra parte de su labor en el estudio de las correlaciones electrnicas. A partir de los clculos que han realizado para esta supercie, hemos determinado que los efectos de correlacin electrnica desencadenan, en efecto, la transicin. El mecanismo es complejo e implica la formacin de una fase intermedia entre la fase metlica (3 3) y la fase aislante de Mott. En un primer paso, la congelacin trmica de vibraciones atmicas facilita la localizacin de la carga en la estructura (3 3). Aparece as una fase intermedia, que hemos podido estudiar tambin experimentalmente mediante microscopa de efecto tnel y fotoemisin. En esta fase intermedia la interaccin entre electrones da lugar a un ordenamiento de la carga dentro de la celda (3 3), que afecta a la zona cercana al nivel de Fermi, reduce la conductividad y modica las alturas de los tomos de Sn. Esta fase (3 3) con reordenamiento de carga es la precursora de la fase aislante de Mott. En un segundo paso, desaparece la distorsin asociada a la estructura (3 3); se forma una fase plana, que corresponde a la fase aislante de Mott. En la actualidad estudiamos la estabilidad de la fase aislante de Mott frente a cambios en la temperatura y la densidad electrnica. Ello nos permitir ahondar en la comprensin de las fases metlicas que se encuentran en condiciones cercanas a las que dan lugar a un aislante de Mott. En estas tienen lugar fenmenos complejos tales como las uctuaciones de espn o de carga, y efectos de correlaciones fuertes de electrones. Una de las fases relacionadas con los aislantes de Mott de mayor inters son los superconductores de alta temperatura. La superconductividad de alta temperatura, tras descubrirse en 1986, contina siendo un misterio para los fsicos [vase Claves de la superconductividad a altas temperaturas, por Graham P. Collins; Ia Ca, octubre de 2009]. Sorprendentemente, algunos superconductores de alta temperatura se obtienen mediante el dopado de un aislante de Mott, es decir, a travs de la introduccin o eliminacin de electrones en el aislante. El caso mejor conocido es el de la familia de cupratos superconductores formados por el apilamiento de capas de oxgeno y cobre, donde existe una interaccin dbil entre dichas

capas. Aunque se trata de sistemas tridimensionales, guardan una gran semejanza con sistemas de menor dimensionalidad. En estos materiales, las capas de oxgeno y cobre deberan ser, segn la teora de bandas, metlicas. Sin embargo, debido a la correlacin electrnica, se comportan como aislantes de Mott. Esperamos, por tanto, que la comprensin de intercaras como el Sn/Ge arroje luz sobre las propiedades superconductoras de dichos materiales. Desde un punto de vista ms fundamental, la relevancia de los resultados obtenidos en el Sn/Ge radica en el hecho de que la observacin y el anlisis de una transicin de Mott permite ahondar en la compresin de las complejas propiedades que aparecen en sistemas que no siguen la teora de bandas clsica. Un sistema en el que cambios tan pequeos pueden transformarlo de metlico en aislante resulta ideal para modelar sus propiedades, ya que la ingeniera de supercies ha alcanzado una capacidad de manipulacin difcil de obtener en el caso de los compuestos tradicionales. Ms all de esas motivaciones bsicas, nuestro trabajo entraa un inters particular porque se centra en una transicin de Mott en supercie. La transicin de fase proporciona mucha ms informacin que la propia fase Mott. El anlisis de la transicin nos permitir averiguar si esta vara segn si el aislante de Mott es bidimensional, como en las supercies, o tridimensional, como en los materiales ms usuales. Cada nuevo hallazgo plantea nuevas cuestiones. Nos queda todava un largo camino por recorrer hasta que podamos predecir el comportamiento de un material determinado. Con todo, la comprensin de las propiedades de sistemas modelo cada vez ms complejos est permitiendo avanzar en la direccin correcta.

ANTONIO TEJEDA Y ARANTZAZU MASCARAQUE

PA R A S A B ER M S

When is a metal not a metal? S. C. Erwin, en Nature, vol. 441, n.o 295, 2006. Observation of a Mott insulating ground state for Sn/Ge(111) at low temperature. R. Corts, et al. en Physical Review Letters, vol. 96, pg. 126.103, 2006. Structural Origin of the Sn 4d Core Level Line Shape in Sn/Ge(111)-(33). A. Tejeda, et al. en Physical Review Letters. vol. 100, pg. 026.103, 2008. Superconductivity in one-atomic-layer metal lms grown on Si(111). T. Zhang et al. en Nature Physics, vol. 6, pg. 10, 2010. Large Rashba spin splitting of a metallic surface-state band on a semiconductor surface. K. Yaji et al. en Nature Communications, 1:17, DOI:10.1038/ncomms1016, 2010.

Marzo 2011, InvestigacionyCiencia.es 71