FUNDAO NOKIA DE ENSINO

RELATRIO DE ELETRNICA Transistores TBJ

MANAUS

2012

FUNDAO NOKIA DE ENSINO

RELATRIO DE ELETRNICA Transistores TBJ

CCERO MIGUEL ALVES VIEIRA FAUSTO SIGLY ARUEIRA DE SOUZA LAPA FELIPE MONTEIRO SIQUEIRA GABRIEL LUCAS DE SOUSA PORTELA

N10 N14 N16 N18

Relatrio referente disciplina de Eletrnica Geral, com auxlio do professor Luiz Eduardo para obteno de nota parcial do 3 bimestre.

MANAUS

2012 SUMRIO

Introduo

Neste trabalho, ser dada uma prvia sobre os transistores bipolares de juno que um tipo de transistor mais comum, graas a sua facilidade de polarizao e durabilidade, recebendo este nome por que o processo de conduo realizado por dois tipos de cargas, que so positivas e negativas, haver tambm, dados e concluses referentes aos experimentos feitos em laboratrio.

OBJETIVOS DO EXPERIMENTO

a) Identificar, experimentalmente, os terminais e tipo de um transistor. b) Verificar, experimentalmente, circuitos de polarizao do TBJ. c) Verificar, experimentalmente, o TBJ como chave eletrnica.

1-FUNDAMENTAO TERICA

1.1-Dopagem
Dopagem uma forma de adio de impurezas qumicas a um semicondutor para torn-lo mais condutor, porm, de maneira controlada. Os elementos mais comuns na dopagem eletrnica so o carbono, o silcio e o possuem quatro eltrons na camada de valncia. Impurezas utilizadas: 1.1.1 N: adio de fsforo ou arsnio, ambos possuem cinco eltrons na camada de valncia. Ocorre ligao covalente entre quatro eltrons e um fica livre, eltron livre, que ganha movimento e gera corrente eltrica.

1.1.2 P: adio de boro ou glio, ambos possuem trs eltrons na camada de valncia. Ocorre ligao entre os trs e fica faltando um eltron, criando-se lacunas, que conduzem corrente. Lembrando que a ligao se d com elementos da famlia 4A da tabela peridica O transistor formado com trs camadas usando combinaes PNP e NPN. germnio. Estes

Imagem 1. Fonte: http://www.infoescola.com/quimica/dopagem-eletronica/

1.2-Terminais do TBJ (Transistor Bipolar de Juno)

Imagem 2. Fonte: https://export.writer.zoho.com/public/luizcf/LIN12007_Medidas-em-diodos-e-Transistores1/fullpage

Observando a imagem possvel perceber que o terminal mais fcil de ser identificado o da base, pois o nico terminal que possui a menor resistncia se comparada aos terminais de coletor e emissor. A melhor maneira de se identificar os terminais de um transistor seria com o auxilio de um multmetro digital com funo de teste para diodo. Num transistor bipolar comum, na juno emissor/base pode-se perceber uma queda de tenso direta e superior da juno coletor/base, ou seja, quando a base identificada os demais terminais so facilmente identificados. Outro mtodo seria atravs da analise das correntes, visto que a corrente de emissor maior que a de coletor, e a corrente de base a menor dos trs j que esta graduada em micro amperes.

1.3-Curvas Caractersticas

Para cada regio do transistor a representao grfica de corrente (I) versus tenso (V) possui certa caracterstica vejamos:

1.3.1 Em circuitos EC: 1.3.1.1 Curva da base: O grfico da corrente da base Versus tenso base-emissor possui a aparncia da curva de um diodo retificador comum. Na maioria das vezes, a aproximao ideal e a segunda aproximao so suficientes. 1.3.1.2 As curvas do coletor: As quatro regies de operao distintas de um transistor so a regio ativa, a regio de saturao, a regio de corte e a regio de ruptura. Quando usado como amplificador, ele opera na regio ativa. Quando usados em circuitos digitais, ele opera nas regies de saturao e corte. A regio de ruptura geralmente evitada porque o transistor corre um risco muito alto de ser danificado.

1.3.2 Outras curvas: 1.3.2.1 As variaes no ganho de corrente: Por causa das tolerncias de fabricao, o ganho de um transistor pode variar numa faixa de at 3:1 quando voc troca de um transistor para outro do mesmo tipo. O ganho de corrente depende da corrente e a temperatura da juno. 1.3.2.2 A reta de carga: uma linha que corta as curvas caractersticas do coletor para mostrar cada um dos possveis pontos de operao de um transistor. Ela contm todos os pontos possveis de operao desse circuito. Dito de forma diferente, quando a resistncia na base varia de zero a infinito, a corrente no coletor e a tenso coletor-emissor variam. Se voc colocar cada par de valores Ic e Vce, obter uma sequncia de pontos de operao que repousam sobre a reta de carga. Portanto, a reta de carga um recurso visual dos possveis pontos de operao do transistor.

1.4-Polarizao de Transistores

O Transistor constitudo por trs camadas fundamentais de materiais semicondutores, a polarizao de um transistor pode ser do tipo NPN ou PNP.

Imagem 3. Fonte: Fonte Prpria.

A corrente do emissor (Ie) composta pela soma das correntes de Base (Ib) e Coletor (Ic). Observamos que a tenso entre coletor-emissor (VCE) composta pela soma das tenses base-emissor (VBE) e base-coletor (VCB). Logo, podemos escrever: IE = IB + IC VCE = VBE +VBC (NPN)

Simbologia dos transistores

Imagem 4. Fonte: Fonte Prpria.

Sem polarizao, uma juno NPN ou PNP, apresenta duas barreiras de potencial, iguais quela vista na juno PN de um diodo semicondutor. Para movimentarmos os eltrons e lacunas nos materiais, necessria a colocao de baterias que podero deixar cada juno direta ou reversamente polarizada. Seguindo, temos que analisar todas as possibilidades de polarizao: 1 Caso As duas junes reversamente polarizadas:

Imagem 5. Fonte: Fonte Prpria.

10

Neste caso, no temos corrente, por que as duas junes esto reversamente polarizadas, deixando o transistor em corte. 2 caso As duas junes diretamente polarizadas:

Imagem 6. Fonte: Fonte prpria.

Neste caso, h corrente nas duas junes, deixando o transistor em saturao. 3 caso Uma juno diretamente polarizada e a outra reversamente polarizada:

Imagem 7. Fonte: Fonte prpria.

Neste caso, temos corrente nas duas junes, apesar da polarizao reversa, por que aqui, ocorre o fenmeno denominada de efeito transistor. Por causa desse fenmeno, utilizaremos este caso para fins de polarizao. Define-se polarizao como sendo o estabelecimento das correntes de coletor, de base e da tenso VCE, ou seja, do ponto de trabalho do transistor Para melhor aproveitamento, devemos polarizar a juno base-emissor diretamente e a juno base-coletor reversamente. Para tanto, utilizaremos no circuito duas baterias, VBB e VCC, resistores limitadores de corrente, conforme mostra a figura abaixo. Para compreendermos, iremos utilizar a figura abaixo, onde temos a polarizao do terceiro caso com a estrutura interna das junes mais detalhadas.

11

Imagem 8. Fonte: Fonte prpria.

Considerando a figura acima, vamos escrever as equaes das malhas de entrada e de sada: Entrada: VBB = RB IB + VBE Sada: VCE = RCIC + VCE Para dimensionarmos RB e RC em funo de valores pr-estabelecidos de VBB, VCC, IB, VCE e dos parmetros do transistor, nas equaes de malha isolamos nesse valores:

12

Na pratica, no vivel a utilizao de duas baterias, sendo que para eliminarmos uma delas, formaremos divisores de tenso que equivalem a nvel de polarizao s condies pr-estabelecidas. O circuito equivalente com a bateria VBB eliminada, visto na figura abaixo:

Imagem 9. Fonte: Fonte prpria.

Uma melhor soluo para o problema da instabilidade principalmente com a temperatura, polarizarmos o transistor, utilizando o circuito visto na figura abaixo, denominado polarizao por divisor de tenso na base.

Imagem 10. Fonte: Fonte prpria.

O divisor de tenso na base, se dimensionado de maneira conveniente, fixar VRB2:

13

2-FUNDAMENTAO PRTICA 2.1 Resoluo Terica

Questo 1:

14

180k

390

V1

15 V

BC548A

Imagem 11. Fonte: Fonte prpria.

Ic = 41079,44

Ie = (410 + 1)79,44

Vbe = 0,7

Ic = 32,57mA. Ib = 79,44A. = 2,29

Ie = 41179,44 Ie = 32,65mA.

Vce = Vc Vce

15

Questo 2:

180k

390

V1 BC548A

15 V

120

Imagem 12. Fonte: Fonte prpria.

16

Questo 3:

390
4.7k 390

V1 BC548A

15 V

Rth
1.302k

Q1

V1

15 V BC548BP

Vth
1.8k 120

4.15 V

120

Imagem 13. Fonte: Fonte prpria.

Imagem 14. Fonte: Fonte prpria.

17

Questo 4:

470

LED1 V1 4.7k BC548A

15 V

Imagem 15. Fonte: Fonte prpria.

18

2.2 Resoluo Prtica

Questo 1:

180k

390

V1

15 V

BC548A

Imagem 16. Fonte: Fonte prpria.

Valor Prtico

Ib 79,3 A

Ic 32,9 mA

Ie 33,4 mA

Vbe 0,718 V

Vce 2,2 V

Tabela 1. Fonte: Fonte Prpria.

Questo 2:

19

180k

390

V1 BC548A

15 V

120

Imagem 17. Fonte: Fonte prpria.

Valor Prtico

Ib 61,8 A

Ic 26,53 mA

Ie 26,58 mA

Vbe 0,71V

Vce 1,62 V

Tabela 2. Fonte: Fonte Prpria.

Questo 3:

20

4.7k

390

V1 BC548A

15 V

1.8k

120

Imagem 18. Fonte: Fonte prpria.

Valor Prtico

Ib 81,5 A

Ic 29,4 mA

Ie 29,46 mA

Vbe 0,72V

Vce 1,02 V

Tabela 3. Fonte: Fonte Prpria.

Questo 4:

21

470

LED1 V1 4.7k BC548A

15 V

Imagem 19. Fonte: Fonte prpria.

Chave S Pos 1 Pos 2

Ib 2,9 mA 0A

Ic 27,1 mA 0A
Tabela 4. Fonte: Fonte Prpria.

Vbe 0,79 V 7 V

Vce 57,2 mV 13,57 V

Concluso

22

Durante os experimentos prticos, pode observar-se que, as medies sofrem variaes devido a composio qumica do transistor, a temperatura do ambiente e ao valor varivel, de transistor para transistor, do beta. A polarizao do transistor se deve a algumas impurezas adicionadas ao silcio, ou ao germnio, que forma lacunas ou eltrons livres e dessa forma o transistor consegue conduzir corrente eltrica, ou seja, atravs da diferena de polos, sua polarizao pode ser da seguinte forma PNP ou NPN.

Referncias Bibliogrficas

23

MALVINO, Albert Paul. Eletrnica. 4. ed. So Paulo: Makron Books, 1995. BOLEYSTAD, Robert L. Dispositivos eletrnicos e teoria de circuitos. 8 ed. So Paulo: Pearson Prentice Hall, 2004. Dopagem. Disponvel em: <http://www.infoescola.com/quimica/dopagem-eletronica/>. Acesso em: 8 set.
2012.

Terminais de transistores. Disponvel em: <https://export.writer.zoho.com/public/luizcf/

LIN12007_Medidas-em-diodos-e-Transistores1/fullpage>. Acesso em: 8 set. 2012.

Polarizao de transistores. Disponvel em: <http://pt.scribd.com/doc/14133978/UFRJAula-4-Polarizacao-de-Transistores>. Acesso em: 8 set. 2012.