AMPLIFICADORES MULTIETAPA

Para obtener una mayor ganancia de tensin podemos

crear un amplificador multietapa conectando en
cascada dos o mas etapas amplificadoras. Esto quiere
decir que hay que utilizar la salida de la primera etapa
como entrada para la segunda. A su vez, la salida de la
segunda etapa se puede emplear como entrada de la
tercera etapa, y as sucesivamente.
GANANCIA DE TENSIN DE LA PRIMERA ETAPA

La figura siguiente muestra un amplificador de dos
etapas. La seal de salida amplificada e invertida de la
primera etapa se acopla a la base de la segunda etapa. La
salida amplificada e invertida de la segunda etapa se
acopla a la resistencia de carga. La seal que hay en la
resistencia de carga est en fase con el generador de
seal.
La razn de ello es que cada etapa invierte la seal 180.
Por tanto, dos etapas invierten la seal 360, lo que es
equivalente a 0 (seales en fase).

(a) Amplificador de dos etapas, (b) Circuito equivalente de alterna.
(a)
DE TENSIN DE LA SEGUNDA ETAPA

La Figura b muestra el circuito equivalente de alterna.
Observe que la impedancia de entrada de la segunda
etapa I carga la primera. En otras palabras, la impedancia
z
in
de la segunda etapa est en paralelo con la resistencia
Rc de la primera etapa. La resistencia de colector en
alterna de la primera etapa es:

La ganancia de tensin de la primera etapa es:
La resistencia de colector en alterna de la
segunda etapa es:

y la ganancia de tensin de la segunda etapa es:
GANANCIA TOTAL DE TENSIN

La ganancia total de tensin del amplificador
est dada por el producto de las ganancias
individuales:


Por ejemplo, si cada etapa tiene una ganancia de
tensin de 50, la ganancia total de tensin es
2500.
EJEMPLO
Cul es la tensin alterna de colector en la
primera etapa del circuito de la siguiente Figura?
Y la tensin alterna de salida en la resistencia
de carga?

La impedancia de entrada de la segunda base es
la misma que la de la primera etapa:
La ganancia de tensin de la primera etapa es:



Por lo tanto la tensin alterna de colector en la primera
etapa es:

La resistencia de colector en alterna de la segunda
etapa es:

y la ganancia de tensin de la segunda etapa es:


Por tanto la tensin alterna de salida en la
resistencia de carga es:

Otra forma de calcular la tensin final de salida
utilizando la ganancia total de tensiones:



La tension alterna de salida en la resistencia de
carga es:
AMPLIFICADOR EN COLECTOR COMN

El seguidor de emisor tambin se denomina amplificador en
colector-comn (CC). La seal de entrada se acopla a la base
y la seal de salida se toma del emisor.
La Figura a muestra un seguidor de emisor. Dado que el
colector est conectado a tierra de alterna, el circuito es un
amplificador en colector comn. La tensin de entrada se
acopla a la base, lo que establece una corriente alterna de
emisor y produce una tensin alterna en la resistencia de
emisor. Esta tensin alterna se acopla entonces a la
resistencia de carga.
La Figura b muestra la tensin total entre la base y tierra.
Tiene una componente continua y una componente
alterna. Como puede ver, la tensin alterna de entrada
alcanza la tensin de reposo de la base V
BQ.
De forma
similar, la Figura c muestra la tensin total entre el
emisor y tierra. Esta vez, la tensin alterna de entrada
est centrada en la tensin de reposo de emisor Veq.
La tensin alterna de emisor se acopla a la resistencia
de carga. Esta tensin de salida se muestra en la Figura
d, una tensin alterna pura. Esta tensin de salida est
en fase con, y es aproximadamente igual a, la tensin de
entrada. La razn por la que este circuito se denomina
seguidor de emisor es porque la tensin de salida sigue, a
la tensin de entrada.
Puesto que no hay una resistencia de colector, la
tensin total entre el colector y tierra es igual a la
tensin de alimentacin. Si visualizamos la
tensin de colector en un osciloscopio, veremos
una-tensin continua constante, como la
mostrada en la Figura e. No hay seal alterna en
el colector porque es un punto de tierra de
alterna.
RESISTENCIA EXTERNA DE EMISOR EN ALTERNA

En la Figura a, la seal de alterna que sale del emisor ve
la resistencia Re en paralelo con R
L
,. Definimos la
resistencia de emisor en alterna como sigue:

sta es la resistencia externa de emisor en alterna, que
es diferente de la resistencia interna de emisor en
alterna r
e
.
GANANCIA DE TENSIN

La siguiente Figura a muestra el circuito equivalente de alterna con el
modelo en T. Aplicando la ley de Ohm, podemos escribir las dos
ecuaciones siguientes:


Dividiendo la primera ecuacin entre la segunda, obtenemos la
ganancia de tensin del seguidor de emisor:


Normalmente, un diseador har que r
e
sea mucho mayor que r'
e
, de
modo que la ganancia de tensin sea (aproximadamente) igual a 1. ste
es el valor que se utilizar en los anlisis preliminares
Por qu se denomina seguidor de emisor a un
amplificador si su ganancia de tensin es igual a
1? Porque tiene una ganancia de corriente de .
Las etapas finales de un sistema tienen que
generar ms corriente porque, normalmente, la
carga final es una impedancia pequea. El
seguidor de emisor puede generar corrientes de
salida grandes para cargas de baja impedancia.
En resumen. aunque no es un amplificador de
tensin, el seguidor de emisor es un amplificador
de corriente o de potencia.

Figura .- Circuitos equivalentes de alterna del seguidor de emisor.
IMPEDANCIA DE ENTRADA DE LA BASE

La Figura siguiente (b) muestra el circuito equivalente
de alterna utilizando el modelo en del transistor. En lo
que se refiere a la impedancia de entrada de la base, el
funcionamiento es el mismo que en un amplificador con
resistencia de emisor sin desacoplar. La ganancia de
corriente transforma la resistencia total de emisor
multiplicndola por un factor .
IMPEDANCIA DE ENTRADA DE LA ETAPA

Cuando la fuente de alterna no es constante, parte de la
seal alterna se perder en la resistencia en alterna. Si
deseamos calcular el efecto de la resistencia interna,
tendremos que usar la impedancia de entrada de la
etapa, que esta dada por:


Con la impedancia de entrada y la resistencia de fuente,
podemos utilizar el divisor de tensin para calcular la
tensin de entrada que llega a la base. Los clculos son
los mismos que los realizados anteriormente por divisor
de tensin.
Cul es la impedancia de entrada de la base en el
circuito de la siguiente Figura si = 200? Cul es la
impedancia de entrada de la etapa? cul es la tensin
alterna de entrada al seguidor de emisor?
EJEMPLO
SOLUCIN
Puesto que cada una de las resistencias del divisor de
tensin tienen un valor de 10 kO, la tensin continua de
la base es la mitad de la tensin de alimentacin, es decir
5 V. La tensin continua de emisor es 0,7 V menor, es
decir, 4,3 V. La corriente continua de emisor es 4,3 V
dividido entre 4,3 kO , es decir, 1 mA. Por tanto, la
resistencia en alterna del diodo de emisor es:
La resistencia externa de emisor en alterna es el
equivalente paralelo de R
E
y R
L
que es:

Puesto que el transistor tiene una ganancia de corriente
en alterna de 200, la impedancia de entrada de la base
es:

La impedancia de entrada de la base aparece en paralelo
con las dos resistencias de polarizacin. La impedancia
de entrada de la etapa es:

SOLUCIN La Figura siguiente muestra el circuito
equivalente de alterna. La tensin alterna de base
aparece en z
in
. Puesto que la impedancia de entrada de la
etapa es grande comparada con la resistencia del
generador, la mayor parte de la tensin del generador
aparece en la base. Aplicando el teorema del divisor de
tensin:
EL AMPLIFICADOR EN BASE COMN

La Figura a muestra un amplificador en base comn que
utiliza una fuente de alimentacin con doble polaridad.
Puesto que la base est conectada a tierra, este circuito
tambin se denomina amplificador con la base a tierra.
El punto Q queda determinado por la polarizacin de
emisor, como se muestra en el circuito equivalente de
continua de la Figura b. Por tanto, la corriente continua
de emisor esta dada por:
Amplificador en base comn, (a) Alimentacin doble, (b) Circuito equivalente
de continua con polarizacin de emisor,
La Figura c muestra un amplificador en base comn con
polarizacin mediante divisor de tensin, que utiliza una
sola fuente de alimentacin. Fjese en el condensador de
desacoplo en paralelo con R2, lo que pone la base a tierra
de alterna. Dibujando el circuito equivalente de continua,
como el que se muestra en la Figura d, podr ver la
configuracin de polarizacin mediante divisor de tensin.
(c) Alimentacin
nica,
(d) Circuito
equivalente de
continua con
polarizacin
mediante divisor de
tensin.
En cualquier amplificador, la base est puesta a tierra de
alterna. La seal de entrada excita al emisor y la seal de
salida se toma del colector. La Figura a muestra el circuito
equivalente de alterna de un amplificador en base comn
durante el semiciclo positivo de la tensin de entrada. En
este circuito, la tensin alterna de colector, v
out
es igual a:
como i
c
~ i
e
, la
ecuacin se simplifica :
Idealmente, la fuente de corriente de colector de la Figura anterior
tiene una impedancia interna infinita. Por tanto, la impedancia de
salida de un amplificador en base comn es:

Una de la principales diferencias entre el amplificador en base
comn y otras configuraciones de amplificador es su baja impedancia
de entrada. Mirando desde el emisor en el circuito de la Figura,
tenemos una impedancia de entrada de:
Puesto que, normalmente, Re es
mucho ms grande que re, la
impedancia de entrada del circuito es
aproximadamente igual a:
EJEMPLO
Cul es la tensin de salida en el circuito de la
Figura siguiente?
SOLUCIN
El circuito tiene que tener su punto Q determinado, es
decir que tenemos que analizarlo en corriente continua.

RESUMEN
AMPLIFICADOR EN COLECTOR COMN

Un amplificador en colector comn, conocido tambin
como seguidor de emisor, tiene su colector conectado a
tierra de alterna.
La seal de entrada excita la base y la seal de salida
procede del emisor. Puesto que est fuertemente
estabilizado, un seguidor de emisor tiene una
ganancia de tensin estable, una alta impedancia de
entrada y una baja distorsin.
AMPLIFICADOR BASE COMN

La configuracin de amplificador base comn
tiene su base conectada a la tierra de alterna. La
seal de entrada excita al emisor y la seal de
salida procede del colector.
El amplificador en base comn tiene una
impedancia de entrada baja y una
Impedancia de salida alta, y se utiliza en
aplicaciones de alta frecuencia.
TRANSISTORES DE EFECTO DE
CAMPO.
(FET)
36
Los transistores de efecto de campo o transistores
FET (field effect transistor), se diferencian
principalmente de los transistores bipolares, en
que la corriente que conducen depende de la
tensin, es decir, son controlados por tensin.

Dentro de los transistores FET, hay dos tipos, los
llamados transistores FET de unin (JFET),
tambin llamados simplemente FET, y los
transistores FET de puerta aislada, tambin
llamados MOSFET.
Con los transistores bipolares observbamos
como una pequea corriente en la base de los
mismos se controlaba una corriente de colector
mayor. Los Transistores de Efecto de Campo
son dispositivos en los que la corriente se
controla mediante tensin. Cuando funcionan
como amplificador suministran una corriente
de salida que es proporcional a la tensin
aplicada a la entrada.

La Figura a muestra un fragmento de un semiconductor
de tipo n. El extremo inferior es la fuente y el extremo
superior se denomina drenador. La fuente de alimentacin
V
DD
fuerza a que los electrones libres fluyan desde la
fuente hacia el drenador. Para fabricar un JFET, el
fabricante difunde dos reas de semiconductor de tipo p en
el semiconductor de tipo n, como se muestra en la Figura b.
Estas regiones p estn conectadas internamente para
conseguir un slo terminal externo de puerta.
POLARIZACIN INVERSA DE PUERTA

En la Figura siguiente la puerta de tipo p y la fuente de
tipo n forman el diodo puerta-fuente. En un JFET, el
diodo puerta-fuente siempre se polariza en inversa. Debido
a la polarizacin inversa, la corriente de puerta I
G
es
aproximadamente cero, lo que equivale a decir que el
JFET presenta una resistencia de entrada casi infinita.
Un JFET tpico tiene una resistencia de entrada de cientos
de megaohmios. Esta es la gran ventaja que un JFET
tiene sobre un transistor bipolar y es por lo que constituye
una excelente solucin para las aplicaciones en las que se
requiere una alta impedancia de entrada.
En la Figura siguiente, los electrones que fluyen desde
la fuente al drenador tienen que atravesar el estrecho
canal que hay entre las zonas de deplexin. Cuando la
tensin de puerta se hace ms negativa, las zonas de
deplexin se expanden y el canal de conduccin se hace
ms estrecho. Cuanto ms negativa sea la tensin de
puerta, menor ser la corriente entre la fuente y el
drenador.
Figura.- Polarizacin normal del JFET.
El JFET es un dispositivo controlado por tensin porque
una tensin de entrada controla una corriente de salida.
En un JFET, la tensin puerta-fuente V
GS
determina la
cantidad de corriente que fluye entre la fuente y el
drenador. Si V
GS
es cero, la corriente mxima de
drenador circula a travs del JFET. Por esto, se dice que
el JFET es un dispositivo normalmente en conduccin.
Por el contrario, si V
GS
es lo suficiente negativa, las
zonas de deplexin se tocarn y la corriente de drenador
se cortar.
El JFET de la Figura anterior es un JFET de canal n
porque el canal entre la fuente y el drenador es un
semiconductor de tipo n. La Figura (a) muestra el smbolo
esquemtico de un JFET de canal n.
La Figura b muestra un smbolo alternativo para un
JFET de canal n. Muchos ingenieros y tcnicos prefieren
este smbolo con la puerta desplazada, la cual apunta a la
fuente del dispositivo, para poder diferenciar mas
fcilmente la ubicacin de la fuente.
Tambin existe un JFET de canal p. El smbolo
esquemtico de un JFET de canal p, mostrado en la
Figura c, es similar al del JFET de canal n, excepto en
que la flecha de la puerta apunta en la direccin
contraria. El funcionamiento de un JFET de canal p
es complementario: es decir, todas las tensiones y
corrientes estn invertidas. Para polarizar en inversa
un JFET de canal p, la puerta tiene tanto, V
GS
se hace
positiva.
P N N
Drenador
(D)
Surtidor
(S)
Puerta
(G)
Drenador
(D)
Puerta
(G)
Surtidor
(S)
I
D
I
S
I
G
V
GS
V
SD
JFET de canal N JFET de canal P
Los tres terminales de un transistor FET son la puerta (gate
en ingls), el drenador y la fuente o surtidor.
EJEMPLO
Un JFET 2N5486 tiene una corriente de puerta de 1
nA cuando la tensin inversa de puerta es 20 V. Cul
es la resistencia de entrada de este JFET?

SOLUCIN Utilizando la ley de Ohm, obtenemos:
LA CURVA CARACTERSTICA DEL FET.

Este grfico muestra que al aumentar el voltaje Vds
(voltaje drenador - fuente), para un Vgs (voltaje de
compuerta) fijo, la corriente aumenta rpidamente (se
comporta como una resistencia) hasta llegar a un punto
A (voltaje de estriccin), desde donde la corriente se
mantiene casi constante hasta llegar a un punto B (entra
en la regin de disrupcin o ruptura), desde donde la
corriente aumenta rpidamente hasta que el transistor
se destruye.

Si ahora se repite este grfico para ms de un
voltaje de puerta a fuente (Vgs), se obtiene un
conjunto de grficos. Ver que Vgs es "0" voltios o
es una tensin de valor negativo.

48
I
D
V
DS
2
P
GS
DSS D
V
V
1 I I
|
|
.
|

\
|
= Ecuacin aproximada:
49

Zona activa. Se observa en cada curva una zona en que,
por ms que aumente la tensin drenador surtidor, no
aumenta la intensidad.

Zona hmica. En los tramos iniciales de cada curva, se
observa que hasta poco antes de llegar a la zona activa,
la curva es una lnea recta. Esta zona lineal, se llama
zona hmica, precisamente por esta relacin lineal entre
la tensin y la intensidad.
Regin de disrupcin o ruptura, desde donde la corriente
aumenta rpidamente hasta que el transistor se
destruye.


CURVA DE TRANSCONDUCTANCIA

La curva de transconductancia de un JFET es la grfica
de I
D
en funcin de V
GS
. A partir de los valores de I
D
y
V
GS
de cada una de las curvas de drenador. Observe que
la curva no es lineal porque la corriente aumenta
rpidamente cuando V
GS
se aproxima a cero.
Cualquier JFET tiene una curva de transconductancia
como la mostrada en la Figura. Los puntos extremos de
la curva son V
GS(off)
e I
DSS
. La ecuacin de esta grfica es:
POLARIZACIN EN LA REGIN HMICA

El JFET puede polarizarse en la regin hmica o en la
regin activa. Cuando est polarizado en la regin
hmica, el JFET es equivalente a una resistencia.
Cuando est polarizado en la regin activa, el JFET se
comporta como una fuente de corriente.
Como Vgs es el voltaje que controla el paso de la
corriente ID (regula el ancho del canal), se puede
comparar este comportamiento como un resistor cuyo
valor depende del voltaje V
DS
. Esto es slo vlido para
V
DS
menor que el voltaje de estriccin (ver punto A en
el grfico).
Entonces si se tiene la curva caracterstica de un FET,
se puede encontrar La resistencia R
DS
con la siguiente
frmula: R
DS
= V
DS
/ I
D

HOJAS DE CARACTERSTICAS DE LOS
FET

En las hojas de caractersticas de los fabricantes
de FETs se encuentra los siguientes parmetros :
V
GS
y V
GD
.- son las tensiones inversas mximas
soportables por la unin PN.
I
G
.- corriente mxima que puede circular por la
unin puerta - surtidor cuando se polariza
directamente.
P
D
.- potencia total disipable por el componente.
I
DSS
.- Corriente de saturacin en la zona activa
cuando V
GS
=0.
I
GSS
.- Corriente que circula por el circuito de
puerta cuando la unin puerta - surtidor se
encuentra polarizado en sentido inverso.

54
Transistores MOSFET.
En estos transistores, la puerta no se conecta
directamente al semiconductor, sino a travs de
una fina capa de aislante (SiO2), de ah que se
llamen transistores FET de puerta aislada.

Las siglas MOS tambin estn referidas al tipo de
contacto de la puerta, ya que significan Metal (el
propio terminal de puerta), xido (la capa aislante)
Semiconductor.

El hecho de que la puerta se encuentre aislada,
hace que la intensidad que circula por ella sea
prcticamente nula, menor incluso que en los
transistores JFET.
55
Existen los MOSFET de acumulacin o
enriquecimiento, y los MOSFET de deplexin o
empobrecimiento, cada uno de los cuales puede
ser de canal N o de canal P.

Tienen un nuevo terminal llamado sustrato (B),
que debe ser conectado a la tensin ms negativa
en los MOSFET de canal N, y a la ms positiva
en los MOSFET de canal P. Como en ambos casos
suele ser el surtidor, muchas veces se fabrican
con el sustrato directamente unido al surtidor.

56
Transistores MOSFET.
Enriquecimiento
Empobrecimiento
Canal N Canal P
D
D
D
G G
G
S
S
S
B B
B
D
G
S
B
57
1.- MOSFET de enriquecimiento.
P
G S D
N N
Sustrato (B)
N
G S D
P P
Sustrato (B)
MOSFET de enriquecimiento
de canal N
MOSFET de enriquecimiento
de canal P
Se observa que a diferencia de lo que ocurre en los transistores JFET, no
existe canal de conduccin entre el drenador y el surtidor, en ausencia de
seales elctricas externas.

58
1.- MOSFET de enriquecimiento.
Analizamos el caso de canal N.

Si se fija una tensin positiva desde la puerta al
surtidor, no hay prcticamente conduccin de
electricidad, pero los electrones libres de la zona P
(pocos, porque en esta zona lo abundante son los
huecos), se ven atrados hacia la capa aislante
prxima a la puerta.
Esto es equivalente a agrandar la zona N.
Si se agranda lo suficiente, se crea un cierto canal
de conduccin que une las zonas N del drenador y
del surtidor.
La tensin mnima para la formacin del canal, se
llama tensin umbral o tensin threshold, en
nomenclatura inglesa, cuyas siglas son VT.
P
G S D
N N
Sustrato (B)
59
1.- MOSFET de enriquecimiento.
I
D
V
GS
Curvas de un transistor MOSFET de enriquecimiento de canal N.
60
De la grfica de los transistores MOSFET se
observa que tienen las mismas zonas de
funcionamiento que los transistores JFET.

Ecuacin aproximada:

K: constante referida a parmetros constructivos.

VT: tensin umbral (threshold).
2
T GS D
) V V ( K I =
61
2.- MOSFET de empobrecimiento.
P
G S D
N N
Sustrato (B)
N
G S D
P P
Sustrato (B)
Se observa que a diferencia de lo que ocurre en
los MOSFET de acumulacin, existe un
(pequeo) canal de conduccin entre drenador y
surtirdor.
MOSFET de
empobrecimiento de canal N
MOSFET de
empobrecimiento de canal P
62
2.- MOSFET de empobrecimiento.
Para VGS = 0 V, el transistor puede conducir
pequeas corrientes de drenador a surtidor.
Con tensiones VGS negativas en MOSFET de
canal N (o positivas en MOSFET de canal P), se
estrangula el canal hasta su eliminacin, igual
que en los JFET.
Con tensiones VGS positivas en MOSFET de
canal N (o negativas en MOSFET de canal P), se
puede agrandar el canal, consiguiendo mayor
conduccin de drenador a surtidor, igual que en
los MOSFET de enriquecimiento.
P
G S D
N N
Sustrato (B)
63
En general, todo lo que se puede hacer con
transistores BJT, se puede hacer tambin con
transistores FET.
Ventajas fundamentales:
Alta impedancia de entrada, que permite un
control con poca potencia.
Gran velocidad de conmutacin.
Poco sensibles a la temperatura.
Ampliamente utilizados en circuitos integrados, tanto
analgicos como digitales.