Resumo Inicial TCC A

Medidas em Nanoescala Gustavo Ribeiro RGM: 250998 - Pricles de Sousa RGM: 248418

A ESTATSTICA MELHORA MEDIDAS EM NANOESCALA

Tendo como princpio os erros e incertezas gerados durante a medio de componentes em escala nanomtrica, realizou-se um estudo com a finalidade de criar uma modelagem estatstica dessas medidas, reduzindo de maneira significativa tais fatores. e aumentando os rendimentos com o auxlio de tcnicas pticas. . Pesquisadores do NIST (Instituto Nacional de Padres e Tecnologia) desenvolveram uma metodologia mista que combina as diferentes tecnologias de Espalhamento Metrolgico (clculos de dimenses fsicas por espalhamento de ondas eletromagnticas) e Microscopia de Fora Atmica, conhecida tambm pela sigla AFM (Atomic Force Microscopics) onde a medio realizada por meio de toque, possibilitando detectar e medir um tomo por vez. .

Figura 1 - Medio por Espalhamento Metrolgico

Figura 2 - tomo separado em Nanoescala AFM

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Para melhores resultados eles testaram a sua abordagem em pticas Crticas de Dimenso (OCM Optical Critical Dimension), baseado na gerao de espectros por um sistema de iluminao e deteco e o Espalhamento Metrolgico, detalhado no pargrafo seguinte.

Figura 3 - Gerao de Espectro (Sombra) a partir da OCM

O Espalhamento Metrolgico consiste na gerao de curvas obtidas atravs da luz refletida por uma vasta gama de variveis de entrada, gerando assim espectros com as caractersticas do objeto original(comprimento de onda, ngulo de incidncia, ou a polarizao, por exemplo).

Figura 4 - Espalhamento Metrolgico gerado por inciso Laser

Figura 5 - Curvas obtidas em escala nanomtrica

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Eles compararam estes dados a um conjunto muito amplo de curvas derivadas dos modelos, cada um tendo uma combinao particular de grandezas, por exemplo, a altura da linha, a largura, aspereza da borda, a altura da parede lateral, parede lateral angular, entre outras, tendo esses dados como quantitativos para o novo modelo, foi possvel aproximar a relao entre as curvas do mundo real e as obtidas atravs dos testes, descobrindo assim, que o modelo gerado coincide com o objeto em anlise.

Figura 6 - Exemplo de Imagem Gerada por Espalhamento Metrolgico

Para testar a sua abordagem, os pesquisadores do NIST comearam com as medies de Espalhamento Metrolgico com 4 (quatro) scans (varredura) de uma matriz de Nitreto de Silcio (linha gravada num chip), onde, cada varredura traou a intensidade da luz durante 21 (vinte e um) ngulos de incidncia, mudando sua polarizao ou orientao da fonte de luz a cada varredura.

O melhor ajuste ao modelo paramtrico indicado foi um trapzio, medindo na parte superior 33,7 nm (nanmetros) de largura (com um desvio padro de 10,8 nm), a largura do meio (meio caminho entre a base e a parte superior) foi 48,9 nm (com desvio de 6,0 nm), e a altura de 60,0 nm (desvio de 2,2 nm).

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Uma medida posterior por AFM indicou leituras um pouco diferentes, sendo a parte superior com 37,6 nm (desvio de 0,9 nm), argura do meio com 48,0 nm (desvio de 1,9 nm), altura de 57,5 nm (desvio de 0,7 nm).

Assim, os investigadores (sob a orientao de estatstico matemtico Nien Fan Zhang) aplicaram uma manipulao Bayesiana (operao que calibra a medida das incertezas baseada na frmula de Bayes) para os dados de disperso, usando todas as medies realizadas com o AFM para modificar cada um dos pontos de dados de Espalhamento Metrolgico, obtendo: largura superior com 38,0 nm (desvio de 0,9 nm); largura mdia com 48,9 nm (desvio de 1,8 nm); altura com 58,6 nm (desvio de 0,4 nm).

A medida Bayesiana combinada tem uma maior probabilidade de estar correta do que qualquer disperso ou valor AFM sozinho.

Conclu-se ento que embora haja falhas individuais nos mtodos adotados, a combinao das tecnologias e a aplicao da estatstica trazem um novo horizonte para a metrologia melhorando a preciso das medidas em escala manomtrica.