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ANTECEDENTES E AMBIENTE HISTRICO

Antes de 1950 todo equipamento eletrnico utilizava vlvulas, aquelas com bulbo de baixo brilho que numa determinada [epoca dominaram a nossa indstria. O aquecedor de uma vlvula tpica consumia muitos watts de potncia. Por isso, os equipamentos a vlvula exigiam uma fonte de alimentaao robusta e criavam uma boa quantidade de calor que constituam um problema a mais para os projetistas. O resultado eram os equipamentos pesados e antiquados to difundidos naquela poca. Em 1951, William Shockley, juntamente com Jonh Bardeen e Walter H. Brattain, inventou o primeiro transistor de juno. Foi um desses grandes acontecimentos que mudam todas as regras. Todos estavam ansiosos na poca e previam que grandes acontecimentos estavam para acontecer. Quando o fatos se concretizou, as previses mais ousadas no estavam nem perto do novo mundo que estava para vir. O impacto do transistor na eletrnica foi enorme. Alm de iniciar a indstria dos multibilhes de dlares dos semicondutores, o transistor contribuiu para todas as invenes relacionadas, como os circuitos integrados, componentes optoeletrnicos e microprocessadores. Praticamente todos os equipamentos eletrnicos projetados hoje em dia usam componentes semicondutores. As mudanas foram mais perceptveis nos computadores. O transistor no revisou a indstria dos computadores, ele a criou. Antes de 1950 um computador ocupava uma sala inteira e custava milhes de dlares. Hoje, um bom computador cabe numa escrivaninha e custa, s vezes, menos de mil dlares.

BIOGRAFIA DOS INVENTORES

WILLIAM SHOCKLEY
William Shockley nasceu em Londres, Inglaterra, em 13 de fevereiro de 1910. Filho de Hillman Shockley, um engenheiro de Massachusetts e sua esposa Mary. A famlia retornou aos Estados Unidos em 1913 e William Jr. Foi educado na California, onde obteve seu doutorado em 1932. Estudou no Instituto de Tecnologia de Massachusetts onde obteve seu Ph.D. em 1936 com sua tese sobre a estrutura da banda de energia do cloreto de sdio. No mesmo ano, trabalhou nos laboratrios da Bell Telephone em um grupo liderado pelo Dr. C.J. Davissom, onde permaneceu at 1955. Demitiu-se do cargo de diretor do departamento de fsica do transistor para comear como diretor do laboratrio de semicondutores Shockley da Beckman Instruments na Califrnia, onde pesquisou o desenvolvimento e a produo de novos transistores e outros dispositivos semicondutores. As pesquisas de Shockey foram centradas nas bandas de energias dos slidos, teoria dos tubos de vcuo, alto difuso de copper, experimentos e teoria no domnio ferromagntico, vrios tpicos na fsica do transistor etc. Seu trabalho rendeu-lhe muitas honras. Recebeu a medalha do mrito em 1946 pelo seu trabalho no Departamento de Guerra; o Morris Leibmann Memorial Prize do Instituto de Engenharia de Radio em 1952; no ano seguinte o prmio Oliver E. Buckley Solid State Physics da Sociedade Americana de Fsica, dentre muitos outros. Em adio a numerosos artigos cientficos, Shockleu escreveu Eletrons and Holes in Semiconductors (1950) e publicou Imperfections of Nearly Perfect Crystals (1952). Tambm patenteou mais de 50 invenoes.

JONH BARDEEN
Jonh Bardeen nasceu em Madison, Winsconsim em 23 de maio de 1908. Filho do Dr. Charles R. Bardeen e Althea Harmer. Bardeen frequentou a Universidade de Madison por vrios anos, mas aps graduar-se foi frequentar um curso de engenharia eltrica na Universidade de Winsconsin onde participou de vrios trabalhos nas reas de fsica e matemtica. Aps formado, trabalhou no departamento de engenharia da Western Eletric Company em Chicago e ao mesmo tempo em que prosseguiu seus estudos. Em Winsconsin trabalhou como assistente de pesquisa na rea de engenharia eltrica por dois anos, dedicando-se a problemas matemticos aplicados geofsica e a radiaao de antenas. Foi durante esse perodo que obteve conhecimento da teoria quntica atravs do professoar J.H. Van Vleck. Mais tarde trabalhou no Gulf Reserach Laboratories em Pittsburg, Pensilvnia no desenvolvimento de mtodos de intepretao de medidas magnticas e gravitacional. Este foi um perodo estimulante no qual os mtodos geofsicos foram pela primeira vez aplicados para prospeco de petrleo. Devido ao seu interesse mas na cincia pura que aplicada, Bardeen deixou seu trabalho no Gulf Laboratories em 1933 para fazer um trabalho de graduao em fsica matemtica na Universidade de Princeton. Sob a liderana do professor E.P. Wigner, interessou-se primeiro pela fsica do estado slido. Os prximos trs anos ele passou trabalhando como o professores Van Vlerck e Bridgman em problemas de coeso e condutividade eltrica nos metais. Obteve seu Ph.D. em Princeton em 1936. Os principais campos de pesquisa desde 1945 eram a conduo eltrica em semi condutores e metais, teoria da supercondutividade e difuso dos tomos em slidos. Em 1957, Bardeen e dois colegas, L.N.Cooper e J.R. Schrieffer, proporam a primeira explicao bem sucedida da supercondutividade.

WALTER H. BRATTAIN
Walter H. Brattain nasceu em Amoy, China em fevereiro de 1902. Filho de Ross R. Brattain e Ottilie Houser, ele passou sua infncia no estado de Washington e graduou-se no Whitman College em 1924. O Dr. Brattain foi membro da equipe tcnica do Bell Laboratries desde 1929. O alvo principal das suas pesquisas foram as propriedades superficiais dos slidos. Desde cedo seu trabalho foi voltado para emisso termoinica e absoro de camadas no tungstnio. Continuou no campo da retificao e foto-efeitos na superfice de semi condutores, iniciando com o estudo da retificao na superfcie do xido de cobre. Estudos similares foram feitos com o silcio. Aps a segunda guerra ele continuou na mesma linha de pesquisa com o silcio e o germnio. O Dr. Brattain recebeu o ttulo honorrio de doutor em cincia da Universidade de Portland em 1952, do Whitman College e Union College em 1955 e da Universidade de Minesota em 1957. Em 1952 foi homenageado com a medalha Stuart Ballantine do Franklin Institute, e em 1955 com a medalha Honh Scott. Dr. Brattain um membro da National Academy of Science e do Franklin Institute; um associado da Sociedade de Fsica Americana e da Associao Americana para o Avano da Cincia.

FUNCIONAMENTO DO TRANSISTOR
Condutores, Semicondutores e Isolantes Os materiais encontrados na natureza podem ser classificados, segundo o comportamento eltrico, em: isolantes, condutores e semicondutores. Os condutores so materiais que apresentam grande nmero de eltrons livres, por exemplo: cobre, alumnio, ouro, etc. Os isolantes so materiais que no apresentam eltrons livres, por exemplo: mica, papel, plstico, etc. Os semicondutores so materiais que no apresentam comportamento de isolante nem de condutores, isto , no so nem bons isolantes nem bons condutores. A resistividade de um condutor, temperatura ambiente, da ordem de 10 cm e de um isolante aproximadamente 107 cm. Nos semicondutores a resistividade varia de 10-3 cm a 105 cm. O fator que influencia muito a estrutura dos semicondutores a temperatura. Ao contrrio do que se observa nos condutores, a resistividade de um semicondutor diminui com o aumento da temperatura pois com o acrscimo da energia trmica mais eltrons livres so obtidos.
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Outra propriedade interessante que os semicondutores apresentam a fotocondutividade, que a propriedade que um material possui de produzir maior ou menor quantidade de eltrons livres, e, portanto maior ou menor resistncia corrente eltrica, em funo da intensidade luminosa incidente. Nos semicondutores a fotocondutividade aumenta com o aumento da intensidade da iluminao incidente, pois eltrons so liberados pelas interaes fotoeltricas com os tomos da rede cristalina. Estrutura de um Semicondutor Um tomo se compe de um ncleo e de uma eletrosfera. Cada eltron possui carga negativa e se move, dentro da eletrosfera, em trajetrias mdias denominadas rbitas eletrnicas. Os eltrons da camada externa so os responsveis pelas ligaes entre os tomos do material. O tomo de silcio possui trs camadas nas quais 14 eltrons esto distribudos da seguinte forma: 2 eltrons na primeira camada, 8 eltrons na segunda camada e 4 eltrons na terceira camada.

O tomo assim constitudo se apresenta neutro e, para simplificarmos a sua representao, utilizaremos o esquema apresentado pela figura 1 que evidencia os quatro eltrons de valncia. Essa representao pode ser utilizada tambm para o tomo de germnio pois apresenta a seguinte distribuio eletrnica: 2, 8, 18, 4.

Si Figura 1 Os eltrons de valncia podem ser afastados do tomo atravs de acrscimos de energia, por exemplo, trmica, luminosa, eltrica, aumentando o nmero de eltrons livres e variando a condutividade do cristal. O silcio cristaliza-se no sistema cbico e apresenta quatro eltrons na ltima camada, cada um dos quais, combinando com um eltron de quatro tomos adjacentes, constitui por sua vez eltrons de configurao energtica muito estvel que recebem o nome de ligao covalente, conforme mostra a figura 2.

Silico Ligao Covalente Figura 2 Dessa forma, cada tomo associado quele que o circunda. O cristal um isolante perfeito temperatura de zero absoluto, 00k = -2730c, no apresentando nenhum eltron livre, entretanto tal fato no verificado temperatura ambiente. Por elevao da temperatura ou por incidncia de radiao luminosa aparecem vibraes entre os tomos que podem causar rupturas das ligaes covalentes.

Esta ruptura provoca a liberao de um eltron assim como deixa uma falha com o surgimento de uma ligao incompleta. O eltron se transforma em eltron livre e a falha pode simbolizar uma carga positiva (ausncia de carga negativa) que denominada lacuna. Condutibilidade Intrnseca Quando uma diferena de potencial aplicada em um semi-condutor, as lacunas se movem em direo oposta dos eltrons livres e com a mesma velocidade praticamente. Esse deslocamento na realidade o deslocamento de eltrons livres no sentido da tenso aplicada; aparentemente as lacunas se deslocam em sentido contrrio da tenso aplicada, conforme mostre a figura 3.

Eltron

Potencial Positivo

Potencial Negativo

Deslocamento das lacunas Figura 3

Deslocamento dos eltrons

temperatura ambiente existe um determinado nmero de eltrons livres e de lacunas mveis. A velocidade de produo de eltrons livres e de lacunas mveis depende da temperatura e a condutividade do cristal depende do nmero de eltrons e de lacunas. A condutividade de um cristal de silcio temperatura ambiente pequena poisa apario de um eltron livre implica imediatamente uma lacuna e a taxa de recombinao extremamente grande. Com a adio controlada de determinadas impurezas, a condutividade do cristal de silcio ou de germnio pode ser bem controlada. Denomina-se dopagem o processo de adio controlada de impurezas especficas ao cristal puro do semicondutor. As dopagens podem ser do tipo N ou do tipo P.

No cristal do tipo N foram injetadas impurezas que favoreceram o aparecimento de eltrons livres e no cristal de tipo P foram colocadas impurezas que favoreceram o surgimento de lacunas. As impurezas que produzem o cristal de tipo N so impurezas pentavalentes, por exemplo: arsnico, antimnio ou fsforo. Para a produo do cristal do tipo P so utilizadas as impurezas trivalentes, por exemplo: boro, alumnio ou ndio. Nos cristais do tipo N a conduo feita, essencialmente, por eltrons livres e nos cristais de tipo P a conduo feita por lacunas mveis. O Cristal N Considerando um cristal de germnio puro e injetemos tomos de arsnio nesse cristal. Sendo o arsnico um elemento pentavalente, ao se fixar na estrutura do cristal, por meio de quatro ligaes covalente, aparecer um quinto eltron fracamente ligado ao seu ncleo, conforme mostra a figura 4.
Ge

Quinto eltron do Arsnico (eltron livre)


Ge Ge

Arsnico fixo

Ge

Figura 4 O arsnico recebe a denominao de doador. Uma vez fixo as estrutura, o quinto eltron fracamente ligado ser deslocado e a regio ficar ionizada positivamente. Assim o cristal N apresentar regies positivas fixas e eltrons livres. Em um tpico cristal semi-condutor de tipo N, os portadores majoritrios so eltrons livres.

O Cristal P Consideremos um cristal de germnio puro e injetemos tomos de ndio nesse cristal. Sendo um elemento trivalente, o ndio s poder oferecer trs eltrons para as ligaes covalentes da estrutura, originando portanto uma lacuna. O ndio recebe o nome de aceitador. A temperatura ambiente so produzidos eltrons intrnsecos e estes so presos nas lacunas produzidas pelas impurezas, fechando a ltima camada em oito eltrons e fazendo com que a regio fique ionizada negativamente, conforme figura 5. Figura 5
Ge

Ge

Ge

Lacuna criada
Ge Ge

ndio fixo Eltron adicionado

As lacunas aparecem na captura do eltron intrnseco, pois este ao ser liberado produz uma lacuna. Em um tpico cristal P, cujos portadores majoritrios so lacunas mveis e apresenta regies negativas fixas na estrutura. Conduo em um Cristal N Consideremos o cristal de germnio de tipo N nas condies da figura 6.

e-

Figura 6 Ao ligarmos o interruptor, verificaremos a passagem de uma corrente de eltrons livres em direo ao plo positivo da bateria, no importando se houve ou no inverso de polaridade.

No ocorre nenhum fenmeno de retificao em cristal de germnio de tipo N. Conduo em um Cristal P Consideremos a situao apresentada pela figura 7.

e-

Figura 7 Ao ligarmos o interruptor S, verificaremos a passagem de uma corrente de lacunas mveis em direo ao plo negativo da bateria, no levando em conta se houve ou no inverso da polaridade da bateria. No ocorre nenhum fenmeno de retificao em um cristal de germnio de tipo P. Juno PN Juno PN uma regio muito fina de um monocristal na qual a condutividade passa da condutibilidade de tipo P condutibilidade de tipo N. Consideremos um monocristal de germnio que contenha as dopagens de tipo P e tipo N, como mostra a figura 8.

Juno

Lacunas mveis

Eltron livres

Figura 8 Ao serem colocados em contato os cristais P e N, ocorrer uma difuso de lacunas mveis e de eltrons livres. Os eltrons livres da regio N, ao se encontrarem com as lacunas mveis da regio P, faro a recombinao dos pares eltron-lacuna e faro tambm com que surja uma regio essencialmente positiva fixa no cristal n e uma regio essencialmente negativa fixa no cristal P. A tenso existente entre essas duas regies recebe o nome de barreira de potencial. Efeito de uma Tenso sobre a Juno - Sentido de Conduo: Ao ser estabelecido um circuito onde a regio N submetido a um potencial positivo de uma bateria e a regioP ao negativo, observa-se que a tenso externa e se ope barreira de potencial da juno PN. Esta oposio enfraquece a barreira e faz com que eltrons passem da regio N regio P, estabelecendo-se uma corrente no circuito. Podemos portanto concluir que, quando a regio P estiver em potencial mais alto do que a regio N, a juno dita polarizada diretamente e o cristal permite a passagem da corrente, isto , ele conduz.

- Sentido de Bloqueio: Se as regies N e P forem ligadas a uma bateria com a polaridade inversa ao descrito acima, a tenso externa estar reforando a barreia de potencial. Desse modo os eltrons no atingiro a regio P se esta estiver em potencial mais baixo que a regio N. A juno estar polarizada inversamente e o cristal no conduzir. Na prtica, porm, aparece uma corrente muito pequena proveniente de lacunas e eltrons livres produzidos por agitao trmica prximos da juno PN. Essa corrente da ordem de 10A no silcio, porm ser tanto maior quanto maior for a temperatura. Essa corrente recebe o nome de corrente de saturao inversa ou corrente de fuga. Transitores Todo o funcionamento dos transistores regido pela fsica dos semicondutores. O transistor pode ser considerado como um como um conjunto de bipolos no hmicos cujas caractersticas variam com as tenses aplicadas, com as potncias dissipadas e com a temperatura ambiente. Seu estado aparentemente mais complicado que o da vlvula, porm com noes fundamentais dos parmetros, como resistncia de sada, fator de amplificao e resistncia de entrada, amplificao de corrente e percentagem de reao interna, esse estudo ser acessvel. Outra informao importante o conjunto de caractersticas dadas pelo fabricante que permitem analisar o funcionamento do transistor como elemento ativo ou elemento passivo. A figura 9 mostra os smbolos dos transistores PNP e NPN respectivamente e a figuras 10 mostra os transistores esquematizados sob forma de blocos de materiais semicondutores.

coletor

coletor

base

base

emissor Figura 9 Figura 10 emissor N base Funcionamento do Transistor PNP P N coletor emissor P

emissor

N base

coletor

O transistor PNP, figura 10, constitudo por trs blocos semicondutores apresentando suas junes distintas. Essas barreiras, quando livres de foras externas, impedem o livre deslocamento das cargas de uma regio para a outra regio semicondutora. A figura 11 mostra o esquema de um transistor PNP, evidenciando as conexes com as baterias, as relaes entre correntes, as junes entre os cristais PN e NP, e as barreiras de pontencial entre os cristais, AB simbolizando e barreira B 1 e BC simbolizando a barreira B2.

P N

B2 S1 Vcc

S2 P VBB Vcc B1

Figura 11 Interruptor S1 Fechado A bateria VCC cria uma tenso no transistor que enfraquece a ao de B 1, pois o cristal AB fica polarizado diretamente, porm refora a ao da barreira B 2 e o cristal BC fica polarizado inversamente. Desse modo B2 no conduz e o transistor est no corte ou bloqueado. Interruptor S2 Fechado A bateria VBB cria uma tenso entre as regies A e B. Essa tenso enfraquece a barreira B1 e o cristal AB fica polarizado diretamente e tambm fornece energia suficiente para que as lacunas da regio A cheguem regio B criando assim, entre o emissor e a base, uma corrente. A base do transistor uma regio muito delgada e fracasamente dopada, apresentando portanto poucos eltrons livres. Desse modo haver pouca absoro das lacunas provenientes do emissor. As lacunas que no foram absorvidas, com a energia adquirida, conseguem vencer a barreira B2 chegando ao coletor (regio C), fazendo com que se estabelea uma corrente dentro do transistor, que passa a conduzir. Dessa forma iro circular duas correntes no transistor: uma do emissor ao coletor e outra do emissor base.

importante notar que, quanto maior for a tenso entre a base e o emissor e portanto quanto maior for a corrente de base, maior ser a corrente de coletor no transistor. Se a corrente de base for nula, nula tambm ser a corrente de coletor e o transistor entrar em corte. Se interrompermos as tenses VBB ou VCC, obviamente interromperemos as correntes de base ou de coletor e desse modo o funcionamento do transistor interrompido. Inverso da bateria VCC Estudemos o caso em que as baterias tenham suas polaridades invertidas. Com o interruptor S1 fechado, o transistor est em corte, pois B 1 reforada e no conduz, embora B2 esteja polarizada diretamente. Ao fecharmos S2, VBB se ope e B1 criando uma corrente entre A e B. Como B2 est polarizada diretamente, haver uma corrente intensa no transistor e no haver nada que evite a difuso de lacunas, destruindo-se imediatamente o transistor. Importante: Em montagens com transistores PNP, o coletor dever ser sempre negativo em ralao ao emissor e tambm a base dever ser sempre negativa em relao ao emissor. Funcionamento do Transistor NPN Estudaremos o esquema da figura 12 que mostra o esquema de um transistor NPN em montagem de emissor comum. Interruptor S1 Fechado A bateria VCC polariza diretamente B1 e inversamente B2 e portanto o transistor no conduz.

B2

N P Vcc S2 N VBB Vcc B1 S1

Figura 12 Interruptor S2 Fechado A tenso VBB aplicada ao cristal AB polariza diretamente B1, reforando a conduo dos eltrons livres do emissor para a base. Esta muito fina e pouco dopada, no podendo absorver esses eltrons, que possuem energia suficiente para atingir o coletor, vencendo a barreira B2, produzindo portanto a corrente emissor-coletor, e colocando o transistor em conduno.