CONDUCCION ELECTRICA

La conduccin elctrica es el movimiento de partculas elctricamente cargadas a travs de un medio de transmisin (conductor elctrico). El movimiento de las cargas constituye una corriente elctrica. El transporte de las cargas puede ser a consecuencia de la existencia de un campo elctrico, o debido a un gradiente de concentracin en la densidad de carga, o sea, por difusin. Los parmetros fsicos que gobiernan este transporte dependen del material en el que se produzca. La conduccin en metales y resistencias est bien descrita por la Ley de Ohm, que establece que la corriente es proporcional al campo elctrico aplicado. Se calcula la conductividad para caracterizar la facilidad con la que aparece en un material una corriente de densidad (corriente por unidad de rea) J. j=E o por su recproco la resistividad : j=E/ La conduccin en dispositivos semiconductores puede darse debido a una combinacin de campo elctrico (deriva) y de difusin. La densidad de corriente es entonces j = E + D qn Siendo q la carga elctrica elemental y n la densidad de electrones. Los portadores se mueven en la direccin de decrecimiento de la concentracin, de manera que para los electrones una corriente positiva es resultado de una gradiente de densidad positivo. Si los portadores son "huecos", cmbiese la densidad de electrones n por el negativo de la densidad de huecos p. En los materiales linealmente anistropos, , y D son tensores.

MATERIALES CONDUCTORES

Una propiedad comn a prcticamente todos los materiales, es la de permitir, en algn grado, la conduccin de la corriente elctrica, pero as como algunos materiales son buenos conductores, otros son malos conductores de dicha corriente. Desde este punto de vista, conductores y no conductores. los materiales pueden clasificarse en

Un material es conductor cuando puede desempear esa funcin en un circuito, independiente del valor de su conductividad. Los conductores en general pueden clasificarse en: metlicos, electrolticos y gaseosos. En los conductores metlicos la conduccin es electrnica, es decir, los portadores de cargas son electrones libres. Pertenecen a este grupo los metales y aleaciones. Se suele hablar en estos casos de conduccin metlica. En los conductores electrolticos la conduccin es inica; pertenecen a este grupo los llamados electrolitos, es decir, los cidos (bases o sales, disueltos o fundidos). Las molculas de estas sustancias, cuando se

disuelven o funden, de disocian total o parcialmente formando iones positivos o negativos, y estos iones son portadores de cargas. En estos casos, el paso de la corriente elctrica corresponde a un desplazamiento de material, y viene acompaada de una reaccin qumica.

En los conductores metlicos la electricidad circula a travs de la materia, mientras que en los conductores electrolitos circula con la materia. Los gases pertenecen a un tercer grupo de conductores, los conductores gaseosos; en estado normal, los gases no son conductores, pero pueden convertirse relativamente en buenos conductores cuando estn ionizados. Normalmente no se utilizan los gases para conducir corriente, salvo en casos muy especiales. La conduccin a travs de los gases no cumple con la Ley de Ohm.

PROPIEDADES Y CARACTERISTICAS DE LOS MATRIALES CONDUCTORES

Las Principales propiedades y caractersticas de los materiales conductores son:

1. Conductividad elctrica (Resistividad elctrica). 2. Coeficiente trmico de resistividad. 3. Conductividad trmica. 4. Fuerza electromotriz. 5. Resistencia mecnica. 1. Conductividad Elctrica (Resistividad Elctrica)

La conductividad elctrica es una propiedad vinculada a la corriente elctrica que puede fluir por un material cuando este est sometido a un campo elctrico.

Generalmente la densidad de corriente J es proporcional al campo elctrico:

La constante de proporcionalidad recproca es la resistividad elctrica.

es la conductividad elctrica; y su

Sea un conductor de seccin transversal constante S por el cual circula una corriente I siendo V=(V1V2) la diferencia de potencial entre dos puntos separados una distancia l. La densidad de corriente J y el campo elctrico E en la barra estn dados por:

por lo tanto,

Comparando esta expresin con la forma ms usual de la Ley de Ohm se obtiene:

de donde

La resistencia elctrica es un funcin de la geometra del elemento, pero la resistividad es una constante del material. La resistencia se mide en ohmios. La resistividad se mide en:

2. Coeficiente Trmico de Resistividad El coeficiente trmico de resistividad es una magnitud (o caracterstica) que caracteriza la variacin de la resistencia en funcin de la temperatura. TIPOS DE MATERIALES CONDUCTORES

Los materiales conductores pueden clasificarse en dos grupos: Materiales de alta conductividad (baja resistividad), y Materiales de alta resistividad (baja conductividad). Al primer tipo corresponden materiales que se emplean, fundamentalmente, para transportar corriente elctrica con baja perdida, por ej cobre, plata, aluminio y ciertas aleaciones como el bronce. El segundo grupo est compuesto por materiales que se emplean, cuando se necesita producir una cada de potencial, por ej. se los emplea para la construccin de resistores, lamparas incandescentes, etc. Materiales Conductores de Alta Conductividad Los materiales de alta conductividad mas tpicos son: la plata (=0,016), cobre (=0,0172 a 0,0175) y el aluminio (=0,026 a 0,028). Plata (=0,016 ; =0.036)

La plata es, de los materiales conocidos, el ms conductor (un 10% ms que el cobre que ocupa el segundo lugar), pero su uso como material elctrico es muy limitado debido a su elevado costo. Se encuentra en la naturaleza bajo la forma de: sulfuros, cloruros o plata nativa; para obtener plata qumicamente pura, una vez elaborada, se la refina por va generalmente electroltica.

La plata es un material muy maleable y dctil, que puede soldarse a s misma por martilleo (batido), a una temperatura inferior a la de fusin (temperatura de fusin: 960C); su dureza no es muy elevada, y se haya comprendida entre la del oro y el cobre. Como material conductor se emplea: en fusibles (para cortocircuitos elctricos), fundamentalmente por su alta conductividad, su inoxibilidad y su precisin para la fusin; en contactos de interruptores o relevadores para bajas intensidades, por su alta conductividad elctrica y trmica; en instrumentos mdico elctricos (termocauterio); etc. Cobre (=0,0720,0175 ; =0,0036) El cobre es el material de uso mas generalizado como conductor elctrico, debido a su conductividad elevada y a su costo moderado. Es un elemento muy difundido en la naturaleza, corrientemente se encuentra bajo la forma de: sulfuros, xidos o carbonatos, excepcionalmente como cobre nativo (USA). El cobre puro (cobre electroltico), se obtiene por refinado electroltico. El cobre es un metal altamente maleable y dctil, que puede ser fundido, forjado, laminado, estirado y trabajado. El trabajo mecnico lo endurece, pero el recocido lo devuelve a su estado dulce. Tiene una elevada resistencia a la traccin, una gran estabilidad a la corrosin, y es fcil de estaar y de soldar. Con el objeto de mejorar las cualidades mecnicas del cobre, se le adicionan otros elementos formando aleaciones, como el bronce y el latn. El bronce es una aleacin de cobre y estao (generalmente con un 80% a un 95% de Cu), que se caracteriza por su tenacidad y dureza). Suele usarse como conductor elctrico, pese a que su conductividad elctrica es inferior a la del cobre. Los bronces modernos, son frecuentemente aleaciones ternarias o cuaternarias (otros elementos componentes de la aleacin suelen ser: el fsforo, el silicio, el magnesio, el berilio, el cadmio, etc.); algunos bronces llevan el nombre del elemento que se les adiciona (ejemplo: bronce fosforoso, bronce al silicio, etc.). El latn es una aleacin de cobre (50% a 70%) y zinc (30% a 50%), a los que se les agrega, a veces, otros materiales (estao, plomo, hierro), pero en pequeas cantidades. Se caracteriza por la facilidad con que puede ser

estirado y estampado y se usa como material conductor, pese a que su conductividad elctrica es inferior a la del cobre. Cuando se requieren conductores de elevada resistencia mecnica, se suelen utilizar el hierro o el acero, recubiertos de una pelcula protectora y muy conductora de cobre; poseen como ventaja la gran resistencia propia del hierro o el acero, combinada con la elevada

Aluminio (=0,0260,028 ; =0,004030,00429) El aluminio ocupa el tercer lugar por su conductividad, despus de la plata y el cobre. La conductividad del aluminio es slo un 63% de la conductividad del cobre, pero a igualdad de longitud y peso tiene el doble de conductancia. Se lo obtiene de la bauxita, mineral abundante y muy distribuido en el globo.El aluminio es un material ms blando que el cobre. Su resistencia a la traccin es mucho menor, y su soldadura presenta dificultades, pero es un material dctil que puede ser trabajado fcilmente por laminado, estirado, hilado, extrusin y forjado. Est siempre cubierto por una capa delgada e invisible de xido, que es impermeable y protectora. El aluminio expuesto a la atmsfera ordinaria, tiene estabilidad y larga vida. Para aumentar su resistencia mecnica se le agrega silicio, magnesio, hierro, etc., obtenindose diversas variaciones de uso elctrico.

Materiales Conductores de Alta Resistividad Este grupo est compuesto de aleaciones de alta resistividad. Estas aleaciones tienen composiciones muy variadas y se encuentran en el mercado bajo distintas denominaciones. Los principales elementos

empleados en estas aleaciones son: cobre, cromo, hierro, nquel, manganeso, aluminio, zinc, silicio, etc.

Las principales aleaciones de alta resistividad son:

Aleaciones de cobre y nquel Son aleaciones que poseen coeficientes de resistividad relativamente bajos respecto a otras aleaciones (alrededor de 0,5 Wmm/m). Una aleacin de este tipo es el constantn (60%cobre 40%nquel). Esta aleacin tiene una elevada f.e.m. respecto al cobre, por lo que no es adecuada para instrumentos de medida de precisin, pese a tener un bajo coeficiente de temperatura. Aadiendo zinc a la aleacin cobrenquel, se obtiene el argentan que tiene 0,37Wmm/m, y un elevado coeficiente de temperatura. Con la adicin de manganeso, se obtiene la niquelina (67%Cu31%Ni2%Mn aproximadamente), que tiene 0,40Wmm/m y coeficiente de temperatura y f.e.m. respecto al Cu, prcticamente despreciables, por lo que se emplean en los instrumentos de precisin. Aleaciones de nquel y cromo Son aleaciones que poseen coeficientes de resistividad ms elevados (alrededor de 1Wmm/m), coeficientes de temperatura bajos y pequeas f.e.m. con respecto al Cu. Son aleaciones adecuadas para trabajar a temperaturas elevadas (1.000C o algo mas), pues el conductor se recubre de una capa de xido que lo protege del ulterior ataque del oxgeno. Las aleaciones nquelcromo se encuentran en el mercado con distintas denominaciones comerciales. Con la adicin de hierro, se obtiene un aumento de la resistividad y menor costo, pero los conductores no son aptos para trabajar a temperaturas superiores a los 800C, y a veces presentan fenmenos de oxidacin. Para temperaturas de hasta 1.350C se fabrican aleaciones de hierro, aluminio, cromo y cobalto . Del anlisis de las aleaciones estudiadas se observa que el cobre interviene en la mayor parte de las aleaciones empleadas a temperatura ordinaria; que el nquel les confiere mayor resistividad y que el cromo les asegura resistencia a la oxidacin a temperaturas elevadas y proteccin contra los ataques de los agentes qumicos.

CARACTERSTICA Y CLASIFICACIN DE LAS ALEACIONES DE ALTA RESISTIVIDAD En general, las caractersticas mas importantes a tener en cuenta en las aleaciones de alta resistividad son: Alta resistividad. Bajo coeficiente trmico de resistividad. Resistencia a la corrosin. Constancia en el tiempo. Pequea fuerza termoelectromotriz con respecto al cobre. Alto punto de fusin. Ductibilidad, maleabilidad y soldabilidad.

La importancia de cada una de estas caractersticas vara segn el uso al que est destinada la aleacin. Las aleaciones de alta resistividad suelen agruparse en tres clases:

Clase A: Aleaciones para resistores de precisin (cajas de resistencia, resistores patrones, etc.). Clase B : Aleaciones para resistores comunes (resistores y restatos). Clase C : Aleaciones para elementos electrotrmicos (hornos, etc.). Este ltimo grupo suele subdividirse, segn la temperatura mxima de uso, en subclases: Subclases C1: temperatura mxima 350C Subclases C2: temperatura mxima 500C Subclases C3: temperatura mxima 700C Subclases C4: temperatura mxima 900C Subclases C5: temperatura mxima 1100C Subclases C6: temperatura mxima 1300C

A las aleaciones de clase A, Ej.: Manganita(84%Cu 12%Mg 4%Ni), se les exige:

 Alta resistividad. Pequea fuerza termo electromotriz, con otros metales (sobre todo cobre). Coeficiente trmico de resistividad prximo a cero. Constancia en el tiempo. Alta estabilidad contra la corrosin. A las aleaciones de clase B, Ej.: Constantn (CuNi)y Niquelina (CuNiMg) y en general aleaciones a base de cobre, se les exige fundamentalmente: Alta resistividad. Poco costo. Pequeo coeficiente trmico de resistividad. A las aleaciones de clase C, Ej.: Nicromo (NiCr), ferronicromo, aleacin ferrocromoaluminio, cromal (CrAl), kanthal (FeCrAlCo), se les exige fundamentalmente: Alta resistividad Poco costo Resistencia mecnica Elevado punto de fusin Resistencia a la oxidacin y corrosin. Cabe recordar que en atmsferas sulfurosas no se deben emplear las aleaciones con Ni para evitar la corrosin.

MATERIALES SEMICONDUCTORES Los semiconductores son materiales cuya conductancia elctrica puede ser controlada de forma permanente o dinmica variando su estado desde conductor a aislante. Debido a su uso en dispositivos tales como los transistores (y por tanto en computadoras) y en los laseres, la bsqueda de nuevos materiales semiconductores y la mejora de los materiales existentes es un importante campo de estudio en la ciencia de materiales.

Aplicaciones de los semiconductores A partir de la dcada de 1950, los dispositivos semiconductores -conocidos tambin como dispositivos de estado slido- remplazaron los tubos electrnicos de la industria tradicional. Por la enorme reduccin de tamao, consumo de energa y costo, acompaada de una mucho mayor durabilidad y confiabilidad, los dispositivos semiconductores significaron un cambio revolucionario en las telecomunicaciones, la computacin, el almacenamiento de informacin, etc. Desde el punto de vista de su forma de operacin, el dispositivo semiconductor ms simple y fundamental es el diodo; todos los dems dispositivos pueden entenderse en base a su funcionamiento. a) ESTRUCTURA ATMICA DE LOS SEMICONDUCTORES: Las propiedades elctricas de un material semiconductor vienen determinadas por su estructura atmica. En un cristal puro de germanio o de silicio, los tomos estn unidos entre s en disposicin peridica, formando una rejilla cbica tipo diamante perfectamente regular. Cada tomo del cristal tiene cuatro electrones de valencia, cada uno de los cuales

interacta con el electrn del tomo vecino formando un enlace covalente. Al no tener los electrones libertad de movimiento, a bajas temperaturas y en estado cristalino puro, el material acta como un aislante. b) OBTENCIN DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES:

SILICIO Se prepara en forma de polvo amorfo amarillo pardo o de cristales negrosgrisceos. Se obtiene calentando slice, o dixido de silicio (SiO2), con un agente reductor, como carbono o magnesio, en un horno elctrico. El silicio cristalino tiene una dureza de 7, suficiente para rayar el vidrio, de dureza de 5 a 7. El silicio tiene un punto de fusin de 1.410 C, un punto de ebullicin de 2.355 C y una densidad relativa de 2,33. Su masa atmica es 28,086. Se disuelve en cido fluorhdrico formando el gas tetrafluoruro de silicio, SiF4 y es atacado por los cidos ntrico, clorhdrico y sulfrico, aunque el dixido de silicio formado inhibe la reaccin. Tambin se disuelve en hidrxido de sodio, formando silicato de sodio y gas hidrgeno. A temperaturas ordinarias el silicio no es atacado por el aire, pero a temperaturas elevadas reacciona con el oxgeno formando una capa de slice que impide que contine la reaccin. A altas temperaturas reacciona tambin con nitrgeno y cloro formando nitruro de silicio y cloruro de silicio respectivamente.

GERMANIO El germanio pertenece a la misma familia qumica que el carbono, el silicio y el plomo; se parece a estos elementos en que todos ellos forman derivados orgnicos como el tetraetilo de germanio y el tetrafenilo de germanio. El germanio forma hidruros germanometano o germano (GeH4), germanoetano (Ge2H6) y germanopropano (Ge3H8) anlogos a los formados por el carbono en la serie alcanos (vase Qumica orgnica). Sus compuestos ms importantes son el xido germnico (GeO2) y los haluros. El germanio se separa de otros metales por destilacin de su tetracloruro.

SELENIO El elemento selenio aparece en unos pocos minerales como seleniuro, siendo el ms comn de ellos el seleniuro de plomo. Tambin se da combinado con azufre en numerosas menas de este elemento. Se obtiene generalmente como subproducto en el refinado de menas de sulfuro de cobre, aunque esta ltima fuente de obtencin es insuficiente para satisfacer la creciente demanda del elemento en la industria. El mayor

depsito destinado a explotacin comercial se descubri en 1955 en Wyoming (EEUU).

c) PROPIEDADES DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES: Material slido o lquido capaz de conducir la electricidad mejor que un aislante, pero peor que un metal. La conductividad elctrica, que es la capacidad de conducir la corriente elctrica cuando se aplica una diferencia de potencial, es una de las propiedades fsicas ms importantes. Ciertos metales, como el cobre, la plata y el aluminio son excelentes conductores. Por otro lado, ciertos aislantes como el diamante o el vidrio son muy malos conductores. A temperaturas muy bajas, los semiconductores puros se comportan como aislantes. Sometidos a altas temperaturas, mezclados con impurezas o en presencia de luz, la conductividad de los semiconductores puede aumentar de forma espectacular y llegar a alcanzar niveles cercanos a los de los metales. Las propiedades de los semiconductores se estudian en la fsica del estado slido. d) CLASIFICACIN:

SILICIO El silicio es un semiconductor; su resistividad a la corriente elctrica a temperatura ambiente vara entre la de los metales y la de los aislantes. La conductividad del silicio se puede controlar aadiendo pequeas cantidades de impurezas llamadas dopantes. La capacidad de controlar las propiedades elctricas del silicio y su abundancia en la naturaleza han posibilitado el desarrollo y aplicacin de los transistores y circuitos integrados que se utilizan en la industria electrnica.

GERMANIO Germanio, de smbolo Ge, es un elemento semimetlico cristalino, duro, brillante, de color blanco grisceo. Su nmero atmico es 32, y pertenece al grupo 14 (o IVA) de la tabla peridica.

SELENIO Qumicamente se asemeja al azufre y est relacionado con el teluro. Al igual que el azufre, se presenta en varias formas alotrpicas diferentes: como

polvo rojo-ladrillo; como masa amorfa vidriosa, de color castao oscuro, llamada selenio vitroso; como cristales monoclnicos rojos con una densidad relativa de 4,5, y como cristales de color gris metlico llamados selenio gris. Forma cido selenioso (H2SeO 3) y cido selnico (H2SeO4), cuyas sales respectivas se denominan selenitos y seleniatos. El selenio gris tiene un punto de fusin de 217 C, un punto de ebullicin de 685 C y una densidad relativa de 4,81. La masa atmica del selenio es 78,96.

e) APLICACIONES: 1.-Diodo Componente electrnico que permite el paso de la corriente en un solo sentido. Los primeros dispositivos de este tipo fueron los diodos de tubo de vaco, que consistan en un receptculo de vidrio o de acero al vaco que contena dos electrodos: un ctodo y un nodo. Ya que los electrones pueden fluir en un solo sentido, desde el ctodo hacia el nodo, el diodo de tubo de vaco se poda utilizar en la rectificacin. Los diodos ms empleados en los circuitos electrnicos actuales son los diodos fabricados con material semiconductor. El ms sencillo, el diodo con punto de contacto de germanio, se cre en los primeros das de la radio, cuando la seal radiofnica se detectaba mediante un cristal de germanio y un cable fino terminado en punta y apoyado sobre l. En los diodos de germanio (o de silicio) modernos, el cable y una minscula placa de cristal van montados dentro de un pequeo tubo de vidrio y conectados a dos cables que se sueldan a los extremos del tubo.

2.-Transistor En electrnica, denominacin comn para un grupo de componentes electrnicos utilizados como amplificadores u osciladores en sistemas de comunicaciones, control y computacin (vase Electrnica). Hasta la aparicin del transistor en 1948, todos los desarrollos en el campo de la electrnica dependieron del uso de tubos de vaco termoinicos, amplificadores magnticos, maquinaria rotativa especializada y condensadores especiales, como los amplificadores. El transistor, que es capaz de realizar muchas de las funciones del tubo de vaco en los circuitos electrnicos, es un dispositivo de estado slido consistente en una pequea pieza de material semiconductor, generalmente germanio o silicio, en el que se practican tres o ms conexiones elctricas. Los componentes bsicos del transistor son comparables a los de un tubo de vaco triodo e incluyen el emisor, que corresponde al ctodo caliente de un triodo como fuente de electrones. El transistor fue desarrollado por los fsicos estadounidenses Walter Houser Brattain, John Bardeen y William Bradford Shockley de los Bell Laboratories. Este logro les hizo merecedores del Premio Nobel de Fsica en 1956. Shockley pasa por ser el impulsor y director del programa de

investigacin de materiales semiconductores que llev al descubrimiento de este grupo de dispositivos. Sus asociados, Brattain y Bardeen inventaron un importante tipo de transistor.

3.-Circuito integrado Dispositivo electrnico miniaturizado consistente en un sistema interconectado de elementos activos ( diodos, transistores) y pasivos (resistencias, condensadores), intimamente unido a un material semiconductor, y capaz de realizar las mismas funciones que un circuito electrnico completo.

4.-Amplificador Dispositivo para aumentar la amplitud, o potencia, de una seal elctrica. Se utiliza para ampliar la seal elctrica dbil captada por la antena de un receptor de radio, la emisin dbil de una clula fotoelctrica, la corriente atenuada de un circuito telefnico de larga distancia, la seal elctrica que representa al sonido en un sistema de megafona y para muchas otras aplicaciones. Un dispositivo de amplificacin de uso muy comn es el transistor. Otras formas de dispositivos amplificadores son los distintos tipos de tubos de vaco termoinicos como el triodo, el pentodo, el klistrn y el magnetrn.

5.-Fuentes de alimentacin: Generadores de corriente continua Si una armadura gira entre dos polos magnticos fijos, la corriente en la armadura circula en un sentido durante la mitad de cada revolucin, y en el otro sentido durante la otra mitad. Para producir un flujo constante de corriente en un sentido, o corriente continua, en un aparato determinado, es necesario disponer de un medio para invertir el flujo de corriente fuera del generador una vez durante cada revolucin. En las mquinas antiguas esta inversin se llevaba a cabo mediante un conmutador, un anillo de metal partido montado sobre el eje de una armadura. Las dos mitades del anillo se aislaban entre s y servan como bornes de la bobina. Las escobillas fijas de metal o de carbn se mantenan en contacto con el conmutador, que al girar conectaba elctricamente la bobina a los cables externos. Cuando la armadura giraba, cada escobilla estaba en contacto de forma alternativa con las mitades del conmutador, cambiando la posicin en el momento en el que la corriente inverta su sentido dentro de la bobina de la armadura. As se produca un flujo de corriente de un sentido en el circuito exterior al que el generador estaba conectado. Los generadores de corriente continua funcionan normalmente a voltajes bastante bajos para evitar las chispas que se producen entre las escobillas y el conmutador a voltajes altos. El

potencial ms alto desarrollado para este tipo de generadores suele ser de 1.500 voltios. En algunas mquinas ms modernas esta inversin se realiza usando aparatos de potencia electrnica, como por ejemplo rectificadores de diodo.

Los generadores modernos de corriente continua utilizan armaduras de tambor, que suelen estar formadas por un gran nmero de bobinas agrupadas en hendiduras longitudinales dentro del ncleo de la armadura y conectadas a los segmentos adecuados de un conmutador mltiple. Si una armadura tiene un solo circuito de cable, la corriente que se produce aumentar y disminuir dependiendo de la parte del campo magntico a travs del cual se est moviendo el circuito. Un conmutador de varios segmentos usado con una armadura de tambor conecta siempre el circuito externo a uno de cable que se mueve a travs de un rea de alta intensidad del campo, y como resultado la corriente que suministran las bobinas de la armadura es prcticamente constante. Los campos de los generadores modernos se equipan con cuatro o ms polos electromagnticos que aumentan el tamao y la resistencia del campo magntico. En algunos casos, se aaden interpolos ms pequeos para compensar las distorsiones que causa el efecto magntico de la armadura en el flujo elctrico del campo.

El campo inductor de un generador se puede obtener mediante un imn permanente (magneto) o por medio de un electroimn (dinamo). En este ltimo caso, el electroimn se excita por una corriente independiente o por autoexcitacin, es decir, la propia corriente producida en la dinamo sirve para crear el campo magntico en las bobinas del inductor. Existen tres tipos de dinamo segn sea la forma en que estn acoplados el inductor y el inducido: en serie, en derivacin y en combinacin. 6.-Oscilador Aparato destinado a producir oscilaciones elctricas, es decir, corrientes alternas peridicas. 7.-C.P.U. Unidad central de proceso o UCP (conocida por sus siglas en ingls, CPU), circuito microscpico que interpreta y ejecuta instrucciones. La CPU se ocupa del control y el proceso de datos en las computadoras. Generalmente, la CPU es un microprocesador fabricado en un chip, un nico trozo de silicio que contiene millones de componentes electrnicos. El microprocesador de la CPU est formado por una unidad aritmtico-lgica que realiza clculos y comparaciones, y toma decisiones lgicas (determina si una afirmacin es cierta o falsa mediante las reglas del lgebra de Boole); por una serie de registros donde se almacena informacin temporalmente, y

por una unidad de control que interpreta y ejecuta las instrucciones. Para aceptar rdenes del usuario, acceder a los datos y presentar los resultados, la CPU se comunica a travs de un conjunto de circuitos o conexiones llamado bus. El bus conecta la CPU a los dispositivos de almacenamiento (por ejemplo, un disco duro), los dispositivos de entrada (por ejemplo, un teclado o un mouse) y los dispositivos de salida (por ejemplo, un monitor o una impresora).

GRAFENO El grafeno es una sustancia formada por carbono puro, con tomos dispuestos en un patrn regular hexagonal similar al grafito, pero en una hoja de un tomo de espesor. Es muy ligero, una lmina de 1 metro cuadrado pesa tan slo 0,77 miligramos. El grafeno es un altropo del carbono, un teselado hexagonal plano (como panal de abeja) formado por tomos de carbono y enlaces covalentes que se generan a partir de la superposicin de los hbridos sp2 de los carbonos enlazados. El Premio Nobel de Fsica de 2010 se le otorg a Andre Geim y a Konstantin Novoselov por sus revolucionarios descubrimientos acerca del material bidimensional grafeno.1 2 Mediante la hibridacin sp2 se explican mejor los ngulos de enlace, a 120, de la estructura hexagonal del grafeno. Como cada uno de los carbonos contiene cuatro electrones de valencia en el estado hibridado, tres de esos electrones se alojan en los hbridos sp2, y forman el esqueleto de enlaces covalentes simples de la estructura. El electrn sobrante se aloja en un orbital atmico de tipo p perpendicular al plano de los hbridos. El solapamiento lateral de dichos orbitales da lugar a formacin de orbitales de tipo . Algunas de estas combinaciones propician un gigantesco orbital molecular deslocalizado entre todos los tomos de carbono que constituyen la capa de grafeno. El nombre proviene de intercambio en el vocablo grafito de sufijos: ito por eno: propio de los carbonos con enlaces dobles. En realidad, la estructura del grafito puede considerarse una pila de gran cantidad de lminas de grafeno superpuestas.3 Los enlaces entre las distintas capas de grafeno apiladas se deben a fuerzas de Van der Waals e interacciones de los orbitales de los tomos de carbono. Estructura cristalina del grafito. Se ilustran las interacciones de las diversas capas de anillos aromticos condensados. En el grafeno, la longitud de los enlaces carbono-carbono es de aproximadamente 1,42 (ngstroms). Es el componente estructural bsico

de todos los dems elementos grafticos, incluidos el propio grafito, los nanotubos de carbono y los fullerenos. A esta estructura tambin se le puede considerar una molcula aromtica extremadamente extensa en las dos direcciones espaciales. Es decir, sera el caso lmite de una familia de molculas planas de hidrocarburos aromticos poli cclicos denominada grfenos Descripcin El grafeno perfecto est constituido exclusivamente por celdas hexagonales. Celdas pentagonales o heptagonales corresponden a defectos. Ante una celda pentagonal aislada, el plano se arruga en forma cnica. La presencia de 12 pentgonos creara un fullereno. La insercin de un heptgono le aportara forma de silla. Los nanotubos de carbono de pared nica son cilindros de grafeno. En el compendio tecnolgico de la Unin Internacional de Qumica Pura y Aplicada (IUPAC) se establece: Anteriormente, se han utilizado para el trmino grafeno descripciones como capas de grafito, capas de carbono u hojas de carbono. [...] No es correcto utilizar, para una sola capa, un trmino que incluya el trmino grafito, que implica una estructura tridimensional. El trmino grafeno debe ser usado slo cuando se trata de las reacciones, las relaciones estructurales u otras propiedades de capas individuales. En este sentido, al grafeno se le ha definido como hidrocarburo aromtico policclico infinitamente alternante de anillos de slo seis tomos de carbono. La molcula ms grande de este tipo contiene 222 tomos de carbono o 37 unidades de benceno separadas.4 Las cifras de la oracin anterior son las contenidas en el resumen de la cita. Debera ser: 111 tomos de carbono y 111 tomos de hidrgeno o, ms simple, 222 tomos, lo cual resulta de 37 x 6 (tomos de carbono o de hidrgeno del benceno, de frmula C6H6) = 222, o bien: 18.5 anillos de benceno: 18.5 x 12 (tomos del benceno) = 222. La opcin de unidades fue para obtener una cifra redonda (37), y por consiguiente evitar la expresin fraccionaria (18,5). Propiedades destacadas Entre las propiedades destacadas de este material se incluyen: Es muy flexible Es transparente Autoenfriamiento (segn algunos cientficos de la Universidad de Illinois).

Conductividad trmica y elctrica altas. Elasticidad y dureza elevadas. (Sobre todo) Muy alta dureza: 200 veces mayor que la del acero, casi igual a la del diamante.7 Reaccin qumica con otras sustancias para producir compuestos de diferentes propiedades. Esto lo dota de gran potencial de desarrollo. Soporte de radiacin ionizante. Gran ligereza, como la fibra de carbono, pero ms flexible. Menor efecto Joule: se calienta menos al conducir los electrones. Para una misma tarea que el silicio, menor consumo de electricidad. Generacin de electricidad al ser alcanzado por la luz.8 Razn Superficie/Volumen muy alto, lo que le atorga un buen futuro en el mercado de los supercondensadores. Se puede dopar introduciendo impurezas para cambiar su comportamiento primigenio de tal manera que se pueda hacer que no repela el agua o que incluso mejore todava ms la conductividad. Cuando una lmina de grafeno recibe algn dao que quiebra su estructura produciendo un agujero consigue atraer tomos de carbono situados en las proximidades para as reparar los huecos (se autorepara).

f) BIBLIOGRAFIA:

Enciclopedia Espasa-Calpe S.A., diccionario enciclopdico Larousse y enciclopedia Encarta 2000.