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EN2709 Eletrônica Aplicada

EN2709 – Eletrônica Aplicada

AULA 01

Revisão

TBJ

Prof. Roberto Jacobe Rodrigues

roberto.rodrigues@ufabc.edu.br

3 o Quadrimestre de 2012

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Conteúdo

Transistores Bipolares de Junção (TBJ)

Operação do TBJ

Polarização do TBJ

Amplificadores com TBJ

Modelo do TBJ

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Semicondutores Silício Extrínseco (Dopado)

EN2709 – Eletrônica Aplicada Semicondutores – Silício Extrínseco (Dopado) 3 3
EN2709 – Eletrônica Aplicada Semicondutores – Silício Extrínseco (Dopado) 3 3

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O Diodo não Polarizado

EN2709 – Eletrônica Aplicada O Diodo não Polarizado A região onde os cristais tipo- p e

A região onde os cristais tipo-p e tipo-n são unidos chama-se junção.

Aplicada O Diodo não Polarizado A região onde os cristais tipo- p e tipo- n são

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O Diodo não Polarizado Camada de Depleção

Aplicada O Diodo não Polarizado – Camada de Depleção Devido a repulsão mútua, elétrons livres no

Devido a repulsão mútua, elétrons livres no lado n difundem para o lado p.

– Camada de Depleção Devido a repulsão mútua, elétrons livres no lado n difundem para o

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O Diodo não Polarizado Camada de Depleção

Aplicada O Diodo não Polarizado – Camada de Depleção o A camada de depleção age como

o A camada de depleção age como uma barreira dificultando a continuação da

difusão de elétrons livres através da junção.

o A largura da camada de depleção continua aumentando com cada elétron que

a atravessa até que se atinja uma condição de equilíbrio.

de depleção continua aumentando com cada elétron que a atravessa até que se atinja uma condição

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O Diodo não Polarizado Camada de Depleção

EN2709 – Eletrônica Aplicada O Diodo não Polarizado – Camada de Depleção 7 7
EN2709 – Eletrônica Aplicada O Diodo não Polarizado – Camada de Depleção 7 7
EN2709 – Eletrônica Aplicada O Diodo não Polarizado – Camada de Depleção 7 7
EN2709 – Eletrônica Aplicada O Diodo não Polarizado – Camada de Depleção 7 7

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Transistores TBJ Construção

Eletrônica Aplicada Transistores TBJ – Construção Coletor: dopagem intermediária. Base: levemente dopada.

Coletor: dopagem intermediária.

Base: levemente dopada.

Emissor: densamente dopada.

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Transistores TBJ Construção

Eletrônica Aplicada Transistores TBJ – Construção Coletor: dopagem intermediária. Base: levemente dopada.

Coletor: dopagem intermediária.

Base: levemente dopada.

Emissor: densamente dopada.

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Transistores TBJ Junções (Diodos Coletor e Emissor)

O transistor tem duas junções:

a) entre o emissor e a base b) entre a base e o coletor

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Operação do TBJ Polarização

A corrente em transistor npn polarizado na região ativa:

- A corrente no coletor tem valor próximo da corrente no emissor e muito superior

à corrente na base. - A corrente de coletor é controlada pela corrente de base.

no emissor e muito superior à corrente na base. - A corrente de coletor é controlada

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Correntes no Transistor Ligação Emissor Comum (EC)

EN2709 – Eletrônica Aplicada Correntes no Transistor – Ligação Emissor Comum (EC) 12 12
EN2709 – Eletrônica Aplicada Correntes no Transistor – Ligação Emissor Comum (EC) 12 12

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Correntes no Transistor Ligação Emissor Comum (EC)

- Emissor cheio de elétrons livres.

- Quando V BE > 0,7 V, o emissor injeta esses elétrons na base.

- A base fina e pouco dopada permite que os elétrons consigam se difundir

através da camada de depleção do coletor.

- A polarização reversa do diodo coletor empurra os elétrons para dentro do coletor, de onde fluem para a fonte de alimentação.

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Correntes no Transistor

A relação entre as correntes de coletor e de base é conhecida como ganho de corrente (DC ou h FE ). O ganho de corrente é tipicamente entre 100 e 300.

E ). O ganho de corrente é tipicamente entre 100 e 300. Fluxo convencional I E

Fluxo convencional

I E I C @ I E

=

I C + I B

I B << I

C dc

=

I C

I E I C @ I E = I C + I B I B <<

I B

I E I C @ I E = I C + I B I B <<

Fluxo de elétrons

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Especificações

ESPECIFICAÇÕES Os transistores de pequeno sinal podem dissipar 0,5 W ou menos. Todas as tensões são reversas e de ruptura. V CEO : tensão de coletor para o emissor com a base aberta. V CBO : tensão entre o coletor e a base com o emissor aberto. V EBO : tensão do emissor para a base com o coletor aberto. I C : corrente máxima CC do coletor. P D : potência máxima do componente. Exemplo:

Especificações máximas do 2N3904: V CEO = 40 V; V CBO = 60 V; V EBO = 6 V; I C = 200mA (CC); P D = 310 Mw

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Curvas Características Curvas de ganho de Corrente

A uma temperatura fixa, CC aumenta até um valor máximo quando a corrente do coletor aumenta.

até um valor máximo quando a corrente do coletor aumenta. Questão: Explicar o motivo desta dependência

Questão:

Explicar o motivo desta dependência

do valor do ganho de corrente com a

temperatura.

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Polarização Circuitos Polarizadores

Antes de aplicar o sinal CA é necessário determinar o ponto de operação,

também conhecido como ponto quiescente (Q) do transistor.

O ponto Q, em geral, fica na região próxima ao meio da linha de carga CC.

O ponto Q é fixo na curva.

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Curvas Características Regiões de Operação

- Ativa (amplificação linear): a junção emissor-base está polarizada diretamente

(V BE > 0,7 V) e a junção base-coletor está polarizada reversamente (V CB > 0).

- Corte (chaveamento): as junções base-emissor e base-coletor estão polarizadas reversamente (V BE < 0,7 V ou V BE < 0 e V CB > 0). Neste caso I C = 0.

- Saturação (chaveamento): as junções base-emissor e base-coletor são polarizadas diretamente (V BE > 0,7 V e V CB < 0).

- Ruptura (danifica o transistor): V CB > V Ruptura

V C B < 0). - Ruptura (danifica o transistor): V C B > V R

Efeito Avalanche.

V C B < 0). - Ruptura (danifica o transistor): V C B > V R

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Polarização Pontos de Operação

Alguns pontos e limites de operação do transistor.

Pontos de Operação Alguns pontos e limites de operação do transistor. Curva Pontilhada: I  C

Curva Pontilhada:

I

C

P C max

V

CE

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Polarização Linha de Carga

EN2709 – Eletrônica Aplicada Polarização – Linha de Carga 20 20

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TBJ como Amplificador

Função ou Característica de Transferência ic = f(vBE):

EN2709 – Eletrônica Aplicada TBJ como Amplificador Função ou Característica de Transferência ic = f(vBE): 21

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Polarização: Linha de Carga

Utilizando a polarização pela base, tem-se:

EN2709 – Eletrônica Aplicada Polarização: Linha de Carga Utilizando a polarização pela base, tem-se: 22 22
EN2709 – Eletrônica Aplicada Polarização: Linha de Carga Utilizando a polarização pela base, tem-se: 22 22
EN2709 – Eletrônica Aplicada Polarização: Linha de Carga Utilizando a polarização pela base, tem-se: 22 22

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Polarização Linha de Carga

Saturação: A corrente de coletor é máxima.

EN2709 – Eletrônica Aplicada Polarização – Linha de Carga Saturação: A corrente de coletor é máxima.
EN2709 – Eletrônica Aplicada Polarização – Linha de Carga Saturação: A corrente de coletor é máxima.
EN2709 – Eletrônica Aplicada Polarização – Linha de Carga Saturação: A corrente de coletor é máxima.

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Polarização Linha de Carga

Corte: A corrente no coletor é zero.

EN2709 – Eletrônica Aplicada Polarização – Linha de Carga Corte: A corrente no coletor é zero.
EN2709 – Eletrônica Aplicada Polarização – Linha de Carga Corte: A corrente no coletor é zero.
EN2709 – Eletrônica Aplicada Polarização – Linha de Carga Corte: A corrente no coletor é zero.

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Polarização Divisor de Tensão

É a polarização mais usada em circuitos lineares.

A influência da variação do CC é reduzida.

É a polarização mais usada em circuitos lineares. A influência da variação do  C C

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Polarização Orientações para Projeto

Nota:

O projeto de um circuito amplificador, bem como de um circuito lógico,

consiste em:

1) Verificar os requisitos e solicitações para o projetista

2) Escolher o transistor adequado (Potência máxima, h fe , resposta em freqüência, etc.)

3) Escolher valores de alguns resistores

4) Determinar os valores dos demais resistores

5) Dimensionar os capacitores de acoplamento e desvio

Sempre tendo em vista o estabelecimento do ponto quiescente (polarização).

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Amplificadores Classificação

Amplificadores de pequenos sinais ou baixa potência

Amplificadores de potência

Amplificadores de baixa, média e alta freqüência

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Modelo CA Definição

Um modelo é a combinação de elementos de circuito (chaves, resistores, capacitores, fontes de tensão e de corrente) que melhor aproximam o

funcionamento de um dispositivo semicondutor sob condições específicas

de operação. Análise por Modelos (para obter a resposta do circuito):

- Obter o circuito equivalente CA

- Aplicar os métodos básicos de análise CA (exs.: malha, nó e Thévenin) Tipos de Modelos (p.s. designações podem variar na literatura):

- Modelo r e

- Modelo -híbrido

- Ebers mol (T)

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Modelo TBJ Análise CA

Circuito com transistor que será analisado:

X C

1 2.  . f . C
1
2.
. f . C

Para obter o Modelo na análise CA, todas as fontes CC devem ser removidas. Nota: os valores CC foram importantes apenas na determinação do Ponto Q.

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Modelo TBJ Análise CA

EN2709 – Eletrônica Aplicada Modelo TBJ – Análise CA 30 30
EN2709 – Eletrônica Aplicada Modelo TBJ – Análise CA 30 30

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Modelo TBJ Análise CA

A configuração a seguir é obtida após reorganizar o circuito do slide anterior:

Modelo TBJ – Análise CA A configuração a seguir é obtida após reorganizar o circuito do
Modelo TBJ – Análise CA A configuração a seguir é obtida após reorganizar o circuito do

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Modelo TBJ Análise CA

EN2709 – Eletrônica Aplicada Modelo TBJ – Análise CA 32 32

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Modelo TBJ Análise CA

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Modelo TBJ Análise CA

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Bibliografia parte 1/2

MALVINO, A. P., BATES, D. J. Eletrônica, 7ª Ed. São Paulo: McGraw Hill, 2007, volumes 1 e 2. SEDRA, A. S., SMITH, K. C. Microeletrônica, 5ª. Ed. São Paulo: Pearson Prentice Hall do Brasil, 2007. BOYLESTAD, R. L., NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de

Circuitos, 8ª Ed. Rio de Janeiro: Pearson Prentice Hall, 2004.

CAPUANO, F. G., MARINO, M. A. M. Laboratório de Eletricidade e Eletrônica:

teoria e prática, 24º Ed. São Paulo: Érica, 2007.

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Bibliografia parte 2/2

CATHEY, J. J. Dispositivos e Circuitos Eletrônicos, 2º Ed. Porto Alegre: Bookman,

2003.

MARQUES, A. E. B. Dispositivos Semicondutores: diodos e transistores, 1º Ed. São Paulo: Érica, 1996. CIPELLI, A. M. V. Teoria e Desenvolvimento de Circuitos Eletrônicos, 21º Ed. São

Paulo: Érica, 2005.

PERTENCE JR., A. Amplificadores Operacionais e filtros ativos: teoria, projetos, aplicações e laboratório, 6º Ed. Porto Alegre: Bookman, 2003.

REZENDE, S. Materiais e dispositivos eletrônicos, 1º Ed. São Paulo: Livraria da

Física, 2004. GARDINI, G., LIMA, N. P. Dicionário de Eletrônica, 3º Ed. São Paulo: Hemus.

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