Unidad Educativa Fiscomisional Don Bosco Actividad: Consulta Nombre: Kevin Chicaiza Curso: 2do Electrnica Tema: Transistores

mosfet y jfet Objetivo: Realizar la presente consulta de la forma que yo como estudiante pueda adquirir un nuevo conocimiento sobre mi especialidad de electrnico, para de esa forma poder aplicar el conocimiento en la resolucin, reparo o solucin de inconvenientes con dispositivos que ocupen esto. Mosfet (transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor) Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales, aunque el transistor de unin bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo. El trmino 'metal' en el nombre de los transistores MOSFET es actualmente incorrecto debido a que el material de la compuerta, que antes era metlico, ahora se construye con una capa de silicio poli cristalino. En sus inicios se utiliz aluminio para fabricar la compuerta, hasta mediados del ao ms o menos de 1970 cuando el silicio poli cristalino comenz a dominar el mercado gracias a su capacidad de formar compuertas auto-alineadas. Las compuertas metlicas estn volviendo a ganar popularidad, debido a que es complicado incrementar la velocidad de operacin de los transistores sin utilizar componentes metlicos en la compuerta. De manera similar, el 'xido' utilizado como aislante en la compuerta tambin se ha reemplazado por otros materiales con el propsito de obtener canales fuertes con la aplicacin de tensiones ms pequeas. Aunque el MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenado (D), compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato generalmente est conectado internamente a la terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos de tres terminales similares a otros transistores. La conexin del sustrato, en los casos donde se muestra, se coloca en la parte central del canal con una flecha que indica si el transistor es PMOS o NMOS. La flecha siempre apunta en la direccin P hacia N, de forma que un NMOS (Canal N en una tina P o sustrato P) tiene la flecha apuntando hacia adentro (desde el sustrato hacia el canal). Fecha envo: 08/05/2013 Fecha entrega: 29/05/2013

Jfet (transistor de efecto de campo) Es un dispositivo electrnico activo unipolar. Es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial. Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente. As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin, respectivamente. El JFET es un transistor de efecto de campo, es decir, su funcionamiento se basa en las zonas de deplecin que rodean a cada zona P al ser polarizadas inversamente. Cuando aumentamos la tensin en el diodo compuerta-fuente, las zonas de deplecin se hacen ms grandes, lo cual hace que la corriente que va de fuente a drenaje tenga ms dificultades para atravesar el canal que se crea entre las zonas de deplecin, cuanto mayor es la tensin inversa en el diodo compuerta-fuente, menor es la corriente entre fuente y drenaje. Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensin y no por corriente. Casi todos los electrones que pasan a travs del canal creado entre las zonas de deplecin van al drenaje, por lo que la corriente de drenaje es igual a la corriente de fuente . Ecuaciones para el clculo de Jfet La corriente en N-JFET debido a una pequea tensin V DS est dada por:

Donde I DSS = corriente de saturacin de drenaje-fuente 2a = espesor del canal W = ancho L = longitud q = carga del electrn = 1,6 x 10 -19 C n = movilidad de electrones N d = concentracin de dopaje de tipo n En la regin de saturacin:

En la regin lineal

o (en trminos de

):

Donde est la pizca de tensin, la tensin mnima en GS Para apagar completamente la conduccin. Cuando es pequeo en comparacin con el dispositivo acta como una resistencia de tensin controlada. Grfica de Jfet (funcionamiento)

Terminales Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente. Voltajes, intensidad y datos importantes El voltaje aplicado entre el Drenador y el Surtidor (VDS), no debe sobrepasar el voltaje de ruptura (tpicamente 50V) porque destruira el dispositivo. Si se aplica polarizacin directa a la compuerta, circular una alta corriente por la compuerta que puede destruir el JFET si no est limitada por una resistencia en serie con la compuerta. VALORES COMERCIALES PARA EL JFET Voltaje VDS (V) Potencia (W) 25,30,40,50 0.15,0.3,1.8,30

Bibliografa: http://www.viasatelital.com/proyectos_electronicos/polarizacion_fet.htm