FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

ELETRNICA ANALGICA ENG. EDERSON ZANCHET

CIRCUITOS INTEGRADOS - FABRICAO

Os circuitos integrados em termos gerais so basicamente construdos a partir

silcio

monocristalino. Devido a caracterstica do silcio (Polisilcio) que apresenta estrutura formada por

diversos blocos e desorganizados, tornando-se necessrio um processo de purificao para

obteno de um silcio de alta qualidade.

O monosilcio apresenta estrutura com tomos bem alinhados e com caractersticas fsicas
uniformes. Os processos de fabricao dos circuitos integrados abrangem vrias etapas que vo desde

a extrao do material at o encapsulamento.

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CIRCUITOS INTEGRADOS SILCIO POLICRISTALINO

Figura 1 Silcio Policristalino

O material extrado no contm apenas silcio.

Apresenta outros componentes no cristal, o que para o

processo de fabricao apresenta instabilidade em nveis

de tenso, assim para os circuitos integrados, o grau de pureza o grau eletrnico (grau de mais alta pureza do silcio, >99,9999%). Porm para outras aplicaes como fabricaes o silcio policristalino tem sido aplicado com sucesso. Pelas figuras 1 e 2 temos modelos de silcio policristalino.
Figura 2 Silcio Policristalino

Existe algumas formas para obteno do cristal

entre elas podemos citar: O processo de Siemens ou Reator de Siemens; O processo de leito fluidizado
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Fonte: http://wikienergia.com/~edp/images/thumb/d/d5/Cili ndrosiliciopolicristalino.jpg/300pxCilindrosiliciopolicristalino.jpg

CIRCUITOS INTEGRADOS SILCIO MONOCRISTALINO

Figura 3 Silcio monocristalino

O Como o silcio estrutura cristalina

policristalino

apresenta provocando

desorganizada,

reaes nas propriedades eltricas do materiais para

os circuitos integrados necessria a obteno do

silcio monocristalino.
O processo de Czochralski torna o silcio mais puro devido ao fato de que as impurezas possuem diferentes pontos de fuso.
Fonte: http://www.gcfs.eu/datapool/page/66/cz01.jpg

O silcio policristalino triturado e depois fundido. Enquanto est na fase lquida podem ser adicionadas quantidades controladas de impurezas (dopantes como Ferro e Boro) ao silcio intrnseco para que sejam obtidas as propriedades eltricas desejadas.

Um gro de silcio monocristalino posto em contato com o silcio lquido, temperatura de

fuso, atravs de uma haste.
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CIRCUITOS INTEGRADOS SILCIO MONOCRISTALINO

Figura 4 Processo de obteno Silcio monocristalino

Quando o gro de Si entra em contato com

lquido uma parte do gro fundida. H medida em que a haste vai puxando o gro para cima, o lquido vai aos poucos se solidificando e formando um cilindro. O dimetro deste cilindro determinado pela velocidade de subida e de rotao da haste conforme pode ser observado pela figura 4 e 5.

Figura 5 Etapas Processo de obteno Silcio monocristalino

Fonte: http://img135.imageshack.us/img135/474/materialprocessing.png

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CIRCUITOS INTEGRADOS

Video - Processo de fabricao Circuitos Integrados

Aps

obteno

do

silcio

dentro

das

caractersticas necessrias, o cristal cortado com

lminas ou fios de diamante formando wafers, com

espessuras que variam de 0,25mm e 1mm de acordo

com o dimetro do cristal.

O material polido e tratado quimicamente, somente aps todo esse processo que receber o desenho para formao do circuito integrado atravs de um processo semelhante ao do filme fotogrfico, alm
Fonte: http://www.youtube.com/watch?v=l7-EmE7Ixuo

das diversas camadas. O circuito integrado construdo

camada por camada, at constituir o componente

projetado.

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REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

[1] MALVINO, Albert Paul. Eletrnica. Vol. I - 4.; Ed. Makron Books: So Paulo, 1995.

[2] BOYLESTAD, R. L. Dispositivos eletrnicos e teoria de circuitos; Ed. Prentice Hall: So Paulo, 2004.
[3] BERTOLI, Roberto Angelo. Eletrnica; UNICAMP, 2000. [4] BARBI, Ivo, Eletrnica de Ptencia 6 edio, Ed. Do autor: Florianpolis, 2005. [5] FAIRCHILD SEMICONDUCTOR, LM78XX/LM78XXA 3-Terminal 1A Positive Voltage Regulator; datasheet, april 2012, disponvel em http://www.fairchildsemi.com/ds/LM/LM7805.pdf acesso em 03 set. 2012. [6] NATIONAL SEMICONDUCTOR, LM117/LM317A/LM317 3-Terminal Adjustable Regulator datasheet, may 1996, disponvel em: http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/nationalsemiconductor/DS009063.PDF acesso em 03 set. 2012.

[7] SANTOS, Roberto Bairros dos. Regulador de tenso usando CI; disponvel em: http://www.bairrospd.kit.net/fonte_aliment/Regulador%20de%20tensao%20com%20CI.pdf acesso em 03 set. 2012.

EDERSON ZANCHET Mestrando em Engenharia Eltrica e Informtica Industrial - UTFPR Engenheiro de Controle e Automao - FAG Departamento de Engenharia FAG Docente Disciplina de Eletronica Analgica ederson.zt@gmail.com ezanchet@fag.edu.br www.fag.edu/professores/ederson

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