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Universidade Federal do ABC

Aula Prática 2 Caracterização de diodos e circuitos com Diodos

Disciplina: EN2701 – Fundamentos de Eletrônica

Alunos:

Professora: Dr.ª Ariana Serrano

Eduardo Amaro Campos

RA: 11001910

Henrique Mariano Rodrigues Ferreira

RA: 11000510

Pedro Schatz Wisnerowicz

RA: 11054010

Rodrigo da Silva Ferreira

RA: 11145609

Santo André, 29 de maio de 2013

Sumário

1.0

- Introdução

3

2.0

- Objetivos

6

3.0

- Materiais

6

4.0

- Metodologia Experimental

7

Parte 1- Determinação do ganho de corrente hfe e levantamento da curva característica Ic x

 

Vce

7

Parte 2- Polarização por divisor de tensão

8

Parte 3 Amplificadores de pequenos sinais

8

Parte 4 Transistor como chave

9

5.0

- Resultados e Discussões

9

Parte 1

9

Parte 2

13

Parte 3

15

Parte 4

17

6.0

- Conclusão

19

7.0

- Referências Bibliográficas

19

1.0 - Introdução

Transistores são componentes eletrônicos utilizados principalmente como amplificadores e interruptores de sinais elétricos. [1] O primeiro tipo de transistor foi inventado nos Laboratórios da Beel Telephone em dezembro de 1947 por Bardeen e Brattain. Esse era um transistor chamado de point-contact”, que acabou não se popularizando muito pelo seu elevado custo. No entanto, em 1951, a mesma empresa anunciava a criação do dispositivo conhecido como transistor de junção. [2]

O Transistor de junção consiste em uma junção de três materiais semicondutores, sendo que o do meio (conhecido como base) será de um tipo diferente dos das pontas, como mostra a figura 1.

Figura 1: Transistor npn. fonte: BOYLESTAD, R. L.
Figura 1: Transistor npn. fonte: BOYLESTAD, R. L.

O transistor mostrado na figura 1 é um do tipo npn, também havendo o tipo pnp. Quando só houver tensão nas regiões do tipo P, o transistor não irá conduzir, pois a região do meio possuí portadores de carga positiva, e não negativa. [3]

Por questão de convenção, a simbologia dos transistores tipo pnp e npn são demostradas na figura 2.

Figura 2: Simbologia dos transistores Como mencionado anteriormente, o transistor pode ser utilizado como interruptor

Figura 2: Simbologia dos transistores

Como mencionado anteriormente, o transistor pode ser utilizado como interruptor de sinal elétrico, pois quando não houver corrente na base, ele não irá conduzir entre as pontas de emissor e coletor.

Para ele conduza entre o E e C (emissor e coletor), terá que ser imposta uma corrente em sua base, como mostrado na figura 3 e 4.

terá que ser imposta uma corrente em sua base, como mostrado na figura 3 e 4.

Figura 3: Circuito com transistor npn

Figura 4: Circuito com transistor pnp Exatamente pelas condições características dos semi-condutores, dependendo da

Figura 4: Circuito com transistor pnp

Exatamente pelas condições características dos semi-condutores, dependendo da condição de polarização de cada junção, são obtidos diferentes modos de operação para o transistor, como mostrado na figura 5.

modos de operação para o transistor, como mostrado na figura 5. Figura 5: Regiões de funcionamento

Figura 5: Regiões de funcionamento de um transistor

A parte inicial da curva é chamada de região de saturação. É toda a curva entre a origem e o joelho. A parte praticamente plana é chamada de região ativa. Nesta região uma variação do VCE não influencia no valor da corrente de coletor (IC). IC mantém-se constante e igual a corrente de base vezes o ganho CC do transistor (βCC) IC = IB * βCC. A parte final é a região de ruptura ou Breakdown e deve ser evitada. [2]

2.0 - Objetivos

Este experimento possui as metas de introduzir os conceitos básicos sobre os transistores, obter experimentalmente as curvas características de transistores e discutir e apresentar o funcionamento básico dos transistores como chaves.

3.0 - Materiais

1 Multímetro Portátil com adaptador jacaré em ambas as pontas de prova

1 Multímetro de bancada com adaptador jacaré em ambas as pontas de prova

2 Fontes de tensão contínua variável

1 Protoboard

1 Osciloscópio com duas pontas de prova

1 Gerador de funções com cabo BNC e ponta jacaré

2 Pares de cabos banana/banana

2 Pares de cabos banana/jacaré

1 BC547

1 Resistor de 220k Ω x 1/8W

1 Resistor de 12k x 1/8W

1 Potenciômetro de 100 k x 1W

1 Resistor de 820 x 1/8W

2 Resistor de 2,2k x 1/8W

2 Capacitores eletrolíticos de 10uF x 25V

4.0 - Metodologia Experimental

O experimento foi subdividido em 4 etapas:

Parte 1- Determinação do ganho de corrente hfe e levantamento da curva característica Ic x Vce.

hfe e levantamento da curva característica Ic x Vce. Figura 6: Circuito 1 A) Montar no

Figura 6: Circuito 1

A) Montar no protoboard o circuito 1. Com o multímetro de bancada medir as correntes

e com o portátil, as tensões. Variar o potenciômetro P1 para Vce = V1/2.

as tensões. Variar o potenciômetro P1 para Vce = V1/2. Figura 7: Circuito 2 B) Montar

Figura 7: Circuito 2

B)

Montar no protoboard o circuito 2. Com o multímetro de bancada medir as correntes

Ib

e Ic, e com o multímetro portátil, as tensões Vbe e Vce. Variar o potenciômetro P1

para Ib=120 μA e variar P2 para diferentes valores de Vce.

Parte 2- Polarização por divisor de tensão

Parte 2- Polarização por divisor de tensão Figura 8: Circuito 3 A) Montar no protoboard o

Figura 8: Circuito 3

A) Montar no protoboard o circuito 3. Medir as tensões e correntes quiescentes do circuito e anotar os valores.

Parte 3 Amplificadores de pequenos sinais

os valores. Parte 3 – Amplificadores de pequenos sinais Figura 9: Circuito 4 A) Montar o

Figura 9: Circuito 4

A) Montar o circuito 4. Com o gerador desligado, medir as tensões e calcular as correntes quiescentes do circuito.

B) Calcular as tensões Vce, Vbe e Vcb.

C) Aplicar na entrada um sinal senoidal de 1V de pico, com frequência de 1kHz e medir

com o osciloscópio as formas de onda na entrada (Vi) e na saída (Vo) e imprimir as formas

de onda.

Parte 4 Transistor como chave

as formas de onda. Parte 4 – Transistor como chave Figura 10: Circuito 5 A) Monte

Figura 10: Circuito 5

A) Monte o circuito mostrado na Fig. 5. Utilize o gerador de funções para gerar o sinal

quadrado na frequência de 5 kHz com amplitude de 0 a 5 V. Salve a curva de entrada e

saída do circuito.

5.0 - Resultados e Discussões

Parte 1

Do circuito montado na Parte 1 do experimento (figura 6), obtivemos os valores para Vce, Ib, Ic e hfe conforme tabela 1. O valor hfe é obtido dividindo a corrente do coletor pela corrente do emissor, Ic/Ib.

Tabela 1: Dados obtidos experimentalmente

V1 (V)

Vce (V)

Ib (uA)

Ic (mA)

hfe

10

5,013

351

45,68

130,14

15

7,33

542

68,05

125,56

O valor obtido de hfe do experimento com valor de V1 = 10V para o de V1 = 15V variou cerca de 4%, uma variação aceitável para valores experimentais.

De acordo com o DataSheet do fabricante, o BC547 possuí valor mínimo de ganho de 110 e máximo de 800, conforme Figura 11.

de ganho de 110 e máximo de 800, conforme Figura 11. Figura 11: Datasheet BC 547

Figura 11: Datasheet BC 547 fonte: http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/BC547.pdf

Dessa forma, é possível dizer que os valores de hfe obtidos experimentalmente são condizentes com os obtidos a partir do DataSheet.

Para fins comparativos, foram feitas simulações do circuito proposto utilizando a plataforma online Circuit Lab. Foi gerado o circuito representado pela figura 12.

Figura 12: circuito simulado pelo Circuit Lab A partir dos dados obtidos do circuito exemplificado

Figura 12: circuito simulado pelo Circuit Lab

A partir dos dados obtidos do circuito exemplificado na figura 6 e da simulação (figura 12) foram montadas as seguintes tabelas:

Tabela 2: dados do experimento da figura 6, com V1 = 10V

Para V1 = 10V

Experimental

Simulação

Diferença (%)

Vce (V)

5,013

5

0,26

Ib (μA)

351

352,7

0,48

Ic (mA)

45,68

44,84

1,87

hfe

130,14

127,13

2,37

Tabela 3: dados do experimento da figura 6, com V1 = 15V

Para V1 = 15V

Experimental

Simulação

Diferença (%)

Vce (V)

7,33

7,5

2,26

Ib (μA)

542

558,9

3,02

Ic (mA)

68,05

67,44

0,90

hfe

125,55

120,66

4,06

Os dados da simulação estão bem próximos aos valores obtidos experimentalmente, a maior diferença percentual foi no valor de hfe, 4,06%, onde temos um ganho hfe variando de 120-130, o que corresponde ao datasheet do transistor BC547, portanto os dados obtidos são confiáveis.

Para o circuito 2 (figura 7) os dados obtidos foram organizados na tabela 4 e também no gráfico da figura 13, o qual tem forma semelhante e condizente com as curvas do datasheet do componente (figura 14) .

Tabela 4: valores para o circuito 2

Vce (V)

0,005

0,1

0,3

0,5

0,7

0,9

1

2,22

Ic (mA)

0,02

8,14

23,8

26,7

29,42

31,43

32,16

36,08

40

35

30

25

20

15

10

5

0

0 0,5 1 1,5 2 2,5
0
0,5
1
1,5
2
2,5

Figura 13: Gráfico da curva Ic x Vce. Dados da tabela 4

2,5 Figura 13: Gráfico da curva Ic x Vce. Dados da tabela 4 Figura 14: Gráficos

Figura 14: Gráficos de Ic x Vce do datasheet do transistor BC547. fonte:

Parte 2

A partir do circuito apresentado na figura 8 foram medidas as tensões e correntes

quiescentes, vide tabela 5

Tabela 5: tensões e correntes quiescentes do circuito 3

Vrc1(V)

Vre1(V)

Vrb1(V)

Vrb2(V)

Vce(V)

Ic(mA)

Ie(mA)

Ib(mA)

Irb1(mA)

Irb2(mA)

4.320

1.129

10.274

1.797

6.594

5.26

5.22

0.016

0.852

0.857

Destes valores é possível calcular a potência dissipada em cada componente. Estes valores são apresentados na tabela a seguir:

Tabela 6: cálculo e valores da potência dissipada nos componentes do circuito 3.

Tensão

(V)

Correntes

(mA)

Potência

(mW)

Vrc1

4,32

Ic

5,26

Vrc1 x Ic

22,72

Vre1

1,13

Ie

5,22

Vre1 x Ie

5,89

       

Vrb1 x

 

Vrb1

10,27

Irb1

0,85

Irb1

8,75

       

Vrb2 x

 

Vrb2

1,8

Irb2

0,86

Irb2

1,54

       

Potência

 

Vce

6,59

Ib

0,02

Total

38,91

A potência total dissipada no circuito é de 38,91mW segundo demonstrado na

tabela 6. O circuito foi simulado no software Multisim para temperaturas de junção de

40 e 27°C segundo a figura 15 e os valores apresentados na tabela 7.

Figura 15: Circuito simulado no Multisim Tabela 7: valores para o circuito das figuras 8

Figura 15: Circuito simulado no Multisim

Tabela 7: valores para o circuito das figuras 8 e 15.

 

Vrc1(V)

Vre1(V)

Vrb1(V)

Vrb2(V)

Vce(V)

Ic(mA)

Ie(mA)

Ib(mA)

Irb1(mA)

Irb2(mA)

Experimento

4,32

1,129

10,274

1,797

6,594

5,26

5,22

0,016

0,852

0,857

Simulado

                   

(27°C)

4,256

1,146

10,171

1,829

6,598

6,04

5,21

0,016

0,848

0,831

Simulado

                   

(40°C)

4,152

1,118

10,171

1,829

6,73

5,91

5,08

0,016

0,848

0,831

Diferença Simulação 40°C e 27°C (%)

2,50

2,50

0

0

1.96

2,20

2,56

0

0

0

Diferença

                   

Simulado

(27°C) e

1,5

1,48

1,01

1,75

0,1

14,82

0,19

0

0,47

3,13

Experimento

(%)

Como pode se observar na tabela acima, a diferença entre os dados experimentais e o da simulação feita a 27°C é muito pequena e portanto as análises feitas a partir dos dados experimentais são válidas. Da mesma tabela é possível verificar que a variação das correntes no transistor é mínima e portanto o projeto de polarização é bom.

Parte 3

O circuito da figura 9 foi montado e os valores das tensões e resistência dos

componentes foram obtidas e a partir desses valores calculou-se a corrente, estes dados

são apresentados na tabela 8.

Tabela 8: valores para o circuito da figura 9.

Componente

Resistencia (ohm)

Tensão(V)

Corrente(A)

Rb1

11,83 K

10,316

859,67u

Rb2

2,135K

1,816

824,55u

Rc

826,6

4,441

5,335m

Re

215,4

1,158

5,376m

Emissor*

-

1,158

5,376m

Coletor*

-

7,696

5,335m

Base*

-

1,814

Ie – Ic = 41u

Os valores das tensões Vce, Vcb e Vbe foram calculadas da seguinte maneira:

Vce = Vcc-VRc1-Vre1 = 12,145 4,441 1,158 = 6,546 V

Vcb = VRb1 VRc1 = 10,316 4,441 = 5,875 V

Vbe = VRb2 Vre1 = 1,814 1 158 = 0,656V

A partir das tensões acima calculadas e dos dados da tabela, foram obtidos os valores de α e β e algumas relações foram testadas:

β = Ic/Ib = 5,335/0,041 = 130,12

α = Ic/Ie = 5,335/5,376 = 0,992

Ie = Ic + Ib => 5,376mA = 5,335mA + 0,041mA = 5,376mA. Portanto verdadeiro.

IRb1 = IRb2 + Ib = 824,55uA + 41uA = 865,55uA ~ 859,67uA. Pequeno erro experimental, porém o erro não é grande o suficiente para desvalidar a relação ou o experimento.

α=β/(1 +β) => 0,992 = 130,12/(130,12+1)= 0,992. Portanto verdadeiro

15

O circuito da figura 9 foi montado e os sinais de entrada e saída foram capturados no osciloscópio. Uma simulação foi feita no Multisim segundo a figura 16 e os gráficos obtidos foram os seguintes:

a figura 16 e os gráficos obtidos foram os seguintes: Figura 17: Circuito simulado em Multisim.

Figura 17: Circuito simulado em Multisim.

os seguintes: Figura 17: Circuito simulado em Multisim. Figura 16: imagem do osciloscópio para o circuito

Figura 16: imagem do osciloscópio para o circuito da figura 9. Curva em verde é o sinal de entrada e a curva em amarelo o de saída.

Figura 18: gráfico obtido pela simulação feita em Multisim, o sinal de entrada é o

Figura 18: gráfico obtido pela simulação feita em Multisim, o sinal de entrada é o de menor amplitude e o de saída o de maior amplitude.

Após uma rápida observação dos gráficos verifica-se que a simulação e o as curvas experimentais são muito semelhantes em formato e amplitude. O ganho do circuito pode ser calculado pelos valores apresentados na figura 17, AV = −Vo/Vi = - (5,39-2,09) = - 2,578. O sinal de entrada e de saída possuem uma diferença de fase de 180º em relação ao sinal de entrada. Isto ocorre pois quando o a tensão na base do transistor é máxima, ele conduz mais, o que causa um aumento na tensão Rc1, e consequente queda na tensão Vo. Quando a tensão na base atinge seu mínimo o diodo conduz menos, o que causa uma diminuição na tensão Rc1, e consequente aumento na tensão Vo.

Parte 4

O circuito abaixo foi simulado no programa Circuit Lab, o sinal de saída é apresentado na figura 19.

Figura 19: Circuito simulado em Circuit Lab. Figura 20: Sinal de saída do circuito simulado

Figura 19: Circuito simulado em Circuit Lab.

Figura 19: Circuito simulado em Circuit Lab. Figura 20: Sinal de saída do circuito simulado da

Figura 20: Sinal de saída do circuito simulado da figura 18

O transistor irá funcionar como uma chave eletrônica ao se aplicar a onda quadrada na base. Quando a onda atinge o seu valor mínimo (zero volts) a corrente na base, Ib, é zero e o transistor não conduzirá corrente. Não havendo portanto corrente em R4 e a tensão de saída é igual a tensão da bateria 5V. Quando a tensão aplicada na base do transistor for máxima, o transistor conduz e a tensão de saída será igual a tensão de referência, ou seja, 0 Volts. Dessa forma a onda de saída é também quadrada, figura 20.

6.0

- Conclusão

Com esse experimento consolidou-se o conhecimento sobre os transistores e algumas de suas aplicações, verificou-se experimentalmente a sua atuação como amplificador de corrente e de pequenos sinais, além da sua atuação de chave num circuito, também foi possível por meio de simulações e comparações com os resultados experimentais observar o efeito da variação de temperatura nos transistores, além da avaliação do ganho nos diversos circuitos.

7.0 - Referências Bibliográficas

[1] Morimoto, Carlos E. (26 de junho de 2005). Transístor. Guia do Hardware.

[2] BOYLESTAD, R. L. Dispositivos Eletronicos e teoria de circuitos. 8 a Edição

[3] Behzad Razavi. Fundamentals of Microelectronics