EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP .

CARARCTERSTICAS BSICAS

I.

Marco Teorico

El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres capas semiconductoras con sus respectivos contactos llamados; colector(C), base (B) y emisor (E). La palabra bipolar se deriva del hecho que internamente existe una doble circulacin de corriente: electrones y lagunas o agujeros. A. CLASIFICACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES: Los transistores bipolares se clasifican de la siguiente manera: i. por la disposicin de sus capas: transistor PNP. Transistor NPN. ii. por el material semiconductor empleado: transistor de silicio. Transistor de germanio. iii. por la disipacin de potencia: transistor de baja potencia. Transistor de mediana potencia. Transistor de alta potencia. iv. por la frecuencia de trabajo: transistor de baja frecuencia. Transistor de alta potencia. B. POLARIZACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES: Para que un transistor bipolar funcione adecuadamente, es necesario polarizarlo correctamente. Para ellos se debe cumplir que: o o La juntura BASE - EMISOR este polarizado directamente, y La juntura COLECTOR BASE este polarizado inversamente.

Ejemplo: Si el transistor es NPN, la base debe tener un voltaje positivo con respecto al emisor y el colector debe tener un voltaje tambin positivo pero, mayor que el de la base. En el caso de un transistor PNP debe ocurrir lo contrario.

C. CODIFICACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES: Los transistores tienen un cdigo de identificacin que en algunos casos especifica la funcin que cumple y en otros casos indica su fabricacin. Pese a la diversidad de transistores, se distinguen tres grandes grupos: Europeos, Japoneses y Americanos. 1. Codificacin europea: Primera letra A : Germanio B : Silicio Segunda Letra A : Diodo (excepto los diodos tnel) B : Transistor de baja potencia D : Transistor de baja frecuencia y de potencia E : Diodo tnel de potencia F : Transistor de alta frecuencia L : Transistor de alta frecuencia y potencia P : Foto semiconductor S : Transistor para conmutacin U : Transistor para conmutacin y de potencia Y : Diodos de potencia Z : Diodo Zener Nmero de serie 100 999 : Para equipos domsticos tales como radio, TV, amplificadores, grabadoras, etc. 10 99 y la letra X, Y o Z : Para aplicaciones especiales. Ejemplo : AD149, es un transistor de potencia, de germanio y sus aplicaciones son de baja frecuencia.

2. Codificacin japonesa: Primero 0 (cero) : Foto transistor o fotodiodo 1 : Diodos 2 : Transistor Segundo S : Semiconductor Tercero A : Transistor PNP de RF (radiofrecuencia) B : Transistor PNP de AF (audiofrecuencia) C : Transistor NPN de RF D : Transistor NPN de AF F : Tiristor tipo PNPN G : Tiristor tipo NPNP Cuarto Nmero de serie : comienza a partir del nmero 11 Quinto Indica un transistor mejor que el anterior Ejemplo:

Es un transistor PNP de RF con mejores caractersticas tcnicas que el 2SA186.

3. Codificacin americana: Anteriormente los transistores americanos empezaban su codificacin con el prefijo 2N y a continuacin un nmero que indicaba la serie de fabricacin. Ejemplo 2N3055, 2N2924, etc. Actualmente, cada fbrica le antepone su propio prefijo, as se tiene por ejemplo : TI1411, ECG128, etc. que corresponden respectivamente a TEXAS INSTRUMENTS Y SYLVANIA.

II.

OBJETIVOS:
1. Verificar las condiciones de un transistor bipolar pnp 2. Comprobar las caractersticas de funcionamiento de un transistor bipolar PNP

III.

MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO

1. Un multmetro 2. Un miliamperimetro. 3. Un microamperimetro. 4. Un voltimetro de c.c.. 5. Un transistor 2N3906. 6. Un Osciloscopio. 7. Resistores : Re= 330 , Re= 1K , R1= 56K , R2= 22K 8. Condensadores: Cb= 0.1 F, Cc= 0.1 F, C e =3.3 F.

9. Una fuente de c.c. variable 10. Tres cordones AC 11. Cables conectores.(3 coaxiales ORC) 12. Un potencimetro de 1M 13. Una placa con zcalo de 3 terminales 14. Dos placas con zcalo de 2 terminales 15. Un generador de seales

IV.

PROCEDIMIENTO

1. Verificar el estado operativo del transistor usando el ohmmetro. Llenar la Tabla RESISTENCIA DIRECTA INVERSA Base emisor 420.6 7.77 M Emisor colector 300.2 92.6 K Colector -Emisor 18.7K 107.8 M 2. Armar el siguiente circuito: a) Medir las comentes que circulan por el colector (Ic) y la base(Ib). Obtener el (Pl=0) b) Medir los voltajes entre colector-emisor(Vce), entre base-emisor(Vbe), y entre emisortierra (Ve) c) Colocar los datos obtenidos en la Tabla 2. d) Cambiar R1 a 68K repetir Los pasos (a) y (b) Y anotar Los datos en la tabla 3 (por ajuste de P1)

e) Aumentar la resistencia de P1 a 100K, 250K, 500K y 1M. Observar lo que sucede con las corrientes Ic e Ib y con el voltaje Vce(Usar Re=0). Llenar la Tabla 5. 3. Ajuste el generador de seales a 50 mv.pp, 1 KHz., onda senoidal. Observar la Salida Vo con el osciloscopio. .Anotar en la Tabla 4. Valores (R1= 56K) Tericos Medidos Ic(mA) 3.2431 7.08 Ib(A) 162.156 40 20 17.7 Vce (v) 7.4525 2.66 Vbe(v) 0.3 0.331 Ve (v) 1.1237 2.393

Valores (R1= 68K) Tericos Medidos Tabla 5 5 (Q3) P1 Ic (mA) Ib(uA) Vce (v)

Ic(mA) 2.7454 6.27

Ib(A) 137.271 32.9 Vo (v.pp) 6v 250 K 1.18 6.9 10.43

20 19.05 Av 15

Vce (v) 8.5718 3.68

Vbe(v) 0.3 0.316

Ve (v) 0.9512 2.119 Av (sin Ce) 2.5

Vi (mv.pp) 400mv 100 K 3.46 15.9 7.42

Vo(sin Ce) 1v 500 K 1.05 1.6 11.52

1 M 0.13 0.2 11.82

V.

CUESTIONARIO FINAL:
1. Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificacin operativa con el Ohmimetro. La tabla de resistencia entre la base, el colector y el emisor verifica que se cumple con las especificaciones del transistor dado. 2. Representar la Recta de Carga en un grafico Ic vs. Vce del circuito del experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las Tablas 2. 3 y 5.

Vce (volt) vs. Ic (mA)

10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 0 5 Vce (volts) 10 15

Ic (mA)

Series1 Linear (Series1)

3. En que regiones de trabajo se encuentran los puntos de las Tablas 2 y 3? Se encuentra en la regin activa de trabajo ya que el colector esta polarizado inversamente y el emisor directamente. 4. Que sucedera con el punto de operacin si cambiamos R1 a 120 K? Se movera hacia abajo en comparacin a la recta o sea se ira hacia la zona de corte 5. Explicar comparativamente lo ocurrido en la Tabla 4 Se muestra un cambio en el voltaje de entrada cuando no hay un capacitor en el emisor y hace que cambie tambin el Av de una manera drstica. 6. Exponer sus conclusiones acerca del experimento. Se observa una correlacin entre el B terico con el practico pero no en las tablas de voltajes. Se muestran cambio en el Av cuando no hay capacitor en la parte del emisor. Los transistores normalmente deben respetar sus B para que as se considere su buen funcionamiento. Se muestra una resistencia parecida en la tabla 1 con las resistencias tericas.

VI.

Bibliografia http://alltransistors.com/es/transistor.php?transistor=21766 Separata del profesor Paretto http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema8/Pagin as/Pagina3.htm http://www.electronics-tutorials.ws/transistor/tran_3.html http://www.youtube.com/watch?v=ANR6UeDIVaA http://picmania.garciacuervo.net/recursos/redpictutorials/electronica_basica/transistor es_1.pdf