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Memórias Equipe: Edgleice Rodrigues Jefferson Cavalcante Halleno Prado 1
Memórias Equipe: Edgleice Rodrigues Jefferson Cavalcante Halleno Prado 1

Memórias

Equipe:

Edgleice Rodrigues Jefferson Cavalcante

Halleno Prado

Índice

Índice • Introdução; • Classificação; • Estrutura geral; • Organização; • Memória ROM; •
Índice • Introdução; • Classificação; • Estrutura geral; • Organização; • Memória ROM; •

Introdução;

Classificação;

Estrutura geral;

Organização;

Memória ROM;

Memória PROM;

Memória EPROM;

Memória EEPROM;

Memória RAM;

Introdução

Introdução • Definição de memória: Dispositivos capazes de armazenarem informações • Exemplos: Números,
Introdução • Definição de memória: Dispositivos capazes de armazenarem informações • Exemplos: Números,

Definição de memória: Dispositivos capazes de armazenarem

informações

Exemplos: Números, letras, caracteres, endereços e etc.

Introdução

Introdução • Sua utilidade no interesse de nossa área de estudo está encontra- se no emprego
Introdução • Sua utilidade no interesse de nossa área de estudo está encontra- se no emprego

Sua utilidade no interesse de nossa área de estudo está encontra-

se no emprego da informática, utilizado principalmente em computadores e seus periféricos.

São capazes de armazenarem dados para endereçamento,

programação e para construir um conjunto de programas para

permitir a funcionalidade de um certo sistema.

Como Classificamos as memórias

Como Classificamos as memórias Podem ser classificadas de inúmeras maneiras, as principais são: • Acesso; •
Como Classificamos as memórias Podem ser classificadas de inúmeras maneiras, as principais são: • Acesso; •

Podem ser classificadas de inúmeras maneiras, as principais são:

Acesso;

Volatilidade;

Troca de Dados;

Tipo de armazenamento.

Acesso

Acesso • É obtido através da localidade de memória, onde cada uma dessas localidades possuem um
Acesso • É obtido através da localidade de memória, onde cada uma dessas localidades possuem um

É obtido através da localidade de memória, onde cada uma dessas

localidades possuem um conjunto de bits ao qual denominamos de

endereço de memória.

Outro conceito importante é o tempo de acesso, ou seja o tempo que a informação é apresentada na entrada até ser processada na

saída.

Acesso

Acesso O acesso pode acontecer de duas formas: ➔ Acesso Sequencial; ➔ Acesso Aleatório; 7
Acesso O acesso pode acontecer de duas formas: ➔ Acesso Sequencial; ➔ Acesso Aleatório; 7

O acesso pode acontecer de duas formas:

Acesso Sequencial;

Acesso Aleatório;

Acesso

Acesso ➔ Acesso Sequencial: Dado um endereçamento de memória, permitimos chegar até está, somente passando por
Acesso ➔ Acesso Sequencial: Dado um endereçamento de memória, permitimos chegar até está, somente passando por

Acesso Sequencial: Dado um endereçamento de memória,

permitimos chegar até está, somente passando por todas as localidades intermediárias.

Acesso Aleatório: É acessada de forma mais rápida. Dado um endereço de memória chegamos a ela diretamente sem passar por localidades intermediárias.

Volatilidade

Volatilidade ➔ Voláteis e Não-voláteis: • Voláteis: Quando cortada a alimentação acabam perdendo as
Volatilidade ➔ Voláteis e Não-voláteis: • Voláteis: Quando cortada a alimentação acabam perdendo as

Voláteis e Não-voláteis:

Voláteis: Quando cortada a alimentação acabam perdendo as informações armazenadas(Ex: RAM);

Não-voláteis: Mesmo sem alimentação continuam armazenando a

informação(ROM, PROM e EPROM).

Troca de dados

Troca de dados Escrita e leitura ou apenas leitura; ➔ Escrita e leitura: Permitem acesso a
Troca de dados Escrita e leitura ou apenas leitura; ➔ Escrita e leitura: Permitem acesso a

Escrita e leitura ou apenas leitura;

Escrita e leitura: Permitem acesso a qualquer localidade e além

disso permite a leitura;

Leitura: A informação é fixa. São conhecidas como ROM(Read-Only

memory).

Tipos de armazenamento

Tipos de armazenamento • Estática e Dinâmicas: • Armazenamento Estático: Uma vez inserido um dado em
Tipos de armazenamento • Estática e Dinâmicas: • Armazenamento Estático: Uma vez inserido um dado em

Estática e Dinâmicas:

Armazenamento Estático: Uma vez inserido um dado em uma

localidade, está lá permanece;

Armazenamento Dinâmico: São aquelas em que necessita inserir

as informações constantemente, pois de acordo com suas

características essas informações se perdem de tempos em tempos.

Estrutura e Organização

Estrutura e Organização • Uma memória armazena ou acessa as informações através do endereçamento, em
Estrutura e Organização • Uma memória armazena ou acessa as informações através do endereçamento, em

Uma memória armazena ou acessa as informações através do

endereçamento, em lugares chamados localidades de memória.

Para o acesso as localidades:

Barra de Endereços: Responsável pelo endereçamento;

Barra de Dados: Entrada e saída de dados.

Barra de Controle;

Estrutura e Organização

Estrutura e Organização 13
Estrutura e Organização 13
Estrutura e Organização 13

Estrutura e Organização

Estrutura e Organização Onde: Nxm; „N‟: Número de localidades da memória; „m‟: Número de bits da
Estrutura e Organização Onde: Nxm; „N‟: Número de localidades da memória; „m‟: Número de bits da

Onde:

Nxm;

„N‟: Número de localidades da memória;

„m‟: Número de bits da informação;

m

e Organização Onde: Nxm; „N‟: Número de localidades da memória; „m‟: Número de bits da informação;

N

e Organização Onde: Nxm; „N‟: Número de localidades da memória; „m‟: Número de bits da informação;

Estrutura e Organização

Estrutura e Organização • Memórias usuais na prática: ➔ 32x8; ➔ 128x8; ➔ 1Kx4; ➔ 64Kx8;
Estrutura e Organização • Memórias usuais na prática: ➔ 32x8; ➔ 128x8; ➔ 1Kx4; ➔ 64Kx8;

Memórias usuais na prática:

32x8;

128x8;

1Kx4;

64Kx8;

2Mx16.

Estrutura e Organização • Memórias usuais na prática: ➔ 32x8; ➔ 128x8; ➔ 1Kx4; ➔ 64Kx8;

Estrutura e Organização

Estrutura e Organização • Capacidade de memória: Número total de bits que pode ser armazenado em
Estrutura e Organização • Capacidade de memória: Número total de bits que pode ser armazenado em

Capacidade de memória: Número total de bits que pode ser

armazenado em uma memória;

Palavra de Endereço: Conjunto de níveis lógicos para o

endereçamento de dados;

Memória ROM

Memória ROM ROM: Read Only Memory 17
Memória ROM ROM: Read Only Memory 17
Memória ROM ROM: Read Only Memory 17
Memória ROM ROM: Read Only Memory 17

ROM: Read Only Memory

Características

Características • Somente Leitura • Acesso Aleatório • Não Volátil • Circuito Combinacional 18
Características • Somente Leitura • Acesso Aleatório • Não Volátil • Circuito Combinacional 18

Somente Leitura

Acesso Aleatório

Não Volátil

Circuito Combinacional

Aplicações

Aplicações • Sistemas programas microprocessados: armazenamento de • Transferência de dados e armazenamento: pen
Aplicações • Sistemas programas microprocessados: armazenamento de • Transferência de dados e armazenamento: pen

Sistemas

programas

microprocessados:

armazenamento

de

Transferência de dados e armazenamento: pen drives,

MP3 Players, cartões de memória etc.

Memórias bootstrap: BIOS de PCs

Tabela de dados

pen drives, MP3 Players, cartões de memória etc. • Memórias bootstrap: BIOS de PCs • Tabela

Startup

Arquitetura Interna

Arquitetura Interna 20
Arquitetura Interna 20
Arquitetura Interna 20

Arquitetura Interna

Arquitetura Interna • Decodificador de endereços: gerador de produtos canônicos (Ex.: 00001000) 21
Arquitetura Interna • Decodificador de endereços: gerador de produtos canônicos (Ex.: 00001000) 21

Decodificador de endereços: gerador de produtos

canônicos (Ex.: 00001000)

Arquitetura Interna • Decodificador de endereços: gerador de produtos canônicos (Ex.: 00001000) 21

Arquitetura Interna

Arquitetura Interna • Ex: Decodificador para 8 saídas A2 A1 A0 d7 d6 d5 d4 d3
Arquitetura Interna • Ex: Decodificador para 8 saídas A2 A1 A0 d7 d6 d5 d4 d3

Ex: Decodificador para 8 saídas

A2

A1

A0

d7

d6

d5

d4

d3

d2

d1

d0

0

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0

Arquitetura Interna

Arquitetura Interna • Ex: Decodificador para 8 saídas 23
Arquitetura Interna • Ex: Decodificador para 8 saídas 23

Ex: Decodificador para 8 saídas

Arquitetura Interna • Ex: Decodificador para 8 saídas 23
Arquitetura Interna • Ex: Decodificador para 8 saídas 23

Arquitetura Interna

Arquitetura Interna • Matriz de dados: arranjo de linhas e colunas que, através de um elo
Arquitetura Interna • Matriz de dados: arranjo de linhas e colunas que, através de um elo

Matriz de dados: arranjo de linhas e colunas que,

através de um elo de ligação, permite a gravação e

leitura de dados na memória. Na prática, esses elos são diodos ou transistores.

de ligação, permite a gravação e leitura de dados na memória. Na prática, esses elos são

Arquitetura Interna

Arquitetura Interna • Chaves de saída: conjunto de chaves (buffers tri-state) que controlam o acesso da
Arquitetura Interna • Chaves de saída: conjunto de chaves (buffers tri-state) que controlam o acesso da

Chaves de saída: conjunto de chaves (buffers tri-state)

que controlam o acesso da barra de dados às saídas

• Chaves de saída: conjunto de chaves (buffers tri-state) que controlam o acesso da barra de

Memórias ROM Programáveis

Memórias ROM Programáveis As memórias ROM são fabricadas geralmente • com programação fixa; • sob encomenda
Memórias ROM Programáveis As memórias ROM são fabricadas geralmente • com programação fixa; • sob encomenda

As memórias ROM são fabricadas geralmente

com programação fixa;

sob encomenda ;

em grandes quantidades.

Para possibilitar a utilização por parte de pequenos usuários, criaram-se as memórias ROM programáveis:

PROM, EPROM, EEPROM, FLASH.

Memória PROM

Memória PROM • PROM: Programable ROM   • Permite uma única programação, que é
Memória PROM • PROM: Programable ROM   • Permite uma única programação, que é

PROM: Programable ROM

 

Permite

uma

única

programação,

que

é

definitiva

Após esta programação torna-se uma memória ROM

Princípio de programação: destruição das

ligações semicondutoras das localidades de

memória, a partir da aplicação de uma tensão

recomendada pelo fabricante

Memória EPROM

Memória EPROM • EPROM: Erasable Programable ROM • Permite apagada uma programação que pode ser •
Memória EPROM • EPROM: Erasable Programable ROM • Permite apagada uma programação que pode ser •

EPROM: Erasable Programable ROM

Permite

apagada

uma

programação

que

pode

ser

Dividem-se em dois tipos:

UVEPROM: memórias EPROM convencionais que podem ser apagados com banho de luz ultra-violeta

EEPROM: tipo especial de memória EPROM

que pode ser apagado eletricamente

Memória EPROM

Memória EPROM Bloco de uma memória EPROM 29
Memória EPROM Bloco de uma memória EPROM 29
Memória EPROM Bloco de uma memória EPROM 29

Bloco de uma memória

EPROM

Memória EPROM (Apagamento)

Memória EPROM (Apagamento) • Transistor MOSFET • Tensão de 12V • Apagamento através da
Memória EPROM (Apagamento) • Transistor MOSFET • Tensão de 12V • Apagamento através da

Transistor

MOSFET

Tensão de

12V

Apagamento através da

Janela de

Quartzo

Memória EEPROM

Memória EEPROM • EPROM: ROM Electrically Erasable Programable • Tipo especial de memória EPROM, que permite
Memória EEPROM • EPROM: ROM Electrically Erasable Programable • Tipo especial de memória EPROM, que permite

EPROM:

ROM

Electrically

Erasable

Programable

Tipo especial de memória EPROM, que permite o apagamento parcial dos dados (byte a byte)

Memória EEPROM

Memória EEPROM Bloco de uma memória EPROM • Asemelha-se à memória EPROM, entretanto possui um terminal

Bloco de uma

memória EPROM

Asemelha-se à memória EPROM, entretanto

possui um terminal habilitador da escrita WE

OBS: controvérsia em relação a ser ou não

memória ROM

Memória EEPROM (Apagamento)

Memória EEPROM (Apagamento) • Aplicação de uma tensão inversa à de gravação • Apagamento demorado: célula
Memória EEPROM (Apagamento) • Aplicação de uma tensão inversa à de gravação • Apagamento demorado: célula

Aplicação de uma tensão inversa à de gravação

Apagamento demorado: célula a célula

Memória Flash

Memória Flash • Pode ser vista como um tipo de memória EEPROM • São mais rápidas
Memória Flash • Pode ser vista como um tipo de memória EEPROM • São mais rápidas

Pode ser vista

como um tipo de memória

EEPROM

São mais rápidas e apresentam menor custo que as memórias EEPROM

Podem

armazenar

um

volume

elevado

de

dados

e apresentam menor custo que as memórias EEPROM • Podem armazenar um volume elevado de dados

Comparativo entre memórias ROM

Comparativo entre memórias ROM 35
Comparativo entre memórias ROM 35
Comparativo entre memórias ROM 35
Comparativo entre memórias ROM 35
Memórias RAM RAM: Random Acess Memory
Memórias RAM
RAM: Random Acess Memory

Memórias RAM

Memórias RAM • Permitem leitura e escrita de dados; • Possuem acesso aleatório: Dado o endereçamento
Memórias RAM • Permitem leitura e escrita de dados; • Possuem acesso aleatório: Dado o endereçamento

Permitem leitura e escrita de dados;

Possuem acesso aleatório: Dado o endereçamento da localidade,

será dada a leitura/escrita diretamente, sem ter que passar nas

localidades intermediárias;

Voláteis: Perdem os dados armazenados, quando a alimentação é cortada;

Tipos

Tipos Com relação ao armazenamentos de dados, são diferenciadas em três tipos, estática, dinâmica e
Tipos Com relação ao armazenamentos de dados, são diferenciadas em três tipos, estática, dinâmica e

Com relação ao armazenamentos de dados, são diferenciadas

em três tipos, estática, dinâmica e magneto-resistivas.

Estáticas (SRAM): Utilizando como elemento básica de memória os flips-flops. Esse tipo é muito mais rápido que as memórias DRAM, porém armazena menos dados e possui preço elevado se considerarmos o custo por megabyte. Memórias SRAM costumam

ser utilizadas como cache.

Tipos

Tipos • Dinâmicas (DRAM): Possuem circuitos mais simples, porém, necessitam de reinserção de dados periodicamente
Tipos • Dinâmicas (DRAM): Possuem circuitos mais simples, porém, necessitam de reinserção de dados periodicamente

Dinâmicas (DRAM): Possuem circuitos mais simples, porém,

necessitam de reinserção de dados periodicamente em ciclos

(refresh), sendo essa operação controlada pelo microprocessador do sistema. Armazena os dados por efeito capacitivo (elemento básico), por este motivo, apresenta a vantagem de alta capacidade de armazenamento de dados por circuito integrado.

Memórias desse tipo possuem capacidade alta, isto é, podem

comportar grandes quantidades de dados. No entanto, o acesso a

essas informações costuma ser mais lento que o acesso às

memórias estáticas. Esse tipo também costuma ter preço bem menor quando comparado ao tipo estático.

Tipos

Tipos • MRAM : A memória MRAM vem sendo estudada há tempos, mas somente nos últimos
Tipos • MRAM : A memória MRAM vem sendo estudada há tempos, mas somente nos últimos

MRAM : A memória MRAM vem sendo estudada há tempos, mas

somente nos últimos anos é que as primeiras unidades surgiram.

Trata-se de um tipo de memória até certo ponto semelhante à DRAM, mas que utiliza células magnéticas. Graças a isso, essas memórias consomem menor quantidade de energia, são mais rápidas e armazenam dados por um longo tempo, mesmo na

ausência de energia elétrica. O problema das memórias MRAM é

que elas armazenam pouca quantidade de dados e são muito

caras, portanto, pouco provavelmente serão adotadas em larga

escala.

Funcionamento

Funcionamento Funcionamento SRAM: figura mostra uma célula básica de uma SRAM, que permite a leitura e
Funcionamento Funcionamento SRAM: figura mostra uma célula básica de uma SRAM, que permite a leitura e

Funcionamento SRAM:

figura mostra

uma célula básica de

uma SRAM, que permite

a leitura e escrita de dados. Colocando ALTO no terminal SEL,

passaremos o controle

de escrita ou leitura para

o terminal R/W‟. Quando

o terminai SEL recebe

ALTO e R/W‟ recebe

BAIXO, o terminal D está configurado como

escrita.

A

R/W‟ . Quando o terminai SEL recebe ALTO e R/W‟ recebe BAIXO, o terminal D está

Funcionamento

Funcionamento Funcionamento SRAM Com o terminal D configurado como escrita, apliquemos nível ALTO, como mostrado. porta
Funcionamento Funcionamento SRAM Com o terminal D configurado como escrita, apliquemos nível ALTO, como mostrado. porta

Funcionamento SRAM

Com o terminal D

configurado como

escrita, apliquemos nível

ALTO, como mostrado.

porta

NAND

superior, irá passar nível

ativando as

chaves. Isso

que o dado aplicado em

D, passe para o FF, que

A

BAIXO,

faz

com

irá

Enquanto a chave da

estará

a

dado

posterior.

escrita de um

aberta, permitindo

saída do FF,

armazena-lo.

faz com irá Enquanto a chave da estará a dado posterior. escrita de um aberta, permitindo

Funcionamento

Funcionamento Funcionamento SRAM: os terminais R/W‟ e SEL em nível ALTO, teremos o terminal D em
Funcionamento Funcionamento SRAM: os terminais R/W‟ e SEL em nível ALTO, teremos o terminal D em

Funcionamento SRAM:

os

terminais R/W‟ e SEL em nível ALTO, teremos o

terminal D em modo de

Colocando

leitura.

NAND

superior, irá abrir os

buffers na entrada do FF,

não permitindo inclusão de dado no FF.

porta

NAND

inferior, fechar o buffer na

A

porta

A

saída

do

FF,

isso

permitirá

a

leitura

do

dado no FF pelo terminal

D.

o buffer na A porta A saída do FF, isso permitirá a leitura do dado no

Funcionamento

Funcionamento Funcionamento SRAM: Para o caso na qual o terminal SEL receberá BAIXO, é denominado tri-state.
Funcionamento Funcionamento SRAM: Para o caso na qual o terminal SEL receberá BAIXO, é denominado tri-state.

Funcionamento SRAM:

Para o caso na qual

o terminal SEL receberá

BAIXO, é denominado

tri-state. Esse estado mantém as três chaves abertas, não permitindo qualquer leitura ou

escrita de dados.

tri-state. Esse estado mantém as três chaves abertas, não permitindo qualquer leitura ou escrita de dados.

Arquitetura Interna

Arquitetura Interna Arquitetura interna das memórias RAM.   O endereçamento é feito pelos
Arquitetura Interna Arquitetura interna das memórias RAM.   O endereçamento é feito pelos

Arquitetura interna das

memórias RAM.

 

O

endereçamento

é

feito

pelos

terminais

A0

e

A1.

As

chaves

seletoras

(SEL)

das

células

 

estão

interligadas

 

na

horizontal.

E

a

chave

CS‟

é

o

terminal

habilitador do CI.

interligadas   na horizontal. E a chave CS‟ é o terminal habilitador do CI. 45

Arquitetura interna

Arquitetura interna 46
Arquitetura interna 46
Arquitetura interna 46

Expansão da capacidade

Expansão da capacidade Em certas aplicações é comum necessitarmos de memórias de maior capacidade das encontradas
Expansão da capacidade Em certas aplicações é comum necessitarmos de memórias de maior capacidade das encontradas

Em certas aplicações é comum necessitarmos de memórias

de maior capacidade das encontradas no mercado, veremos como

aumentar sua capacidade.

A expansão pode ser obtida através pela “palavra de dados”, aumento das localidades, ou, por ambos.

Para começarmos a analise, mostraremos a seguir, um exemplo da expansão através da palavra de dados de uma memória de 256x8, que utiliza duas de 256x4.

Expansão da capacidade

Expansão da capacidade Expansão da capacidade da memória RAM Como exemplo, tomemos o endereçamento 00111110,
Expansão da capacidade Expansão da capacidade da memória RAM Como exemplo, tomemos o endereçamento 00111110,

Expansão da capacidade da

memória RAM

Como

exemplo,

tomemos

o

endereçamento 00111110, e passemos

o dado 00101000. Primeiramente

passemos R/W‟ e CS‟

BAIXO,

passemos os o

endereço e os dados

para suas respectivas

barras se sinal.

depois,

passemos R/W‟ e CS‟ BAIXO, passemos os o endereço e os dados para suas respectivas barras

Expansão da capacidade

Expansão da capacidade

da memória RAM

armazenamento

de

expandida será feito em

na

O

dados

memória

duas

partes,

 

sendo

a

MAIS

significativa

na

RAM

1

e

a

MENOS

significativa na RAM 2,

isso,

como

o

endereçamento

simultâneo

as

duas

localidades.

a MENOS significativa na RAM 2, isso, como o endereçamento simultâneo as duas localidades. 49

Expansão da capacidade

Expansão da capacidade Como já dissemos, uma outra forma de expansão de memória é com o
Expansão da capacidade Como já dissemos, uma outra forma de expansão de memória é com o

Como já dissemos, uma outra forma de expansão de memória

é com o aumento das localidades de memória.

Para exemplificar, vamos formar uma memória RAM 128x4, utilizando blocos de estrutura 32x4. Para funcionar na forma 128x4, teremos que utilizar quatro blocos 32x4, sendo o endereçamento feito por 7 terminais (2^7 =

128).

Utilizaremos os cinco terminais dos blocos interligados, e,

usaremos

também,

mais

dois

terminares

auxiliares

ligado

ao

terminal CS‟ por um circuito lógico apropriado.

Expansão da capacidade

Expansão da capacidade Expansão da capacidade da memória RAM   O endereçamento será dado pelos

Expansão da capacidade

da memória RAM

 

O

endereçamento

será

dado

pelos

terminais

A0,

A1,

A2,

A3,

A4

que

estão

interligados, e por dois

terminais auxiliares que

estão ligados as portas

NAND,

estes,

responsáveis

para

efetuar

a

seleção

parcial.

Expansão da capacidade

Expansão da capacidade Expansão da capacidade da memória RAM Para exemplificar, endereçaremos a seguinte a localidade

Expansão da capacidade da

memória RAM Para exemplificar,

endereçaremos a seguinte a

localidade 0100000. Com esse endereçamento,

teremos selecionado a RAM

2, pois, a porta NAND

respectiva da RAM 2 irá

apresentar nível BAIXO em

sua saída, pois, ela depende

de A6 = 0 e A5 = 1, com essa codificação, as outras

RAMs, são desativadas. A

RAM 2 vai até 0111111.

Expansão da capacidade

Expansão da capacidade Expansão da capacidade da memória RAM Para mostrar toda a estrutura endereçamento desta
Expansão da capacidade Expansão da capacidade da memória RAM Para mostrar toda a estrutura endereçamento desta

Expansão da capacidade da memória RAM Para mostrar toda a

estrutura

endereçamento desta memória, a tabela ao

lado mostra as palavras de endereço inicial e

final de cada RAM.

endereçamento desta memória, a tabela ao lado mostra as palavras de endereço inicial e final de

de

Expansão da capacidade

Expansão da capacidade Expansão da capacidade da memória RAM Outra possibilidade de expansão de memória,
Expansão da capacidade Expansão da capacidade da memória RAM Outra possibilidade de expansão de memória,

Expansão da capacidade da

memória RAM

da capacidade Expansão da capacidade da memória RAM Outra possibilidade de expansão de memória,

Outra

possibilidade

de

expansão

de

memória,

consiste

na

ampliação

das palavras de dados e

simultânea

nas

localidades.

Este

processo

consiste

na

fusão

dos

dois

processos

anteriormente.

mostrados

Exemplificaremos, montando um sistema

256x8, utilizando 128x4,

como mostrado ao lado.

Expansão da capacidade

Expansão da capacidade Expansão da capacidade da memória RAM Para as localidades, teremos, 8 terminais de
Expansão da capacidade Expansão da capacidade da memória RAM Para as localidades, teremos, 8 terminais de

Expansão da capacidade da

memória RAM Para as localidades,

teremos, 8 terminais de

endereçamento (2^8 =

256) e também, 8 terminais de dados.

7

terminais de cada bloco, e mais 1 terminal auxiliar ligado ao circuito

seletivo.

Para aumentar

liga-se o sistema em

série, como mostrado na

figura ao lado.

Usaremos

os

ligado ao circuito seletivo. Para aumentar liga-se o sistema em série, como mostrado na figura ao
Exercício Proposto Dê o mapa de memória da expansão mostrada ao lado. 56
Exercício Proposto Dê o mapa de memória da expansão mostrada ao lado. 56

Exercício Proposto

Dê o mapa de memória da expansão mostrada ao lado.

Exercício Proposto Dê o mapa de memória da expansão mostrada ao lado. 56
Obrigado pela atenção! 57
Obrigado pela atenção! 57

Obrigado

pela

atenção!