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DISCIPLINA DE CINCIA E TECNOLOGIA DOS MATERIAIS COMUNICAES MVEIS

PROFESSORA ELISE SARAIVA CURSO DE ENGENHARIA ELETRNICA E DE TELECOMUNICAES

FELIPE AUGUSTO M. CORRA GUSTAVO ALBERNAZ FERREIRA RODRIGO MAGALHES RIBEIRO

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OUTUBRO / 2012

SUMRIO
INTRODUO.......................................................................................................... 3 OBJETIVOS.............................................................................................................. 3 MTODOS E MATERIAIS.......................................................................................... 4 DISCUSSO E RESULTADOS................................................................................... 4 A Origem das Comunicaes Mveis......................................................................5 Padre Roberto Landell de Moura............................................................................ 6 1904 - Patente das vlvulas de transmisso por John Ambrose Fleming................8 Advento do rdio.................................................................................................. 13 Os componentes eletrnicos................................................................................16 Circuitos eltricos e o desenvolvimento da eletrnica.........................................20 Aperfeioamento do radio.................................................................................... 24 1G......................................................................................................................... 24 Telefonia sem fio.................................................................................................. 24 A inveno do Transistor...................................................................................... 25 A integrao dos componentes em um circuito....................................................27 Satlites artificiais................................................................................................ 28 Dispositivos de Montagem Superficial..................................................................30 Sistema de Comunicao ptica..........................................................................31 Sistemas 2G......................................................................................................... 32 Sistemas 3G......................................................................................................... 36 Sistemas 4G......................................................................................................... 37 CONCLUSO......................................................................................................... 39 REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS............................................................................40

INTRODUO
No ltimo sculo, verificou-se um enorme crescimento e desenvolvimento por parte de todos os sistemas de comunicao mvel. Da criao do telefone de Graham Bell, passando pelo telgrafo sem fio de Marconi, da inveno de transistores, circuitos integrados e fibras pticas, sem esquecer as descobertas de transmisses mveis via satlites e rdios, ao recente desenvolvimento de redes de internet e celulares 4G, tudo isso contribuiu e muito para a formao dos seres humanos que somos hoje. As comunicaes mveis causaram e ainda causam um grande impacto em nossas vidas, nos mais diversos aspectos, cultural, social e pessoal. Elas modificaram a forma como as pessoas se relacionam, tornando o mundo mais dinmico. Sem as comunicaes mveis dificilmente teramos sistemas de transmisso de dados, sistemas de GPS e SMS, ou mesmo a robtica ou um ordinrio controle remoto, entre outros dispositivos. A proposta deste relatrio consiste em conduzir o leitor, de forma sequencial, atravs do surgimento das diferentes tecnologias de comunicaes mveis, bem como seus componentes eletrnicos, sempre no mbito de Cincia e Tecnologia dos Materiais.

OBJETIVOS
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Ampliar nosso conhecimento acerca dos diferentes tipos de materiais condutores, isolantes, semicondutores e magnticos, adquiridos nas aulas da disciplina de Cincia e Tecnologia dos Materiais;

Demonstrar a evoluo dos componentes eletrnicos ao longo dos anos.

MTODOS E MATERIAIS
O presente trabalho foi desenvolvido inteiramente tendo como base as aulas da disciplina de Cincia e Tecnologia dos Materiais, ministradas pela professora Elise Saraiva no 3 perodo do curso de Engenharia Eletrnica e de Telecomunicaes da Universidade Federal de Uberlndia. Como material de apoio, foram utilizados livros, artigos e pginas da internet, como pode ser observado mais adiante, na seo Referncias Bibliogrficas.

DISCUSSO E RESULTADOS

A Origem das Comunicaes Mveis


Para falar de comunicaes mveis, devemos nos reportar ao ano de 1860, quando o matemtico escocs James Clerk Maxwell produziu algumas equaes cujas solues prediziam, entre outras coisas, a propagao de ondas eletromagnticas na velocidade da luz. Tal fato, comprovado em laboratrio por Heinrich Hertz 20 anos depois, possibilitou a Gugliermo Marconi, em 1894, construir o primeiro telgrafo sem fio. Apenas cinco anos mais tarde que Marconi conseguiu realizar as primeiras transmisses mveis de rdio de Needles, na Ilha de Wight, para um navio a 18 milhas da costa, tornando-se o primeiro a conseguir tal faanha na histria da humanidade. Para realizar as transmisses, Marconi utilizava uma espcie de bobina de Ruhmkorff, um gerador de centelha e antenas. A bobina de Ruhmkorff, posteriormente chamada de bobina de induo, consistia-se de um ncleo de ferro recozido envolto por espiras de cobre envernizadas.

Figura 1: Esquema da bobina de Ruhmkorff

Alimentada por uma simples bateria de duas a quatro pilhas, era comumente usada para produzir baixa intensidade de corrente sob elevada tenso. Os sinais eram recebidos atravs de uma antena, ligada a um equipamento conhecido como coesor, um tubo no qual partculas metlicas eram aderidas a outras pela presena do sinal de rdio. A reduo da resistncia do coesor neste estado permitiu ser detectado o sinal de rdio, aps o qual um transmissor telegrfico mecnico retornava as partculas para seu estado original.

Figura 2: Esquemtico mostrando do principio de transmisso e recepo das ondas eletromagnticas a longa distncia. A) manipulador telegrfico. B) bobina de induo e fagulhador. C) coesor. D) receptor telegrfico. E) fone.

Algum tempo depois, j era possvel realizar radio transmisses de longas distncias, o que culminou na primeira grande utilizao das transmisses mveis na poca: as navegaes. Em 1912, graas a dois radio-telgrafos, foi possvel salvar quase 700 pessoas no naufrgio do transatlntico Titanic.

Padre Roberto Landell de Moura


Apesar de no ser reconhecido oficialmente, Padre Roberto Landell de Moura foi, para muitos, o homem que revolucionou o conceito de comunicaes mveis. Nascido em Porto Alegre, no ano de 1861, Landell dedicou sua vida aos estudos da Qumica e da Fsica, alm, claro, de sua carreira eclesistica. Em 1894, anos antes de Gugliermo Marconi iniciar seus testes na Itlia, Padre Landell realizou publicamente, na cidade de So Paulo, a primeira transmisso de voz atravs de ondas hertzianas da histria, numa distncia aproximada de 8 quilmetros. Mesmo perseguido pela Igreja Catlica, que o acusava de pactuar-se com o demnio, Landell seguiu para os Estados Unidos, onde conseguiu registrar patentes de trs equipamentos de sua autoria: o telefone sem fio, o telgrafo sem fio e o transmissor de ondas.
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Ainda em solo norte-americano, projetou tambm a transmisso de imagem por ondas eletromagnticas, dando o nome de Telephotorama ao que hoje chamamos de televiso. Sem apoio financeiro do governo brasileiro, Padre Landell deixa de lado seus estudos cientficos e passa a se dedicar exclusivamente religio.

Figura 3: Patente 771.917 (folha 1) Transmissor de Ondas (1904)

1904 - Patente das vlvulas de transmisso por John Ambrose Fleming


Os detectores existentes na poca como o coesor de Branly, o detector magntico de Marconi, o detector eletroltico de Ferri e at mesmo os detectores de cristal de galena e outros, tinham pouca sensibilidade e proporcionavam resultados bastante precrios. A vlvula diodo de Fleming como detectora era de um desempenho sensivelmente superior, tornando possvel a recepo a maior distncia para as emisses radiotelegrficas da poca, para a mesma energia irradiada. O diodo de Fleming foi construdo a partir dos experimentos de Thomas Alva Edison e de um fenmeno observado e denominado por ele como Efeito Edson. Thomas Edison fazia experimentos com diversos tipos de filamentos para obteno de uma lmpada eltrica incandescente. Em um dos seus experimentos utilizando um filamento de carvo dentro de uma ampola de vidro, na qual era produzido vcuo, ele constatou que depois de algumas horas ligada, a lmpada apresentava um certo enegrecimento em sua ampola de vidro. Estudando o fenmeno, concluiu que partculas de carvo se desprendiam do filamento em direo ampola, causando enegrecimento. Em uma das tentativas de resolver o problema, colocou dentro da lmpada e em paralelo com o filamento, um segundo elemento que consistia em um simples fio metlico. A inteno era que este novo elemento retivesse as partculas de carvo, evitando assim que atingissem a ampola. Conectando este fio a uma tenso positiva, notava-se uma deflexo no galvanmetro conectado em srie, indicando uma passagem de corrente entre este novo elemento e o filamento da lmpada. Confirmou-se ento a suposio de que o novo elemento solucionaria a questo do enegrecimento. Concluiu ento Edison que a corrente que circulava entre o filamento metlico (que hoje chamamos de placa) no circulava atravs do vcuo, mas sim atravs das partculas de carvo emitidas pelo filamento. Observou tambm que ao aplicar uma tenso negativa ao novo elemento, o galvanmetro nada indicava, concluindo, pois que a corrente circulava em um nico sentido. Embora no o tenha conseguido explicar convenientemente, batizou a nova descoberta como Efeito Edson, fato este levado a pblico em 1883 [1].

Figura 04: Ilustrao da lmpada de Edison, onde ele observou o efeito.

O Efeito Edson permaneceu esquecido por algum tempo at que mais tarde Fleming descobriu que este fenmeno podia ser usado na deteco de ondas Hertzianas. O dispositivo de Fleming consistia em envolver o filamento de uma lmpada eltrica pro uma placa cilndrica; a este conjunto denominou-se vlvula, uma vez que podia controlar o fluxo de corrente semelhante a um registro num circuito hidrulico. A vlvula de Fleming ou diodo como foi denominada mais tarde, ainda no tinha condies de amplificar os sinais detectados pela antena e sim de retific-los.

Figura 05: Ilustrao da vlvula de Fleming.

Por volta de 1907, o inventor americano Lee Deforest anunciou a mais importante conquista para as radiocomunicaes de que se tem notcia at o advento do transistor: a vlvula triodo, chamada por ele de AUDION. O triodo constitudo basicamente com a introduo de um elemento de controle ou grade de controle (espiral de fio que envolve o catodo e naturalmente sem contato fsico com o mesmo) entre o catodo e a placa.
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Na amplificao com triodo, se aplica na grade uma alta tenso CC a qual no consome corrente aprecivel. Os eltrons atrados pela placa dependem agora do efeito combinado das polaridades da grade e da placa. Quando esta ltima positiva, a tenso da grade se torna progressivamente mais negativa e, portanto, a placa se mostra menos receptiva em atrair eltrons; assim, a corrente de placa diminui. Entretanto, a medida que a grade se torna menos negativa, aplaca atrai rapidamente os eltrons, aumentando a corrente andina. Por conseguinte, quando a tenso de grade varia de acordo com um sinal, a corrente de placa tambm varia com o mesmo. Como uma pequena tenso aplicada grade capaz de controlar uma corrente de placa comparativamente elevada, o sinal ento amplificado pela vlvula [2].

Figura 06: Ilustrao de um triodo.

A figura 07 mostra o esquema simples de polarizao do triodo. A grade polarizada com um potencial negativo Eg e a placa alimentada com um potencial E p e, nessa condio, h a correspondente corrente de placa Ip. Se a polarizao da grade mantida negativa, no h corrente circulando por ela. Isso faz da vlvula um amplificador de altssima impedncia, ao contrrio da maioria dos transistores. Em alguns casos a caracterstica vantajosa, mas em outros no, devido maior sensibilidade a interferncias [3].

Figura 07: Esquema de polarizao do triodo.

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Normalmente utiliza-se para fabricar um triodo: vidro (no bulbo e nas hastes de suporte dos elementos internos), tungstnio trefilado puro ou tntalo, tungstnio-toriado e nquel puro ou liga de nquel (filamento do catodo), xidos (de brio e terras raras) reduzidos (revestimento do catodo). O catodo parte essencial da vlvula terminica, pois fornece os eltrons necessrios ao seu funcionamento. Quando lhe aplicado o calor como forma de energia ocorre a emisso de eltrons. O mtodo de aquecimento do catodo serve para caracterizar as suas duas formas, ou seja, o catodo por aquecimento direto, ou filamento-catodo consistindo de um fio condutor aquecido pela passagem da corrente eltrica; o catodo por aquecimento indireto, isto , o catodo-calefador, aquecido por radiao ou conduo onde o filamento introduzido num pequeno cilindro metlico cuja superfcie externa revestida por um material adequado para produzir a emisso de eltrons [3]. A tabela 01 mostra as caractersticas dos catodos de acordo com o material emissor de eltrons e abaixo as figuras relacionadas.
FORMA MATERIAL EMISSOR DE - Boa estabilidade na emisso de eltrons Filamento catodo - O metal sendo puro outras vlvula evita partes a de da contaminao - Baixa eficincia na emisso de eltrons. Requer uma aprimorada montagem mecnica por trabalhar em temperaturas elevadas, acima de 1700 Filamento catodo Tungstnio-toriado Eficincia aquela na do C, brancoa O um fio metlico tratamento brilhante. - Relativo nvel de contaminao condies pode partes A da o uma trio outras vlvula, dos da vez que em certas ativar - Uma das formas mais antigas de catodo. Por requerer drenagem mnima de corrente so usados em vlvulas alimentadas por baterias. (Fig 8.a) ELTRONS Tungstnio trefilado puro ou tntalo. VANTAGENS DESVANTAGENS OBS.

emisso de eltrons entre catodo de tungstnio puro e com camada. Menor temperatura de vivo. aquecimento 1700 C amarelo

tungstnio submetido especial, com xido de trio, o qual ento, reduzido a trio puro, formando uma camada mono molecular do na superfcie metal

como a grade. emisso eltrons depende da conformao camada de trio.

base. (Fig. 8.b)

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Catodo revestido

filamento

Nquel puro ou liga de nquel

- Menor temperatura de aquecimento entre 700 750C vermelho tnue. - Maior eficincia na emisso de eltrons no vcuo podendo atingir 100 mA/W

Tende

gerar

No

catodo por

por um

grande quantidade de gs. outras vlvula. Pode partes gerar de da contaminao

aquecimento indireto formado cilindro revestido com xidos de terras raras, em cujo interior existe um filamento de tungstnio ou liga de tungstnio-molibdnio. O cilindro aquecido por conduo e pelo a radiao Originalmente

filamento. (Fig. 8.c) platina foi usada como metal base. - Carbonatos de clcio, brio ou estrncio so reduzidos durante o processo de rarefao e a xidos e metal puro formando uma espessa camada sobre o metal base. (Fig. 8.d)

Tabela 01: Caractersticas dos catodos de acordo com o material emissor de eltrons. Fonte: Fazano, Carlos Alberto T. V.. A Idade do Eltron, 2012. Disponvel em <www.fazano.pro.br>. Acesso em: 02 ago. 2012.

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Figura 08: Ilustrao dos catodos citados na tabela 01. (a) catodo de fase mltipla em tungstnio puro, (b) catodo de tungstnio-toriado, (c) catodo aquecido indiretamente, (d) catodo com filamentos revestido com xidos provido com blindagem.

Advento do rdio
Tanto o receptor a cristal, como o de uma s vlvula no eram muito sensveis para a deteco de sinais emitidos de longa distncia. Desta maneira, logo surgiram no mercado os receptores de mltiplos estgios, usando de vrios circuitos amplificadores com rdio
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frequncia sintonizada, conhecido como receptores RFS ou com rdio frequncia sintonizada. Apesar da sua melhor sensibilidade para detectar ondas de rdio, ainda apresentavam certas desvantagens principalmente quando do processo de sintonia de faixas de frequncia originando chiados indesejveis [2]. Em 1912, Edwin Howard Armstrong inventou um novo tipo de circuito denominado de circuito regenerativo ou de alimentao, no qual o Audion de DeForest revelou-se como um poderoso amplificador como, tambm, de um gerador de ondas eletromagnticas. Os circuitos RFS e regenerativos foram um grande avano na topologia de circuitos do receptor de rdio, geralmente operando na sintonia de frequncias baixas. Com o aumento das estaes de rdio transmissoras, operando em frequncias acima de 10 Mhz, estes aparelhos no tinham condies de capt-las e sintoniz-las com preciso. No final da dcada de 1910, novamente Armstrong inventa um novo circuito agora denominado de superheterodino o qual era muito mais sensvel que os anteriormente vistos e, sua finalidade bsica era de amplificar e fornecer uma pr-seleo ao sinal captado. Muito mais seletivo como estvel, o circuito superheterodino tornou-se desde ento, a base para a fabricao de todos os tipos de receptores. A figura 09 ilustra o circuito superheterodino [2]. A partir de ento vrios aprimoramentos nos rdios, Louis Alan Hazeltine desenvolveu um circuito (chamado neutrodino) partindo de uma premissa puramente matemtica considerando a vlvula terminica como um componente cujo desempenho deveria ser calculado e no simplesmente usado de forma experimental. No circuito neutrodino tanto a seo de rdio frequncia sintonizada como na amplificao do udio possua filtros antirudos ou estabilizadores, conhecidos como neutrodos, os quais neutralizavam os indesejveis rudos ou silvos causados pela oscilao da vlvula no circuito. A partir de 1930, a fabricao de receptores teve um rpido desenvolvimento. Em 1933 aparece no mercado um novo tipo de circuito denominado de modulao por frequncia ou FM como mais conhecido. Inventado, tambm, pelo j ento famoso Armstrong. A modulao por frequncia era um novo processo de eliminar o fenmeno da esttica encontrado na transmisso convencional ou AM, modulao em amplitude [2].

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Figura 09: Ilustrao do circuito superheterodino, inventado por E H Armstrong em 1920, onde: A Sinal, B Oscilador, C Misturador, D Amplificador de frequncia intermediria, E Detector, F Amplificador de udio.

Figura 10: Rdio receptor regenerativo, de origem alem, feito pela companhia Nora, em 1932.

Figura 11: Rdio receptor com circuito neutrodino, por volta de 1924.

Figura 12: Receptor modelo OE 333 fabricado em 1926 pela companhia alem LOWE operando com apenas uma vlvula tipo 3NF. Esta vlvula considerada o primeiro tipo de circuito integrado, continha no seu invlucro trs triodos, dois resistores de anodo, dois resistores de grade e dois capacitores de acoplamento. Este

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tipo de receptor usava apenas uma vlvula para diminuir os impostos cobrados pelo governo alemo logo aps a primeira guerra mundial.

Os componentes eletrnicos
Os equipamentos eletrnicos so construdos de componentes os quais so interligados formando circuitos. Tais componentes podem ser subdivididos em: passivos, ativos e eletrodinmicos. Componentes Passivos: so componentes bsicos que no podem gerar energia e nem necessitam de energia para funcionar, embora alguns passivos sejam capazes de armazenar energia. Como exemplo de componentes passivos pode-se citar o resistor, capacitor, indutor e outro que ser citado posteriormente, o diodo. Resistor: Componente de carter resistivo, que impe resistncia passagem de corrente eltrica no circuito. Os resistores so divididos em dois grupos: fixos e variveis: Os fixos (figura 13) possuem resistncia constante. Por sua vez os resistores variveis (figura 14), como o prprio nome sugere, tm resistncia que pode ser variada ao girar um boto, um parafuso ou o que for apropriado para a aplicao especfica. Eles podem ter dois ou trs terminais, mas a maioria possui trs. Quando um dispositivo de dois ou trs terminais usado como resistor varivel, geralmente denominado reostato. Se um dispositivo de trs terminais usado para controlar nveis de potncia, ento ele normalmente denominado potencimetro. O potencimetro pode ser utilizado como controle de volume de um rdio receptor. Os primeiros resistores usados em eletrnica eram conhecidos como resistores de fio os quais consistiam de um enrolamento geralmente feito de materiais como o Constncio, ligas de cobre o qual era alojado sobre a base de cermica, atualmente o material com caracterstica resistiva utilizado o carbono moldado.

Figura 13: Diversos tipos de resistores fabricados

Figura 14: Diversos tipos de potencimetros.

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de 1920 at 1945.

Capacitor (ou condensador): Dispositivo capaz de armazenar energia eltrica na forma de campo eltrico. So constitudos por dois condutores separados por um isolante. Os condutores so chamados de placas e o isolante de dieltrico. O dieltrico possui grande importncia na construo dos capacitores, pois possui uma medida essencial, a permissividade, calculada pela razo entre a densidade de fluxo e a intensidade do campo eltrico no dieltrico. Quanto maior o valor da permissividade do dieltrico, maior ser a quantidade de carga armazenada entre as placas do capacitor (comparando-se diferentes dieltricos com a rea e distncia das placas constante). A quantidade de carga que o capacitor consegue armazenar entre suas placas chamada de capacitncia. O valor da capacitncia depende diretamente da permissividade do dieltrico e da rea que as placas possuem, e inversamente distncia entre as placas. Os capacitores so divididos em dois grupos: fixos e variveis. Os capacitores fixos (figura 15) podem ser utilizados para bloquear a corrente aplicada diretamente, aps um determinado tempo, em que o capacitor est carregando. J os capacitores variveis (figura 16) podem ser utilizados em equipamentos de telecomunicao para sintonia e controle de frequncias. Neste tipo de capacitor o elemento dieltrico o prprio ar. Os primeiros materiais utilizados como dieltricos foram: o vidro, tntalo, xido de alumnio, ar entre outros.

Figura 15: Ilustrao de diversos tipos de condensadores eletrolticos.

Figura 16: Evoluo ilustrada do capacitor varivel. A Condensador varivel de placa circular. B

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Capacitor varivel ortomtrico 1926. C Capacitor varivel de placa circular 1924. D Capacitor varivel com vrias sees.

Indutor: Dispositivo capaz de armazenar energia eltrica na forma de campo magntico. Um indutor geralmente construdo como uma bobina de material condutor isolado, por exemplo, fio de cobre coberto por verniz. Um ncleo de material ferromagntico aumenta a indutncia (relaciona a tenso induzida por um campo magntico varivel corrente responsvel pelo campo magntico) concentrando as linhas de fora de campo magntico que fluem pelo interior das espiras. Os materiais ferromagnticos utilizados como ncleo do indutor so: ferro, cobre, nquel entre outros. O indutor pode ser utilizado em circuitos como um filtro passa-baixa, rejeitando as altas frequncias. Por sua habilidade de alterar sinais CA, os indutores so usados extensivamente em circuitos analgicos e processamento de sinais, incluindo recepes e transmisses de rdio.

Figura 17: Ilustrao da bobina de Ruhmkorff fabricada no final do sculo XIX.

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Figura 18: Vrios tipos de indutores: (a) indutor toroidal de potncia; (b) indutores para montagem em superfcie, embalados em carretis; (c) indutores encapsulados; (d) e (e) indutores de filtro de alta corrente; (f) indutores de ncleo de ar.

Componentes ativos: so componentes capazes de gerar energia, ou necessitam de ser energizados de alguma forma para funcionar. Eles possuem a propriedade de atuar sobre um sinal de entrada, produzindo um sinal de sada com maior energia (amplitude, corrente ou ambos) que o original. Exemplos de componentes ativos incluem as vlvulas terminicas, os transistores e outros derivados das vlvulas como magnetrons e tubo de raios catdicos. As vlvulas terminicas j foram citadas neste documento, os transistores sero citados posteriormente.

Figura 19: Ilustrao de alguns tipos de vlvulas usadas em transmisso: A vlvula 801, trodo de potncia tipo filamento de tungstnio toriado usada como amplificadora de alta frequncia, osciladora, amplificadora de potncia para rdio frequncia. B vlvula tipo VT 154.

Componentes eletrodinmicos: neste grupo tem-se o alto falante e o transformador, como exemplos. Transformador: dispositivo capaz de aumentar ou diminuir o valor de tenses e correntes, autuar como um dispositivo de casamento de impedncias e isolar (sem conexo fsica) circuitos. Desempenha um papel fundamental nos sistemas de distribuio de energia. Um transformador formado basicamente de enrolamento e ncleo. O enrolamento formado de vrias bobinas que em geral so feitas de cobre e recebem uma camada de verniz
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sinttico como isolante. O ncleo feito de um material ferromagntico e responsvel por transferir a corrente induzida no enrolamento primrio para o enrolamento secundrio. No incio os transformadores eram simples dispositivos eletromagnticos, geralmente apresentando um baixo desempenho. O seu ncleo era feito de ferro doce, material este que permitia um elevado grau de magnetizao ou indutncia, empilhado em finas placas isoladas umas das outras para reduzir perdas. Estas perdas eram tambm conhecidas como correntes parasitas causadas pela corrente perpendicular ao campo magntico alternado no ncleo. A constante melhoria dos circuitos eltricos usados nos vrios campos da eletrnica como televiso, radiodifuso, udio, etc; geralmente operando em altas frequncias exigiam cada vez melhores tipos de transformadores. Desta maneira um dos aspectos fundamentais para o seu desenvolvimento foi o aparecimento de novos materiais magnticos como, por exemplo, a Ferrita, o Permalloy, o Alnico e o Ferroxcube [2].

Figura 20: Diferentes tipos de transformadores monofsicos utilizados na eletrnica.

Circuitos eltricos e o desenvolvimento da eletrnica


O desenvolvimento da eletrnica somente foi possvel devido contnua interao entre os diversos componentes passivos como ativos, originando os chamados circuitos eletrnicos. O atual e avanado estado tecnolgico dos circuitos usados nas mais diversas aplicaes como rdio, TV e os sistemas de processamentos de dados, sem dvida alguma teve a sua origem de poucas, porm, decisivas topologias, os chamados circuitos clssicos.

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Os circuitos clssicos podem ser subdivididos como circuitos retificadores, osciladores, moduladores, amplificadores e controladores. A seguir so apresentados alguns circuitos clssicos e outros circuitos que foram posteriormente desenvolvidos. Circuitos retificadores: permitem que a corrente alternada seja transformada em corrente contnua. Para que componentes como as vlvulas e os transistores, por exemplo, possam operar como elementos amplificadores eles devem ser alimentados em corrente contnua. Nos primeiros circuitos usavam-se vlvulas retificadoras de alto vcuo ou a gs, sendo que mais tarde foram substitudas pelos semicondutores, tais como diodos, SCRs e outros transistores.

Figura 21: Circuito retificador de meia onda. Este circuito usado em receptores para operao tanto em corrente alternada como contnua.

Figura 22: Circuito retificador de onda completa, onde tanto a parte positiva como negativa da senoide utilizada.

Circuito amplificador: um circuito desenvolvido para dar ganho a um sinal. Tem como principais componentes vlvulas e os transistores. Os primeiros amplificadores foram desenvolvidos na era das vlvulas terminicas, onde eram usados em computadores analgicos. Os amplificadores modernos normalmente so construdos em circuitos integrados e so diferenciados de acordo com seu ganho em malha aberta, largura de banda, nvel de rudo, impedncia de entrada, consumo da potncia, ou uma combinao de alguns destes fatores.
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Figura 23: Amplificador com vlvulas terminicas.

Figura 24: Amplificador com transistores.

Circuito oscilador: um circuito capaz de produzir uma forma de onda peridica. Normalmente utilizam-se indutores e capacitores para sua construo, alm de uma realimentao (processo que consiste em injetar uma pequena poro do sinal de sada novamente na sua entrada, com o intuito de regular a sada posterior). Todo transmissor usa oscilador para produzir os sinais que transmite, desta forma seu uso indispensvel s emissoras de rdio e TV, navios e avies, ainda podem ser utilizados em qualquer equipamento que necessite de uma referncia de tempo ou de frequncia.

Figura 25: Diagrama de blocos de um sistema de realimentao.

Figura 26: Circuitos osciladores com trodos desenvolvidos por: 1 E. H. Armstrong; 2 Edwin Colpitts.

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Circuito Modulador: um circuito capaz de transformar sinais vindos de transdutores (responsvel por transformar sinais eltricos em informaes de sons e imagens) em sinais prontos para transmisso por ondas eletromagnticas. Os circuitos moduladores controlam as caractersticas das informaes para um sinal de alta frequncia. Circuito transdutor: o responsvel por transformar sinais eltricos em informaes de sons e imagens. Por exemplo, o microfone, onde o som transformado em sinal eltrico. Circuito demodulador: o responsvel por recuperar as informaes do sinal modulado. Circuitos receptor e emissor: so responsveis pela recepo e transmisso de sinais ou dados respectivamente. Os seus circuitos so um conjunto de outros circuitos, ou seja, um determinado arranjo de circuitos amplificadores, moduladores, osciladores entre outros.

Figura 27: Circuito receptor de converso direta.

Figura 28: Circuito de transmissor de FM estreo Hi-Fi com CI Ba1404 com etapa de potncia.

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Aperfeioamento do radio
A partir de 1930, a fabricao de receptores teve um rpido desenvolvimento. Em 1933 surge o modulador por frequncia (FM). Inventado pelo Armstrong, ele era usado para eliminar a esttica encontrada na modulao em amplitude (AM) que era a transmisso usada na poca.

1G
Os telefones da primeira gerao so analgicos e enviam informao sobre ondas de variaes continuas. S podem ser usados para comunicao por voz. Tem uma qualidade de comunicao varivel devido interferncia. A segurana da tecnologia 1g baixa, pois atravs de um sintonizador de radio possvel captar as ondas e escutar as conversas ou ate mesmo usar aquela frequncia para beneficio prprio sendo o custo debitado na conta de um terceiro.

Telefonia sem fio


A telefonia sem fios (TSF) um sistema de comunicao que utiliza ondas radioeltricas (radiofrequncia) para a radio transmisso e radio recepo de voz ou dados.
Avanos das Comunicaes mveis a partir de 1940

A Segunda guerra mundial (1942-1945) fez com que aparecesse uma forte estrutura industrial para a produo de equipamentos FM, pois eram muito usados, tornando-os comercialmente viveis. Os primeiros sistemas FM necessitavam de uma banda de 120 kHz para transmitir um sinal de voz de 3 kHz. Na dcada de 60 os receptores FM foram melhorados, podendo-se transmitir a voz num canal de 30 kHz. Arthur C Clarke prope, em 1945, satlites geoestacionrios para comunicaes globais. Com o surgimento da fita magntica, em 1946, o radio fica mais rpido. Retificadores de selnio comeam a ser usados para substituir as vlvulas, pois so mais difceis de queimar.

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Em 1946 a AT&T colocou em funcionamento um projeto de grande porte nos EUA que foi impulsionado pela regulamentao do espectro de frequncia. Foi iniciado em 1945 com um programa experimental a 150MHz com 6 canais, implantado em St. Louis e Green Bay. Os canais eram espaados de 60KHz mas mesmo assim eram susceptveis a interferncias de canais adjacentes entre usurios da mesma rea. Este servio ficou conhecido como Radio Urbano e consistia em um transmissor de alta potencia com um alcance de 80km e operava com 3 canais FM. Por ser um servio barato houve uma grande procura e uma rpida saturao do servio. Em 1947 a Bell Labs apresentou o conceito de telefonia mvel celular. Porem precisava de um nmero muito grande de canais que no foram liberados pelo rgo que regulamente as telecomunicaes nos Estados Unidos. Em 1947, inaugura-se um sistema de telefonia mvel ao longo da rodovia Nova IorqueBoston. Esse sistema trabalhava com baixas frequncias (entre 35 e 44mhz) por possuir um alcance maior e vencer os obstculos com facilidade. Mas ela se propagava a longa distancia o que fez com que as conversas pudessem ser ouvidas a quilmetros de distancia causando interferncia em outros sistemas.

A inveno do Transistor
Na dcada de 40 a eletrnica j nos proporcionava a utilizao de vlvulas aprimoradas, diodos a pntodos, conexes telefnicas e transmisses de rdio. Cientes da complexidade das centrais telefnicas na poca, que apresentavam milhares de rels e outros interruptores mecnicos, a Bell Labs investe seus esforos na criao de um novo equipamento revolucionrio, que fosse compacto e pudesse substituir, com a mesma qualidade, os j utilizados. Para chegarem a um resultado satisfatrio, os cientistas do laboratrio utilizaram dados de uma pesquisa em andamento a respeito do uso de cristais de germnio em detectores de radar, em substituio as vlvulas triodo j que estas no funcionavam to bem como em detectores de ondas de rdio. Finalmente, em 1947, o grupo de pesquisa dos cientistas Schockley, Bardeen e Brattain descobriu um dispositivo fabricado de material semicondutor (germnio) que ampliava um sinal eltrico aplicado em um dos seus eletrodos (posteriormente nomeado emissor). O sinal
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aparecia no segundo eletrodo (posteriormente nomeado coletor) com uma potncia sensivelmente maior. Dois anos mais tarde, Schockley desenvolveu o transistor de juno bipolar, baseando-se no conceito de dopagem do material e na formao de trs camadas semicondutoras: base, emissor e coletor. INCLUDEPICTURE "http://www.lsi.usp.br/~chip/transistor_time_p2.jpg" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://www.lsi.usp.br/~chip/transistor_time_p2.jpg" \* MERGEFORMATINET

Figura 29: o primeiro transistor

Com o passar dos anos os transistores foram sendo aperfeioados, e descobriu-se que utilizando o silcio como semicondutor era possvel fabricar transistores mais potentes que os de germnio, j que o silcio apresenta uma maior resistncia temperatura, baixa corrente de fuga e maior tenso de corte. Tal descoberta ampliou ainda mais a utilizao destes equipamentos tanto como amplificadores quanto como osciladores.

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INCLUDEPICTURE "http://www.profelectro.info/wpcontent/uploads/transistorbipolar_2_1.gif" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://www.profelectro.info/wp-content/uploads/transistorbipolar_2_1.gif" \*

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Figura 30: esquema de montagem de um transistor bipolar.

A integrao dos componentes em um circuito


Antes da dcada de 50, os computadores, sistemas telefnicos e de transmisso eram mquinas gigantescas, devido a grande quantidade de vlvulas, rels e interruptores utilizados. Com a inveno do transistor, esses sistemas diminuram radicalmente de tamanho, mas em determinadas operaes ainda se carecia de um componente especial, que conseguisse reunir todos os equipamentos eletrnicos em uma s pea, sem a necessidade de interligaes por fios. No ano de 1959 tal problema foi solucionado. Robert Noice e Jack Kilby, dois engenheiros americanos, conseguiram fabricar todos os componentes do circuito eletrnico em um nico bloco feito de germnio monoltico. O primeiro circuito integrado, como foi batizado, convertia corrente contnua em corrente alternada e era composto por um transistor, um capacitor e trs resistores, todos mantidos juntos com cera em uma fina placa de germnio.

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INCLUDEPICTURE "http://pedrodantas.com/wp/wpcontent/uploads/2008/09/it_photo_103422_26.jpg" \* MERGEFORMATINET

Figura 31: primeiro circuito integrado da histria

Os dois pesquisadores continuaram seus estudos na rea e descobriram que os transistores do tipo MOSFET (transistor de efeito de campo) se encaixavam melhor no circuito, j que, alm da alta capacidade de integrao eles apresentavam tambm um custo menor de produo que o transistor bipolar. Com a queda no preo de fabricao foi possvel, em 1961, o incio de produo comercial em larga escala dos circuitos integrados.

Satlites artificiais
impossvel falar a respeito de comunicaes mveis sem citar a inveno dos satlites artificias, j que estes equipamentos so os responsveis at hoje por grandes avanos na rea. Coube Unio Sovitica conseguir colocar em rbita um satlite artificial pela primeira vez na histria, em 1957. O lanamento foi feito atravs de um foguete espacial. Batizado de Sputnik I, o satlite tinha 58 centmetros de dimetro e pesava cerca de 83 quilos. Foi construdo com 2 semiesferas de alumnio (com 2 milmetros de espessura cada) coladas a
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2 antenas. Para facilitar sua deteco usando telescpios pticos, teve sua superfcie polida. Em seu interior, o Sputnik I apresentava um simples rdio transmissor e um conjunto de baterias de prata e zinco. Outros inmeros mecanismos foram acoplados ao satlite, como um ventilador e sensores de temperatura e presso, em constante comunicao com a base sovitica na Terra. INCLUDEPICTURE "http://static.ddmcdn.com/gif/sputnik-2.jpg" \* MERGEFORMATINET INCLUDEPICTURE "http://static.ddmcdn.com/gif/sputnik-

2.jpg" \* MERGEFORMATINET
Figura 32: cientista sovitico fazendo ajustes no satlite Sputnik I.

A eficincia do satlite Sputnik em transmitir e receber sinais do espao com grandes velocidades surpreendeu os Estados Unidos, que vivenciavam o perodo da Guerra Fria. Nos anos seguintes, sucederam-se lanamentos de satlites pelos dois pases, inclusive em escala comercial, como o Telstar I, encomendado pela empresa American Telephone e Telegraph. Primariamente utilizados em fins militares, de navegao e espionagem, os satlites artificiais so hoje parte essencial do nosso dia-a-dia, j que esto presentes nos sistemas meteorolgicos, transmisso de TVs, chamadas de telefones, entre outras atividades. Os satlites de comunicao e transmisso, objetos de estudo do nosso trabalho, so hoje equipados com centenas ou milhares de transponders, que so rdios que recebem a conversao de chamadas telefnicas em uma frequncia, a amplificam e a retransmitem para
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a Terra em uma frequncia diferente. Tambm apresentam computador de bordo, sistema de controle de altitude e uma fonte de energia (geralmente clulas solares).

Dispositivos de Montagem Superficial


A tecnologia de montagem superficial comeou a ser desenvolvida pela IBM na dcada de 60, logo aps a inveno dos primeiros circuitos integrados, mas tornou-se comercialmente utilizvel apenas na dcada de 80. Consiste em um mtodo de montagem de circuitos eletrnicos onde os componentes (dispositivos de montagem superficial, do ingls SMDs) so dispostos diretamente sobre a superfcie da placa, permitindo um melhor aproveitamento de ambos os lados. INCLUDEPICTURE "http://www.burgoseletronica.net/cisdotiposmd.jpg" \*

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Figura 33: comparao entre CI comum e CI verso SMD.

Nos ltimos anos, com a necessidade de miniaturizao dos circuitos, os dispositivos de montagem superficial tm substitudo com igual qualidade o mtodo de montagem troughhole, no qual os componentes so posicionados atravs de terminais enfiados em buracos da placa de circuito, permitindo a utilizao de apenas uma face. O trough-hole foi um dos primeiros e mais utilizados mtodos na fabricao de circuitos. Sua principal desvantagem, que foi crucial na substituio do mesmo pela
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tecnologia SMT, que os componentes eletrnicos so inseridos manualmente e soldados na placa. A tecnologia de montagem superficial, por sua vez, permite a automao da solda dos componentes por meio de uma mquina de onda.

Figura 34: comparao entre a tcnica de montagem superficial (SMT) e o mtodo trough-hole (PTH).

Na rea de comunicaes mveis, os SMDs tm sido largamente empregados em televises, rdios, sistemas telefnicos, dentre outros aparelhos de transmisso mvel.

Sistema de Comunicao ptica


Apesar de ter sido amplamente dominada a partir das duas ltimas dcadas, a utilizao de um tipo especial de fibra nos sistemas de comunicaes atravs de ondas eletromagnticas foi pensada no incio do sculo passado, por cientistas como Gugliermo Marconi, conforme j citamos neste trabalho. A constante demanda por maiores volumes de interconexes telefnicas promoveu o desenvolvimento do cabo coaxial em substituio aos pares de fios, em aplicaes que requeriam maiores taxas de transmisso. Por muitos anos o cabo coaxial supriu todas as necessidades dos sistemas de transmisso no geral. Com o crescimento acelerado dos meios de comunicao, a tecnologia para transmisso de dados precisou acompanhar seu ritmo, evoluindo de cabos coaxiais para os cabos de fibra ptica. Algumas desvantagens dos sistemas de transmisso por cabo coaxial em relao ao cabo de fibra ptica so: Se o cabo quebrar, ou houver mau contato, a rede ir parar a partir do ponto falho; um cabo pesado e de difcil instalao; Sofre interferncias com rudos eletromagnticos e com radiofrequncias.
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A fibra ptica hoje fabricada principalmente com material isolante (slica ou plstico) em formato cilndrico de pequeno dimetro. composta por trs partes: ncleo, casca e revestimento externo. O ncleo, de xido de silcio, dopado com germnio, alumnio e fsforo com o intuito de aumentar seu ndice de refrao. A casca, por sua vez, fabricada de material isolante, geralmente slica pura. Finalmente, o revestimento externo, igualmente de material isolante, utilizado para a proteo do fio de fibra ptica.
INCLUDEPICTURE "http://www.blogdatransit.com.br/wpcontent/uploads/2011/09/condutor-fibra-1.jpg" \* MERGEFORMATINET

Figura 35: estrutura de uma fibra ptica

No temos como objetivo entrar a fundo no funcionamento da fibra ptica, ento, sucintamente, podemos dizer que ela utiliza sinais de luz codificados para a transmisso de dados, sendo necessrio um conversor de sinais eltricos para pticos, um transmissor e um receptor, permitindo assim que haja integrao aos sistemas digitais e analgicos no mbito da tecnologia da informao.

Sistemas 2G

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Em 1990 surgem os sistemas 2G, que uma forma de nomear a mudana de protocolos, com fim de substituir os sistemas 1G. O sistema 2G possui uma transmisso digital e sua principal caracterstica a segurana, robustez utilizao do espectro e baixa perda durante a transmisso de dados. Foi desenvolvido devido necessidade de um maior numero de ligaes ao mesmo tempo no mesmo espectro da telefonia mvel. Nos sistemas de telefonia mvel digital so utilizadas vrias tcnicas de codificao. Por exemplo, os codificadores de fonte tem o poder de reduzir a taxa de transmisso necessria para representar um sinal de voz. As tcnicas de codificao de fonte tem o objetivo de reduzir, tanto quanto possvel, a redundncia existente nos dados, antes que estes sejam transmitidos. A codificao de fonte a base terica que levou implementao dos algoritmos de compresso de voz, dados e imagens hoje existentes nos sistemas de comunicao digital e armazenamento. Outro exemplo a codificao de canal, que justamente o processo atravs do qual a redundncia anteriormente citada adicionada informao de modo a permitir a deteco e correo de erros. Outra forma de modificar os sinais e facilitar sua transmisso so as tcnicas de modulao. A modulao a modificao de um sinal eletromagntico inicialmente gerado, antes de ser irradiado, de forma que este transporte informao sobre uma onda portadora. O transmissor adiciona a informao numa onda especial de tal forma que poder ser recuperada na outra parte atravs de um processo reverso chamado demodulao. Devido escassez do espectro de rdio frequncias, uma caracterstica fundamental de qualquer esquema de modulao para comunicaes mveis a eficincia espectral adequada. Todas as tcnicas utilizadas em comunicaes mveis procuram ao mximo reduzir a largura de faixa ocupada pelo sinal modulado. Foram criados protocolos para telefonia digital que permitiam mais conexes com a mesma largura de banda, integraram outros servios que eram independentes como o SMS e a transmisso de dados entre dispositivos de fax e modem. Existem vrios protocolos, mas so incompatveis entre si, limitando os tele mveis s regies com suporte. Como j foi comentada, uma nova gerao cresce sempre no sentido de oferecer o que a primeira gerao deixava a desejar. Os EUA necessitavam de maior capacidade, enquanto o problema na Europa era uniformizar os sistemas para o Mercado Comum Europeu (MCE). Isso fez com que surgissem os padres:

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TDMA (Time Division Multiple Access): Essa tecnologia de sistema de celular digital divide os canais de frequncia em at 6 intervalos de tempo diferentes e cada usurio usa um espao especfico, para impedir problemas de interferncias. Opera em 850 MHz.

CDMA (Code Division Multiple Access): Sistema digital que permite o acesso de muitos usurios simultaneamente em um nico canal de estao radio-base aumentando assim a capacidade da rede. Essa tecnologia compete diretamente com a GSM. A grande desvantagem que os celulares que operam em CDMA so mais suscetveis clonagem.

GSM (Global System for Mobile Communication ): Desenvolvida na Europa e adotada em boa parte do mundo. Diferencia-se das outras tecnologias pelo uso de cartes de memria ("chips" ou SIM Card.) nos aparelhos, que possibilitam levar as caractersticas do assinante para outro aparelho ou rede GSM. O GSM opera nas faixas de 400, 450, 850, 900, 1800 e 1900 MHz. Foi divido em 2 fases: Fase 1 Fase inicial - conferencia: - Telefonia (voz); - Chamadas de emergncia; - SMS (mensagens curtas) ponto a ponto e ponto multiponto; - Dados sncronos e assncronos (0.3 a 9.6 kbps); - Transmisso de pacotes assncronos.
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Fase 2 - Servios de e-mail; - Voz a meia taxa (half rate). Esse servio permite ampliar o nmero de usurios, abrindo mo de certa parcela da qualidade da voz; - Melhoras no SMS; - Servios de dados, como informaes sobre tempo, clima, esportes, entre outros; - Transmisso sncrona e dedicada de pacotes;
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- Servios adicionais como identificador de chamadas, chamada restrita, teleconferncia.

GPRS (General Packet Radio Service): O Padro de Transmisso de Rdio por Pacote (GPRS) a evoluo da tecnologia GSM em 2,5G. Essa tecnologia oferece velocidades mximas de dados de 115 kbps e um throughput mdio de 30 a 40 kbps. Os dados so divididos em pacotes para transmisso, o que favorece os usurios, pois prov uma conexo permanente de dados e assim os usurios no precisam entrar no sistema cada vez que desejarem ter acesso a servios de dados. Outra vantagem que os usurios s pagam pelos dados e no pagam pelo tempo de permanncia no ar em que se faz a conexo e nem pelo tempo de carregamento. o GPRS que permite a conexo da maior parte dos smartphones e celulares internet.

EDGE (Enhanced Data Rates for Global Evolution ): A classificao da EDGE como uma tecnologia 2,5 ou 3G bastante controversa. A EDGE uma tecnologia de transmisso de dados e acesso Internet de alta velocidade que transmite dados em velocidade de at 384 kbps na prtica e taxa mdia entre 110 e 120 kbps. As taxas mdias so rpidas o suficiente para permitir servios de dados avanados, como streaming de udio e vdeo, acesso rpido Internet e download de arquivos pesados. A EDGE tambm suporta servios "push-to-talk." Essa tecnologia s vezes chamada de GPRS ampliada (E-GPRS; de Enhanced GPRS) porque aumenta em trs ou quatro vezes a capacidade e o throughput de dados da tecnologia antecessora, a GPRS. A EDGE tambm um servio baseado em pacotes que oferece aos clientes uma conexo permanente para transmisso de dados.

CDMA-2000 1x ou 1xRTT (1xRadio Transmission Technology): a evoluo do cdmaOne, muitos o consideram como tecnologia de 2.75G ou 3G segundo o padro da ITU-T por possuir taxas de transmisso superiores a 144Kbps. De qualquer forma, o CDMA2000 1X preparou o terreno para as altas taxas de velocidade de dados hoje disponveis em todo o mundo e que oferecem aos consumidores e profissionais total conectividade sem fio. Sua velocidade terica de 153.6Kbps. A nomenclatura CDMA contida na sigla diz respeito apenas tcnica de modulao usada na interface area de sistemas celulares e no quer dizer que sejam totalmente compatveis entre si.
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Sistemas 3G
O padro 3G a terceira gerao de tecnologia de telefonia mvel, possui uma ampla gama de servios que vo de aplicaes multimdia ao acesso a servios disponveis na internet, diferente do seu antecessor o 2G. A principal caracterstica do 3G suportar um numero maior de clientes e dados ao mesmo tempo, tem uma taxa de dados maior que a 2G por um custo menor. Utiliza o espectro de radiofrequncia em bandas identificadas, fornecidas pela ITU-T para a Terceira Gerao de servios mveis IMT-2000, e depois licenciadas para as operadoras. Permite a transmisso de 384 kbits/s para sistemas mveis e 7 megabits/s para sistemas estacionrios. Padres:

UMTS (Universal Mobile Telecommunications Service): a evoluo do GSM, mas que ainda se baseia nessa tecnologia, embora o seu acesso por rdio seja diferente. Essa tecnologia usa uma tcnica CDMA chamada Direct Sequence Wideband (DSWCDMA), por isso comum o uso intercalado de UMTS e WCDMA. Embora a sigla UMTS se refira ao sistema inteiro. Opera principalmente em 2100MHZ, mas em algumas regies opera em 850MHz ou 1900MHZ e mais recentemente em 1700mhz. A UMTS uma tecnologia baseada em IP que suporta voz e dados em pacotes oferecendo taxas mximas de transmisso de dados de at 2 Mbps e velocidades mdias de 220-320 kbps quando o usurio est andando ou dirigindo. Tecnologia desenvolvida para prover servios com altos nveis de consumo de banda, como streaming, transferncia de grandes arquivos e videoconferncias para uma grande variedade de aparelhos como telefones celulares, PDAs e laptops. A UMTS compatvel com a EDGE e a GPRS permitindo ao usurio sair de uma rea de cobertura UMTS e ser automaticamente transferido para uma rede EDGE ou GPRS, dependendo de fatores como disponibilidade de rede e o consumo de banda do seu aplicativo. Assim, os usurios UMTS so sempre assegurados um nvel de servio de pacotes de dados em casa e em viagem.

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CDMA 1xEV-DO (Evolution, Data-Optimized): O CDMA 1xEV-DO a tecnologia 3G do CDMA, que possui alta performance para transmisso de dados com picos de at 2,4 Mbps. Portadoras distintas so necessrias para dados e voz neste sistema. O enlace de subida permanece praticamente inalterado em comparao com o cdma2000, mas no enlace de descida os usurios so multiplexados em tempo. A taxa de transmisso de dados terica de 2.4mbps e taxa de transmisso mdia de 300 a 500 kbit/s. Opera em 800 e 1900MHz.

CDMA 1xEV-DV (Evolution, Data and Voice): a segunda etapa na evoluo do CDMA 1xEV onde uma mesma portadora pode ser utilizada para voz e dados. A primeira, o 1xEV-DO como j vimos, uma portadora de 1,25 MHZ dedicada apenas para dados. Teoricamente, essa tecnologia utilizando as 2 portadoras, teria uma velocidade mxima de 4.8mbps. Esta tecnologia foi descontinuada pela Qualcomm, durante o desenvolvimento.

HSDPA (High Speed Downlink Packet Access) / HSUPA (High Speed Uplink Packet Access): O HSDPA/HSUPA permite que as pessoas enviem e recebam e-mails com grandes anexos, joguem interativamente em tempo real, recebam e enviem imagens e vdeos de alta resoluo, faam download de contedos de vdeo e de msica ou permaneam conectados sem fio a seus PCs no escritrio tudo usando o mesmo dispositivo mvel. HSDPA refere-se velocidade com a qual as pessoas podem receber arquivos de dados, o "downlink". HSUPA refere-se velocidade com a qual as pessoas podem enviar arquivos de dados, o "uplink." Resumindo: o HSDPA seria um "EDGE" do UMTS. E a NTT Docomo est desenvolvendo o "Super 3G (HSOPA) com velocidades de at 250mbps.

Sistemas 4G
O 4G foi inicialmente aplicado a redes com download de 1gbps, como LTE Advanced, mas a ITU (International Telecommunication Union) admitiu que ele tambm pode ser
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aplicado a redes que vieram antes dessa tecnologia como LTE, WiMax e algumas tecnologias 3G desde que haja uma melhoria no desempenho dessas redes. Uma das vantagens do 4G a baixa latncia em relao ao 3G, cerca de 3 vezes menor, reagindo mais rpido ao fazer uma chamada ou uma videoconferncia. As bandas para download e upload tambm so muito maiores chegando a velocidades de 100Mbps e 50 Mbps respectivamente. Possui tambm mais usurios ao mesmo tempo na rede. Para alcanar tais velocidades, o LTE recorre a algoritmos complexos que permitem aproveitar melhor o espectro e, portanto, o LTE requer uma maior capacidade de processamento e maior consumo energtico. Para o desenvolvimento do LTE foi necessrio o desenvolvimento de chips de comunicaes mais eficientes, capazes de processar mais dados em menos tempo. O ministro das Comunicaes, Paulo Bernardo, afirmou que no dia 16 de outubro sero assinados os contratos de servio do 4G. As empresas vencedoras do leilo dependem disso para comear a usar oficialmente o espectro e vender os planos. Estima-se que 50% das torres de 4G podem ter que ser compartilhadas. A tecnologia 4G ser utilizada na Copa de 2014 e comea a ser testada no ano que vem na Copa das Confederaes

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CONCLUSO
Conclumos que, de fato, a descoberta e o consequente estudo dos diferentes tipos de materiais foram de suma importncia para o alto desenvolvimento tecnolgico ao qual nos encontramos atualmente. Saber a fundo as propriedades de um material especfico proporcionou ao homem um melhor aproveitamento do mesmo em diversas aplicaes, gerando maior eficincia e diminuindo custos e necessidades de reparo. Todo o desenvolvimento nas comunicaes mveis citado neste trabalho s foi possvel, seguramente, graas ao domnio das especificidades de materiais isolantes, condutores, semicondutores e magnticos. Finalmente, acreditamos que a busca por meios para aprimorar as comunicaes mveis continuar por tempo indeterminado, j que com o passar dos anos novas necessidades surgiro fazendo com que se precise reciclar o atual conhecimento em busca de algo inovador.

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