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Transistores de efecto de campo MOSFET y MESFET Christian Crdenas Guaraca, ccardenasg@est.ups.edu.

ec Grupo 3 rea de: Ingeniera Electrnica Resumen El presente informe trata acerca de los dispositivos MOSFET tipo empobrecimiento, y enriquecimiento, as como su polarizacin y aplicaciones; adems de los MESFET que veremos una breve explicacin de su funcionamiento y caractersticas principales. 1.INTRODUCCION En la clasificacin de los FET, tenemos JFET, MOSFET y MESFET, y de esta divisin, por parte del MOSFET tenemos una subdivisin extra que es de tipo empobrecimiento, y de tipo enriquecimiento, a parte de ya tener la divisin por tipo n y tipo p, as veremos que estos nombres enriquecimiento y empobrecimiento provienen de sus caractersticas, funcionamiento y su principio bsico de operacin, con lo refiere a aplicaciones ya veremos a continuacin cuales han sido encontradas y en la parte que hablaremos de MESFET de sus caractersticas bsicas y su modo de funcionamiento. 2.MOSFET TIPO EMPOBRECIMIENTO. Al analizar los MOSFET de tipo empobrecimiento veremos que sus caractersticas son parecidas a las de los JFET, como en las condiciones de corte y saturacin con IDss y tambin adicionalmente que tiene las caractersticas que se extienden hasta la regin de polaridad opuesta de VGS. Como ya habamos mencionado antes tiene algunos aspectos muy parecidos a los transistores de tipo unin que son los JFET, estn comprendidos por una fuente, una compuerta y un drenador. El MOSFET de empobrecimiento est conduciendo normalmente cuando VGS es nula. Tiene curvas de salida y circuitos semejantes al FET. La nica diferencia es que puede funcionar con tensiones de puerta tanto positivas como negativas. Fig1. CURVAS CARACTERISTICAS DEL MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO. _________________________________________________________________________ ____________________________________________________

1,* Estudiante de Ingeniera Electrnica y Telecomunicaciones, en la Universidad Politcnica Salesiana, sede Cuenca. Autor Por Correspondencia. ccardenasg@est.ups.edu.ec Enviado 19 Enero 2013.

La caracterstica constructiva comn a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de puerta

(G) est formado por una estructura de tipo Metal/xido/Semiconductor. El xido es aislante, con lo que la corriente de puerta es prcticamente nula, mucho menor que en los JFET. Por ello, los MOS se emplean para tratar seales de muy baja potencia. [1] Existen 2 tipos de transistores MOSFETde empobrecimiento: Empobrecimiento de canal N Empobrecimiento de canal P 1 material dielctrico, lo que quiere decir que mientras este aislante este presente no habr conexin elctrica entre el terminal de compuerta y el canal de un MOSFET. Fig3. ILUSTRACION DE UN MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO TIPO N. En este caso el canal ya est creado. Por lo tanto, si con VGS = 0 aplicamos una tensin VDS aparecer una corriente de drenaje ID. Para que el transistor pase al estado de corte ser necesario aplicar una tensin VGS menor que cero, que expulse a los electrones del canal. Fig2. SIMBOLOS DE MOSFET EMPOBRECIMIENTO CANAL N Y CANAL P. 2.1 CONSTRUCCION BASICA DE UN MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO CANAL N. La construccin bsica de un MOSFET de empobrecimiento canal n, consta de una placa base donde se construye el dispositivo que es de tipo p a partir de una base de silicio conocida como sustrato. Se pueden encontrar dispositivos de 4 terminales o simplemente de 3 terminales, ya que los dispositivos de 3 terminales vienen en su parte interna conectada la parte del sustrato a la de fuente. La fuente y el drenaje estn conectados mediante contactos metlicos a metales tipo n dopadas vinculadas a un canal n, la compuerta tambin se encuentra conectada a una placa metlica solo que se mantiene aislada del canal n por un recubrimiento de bixido de silicio que es un Fig4. CARACTERISTICA VDS-ID DE UN MOSFET DE

EMPOBRECIMIENTO CANAL N.

2.2 CONSTRUCCION BASICA DE UN MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO CANAL P. La construccin de un MOSFET empobrecimiento tipo p es exactamente opuesta a la de un tipo n, las terminales no cambian, pero las polaridades de voltaje y las direcciones de corriente se invierten, es decir para las caractersticas de drenaje serian igual a las de tipo n solo que ahora VDS ser negativo e ID positivo, y la direccin definida esta invertida, adems que VGS tambin estar con las polaridades opuestas, es decir la corriente de drenaje se incrementara desde el valor de corte con VGS= Vp en la regin positiva de VGS hasta IDss luego continuara incrementndose con los valores negativos crecientes de VGS. La ecuacin de Shockley sigue siendo aplicable y solo requiere que se coloque el signo correcto tanto para VGS como para Vp en la ecuacin. 2 3.MOSFET TIPO ENRIQUECIMIENTO.

A diferencia de un JFET, en el MOSFET de enriquecimiento inicialmente no existe canal, por lo cual debe ser inducido mediante un campo elctrico originado por la tensin VGS aplicada. Los MOSFET tipo enriquecimiento poseen caractersticas muy diferentes a las vistas hasta ahora por los otros tipos de MOSFET, la curva de transferencia no est definida por la ecuacin de Shockley y la ID ahora es la de corte hasta que el VGS alcance una magnitud especfica, entones ahora a comparacin con los otros FETS vistos antes, el control de la corriente en un canal n ser mediante VGS positivo. Existen 2 tipos de transistores MOSFET de emriquecimiento: Enriquecimiento de canal N Enriquecimiento de canal P Fig7. SIMBOLOS DE MOSFET ENRIQUECIMIENTO CANAL N Y CANAL P. Fig5. ILUSTRACION DE UN MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO TIPO P. Fig6. CARACTERISTICA VDS-ID DE UN MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO CANAL P. Frmulas para MOSFET Empobrecimiento.

3 k = constante de construccin del dispositivo. 3.1 CONSTRUCCION BASICA DE UN MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO CANAL N. La construccin de un MOSFET tipo enriquecimiento es muy parecida a la de un MOSFET tipo empobrecimiento con la nica excepcin de que no existe un canal entre el drenaje y la fuente. Fig8. ILUSTRACION DE UN MOSFET ENRIQUECIMIENTO TIPO N. - Con la ausencia de canal n producir una corriente de 0A VT = voltaje de umbral El voltaje de umbral aparece del incremento de VGS que hace que incremente la corriente de drenaje. Entonces el nivel de saturacin viene dado por VDS(sat) = VGS VT Para valores de VGS menores que el nivel de umbral, la corriente de drenaje de un MOSFET tipo enriquecimiento es 0mA. Para niveles VGS > VT, la corriente de drenaje esta relacionada con el voltaje de la compuerta a la fuente dada por la siguiente relacin: ID = k (VGS - VT)^2 Fig9. CARACTERISTICAS DE TRANSFERENCIA DE UN MOSFET ENRIQUECIMIENTO A PARTIR DE LAS CARACTERISTICAS DE DRENAJE. 3.2 CONSTRUCCION BASICA DE UN MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO CANAL P. La construccin es opuesta a la del MOSFET enriquecimiento canal n, pero las conexiones de drenaje y la fuente se mantienen, haciendo que las polaridades del voltaje y las direcciones de corriente cambien de direccin. Fig10. ILUSTRACION DE UN MOSFET ENRIQUECIMIENTO TIPO P. Las caractersticas de drenaje sern las siguientes: Fig11. CARACTERISTICAS DE DRENAJE MOSFET ENRIQUECIMIENTO TIPO P.

Los valores de corriente sern crecientes mientras ms negativo sea VGS. Y las ecuaciones son las mismas que las del canal n. Frmulas para MOSFET Enriquecimiento. Fig12. FORMULAS MOSFET ENRIQUECIMIENTO. 4. APLICACIONES 4.1 MOSFET EMPOBRECIMIENTO -Amplificar seales pequeas casi como los JFET. -Excelentes propiedades de bajo ruido.

-Si la impedancia de entrada de un JFET no es suficientemente alta se puede utilizar un MOSFET. -Un MOSFET es un amplificador separador casi ideal por que el SIO2 nos dar una resistencia de entrada que tienda a infinito. 4.2 MOSFET ENRIQUECIMIENTO -Es utilizado en Microprocesadores y memorias de computadoras por funcionar como interruptor. -Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva. 4 -La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos. -Se usan en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia. Aplicaciones de los MOSFET en general. [2] -Resistencia controlada por tensin. -Circuitos de conmutacin de potencia -Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta. -Inversores -Fuentes conmutadas -Equipos de computo -Circuitos de modulacin por amplitud de pulso(PWM) 5.MESFET. Substituye la unin PN del JFET con una barrera Schottky, que son barreras establecidas mediante la instalacin de un metal como el tungsteno sobre un canal de tipo n, adems mediante esta barrera se realiza el control de flujo de corriente, su construccin es tal como est en la figura. Fig13. CONSTRUCCION MESFET EMPOBRECIMIENTO CANAL N.

Puede operar en frecuencias bastante ms altas a comparacin del JFET, en la regin de las microondas, son construidos casi en su totalidad con arseniuro de galio. [3]

5 MESFET enriquecimiento. Fig16. FORMULAS MESFET ENRIQUECIMIENTO CANAL N. Fig14. CONSTRUCCION MESFET ENRIQUECIMIENTO CANAL N 6. CONCLUSIONES Fig15. FORMULAS MESFET EMPOBRECIMIENTO CANAL N Los MOSFET tanto en empobrecimiento como enriquecimiento, podemos ver que son de gran ayuda para la edificacin de muchos implementos que usamos hoy en da, como computadores microprocesadores y en si todo equipo electrnico que tenga microcomponentes en su interior. Como pudimos apreciar en las diferentes configuraciones de MOSFETS, cuentan con clculos fciles y sencillos de lograr, solo se debe conocer su funcionamiento su forma de trabajo, y la manera en la que internamente estn compuestos ya que varan dependiendo si son de tipo n o p su polaridad en el voltaje y su direccin en la corriente. Los MOSFET vimos que pueden ser usados como conmutadoras ya que lo que manipulan es el voltaje que y en base a esto tambin la corriente. 7. REFERENCIAS [1]Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky, Teora de circuitos y dispositivos electrnicos, 10ma edicin Pearson Education Mxico 2009. [2]ECURED home page (Enciclopedia por el estado cubano). [Online]. Available Mosfet IRFZ44N on Search http://www.ecured.cu/index.php/Mosfet_IRFZ44N [3]ICMM home page (Instituto de ciencia de materiales de Madrid). [Online]. Available Transistores de efecto campo by Jose Maria Albella http://www.icmm.csic.es/fis/gente/josemaria_albella /electronica/8%20Transistores%20de%20Efecto%2 0Campo.pdf
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