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PRCTICA 9 TRANSISTORES 9.1. Qu es un Transistor? El transistor es un dispositivo semiconductor compuesto de dos uniones PN que tienen un tercer cristal en comn situado en vecindad inmediata, es decir, est formado por tres capas semiconductoras (N y P) alternadas(fig.1), siendo la capa central muy delgada. Una unin es polarizada en sentido directo y la otra en sentido inverso. De lo expuesto se deduce que existen dos tipos de transistores: NPN y PNP. Sin embargo, basta estudiar el funcionamiento de uno para conocer el del otro, por simple permutacin de huecos y electrones libres. En estos cristales, se puede introducir una seal en una de las uniones y extraerla de la otra con una ganancia de potencia, esto es, la seal se transfiere de un circuito de baja resistencia a uno de alta resistencia. El trmino transistor proviene de los trminos transfer (transferencia) y resistor (resistencia). 9.1.1. Elementos de un Transistor Cualquiera de los tipos de transistores estar conformado por tres elementos: emisor (E), base (B) y colector (C). Base. Es el elemento comn o regin comn (Figura 97). Controla el flujo de portadores de corriente. Emisor. Es el elemento que junto a la base forman un diodo polarizado directamente (Figura 97) y emite los portadores de corriente (huecos o electrones). Colector. Es el elemento que junto a la base forman un diodo polarizado inversamente (Figura 97), capta los portadores de corriente emitidos por el emisor (en un NPN electrones y en el PNP huecos).

Figura 97 9.1.2. Smbolos Los transistores, al igual que otros elementos (resistencia, condensadores, diodos, fuentes, etc.) que conforman un circuito, es representado por un smbolo. En la Figura 98 se presentan los smbolos correspondientes a un transistor tipo PNP (a) y NPN (b).

(a) Figura 98

(b)

La flecha colocada en el emisor indica siempre hacia el cristal tipo N. As, en la Figura 98(a) el transistor tiene base N y es de tipo PNP y el de la Figura 98(b) la base es positiva y es NPN.

9.1.3. Funcionamiento del Transistor Antes de iniciar el estudio del funcionamiento del transistor, es necesario tener presente las siguientes pautas: El sentido de la corriente electrnica es siempre opuesto al de la flecha del emisor (ver smbolo de la Figura 98). La unin emisorbase siempre est polarizada en sentido directo y la colectorbase en sentido inverso. El sentido de la corriente en un transistor NPN se muestra en la Figura 99(a); las flechas continuas indican el sentido de la corriente debido a los electrones libres, las segmentadas indican la corriente debida a los huecos. La corriente externa al transistor es debida siempre al movimiento de los electrones.

(a) Figura 99

(b)

La corriente de emisor IE (Figura 99(a)) sale de la fuente VEE y circula hacia el emisor tipo N. Esta fuente suministra a los electrones suficiente energa para vencer la oposicin que ofrece la unin emisorbase (EB), para luego pasar a la base. Algunos de estos electrones, al llegar a la base, se recombinan con los huecos presentes, otros continan su recorrido hacia el terminal de la base que est conectado al polo positivo de la batera VEE (en sentido contrario fluye la corriente debida a los huecos), proporcionando de esta manera en el exterior del transistor una corriente de base IB que retorna a la batera VEE. Los electrones restantes (que son la mayora) que entran en la base, quedan bajo la influencia del campo que existe en la unin basecolector (BC) y entran al colector desplazndose a travs de ste, produciendo una corriente

electrnica que se dirige hacia el terminal del colector, retornando al exterior del transistor hacia el terminal positivo de la fuente VCC como corriente de colector IC. Para el estudio del transporte de corriente en un transistor PNP, simplemente se permutan los electrones libres por los huecos en el estudio anterior. De esta manera, la corriente que circula por el circuito exterior de un PNP es opuesta a la del NPN. Se habr observado que, en cualquiera de los dos casos, los portadores mayoritarios se mueven siempre por el interior del transistor desde el emisor al colector. Un transistor es ms eficaz cuando la mayora de los portadores que salen del emisor llegan al colector, puesto que los que se combinan en la base no forman parte de la corriente de colector y s, de la corriente de base que sale del cristal. Esta eficacia, se logra haciendo la base muy estrecha, reduciendo as la posibilidad de que un portador entre en combinacin. Por lo general, el colector es de mayor dimensin, aumentando de esta forma la posibilidad de captar portadores y, adems, facilitar la disipacin de calor. En un transistor real llegan al colector del 92% al 99% de los portadores que salen del emisor. En el anlisis planteado anteriormente no se consider la corriente inversa ICB que circula entre el colector y la base; sta es de magnitud despreciable (del orden de los microamperes) ante la corriente de base IB, por lo cual no resta cantidad apreciable a la corriente de base. En resumen, en condiciones normales, la corriente de base para un NPN sale de la base y para un PNP entre en la base. Esta corriente depende del porcentaje de la corriente de emisor que se combina en la base y del valor de la corriente colectorbase, la cual aumenta rpidamente con la temperatura; su valor se duplica aproximadamente, por cada 8 C a 10 C de aumento de temperatura. 9.2. Amplificadores Muchas veces, las seales elctricas son muy pequeas para accionar elementos de registro, control, medicin u otro dispositivo de uso prctico. Por ejemplo, las seales que se reciben de una emisora de radio o televisin son pequeas y, por lo tanto,

incapaces de accionar un parlante; la fuerza electromotriz debida a un termopar es muy dbil para poder mover la plumilla de un registrador grfico. Lo anterior plantea la necesidad de aumentar la magnitud de la seal. A este proceso se le denomina amplificacin y a los circuitos que ejecutan esta funcin amplificadores. Usualmente, se amplifica la potencia que la seal transporta (el transformador puede aumentar el voltaje, pero a costa de disminuir la corriente); sin embargo, existen amplificadores de voltaje, corriente y potencia, dependiendo del uso que tendrn en la prctica. 9.2.1. Estudio de los Montajes del Transistor como Amplificador Los amplificadores transistorizados pueden montarse de forma que cualquiera de sus tres elementos puede ser comn a los circuitos de entrada y salida, dando lugar a tres clases de configuracin: emisor comn, base comn y colector comn. 1. Amplificador de emisor comn (emisor a tierra o masa). El montaje que se muestra en la Figura 100 representa un circuito bsico de un amplificador con emisor comn.

Figura 100 Entre la base y el emisor se aplica la seal de entrada y la salida se considera entre los terminales del colector y el emisor, siendo la corriente de colector IB funcin principalmente de la corriente de polarizacin que existe en el circuito de entrada.

Una particularidad interesante de este montaje es que se produce una inversin en la fase de la seal de salida con respecto a la de entrada (Figura 100). Para aclarar esta afirmacin, se observa que la seal de entrada en el circuito de la Figura 100 tiene su sentido positivo, por lo que ese potencial se suma al bsico que hay en la base. Como la base es ms positiva, aumentar la corriente de emisor y por lo tanto, la del transistor, ya que los electrones tienden a circular en mayor cantidad. Al aumentar la corriente de colector, ser mayor tambin a travs de la resistencia de carga (R2) y aumentar la diferencia de potencial o tensin en la misma, siendo, en consecuencia, menor la tensin en el colector. Luego, cuando la seal de entrada tiende a valores positivos (en aumento), la seal de salida tiende hacia valores negativos (disminuye). Cuando la seal de entrada tiene su semiciclo negativo, se reduce la tensin en la base, disminuyendo la corriente del emisor y, por ende, la del colector, por lo que se reduce la cada de potencial en la resistencia de carga R2 y habr mayor tensin positiva en el colector. En resumen, la seal de entrada y salida estn desfasadas en 180, es decir, medio ciclo. ste es el montaje que produce mayor ganancia. 2. Amplificador de base comn (base a tierra o masa). La Figura 101 muestra el montaje bsico para este tipo de amplificador.

Figura 101 La flecha saliendo del emisor indica que el transistor es un NPN y tiene polaridad negativa en el emisor y positiva en el colector. La seal de entrada se hace sobre la resistencia R1 y la de salida sobre la resistencia de carga (R2). Puede observarse que

a un aumento de la tensin negativa de la seal en el emisor (semiciclo negativo de la seal de entrada) corresponde un aumento en la corriente de colector, pasando mayor cantidad de corriente por la resistencia R2, aumentando as la tensin en dicha resistencia y por esto se hace ms negativo el colector. Luego, cuando el emisor se hace ms negativo, el colector tambin. Esto plantea que la seal de entrada (emisor) y la de salida (colector) estn en fase. 3. Amplificador con colector comn (colector a tierra o masa). En la Figura 102 se representa un circuito tpico de colector a tierra.

Figura 102 En este montaje, la seal de entrada se aplica entre la base y tierra, la seal de salida se toma a los extremos de la resistencia de carga (R2), conectada entre el emisor y tierra. Este tipo de amplificador recibe tambin el nombre de seguidor de emisor, porque las variaciones de tensin en el emisor siguen a las variaciones de tensin que se producen en la entrada, por lo que no existe desfasaje. La impedancia de entrada es relativamente alta, porque el circuito de entrada est influenciado por la tensin que aparece en la resistencia de carga conectada al emisor. La impedancia de salida es baja, porque el circuito de salida incluye al circuito baseemisor, el cual est polarizado directamente. Por esto, el montaje colector

comn se utiliza en muchas aplicaciones como adaptador de impedancias, es decir, como amplificador de corriente. La seal de salida est en serie y en oposicin con la seal de entrada; en consecuencia, la tensin resultante que acta entre base y emisor es: VEntrada VSalida. Por tanto, para que la tensin de entrada tenga valor real, la de salida tiene que ser menor que la de entrada, por lo que la ganancia de tensin siempre es menor que uno en este tipo de amplificador. Este tipo de montaje proporciona tambin amplificacin de potencia relativamente grande. La ganancia de potencia depende bsicamente de la impedancia de salida (resistencia de carga), ya que la ganancia de tensin depende tambin de esta impedancia. 9.2.2. Curvas Caractersticas Las condiciones y funcionamiento de los circuitos con transistores se pueden deducir de un grupo de curvas caractersticas. Dado que en la prctica la configuracin ms empleada como amplificador es la de emisor comn (por producir mayor ganancia), sta ser la utilizada para el estudio de las curvas caractersticas en el presente estudio. En los transistores hay un conjunto de seis variables dependientes (Ie, Ib, Ic, Vbe, Vce, Vcb), ya que dos de ellas son combinacin lineal de las otras: Vce = Vcb + Vbe
Ie = Ic + Ib

Para la configuracin de emisor comn, las curvas caractersticas de salida son la Ic (Vce) manteniendo constante Ib, es decir, las curvas estn parametrizadas por Ib. En el caso de una configuracin de base comn, las curvas estn parametrizadas por Ie. El estudio se realiza con ayuda del circuito de la Figura 103, el cual corresponde a la configuracin de emisor comn, como se haba planteado anteriormente.

Figura 103 En el eje horizontal se colocan las tensiones de colector ledas en el voltmetro (V2) conectado al colector, para cada posicin del potencimetro (R0), empezando con VCE = 0V. En el vertical, se ubican las correspondientes corriente ledas en el ampermetro (A2). Durante cada lectura se mantiene constante la corriente de base ajustando el potencimetro (R1). Colocando los puntos determinados por cada par de valores (IC, VCE) y unindolos se obtiene la curva deseada.

Figura 104 La curva inferior que aparece en la grfica de la Figura 104 corresponde a una corriente de base IB = 0,1 mA. Los valores de VCE e IC ledos para cada uno de los puntos sealados son:

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P1: P2: P3: P4:

VCE = 0 V VCE = 1 V VCE = 4 V VCE = 6 V

; ; ; ;

IC = 0 mA IC = 8 mA IC = 10 mA IC = 11 mA

La curva superior de la misma grfica se ha trazado manteniendo constante la corriente de base IB = 0,3 mA. Los valores de VCE, IC e IB son negativos porque el transistor es PNP. Si el transistor fuese NPN, los valores de los parmetros mencionados seran positivos. Usando otros valore de IB se obtiene una familia de curvas caractersticas como las que se muestran en la Figura 105.

Figura 105 Para una configuracin de base comn se utiliza el mismo procedimiento para la obtencin de la familia de curvas, siendo la nica diferencia que en este caso se mantiene constante la corriente de emisor. 9.2.3. Factor de Amplificacin Este trmino, denominado tambin ganancia de corriente, representa en forma general una relacin entre la corriente de salida (IC) y la de entrada (IE o IB, segn el

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tipo de configuracin). Para un montaje tipo base comn, la ganancia es la relacin entre la pequea variacin de la corriente en el colector y la pequea variacin de la corriente de emisor (la cual genera la anterior). Esto manteniendo constante la tensin colectorbase. Se representa por y viene dado por: = I C , con VCB constante I E

< 1. En la prctica, por lo general 0,95 < < 0,999. Para una configuracin del tipo emisor comn, la ganancia viene dada por la relacin entre la pequea variacin de la corriente de colector y la pequea variacin de corriente de base (la cual genera la anterior), esto manteniendo constante el voltaje colectoremisor. Se representa por y se determina a travs de: = I C , con VCE constante I B

Donde siempre es mayor que uno ( > 1). En los manuales de transistores, por lo general se da uno de los dos factores de amplificacin. Pero resolviendo el sistema planteado por las ecuaciones anteriores y las que a continuacin se establecen: I B = (1 )I E I CO I C = I E + I CO se obtiene que: = ; = 1 1+

9.2.4. Lnea o Recta de Carga Se puede calcular el efecto de una carga (resistencia colocada a la salida, estando un extremo conectado al colector y el otro a una fuente) determinada u ptima, slo agregando a la familia de curvas caractersticas una representacin grfica de la carga, la cual recibe el nombre de lnea o recta de carga.

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Muchas veces se simplifica el estudio del funcionamiento de un circuito trazando esta lnea. Para tal fin, slo se requiere de dos puntos, los cuales corresponden a las condiciones extremas (mxima: tensin y corriente en el colector). Para entender ms fcilmente el estudio de un amplificador por medio la recta de carga, se analizar el siguiente amplificador de audio (emisor comn).

Figura 106

Tensin de alimentacin de colector: VC = 15 V Resistencia de carga: RL = 2.000 Resistencia de entrada al transistor: Ri = 200 Resistencia de base: Rb = 28.800 Tensin de alimentacin de base: VB = 3 V El estudio del funcionamiento del amplificador se inicia con el trazado de la recta de carga, para lo cual se determinan los extremos de esta recta de la siguiente forma: a. Mxima tensin en el colector. Cuando no circula corriente por RL no hay cada de tensin en dicha resistencia. Bajo esta condicin, la tensin de colector es igual a la de alimentacin (VC = VCC = 15 V). Esta condicin se observa al ubicar el punto A sobre el eje horizontal en la grfica de la Figura 107.

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Figura 107 b. Mxima corriente de colector. Cuando el transistor aparece como un corto circuito entre los terminales de colectoremisor, la corriente de colector IC est limitada solamente por RL y su valor puede obtenerse utilizando la ley de Ohm: IC = VCC 15V = = 7,5mA RL 2.000

Este valor corresponde al punto B situado sobre el eje vertical (Figura 107). c. Punto de trabajo. Tambin denominado punto de reposo o sin seal Q (Figura 107), se encuentra en la interseccin de la recta de carga con la curva caracterstica correspondiente a la corriente de base que circula cuando no hay seal aplicada, el cual se puede deducir aplicando de nuevo la ley Ohm. La resistencia de entrada al circuito es Rb + Ri = 30 K y la tensin aplicada es VBB = 3V, luego: IB = V BB 3V = = 100 A Rb + Ri 30.000

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d. Tensin de polarizacin VBE en el punto de trabajo. sta puede determinarse en funcin de la corriente de base y la resistencia de entrada a la unin en el punto de trabajo: VBE = I B Ri = 1 10 4 A 200 = 20 mV O restando a la tensin de alimentacin VBB la cada de potencial en Rb: VBE = 3 28.800(1 10 4 A) = 20 mV e. Corriente de colector en el punto de reposo. De la Figura 107 se deduce que al punto de reposo Q corresponde un IC = 3 mA. f. Voltaje de colector en el punto de reposo. De la grfica de la Figura 107 se puede ver que el VC que corresponde al punto Q es igual a 9,0 V. Este valor tambin puede obtenerse restando a la tensin de alimentacin la cada de potencial en la carga: VC = VCC VRL = 15 V 2.000(3 10 3 A) = 9,0 V g. Corriente de emisor. Se determina a travs de la relacin: I E = I C + I B = 3 mA + 0,1 mA = 3,1 mA h. Factor de amplificacin. Para obtener su valor, se vara la corriente de base alrededor de su valor en el punto Q, la misma cantidad en ambos sentidos, sobre la vertical que une dicho punto con la tensin que le corresponde (Figura 107). En el presente ejemplo, se tiene 9,0 V, valor que permanece constante a lo largo de toda la vertical. As se pueden tomar las intersecciones de la vertical con las caractersticas IB = 50 A y IC = 150 A. Para estos valores de IB circulan respectivamente: IE = 1,5 mA e IC = 4,5 mA. Luego, se tiene:

15 I C (4,5 + 1,5) mA 3 = = = 30 3 I B (150 + 50) 10 mA 0,1

sta sera la mxima ganancia de corriente que puede obtenerse del transistor del circuito estudiado. Por lo general, en la prctica la ganancia real de corriente es un poco inferior a 30 (como se ver ms adelante). 9.2.5. Recepcin de Seales Para evitar la distorsin de la seal en el amplificador, el valor de la seal de entrada al circuito (Figura 106) debe estar comprendido entre Q y la interseccin de la recta de carga con la caracterstica IB = 0. Para el ejemplo que se est desarrollando, el valor de la seal de entrada no debe ser mayor de 100 A. Con una seal que produzca una corriente de 200 A pico a pico (Fig12), la corriente de colector vara entre 0,5mA y 5,5mA aproximadamente. La primera corriente corresponde al pico positivo de la seal (opuesto a la polarizacin directa) y no es cero debido a la corriente inversa. La segunda corresponde al pico negativo de la seal (el cual ayuda a la polarizacin directa). En concreto, la variacin que ha experimentado IC es de 2,5mA en ambos sentidos, lo que muestra que no hay distorsin.

Figura 108

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Ganancia de corriente. La ganancia real de corriente en el circuito de la Figura 106 viene dada por la relacin entre la corriente de salida y la de entrada, es decir: Ai = Corriente de Salida Corriente de Entrada

Segn el grfico de la Figura 108, IB vara entre 0 A y 200 A pico a pico, e IC entre 0,5 mA y 5,5 mA pico a pico, entonces: Ai = (5,5 0,5) mA 5 = = 2,5 3 (200 0) 10 mA 0,2

En la Figura 108, los puntos P1 indican que ambas corrientes alcanzan sus valores mximos y estn en fase, pero la tensin de salida pasa por su menor valor, porque de la tensin de alimentacin se resta una cantidad mayor por la diferencia de potencial en RL. En los puntos P2 la corriente toma su valor mnimo y la tensin de salida su mximo valor. Ganancia de tensin. La ganancia de tensin viene dada por la relacin entre la tensin de salida (producto del valor pico a pico de la corriente de colector por RL) y el voltaje de entrada (producto del valor pico a pico de la corriente de entrada por Ri): AV = Diferencia de Potencial de Salida Diferencia de Potencial de Entrada

Para el circuito en estudio: AV =

5 2.000 = 250 0,2 200

Ganancia de potencia. Este factor es igual al producto de la ganancia de corriente (Ai) por la ganancia de tensin (AV), es decir: AP = Ai AV

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En el presente estudio: AP = 25 250 = 6.250 9.2.6. Lmites de Funcionamiento Un amplificador debe funcionar de manera que amplifique cualquier seal sin deformarla ni distorsionarla, pero en la realidad esto no ocurre. Sucede que un amplificador distorsiona la seal de dos formas: 1. Si la seal de entrada es mayor de lo que el amplificador es capaz de recibir, se produce una saturacin; esto es, la amplificacin A (ganancia del amplificador) depende de las magnitudes de las seales, es decir, A disminuye por encima de cierto lmite y, como consecuencia, aumenta menos esa parte que las que estn por debajo de ese lmite, deformndose as la seal.

Figura 109

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Otra forma de ver la saturacin en un amplificador (por ejemplo, emisor comn), es a partir de un valor de la corriente. Se tiene que dentro de la regin de funcionamiento normal la corriente de colector sufre cambios muy pequeos al variar la tensin VCE; pero para valores muy bajos de VCE, la corriente de colector cambia bruscamente al variar VCE. La zona de saturacin comienza cuando la corriente del colector deja de depender o ser funcin de la corriente de entrada (IB o IE) y pasa a ser funcin de la tensin de colector. En la siguiente figura puede observarse dicha zona. 2. Siendo la ganancia A tambin funcin de la frecuencia, por lo que el circuito no responder de igual forma para distintas frecuencias. La curva que a continuacin se muestra (Figura 110) da la respuesta en frecuencia del amplificador, donde f1 y f2 son las frecuencias para las cuales la ganancia se reduce a A minan frecuencias de corte del amplificador. 2 y se deno-

Figura 110 Siendo [f1, f2] el intervalo donde A se puede considerar constante y f = f 2 f1 el ancho de banda del amplificador.

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Existen otros factores que limitan el funcionamiento del amplificador, como: Corriente de corte. Esta es la que circula por el circuito de colector, debido a la corriente inversa, cuando la corriente de entrada (IB o IE) es cero. En la Figura 109 se muestra la zona donde ocurre lo planteado, la cual se denomina regin de corte. Tensin mxima de colector. Es la mxima tensin de corriente continua que puede aplicarse al colector sin daar al transistor. Suele venir especificada por los fabricantes. La diferencia de potencial inmediatamente por encima de la tensin mxima de colector se denomina tensin de ruptura, la cual produce una corriente considerablemente elevada debido a que rompe la estructura cristalina del transistor, dandolo permanentemente. En la Figura 109 puede verse la regin de ruptura. La tensin de ruptura ser menor mientras mayor sea la corriente de base. Mxima disipacin de potencia en el colector. Representa el lmite del producto de los potenciales de corriente continua entre colectoremisor y las corrientes de colector. Esto quiere decir que si la indicacin dada por el fabricante con respecto a la disipacin mxima es de tres vatios, el producto VCE x IC no debe exceder dicho valor. La zona de funcionamiento para un amplificador aparece sealada en la Figura 109. Est comprendida entre las regiones de saturacin, corte, ruptura y la lnea de mxima disipacin de potencia del colector. El punto de trabajo debe estar en la curva de mxima potencia o a la izquierda de ella. La lnea punteada indica la zona de trabajo lineal, que como puede observarse es ms pequea que la regin en la que se puede trabajar.

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9.3. Parte Experimental Objetivos Identificar los terminales de un transistor, su tipo y polarizacin dentro de un circuito. Obtener la ganancia en corriente y voltaje de un circuito simple de amplificador transistorizado. Determinar las curvas caractersticas de un transistor y obtener el punto de operacin. Observar la saturacin de un amplificador y obtener el ancho de banda del amplificador. Procedimiento 1. Identificacin de los terminales de un transistor. Si el multmetro digital o analgico utilizado en el laboratorio tiene dentro de sus funciones, la de medir la ganancia del transistor (NPN o PNP), conecte los terminales del transistor a los bornes del multmetro (dispuestos para la medida de ganancia en transistores) e intercambie dichos terminales hasta que observe en pantalla el valor de la ganancia del transistor, bajo sta ltima condicin, los terminales del transistor correspondern a la configuracin indicada en los bornes del multmetro. Repita ste procedimiento para tres transistores diferentes. Si no dispone de un multmetro analgico o digital que permita la identificacin directa de los terminales de un transistor, el procedimiento para la identificacin ser el siguiente: 1.1. Identificacin de la base de un transistor a. Enumere las patitas del transistor o transistores. b. Mida con el multmetro la resistencia entre cada uno de los terminales del transistor (3 combinaciones). La base corresponder a la patita que presente con respecto a las otras dos una resistencia baja (polarizacin dire-

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cta) y otra alta, invirtiendo las puntas del multmetro (polarizacin inversa). c. Repita el procedimiento anterior para los otros transistores. 1.2. Determinacin del tipo de transistor a. Identificado el terminal correspondiente a la base del transistor, se conecta ste con la punta correspondiente a ohmios del multmetro y con la otra punta (correspondiente al comn del aparato) se conecta cualquiera de las otras patitas del transistor. Si la resistencia que indica el tester es baja (polarizacin directa), se trata de un transistor NPN y si es alta, de un PNP. b. Repita el procedimiento con los otros transistores. 1.3. Determinacin del emisor y colector del transistor. a. Una vez identificados la base y el tipo de transistor, escoja el NPN y monte el circuito de la Figura 111, eligiendo el colector y emisor aleatoriamente entre los dos terminales a identificar. Medir la corriente que pasa por el multmetro, invertir el colector y emisor y de nuevo medir la corriente. La escogencia del colector y emisor se da en la posicin de ms intensidad. b. Coloque en una tabla los valores medidos y en otra la identificacin segn la numeracin de los terminales del transistor.

Figura 111 2. Amplificacin de corriente y voltaje del transistor.

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2.1. Clculo de la amplificacin de corriente () del transistor. a. Escoja el transistor utilizado en la parte 1.3.a y mntese el circuito de la Figura 112. b. Ajustando el potencimetro de 470 (que regula la polarizacin de la base) hasta obtener una IB = 20 A (0,02 mA) y anote el valor correspondiente a IC. c. Repetir el procedimiento anterior para una IB = 50 A (0,05 mA). Utilice una tabla para registrar las medidas y luego proceda a calcular con la ecuacin correspondiente.

Figura 112 2.2. Clculo de la amplificacin de la tensin del transistor. a. Usando el mismo transistor de la parte 2.1.a, mntese el circuito de la Figura 113. Ajustar el potencimetro para dos valores de VBE (entre 0 V y 1 V) y medir los valores correspondientes para VCE. Utilice una tabla para registrar las medidas y luego proceda a calcular A con la ecuacin correspondiente.

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Figura 113