Act 5: Quiz 1 Revisin del intento 1

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Comenzado el Friday, 20 de April de 2012, 21:55 Completado el Friday, 20 de April de 2012, 22:48 Tiempo empleado 52 minutos 28 segundos Calificacin 21.5 de un mximo de 25 (86%) Pgina: 1 2 (Siguiente) Mostrar todas las preguntas en una pgina Question 1 Puntos: 2 El siguiente circuito representa:

Seleccione una respuesta. a. El circuito caracteristico de una Fuente DC regulada con Verdadero diodo zener b. El circuito caracteristico de una Fuente AC regulada con diodo convencional c. El circuito caracteristico de una Fuente AC regulada con diodo zener d. El circuito caracteristico de una Fuente DC regulada con diodo convencional El circuito caracteristico de una Fuente DC regulada con diodo zener Correcto Puntos para este envo: 2/2.

Question 2 Puntos: 2 Dos de las siguientes afirmaciones son ciertas dado el siguiente circuito donde un diodo esta polarizado directamente (corto circuito).

Seleccione al menos una respuesta. a. b. c. I = 93 mA I = 9,3 mA P = 86 mW Falso

d. V =10 V Incorrecto Puntos para este envo: 0/2. Question 3 Puntos: 2 En un material tipo n: Seleccione al menos una respuesta. a. b. Los huecos son portadores minoritarios Los huecos son portadores mayoritarios Si, pero existe otra alternativa

c. Los electrones son portadores minoritarios d. Los electrones son portadores mayoritarios Correcto Puntos para este envo: 2/2. Question 4 Puntos: 2

Si, pero existe otra alternativa

Se define la resistividad R=p Estas siglas significan: *l / S donde p = rho.(?, letra griega rho) como la magnitud caracterstica que mide la capacidad de un material para oponerse al flujo de una corriente elctrica, la resistividad del material ser: Seleccione al menos una respuesta. a. b. c. S es la seccin o rea R es la conductancia S representa la admitancia Parcialmente cierto.

d. l es la longitud Parcialmente cierto. R es la resistencia elctrica del material, l la longitud y S la seccin transversal. Correcto Puntos para este envo: 2/2. Question 5 Puntos: 2 En un diodo semiconductor pn se presentan dos efectos capacitivos que se deben tener en cuenta. Ambos tipos se presentan tanto en la zona de polarizacin directa como en la zona de polarizacin inversa. Uno de los efectos es superior que en el otro en cada zona. En la regin de polarizacin directa, el efecto significativo se conoce como: Seleccione una respuesta. a. b. c. Capacitancia de difusin (CD). Capacitanca expansiva Capacitanca reactiva Correcto

d. Capacitancia de transicin (CT) Correcto Puntos para este envo: 2/2. Pgina: 1 2 (Siguiente)
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Act 5: Quiz 1 Revisin del intento 1 Principio del formulario

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Final del formulario Comenzado el Completado el viernes, 20 de abril de 2012, 21:55 viernes, 20 de abril de 2012, 22:48

Tiempo empleado 52 minutos 28 segundos Calificacin 21.5 de un mximo de 25 (86%)

Pgina: (Anterior) 1 2 Mostrar todas las preguntas en una pgina Question 6 Puntos: 2 En los conductores, semiconductores y aislantes la banda de Valencia y la de conduccin se encuentran: Seleccione una respuesta. a. b. c. d. Correcto Puntos para este envo: 2/2. Question 7 Puntos: 2 Muy separadas, Unidas y levemente separadas respectivamente Unidas, levemente separadas y muy separadas respectivamente Muy separadas, levemente separadas y Unidas, respectivamente Levemente separadas, Unidas y muy separadas respectivamente Correcto

Segn la teoria del modulo de electrnica bsica encontramos que el diodo ideal cumple con la siguiente formula: RF = VF donde las siglas significan: / IF = 0v / KmA= 0 ? ( Para un Circuito cerrado) Seleccione al menos una respuesta. a. b. c. d. IF es el valor de la corriente a travs del mismo. K es el valor 2,7177 RF es el valor de la resistencia directa. VF es el valor del voltaje de polarizacin inverso. Parcialmente cierto. Parcialmente cierto.

RF es el valor de la resistencia directa. VF es el valor del voltaje de polarizacin directa. IF es el valor de la corriente a travs del mismo. K es cualquier valor positivo de corriente. Correcto Puntos para este envo: 2/2. Question 8 Puntos: 2

La potencia en la resistencia de carga del circuito mostrado en la siguiente figura es?

Seleccione una respuesta.

a. b. c. d.

P = 10 W P = 86 mW P = 50 mW P = 95 W VERDADERO

P=I.V P = I2 . R P = V2 / R Correcto Puntos para este envo: 2/2. Question 9 Puntos: 2

El mximo potencial de polarizacin inverso que puede soportar un diodo antes de entrar en la zona Zener se denomina: Seleccione una respuesta. a. b. c. d. Correcto Puntos para este envo: 2/2. Question 10 Puntos: 2 La siguiente figura representa: Voltaje de polarizacin Potencial de alimentacin Corriente inversa Voltaje pico inverso (VPI) Correcto

Seleccione al menos una respuesta. a. b. c. d. De nivel positivo De nivel negativo Un recortador Un sujetador Parcialmente cierto. Falso.

Es un sujetador de nivel positivo Parcialmente correcto Puntos para este envo: 1/2. Question 11 Puntos: 1

Para el circuito de la figura la corriente del circuito es de:

Seleccione una respuesta. a. b. 3.8 mA 0.25 A

c. d. Correcto

25 mA 6.5 A

Incorrecto

Puntos para este envo: 1/1. Question 12 Puntos: 1 Relacione las siguientes caracteristicas con uno de los elementos citados: Diodo Zener Diodo Led El transistor El Diodo
Conduce en ambos sentidos.

Tiene la facultad de emitir luz

Elemento Unijuntura

Elemento constituido por tres capas

Parcialmente correcto Puntos para este envo: 0.5/1. Question 13 Puntos: 1

Los tomos de Germanio y Silicio cuentan con el siguiente nmero de electrones de valencia. Seleccione una respuesta. a. b. c. d. Correcto Puntos para este envo: 1/1. 2 5 4 3 Correcto

Question 14 Puntos: 1

La energa se expresa tambin en joules y la carga de un electrn voltio es, entonces: Seleccione una respuesta. a. b. c. d. 1 Ev= 1,6 X 10-16 J 1 Ev= 1,8 X 10-19 J 1 Ev= 1,6 X 10-19 J 1 Ev= 2,0 X 10-29 J VERDADERO

1 Ev= 1,6 X 10-19 J Correcto Puntos para este envo: 1/1. Question 15 Puntos: 1 Cual es el valor promedio (CD) de la forma de onda del voltaje rectificado de media onda que se muestra en lafigura:

Seleccione una respuesta. a. b. c. 28,83v 31,83v 40v Correcto

d. Correcto

35v

Puntos para este envo: 1/1. Pgina: (Anterior) 1 2 Principio del formulario
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Act 9: Quiz 2 Revisin del intento 1 Principio del formulario

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Final del formulario Comenzado el Completado el martes, 8 de mayo de 2012, 09:02 martes, 8 de mayo de 2012, 09:59

Tiempo empleado 56 minutos 24 segundos Calificacin Question 1 Puntos: 2 12.5 de un mximo de 25 (50%)

la siguiente figura corresponde a:

Seleccione una respuesta. a. Son los simbolos de un Diac.

b.

Son los simbolos de un

Ruptura Cmos. c. d. Son los simbolos de un Triac Smbolos de transistores Verdad. Son los Smbolos de transistores NMOS y PMOS, respectivamente.

NMOS y PMOS.

Son los Smbolos de transistores NMOS y PMOS, respectivamente. Correcto Puntos para este envo: 2/2. Question 2 Puntos: 2

La siguiente figura nos representa a) la estructura fsica, b) smbolo y c) caractersticas I-V de:

Seleccione una respuesta. a. b. c. d. SCR LASCR SIDAC SBS la estructura fsica, b) smbolo y c) caractersticas I-V. de un SIDAC.

Es la estructura fsica, b) smbolo y c) caractersticas I-V. de un SIDAC. Correcto Puntos para este envo: 2/2. Question 3 Puntos: 2

La curva caracterstica del FET define con precisin como funciona este dispositivo. En ella distinguimos tres regiones o zonas importantes una de ellas es la Zona de Saturacin, en esta zona a diferencia de los transistores bipolares el FET: Seleccione una respuesta. a. Amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la Correcto

tensin VGS. b. Varia la tensin entre drenador y surtidor varia la ID permaneciendo

constante VGS. c. d. Correcto Puntos para este envo: 2/2. Question 4 Puntos: 2 Se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensin VGS. La intensidad de Drenador es nula.

Las ecuaciones analticas de los JFET y los MOSFET son muy diferentes porque sus estructuras fsica son muy diferentes Seleccione una respuesta. a. b. c. Si la Afirmacin es Verdadera, pero la Razn es una proposicin FALSA. Si la Afirmacin es Falsa, pero la Razn es una proposicin verdadera Si la Afirmacin y la Razn son Verdaderas y la Razn es una explicacin

CORRECTA de la afirmacin d. Si la Afirmacin y la Razn son verdaderas, pero la Razn NO es una Incorrecto

explicacin CORRECTA de la Afirmacin. Incorrecto Puntos para este envo: 0/2. Question 5

Puntos: 2

Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo elctrico para crear una canal de conduccin. Son dispositivos mas importantes que los JFET ya que la mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnologa MOS ellos pueden ser: Seleccione al menos una respuesta. a. b. c. d. MOSFET de tipo incremental. MOSFET de polarizacin decremental. MOSFET de polarizacin incremental. MOSFET de tipo decremental. Falso Parcialmente correcto

Parcialmente correcto Puntos para este envo: 1/2. Question 6 Puntos: 2

El circuito representa:

Seleccione una respuesta. a. b. c. d. Un circuito de regulador de luz, donde el UJT 2N4870 dispara un DIAC. Un circuito de regulador de luza, donde el UJT 2N4870 dispara un SCR. Un circuito de regulador de luz, donde el UJT 2N4870 dispara un TRIAC. Un circuito de regulador de luza, donde el BJT 2N4870 dispara un TRIAC. Falso

Este ejemplo de circuito de regulador de luz se indica en la figura, en este caso, el UJT 2N4870 es el encargado de disparar al TRIAC. Incorrecto Puntos para este envo: 0/2. Question 7 Puntos: 2

El siguiente grafico nos ilustra:

Seleccione una respuesta. a. Circuitos de proteccin de fuga

de Voltaje b. c. Son circuitos de proteccin. Circuitos de proteccin de fuga Correcto. Son circuitos de proteccin contra transitorios de a) tensin y b)intensidad.

de corriente d. Circuitos de proteccin de

corrientes parasitas Circuitos de proteccin contra transitorios de a) tensin y b)intensidad. Correcto Puntos para este envo: 2/2. Question 8 Puntos: 2 Una de las siguientes afirmaciones es una desventaja de los FET. Seleccione una respuesta. a. b. c. d. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica. Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT. La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga Es falso

Incorrecto

Puntos para este envo: 0/2. Question 9 Puntos: 2 Dos de las siguientes afirmaciones se les considera ventajas de un FET. Seleccione al menos una respuesta. a. Son dispositivos controlados por tensin con una

impedancia b. c. Los FET presentan una linealidad muy pobre. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. La afirmacin es cierta parcialmente.

d.

Los FET presentan una respuesta en frecuencia

pobre. Las ventajas son: 1. Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012?). 2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. Parcialmente correcto Puntos para este envo: 1/2. Question 10 Puntos: 2

La siguiente figura representa:

Seleccione una respuesta. a. b. Es el smbolo, circuito equivalente y caractersticas I-V de un optriac El SBS o Silicon Bidirectional Switch su smbolo, circuito equivalente y

caractersticas c. d. Es el smbolo, circuito equivalente y caractersticas del Optoacoplador El smbolo, circuito equivalente y caractersticas cicuito de disparo

Falso

Es un SBS: a) smbolo, b) circuito equivalente y c) caractersticas I-V. Incorrecto Puntos para este envo: 0/2. Question 11 Puntos: 1

La tabla nos muestra las polarizaciones recomendadas en un NMOS, Cual polarizacin se debe cambiar? NMOS VGS < 0 VDS >0 ID >0 VT > 0 Seleccione una respuesta. a. b. c. d. Polarizacin VDS Polarizacin VT Polarizacin VGS Polarizacin ID Correcto

Correcto Puntos para este envo: 1/1. Question 12 Puntos: 1 Las caractersticas de la autopolarizacin para los FETS son: Seleccione al menos una respuesta. a. b. c. d. Requiere dos fuentes de polarizacin No requiere de dos fuentes de polarizacin Vgs lo determina el voltaje en Rd Vgs lo determina el voltaje a travs del resistor de la fuente Si pero existe otra caracteristica Incorrecto

(terminal Source) Parcialmente correcto Puntos para este envo: 0.5/1. Question 13 Puntos: 1

La figura nos muestra un JFET con polarizacin

Seleccione una respuesta.

a. b. c. d.

Polarizacin por tensin de base. Polarizacin fija Polarizacin por corriente de base Polarizacin por divisin de tensin Incorrecto

Incorrecto Puntos para este envo: 0/1. Question 14 Puntos: 1

La siguiente fomula hace referencia a:

Seleccione una respuesta. a. b. c. d. La potencia eficaz entregada a la carga a un SCR. La potencia eficiente entregada a la carga a un SCR La potencia alterna entregada a la carga a un SCR La potencia cuadratica entregada a la carga a un SCR Falso

La potencia eficaz entregada a la carga en un SCR se define como el producto de la corriente eficaz por la tensin eficaz. Incorrecto Puntos para este envo: 0/1. Question 15 Puntos: 1

La polarizacin de un FET exige Seleccione una respuesta. a. b. c. d. Correcto Puntos para este envo: 1/1. Que las uniones p-n esten polarizadas inversamente La puerta tenga una tensin menos negativa que la fuente La tensin en la puerta se aproximadamente igual a 0 V La tensin del drenador debe ser menor que la de la fuente Correcto