Você está na página 1de 366

Contribuies para Anlise, Clculo e Modelagem de Sistemas de Vcuo

Francisco Tadeu Degasperi


Tese apresentada Faculdade de Engenharia Eltrica e de Computao da Universidade Estadual de Campinas para a obteno do Ttulo de Doutor em Engenharia Eltrica. Orientador: Prof. Dr. Vitor Baranauskas.

Banca Examinadora:
Prof. Dr. Dirceu Pereira Prof. Dr. Furio Damiani Prof. Dr. Jos Alexandre Diniz Prof. Dr. Joo Roberto Moro Prof. Dr. Peter Jrgen Tatsch Prof. Dr. Srgio Gama Prof. Dr. Vitor Baranauskas

Departamento de Semicondutores, Instrumentos e Fotnica Faculdade de Engenharia Eltrica e de Computao Universidade Estadual de Campinas

2006

Dedico este trabalho aos meus pais, Francisco e Armelinda.

ii

Agradecimentos

Ao meu orientador Prof. Dr. Vitor Baranauskas, que me acolheu em seu grupo de pesquisa, onde sempre encontrei um clima de cooperao em um ambiente de profissionalismo, incentivo e cordialidade. Ao Departamento de Semicondutores, Instrumentos e Fotnica da FEEC da UNICAMP pela recepo no programa de ps-graduao. Faculdade de Tecnologia de So Paulo FATEC-SP, do Centro Estadual de Educao Tecnolgica Paula Souza CEETEPS ligado e vinculado Universidade Estadual Paulista UNESP pelo incentivo e apoio pesquisa e s atividades de ensino junto ao Laboratrio de Tecnologia do Vcuo da FATEC-SP.

iii

Contribuies para Anlise, Clculo e Modelagem de Sistemas de Vcuo Contedo


Dedicatria..........................................................................................................................................ii Agradecimentos.................................................................................................................................iii Contedo............................................................................................................................................iv Resumo/Abstract..............................................................................................................................vii

Captulo 1. Cincia e Tecnologia do Vcuo.....................................................................................1 1.1 Introduo..............................................................................................................................1 1.2 Organizao dos Captulos desta Tese...................................................................................5 1.3 Tpicos de Projeto em Tecnologia do Vcuo........................................................................8 1.4 Breve Histrico da Cincia e da Tecnologia do Vcuo.......................................................10 1.5 Aplicaes da Tecnologia do Vcuo....................................................................................14 1.6 Abordagens nos Clculos, Anlises e Modelagens em Tecnologia do Vcuo....................21 1.6.1 Tratamento Discreto.................................................................................................23 1.6.2 Tratamento Contnuo................................................................................................28 1.7 Alcance, Limitaes e Dificuldades nos Clculos e nas Anlises Tradicionais em Tecnologia do Vcuo................................................................................31 1.8 Sntese da Tese.....................................................................................................................33 1.9 Referncias........ ..................................................................................................................35

Captulo 2. Princpios Fsicos e Equaes Fundamentais............................................................41 2.1 Introduo............................................................................................................................41 2.2 Teoria Cintica dos Gases para Projetos de Sistemas de Vcuo.........................................43 2.3 Fontes de Gases e Vapores nos Sistemas de Vcuo............................................................48 2.4 Transporte de Gases em Vcuo...........................................................................................56 2.5 Modelagem e Anlise Discretas de Sistemas de Vcuo......................................................58 2.6 Modelagem e Anlise Contnuas de Sistemas de Vcuo....................................................61 2.6.1 Equao para o Campo de Presso Unidimensional...............................................63

iv

2.6.2

Equao para o Campo de Presso Bidimensional.................................................73

2.6.2.1 Equao para o Campo de Presso Bidimensional Coordenadas Cartesianas.......................................................................................................75 2.6.2.2 Equao para o Campo de Presso Bidimensional Coordenadas Polares ............................................................................................................76 2.6.3 Equao para o Campo de Presso Tridimensional Coordenadas Cartesianas e Cilndricas.........................................................................................78 2.7 Formulaes Discreta e Contnua como Complementares..................................................82 2.9 Referncias..........................................................................................................................84

Captulo 3. Sistemas de Vcuo Complexos....................................................................................91 3.1 Introduo............................................................................................................................91 3.2 Modelagem Discreta de Sistemas de Vcuo........................................................................93 3.2.1 Sistema de Pr-Vcuo com Bomba Roots.................................................................95 3.2.2 Sistema de Alto-Vcuo com Bomba Difusora........................................................108 3.3 Modelagem Contnua de Sistemas de Vcuo....................................................................124 3.3.1 Tubo com Taxa de Degaseificao Constante........................................................126 3.3.2 Tubo com Trechos de Diferentes Taxas de Degaseificao...................................129 3.3.3 Tubo com Velocidades de Bombeamento Diferentes nas Extremidades...............134 3.3.4 Tubo com Fonte de Gs Transiente Impulsiva.......................................................140 3.3.5 Tubo com Vrias Fontes de Gases Transiente Impulsiva.......................................146 3.3.6 Tubo com Fonte Gs Transiente Impulsiva no Tempo e Extensiva na Posio....148 3.3.7 Tubo com Fonte de Gs Transiente Impulsiva no Tempo e na Posio e com Fonte de Gs Impulsiva no Tempo e Extensiva na Posio.......................156 3.3.8 Campo de Presso em Tubo Cnico com Degaseificao Constante e Fonte de Gs Transiente Impulsiva na Posio e no Tempo.............................163 3.3.9 Campo de Presso em Estruturas Aceleradoras com Cavidades Ressonantes......166 3.3.10 Campo de Presso em Sistemas de Vcuo Bidimensionais...................................168 3.4 Discusso..........................................................................................................................178 3.5 Alcance e Limitaes das Formulaes Discreta e Contnua...........................................178 3.6 Referncias.......................................................................................................................179

Captulo 4. Concluso, Trabalhos Futuros e Perspectivas.......................................................183

Apndices. .......................................................................................................................................187 Apndice A. Processo de Bombeamento em Vcuo Abordagem Discreta.................................189 Apndice B. Equao de Difuso de Gases no Regime de Escoamento Molecular.......................209 Apndice C. Expresses Matemticas para as Curvas de Velocidade de Bombeamento de Bombas de Vcuo.........................................................................263 Apndice D. Comparao entre a Abordagem Discreta e a Abordagem Contnua na Modelagem de Sistemas de Vcuo........................................................................279 Apndice E. Modelagem do Vazamento Virtual.............................................................................307 Apndice F. Modelagem da Injeo Controlada de Gases..............................................................329 Apndice G. Escoamento dos Gases e Vapores no Regime de Escoamento Molecular Considerado como um Fenmeno de Difuso.............................................................345

vi

Resumo O principal objetivo deste trabalho foi contribuir para o clculo, anlise e modelagem de sistemas de vcuo de uso geral. As contribuies ocorreram na criao, desenvolvimento e aprimoramento de ferramentas matemticas tanto analticas como numricas para modelar e analisar detalhadamente sistemas de vcuo. Foram consideradas duas maneiras de modelar sistemas de vcuo, denominadas de formulao discreta e contnua. Na formulao discreta os sistemas de vcuo so tratados de modo que a presso em funo do tempo na cmara de vcuo pode ser obtida a partir de especificaes das fontes de gases e vapores, das dimenses da linha de bombeamento e das bombas de vcuo. Foram considerados nos clculos e nas modelagens os quatro regimes de escoamento presentes nos sistemas de vcuo em geral. Foram tambm consideradas em detalhe as condutncias e as fontes gasosas importantes para processos em vcuo em geral, alm de obtidas as expresses matemticas para as curvas de velocidade de bombeamento das bombas de vcuo comumente utilizadas em circuitos de vcuo. Foram utilizados nas anlises numricas os mtodos de Euler-Heun e Runge-Kutta de segunda e quarta ordens. Na formulao contnua os sistemas de vcuo foram modelados de forma que a presso possa ser determinada em todas as suas partes e em funo do tempo. Foram obtidas as equaes de difuso para sistemas de vcuo unidimensionais, bidimensionais e tridimensionais estacionrios e transientes. Foram estudados em detalhe e exemplificados sistemas de vcuo por meio das formulaes discreta e contnua. Sistemas de vcuo com geometrias tubulares e planares foram modelados com o estabelecimento preciso das definies das grandezas condutncia especfica e throughput especfico para as fontes de gases e condies de contorno pertinentes descrio a partir de equaes diferenciais parciais. Para exemplificar os conceitos e abordagens desenvolvidas, foram tratados de casos realsticos encontrados em laboratrios e na indstria. Palavras-Chaves: Tecnologia do Vcuo, Sistemas de Vcuo, Modelagem em Vcuo, Equao de Difuso, Campo de Presso em Vcuo.

Abstract The main propose of this work is to toward in modeling of general vacuum systems. In addition, the aims of this work are to create, develop and improve analytic and numerical mathematical tools in order to model and to analyze vacuum systems in detail. Two different modeling ways to vacuum systems have been considered, denoted discrete and continuum formulations. In the discrete formulation the vacuum systems are treated in a way such that inside the vacuum chamber the pressure as a function of time can be obtained from the specification of the gas and vapor sources, from the pumping line dimensions and from the choice of the vacuum pumps. The conductance and the gas sources were considered important to vacuum processes in general besides the mathematical expressions obtained to pumping speed curves of the vacuum pumps. The numerical analysis was done through the Euler-Heun and the Runge-Kutta of second and fourth order methods. In the continuum formulation the vacuum systems were modeled in a way such that the pressure can be determined in all parts and as a function of the time. To perform this modeling were defined specific conductance and specific throughput to general gas sources. Vacuum systems with one-dimension or tubular forms and two-dimensions or planar forms were studied in detail and exemplified with the definitions of the quantities and the appropriate partial differential equations boundary conditions. The concepts, definitions and approach were applied in realistic cases, with typical laboratory and industry dimensions. Keywords: Vacuum Technology, Vacuum Systems, Vacuum Modeling, Diffusion Equation, Pressure Field in Vacuum.
vii

Captulo 1
Cincia e Tecnologia do Vcuo
Neste captulo apresentamos uma viso geral da tecnologia do vcuo com seus objetivos e aplicaes, assim como os seus mtodos de anlise, clculo e modelagem. Discutimos os principais objetivos e a sntese deste trabalho de tese e a sua organizao. Fizemos uma exposio da insero da tecnologia do vcuo na atualidade tanto na pesquisa bsica como na pesquisa aplicada, assim como, em inmeras atividades industriais. Apresentamos um breve relato histrico dos marcos do desenvolvimento da cincia e da tecnologia do vcuo. Continuando, discutimos como so realizados os clculos e as anlises dos sistemas de vcuo em geral sistemas de pr-vcuo e alto-vcuo , enfatizando o alcance e as limitaes da abordagem tradicional disponvel para os projetos. Apresentamos uma viso dos mtodos para a modelagem de sistemas de vcuo, discutindo as dificuldades para a sua construo, a obteno das solues matemticas e as simplificaes feitas.

1.1 Introduo.
A tecnologia do vcuo utilizada em muitas etapas de fabricao e transformao de diversos produtos e tambm utilizada intensamente na pesquisa tanto bsica como aplicada. Os sistemas de vcuo tm inmeras formas e dimenses decorrentes das diferentes tarefas e quantidades de gases presentes nos processos realizados baixa presso. H tambm processos, que mesmo ocorrendo em presso atmosfrica, ou ainda em altas presses, utilizam a tecnologia do vcuo. Nestes casos, realizamos a remoo dos gases, e em seguida, introduzimos gases ou vapores de processo ou para armazenamento. A diversificao dos sistemas de vcuo faz com que seus clculos e projetos sejam geralmente distintos entre si e temos que na maior parte deles de difcil execuo, particularmente quando os detalhes inerentes a cada caso devem ser observados e levados em considerao. Do ponto de vista prtico, para uma escolha adequada da instrumentao utilizada nas instalaes de sistemas de vcuo, fundamental uma compreenso dos conceitos bsicos envolvidos no processo de bombeamento de gases e vapores em baixa presso. Desta forma, o modelo fsico-matemtico a ser construdo deve representar adequada e suficientemente o processo em estudo e anlise.

Assim, a identificao dos detalhes e das particularidades do sistema de vcuo assume uma importncia fundamental, uma vez que eles influenciaro e, em muitos casos, determinaro objetivamente a escolha adequada dos equipamentos da instalao sendo projetada. Geralmente os equipamentos e instrumentos utilizados nos sistemas de vcuo so caros. Somente este ltimo fato, acreditamos, justifica a elaborao de um estudo aprofundado do processo a ser realizado, com a construo de modelos, clculos e anlises, com o propsito de escolher adequadamente a instrumentao e os equipamentos. Cabe mencionar que ocorrem com os projetos de sistemas de vcuo, mesmos os de grande porte fabricados por empresas conceituadas, a especificao inadequada de alguns de seus instrumentos e equipamentos. Nestes casos constatamos, via de regra, que no houve um estudo suficientemente aprofundado do processo a ser realizado em vcuo. Em geral, simplificaes exageradas foram o motivo principal, afastando demasiadamente a modelagem da realidade fsica. Ilustrando uma situao como comum em tecnologia do vcuo: como decorrncia de um erro de projeto, podemos ter o caso da especificao de bombas de vcuo insuficientes para que se possa atingir uma presso previamente requerida. Neste caso podemos corrigir este erro de projeto aumentando a velocidade de bombeamento, fazendo, por exemplo, a instalao suplementar de uma ou mais bombas de vcuo. Situaes como estas trazem um aumento dos custos e podem diminuir substancialmente a remunerao das empresas fabricantes, e ainda, quase certamente atrasam a instalao e a operao completa do equipamento. Sob o ponto de vista estritamente da natureza fsica do vcuo importante mencionar que a remoo total das molculas dos gases e vapores presentes em um recipiente uma tarefa impossvel. Este fato, antes de ser uma limitao devido s questes prticas, uma limitao de princpio fsico. Assim, por mais que se retirem molculas do gs da cmara de vcuo, ainda sempre teremos inmeras molculas no volume devido s questes fsicas inerentes natureza. Discutiremos este fato nos prximos captulos ao apresentarmos e quantificarmos as fontes de gases encontradas nos sistemas de vcuo. Os processos e aplicaes de vcuo acontecem em uma larga faixa de presso. Temos que tanto nas aplicaes industriais como nas aplicaes cientficas do vcuo a presso se estende por 15 ordens de grandeza, ou seja, da presso atmosfrica ao nvel do mar de aproximadamente 105 Pa ou 103 mbar at presses da ordem de 10-10 Pa ou 10-12 mbar. Mais precisamente, a atmosfera padro igual a 101.323 Pa ou 1013,23 mbar ou ainda 760 torr. Em situaes muito particulares, geralmente em laboratrios, foram alcanadas presses da ordem de 10-12 Pa ou 10-14 mbar. Definimos vcuo da seguinte forma: so as presses que esto abaixo da presso atmosfrica local, ou de outra forma, qualquer presso menor que a presso atmosfrica local ou ambiente.

Como j afirmamos, os trabalhos que envolvem a tecnologia do vcuo esto cada vez mais sofisticados e exigentes, aumentando as dificuldades de projeto, impondo desta forma uma modelagem fsico-matemtica bastante elaborada. Apesar do exposto, constatamos que os recursos de anlise e clculo disponveis no so suficientemente poderosos e abrangentes para tratar detalhadamente as situaes que exigem uma modelagem mais sofisticada. Cabe um esclarecimento com relao a esta ltima afirmao: queremos dizer que no h recursos prticos disponveis de clculo para a maioria dos profissionais que atuam na indstria ou na pesquisa e necessitam construir modelos para realizar anlises detalhadas de sistemas de vcuo. As grandes empresas fabricantes de equipamentos de vcuo tm programas computacionais para os seus clculos e modelagens, sendo estes programas computacionais de uso restrito destas empresas e so em geral bastante especializados e geralmente desenvolvidos para aplicaes especficas. Assim, os profissionais do setor industrial e de pesquisa que trabalham com projetos de vcuo sentem a necessidade de plataformas para os seus clculos a fim de realizar de forma segura os seus projetos. Fazendo um paralelo, vemos que os profissionais da rea de eletro-eletrnica encontram disponveis vrias ferramentas computacionais que atendem bastante bem os seus trabalhos de anlise e modelagem de circuitos eltricos em geral. Nestes casos as ferramentas computacionais so bem desenvolvidas e disseminadas e com vasta literatura disponvel, apresentando vrios casos de estudos propostos e solucionados. A maioria dos textos sobre tecnologia do vcuo apresenta um estudo suficientemente profundo em suas bases fsicas e fundamentais sobre o comportamento dos gases e vapores em sistemas de vcuo. Ocorre que h uma distncia bastante grande entre os conceitos apresentados e a sua utilizao para a realizao de clculos detalhados de sistemas de vcuo. Identificamos que a teoria disponvel em geral de difcil implementao, tornando a maior parte destes bons trabalhos sobre os fundamentos tericos frustrantes e algumas vezes incuos. Do ponto de vista prtico, para a maioria dos projetistas de sistemas de vcuo, cria-se uma sensao de impotncia frente a todo o material terico. A modelagem detalhada de sistemas de vcuo requer um bom conhecimento do processo especfico em questo e ainda sobre o comportamento do escoamento dos gases nas tubulaes e orifcios. Em geral, os problemas matemticos originados na modelagem so do tipo de equaes diferenciais ordinrias e parciais. Ainda, cabe realar que o escoamento dos gases rarefeitos fortemente dependente da regio de presso temos quatro tipos de regimes de escoamento ocorrendo em sistemas de vcuo em geral , e h conceitos fsicos bastantes distintos para cada um desses regimes de escoamento, que devem estar presentes nos clculos. Somente este ltimo fato ocupa uma boa parte da modelagem detalhada de sistemas de vcuo.

Em suma, considerando todos os aspectos citados acima identificamos a necessidade de uma boa plataforma de clculos abrangente, profunda e de uso amigvel! para as demandas atuais na rea de tecnologia do vcuo. Exemplificando uma situao corriqueira: muitas aplicaes do vcuo exigem o bombeamento de gases e vapores na regio de pr-vcuo. Nesta regio de presso as condutncias tm seus valores fortemente dependentes da presso, assim como a velocidade de bombeamento de algumas bombas de vcuo, portanto, a velocidade efetiva de bombeamento velocidade que efetivamente bombeia a cmara de vcuo tambm depender fortemente da presso. Desta forma, para os sistemas de pr-vcuo, a obteno dos valores da presso em funo do tempo na cmara de vcuo necessariamente passa pela soluo numrica de uma equao diferencial ordinria no linear. Do exposto acima, pretendemos justificar o desenvolvimento e a construo de uma plataforma para realizar clculos detalhados em tecnologia do vcuo, uma vez que as anlises de fato, comumente realizadas nos projetos de sistemas de vcuo por meio dos recursos disponveis, so muito simplificadas. Por exemplo, em muitos clculos de sistemas de pr-vcuo a condutncia da linha de bombeamento considerada constante tanto no regime de escoamento viscoso laminar como no regime transiente, sendo que esta suposio completamente fora da realidade. Tambm, consideramos constante a velocidade de bombeamento das bombas de pr-vcuo. Como conseqncia dessas simplificaes excessivas, teremos que a velocidade efetiva de bombeamento ser tambm constante. Em situaes como estas, os clculos relativos evoluo temporal da presso na cmara de vcuo podero apresentar valores bastante distintos dos observados experimentalmente, dependendo das dimenses da linha de bombeamento. Certamente, podemos considerar a anlise deste tipo de situao adotando intervalos de presso e supondo modelos simples para cada um desses intervalos, e assim, obter a soluo para o intervalo de presso de trabalho. Isto faz parte da essncia da soluo numrica de problemas que so formulados por meio de equaes diferenciais. Neste contexto, desejvel a disponibilidade de uma plataforma confivel e verstil para a anlise de sistemas de vcuo que considere aspectos e particularidades relevantes de projeto, sem a necessidade de introduzir simplificaes exageradas que adultere e descaracterize a modelagem do sistema fsico. Uma caracterstica encontrada nos clculos convencionais realizados nos projetos de sistemas de vcuo, mesmo com uma plataforma sofisticada para clculos, que obtemos um valor nico de presso para um dado instante para todo o espao da cmara de vcuo. Isto intrinsecamente decorrente do tipo de modelagem adotado. Este o assunto central deste trabalho de tese. Ocorre que para muitos sistemas de vcuo, os valores de presso so fortemente dependentes da posio na cmara de vcuo. A formulao matemtica disponvel para a anlise de

sistemas de vcuo, em geral encontrada nos textos sobre tecnologia do vcuo, somente nos fornece um valor nico de presso em funo do tempo para todo o volume da cmara de vcuo. Este valor nico de presso podemos chamar grosseiramente de presso mdia; no h preciso no termo presso mdia. Em muitas aplicaes da tecnologia do vcuo desejvel, sendo mesmo que em alguns casos determinante e essencial, o conhecimento da presso em cada ponto da cmara de vcuo em funo do tempo. Alm da presso, tambm devemos muitas vezes conhecer o seu gradiente nas regies onde estaro sendo realizados os processos em vcuo. O presente trabalho visa contribuir para desenvolver e criar um instrumental para anlise detalhada de sistemas de vcuo, que inclua particularidades do processo de bombeamento de gases e vapores, e ainda, que torne possvel determinar a distribuio espacial da presso em funo do tempo, alm de instrumental para a modelagem de sistemas de vcuo por meio de anlises convencionais. Do ponto de vista prtico, criamos uma plataforma de clculo para servir de instrumental fsico-matemtico para modelagens detalhadas de sistemas de vcuo de uso geral e amplo. A teoria e os programas computacionais desenvolvidos so amplamente discutidos, analisados, exemplificados e documentados. Complementando, discutimos o alcance de utilizao do material de anlise desenvolvido e sua extenso de aplicao. Tambm apresentamos criticamente as possveis limitaes e restries nos modelos construdos. Nestes casos, apresentaremos possveis alternativas para adequar uma melhor modelagem realidade fsica.

1.2 Organizao dos Captulos desta Tese.


Esta tese est dividida em 4 captulos e 7 apndices. No Captulo 1 Cincia e Tecnologia do Vcuo apresentamos as idias e objetivos principais da tecnologia do vcuo, com um breve histrico da cincia e da produo do vcuo, e tambm as principais aplicaes desta tecnologia tanto na indstria como na pesquisa. Em seguida, apresentamos as abordagens e mtodos usuais adotados pelos projetistas na rea de vcuo, enfatizando o seu alcance e as suas limitaes. Definimos os dois tipos de tratamento fsico-matemtico dos sistemas de vcuo: o discreto e o contnuo, como convencionamos cham-los. Detalhamos e discutimos os resultados que podem ser alcanados por meio destes dois tipos de anlise, com as suas dificuldades inerentes e as suas limitaes. Apresentamos em seguida, em sua forma mais simples, a equao diferencial fundamental para o processo de bombeamento em vcuo, explicitando e explicando os termos referentes s vrias fontes de gases e vapores importantes tecnologia do vcuo. No Captulo 2 Princpios Fsicos e Equaes Fundamentais apresentamos os conceitos fsicos fundamentais para a construo da formulao matemtica necessria para a anlise detalhada de sistemas de vcuo. Discutimos as abordagens discreta e contnua dos sistemas de
5

vcuo e as suas formulaes, assim como as vantagens e limitaes em cada uma delas. Ainda, discutimos e argumentamos as duas formulaes como sendo complementares entre si. Para a formulao discreta de sistemas de vcuo obtivemos a equao diferencial fundamental para o processo de bombeamento de gases e vapores. Apresentamos tambm uma descrio das fontes gasosas importantes para a modelagem de sistemas de vcuo. No caso da formulao contnua de sistemas de alto-vcuo e ultra alto-vcuo obtida a equao diferencial a derivadas parciais para o campo escalar de presso para os casos unidimensional, bidimensional e tridimensional, dependentes e no-dependentes do tempo. So discutidos os aspectos fsicos e matemticos relativos ao estabelecimento das condies de contorno e condio inicial para as modelagens tanto discreta como contnua. Finalizando, feita uma discusso sobre a considerao do fenmeno de transporte de gases e vapores no regime de escoamento molecular como sendo um fenmeno de origem difusiva. No Captulo 3 Sistemas de Vcuo Complexos so apresentados vrios casos de estudos, usando as formulaes obtidas, em problemas bastante atuais e relevantes em tecnologia do vcuo. No caso da formulao para o tratamento discreto de sistemas de vcuo apresentamos sistemas de pr-vcuo usando bomba mecnica de palhetas rotativas de dois estgios, usando bomba roots booster mecnica. Para os sistemas de alto-vcuo usando a bomba injetora de vapor booster de vapor, a bomba de difuso e a bomba turbomolecular. Nestas situaes obtivemos a presso na cmara de vcuo em funo do tempo, sendo considerada a condutncia como dependente da presso, quando for o caso, e ainda considerada a velocidade de bombeamento como funo da presso. Estes problemas so resolvidos numericamente por meio de cdigos computacionais desenvolvidos neste trabalho de tese utilizando os programas MathcadTM e MapleTM. Na abordagem contnua de sistemas de alto-vcuo so considerados casos com geometria predominantemente de uma dimenso espacial geometrias tipo tubular. Tambm, modelamos sistemas de alto-vcuo com geometria de duas dimenses espaciais, geometrias com uma de suas dimenses pequenas comparadas s outras duas dimenses. Apresentamos as solues de alguns problemas de interesse para o caso bidimensional, tanto problemas estacionrios como transientes, com fontes gasosas transientes impulsivas. Finalizando o captulo, discutimos sistemas de alto-vcuo de geometria arbitrria, apresentando o alcance e as limitaes deste tipo de anlise e modelagem. O Captulo 4 Concluso, Crticas e Perspectivas traz a concluso do trabalho por meio de uma discusso crtica das reais possibilidades da utilizao da modelagem dos sistemas de vcuo utilizando a formulao contnua. Apresentamos tambm uma discusso sobre as grandezas de condutncia especfica e a funo matemtica para as fontes de gases e vapores, principalmente em duas e trs dimenses obtidas neste trabalho. Para o caso da abordagem discreta de sistemas de

vcuo apresentamos o fato de a plataforma desenvolvida para a modelagem, anlise e clculo estar disponvel para uso pblico. Apresentamos uma discusso crtica sobre o seu alcance e as possveis melhorias que podem ser implementadas nos cdigos numricos desenvolvidos. Com relao s perspectivas de trabalhos futuros, apresentamos uma lista de possveis problemas de interesse a serem estudados e comparados os seus resultados com o mtodo de Monte Carlo e com dados experimentais. Optamos por desenvolver detalhadamente a teoria e a argumentao principal referentes s anlises e modelagens de sistemas de vcuo nos apndices. A maior parte do trabalho apresentado nos apndices original, seja na sua proposio, ou seja, no seu desenvolvimento bastante rigoroso e detalhado. Com relao aos apndices temos que no Apndice A Processo de Bombeamento em Vcuo Abordagem Discreta desenvolvemos em detalhe a deduo da Equao Fundamental para o Processo de Bombeamento em Vcuo EPBV para a realizao da modelagem discreta. A deduo rigorosa deixa claro cada termo da equao e o seu papel e a sua participao no processo assistido a vcuo. Analisamos tambm o balano de tomos e molculas entre os termos da equao e interpretamos fisicamente cada um deles. Definimos tambm as principais grandezas da tecnologia do vcuo. No Apndice B Equao de Difuso de Gases no Regime de Escoamento Molecular apresentamos as equaes diferenciais parciais para a modelagem de sistemas de alto-vcuo usando a abordagem contnua. Deduzimos em detalhe as equaes de difuso para os casos unidimensional, bidimensional e tridimensional dependentes e no-dependentes do tempo. No caso bidimensional consideramos as coordenadas cartesianas e polares e no caso tridimensional as coordenadas cartesianas e cilndricas. Definimos a condutncia especfica grandeza que consideramos fundamental e essencial anlise contnua para os casos unidimensional, bidimensional e tridimensional. Definimos matematicamente as fontes gasosas extensivas e impulsivas no tempo e no espao. Em seguida verificamos a coerncia entre as vrias expresses e conseguimos recuperar a equao diferencial bidimensional a partir da imposio de simetria no caso tridimensional. Este procedimento tambm foi feito para o caso bidimensional e assim recuperando a equao do caso unidimensional. O mesmo procedimento foi feito para o caso unidimensional at degenerar ao caso da equao diferencial da abordagem discreta, ou seja, dependente exclusivamente do tempo. Desta forma, mostramos coerncia interna na modelagem contnua. No Apndice C Expresses Matemticas para as Curvas de Velocidade de Bombeamento de Bombas de Vcuo desenvolvemos expresses matemticas para as curvas de velocidade de bombeamento em funo da presso para vrias bombas de vcuo. Estas expresses so importantes

para a modelagem de sistemas de vcuo em geral por meio da abordagem discreta. As expresses matemticas foram obtidas considerando o ajuste das curvas de velocidades de bombeamento disponveis nos catlogos das bombas de vcuo. No Apndice D Comparao entre a Abordagem Discreta e a Abordagem Contnua na Modelagem de Sistemas de Vcuo fizemos um estudo detalhado considerando a comparao das abordagens discreta e contnua para a anlise de sistemas de vcuo. Identificamos tambm quando possvel fazer apenas uma anlise do sistema de vcuo usando a abordagem discreta, dispensando a abordagem contnua, esta ltima sempre mais trabalhosa. Os casos de estudo considerados neste apndice mostraram muito sobre o comportamento geral dos sistemas de vcuo, principalmente do papel determinante da condutncia, considerado pelo autor deste trabalho como a mais expressiva e importante grandeza para a modelagem dos sistemas de vcuo. No Apndice E Modelagem do Vazamento Virtual construmos um modelo bastante detalhado do vazamento virtual. Obtivemos uma funo que representa bastante bem o comportamento desta fonte gasosa em sistemas de vcuo. Argumentamos da importncia do seu conhecimento a fim de poder identificar a sua ocorrncia nos sistemas de vcuo. No Apndice F Modelagem da Injeo Controlada de Gases consideramos o caso de termos de introduzir gases e vapores de forma controlada em sistemas de vcuo, a partir da passagem do gs atravs de um bocal, sendo esta a situao mais comum e simples, no por isso menos confivel e precisa. O estudo pode ser aplicado para outras formas de injeo de gases e tambm de vapores. Finalmente, no Apndice G Escoamento dos Gases e Vapores no Regime de Escoamento Molecular Considerado como um Fenmeno de Difuso fizemos uma discusso, que procurou ser bastante profunda, sobre a considerao do transporte de gases no regime de escoamento molecular como sendo um fenmeno de natureza difusiva. Esta discusso essencial para a modelagem de sistemas de vcuo por meio da abordagem contnua. Apresentamos vrios casos de estudo que foram modelados por meio da equao de difuso e que foram comparados com o mtodo de Monte Carlo. A comparao dos resultados obtidos por meio dos dois mtodos de anlise encorajar-nos a continuar e aprofundar as modelagens de sistemas de vcuo com os gases escoando no regime molecular a partir da equao de difuso.

1.3 Tpicos de Projeto em Tecnologia do Vcuo.


Diversos processos industriais e experincias tanto na cincia bsica como aplicada assim como na tecnologia so realizadas em baixas presses. H ainda os processos nos quais removemos os gases ativos por meio da realizao do vcuo e, posteriormente introduzimos um gs inerte ou
8

ativo recuperando a presso atmosfrica ou uma outra presso maior que a atmosfrica. Quando alteramos a presso em uma cmara de vcuo, as seguintes grandezas fsicas mudam de valor: a densidade do gs, o livre caminho mdio, o tempo de formao de uma camada de molculas monocamada em uma superfcie e o fluxo de molculas incidindo em uma superfcie [1-7]. Todas as aplicaes e utilizaes da tecnologia do vcuo giram em torno da mudana dos valores das grandezas expostas acima. As principais razes para a utilizao do vcuo nos processos em geral so: Remover os gases ativos presentes na atmosfera da cmara de vcuo do processo a ser realizado. Os gases e vapores ativos so prejudiciais ou inconvenientes para uma srie de processos industriais e experincias cientficas. Diminuir a transferncia de calor por conduo e por conveco entre o meio interno e o meio externo de um recipiente. Conseguir deformaes mecnicas, movimentos, levantamento e/ou sustentao de peas por meio de diferenas de presso. Aumentar o trajeto ou livre caminho de partculas elementares, tais como, tomos, eltrons, ons e molculas para que no colidam com as molculas da atmosfera da cmara de vcuo. Atingir densidades gasosas necessrias para a obteno de colunas de gases ionizados, plasmas frios ou plasmas de altas temperaturas. Remover vapores ou gases absorvidos em materiais lquidos ou slidos. Obter superfcies limpas e degaseificadas. A tecnologia do vcuo tem como principal tarefa a produo eficiente de baixas presses em recipientes chamadas geralmente de cmaras de vcuo. Para que este objetivo seja alcanado com sucesso e eficincia, devemos considerar e ter presente os seguintes pontos durante o projeto de sistema de vcuo [8-9]: Presso final a ser atingida e presso de trabalho. Caractersticas marcantes do processo em questo, como por exemplo, se haver gases corrosivos ou explosivos. Identificao do regime de escoamento dos gases e vapores. Clculo das condutncias e clculo da velocidade efetiva de bombeamento. Escolha das bombas de vcuo, dos sensores de presso e dos componentes auxiliares. Processos de limpeza e condicionamento do sistema de vcuo. Roteiro para acompanhamento do desempenho do sistema de vcuo e o seu registro no decorrer da utilizao do equipamento.

Cronograma de manuteno preventiva. Planejamento das possveis manutenes corretivas e reformas que podero ocorrer no sistema de vcuo. Realizao freqente de novos testes de desempenho do sistema de vcuo. Devemos enfatizar que alm dos pontos listados acima servirem para nortear o projeto, ou seja, eles devem ser pensados e considerados durante a fase de projeto, eles devero tambm estar sempre na ordem do dia. Com isso queremos expressar que constantemente deveremos ter presente os pontos referentes uma melhor operao, manuteno preventiva, manuteno corretiva, testes de desempenho e outros aprimoramentos dos sistemas de vcuo. H uma variedade muito grande de tipos de sistemas de vcuo, operando em vrias faixas de presso, sendo que cada tipo demanda exigncias prprias referentes aos pontos listados acima. Merecem ser citados tambm os sistemas de vcuo com caractersticas especiais, uma vez que eles em geral so de difcil projeto, operao e manuteno. Como exemplo, podemos citar os sistemas de vcuo com injeo controlada de gases e vapores txicos, corrosivos ou inflamveis, ou ainda com a presena de plasmas e gases altamente ionizados, ou tambm com grandes quantidades de vapor de gua a ser bombeado. Com o propsito de alcanar as presses pretendidas nos vrios processos em vcuo, dentro do tempo previamente determinado, devemos ter sempre presente o comportamento geral dos gases e vapores. Na cmara de vcuo os gases ocupam o volume e esto tambm presentes nas superfcies internas. Os gases a serem bombeados devero encontrar as bombas de vcuo, ou seja, devero percorrer toda a tubulao que une a cmara de vcuo ao sistema de bombeamento de gases. Neste contexto, para que o processo de bombeamento dos gases e vapores seja eficiente, deveremos considerar o conhecimento fsico-qumico da matria no estado gasoso, a sua interao com as superfcies slidas e lquidas que compem o sistema de vcuo e o transporte destes gases e vapores pelas tubulaes [1-11].

1.4 Breve Histrico da Cincia e da Tecnologia do Vcuo.


A palavra vcuo provem do latim e significa vazio. Os filsofos gregos pensaram sobre o vcuo e o horror que a Natureza tem dele. Existem indcios que os egpcios e os chineses obtiveram o vcuo por meio de foles quando supriam de ar os fornos para fundio. H tambm registros de que na antiga Roma e na antiga Alexandria havia sido produzido vcuo quando bombeavam gua das minas. Foi no perodo renascentista, contudo, com os trabalhos pioneiros de Galileu e de seu estudante Torricelli que a realizao do vcuo tornou-se uma tarefa cientfica. Foram notveis os trabalhos de Torricelli sobre a medio da presso atmosfrica utilizando tubos
10

preenchidos com gua ou mercrio. O espao vazio acima da coluna de mercrio foi identificado por Torricelli como sendo uma regio de vcuo absoluto, isto ocorreu em 1643, um ano aps a morte de Galileu. Atualmente sabemos que rigorosamente falando temos a presso de vapor de mercrio no espao acima da coluna de mercrio. Contemporneos de Galileu tambm especularam sobre o vcuo, entre eles temos Bacon, Pascal e Descartes, sendo que seus trabalhos influenciaram filosoficamente por vrios anos o pensamento ocidental. Outro fato marcante, foi a famosa e espetacular experincia dos Hemisfrios de Magdeburg, realizada em 1650 por Otto von Guericke. Muitos creditam a von Guericke o pioneirismo na construo da bomba de vcuo, necessria para evacuar o ar dos volumes dos hemisfrios. O seu ponto de partida foi a bomba de gua de pisto, que a partir dela introduziu melhorias em suas vedaes. Devemos ter em mente que quando propostas as idias sobre o vcuo alm da questo da sua produo em si, considerando os equipamentos desenvolvidos e construdos, havia paralelamente a questo relativa mudana no pensamento humano frente aos novos fenmenos da natureza, e mais, a mudana do prprio Homem frente a uma nova maneira de ver a natureza. Em 1825 Dumas conseguiu produzir vcuo a partir da substituio do ar de um recipiente por vapor de gua, e em seguida com a condensao do vapor por meio do resfriamento das paredes do recipiente. Em meados do sculo XIX Robert Willhelm Bunzen conseguiu bombear gs usando um jato de lquido a alta velocidade. Este fato est na essncia do princpio de funcionamento das bombas de alto-vcuo dos tipos ejetor de vapor e difusora. A tecnologia do vcuo comeou a ter crescimento cientfico com as primeiras construes de tubos para descargas eltricas em gases. Ocorreu neste perodo um intenso crculo virtuoso, ou seja, a fsica desenvolveu-se muito com os estudos dos gases ionizados, dando incio fsica atmica, e era preciso produzir presses mais baixas nos arranjos experimentais, trazendo um enorme progresso tecnologia do vcuo. Em 1873 Lodyguin inventou a lmpada incandescente com filamento de carbono, necessitando diminuir a quantidade de gases ativos do seu bulbo. Em 1883 Edison descobriu a emisso de eltrons pelo efeito termoinico. Em 1887 Hertz e Stoletov descobriram experimentalmente o efeito fotoeltrico. A primeira identificao de que certos materiais tinham a propriedade de reter gases e vapores foi feita por Malginani em 1884, durante a fabricao de lmpadas eltricas. Este fato trouxe o conhecimento das substncias que modernamente chamamos de getter, to utilizadas em muitos dos modernos sistemas de alto-vcuo e ultra alto-vcuo. Alm de ter realizado o isolamento de lquidos em baixas temperaturas, com a inveno da garrafa trmica, Dewar em 1904 tambm props um mtodo de absorver gases utilizando carvo ativado resfriado.

11

Em 1906, com os trabalhos pioneiros de Gaede, tem incio a moderna tecnologia do vcuo, com a inveno da primeira bomba rotativa de mercrio e em seguida selada a leo, com algumas caractersticas que permanecem at hoje nas bombas mecnicas de pr-vcuo. Em 1911 Gaede projetou a primeira bomba de arraste molecular, ponto de partida para as modernas bombas turbomoleculares e tambm as bombas turbomoleculares-drag. Entre 1914 e 1916, Gaede, Langmuir e Borikov projetaram independentemente a bomba difusora de mercrio, conseguindo atingir presses de 10-6 mbar. Desta forma, surgiu o alto-vcuo como o conhecemos hoje. As bombas difusoras foram intensamente estudadas por Hablanian, na segunda metade do sculo XX, que introduziu inmeras melhorias nesta bomba de alto-vcuo e tambm em mtodos experimentais para a medio de velocidade de bombeamento. Em trabalhos conjuntos com Langmuir, Dushman realizou vrios trabalhos importantes relacionados produo de tubos eletrnicos de potncia. Burch construiu em 1928 a bomba difusora com vapor de leo, alm de melhorar as outras bombas de vcuo existentes. Muitos avanos na produo do vcuo foram feitos durante a Primeira Guerra Mundial, em funo da fabricao de sistemas eletrnicos de potncia voltados transmisso de ondas eletromagnticas com o objetivo das telecomunicaes. O mesmo ocorreu durante a Segunda Guerra Mundial, neste caso, foram desenvolvidos os geradores de microondas de potncia, os sistemas de separao isotpica de urnio para a produo da bomba atmica e ainda, dentro do Projeto Manhattan, a inveno do detetor de vazamentos com espectrmetro de massa. Do ponto de vista da medio do vcuo, como j mencionado, o ponto de partida foi medio da presso atmosfrica, por Torricelli, com o uso da coluna de mercrio. Seguindo, muito tempo depois, McLeod inventou em 1874 o manmetro, que leva o seu nome, e que era capaz de medir presses at 10-4 mbar. At o incio dos anos 80 do sculo XX, o manmetro McLeod foi usado como padro primrio em baixas presses. Cabe mencionar que o princpio de funcionamento do manmetro McLeod est sustentado pela lei de Boyle-Mariotte em conjunto com a lei de Stevin. Em 1909 Pirani desenvolveu o manmetro com resistncia eltrica e em 1916, Buckley inventou o manmetro de ionizao dos gases. Continuando a evoluo, muitas reas da fsica e da engenharia exigiriam cada vez mais sofisticaes na rea de vcuo. Cabe notar que a fsica atmica, fsica nuclear, a indstria de tubos eletrnicos, a fsica de plasmas, e mais recentemente as atividades de pesquisa e industriais em microeletrnica tm dado um impulso extraordinrio tecnologia do vcuo. Atualmente conseguimos atingir presses da ordem de 10-12 mbar em sistemas de extremo alto-vcuo envolvendo instalaes com aceleradores de partculas elementares, anis de armazenamento de eltrons, prtons e anti-prtons, e ainda, na fabricao de semicondutores. Em condies extremas e bastante particulares conseguiu-se obter presses da ordem de 10-14 mbar.

12

Finalizando, no podemos ficar sem mencionar os trabalhos em cincia bsica, que tiveram um papel central para a compreenso do comportamento dos gases rarefeitos. As primeiras contribuies sistemticas vieram com os trabalhos, em nvel fenomenolgico, de Boyle, Mariotte, Lavoisier, Charles e Gay-Lussac. Posteriormente tivemos as contribuies sustentadas na hiptese da teoria atmica da matria, de Avogrado e Dalton. Cabe mencionar que os estudos que levaram moderna concepo atmica da matria foram realizados com sistemas gasosos. Em seguida, tivemos os trabalhos de Bernoulli, Maxwell, van der Waals, Gibbs e Boltzmann na aplicao da mecnica clssica aos sistemas gasosos fundamentados na hiptese atmica da matria. Cabe lembrar que no final do sculo XIX ocorreu um embate dos mais importantes e belos da histria da cincia e que determinou de vez a incorporao da hiptese atmica ao conhecimento da Humanidade. Certamente estamos falando da disputa entre os energeticistas, liderados por Ostwald e Mach, e os atomistas, liderados por Boltzmann. A partir do final do sculo XIX, tivemos as primeiras hipteses sobre a estrutura interna dos tomos e, em seguida, o surgimento da teoria quntica, com o aprofundamento da teoria cintica dos gases e a mecnica estatstica. Estas teorias criaram ferramentas tericas fundamentais para estudar o comportamento dos gases interagindo entre si e com as paredes dos sistemas de vcuo, essencial para o desenvolvimento do ultra altovcuo. Durante o sculo XX tambm ocorreram desenvolvimentos tericos importantes para a tecnologia do vcuo. Entre eles podemos mencionar os trabalhos sobre o transporte de gases rarefeitos em regime molecular de 1909 devidos a Knudsen. Posteriormente estes estudos foram complementados e estendidos por Smoluchowsky em trabalhos iniciados em 1910; cabe mencionar que ele mesmo desenvolveu independentemente de Einstein, a teoria sobre o movimento browniano. Trabalhos adicionais sobre o fluxo de gases no regime molecular foram feitos por Clausing, introduzindo o coeficiente de probabilidade de transmisso para os choques moleculares com os gases escoando em tubos. Desenvolvimentos adicionais nesta rea foram tambm realizados por Steckelmacher. Do ponto de vista da fsica relativa ao fenmeno da interao de gases com as paredes do sistema de vcuo, Knudsen introduziu a regra que leva o seu nome, relativo s molculas ejetadas de uma superfcie. Este trabalho foi fundamental para os primeiros clculos de condutncia em sistemas de alto-vcuo. Podemos tambm mencionar os trabalhos de Consa sobre os estudos experimentais sobre a regra de Knudsen. Estudos importantes tm sido realizados por Berman sobre a degaseificao de molculas de gua em sistemas de alto-vcuo. Muito tem sido desenvolvido na rea de materiais e seus processos de limpeza e condicionamento, cabendo mencionar os trabalhos de Benvenuti na rea dos aceleradores de partculas. Dignos de nota so os trabalhos de Redhead

13

sobre as bases fsicas do ultra alto-vcuo, que continuam influenciando at os dias de hoje as atividades na rea de vcuo, e tambm os trabalhos de Roth sobre tcnicas de vedao. Certamente o estudo histrico do desenvolvimento da cincia e da tecnologia do vcuo muito apaixonante e estimulante, mas este no o objetivo central deste trabalho de tese. Podemos finalizar esta seo dizendo que desenvolvimentos importantes tm sido feitos recentemente sobre a modelagem de sistemas de vcuo voltados aos processos realizados a plasma, principalmente na indstria de microeletrnica. Tambm, muito tem sido feito sobre a modelagem de sistemas de altovcuo e ultra alto-vcuo por meio do mtodo de Monte Carlo, podemos citar os trabalhos de Kersevan. A anlise de sistemas de pr-vcuo tem sido bastante estudada usando os programas computacionais desenvolvidos para a mecnica dos fluidos. Finalizando, os clculos realizados em tecnologia do vcuo no esto sendo atualizados com os ltimos desenvolvimentos sobre a fsica dos gases rarefeitos. Vemos que na rea da dinmica dos gases rarefeitos encontramos os maiores desenvolvimentos sobre o comportamento dos gases, e eles esto sendo aplicados diretamente aeronutica e astronutica. Neste ano de 2006 temos, pela primeira vez, a realizao de um encontro conjunto entre especialistas da rea de dinmica dos gases rarefeitos e da rea de tecnologia do vcuo. Certamente ser uma oportunidade para a tecnologia do vcuo se colocar ao lado dos ltimos desenvolvimentos sobre a cintica e a dinmica dos gases e vapores [1,22].

1.5 Aplicaes da Tecnologia do Vcuo.


A tecnologia do vcuo empregada em uma grande variedade de processos industriais e atividades tecnolgicas e cientficas. H casos em que o vcuo torna mais eficiente um processo de fabricao, apesar de no ser essencial. Em outros casos o vcuo vital e indispensvel para uma ou vrias etapas de processo ou fabricao. O propsito principal da realizao do vcuo alterar a atmosfera em um recipiente. Alterando a atmosfera do recipiente teremos tanto a alterao da presso como tambm a alterao da composio da mistura gasosa original. Em geral, estes dois efeitos ocorrem simultaneamente. Em algumas situaes, estaremos interessados em fazer baixar a presso da cmara de vcuo, em outras situaes, estaremos mais interessados em remover os gases ativos e, posteriormente, completar com algum gs inerte, mesmo que retornando presso atmosfrica ou a uma presso maior que a presso atmosfrica [1-14]. Para termos uma melhor compreenso dos processos realizados a vcuo, podemos relacionar os fenmenos fsicos que ocorrem com a variao de presso. Ainda, podemos fazer uma classificao das aplicaes da tecnologia do vcuo de acordo com a mudana de propriedades fsicas dos gases em baixas presses. Por exemplo, podemos apresentar a seguinte classificao relacionada com a fsica relativa variao de presso nos gases e vapores.
14

a) A situao fsica de baixa presso. Temos como principal objetivo a criao de uma diferena de presso entre os meios interno e externo cmara de vcuo. Podemos usar este fato para deformar, carregar, fixar, transportar, coletar, limpar, freiar, sustentar, suspender e separar. b) A situao fsica de baixa densidade molecular. No caso, temos trs principais objetivos a serem alcanados: Remover os gases quimicamente ativos da cmara de vcuo. Com isso podemos evitar reaes qumicas principalmente as oxidaes , empacotar em atmosferas inertes, fundir, tratar metais e encapsular produtos. Remover os gases e vapores dissolvidos em materiais. Podemos secar produtos em temperatura ambiente, em baixa ou em altas temperaturas, degaseificar, liofilisar e remover lquido e vapor em materiais slidos. Diminuir a transferncia de energia entre meios. Conseguimos obter isolao trmica, isolao eltrica, ou isolar o meio externo para criar um meio diferente. c) A situao fsica de grandes caminhos livres mdios. O objetivo a ser alcanado evitar, ou pelo menos minimizar, o nmero de colises atmicas e moleculares entre si, ou de feixes de partculas com a atmosfera dentro da cmara de vcuo. As aplicaes so os tubos eletrnicos em geral (raio-X, cinescpios, fotoclulas, vlvulas), aceleradores de partculas, espectrmetros de massa, espectroscpios pticos, feixes de eltrons para mquinas de solda, microscpios eletrnicos, vlvulas klystron e girotrons, evaporadoras para filmes finos, anis de armazenamento de partculas, a indstria de microeletrncia e separadores de istopos. d) A situao fsica de longos tempos para a formao de uma monocamada. O objetivo principal conseguir superfcies limpas, com poucos gases adsorvidos. Podemos criar superfcies preparadas para o estudo e aplicao em adeso, emisso de eltrons (alterao da funotrabalho), variao do coeficiente de atrito, estudos em fsica de superfcies, dopagem de materiais e estudo do comportamento no espao sideral. A seguir, apresentaremos algumas importantes aplicaes da tecnologia do vcuo. A inteno mostrar a variedade e a diversidade das reas que usam o vcuo. O vcuo pode ser utilizado em vrias etapas de processo de fabricao, apesar de o produto final no precisar estar em vcuo. Entretanto, ocorrem situaes em que o produto, para funcionar, precisa permanecer em vcuo para o seu funcionamento. Podemos fazer uso do vcuo para criar diferenas de presso; assim, aparecero foras resultantes em reas da ordem 105 Nm-2 = 105 Pa podendo levantar ou sustentar pesos ou ainda equilibrar outras foras. Tambm podemos transportar peas leves e pesadas. Como exemplo, levantamos chapas de metal por meio da ao de ventosas, ou ainda, removemos poeira com

15

aspiradores de p, aspiradores de secrees em operaes cirrgicas, remoo de vsceras de animais e peixes, coleta de gases e vapores para anlises e coleta de sangue. Pelo mesmo princpio, podemos fixar peas em mquinas operatrizes durante as usinagens. Usamos a fora resultante para conformar chapas de materiais plsticos aquecidos. Podemos tambm usar a fora para freiar. Utilizamos ainda, a diferena de presso, para acelerar o processo de filtragem. importante observar que nestas aplicaes a fora resultante obtida pela diferena de presso uniforme, estendendo-se uniformemente por toda a pea. O nvel de uniformidade da ordem das distncias entre molculas! Na fabricao de bulbos para iluminao eltrica, das centenrias lmpadas incandescentes at as lmpadas que fazem uso de descargas eltricas e ainda aquelas baseadas em efeitos de emisso de campo, a tecnologia do vcuo necessria para produzir atmosferas rarefeitas e inertes para posterior preenchimento com gs ou vapor especfico. Removendo a maior parte da atmosfera ativa no ocorrer a forte oxidao do filamento, ou ainda, ser possvel ocorrer descargas eltricas controladas em gases, dependendo do tipo de lmpada. A produo dos primeiros tipos de lmpadas est intimamente ligada ao desenvolvimento das primeiras bombas de vcuo. Ainda dentro das aplicaes do vcuo, que requerem atmosferas quimicamente neutras, temos a metalurgia a vcuo. Assim, durante a fundio os metais estaro protegidos da oxidao ou da formao de bolses gasosos internos. O vcuo tambm empregado na sinterizao, recozimento e outros tratamentos trmicos em metais. Em processos de soldagem, como por exemplo, o de brasagem ou por meio de feixe de eltrons, as partes envolvidas na soldagem precisam estar protegidas por uma atmosfera rarefeita e inerte. No empacotamento e no encapsulamento de alguns produtos perecveis ou sensveis oxidao, o uso do vcuo tem-se mostrado muito eficiente. O produto a ser protegido estar envolvido por uma atmosfera composta quase que exclusivamente de gases inertes. Tambm, cabe mencionar que ao remover o ar da atmosfera, grande quantidade das bactrias e outros microorganismos estaro sendo tambm removidos, pois sero arrastados pelo fluxo de gs durante o processo de bombeamento. As indstrias alimentcias, farmacuticas, qumicas e de componentes eletrnicos utilizam largamente esta tcnica. Encontramos tambm no vcuo um meio eficiente para remoo de umidade e outros vapores impregnados em materiais slidos e lquidos. As indstrias farmacuticas e alimentcias so as maiores usurias desta tcnica. Dentro do contexto dos processos de secagem e mesmo naqueles de extrao de umidade e vapores h vrias formas de realiz-los com a assistncia do vcuo. Temos inmeros processos industriais realizados a vcuo que so realizados em temperatura ambiente ou em baixas

16

temperaturas, muitas vezes criognicas, e tambm os que ocorrem em altas temperaturas. Exemplificando, a liofilizao ocorre em baixas temperaturas devido ao fato de a remoo da umidade precisar ser muito lenta a fim de no danificar o material biolgico. Tambm verificamos uma forma excelente de conservar alguns produtos, entre eles o plasma sangneo, sem que ocorra a coagulao. Existem tcnicas de conservao de obras de arte e objetos de valor histrico que so feitos sob vcuo. Em museus de cincias biolgicas, muitos corpos de animais so armazenados com tcnicas de conservao baseadas em vcuo. Outra aplicao a impregnao em vcuo. No caso, queremos remover a umidade e outros gases e vapores e, em seguida, preencher com um material lquido ou gasoso. A ocorrncia mais comum a impregnao de leos isolantes eltricos nos transformadores, e ainda, nos capacitores, chaves eltricas e cabos de alta tenso. H tambm a introduo de cristal lquido nos mostradores de informao como outra aplicao do vcuo. Incluindo s aplicaes j mencionadas, temos aquelas referentes aos isolamentos trmico e eltrico. Os principais exemplos so as garrafas trmicas ou vasos de Dewar, e tambm, as vlvulas eletrnicas, as cavidades ressonantes dos aceleradores de partculas, os acumuladores de carga eltrica nos aceleradores eletrostticos de partculas, tubos para laser, chaves eltricas a vcuo, etc. Tambm com o propsito de isolar, temos os simuladores espaciais. Os satlites e outros artefatos a serem operados no espao sideral so ensaiados e estudados em enormes cmaras de vcuo de laboratrio. Desta forma, testam-se os dispositivos dentro de condies que sero encontradas em alturas em torno de 500 a 800 km. O funcionamento de vrios equipamentos e instrumentos e processos em vcuo, mais precisamente em alto-vcuo e ultra alto-vcuo, fundamentam-se nas propriedades do comprimento do livre caminho mdio. O propsito do vcuo diminuir a incidncia ou at mesmo evitar as colises dos tomos e molculas entre si. Como principais aplicaes temos os tubos aceleradores de partculas elementares, os microscpios eletrnicos, tubos de raios-X, mostradores de informao por efeito de campo, de plasma e tubos de raios catdicos, anis de armazenagem, fotoclulas, separadores de istopos, dispositivos em geral que operam com feixes de partculas, fotomultiplicadoras, e ainda, os equipamentos em geral de deposio de filmes finos por evaporao ou sublimao, etc. Cabe mencionar que muitos dos exemplos mencionados acima constituem instrumentos cientficos e industriais de tecnologia sofisticada. Outras importantes aplicaes do vcuo so aquelas que requerem superfcies muito limpas. Ao expormos as superfcies dos materiais atmosfera uma quantidade de tomos e molculas dela ficar em equilbrio com a superfcie e volume do material. Assim, quando estivermos interessados no estudo das propriedades das superfcies dos materiais deveremos remover grande nmero das partculas adsorvidas, uma vez que as molculas e radicais alteram as propriedades das superfcies e

17

adulteraro as anlises da superfcie. Neste caso particularmente o alto-vcuo e ultra alto-vcuo devem ser alcanados para atingir as condies desejveis de trabalho. O motivo que o bombardeio de tomos e molculas na superfcie em estudo dever ser pequeno e o tempo de formao de uma monocamada ser consequentemente grande, suficiente para podermos realizar o estudo. As aplicaes mais importantes esto nas anlises de superfcies em geral, nos fenmenos relacionados adeso, atrito, emisso de eltrons e alterao de reatividade das superfcies, tcnicas de caracterizao, e outros. As aplicaes citadas nesta seo mostram que a atuao da tecnologia do vcuo na indstria e na cincia abrangente. Verificamos ainda que o nmero de novas aplicaes est em constante crescimento. Constatamos tambm que o desenvolvimento experimental de algumas reas da cincia est intimamente ligado ao desenvolvimento de novas tcnicas e instrumentao na rea da tecnologia do vcuo. Ademais, em contrapartida, desenvolvimentos que ocorrem em vrias reas da cincia e tecnologia em geral influenciam muito o desenvolvimento da tecnologia do vcuo [6,16]. Podemos de um modo geral, classificar as aplicaes do vcuo em funo das diferentes necessidades impostas pela indstria, pela pesquisa tecnolgica e ainda pela pesquisa cientfica. H algumas particularidades nos processos a vcuo no setor industrial em relao queles utilizados na pesquisa, como por exemplo, as grandes dimenses dos sistemas de vcuo e as enormes quantidades de gases e vapores a serem bombeados. Dentre as caractersticas mais marcantes dos processos a vcuo no setor industrial, e talvez a que mais chame a ateno, seja aquela de buscar a realizao do processo em um menor tempo possvel, visando a minimizao dos custos de fabricao. Complementando, do ponto de vista de princpios fsicos e a instrumentao necessria, existem poucas diferenas entre as particularidades do vcuo utilizado na pesquisa tecnolgica e na pesquisa cientfica. possvel identificar uma srie de instrumentos analticos junto cmara de vcuo na pesquisa cientfica que so os mesmos que aqueles usados na pesquisa tecnolgica, como por exemplo, os necessrios para o controle e medio precisos de variveis como presso total, temperatura, presso parcial dos gases e vapores, bombas de vcuo, e outras. Em algumas atividades com o envolvimento de alta tecnologia vemos que h uma distncia cada vez menor entre a cincia bsica e a fabricao. Como exemplo, no setor da microeletrnica, muitos equipamentos, metodologias de trabalho e procedimentos em tecnologia do vcuo so praticamente os mesmos na pesquisa pura e na linha de produo de microcircuitos eletrnicos [7-14]. No contexto da pesquisa bsica, encontramos algumas reas que exigem equipamentos da tecnologia do vcuo de grande porte, como por exemplo:

18

Na fsica experimental das partculas elementares, encontramos os aceleradores de alta energia, os anis de coliso, os anis de armazenamento, as cmaras de espalhamento, os calormetros, e outros [11-16]. Na fsica da fuso nuclear controlada por meio do confinamento magntico, temos os tokamaks, os stellerators, os espelhos magnticos, os injetores de partculas neutras e outros [14-20]. Na cosmologia, encontramos as antenas para a deteco de ondas gravitacionais [19,22]. Na astronomia, temos os telescpios com grandes espelhos [10]. Os equipamentos citados acima so de grandes dimenses, com cmaras de vcuo e tubulaes que tm volumes de vrios metros cbicos. Estes equipamentos apresentam presses bases da ordem de 10-8 mbar ou menores. Alm das caractersticas especficas e inerentes de cada equipamento, como: a temperatura de trabalho, intensas radiaes ionizantes, a injeo de gases e vapores corrosivos e explosivos durante a operao, e outros, convm observar que alguns dos equipamentos mencionados operam em presses da ordem 10-5 mbar. A fim de que tenham um bom desempenho, estes equipamentos devem ter a capacidade de atingir presses na regio do ultra alto-vcuo. Para que este propsito seja alcanado devemos lanar mo dos chamados processos de limpeza e de condicionamento. Os processos de limpeza e condicionamento so em geral os tratamentos recebidos pelos sistemas de vcuo com a finalidade de reduzir a quantidade de gases e vapores adsorvidos nas paredes expostas ao vcuo. Muitos dos processos de condicionamento so realizados em presses da ordem de 10-3 mbar, como por exemplo, o processo por glow-discharge e o processo por descarga Taylor, extensamente utilizados nas mquinas para o estudo de fuso termonuclear controlada. Assim, para atingir presses dentro da faixa do alto-vcuo e principalmente no ultra alto-vcuo, muitos equipamentos exigem processos de limpeza e condicionamento especficos, desenvolvidos especialmente para um dado tipo de equipamento. Em geral, o processo de limpeza ocorre antes da montagem final do equipamento. Em alguns casos, aps a montagem final do sistema de vcuo, feita uma limpeza adicional. O processo de condicionamento realizado com o equipamento completamente montado e em fase de operao. H sistemas de vcuo que apesar de operarem em presses da ordem de 10-4 ou 10-5 mbar, precisam ter sua presso base dentro do ultra alto-vcuo. As vrias caractersticas expostas acima trazem uma srie de dificuldades para o projeto dos sistemas de vcuo, entre elas a escolha dos materiais a serem utilizados, que devem ser compatveis para operar com presses muito baixas, e ainda, receber processos de condicionamento em altas temperaturas, operar em ambientes com altas taxas de radiao e outras exigncias [18,26].

19

Como exemplos de aplicao junto ao setor industrial temos a fundio a vcuo, o empacotamento de alimentos a vcuo, a metalizao, a produo de recipientes com paredes isolantes trmicas, a isolao eltrica a vcuo, a liofilizao, o tratamento de leo de transformadores, em vrias etapas da fabricao de micro-circuitos eletrnicos, produo de cinescpios, microscpios eletrnicos, tubos de raios-X. Os seguintes equipamentos necessitam de sofisticadas tcnicas de fabricao, com a participao essencial da tecnologia do vcuo: os amplificadores de microondas na eletrnica de potncia, os tubos e vlvulas eletrnicas de potncia, soldagem por feixe de eltrons, etc. Existe tambm a necessidade no transporte e fixao de peas, na filtragem e limpeza, na conformao mecnica, na secagem e desidratao, na micro-balana, e em outras mais. Constatamos que as aplicaes da tecnologia do vcuo crescem e expandem em muitas reas do setor produtivo [1,14]. Historicamente falando, a tecnologia do vcuo teve um grande desenvolvimento a partir dos anos 40 do sculo XX. Saindo da esfera das experincias cientficas e de algumas poucas aplicaes industriais a tecnologia do vcuo ganhou espao e firmou-se definitivamente como ferramenta de processo. Isso fez com que ela tambm tivesse que se firmar como cincia e tecnologia. A partir da Segunda Guerra Mundial muitos componentes eletrnicos, principalmente os de alta potncia, tiveram sua fabricao intensificada, exigindo um aprimoramento da tecnologia do vcuo para o seu bom funcionamento com suficiente tempo de vida til [1-11, 23-27]. Os setores que influenciaram de forma decisivamente a tecnologia do vcuo nos ltimos 60 anos foram: A eletrnica de potncia, principalmente durante o perodo da Guerra Fria, uma vez que as vlvulas magnetron e klystron, para a gerao e amplificao de microondas para radares, exigem alto-vcuo para a sua operao. Cabe mencionar que vrios esforos esto sendo empregados no desenvolvimento e na produo de vlvulas de potncia de microondas com catodos frios [10-11,26-28]. Os aceleradores de partculas, cada vez mais empregados em fsica nuclear, alm das cavidades aceleradoras, tubos de transporte de feixe de partculas e as cmaras de espalhamento demandam alto-vcuo e ultra alto-vcuo [10-11,28-29]. Na indstria espacial, os satlites e naves espaciais devem ser testados em laboratrio para verificar o seu desempenho em vcuo sideral. Os laboratrios para estes testes so enormes sistemas de ultra alto-vcuo [10-11,19-21]. A corrida para se chegar fuso nuclear controlada, iniciada na dcada de 50, principalmente entre os Estados Unidos da Amrica e a ex-Unio das Repblicas Socialistas Soviticas e outros pases, fez com que a tecnologia do vcuo experimentasse grande avano. Outros pases
20

tambm tiveram uma participao bastante ativa nesta rea. O progresso ocorreu, alm da construo e aprimoramento de bombas de vcuo e medidores de presso, mas principalmente nos processos de limpeza e condicionamento, e tambm a criao de novos materiais empregados em grandes sistemas de vcuo. Nesta rea ocorreu uma diminuio muito grande em suas atividades nos ltimos 15 anos. Atualmente h esperana que ela ressurja como uma rea novamente de muita intensidade de trabalho com a construo de um prottipo de reator de fuso nuclear controlada em nvel mundial [10,29-31]. Na indstria de microeletrnica, quase todos os processos de fabricao utilizam a tecnologia do vcuo. Existem particularidades nos sistemas de vcuo dedicados na fabricao de microcircuitos, impondo desenvolvimento e melhorias nas bombas de vcuo, nos medidores de presso, nos analisadores de gases residuais, e em outros. Os detalhes relevantes so a injeo controlada de vrios gases de processo, o bombeamento de gases e vapores txicos e corrosivos, etapas envolvendo gases ionizados e plasma, manipulao automtica em vcuo, sistemas de caracterizao de propriedades dos materiais em vcuo e sistemas de vcuo com controle de impurezas e poeiras [10-23]. Na indstria de mostradores de informao temos atualmente, alm do tubo de raios catdicos, a tecnologia de plasma e a tecnologia por emisso de eltrons por efeito de campo. Nestes casos a tecnologia do vcuo est sendo muito solicitada, uma vez que o vcuo joga um papel central tanto na qualidade como na vida do equipamento. Muitos desenvolvimentos esto ocorrendo na rea de materiais em vcuo, nas bombas de vcuo tipo getter. O estudo da emisso de eltrons por efeito de emisso de campo tem experimentado um grande avano nesta rea. Cabe mencionar que este tipo de dispositivo est fazendo com que clculos mais elaborados sobre determinao de campos de presso sejam realizados [10-11,32]. Os desenvolvimentos e progressos ocorridos nestas reas foram levados tambm para inmeras outras reas, sendo que alm de novos equipamentos desenvolvidos, foram tambm absorvidas novas metodologias de trabalho, procedimentos de limpeza e condicionamento para se alcanar presses ainda mais baixas. Um outro ponto que deve ser destacado o desenvolvimento de novos materiais e a sua utilizao em vcuo. Com a melhora no desempenho e na confiabilidade alcanados em processos utilizando vcuo, verificamos um aumento das suas aplicaes tanto na indstria como na cincia [9,14,32].

1.6 Abordagens dos Clculos, Anlises e Modelagens em Tecnologia do Vcuo.


Os projetos em tecnologia do vcuo so geralmente realizados com clculos, anlises e modelagens bastante simplificados. Os seus clculos e anlises dos projetos rotineiros so
21

realizados com o propsito nico de especificar as bombas de vcuo a fim de alcanar a presso pretendida. Em contrapartida, temos sistemas de vcuo que necessitam de mais detalhes em seus projetos. Podemos assim, identificar dois tipos bsicos de clculos de projetos de sistemas de vcuo realizados por meio da formulao tradicional, que ser apresentada a seguir. No primeiro tipo de clculo, temos os sistemas de vcuo de pequeno ou mdio porte; nestes casos, em geral no temos a necessidade de conhecer os detalhes do processo de bombeamento, precisamos apenas dimensionar a capacidade das bombas de vcuo, a partir da identificao da quantidade de gases e vapores que devero ser bombeados. No segundo tipo de clculo, temos os sistemas de vcuo utilizados nos processos industriais de uso geral. Nestes casos, deveremos considerar os detalhes relativos s fontes de gases e vapores, a dependncia da velocidade de bombeamento das bombas de vcuo com relao presso, os valores das condutncias em funo do regime de escoamento dos gases, e ainda, os tipos de gases e vapores envolvidos no processo de bombeamento. Nestes casos a modelagem matemtica dar origem s equaes ordinrias no-lineares de primeira ordem, cujas solues devero ser obtidas por meio de mtodos numricos, uma vez que dificilmente mtodos analticos possam ser suficientes. Como parte do trabalho desta tese, apresentaremos um programa computacional capaz de resolver matematicamente os problemas de modelagem de sistemas de vcuo de forma bastante rigorosa, considerando a dependncia da velocidade de bombeamento com a presso para todas as bombas de vcuo importantes encontradas no mercado, e ainda, considerando as condutncias em funo dos regimes de escoamento, dimenses dos tubos e tipo de gs. Neste tipo de modelagem, com o desenvolvimento matemtico apresentado em detalhe no Apndice A, poderemos alcanar apenas um valor de presso dependente do tempo para toda a cmara de vcuo, sendo impossvel obter o campo de presso para o sistema de vcuo, isto , a presso em cada ponto da cmara de vcuo. A este tipo de abordagem na modelagem de sistemas de vcuo chamaremos de abordagem discreta. Em contrapartida, podemos construir formulaes capazes de nos fornecer os valores de presso em funo do tempo para todos os pontos da cmara de vcuo, e ainda, para as outras partes que compem o sistema de vcuo. Este tipo de informao importante para muitos sistemas de vcuo. Por exemplo, existem atualmente projetos de sistemas de ultra alto-vcuo, como o caso dos aceleradores de partculas, dos anis de armazenamento de partculas e das antenas gravitacionais em que as modelagens tm atingido um alto grau de sofisticao cujos valores de presso, em todos os pontos de sua extenso, precisamos conhecer. Nestes casos identificamos que as modelagens tm sido realizadas preferencialmente por meio do mtodo de Monte Carlo. Estes

22

programas computacionais foram desenvolvidos e implementados por especialistas na rea de tecnologia do vcuo e so em geral usados por eles prprios e no so de amplo uso. Vemos que em alguns projetos de sistemas de ultra alto-vcuo e alto-vcuo, em forma tubular, que a equao de difuso tem sido utilizada em suas modelagens, alcanando resultados bastante bons. Nos Apndices B e G esto expostos em detalhe o desenvolvimento terico sobre a modelagem de sistemas de alto-vcuo e ultra alto-vcuo por meio da equao de difuso. Alm desses dois mtodos de anlise e modelagem de sistemas de alto-vcuo h ainda outros mtodos e mais frente citaremos e faremos alguns comentrios sobre eles. Com relao aos sistemas de pr-vcuo operando no regime de escoamento viscoso laminar estes ocorrem quando o nmero de Knudsen for menor que 0,01 e o nmero de Reynolds for menor que 2000 , em suas anlises e modelagens realizadas com bastante rigor so utilizados os programas computacionais consagrados na rea da mecnica dos fluidos. Como observao cabe mencionar que os limites dos nmeros de Knudsen e Reynolds, que definem o regime de escoamento viscoso laminar, variam conforme o autor, isto expe o fato de que no h uma fronteira nitidamente demarcada, isto ocorre inclusive para os outros regimes de escoamento dos gases e vapores. O nmero de Knudsen fundamental em tecnologia do vcuo, uma vez que ele expressar matematicamente o tipo de regime de escoamento presente no escoamento dos gases e vapores [3-12, 28-45]. Em suma, adotamos neste trabalho de tese a formalizao de dois tipos de abordagens utilizadas nas modelagens e anlises detalhadas de sistemas de vcuo: a abordagem discreta e a abordagem contnua, que algumas vezes chamaremos de tratamento discreto e tratamento contnuo, ou ainda, modelagem discreta e modelagem contnua. Elas sero definidas e explicadas como veremos a seguir.

1.6.1 Tratamento Discreto.


No caso dos sistemas de vcuo projetados e construdos pelas grandes empresas especializadas vemos que em algumas delas os seus clculos so realizados com a utilizao de programas computacionais prprios, desenvolvidos internamente e mantidos como sigilo industrial. Em geral os clculos realizados por esses programas computacionais consideram alm dos aspectos inerentes ao processo de bombeamento condutncia da linha de bombeamento e velocidade de bombeamento das bombas de vcuo , os dados referentes s propriedades fsico-qumicas dos gases e vapores envolvidos no processo em vcuo, sendo que algumas das suas propriedades determinadas experimentalmente pelas prprias empresas. Por outro lado, os projetistas em tecnologia do vcuo, que no dispem dessas ferramentas computacionais, tm como alternativa
23

realizar clculos de forma simplificada ou criar as suas prprias ferramentas numricas e computacionais. De forma bastante esquemtica, mas sem perder a sua essncia bsica, os sistemas de vcuo podem ser representados como o mostrado na Figura 1.1. Neste desenho vemos as partes principais apresentadas pela maioria dos sistemas de vcuo, que so: a cmara de vcuo, as bombas de vcuo e a linha de bombeamento dos gases e vapores. As trs partes que compe o sistema de vcuo normalmente so bem localizadas, ou seja, tm caracter discreto; assim, determinamos sem ambigidade as partes principais que formam o sistema de vcuo. Cmara de Vcuo

Bombas de Vcuo

Linha de Bombeamento

Figura 1.1 Configurao esquemtica e bsica dos sistemas de vcuo.

Entretanto, h sistemas de vcuo nos quais podemos encontrar bombas de vcuo localizadas imediatamente junto cmara de vcuo e at mesmo dentro delas, e ainda, sistemas de vcuo nos quais a cmara de vcuo confunde-se com a tubulao, ou seja, a regio de interesse praticamente tubular. Em suma, existem vrios sistemas de vcuo de interesse nos quais no encontramos uma demarcao ntida entre as trs partes discretas mencionadas, criando desta forma uma ambigidade nas posies das vrias partes que formam o sistema de vcuo. Como exemplo importante, podemos citar cmaras de vcuo utilizadas nas linhas de luz dos aceleradores sncrotrons, em que parte das bombas de vcuo encontram-se no interior da prpria cmara de vcuo. Para estes casos, a modelagem fsico-matemtica detalhada bastante complexa, e verificamos que a abordagem discreta insuficiente para estud-las em detalhe. Alguns destes casos sero discutidos em profundidade, sendo parte do objeto principal deste trabalho.

24

A principal equao utilizada na modelagem dos sistemas de vcuo, por meio da abordagem discreta, a Equao Fundamental para o Processo de Bombeamento em Vcuo EPBV, mostrada a seguir na Expresso 1.1

VCV

dpCV (t ) dt

Sef pCV (t )
i 1

Qi

1.1

onde, VCV representa o volume da cmara de vcuo, pCV = pCV (t) a funo presso na cmara
n

de vcuo, Sef a velocidade efetiva de bombeamento e


i 1

Qi a soma das quantidades das

possveis fontes gasosas do sistema de vcuo multiplicada por kT, assim chamadas comumente de throughput. No Apndice A temos em detalhe o desenvolvimento rigoroso que leva Equao Fundamental para o Processo de Bombeamento em Vcuo EPBV. As diversas fontes de gases e vapores podem ser explicitadas pela Expresso 1.2

QTotal
i 1

Qi

QVR

QVV

QVap

QSub

QDeg

QPerm

QFBV

QGP

QIC

1.2

onde QVR representa o throughput do vazamento real, QVV do vazamento virtual, QVap da vaporizao, QSub da sublimao, QDeg da degaseificao, QPerm da permeao, QFBV da fonte gasosa da bomba de vcuo, QGP dos gases e vapores de processo e QIC da injeo controlada de gases e vapores. Estas fontes de gases e vapores esto descritas no Captulo 2 [4-6,8-9,11-12,29]. A velocidade efetiva de bombeamento Sef funo da condutncia total Ctotal e da velocidade de bombeamento da bomba de vcuo Sbv , conforme mostrada na Expresso 1.3

1 S ef

1 S bv

1 C Total

S ef

S bv C Total S bv C Total

1.3

Em geral, a velocidade da bomba de vcuo funo da presso e o valor da condutncia depende do regime de escoamento dos gases, que depende da presso, exceto no regime de escoamento molecular. Desta forma, a velocidade efetiva de bombeamento geralmente uma funo fortemente no linear da presso. Resolvendo a equao diferencial EPBV, com a imposio da condio inicial pcv(0) = po, encontramos a evoluo temporal da presso na cmara de vcuo, pcv = pcv(t).

25

Os sistemas de vcuo utilizados no setor industrial, junto aos seus processos ligados produo, em geral so fabricados por empresas especializadas em tecnologia do vcuo e so projetados com um nvel de detalhamento que exige a soluo da equao diferencial EPBV. Os modelos fsicos construdos so geralmente sofisticados, uma vez que devem estar mais prximos da realidade do processo de bombeamento dos gases e vapores em estudo. So considerados os aspectos como: a velocidade de bombeamento das bombas de vcuo em funo da presso, a variao da taxa de degaseificao especfica em funo do tempo e da temperatura, a evoluo temporal das fontes de gases inerentes ao processo em vcuo, e tambm, a dependncia da condutncia dos vrios componentes em funo do regime de escoamento dos gases. Este ltimo item muito importante, uma vez que as condutncias variam muito em funo da presso no regime de escoamento viscoso laminar e no regime intermedirio. Nestes regimes de escoamento dos gases e vapores o processo de bombeamento representado matematicamente por uma equao diferencial no linear ordinria de primeira ordem [11-12,30-32]. As empresas especializadas em projetos e construo de sistemas de vcuo usados, tanto em processos industriais como em pesquisa, podem ensaiar e testar em bancada os seus equipamentos em situaes reais. Com a experincia acumulada em anos de trabalho e com os dados experimentais disponveis para anlise, os modelos fsico-matemticos podem ser construdos e comparados com as medies feitas. Em seguida, novos ajustes e aprimoramentos nos modelos podem ser introduzidos. De um modo geral, estes dados experimentais, incluindo os valores das taxas de degaseificao especfica de vrios materiais tratados com processos de limpeza e condicionamento, os resultados analtico-numricos detalhados dos modelos constituem geralmente segredo industrial [33-38]. O procedimento de clculo mais utilizado nos projetos de sistemas de vcuo, por meio de clculos simplificados, descrito a seguir: temos que nestes casos pretendemos determinar exclusivamente a velocidade efetiva de bombeamento, para fazer o projeto do sistema de bombeamento de vcuo. Para atingir este propsito, devemos impor a presso final a ser atingida na cmara de vcuo. Neste caso, na Expresso 1.1, a derivada da funo temporal da presso na cmara de vcuo ser identicamente igual a zero, depois de certo instante de tempo, ou seja, a presso atingir um valor final constante, assim

dp final dt
portanto, encontramos a Expresso 1.4
26

0,

Sef p final
i 1

Qi

0,

1.4

na qual encontramos a velocidade efetiva de bombeamento, isto , a velocidade de bombeamento que efetivamente bombeia a cmara de vcuo, conforme mostrada na expresso seguinte

Qi S ef
i 1

p final

Com a determinao da condutncia total CTotal da linha de bombeamento, calculamos a velocidade de bombeamento necessria para as bombas de vcuo usando a Expresso 1.3, assim

1 S bv

1 S ef

1 C Total

S bv

S ef C Total C Total S ef

Quando o sistema de bombeamento de gases e vapores no suficiente para atingir a presso final pretendida, simplesmente acrescentamos uma ou mais bombas de vcuo. O fato de termos imposto que a presso final constante isto configura o estado permanente , por meio desta modelagem no temos no resultado obtido informao alguma a respeito da evoluo temporal da presso na cmara de vcuo [5-6,8-12,39-40]. Encontramos na literatura dados que servem como uma indicao de ordem de grandeza para os valores de taxa de degaseificao especfica para vrios materiais [6, 11-16]. Entretanto, freqentemente no mencionam como foram obtidos os valores apresentados, ou ainda, quais as condies para a sua aplicao. Tambm no so mencionadas as procedncias dos materiais e principalmente, o mtodo e os produtos qumicos usados na limpeza. Estas informaes so mais que importantes, podemos dizer com segurana que so fundamentais, pois o desempenho do sistema de vcuo depende muito da histria da fabricao dos materiais utilizados na sua construo [5,8-9,11-12,41-49]. Com o ferramental fsico-matemtico desenvolvido e implementado neste trabalho pretendemos alcanar resultados que expressem o valor da presso em funo do tempo na cmara de vcuo. Considerados os detalhes referentes condutncia da linha de bombeamento para os

27

regimes de escoamento dos gases e vapores, as curvas de velocidade de bombeamento em funo da presso das bombas de vcuo, e a especificao das fontes de gases e vapores. Os Apndices A e C expem rigorosamente a fsica-matemtica necessria para alcanar os objetivos pretendidos. O Captulo 3 traz casos de estudos sobre a modelagem discreta. Nestes estudos de caso temos o clculo do nmero de Knudsen, explicitando o critrio matemtico para a identificao do tipo de regime de escoamento dos gases e vapores. Este assunto de fundamental importncia tanto para o entendimento do comportamento do escoamento dos gases como para o projeto de sistemas de vcuo. Uma vez que a principal motivao para este trabalho de tese a modelagem, anlise e clculo detalhados de sistemas de vcuo, a determinao do nmero de Knudsen ser o ponto de partida para o estudo do escoamento dos gases e vapores.

1.6.2 Tratamento Contnuo.


Como vimos as trs partes que compem os sistemas de vcuo a cmara de vcuo, a linha de bombeamento e as bombas de vcuo normalmente so bem localizadas, ou seja, tm caracter discreto. Entretanto, h sistemas de vcuo nos quais podemos encontrar bombas de vcuo localizadas imediatamente junto cmara de vcuo e at mesmo dentro dela. E ainda, sistemas de vcuo nos quais as suas cmaras de vcuo confundem-se com as tubulaes, ou seja, a regio onde ocorre o processo em vcuo praticamente tubular. Existem tambm vrios sistemas de vcuo de interesse nos quais no encontramos uma demarcao ntida entre as trs partes mencionadas. Para estes casos, a modelagem fsico-matemtica bastante complexa. Alguns destes casos sero discutidos em detalhe, sendo o objeto principal deste trabalho. Iniciamos uma discusso neste Captulo 1 sobre as abordagens discreta e contnua de sistemas de vcuo. Na oportunidade, comentamos num primeiro contato, o alcance e as limitaes encontradas em cada uma delas. Neste captulo, estamos dando incio argumentao para nos prepararmos para a construo das ferramentas fsicas e matemticas necessrias para anlise, clculo e modelagem de sistemas de vcuo. Nos problemas da tecnologia do vcuo, a abordagem discreta leva ao conhecimento da funo presso dependente do tempo, chamada de presso da cmara de vcuo pCV

pCV (t ) .

Dependendo da distribuio e da intensidade dos throughputs das fontes de gases e vapores e da forma da cmara de vcuo podemos ter variaes grandes de presso de um ponto para outro nela. Esta a principal limitao da formulao discreta, ou seja, no somos capazes de encontrar os valores de presso para cada ponto da cmara de vcuo. Podemos ainda encontrar outra limitao na modelagem de sistemas de vcuo com as bombas de vcuo colocadas diretamente dentro da cmara de vcuo. Por exemplo, os painis criognicos, getters nos cinescpios, vlvulas eletrnicas de
28

potncia, visores por efeito de campo e outros apresentam bombas de vcuo dentro da cmara de vcuo. Nestes casos a anlise por meio da abordagem discreta bastante aproximada, podendo ocultar detalhes importantes e at cruciais sobre o desempenho dos sistemas de vcuo. H situaes importantes em tecnologia do vcuo, nas quais, as presses de trabalho levam a nmeros de Knudsen menores que 0,01, ou seja, KN < 0,01,nestes casos a hiptese do contnuo verificada. Com isso, a equao de Navier-Stokes da mecnica dos fluidos pode ser empregada e com ela as tcnicas e os programas computacionais j bem consagrados e testados. Assim, para os sistemas de pr-vcuo temos como encontrar de forma rigorosa o campo de presso tanto estacionrio como dependente do tempo [1-6,11-12,14,16,39-41]. No caso mais geral da anlise de sistemas de vcuo, fazendo uso da abordagem contnua, devemos considerar os quatro regimes de escoamento dos gases e vapores. Devemos ter sempre presente que os quatro tipos de escoamento tm naturezas completamente diferentes entre si. No caso do regime viscoso laminar, usamos a equao de Navier-Stokes para obter o campo de presso, assim como nos problemas envolvendo escoamento de gases no regime viscoso turbulento. Como exemplo importante e marcante, temos as modelagens das cmaras de vcuo dos reatores para processos empregados na microeletrnica e processos realizados a plasma em geral [1112,27,31,42-43]. No caso do regime de escoamento intermedirio a situao mais complicada. Este regime apresenta caractersticas ainda em desenvolvimento, principalmente no que se refere ao estabelecimento das condies de contorno. Neste regime de escoamento, as modelagens so realizadas de forma mais segura e correta empregando a chamada simulao direta em gases, ou seja, considerando a teoria das colises atmicas e moleculares, com a equao de Boltzmann sendo a sua base fsica. Este tipo de anlise bastante difcil, requerendo programas computacionais complicados e computadores com grande capacidade de processamento de dados. Temos aplicaes importantes ocorrendo no regime de escoamento intermedirio, por exemplo, a microeletrnica, processos industriais realizados a plasma, e outros [11-12,42-56]. Neste trabalho partimos da hiptese, que no caso do regime de escoamento molecular, o escoamento dos gases e vapores pode ser considerado um fenmeno de origem difusiva. Esta suposio, apesar de ser empregada naturalmente, requer um estudo mais detido e cuidadoso. No Apndice G est apresentada uma discusso sobre a questo e comparando resultados obtidos com o mtodo de Monte Carlo. As modelagens e anlises detalhadas de sistemas de vcuo, com o escoamento dos gases e vapores no regime molecular, devem ser construdas observando-se os seguintes pontos. Inicialmente, deveremos considerar em detalhe a geometria da cmara de vcuo e as posies das aberturas que do acesso s bombas de vcuo, alm da disposio das fontes de gases e vapores a serem consideradas e as suas intensidades. Esperamos obter solues com

29

estrutura de campo escalar, no caso o campo de presso para a cmara de vcuo em estudo. Desta forma utilizamos a equao de difuso adaptada presso como varivel dependente [37-38]. Considerando que a soluo obtida por meio da formulao contnua mais rica que aquela soluo obtida pela formulao discreta, esperamos que na modelagem contnua surjam dificuldades adicionais. Mas, por meio da soluo do problema usando a abordagem contnua, teremos o conhecimento do campo escalar de presso na cmara de vcuo, isto ,

pCV

pCV (r , t ) para todos os pontos de interesse. As dificuldades encontradas no sero somente

matemticas para a obteno da soluo da equao diferencial parcial, mas tambm na definio de grandezas bsicas relacionadas ao sistema de vcuo. Neste tipo de abordagem, deveremos definir grandezas como condutncia especfica, taxa de degaseificao especfica tanto para as fontes gasosas estacionrias como para as dependentes do tempo, e ainda, a definio geomtrica do sistema de vcuo. Estas grandezas tm caracter contnuo, uma vez que a equao diferencial parcial tem como soluo uma funo com propriedades de campo escalar, no caso campo de presso [47-48,51-63]. Em suma, a dificuldade na modelagem do problema, por meio da abordagem contnua, est em responder a seguinte questo: o que condutncia especfica para um problema de uma, duas ou trs dimenses espaciais? Ainda, quando o tubo tem rea da seo transversal varivel? A nica situao encontrada, pelo autor deste trabalho de tese, nas publicaes da rea de tecnologia do vcuo a de tubos com rea de seo constante [1,11-12,14,24,47-48]. Neste caso, a obteno da condutncia especfica imediata e o tratamento matemtico do problema depende exclusivamente das fontes gasosas e das condies de contorno e inicial. Neste trabalho de tese conseguimos generalizar para todas as dimenses espaciais e para todos os casos de fontes gasosas estacionrias e dependentes do tempo [59-62]. Mencionamos que existem quatro maneiras de modelar sistemas de alto-vcuo e ultra altovcuo, que so: mtodo de Monte Carlo, mtodo dos Coeficientes Angulares, mtodo da Integral Cintica e o mtodo das reas Equivalentes [36-45]. Estes mtodos so bastante especializados e no so fceis de serem implementados na prtica. O mtodo da Equao de Difuso, que estamos desenvolvendo neste trabalho de tese, tem a vantagem de o ferramental matemtico-numrico necessrio obteno das solues dos problemas o mesmo que aquele usado nos problemas de fenmenos de transporte de calor por conduo [41,59-62]. Assim, neste trabalho, desenvolvemos uma metodologia geral para modelar sistemas de vcuo com os gases escoando no regime molecular, para todas as dimenses espaciais estacionrias e transientes no tempo. Mais, foram considerados problemas que apresentam fontes gasosas extensas e localizadas na posio e no tempo. Quando falamos em sistemas de vcuo, com uma,
30

duas ou trs dimenses espaciais, queremos dizer que os sistemas de vcuo apresentam nitidamente uma dimenso dominante ou duas dimenses dominantes. Nas estruturas com geometria tubular, temos claramente trs dimenses! Mas, ocorre que os fenmenos relativos ao escoamento dos gases e a variao de presso se d significativamente somente na direo ao longo do tubo. Isto faz com que possamos considerar o problema com geometria unidimensional. O mesmo tipo de raciocnio pode ser aplicado em duas e trs dimenses. Em suma, nas estruturas com geometria planar com a terceira dimenso pequena frente s outras, podemos considerar as variaes de presso e os gases escoando significativamente em apenas duas dimenses. Estas ltimas consideraes so bastante comuns no estudo de outros fenmenos fsicos [49]. A teoria para a modelagem de sistemas de vcuo no regime de escoamento molecular por meio da equao de difuso est desenvolvida em detalhe no Apndice C. Procuramos sempre identificar e buscar simetrias no problema, isto geralmente leva a uma srie de simplificaes no tratamento matemtico e ainda deixa o sistema fsico mais fcil de ser estudado e interpretado. Os sistemas de vcuo unidimensionais, bidimensionais e tridimensionais estudados consideram vrios detalhes, como: diferentes disposies e velocidades das bombas de vcuo, vrios tipos de fontes de gases tanto em estado estacionrio como em estado transiente [5056,59-62].

1.7 Alcance, Limitaes e Dificuldades nos Clculos e nas Anlises Tradicionais em Tecnologia do Vcuo.
Na cincia, na tecnologia e na engenharia, o alcance tanto dos clculos como das anlises depende fundamentalmente dos modelos que construmos para representar um determinado processo ou fenmeno. Os modelos devem ser simplificados a fim de conseguirmos resolv-los matematicamente, mas no devem ser exageradamente simplificados, de modo a perder a essncia do objeto em estudo. Encontrar a fronteira entre a simplificao e sofisticao a tarefa mais difcil e depende do tirocnio e da experincia do profissional. Veja que quando falamos em resoluo matemtica do problema, estamos considerando a obteno da soluo tanto por meios analticos como numricos. Assim, na cincia e na tecnologia, sempre uma tarefa difcil determinar qual o nvel de detalhamento que deveremos considerar na construo da modelagem do objeto em estudo. Ao propor um modelo fsico-matemtico, o ideal seria conseguir o mximo de informao requerida para as nossas necessidades com o mnimo de esforo para a obteno delas. A questo que nem sempre sabemos a priori se um determinado detalhe ser importante para a modelagem do sistema [34-36, 63-68].

31

Em tecnologia do vcuo, como j vimos, os modelos fsicos construdos a partir da abordagem discreta so tratados matematicamente por meio da soluo da equao diferencial fundamental para o processo de bombeamento. Dependendo dos detalhes a serem considerados no estudo em questo, a equao diferencial poder ficar fortemente no linear, acarretando dificuldade na soluo matemtica do problema. Como j foi mencionado, no h ferramentas de anlise disponveis para a soluo matemtica de problemas especficos em tecnologia do vcuo. Assim, os projetistas e analistas em tecnologia do vcuo, ou ainda usurios que necessitam de resultados mais detalhados, precisam criar as suas prprias ferramentas para solucionar seus problemas. Desta forma, infelizmente, geralmente muitos problemas em tecnologia do vcuo no so tratados em profundidade que merecem. Apesar das consideraes feitas acima, devemos ter em mente que os problemas apresentados precisam ser tratados e analisados com rigor. Assim, como ocorrem em outras reas da tecnologia, deveremos desenvolver os procedimentos e ferramentas adequados para estudo. Mesmo levando em conta os refinamentos e as sofisticaes no modelo, h um alcance limitado na modelagem construda a partir da equao diferencial EPBV , explicitada na Expresso I.1. A questo est no fato da Expresso I.1 fornecer a funo presso na cmara de vcuo em funo somente do tempo. Neste caso, est implcito que a presso a mesma em todos os pontos da cmara de vcuo. Esta hiptese certamente uma simplificao e que pode ser considerada grosseira na maioria dos casos. Uma anlise mais detida sobre o assunto mostrar que deveremos considerar em muitos casos um campo de presso na cmara de vcuo, ou seja, a presso em todas as partes do sistema de vcuo. Assim, matematicamente teremos que a presso dever ser um campo escalar, representado por uma funo pCV = pCV(x,y,z,t). Pelo exposto, o mximo alcance possvel feito em uma anlise tradicional em tecnologia do vcuo abordagem discreta a obteno de um valor de presso em funo do tempo na cmara de vcuo. Isso, mesmo considerando todos os possveis detalhes relativos s fontes de gases e vapores, os valores das condutncias dos componentes que compem a linha de bombeamento, e ainda as curvas das velocidades de bombeamento das bombas de vcuo. Desta forma, est claro que a modelagem e anlise dos sistemas de vcuo, utilizando a EPBV, tm limitaes e alcances intrnsecos a esta formulao. Do ponto de vista bsico, esta EPBV deduzida a partir do princpio de conservao de energia. Ela um balano entre a potncia recebida pela cmara de vcuo, provenientes dos tomos
n

e molculas que compem os gases e vapores


i 1

Qi , da potncia transferida para as bombas de

32

vcuo S ef pCV (t ) e a parte da potncia que faz variar a presso na cmara de vcuo, cujo termo

VCV

dpCV (t ) . Este assunto discutido em detalhe no Apndice A. dt


Em contrapartida abordagem discreta temos a abordagem contnua, esta mais sofisticada

que aquela para o tratamento detalhado de sistemas de vcuo. Na abordagem contnua podemos encontrar o valor de presso em funo do tempo e tambm em funo de cada ponto da cmara de vcuo. Este tipo de abordagem tem sido usado para diferentes sistemas fsicos, como por exemplo: escoamento de fluidos, transferncia de calor, distribuio de cargas eltricas, distribuio de fontes de campos magnticos, etc. Estes problemas so tpicos em fsica e em tecnologia, surgindo da sua formulao em termos de equaes diferenciais parciais. Assim, esperamos neste trabalho estar contribuindo para a formulao em termos de campos de presso, por meio da equao de difuso com as condies de contorno e condies iniciais bem estabelecidas, com claro significado fsico para a modelagem detalhada de sistemas de vcuo [37-39, 59-62]. Entretanto, deveremos ter claro que a obteno de solues envolvendo equaes diferenciais parciais, com condies de contorno e condio inicial, uma tarefa muito difcil. Rarssimas so as situaes nas quais encontramos solues analticas e, nesses casos, a sua obteno bastante rdua. A grande maioria dos problemas envolvendo condies de contorno tem as suas solues alcanadas utilizando mtodos numrico-computacionais [40-46,53-57,59-63,6568].

1.8 Sntese desta Tese.


Os principais resultados obtidos no presente trabalho so de dois tipos: o primeiro deles abordagem discreta refere-se ao instrumental de anlise capaz de contribuir para resolver numericamente a equao diferencial do processo de bombeamento EPBV por meio do mtodo de Euler-Heun, similar ao mtodo de Runge-Kutta de segunda ordem, e do mtodo de Runge-Kutta de quarta ordem. Iniciamos com o Captulo 1 a apresentao da tecnologia do vcuo com seus objetivos e aplicaes, resumo histrico dos seus principais eventos e realizaes e principalmente, procuramos enfatizar e descreve os passos de como so realizadas as anlises, clculos e modelagens de sistemas de vcuo de uso geral. No Captulo 1 fizemos uma descrio essencialmente descritiva e apenas introduzimos alguns aspectos matemticos das modelagens. Apresentamos com detalhe e rigor, no Apndice A, a teoria pertinente para a abordagem discreta. Nas anlises realizadas foram consideradas as condutncias dependentes do regime de escoamento e tambm foram consideradas as velocidades de bombeamento das bombas de vcuo dependentes da presso. As condutncias das linhas de bombeamento so calculadas considerando
33

os regimes de escoamento viscoso turbulento, viscoso laminar, intermedirio e molecular. As curvas de velocidade de bombeamento, para as bombas de vcuo mais utilizadas, foram conseguidas expresses analticas, por meio de ajustes da curvas disponveis nos catlogos dos produtos de vcuo. As bombas de vcuo para as quais conseguimos a expresso da velocidade de bombeamento em funo da presso so: bomba mecnica de palhetas de um estgio, bomba mecnica de palhetas de dois estgios, bomba de pisto, bomba de diafragma, bomba de anel lquido, bomba scroll, bomba injetora de vapor ou bomba booster de vapor, bomba de difuso, bomba turbomolecular-drag, bomba turbomolecular e bomba inica. Os resultados obtidos por meio de mtodos numricos so bastante precisos quando comparados com aqueles casos nos quais podemos obter solues analticas. As expresses matemticas das curvas de velocidade de bombeamento so mostradas em detalhe no Apndice C. Foram realizadas modelagens detalhadas de sistemas de vcuo, com o propsito de ilustrar a utilizao das ferramentas analticas e computacionais construdas neste trabalho. Os sistemas de vcuo considerados foram um sistema de pr-vcuo com bomba mecnica de palhetas de dois estgios, um outro sistema de pr-vcuo com bomba roots, um sistema de alto-vcuo com bomba difusora, e um sistema de ultra alto-vcuo com bomba turbomolecular. Obtivemos a presso como funo do tempo, partindo da presso atmosfrica at a presso final que pode atingir o sistema de vcuo em questo. Com o propsito de conseguirmos uma anlise detalhada enfatizamos os aspectos fsicos do processo de bombeamento, em particular na construo da equao diferencial fundamental para o processo de bombeamento. No Captulo 2 foram consideradas as definies das vrias fontes de gases e vapores importantes nos sistemas de vcuo, assim como as suas expresses matemticas. Em particular, para as fontes de gs devido ao vazamento virtual, o Apndice E traz um estudo detalhado. Ainda para os casos em que a injeo controlada de gs precisa ser considerada, o Apndice F traz este assunto em detalhe. O segundo tipo de resultado abordagem contnua refere-se ao instrumental de anlise para a obteno dos valores de presso em todos os pontos da cmara de vcuo, ou seja, conseguimos descrever os problemas de vcuo a partir de uma formulao de campo escalar, no caso, campo de presso. A fim de tratar o problema adequadamente, foram desenvolvidas as ferramentas matemticas necessrias para considerar os sistemas de alto-vcuo e de ultra alto-vcuo como sendo problemas de difuso de tomos e molculas. Foram tratados problemas unidimensionais, bidimensionais e tridimensionais, estacionrios e transientes no tempo. No caso de sistemas de vcuo em uma dimenso estruturas tubulares muito encontrados em vrias aplicaes da tecnologia do vcuo, por exemplo, os aceleradores de partculas, vlvulas klystron, anis de armazenamento de partculas, microscpio eletrnico e os prprios tubos de transporte de

34

gases. Foi obtida uma generalizao para o tratamento de sistemas de alto-vcuo e ultra alto-vcuo tubulares para quaisquer fontes de gases, impulsivas e extensivas no tempo e no espao. As expresses matemticas obtidas podem ser usadas para tubos com seo transversal varivel no comprimento. A teoria e as expresses matemticas para a abordagem contnua so desenvolvidas em detalhe no Apndice B. Uma discusso extensa sobre a utilizao da equao de difuso, para modelar sistemas de vcuo com gases escoando no regime molecular, apresentada no Apndice G. Para o caso de sistemas de alto-vcuo e ultra alto-vcuo bidimensionais foram consideradas as cmaras de vcuo das telas de mostradores de informao com tecnologia de emisso de eltrons por efeito de campo, tanto retangular como circular. Estes casos apresentam grande interesse atualmente, uma vez que este tipo de mostrador de informao parece ser o mais promissor para substituir o centenrio e ainda presente o tubo de raios catdicos. Em conjunto com as equaes diferenciais obtidas, apresentamos tambm a construo detalhada das condies de contorno e condio inicial. Construmos tambm a grandeza condutncia especfica, fundamental para a modelagem de sistemas de vcuo pela equao de difuso. Na opinio do autor deste trabalho, a condutncia especfica a principal grandeza que representa os sistemas de vcuo. Ela, comparada velocidade de bombeamento, que determinar como ser a evoluo temporal da presso, alm de sua distribuio espacial nos sistemas de vcuo. So apresentados casos de estudo de sistemas de alto-vcuo modelados pela equao de difuso. No Apndice D comparamos, confrontamos e estabelecemos os limites de aplicao s abordagens discreta e contnua. De forma abreviada, dizemos que as principais contribuies deste trabalho de tese so: a construo de uma planilha de clculo detalhado para anlise de sistemas de vcuo com a abordagem discreta; a construo matemtica de expresses para a velocidade de bombeamento para as principais bombas de vcuo; clculo de sistemas de vcuo considerando detalhes sobre a condutncia da linha de bombeamento; definio das grandezas condutncia especfica e taxa de degaseificao especfica por unidade de comprimento de tubos, para casos gerais de tubos com rea de seo transversal varivel com o comprimento; construo matemtica para a representao de fontes de gases para tubos de rea de seo transversal varivel com o comprimento; tratamento em detalhe de vrios tipos de fontes de gases e vapores; construo de equaes diferenciais para a anlise de sistemas de vcuo gerais pelo mtodo de difuso de gases e comparao dos resultados analticos e computacionais obtidos pelo mtodo de difuso de gases com o mtodo de Monte Carlo.

1.9 Referncias.
1. Madey, T. E. and Brown, W. C., History of Vacuum Science and Technology, American Vacuum Society and American Institute of Physics, 1984.
35

2.

Redhead, P. A., Vacuum Science and Technology Pioneers of the 20th Century, American Vacuum Society, 1994.

3.

Dushman, S., Scientific Foundations of Vacuum Technique, Second Edition, John Wiley and Sons Inc, 1962.

4. 5.

Hucknall, D., Vacuum Technology and Applications, Butterworth-Heinemann Ltd, 1991. OHanlon, J. F., A Users Guide to Vacuum Technology, Second Edition, A WileyInterscience Publication, 1989.

6. 7. 8.

Roth, A., Vacuum Technology. Second and Revised Edition, North-Holland, 1986. Kittel, C., Elementary Statistical Physics, Dover Publications, 2004. XXXXX Sugano, T., Applications of Plasma Processes to VLSI Technology, Wiley-Interscience Publication, 1985.

9.

Degasperi, F. T., Notas de Trabalho e de Aulas da Disciplina de Tecnologia do Vcuo da Faculdade de Tecnologia de So Paulo, Terceira Edio, Circulao Restrita, 1999.

10. 11. 12.

Chambers, A., Modern Vacuum Physics, Chapman & Hall / CRC, 2005. Wei Zhu, Vacuum Microelectronics, JohnWiley & Sons, 2001. Lafferty, J. M., Foundations of Vacuum Science and Technology, Wiley-Interscience Publication, 1998.

13. 14.

Marquardt, N., et al, CERN-Yellow Reports 99-05. Duval, P., High Vacuum Production in the Microelectronics Industry, Elsevier Science Publishers B.V., 1988.

15.

Dylla, H. F., Development of Ultrahigh Vacuum Technology for Particle Accelerators and Magnetic Fusion Devices, J. Vac. Sci. Technol. A 12(4), 1994.

16. 17. 18.

Grber, O., J. Vac. Sci. Technol. A 9(3), 1991. Benvenuti, C., Calder, R. and Grobner, O., Vacuum, 37(8/9), 1987. Dylla, H. F., A Review of Surface Conditioning Techniques for Ultrahigh Vacuum Systems. Proceedings of the Workshop on Wall Conditioning in Large Ultra High Vacuum Devices. International Union for Vacuum Science, Technique and Applications IUVSTA, Switzerland, 1995.

19.

Winter, J., Wall Conditioning in Fusion Devices. Proceedings of the Workshop on Wall Conditioning in Large Ultra High Vacuum Devices. International Union for Vacuum Science, Technique and Applications IUVSTA, Switzerland, 1995.

20.

Varandas, C.A.F., Vacuum, 45(10/11), 1994.

36

21.

Degasperi, F.T., The Vacuum Pumping, Controlled Gas Injection and Residual Gas Analyses Systems for the TCA-BR Tokamak, 14th International Vacuum Congress (IVC 14), Birmingham, United Kingdon, 1998. (Trabalho apresentado em Sesso Oral).

22.

Degasperi, F.T., Elisondo, J.I., Larche, E.A., Reis, A.P. dos, Sanada, E.K., Ferreira, A.A., Lima, R.R. and Nascimento, I.C., The Vacuum Pumping, Controlled Gas Injection, Residual Gas Analyses and Conditioning Wall Systems for the TCABR Tokamak, 14th Technical Committee Meeting on Research Using Small Fusion Devices, Instituto de Fsica da Universidade de So Paulo, So Paulo, SP, Brasil, 2001. (Trabalho apresentado em Sesso de Painel).

23.

Bradaschia, C., Large Interferometers for Gravitational Waves Detection, Proceedings of the Workshop on Wall Conditioning in Large Ultra High Vacuum Devices. International Union for Vacuum Science, Technique and Applications IUVSTA, , Switzerland, 1995.

24.

Bernardini, M., Bradaschia, C., Pan, H.B., Pasqualetti, A., Torelli, G. and Zhang, Z., Gravitation Antenna Vacuum Prototype. Proceedings of the Workshop on Wall Conditioning in Large Ultra High Vacuum Devices. International Union for Vacuum Science, Technique and Applications IUVSTA, Switzerland, 1995.

25.

Beni, G., Hackwood, S., Belinski, S., Shirazi, M., Li, Shigang and Karuppiah, L., Vacuum Mechatronics, Artech House, Inc. 1990.

26.

Porta, P. Della., The Gettering Process in Modern Receiving Valve Manufacture, Progress in Vacuum Science and Technology, Ed. A. Barrett, Pergamon Press, 1959.

27. 28. 29. 30. 31.

Hablanian, M.H., J. Vac. Sci. Technol. A2(2), 1984. Redhead, P.A., J. Vac. Sci. Technol. A2(2), 1984. Duke, C.B., J. Vac. Sci. Technol. A2(2), 1984. Hobson, J.P., J. Vac. Sci. Technol. A2(2), 1984. Loevinger, R., Fundamental Considerations in Vacuum Practice. Vacuum Equipment and Techniques, Ed. A. Guthrie and R.K. Wakerling. McGraw-Hill Book Company, 1949.

32. 33. 34. 35.

Sedlacek, M., Electron Physics of Vacuum and Gaseous Devices, John Wiley and Sons, 1996. Bird, R.B., Stewart, W.E., Lightfoot, E.N., Transport Phenomena, 2nd Edition, Wiley, 2003. Walton, A.J., Three Phases of Matter, Oxford University Press, 2nd Edition, 1992. Tabor, D., Gases, Liquids and Solid and Other States of Matter, Cambridge University Press, 3rd Edition, 1991.

36.

Saksaganskii, G.L., Molecular Flow in Complex Vacuum Systems, Gordon and Science Publishers, 1988.

37.

Cercignani, C., Mathematical Methods in Kinetic Theory, Plenum Press, 1969.

37

38. 39.

Knudsen, M., Kinetic Theory of Gases, 3rd Edition, John Wiley and Sons, 1950. Bird, G.A., Molecular Gas Dynamics and the Direct Simulation of Gas Flow, Clarendon Press Oxford, 1996.

40.

Kersevan, R., Vacuum System Optimization: Computational Methods, School on Use of Synchrotron Radiation in Science and Technology, International Centre for Science and High Technology, Trieste, Italy, 1991.

41. 42. 43.

Kersevan, R., Considerations on Vacuum Calculations, Private Communication, 2005. Kersevan, R., Molflow - Users Guide, Sincrotone Trieste, Trieste, Italy, 1991. Cercignani, C., Rarefied Gas Dynamics: From Basic Concepts to Actual Calculations, Cambridge Text Applied Mathematics, 1999.

44.

Sharipov, F., Seleznev, V., Data on Internal Rarified Gas Flows, J. Phys. Chem. Ref. Data, Vol. 27, no. 3, 1998.

45.

Kalempa, D., Fenmenos de Transporte no Escoamento de Misturas de Gases Rarefeitos, Dissertao de Mestrado, Setor de Cincias Exatas da Universidade Federal do Paran, Curitiba, Paran, 2005.

46.

Hoffman, D.M., Singh, B. and Thomas III, J.H., Handbook of Vacuum Science and Technology, Academic Press, 1997.

47.

Roberts, R.W. and Vanderslice, T.A., Ultrahigh Vacuum and its Applications. Prentice-Hall, 1963.

48. 49.

Davy, J.R., Industrial High Vacuum, Sir Isaac Pitman and Sons, 1951. Ryans, J.L. and Roper, D.L., Process Vacuum Systems Design and Operation, McGraw-Hill Book Company, 1986.

50.

Woods, R.L. and Lawrence, K.L., Modeling and Simulation of Dynamics Systems, PrenticeHall, 1997.

51. 52.

Gershendeld, N., The Nature of Mathematical Modeling, Cambridge University Press, 1999. MacCluer, C.R., Industrial Mathematics Modeling in Industry, Science and Government, Prentice Hall, 2000.

53. 54.

Svobodny, T., Mathematical Modeling for Industry and Engineering, Prentice Hall, 1998. Arfken, G. and Weber, H., Mathematical Methods for Physicists, 4th Edition, Academic Press, 1998.

55.

Tijonov, A.N. and Samarsky, A.A., Ecuaciones de la Fisica Matematica, Segunda Edicin, Editorial Mir, 1980.

56.

Snider, A.D., Partial Differencial Equations: Sources and Solutions, Printice Hall, 1999.

38

57.

Souza-Santos, M. L. de, Analytical and Approximate Methods Applied to Transport Phenomena, Livro-Texto da Disciplina da Faculdade de Engenharia Mecnica da Unicamp, 2004.

58. 59.

Gershendeld, N., The Physics of Information Technology, Cambridge University Press, 2000. Degasperi, F.T., Baranauskas, V., Pressure Field in High-Vacuum Systems: Mathematical Physics Formulation, 8th European Vacuum Conference EVC-8 2nd Annual Conference of the German Vacuum Society, Berlin, Germany, 2003.

60.

Degasperi, F.T., Mammana, V.P., Baranauskas, V., Steady-State and Transient Profile in Field Emission Display, 8th European Vacuum Conference EVC-8 2nd Annual Conference of the German Vacuum Society, Berlin, Germany, 2003. Degasperi, F.T., Pressure Field Distribuition in Ultra High-Vacuum Systems, 41st IUVSTA Worksohop Vacuum System Design for Particle Accelerators: a multidiciplinary approach, Brdopri Kranju, Slovenia, 2004.

61.

62.

Degasperi, F.T., Baranauskas, V., Mathematical Physics Formulation to Pressure Field in a Tube with na Arbitrary Axisymmetric Cross Section, 16th International Vacuum Congress IVC-16, Venice, Italy, 2004.

63.

Fortuna, A.O., Tcnicas Computacionais para a Dinmica dos Fluidos Conceitos Bsicos e Aplicaes, Editora da Universidade de So Paulo, 2000.

64. 65.

Van Atta, C.M., Vacuum Science and Engineering, McGraw-Hill Book Company, 1965. Degasperi, F.T., Deduo da Equao Fundamental para o Processo de Bombeamento na Tecnologia do Vcuo - Objetivo Didtico, Trabalho apresentado em Sesso Oral, XII Congresso Brasileiro de Aplicaes de Vcuo na Cincia e na Indstria, Florianpolis, SC, Brasil, 1991.

66.

Sanches Junior, R.L., Tratamento Matemtico Analtico-Numrico para o Processo de Bombeamento em Tecnologia do Vcuo. Trabalho de Graduao do Curso MPCE da FatecSP, orientado por F.T. Degasperi, 1997.

67.

Degasperi, F.T., Anlise Detalhada de Sistemas de Vcuo, Laboratrio do Acelerador Linear do Instituto de Fsica da Universidade de So Paulo, So Paulo, SP, Brasil, 1999. Seminrio.

68.

Pauletti, R.M.O., Degasperi, F.T., Morel, J.C.O.; Saraiva, J.R.; Onusic, H.; Xavier, O.A.M.; Mathias Jr. V. - "Determinao do Campo de Temperaturas em Rodas de nibus Urbanos". VII SIMEA - Simpsio de Engenharia Automotiva, So Paulo, SP, Brasil, 1993. Publicado nos Anais do Simpsio. Este trabalho recebeu Meno Honrosa da Associao Brasileira da Indstria Automotiva (AEA).

39

Captulo 2
Princpios Fsicos e Equaes Fundamentais
Neste captulo apresentamos os conceitos fsicos fundamentais para anlise, clculo e modelagem de sistemas de vcuo. Com o propsito, inicialmente estabelecido, de construir modelos rigorosos em tecnologia do vcuo listamos e discutimos as vrias fontes de gases e vapores importantes que surgem nos processos em vcuo. Em seguida, tratamos o transporte dos gases e o seu bombeamento em baixa presso. Posteriormente, apresentamos as equaes fundamentais para a modelagem de sistemas de vcuo tanto na formulao discreta como na contnua. Seguindo, como a modelagem dos sistemas de vcuo segue uma formulao matemtica de equaes diferenciais, discutimos em detalhe o estabelecimento da condio inicial e das condies de contorno dos problemas. Complementando e fechando, mostramos que as formulaes discreta e contnua devem ser tratadas como complementares.

2.1 Introduo.
O principal objetivo da tecnologia do vcuo apresentar solues para a remoo dos gases e vapores presentes nas cmaras de vcuo. Tendo sempre presente que as solues propostas devem ser de custo que viabilize economicamente o produto e que podemos remover apenas parte do gs e vapor presente na cmara de vcuo. H essencialmente duas grandes classes de fenmenos importantes que ocorrem em vcuo. Uma delas oriunda das possveis fontes de gases e vapores e a outra delas devido ao transporte dos gases rarefeitos. De forma geral, verificamos que os fenmenos observados em baixas presses so devidos interao dos tomos e molculas entre si e a interao deles com as superfcies dos materiais slidos e lquidos que compem e participam dos sistemas de vcuo. No caso especfico dos fenmenos ligados ao transporte dos gases e vapores em vcuo h quatro maneiras distintas de os gases escoarem. Isto torna a modelagem rigorosa do processo de bombeamento em vcuo geralmente bastante difcil de ser realizada. Mas, a identificao dos tipos de escoamento dos gases e vapores determinante para se conseguir estudar o bombeamento dos gases em vcuo. Assim, alm do transporte dos gases, para que possamos realizar uma anlise profunda dos sistemas de vcuo, deveremos ter uma definio clara e quantitativa das vrias fontes de gases e vapores que participam dos processos sob vcuo.

41

Como estamos propondo dois modos de abordar os sistemas de vcuo a abordagem discreta e a abordagem contnua , teremos que considerar tanto a especificao das fontes de gases e vapores como as grandezas relativas ao transporte dos gases para cada uma das formas de modelagem. Na formulao discreta os sistemas de vcuo so formados por trs partes distintas: a cmara de vcuo, as bombas de vcuo e a linha de bombeamento. Neste caso, deveremos identificar as fontes gasosas presentes na cmara de vcuo e quantific-las. Em seguida, determinar a condutncia total da linha de bombeamento, e posteriormente, de posse das velocidades de bombeamento das bombas de vcuo, proceder obteno da soluo da Equao Fundamental para o Processo de Bombeamento em Vcuo EPBV. Por meio da modelagem discreta poderemos determinar a funo presso em funo do tempo na cmara de vcuo. Nos Apndices A, C, D, E e F so tratados de temas que interessam diretamente abordagem discreta e ainda, no Captulo 3 exemplificaremos com casos de estudo bastante presentes na tecnologia do vcuo. Na formulao contnua, por sua vez, temos que os sistemas de vcuo podem ser tratados de forma completamente integrada. Assim, tanto a cmara de vcuo como a linha de bombeamento assim como a bomba de vcuo so consideradas na modelagem contnua de forma que a presso pode ser obtida em todos os pontos que compem o sistema de vcuo. Neste sentido, todas as partes do sistema de vcuo que participam da modelagem contnua tm o mesmo nvel de atuao. Como conseqncia, determinaremos o campo de presso em todos os pontos que compem o sistema de vcuo. Assim, para podermos efetuar este tipo de modelagem deveremos identificar e definir as fontes de gases e vapores e as condutncias em cada ponto que compem o sistema de vcuo. Alm de identificar as posies das bombas de vcuo com suas velocidades de bombeamento. Posteriormente, escreveremos a equao diferencial parcial com as condies de contorno e a condio inicial para podermos obter a soluo matemtica do problema. Por meio da modelagem contnua poderemos determinar o campo de presso em funo do tempo para todos os pontos considerados na modelagem. Nos Apndices B, C, D, E, F e G so tratados de temas que interessam diretamente abordagem contnua e ainda, no Captulo 3 exemplificaremos com casos de estudo bastante ilustrativos tecnologia do vcuo. Verificaremos que ambas as formulaes discreta e contnua devem ser tratadas como complementares. Inclusive, pode ocorrer que para a obteno de uma ou mais condies de contorno, essenciais formulao contnua, deveremos primeiramente realizar uma modelagem discreta. Este mesmo tipo de situao tambm ocorre em problemas de transferncia de calor e em outros problemas, cuja formulao feita em termos de campo, seja campo escalar, ou seja, campo vetorial. Podemos interpretar que na essncia, a abordagem discreta considera o princpio de conservao de energia dependente exclusivamente do tempo e, a abordagem contnua considera o

42

princpio de conservao de energia dependente do tempo e em cada posio do sistema fsico em estudo. Podemos ainda utilizar a abordagem discreta em uma modelagem para verificarmos a coerncia na realizao de uma modelagem contnua. Em suma, devemos sempre considerar as abordagens discreta e contnua como complementares e nunca como antagnicas e excludentes. Ainda, h situaes em que a modelagem discreta suficiente, sendo suprflua e desperdcio de tempo e recursos computacionais a modelagem contnua, este assunto discutido no Apndice D.

2.2 Teoria Cintica dos Gases para Projetos de Sistemas de Vcuo.


A teoria cintica dos gases a base terica para a tecnologia do vcuo. Alm do comportamento geral dos gases e vapores, devemos ainda considerar os fenmenos importantes dos gases relacionados a sua interao com as superfcies slidas e lquidas. Assim, em baixas presses, temos os fenmenos de adsoro e de desorpco, que do origem ao outgassing, que a liberao de gs das superfcies expostas ao vcuo na temperatura ambiente, e a degaseificao (do ingls degassing), que a liberao de gs com energia adicionada s paredes, estes so processos importantes que ocorrem em vcuo [1,2]. A teoria cintica dos gases uma rea da fsica bastante extensa e pode ser tratada em diferentes nveis de profundidade. Tendo em vista os nossos propsitos, apenas citaremos os conceitos bsicos relevantes da teoria cintica dos gases importantes tecnologia do vcuo. H textos que tratam a teoria cintica dos gases adequadamente modelagem dos sistemas de vcuo [3-7]. Para o estudo e a modelagem dos sistemas de vcuo, alm dos fenmenos relacionados ao comportamento geral dos gases e vapores nos volumes e da sua interao com as superfcies, devemos tambm considerar o transporte dos gases nos quatro regimes de escoamento que ocorrem com os gases rarefeitos. A equao dos gases perfeitos ou ideais, tambm chamada de equao de ClapeyronMendeleev, mostrada na Expresso 2.1

pV

nRT

ou

pV

NkT

2.1

uma sistematizao das leis de Boyle e Mariotte, de Charles, de Avogadro e de Gay-Lussac. A expresso matemtica simples para a equao de estado dos gases perfeitos reflete a forma simples do comportamento dos gases ideais [4,5]. As grandezas que aparecem na equao dos gases perfeitos so: a presso p , o volume do recipiente V , a quantidade de gs em nmero de mols n ou em nmero de molculas N , a temperatura absoluta T , e ainda, R, a constante universal dos gases perfeitos e k a constante de Boltzmann. Na maioria dos casos dos processos em vcuo, a equao acima suficiente para tratar do comportamento dos gases no volume. Para os sistemas de
43

vcuo voltados metrologia, utilizaremos a equao de estado do virial com a primeira potncia na presso, como veremos mais frente [1,2]. H aplicaes da tecnologia do vcuo nas quais temos a presena de vapores. Nestes casos, deveremos tratar o estado gasoso usando a equao dos gases reais. Adotamos assim, mostrada na Expresso 2.2 a equao de van der Waals,

n2a V2

nb

nRT

2.2

onde, a e b so parmetros para um dado tipo de composto gasoso. A expresso acima considera a existncia do fenmeno da presso de vapor. Este fenmeno importante em vrios processos que ocorrem em vcuo. Por exemplo, o desempenho de algumas bombas de vcuo, muitos aspectos do processo de bombeamento e muitas aplicaes da tecnologia do vcuo so dependentes do conceito de presso de vapor [1-12]. Do ponto de vista do comportamento dos gases e vapores em sistemas de vcuo, as duas equaes de estados apresentadas so suficientes. De uma forma mais geral e abrangente, podemos generalizar as possveis equaes de estado dos gases por meio da equao de estado do virial, como mostrada a seguir na Expresso 2.3

pV

RT 1 Bp Cp 2

Dp 3

2.3

onde, B, C, D so constantes que dependem de um particular composto gasoso. Em tecnologia do vcuo, mesmo em condies bastante exigentes que so necessrias em metrologia de baixas presses, basta a considerao do termo at a primeira potncia na presso na equao de estado do virial, assim

pV

RT 1 Bp .

Esta ltima equao suficiente para a maioria dos gases utilizados nas condies de operao dos equipamentos metrolgicos [2,6,13-14]. Nas presses de trabalho em vcuo, a lei de Dalton, que relaciona a presso total com as presses parciais vlida para as misturas gasosas. A teoria cintica dos gases teve um grande avano com a funo de distribuio de Maxwell-Boltzmann das velocidades e de energias energia cintica de translao e uma srie de propriedades fsicas foi explicada a partir de primeiros princpios. Para a tecnologia do vcuo, os

44

conceitos e clculos relativos ao transporte de gases e vapores dependem desta distribuio. As funes de distribuio de velocidades e energias de Maxwell-Boltzmann so mostradas a seguir, para uma quantidade de gs com N molculas, sendo a massa de cada molcula igual a m e estando a uma temperatura T, assim temos a Expresso 2.4

N (v ) dv N

f (v)dv

m 2 kT

4 v 2e

mv 2

2 kT

dv ,

2.4

e, sabendo-se que a energia de cada molcula a sua energia cintica, isto , forma, escrevemos d

1 2 mv , desta 2

mvdv e temos que a distribuio de energias dada pela Expresso 2.5

N( ) d N

f ( )d

1 kT

kT

d .

2.5

A partir dessas expresses de funo de distribuio podemos encontrar a velocidade mdia, dada pela Expresso 2.6

8 RT M

8kT , m

2.6

a velocidade mais freqente, ou tambm chamada de velocidade mais provvel, dada pela Expresso 2.7

v MP

2 RT M

2kT , m

2.7

e, a velocidade quadrtica mdia dada pela seguinte Expresso 2.8

v2

v QM

3RT M

3kT . m

2.8

45

Os resultados mostrados acima tm enorme aplicao dentro da tecnologia do vcuo, uma vez que os fenmenos de transporte de gases e vapores, para os quatro regimes de escoamento, encontram-se totalmente apoiados na distribuio de Maxwell-Boltzmann das energias e das velocidades. interessante observar que a verificao experimental direta da distribuio de velocidades somente foi realizada 50 anos aps a sua proposta terica e ainda cabe notar que somente foi possvel realiz-la devido ao desenvolvimento de bombas de alto-vcuo e da tecnologia de feixes moleculares. Junto com a condutncia e a velocidade de bombeamento, a outra grandeza fundamental para anlise e clculo de sistemas de vcuo o throughput, definido como

Q (t )

RT

dn(t ) dt

kT

dN (t ) . dt

O throughput tem unidade de potncia e podemos interpret-lo como sendo diretamente proporcional vazo da energia cintica mdia de translao das molculas no sistema de vcuo [1-2,11-12]. Este assunto tratado em detalhe no Apndice A. As molculas no estado gasoso esto em incessante e catico movimento de translao. Desta forma, elas podem colidir entre elas e com as paredes e outras superfcies do sistema de vcuo. Dada certa quantidade de gs em um volume, temos os seguintes conceitos e grandezas importantes para a tecnologia do vcuo. A densidade de molculas em um recipiente dada pela expresso

N n ou . O nmero de choques das partculas com a superfcie por unidade de rea e V V

unidade de tempo dado pela Expresso 2.9

N v V 4 pN A 2 MRT

N 4V

8RT M

N 4V

8kT m

,
J ou J p 2 mkT

2.9

onde, M a massa molecular, m massa do tomo ou da molcula e NA o nmero de Avogadro. Este um dos mais importantes conceitos da teoria cintica dos gases para a tecnologia do vcuo e suas aplicaes. O caminho livre mdio definido como a distncia mdia percorrida pelas

molculas entre dois choques sucessivos. Ele dado pela Expresso 2.10
46

1 2
onde, d m o dimetro da molcula. A grandeza

N d V
2 m

2.10

determina, direta ou indiretamente, uma srie de

propriedades relacionadas aos fenmenos de transportes dos gases e vapores e ela de fundamental importncia para o estudo e projeto de sistemas de vcuo [8]. A relao mostrada a seguir fundamental para o estudo do escoamento dos gases e vapores

Kn

ela define o chamado de nmero de Knudsen, que determina o tipo de escoamento dos gases presente no sistema de vcuo. A determinao de Kn o ponto de partida para os projetos em tecnologia do vcuo. Na expresso, L uma distncia tpica do sistema de vcuo, em geral o dimetro da tubulao que liga a cmara de vcuo bomba de vcuo [1-2,9-12]. O tempo de formao de uma monocamada de molculas em uma superfcie dado pela Expresso 2.11

t fmc V N

4
1

.
2 2 dm

2.11

8RT M

Este outro conceito importante na teoria cintica dos gases, com muitas aplicaes em vcuo sustentadas na Expresso 2.11 [10]. A freqncia de colises de molculas entre si por unidade de tempo dada pela Expresso 2.12

8 RT M

1 2

2.12

Um outro conceito importante para os sistemas de vcuo que apresentam partes com diferentes temperaturas a transpirao trmica [1,4,9,12]. Muitos dos conceitos citados acima tm importncia tambm no estudo dos fenmenos de transportes dos gases. Devemos considerar os fenmenos relativos aos gases e vapores tanto em um volume como em transporte [14].
47

Finalizando, as inmeras e crescentes aplicaes do vcuo esto baseadas na teoria cintica dos gases e ela continua nos fornecendo idias para novas aplicaes e aprimoramento das j existentes [1,10,12,16].

2.3 Fontes de Gases e Vapores nos Sistemas de Vcuo.


A determinao da evoluo temporal da presso na cmara de vcuo pCV

pCV (t )

um dos objetivos deste trabalho, como resultado da modelagem de sistemas de vcuo por meio da abordagem discreta. A Equao Fundamental para o Processo de Bombeamento em Vcuo EPBV mostrada abaixo

VCV

dpCV (t ) dt

Sef pCV (t )
i 1

Qi .

Como vimos no captulo anterior, a identificao das fontes de gases e vapores fundamental para podermos construir e resolver a equao diferencial para o processo de bombeamento. Em sua forma mais geral, o termo relativo s fontes dos gases e vapores dado a seguir

QTotal
i 1

Qi

QVR

QVV

QVap

QSub

QDeg

QPerm

QOBV

QGVP

QIC ,

na qual identificamos cada parcela da expresso acima como sendo: QVR o throughput do vazamento real, QVV do vazamento virtual, QVap da vaporizao, QSub da sublimao, QDeg da degaseificao, QPerm da permeao, QOBV da fonte gasosa com origem na bomba de vcuo, QGVP dos gases e vapores de processo e QIC da injeo controlada de gases e vapores. A soluo da equao diferencial EPBV , para um particular processo a ser realizado em vcuo, somente poder ser obtida com a definio matemtica de cada uma da parcelas da Expresso 1.1 [1,2,11-15]. Desta forma, as fontes de gases e vapores presentes no processo em vcuo devero ser representadas por meio de funes matemticas. A obteno das expresses matemticas para as fontes gasosas geralmente no uma tarefa imediata; ela est deduzida e discutida em detalhe no Apndice A. O primeiro passo a ser dado, no sentido de quantificar as fontes gasosas, ter os conceitos fsicos muito claros sobre elas. De um modo geral, as vrias fontes gasosas listadas esto presentes na maioria dos processos em vcuo. Observamos, contudo, que para um particular processo em vcuo, uma fonte de gs geralmente a dominante em certa faixa de presso, podendo as outras

48

fontes de gs ser desprezadas. Temos situaes em que duas, trs ou mais fontes gasosas devero ser consideradas concomitantemente em certo processo em vcuo. Determinar quais fontes de gases devero ser consideradas na modelagem muito importante, e isto far com que o problema possa ser tratado de forma eficiente. Entretanto, as simplificaes criteriosas nas modelagens matemticas de fenmenos fsicos exigem um conhecimento bastante grande e seguro do assunto tratado. Neste sentido, um conhecimento profundo relativo s fontes gasosas assume um papel central na modelagem em tecnologia do vcuo. Em seguida, apresentamos esquematicamente um sistema de vcuo com a totalidade das possveis fontes de gases e vapores.

Cmara de Vcuo

QVR QIC QVap QBV QGP QPerm QFBV QDeg QVV QSub

Bomba de Vcuo

Linha de Bombeamento

Figura 2.1 Esquema de um sistema de vcuo mostrando as possveis fontes de gases e vapores na cmara de vcuo, com a linha de bombeamento e com a bomba de vcuo.

As definies e os conceitos relativos s possveis fontes de gases e vapores presentes nos sistemas de vcuo so apresentados a seguir. Esta seo deve nortear as principais idias sobre as fontes gasosas, alm de propor uma sistemtica de trabalho a fim de ser possvel calcular os throughputs de cada uma delas. Este assunto, extenso e com algumas dificuldades, imprescindvel s modelagens e anlises detalhadas dos sistemas de vcuo.

49

Vazamento Real - QVR: Esta fonte de gs devida passagem de gs entre os meios externo e interno ao sistema de vcuo. Comumente ela ocasionada por uma trinca em um cordo de solda, ou um risco em uma superfcie de vedao, ou ainda, um pequeno objeto atravessando uma vedao. Os gases e vapores do vazamento real tm origem na atmosfera circunstante ao sistema de vcuo. Matematicamente, o throughput QVR dado pela Expresso 2.13

QVR

CVR patm

pCV ,

2.13

onde, CVR a condutncia da passagem do vazamento real, patm a presso atmosfrica e pCV presso na cmara de vcuo. Apesar de ser formalmente simples a expresso acima, ela impossvel de ser obtida, uma vez que no temos disponveis os valores das dimenses da passagem do vazamento real. Isto no deve causar problemas, uma vez que o vazamento real geralmente no participa da modelagem dos sistemas de vcuo. Quando identificado o vazamento real, ns o eliminamos! Caso queiramos determinar o valor de QVR podemos faz-lo experimentalmente, por meio do conhecimento da presso final e da velocidade efetiva de bombeamento, ou seja,

QVR

Sef p final , subtraindo as outras fontes gasosas ou, se for o caso, at desprezando-as. Para

podermos proceder desta forma devemos ter um acompanhamento constante do desempenho do sistema de vcuo [10,15]. A localizao e determinao do throughput do vazamento real so tarefas da deteo de vazamentos, com suas tcnicas, metodologias de trabalho e seus instrumentos. Vazamento Virtual, QVV: Este tipo de fonte de gs tem sua origem na liberao de gs acumulado em um pequeno volume ligado ao sistema de vcuo atravs de uma passagem de pequena condutncia. O estudo desta fonte de gs bastante negligenciado em tecnologia do vcuo, principalmente nos textos recentes. Os textos apenas apresentam uma descrio rpida como os vazamentos virtuais ocorrem e como eles podem comprometer o bom desempenho dos sistemas de vcuo. Alguns textos antigos procuram esboar um modelo bastante simplificado para o vazamento virtual, mas sem discutir e analisar as suas conseqncias para o desempenho dos sistemas de vcuo e para os processos em vcuo. Com o propsito de contribuir para a modelagem matemtica rigorosa do vazamento virtual, propomos um trabalho detalhado no Apndice E [2,15]. Vaporizao, QVap: Esta fonte gasosa devida ao fenmeno de presso de vapor nos lquidos. Os lquidos geralmente apresentam altos valores de presso de vapor, e em geral, comprometendo bastante a presso final dos sistemas de vcuo. Como veremos em seguida, os lquidos normalmente tm alguma presena nos sistemas de vcuo. Nos processos de limpeza dos

50

sistemas de vcuo so comumente utilizados lcoois, acetonas, detergentes e gua. Os produtos lquidos usados durante a limpeza devem ser completamente removidos, devendo-se certificar que no h pores lquidas no interior dos sistemas de vcuo. Por outro lado, existem componentes dos sistemas de vcuo que usam produtos lquidos, por exemplo, os fluidos de algumas bombas de vcuo e as graxas para lubrificao e vedao. Neste sentido, os sistemas de vcuo precisam estar constantemente sendo monitorados em relao as possveis contaminaes destes compostos lquidos. importante lembrar que a presso de vapor depende exponencialmente da temperatura. Tambm, ocorrem inmeros processos em vcuo baseados no fenmeno de presso de vapor, como exemplo, temos a secagem, a liofilizao, o tratamento de leo de transformadores, empacotamento de alimentos, etc. Nestes casos, a presso de vapor deve ser diretamente considerada como uma fonte gasosa e quantificada. A quantidade de molculas por unidade de rea e unidade de tempo que evapora de uma superfcie dada pela Expresso 2.14

JVap

pvapor N A 2 MRT

pvapor 2 mkT

2.14

onde, pvapor a presso de vapor do material lquido. Usando a expresso anterior, determinamos o throughput devido evaporao em vcuo por unidade de rea como sendo

QVap

JVap k T .

Podemos tambm determinar o fluxo de massa FlVap de material lquido que evapora por meio da Expresso 2.15

FlVap

J Vap m

pvapor N A 2 MRT

pvapor

M , 2 RT

2.15

sendo a presso de vapor dada em Pa e M em kg. Em suma, na modelagem de muitos sistemas de vcuo, deveremos examinar cuidadosamente todos os componentes lquidos e procurar determinar o throughput referente a cada um dos seus compostos [2,4-5,12,16]. Sublimao, QSub: A fonte de gs devida sublimao tem origem, como no caso da evaporao, no fenmeno de presso de vapor. Na sublimao temos a passagem direta do estado

51

slido para o estado gasoso, sem passar pelo estado lquido. Como no caso dos lquidos, os slidos tambm tm a presso de vapor fortemente dependente da temperatura. Os materiais slidos geralmente apresentam valores de presso de vapor muito menores que os materiais lquidos. Entretanto, deveremos sempre observar os materiais utilizados em vcuo, uma vez que o throughput devido sublimao pode ser uma fonte de gs excessivamente intensa em certos casos, limitando a presso final do sistema de vcuo. Apesar de poder constituir um problema para o bom desempenho dos sistemas de vcuo, o fenmeno da sublimao tambm usado em uma srie de aplicaes da tecnologia do vcuo, por exemplo, na metalizao em geral. O throughput devido sublimao em vcuo, similarmente vaporizao, dado pela expresso

QSub
sendo

J Sub k T

J Sub

pvapor N A 2 MRT

p vapor 2 mkT

Podemos tambm determinar o fluxo de massa FlSub de material slido que sublima por meio da Expresso 2.16

Fl Sub

J Sub m

pvapor N A 2 MRT

p vapor

M , 2 RT

2.16

sendo a presso de vapor dada em Pa e M em kg [2,4-5,12,16,19]. Degaseificao, QDeg: Esta a fonte gasosa mais comum e presente nos sistemas de vcuo. Apesar de estar tambm presente em presses na regio de pr-vcuo, geralmente torna-se a fonte predominante em presses abaixo de 10-3 mbar; certamente o valor da presso que comea a ser importante a degaseificao depende da sua intensidade e da relao entre a totalidade da rea exposta ao vcuo e o volume do sistema de vcuo. A degaseificao devida gerao de gases e vapores resultantes da desorpo. Quando os materiais so deixados na atmosfera, eles absorvem e adsorvem uma quantidade das molculas da atmosfera. Dependendo da temperatura, do material, dos gases e vapores e da presso, teremos que a quantidade de molculas adsorvidas pelas superfcies expostas atingir um valor de equilbrio. Em seguida, se estas superfcies ficarem
52

expostas no vcuo, ocorrer a liberao de parte das molculas adsorvidas ou absorvidas. A desorpo um fenmeno complicado e depende de muitos fatores. Fisicamente falando, as foras que ligam as molculas s paredes so do tipo de van der Waals. As energias de ligao dessas foras de natureza eltrica so da ordem de 0,1 a 1 eltron-volt por molcula. Os processos de limpeza e condicionamento dentro da tecnologia do vcuo sempre procuram diminuir a quantidade de gases e vapores devida desorpo. H uma srie de tcnicas de limpeza e condicionamento desenvolvidas no sentido de diminuir o throughput da degaseificao. Este um dos assuntos mais importantes dentro da tecnologia do vcuo. Com relao a degaseificao adotaremos dois resultados bem estabelecidos para a sua dependncia temporal. Nas primeiras horas, aproximadamente 10 horas do material exposto ao vcuo, o throughput devido degaseificao das superfcies varia segundo a Expresso 2.17

a q Deg (t )

Inicial q0

1 , ta

2.17

Inicial onde q 0 a taxa de degaseificao no incio do processo de bombeamento, t o tempo dado em

horas e a depende a classe de material que est degaseificando. Por exemplo, para os metais geralmente a=1. Prosseguindo com o bombeamento, a partir da 11a hora, o throughput de degaseificao ter a seguinte dependncia temporal dada pela Expresso 2.18

b qDeg (t )

b q0 exp

t tc

2.18

onde,

depende do material e de seu estado de limpeza e condicionamento. Para haver

continuidade na funo matemtica que representa a degaseificao, quando passarmos da primeira


b funo para a segunda funo, devemos ter q0 a qDeg (tc ) , onde tc igual a dez horas. Vemos que

as expresses matemticas da fonte de gs da degaseificao tm formas simples, mas a dificuldade em consider-la nas anlises e clculo est exposta a seguir. A dificuldade em considerar a degaseificao nas modelagens surge do fato que os dados disponveis dos throughputs de degaseificao dos materiais dependem fortemente dos processos de limpeza e condicionamento. Neste caso constatamos que so bastante diferentes entre si os valores obtidos de degaseificao, podendo variar de mais de 10 vezes. Outro motivo para as diferenas nos valores disponveis de degaseificao est na falta de padronizao nas suas medies. A fim de diminuir a presso final dos sistemas de alto-vcuo e
53

ultra alto-vcuo vrios processos de limpeza e condicionamento so ainda desenvolvidos no sentido de acelerar a remoo das molculas das superfcies expostas ao vcuo. Como exemplo, o aquecimento, o bombardeamento com eltrons, ftons ou tomos so usados para a remoo das molculas adsorvidas superfcie. Assim, deveremos necessariamente considerar esta importante fonte gasosa nas anlises e modelagens dos sistemas de vcuo. [1-4,11-14,15-23]. Permeao, QPerm: Esta fonte de gs corresponde passagem de molculas da atmosfera para o sistema de vcuo por meio do fenmeno de difuso. O mecanismo deste fenmeno pode ser descrito da seguinte forma. Molculas da atmosfera so adsorvidas pelas paredes externas do sistema de vcuo, posteriormente, algumas dessas molculas, devido agitao trmica, so difundidas atravs do material que forma a parede do sistema de vcuo, e em seguida as molculas encontram a face da parede da cmara de vcuo exposta ao vcuo e so desorvidas. A permeao depende da temperatura, da espessura da parede e do tipo do material que ela fabricada, e ainda, da presso externa e do tipo de gs da atmosfera. Para um dado tipo de gs, o throughput por unidade de rea devido permeao geralmente considerado constante e os seus valores tabelados. Pelo exposto, esta fonte de gs no apresenta dificuldades formais na modelagem e na anlise de sistemas de vcuo, pois provem de resultados bem estabelecidos da difuso de gases em slidos. A permeao assume importncia nos sistemas de ultra alto-vcuo com as paredes muito finas de parte dos sistemas de vcuo e dependendo do tipo de material. Ainda, em casos de sistemas de alto-vcuo com partes em vidro, a permeao para o gs hlio pode ser significativa [12,20]. Origem na Bomba de Vcuo, QOBV: Esta fonte devida aos gases e vapores que tm origem na bomba de vcuo e provocam o aumento de presso no sistema de vcuo. Dependendo do tipo da bomba de vcuo, dos procedimentos de operao, do seu estado de manuteno e tambm da qualidade dos seus componentes internos, o valor do throughput dessa fonte gasosa pode assumir valores grandes. Geralmente os catlogos das bombas de vcuo, do tipo de difuso, fornecem o throughput desta fonte gasosa. Para muitos processos em vcuo, a qualidade obtida no processo bastante influenciada pelo throughput dos gases e vapores que saem da bomba de vcuo e chegam cmara de vcuo. Por exemplo, vapores de leo da bomba mecnica ou da bomba difusora so prejudiciais para muitos processos de fabricao na indstria ptica [2,22]. Gases e Vapores de Processo, QGVP: Esta fonte de gs depende essencialmente do processo que est sendo realizado em vcuo. Na verdade no um tipo diferente de fonte gasosa, mas estamos enfatizando que, dado um processo em vcuo, deveremos determinar o throughput das fontes dos gases e vapores gerados no processo em questo. Por exemplo, no processo de tratamento de leo para ampolas de raios-X, a fonte gasosa tem origem no fenmeno de presso de vapor dos fluidos envolvidos. Neste caso, precisamos conhecer os detalhes do sistema de tratamento

54

do leo para determinar o throughput gerado. Pode tambm ocorrer que, para um determinado processo, apesar de sabermos qual o tipo de fonte gasosa envolvida, no temos condies de calcul-lo a partir das definies e dos conceitos bsicos, uma vez que a geometria do sistema fsico bastante complicada. Neste caso deveremos determinar experimentalmente o valor do throughput. Como exemplo, podemos citar a secagem de papel ou tecidos assistidos a vcuo, o empacotamento de alimentos a vcuo, cujo processo pode liberar enormes quantidades de vapor de gua, ou ainda, a liofilizao para a produo de vacinas na indstria farmacutica [23]. Injeo Controlada de Gases e Vapores, QIC: H processos em vcuo cuja presena de certa quantidade de gases ou vapores necessria. Nestes casos, a fim de tornar o processo controlado e reprodutvel a injeo de gases e vapores deve ser feita de maneira que tanto a quantidade de gs como os instantes e a durao da sua injeo sejam determinados a priori. Geralmente, o procedimento conectar a fonte gasosa cmara de vcuo atravs de uma vlvula com condutncia e com tempos de abertura e de fechamento determinados. No caso de injetarmos vapor, devemos manter a linha de transporte mesma temperatura do reservatrio de vapor, para que no haja condensao do vapor e com isso um possvel entupimento no circuito de injeo. Para o caso da injeo de gases, ela pode ser modelada considerando o gs saindo de uma cmara presso atmosfrica e entrando na cmara de vcuo presso zero. A mecnica dos fluidos trata este problema como transporte de fluidos incompressveis, ele chamado efeito de blocagem. Este fenmeno modelado em detalhe no Apndice F. Na maior parte das suas aplicaes, as condies de operao determinam um throughput de injeo de gases independente do valor da presso na cmara de vcuo. No caso da injeo de vapores, geralmente a sua fonte est no estado lquido. Neste caso, a presso do vapor, antes de entrar na cmara de vcuo, dada pela presso de vapor do material lquido. Desta forma, devemos especificar a sua temperatura. O throughput neste caso tambm ir depender da rea de acesso do vapor cmara de vcuo. Como exemplos de aplicao temos a fabricao de refletores de faris, neste caso, temos a injeo de um vapor para a formao de uma pelcula protetora do filme metlico refletor. Na indstria de microeletrnica, em vrias etapas de processo temos a injeo de gases e vapores. Na pesquisa e nas aplicaes envolvendo plasmas temos a injeo de gases com o throughtput bastante bem determinado, em geral usamos as chamadas vlvulas piezeltricas. [15,24-30]. Concluindo o assunto sobre fontes de gases e vapores em sistemas de vcuo, podemos dizer que ele fundamental para muitos processos assistidos a vcuo e tambm para a prpria tecnologia do vcuo. Na especificao das fontes de gases e vapores, teremos freqentemente a tarefa de determinar alguns parmetros, na maior parte deles por meios experimentais. Isto necessrio a fim

55

de poder completar a formulao matemtica da modelagem do sistema de vcuo. Este o caso, por exemplo, das fontes do vazamento virtual, vazamento real, injeo controlada de gases e vapores e permeao. As fontes de gases e vapores com origem na sublimao e vaporizao so bastante conhecidas e com os valores de presso de vapor disponveis. Para estas fontes gasosas, precisamos somente conhecer o material e a sua temperatura. Temos tambm as fontes de gases mais complicadas de modelar como o caso da degaseificao. Sua origem est nos efeitos e fenmenos de superfcie, cujos processos so complexos e difceis de modelar. Na degaseificao h um problema adicional, que a sua forte dependncia com a seqncia de acontecimentos pelo qual passou a superfcie, isto , os processos de limpeza e condicionamento.

2.4 Transporte de Gases em Vcuo.


O processo de bombeamento dos gases e vapores e a modelagem contnua dos sistemas de vcuo so descritos por meio da equao diferencial EPBV

VCV

dpCV (t ) dt

Sef pCV (t )
i 1

Qi .

O termo S ef pCV (t ) refere-se ao throughput removido do sistema de vcuo pelas bombas de vcuo. A grandeza Sef a velocidade efetiva de bombeamento, ou seja, a velocidade com que efetivamente os gases e vapores so bombeados da cmara de vcuo e Sbv a velocidade de bombeamento da bomba de vcuo. A velocidade efetiva de bombeamento depende de caractersticas da bomba de vcuo, alm de caractersticas ligadas ao transporte dos gases entre a cmara de vcuo e a bomba de vcuo, isto , a linha de bombeamento. Matematicamente, a velocidade efetiva de bombeamento dada por

1 Sef

1 Sbv

1 CTotal

Sef

Sbv CTotal Sbv CTotal

Desta forma, a determinao de Sef exige o conhecimento da condutncia total da linha de bombeamento que liga a cmara de vcuo bomba de vcuo e as caractersticas de bombeamento das bombas de vcuo [14,24]. Como enfatizado, os gases rarefeitos apresentam basicamente quatro formas distintas de escoar atravs de tubos e de orifcios. Partindo da presso atmosfrica at atingir presses do alto56

vcuo e do ultra alto-vcuo, os gases e vapores passam pelos seguintes regimes de escoamento: viscoso turbulento, viscoso laminar, intermedirio e molecular. Em geral, o regime turbulento no considerado nos sistemas de vcuo, mas neste trabalho de tese iremos adot-lo em nossas anlises. Os regimes de escoamento so determinados pelo nmero de Knudsen a partir do seguinte critrio: Para K N
0,01 e nmero de Reynolds > 2000 teremos o viscoso turbulento; para K N 0,01 e

nmero de Reynolds < 2000 teremos o viscoso laminar; para 0,01 intermedirio e para K N

KN

1 teremos o regime

1 , teremos o regime molecular. Reforando: a determinao de K N o

ponto de partida nos projetos em tecnologia do vcuo, uma vez que o clculo das condutncias depende do tipo de regime de escoamento. Fisicamente, no regime de escoamento viscoso laminar o transporte dos gases e vapores apresenta um comportamento de um meio contnuo, como o caso dos fluidos em geral. Apesar de as molculas estarem em constante movimento catico, o movimento do gs como um todo se d de forma coletiva. Observando o movimento do gs no regime viscoso laminar, ele pode ser caracterizado de forma pictrica como sendo formado por lminas deslizando uma sobre a outra. O fato essencial que o livre caminho mdio das molculas muito pequeno comparado ao dimetro do tubo do escoamento. Ao contrrio, no caso do regime de escoamento molecular, o transporte dos gases ocorre devido exclusivamente agitao trmica das molculas. Novamente, o movimento molecular catico, de translao e permanente. As grandezas importantes do movimento molecular so determinadas pela distribuio de MaxwellBoltzmann das velocidades e energias e depende da temperatura e da massa molecular do gs. No caso do regime de escoamento intermedirio, as molculas apresentam freqncias de colises entre si comparveis com as freqncias de coliso com as paredes do sistema de vcuo [5,14,24,31-32]. Complementando, para tratar o escoamento dos gases rarefeitos no regime molecular, devemos considerar a chamada lei ou regra dos cossenos de Knudsen em alguns textos encontramos como lei de Lambert, como encontrado na ptica para a difuso da luz. Esta lei supe que no regime de escoamento molecular, quando uma molcula choca-se com uma superfcie, o ngulo de ejeo da molcula no tem relao alguma com o ngulo de incidncia. Ainda, ela afirma que a direo de ejeo proporcional ao cosseno do ngulo formado pela linha de ejeo da molcula com a normal superfcie onde ocorreu o choque. Este assunto tratado no Apndice G. O fenmeno referente ejeo de molculas de uma superfcie bastante complicado e depende tanto de propriedades da superfcie do material como de propriedades das molculas incidentes, sendo que a lei dos cossenos de Knudsen nem sempre obedecida. Entretanto, consideraremos a sua validade nos estudos sobre o escoamento no regime molecular [33-35]. Na modelagem dos sistemas de vcuo sero considerados em detalhe aspectos relativos ao processo de

57

bombeamento dos gases, tais como: a velocidade de bombeamento das bombas de vcuo em funo da presso e os valores das condutncias em cada regime de escoamento dos gases e vapores. Para os sistemas de vcuo com geometrias complexas, tais como: tubos com rea de seo transversal varivel com o comprimento, cotovelos, tubos anulares, armadilhas, filtros, etc, temos que nos clculos das suas condutncias e suas associaes precisam considerar a probabilidade de transmisso de molculas [1,5,11-14,36-38].

2.5 Modelagem e Anlise Discretas de Sistemas de Vcuo.


Na modelagem discreta dos sistemas de vcuo teremos inicialmente que identificar as trs partes distintas: a cmara de vcuo, a linha de bombeamento dos gases e as bombas de vcuo. A seguir, teremos que especificar e quantificar todas as fontes de gases e vapores importantes que participam do processo em vcuo. Depois, dimensionar as bombas de vcuo, para que a presso requerida seja alcanada no tempo estabelecido. Esta ltima parte da anlise pode ser realizada mesmo de forma bastante aproximada. Ela pode ser realizada de forma simples apenas para nortear a escolha do tipo da bomba de vcuo e a sua velocidade de bombeamento. Posteriormente, podemos refinar os clculos redimensionando as bombas de vcuo e em seguida, considerar as condutncias de forma mais detalhada. Todos esses passos so necessrios uma vez que estamos diante da seguinte situao: para encontrar a velocidade de bombeamento das bombas de vcuo, precisamos conhecer o valor da condutncia total. Ocorre que para achar a condutncia, precisamos saber qual o dimetro da entrada da bomba de vcuo. Matematicamente significa que temos uma equao algbrica com duas incgnitas, como mostrada na Expresso 1.3. Consideremos a Figura 2.2 que mostra de forma esquemtica um sistema de vcuo geral com as suas partes essenciais presentes.

Qi
i 1

S ef pCV (t )
dp CV (t ) dt

Cmara de Vcuo

VCV

Figura 2.2 Representao puntual de um sistema de vcuo por meio da abordagem discreta.

Assim, podemos , isto , uma equao e duas incgnitas, de forma iterativa, isto , supondo uma velocidade de bombeamento para as bombas de vcuo maior que a velocidade efetiva de bombeamento. Em seguida realizamos os clculos novamente, levando em conta a condutncia da
58

linha de bombeamento, pois temos o dimetro de entrada da bomba de vcuo considerada, e verificando se recuperamos a velocidade efetiva de bombeamento desejada. Aps o incio da modelagem e dando continuidade, podemos determinar a evoluo temporal da presso na cmara de vcuo resolvendo a equao diferencial EPBV. A partir desta anlise inicial, podemos fazer ajustes e melhorar a modelagem, considerando mais detalhes, refinamentos e particularidades do sistema de vcuo. Este procedimento de anlise deve ser retido at encontrarmos uma soluo satisfatria e exeqvel. Devemos sempre acompanhar as solues obtidas e verificar se elas so coerentes com as propriedades fsicas das fontes de gases e vapores e tambm das propriedades relativas remoo dos gases. Esta forma de procedimento bastante comum nas anlises e modelagens matemticas de sistemas fsicos. A Equao Fundamental para o Processo de Bombeamento em Vcuo EPBV utilizada em tecnologia do vcuo dada por

VCV

dpCV (t ) dt

Sef pCV (t )
i 1

Qi

com,

Sef

Sbv CTotal Sbv CTotal

onde, Sbv a velocidade de bombeamento da bomba de vcuo e CTotal a condutncia total da linha de
n

bombeamento. A parcela
i 1

Qi refere-se ao throughput total associado s fontes de gases e vapores

que participam do processo realizado na cmara de vcuo

QTotal
i 1

Qi

QVR

QVV

QVap

QSub

QDeg

QPerm

QOBV

QGVP

QIC .

Para obter a soluo matemtica da modelagem do sistema de vcuo especfico em estudo deveremos necessariamente impor a condio inicial, isto , pCV(t0) = p0 . Assim, de forma explcita, temos que a EPBV toma a forma mostrada abaixo

59

VCV

dpCV (t ) dt
.

S bv CTotal pCV (t ) QVR S bv CTotal

QVV

QVap

QSub

QDeg

QPerm

QOBV

QGVP

QIC

Como vimos, por meio da abordagem discreta dos sistemas de vcuo, conseguimos obter em princpio apenas a funo temporal da presso pCV

pCV (t ) para toda a extenso da cmara

de vcuo. Dependendo da geometria da cmara de vcuo e da distribuio e da intensidade das fontes de gases e vapores, podemos ter intensos gradientes de presso no seu interior. Esta a principal limitao da formulao discreta. Podemos ainda encontrar outra dificuldade, como no caso de sistemas de vcuo com as bombas de vcuo colocadas diretamente dentro da prpria cmara de vcuo. Alguns exemplos so os painis criognicos, getters nos tubos cinescpios e nas vlvulas eletrnicas de potncia e tambm nos visores por efeito de campo, e em outros sistemas de vcuo de importncia. Nestes casos, a modelagem por meio da abordagem discreta bastante aproximada, podendo ocultar detalhes importantes e at cruciais sobre os sistemas de vcuo [1,11,14,16,39-41]. De forma esquemtica e sistemtica a modelagem discreta de sistemas de vcuo pode seguir os seguintes passos: Identificar e calcular as condutncias das partes da linha de bombeamento em funo do regime de escoamento dos gases e vapores e da sua geometria. Identificar e quantificar as fontes de gases e vapores que participam no processo em vcuo. Considerar a importncia relativa entre as vrias fontes gasosas em funo das faixas de presso. Verificar se diferentes tipos de gases e vapores participam significativamente no processo em vcuo e determinar as suas quantidades presentes. Neste caso, deve ser estudada a necessidade de analisar o problema de bombeamento para cada gs ou vapor. Obter as curvas de velocidades de bombeamento das bombas de vcuo em funo da presso. Observar as possveis particularidades que podem estar ocorrendo no processo de bombeamento gasoso na operao do sistema de vcuo, como por exemplo: temperatura de trabalho da cmara de vcuo, espcie de gs usado no arejamento da cmara de vcuo e se as limpezas e condicionamentos peridicos do sistema de vcuo introduzem fontes novas de gases e vapores, etc. Repetir a anlise de forma mais refinada e verificar a coerncia dos resultados.

60

Considerando que a condio inicial pCV(t0) = p0 , onde t0 o instante inicial e p0 a presso inicial deve ser especificada. A soluo desta equao diferencial para a grande maioria dos problemas de interesse no tem soluo analtica, mas sempre ser possvel obter a soluo do problema por mtodos numricos [1-2,5,11-22,24,49-52].

2.6 Modelagem e Anlise Contnuas de Sistemas de Vcuo.


Com a modelagem de sistemas de vcuo, por meio da abordagem contnua, podemos obter o campo de presso transiente ou estacionrio pCV

p CV (r , t ) para todas as regies

consideradas na anlise. Este tipo de modelagem pode ser realizado nos quatro regimes de escoamento. As bases fsicas dos quatro regimes de escoamento so completamente diferentes entre si. No caso do regime viscoso laminar, usamos a equao de Navier-Stokes para obter o campo de presso. Como exemplos importantes e marcantes temos as modelagens das cmaras de vcuo dos reatores para processos empregados na indstria de microeletrnica [27,31,42-43]. No caso do regime de escoamento intermedirio a situao mais complicada. Este regime apresenta caractersticas ainda em estudo referentes principalmente ao estabelecimento das condies de contorno. Neste regime de escoamento as modelagens so realizadas de forma mais segura e correta empregando a chamada simulao direta em gases, ou seja, considerando a teoria das colises atmicas e moleculares por meio da equao de Boltzmann. Este tipo de anlise bastante difcil, requerendo programas computacionais complicados e computadores com grande capacidade de processamento de dados. Temos aplicaes importantes ocorrendo no regime de escoamento intermedirio, por exemplo, dentro da microeletrnica, processos assistidos a plasma, e outros [4246]. No caso do regime de escoamento molecular, nas modelagens realizadas neste trabalho, partimos da hiptese que o escoamento dos gases um fenmeno difusivo. Esta suposio, apesar de ser empregada naturalmente, requer um estudo mais detido e cuidadoso. No Apndice G estudamos detalhadamente este assunto [37-38]. As modelagens e anlises de sistemas de vcuo, no regime molecular, devem ser construdas observando-se os seguintes pontos. Inicialmente, deveremos detalhar a geometria da cmara de vcuo e as posies das aberturas que do acesso s bombas de vcuo e em seguida especificar as posies e as intensidades das fontes de gases e vapores. Este tipo de modelagem dar origem a uma equao a derivadas parciais, cuja soluo pode ser obtida, uma vez impostas as condies de contorno e a condio inicial. A soluo matemtica do problema pode ser alcanada por meios analticos ou numricos. Em geral, as solues numricas podem ser conseguidas utilizando programas computacionais que fazem uso do mtodo dos elementos finitos [1,12,14,24,47-48]. Cabe mencionar que uma grande vantagem de
61

modelarmos sistemas de alto-vcuo e ultra alto-vcuo usando a equao de difuso o fato de podermos utilizar os programas computacionais para a modelagem de problemas de transferncia de calor por conduo. Estes programas computacionais so disponveis no mercado e so muito poderosos. A equao de transferncia de calor por conduo tem estrutura matemtica similar equao de difuso utilizada neste trabalho. Na modelagem contnua teremos como soluo do problema uma funo matemtica ou uma soluo numrica com estrutura e propriedades de campo escalar. Em cada ponto da cmara de vcuo ou das outras partes do sistema de vcuo, especificado pelo vetor posio r , ser possvel determinar o valor da presso em funo do tempo, matematicamente expressa por

pCV

pCV (r , t ) . A forma explicita do vetor r depender do sistema de coordenadas a ser adotado;

por exemplo, em coordenadas cartesianas cada ponto na cmara de vcuo ser especificado por

r ( x, y, z ) e a presso na cmara de vcuo ser representada por pCV

pCV ( x, y, z , t ) .

Assim, a modelagem contnua de sistemas de vcuo exige a definio da regio na qual desejamos conhecer o campo de presso pCV

pCV (r , t ) . Desta forma, poderemos escolher qual a

parte especfica do sistema de vcuo que desejamos estudar. Deveremos estabelecer a fronteira da regio em estudo e especificar matematicamente esta fronteira e as grandezas fsicas dos processos que nela ocorrem. Nas fronteiras do problema deveremos estabelecer as condies de contorno. E, para toda regio em estudo deveremos tambm estabelecer a condio inicial. O Apndice G traz uma discusso e casos de estudo sobre a considerao do escoamento dos gases e vapores no regime molecular como sendo um processo de difuso de tomos e molculas. Apresentaremos a formulao para a modelagem contnua de sistemas de alto-vcuo em uma, duas e trs dimenses espaciais, dependentes do tempo transientes e no dependentes do tempo estacionrias. Os fenmenos de difuso so expressos matematicamente por meio da equao de difuso, que uma equao diferencial a derivadas parciais de segunda ordem na posio e de primeira ordem no tempo. A obteno da equao de difuso de gases no regime de escoamento molecular apresentada e discutida em detalhe no apndice B, alm das consideraes relativas ao estabelecimento das condies de contorno e inicial. A Figura 2.3 mostra as partes de um sistema de vcuo geral. A cmara de vcuo a regio que ser analisada por meio da modelagem contnua, mas poderia ser tambm qualquer outra parte do sistema de vcuo. Deveremos encontrar condies de contorno fisicamente aceitveis e que expressem as fontes gasosas e as partes em bombeamento de gases [56-59].

62

Cmara de Vcuo
Condies de Contorno de Neumann. Condies de Contorno de Dirichlet.

Linha de Bombeamento

pCV

pCV ( r,t)
Condies de Contorno de Robin.

Bomba de Vcuo

Figura 2.3 Configurao esquemtica de um sistema de vcuo. A modelagem contnua de sistemas de alto-vcuo e ultra alto-vcuo impe a determinao de condies de contorno e inicial equao de difuso.

A seguir estaremos desenvolvendo em detalhe a deduo da equao de difuso para os casos unidimensional, bidimensional e tridimensional transientes e estacionrias e em conjunto apresentando as condies de contorno e a condio inicial necessrias s suas solues matemticas. Definimos as grandezas condutncia especfica, throughput especfico para taxa de degaseificao e throughput para qualquer outra fonte gasosa. Os detalhes da deduo das equaes diferenciais esto apresentados no Apndice B e casos de estudos com sistemas de vcuo de interesse esto apresentados no Captulo 3.

2.6.1 Equao para o Campo de Presso Unidimensional.


O transporte dos gases e vapores em regime molecular tem um mecanismo bastante distinto daquele que estamos familiarizados com os fluidos em geral; e para estudar o transporte dos fluidos utilizamos as equaes diferenciais da mecnica dos fluidos. A suposio bsica da mecnica dos fluidos considerar os fluidos como um meio contnuo, apesar de os fluidos serem formados individualmente por tomos e molculas e estes estarem incessantemente em movimento aleatrio devido agitao trmica. No caso gasoso, se o nmero de Knudsen for menor que 0,01 (Kn<0,01) seguramente podemos aplicar as equaes de Navier-Stokes para modelar o comportamento dos
63

gases e vapores. No caso dos gases e vapores escoando no regime molecular (Kn>1) a hiptese do contnuo no pode ser adotada, assim, nestes casos no so vlidas as equaes de Navier-Stokes. Desta forma deveremos procurar uma formulao adequada situao fsica para a modelagem dos sistemas de alto-vcuo. Adotaremos que no caso do escoamento dos gases no regime molecular, o transporte dos gases pode ser tratado como um fenmeno difusivo. Este assunto tratado em detalhe no Apndice B, com as equaes diferenciais deduzidas rigorosamente. A equao de difuso unidimensional para a modelagem de sistemas de alto-vcuo tubulares de reas de seo constantes e as condies de contorno possveis e a condio inicial so mostradas a seguir na Expresso 2.19

p ( x, t ) x2

q ( x, t ) A

p ( x, t ) , t
p ( x, t ) x

2.19

p( x A , t )

p A (t )

p ( x, t ) x

q A(t)
x xA

S A p( x A )
x xA

p ( x ,0)
com as constantes definidas formalmente como: volume por unidade de comprimento, A seo transversal do tubo, -

p0 ( x)

V , vemos que a constante A coincide com a rea da L

condutncia por unidade de comprimento ou condutncia especfica, c

C L, e

a quantidade de gs em termos de throughput especfico ou throughput por unidade de comprimento do tubo das fontes gasosas presentes no sistema de vcuo, q=q(x,t). Para determinar a soluo de um problema especfico, deveremos especificar duas

condies de contorno, que podem ser dos seguintes tipos: - Condio de Dirichlet. A presso especificada um determinado ponto do sistema de vcuo tubular. Matematicamente,

p( x A , t )

p A (t ) ,

Nos casos mais comuns a serem modelados encontramos que a presso, especificada em um particular ponto, constante no tempo, desta forma p(xA,t)=pA..

64

- Condio de Neumann. O throughput especificado em algum ponto do sistema de vcuo tubular. Assim, matematicamente

p ( x, t ) x

q A (t ) ,
x xA

t .

Na maior parte dos sistemas de vcuo temos que o throughput, especificado em um determinado ponto, constante no tempo, assim q(t)=qA. Em muitos sistemas de vcuo esta condio de contorno tambm ser usada para estabelecer a continuidade do throughput, escoando em regies da tubulao com condutncias especficas de diferentes valores. Ainda, este tipo de condio de contorno ser usado na modelagem para unir trechos de tubos com diferentes taxas de degaseificao por unidade de comprimento. Nestes modelos escreveremos a equao de difuso para cada trecho de tubo, em seguida, a condio de contorno de Neumann nas regies apresentando diferentes condutncias especficas ou diferentes throughputs especficos. Nestes casos poderemos expressar a condio de contorno de Neumann das seguintes formas

p ( x, t ) x

qA,
x xA

ou,

c1

p1 ( x, t ) x

c2
x xA

p 2 ( x, t ) x

,
x xA

ou ainda,

p1 ( x, t ) x

c
x xA

p 2 ( x, t ) x

x xA

p1 ( x, t ) x

x xA

p 2 ( x, t ) x

.
x xA

No caso de um ponto a, ao longo do eixo x, cujo throughput igual a zero, podemos escrever

p ( x, t ) x

0.
x xA

65

Podemos interpretar fisicamente este ltimo caso de duas formas: podemos ter no ponto a uma tampa ou uma vlvula que impede o escoamento de tomos e molculas. Em outro caso, podemos ter no ponto a um ponto de mxima presso. - Condio de Robin: H uma dependncia entre o valor da presso num ponto e o valor do throughput no mesmo ponto ao longo do sistema de vcuo tubular, matematicamente,

p ( x, t ) x

SA pA
x xA

Na condio de contorno de Robin h uma combinao linear do valor da presso com a derivada da presso em relao direo x. No caso mais geral, este tipo de condio de contorno pode ser formulada como

p ( x, t ) x

S p ( x, t )

f ( x, t )

onde SA a velocidade de bombeamento. Nos problemas mais gerais encontrados em tecnologia do vcuo, a ltima expresso colocada na sua forma homognea,

p ( x, t ) x

S A p( x A , t )
x xA

0.

O significado fsico desta ltima expresso pode ser interpretado da seguinte forma: junto bomba de vcuo, na posio xA, o throughput de gs bombeado pode ser expresso de duas formas distintas. Em uma das formas temos que o throughput bombeado q A funo da variao da presso neste ponto, assim q A

p ( x, t ) x

, e em outra forma, qb funo da velocidade de


x xA

bombeamento da bomba de vcuo, assim q A

S A p( x A , t ) .

No caso de termos um tubo com rea de seo transversal varivel, apresentando simetria cilndrica, a sua rea de seo transversal poder ser escrita matematicamente como uma funo que depende do comprimento do tubo. Assim, mostramos a seguir na Expresso 2.20 a equao diferencial com as condies de contorno e a condio inicial

66

x
2

c( x)

p ( x, t ) x

q ( x, t )

A( x)

p ( x, t ) t p ( x, t ) t
. 2.20

c( x)

p ( x, t ) x2

dc( x) p ( x, t ) dx x p ( x, t ) x

q ( x, t )

A( x)

p( x A , t )

p A (t )

c( x A )

q A(t)
x xA

c( x A )

p ( x, t ) x

S A p( x A )
x xA

p ( x,0)

p0 ( x)

Quando o problema de condies de contorno independente do tempo, isto , um problema estacionrio, podemos fazer simplificaes. Assim, temos que para

p ( x, t ) t

0, t

t a equao

de difuso e as possveis condies de contorno tomam as seguintes formas, conforme Expresso 2.21,

d dp( x) c( x) dx dx

q ( x)

c( x)

d 2 p ( x) dx 2

dc( x) dp( x) dx dx dp( x) dx

q ( x)
. 2.21

p( x A )

pA

c( x A )

dp( x) dx

qA
x xA

c( x A )

S A p( x A )
x xA

A equao diferencial encontrada acima pode assumir uma forma integral, como podemos ver abaixo. Esta forma de tratar matematicamente o problema pode ser adequada em muitos casos, uma vez que a soluo pode ser obtida diretamente de duas integraes e as suas constantes de integrao podem ser encontradas a partir da imposio das condies de contorno. Assim, manipulando matematicamente temos a Expresso 2.22

p( x)
b

1 c( x )

q( x )dx dx
a

2.22

com as constantes a e b determinadas a partir da imposio das condies de contorno.

67

Conseguimos obter por meio de primeiros princpios a equao de difuso, para o escoamento dos gases e vapores em regime molecular, para tubos de rea de seo transversal varivel com o seu comprimento. Na deduo aparecem os coeficientes: condutncia especfica, throughput por unidade de comprimento e rea de seo transversal em funo da posio x do tubo. Esses coeficientes so de fundamental importncia, uma vez que eles definiro o sistema de alto-vcuo tubular a ser modelado. Desta forma, definimos neste trabalho a condutncia especfica para uma dada posio do tubo, ou seja, a condutncia por unidade de comprimento para uma dada posio do tubo, que chamaremos simplesmente de condutncia especfica, como na Expresso 2.23
1 2

c( x)

8 2 RT 3 M

1 ( x) 2 F ( x)

2.23

onde,
F

( x) a funo que define o permetro do tubo, dependente da posio x, e a funo

F ( x) define a rea da seo transversal do tubo em funo de x.

Ainda, podemos encontrar uma expresso mais adequada para o clculo da condutncia especfica, considerando diretamente a definio do tubo a partir da sua funo geratriz f=f(x). Assim, encontramos a Expresso 2.24

c( x)

8 2 RT 3 M

1 2

1 ( x) 2 F ( x)

8 2 RT 3 M

1 2

1 2 f ( x) f 2 ( x)
2

2.24

c( x)

2 3

8 RT M

1 2

f 3 ( x)

vemos que a condutncia especfica cresce com a temperatura. Com ela, aumenta a velocidade mdia das molculas, portanto aumenta a probabilidade de escoar pelo tubo. O movimento devido agitao trmica responsvel exclusivo pelo transporte dos gases e vapores no regime de escoamento molecular, no h movimento coletivo, somente o individual. Ainda, a condutncia especfica decresce com a massa molecular. Uma vez que a energia cintica mdia de translao funo exclusiva da temperatura para o gs ideal suposio considerada vlida nas condies de gs rarefeito com o aumento da massa molecular, deveremos ter uma diminuio da velocidade mdia de translao, com isso, haver uma diminuio na mobilidade das molculas. A funo
68

f=f(x) o raio do tubo na posio x; como visto para o tubo cilndrico, na expresso da condutncia total, a sua dependncia com o dimetro, ou com o raio, cbica. Desta maneira, vemos que h coerncia em nossa proposta de definio da condutncia especfica para tubos de rea de seo transversal arbitrria. As fontes de gases e vapores devem ser especificadas a fim de realizarmos a modelagem do sistema de alto-vcuo. Mais, elas devem ser quantificadas adequadamente para poderem participar da equao de difuso, ou seja, precisamos objetivamente construir a funo q=q(x,t). Para construir a funo q=q(x,t) convm fazer uma distino entre as fontes gasosas que tm origem exclusivamente nas paredes do tubo, das outras fontes possveis. Esta distino no deve ser considerada como sendo essencial do ponto de vista fsico, apenas refere-se construo matemtica das funes que as representam. Com relao fonte gasosa que est distribuda na extenso da parede do tubo, temos associadas a ela a degaseificao natural (outgassing) ou a degaseificao forada (degassing), ainda podemos citar a permeao, a vaporizao e a sublimao. Com relao s outras fontes gasosas, que so localizadas em pontos ou pequenas extenses do tubo, podemos citar o vazamento real, o vazamento virtual, a desorpo induzida por eltrons, ftons e ons, ou ainda, a injeo controlada de gases. Iniciaremos construindo as funes para os throughputs das fontes gasosas que so diretamente proporcionais a rea das paredes do tubo. A funo, que representa o throughput por unidade de comprimento, devido degaseificao natural ou forada, pode ser construda partindose da Expresso 2.25

Total qD

q 0 AL

2.25

onde q0 a taxa de degaseificao especfica em throughput por unidade de rea do material, ou seja, cada rea unitria do material usado na construo do tubo, adotado um processo de limpeza e condicionamento, degaseifica natural ou foradamente um throughput de gs ou vapor. AL rea lateral do tubo, ou seja, a rea da parede do tubo exposta ao vcuo. Assim, qD o throughput devido a toda rea do tubo exposta ao vcuo. Matematicamente, podemos construir essas grandezas partindo da expresso que calcula a rea lateral do tubo, a partir de rea lateral de um tubo elementar de comprimento x. Matematicamente AL dada pela Expresso 2.26

AL

2
0

f ( x) 1

df ( x) dx

dx .

2.26

69

Este um resultado conhecido da geometria diferencial, partindo-se do conceito de comprimento de arco. A construo geomtrica do tubo partiu da revoluo da linha representada pela funo f=f(x) em torno do eixo x. Assim, definimos a funo rea lateral do tubo na posio x pela Expresso 2.27

AL ( x )

2 f ( x) 1

df ( x ) dx

2.27

Considerando esta ltima equao, podemos definir de forma imediata o throughput por unidade de comprimento do tubo de rea de seo transversal arbitrria, como vemos na Expresso 2.28

qD ( x)

q 0 AL ( x )
, 2.28

qD ( x)

q0 2 f ( x ) 1

df ( x ) dx

e verificamos a coerncia da definio, calculando o throughput total para toda a rea do tubo exposta ao vcuo, encontramos a expresso de partida

Total D

q0 2
0

f ( x) 1

df ( x) dx

dx

Total qD

q 0 AL .

A estrutura da expresso matemtica obtida acima pode ser estendida s outras fontes de gases que tm origem em toda a extenso das paredes do tubo. Complementado, se estas fontes dependerem explicitamente do tempo, como por exemplo, o caso da degaseificao em suas primeiras horas expostas ao vcuo, imediatamente podemos introduzir este fato na expresso. Substitumos o valor constante q0 pelo valor dependente do tempo e a parte da expresso dependente da rea permanece inalterada, ficamos com a Expresso 2.29

qD ( x, t )

q0 (t ) AL ( x)
. 2.29

q D ( x, t )

2 f ( x) 1

df ( x) dx

q0 (t )

No caso mais geral, deveremos considerar a definio matemtica do throughput daquelas fontes gasosas que podem ocorrer em qualquer parte do tubo. Essas fontes gasosas podem ser

70

bastante localizadas, podendo ser modeladas como fontes pontuais, ou ainda podem ocorrer em regies com reas bem pequenas. Podem ocorrer em intervalos de tempo curtos, podendo ser modeladas como sendo fontes impulsivas. Estes casos so bastante freqentes em sistemas de alto-vcuo e ultra alto-vcuo que tm feixes de partculas e estas podem chocar-se com as paredes do tubo. Uma ferramenta matemtica adequada a essa situao a funo delta de Dirac. A forma matemtica do throughput por unidade de comprimento, considerando a ocorrncia de fontes gasosas quaisquer, tem forma mostrada na Expresso 2.30

qTotal ( x, t ) qD ( x, t )

qT ( x, t )
, 2.30
2

qTotal ( x, t ) 2 f ( x) 1

df ( x) dx

q0 (t )

qTr ( x, t )

onde, a funo q=q(x,t) representar o throughput de fontes gasosas ocorrendo em posies definidas e instantes ou intervalos de tempo arbitrrios, que so especficos para cada caso a ser modelado. Fontes gasosas transientes, que tm muito interesse e ocorrncia freqente em sistemas de alto-vcuo e ultra alto-vcuo tubulares, so da forma impulsivas no tempo e na posio e impulsivas no tempo e extensivas na posio. Esses casos ocorrem em tubos por onde passam feixes de partculas, podendo esse feixe induzir degaseificao seja por choque direto dessas partculas, ou seja, por emisso de ftons em partes bem localizadas nas paredes do tubo, chamamos respectivamente de eletrodesorpo e fotodesorpo. Nos projetos de microscpios eletrnicos, aceleradores de partculas, anis de armazenamento de eltrons ou prtons, vlvulas amplificadoras klystron e girotrons, e outros sistemas de vcuo tubulares de fundamental importncia determinar as velocidades de bombeamento das bombas de vcuo e suas posies. O ferramental fsicomatemtico, que desenvolvemos e apresentamos neste trabalho, tem mostrado se til nos projetos de sistemas de vcuo mencionados acima. Apresentaremos a seguir a maneira como podemos objetivamente construir

matematicamente as fontes gasosas transientes de maior interesse. Essas fontes gasosas so impulsivas no tempo, no espao ou em ambos. A funo generalizada ou distribuio delta de Dirac mostra-se uma ferramenta matemtica adequada e precisa para representar essas fontes gasosas transientes. A seguir vamos apresentar as estruturas das funes matemticas generalizadas que representam essas fontes gasosas e tambm, como constru-las considerando a quantidade de gs ou vapor que entrar no sistema de vcuo:
71

Fonte gasosa impulsiva no tempo e impulsiva na posio. Esta fonte gasosa, dependente do tempo e da posio, pode ser modelada pela seguinte funo generalizada, conforme mostrada abaixo na Expresso 2.31

Ipos Item qT ( x, t )

q (x

x0 ) (t t0 ) .

2.31

Ipos Item A quantidade de gs ou vapor q T

Ipos Item qT ( x, t ) , considerada em termos de throughput, entra

no sistema de vcuo na posio x=x0 no instante t=t0. Essa representao matemtica adequada para modelar, quando uma parte de um feixe de partculas formado por eltrons, prtons, nutrons, ons, ou ainda, por ftons, bombardeiam uma regio bem localizada da parede do tubo em um dado instante de tempo.
Ipos Item A unidade fsica de q T Ipos Item qT ( x, t ) mbar.litro.segundo-1centmetro-1, ou de forma

concisa, mbar.l.s-1cm-1. Para a grandeza q temos a unidade mbar.l. Interpretamos fisicamente a


Ipos Item grandeza q T Ipos Item qT ( x, t ) como sendo uma quantidade de gs ou vapor q que entra no

sistema de vcuo na posio x=x0 no tubo e no instante t=t0. Podemos considerar um pequeno recipiente auxiliar de volume V, com gs a certa presso p, de modo que q=pV=nRT=NkT. Assim, essa quantidade de gs q=pV entra no sistema de vcuo tubular, instantaneamente, em t=t0 e na posio bem localizada x=x0. Fonte gasosa impulsiva no tempo e extensiva na posio. Esta fonte gasosa, dependente do tempo e da posio, pode ser modelada pela seguinte funo matemtica generalizada, conforme mostrada sua forma na Expresso 2.32

Epos Item qT ( x, t )

q ( x ) (t t0 ) ,

2.32

onde q=q(x) a quantidade gasosa da em termos de mbar.l.cm-1, ou seja, uma quantidade de gs ou vapor, em termos de mbar.l, ocorrendo em certas posies do tubo e especificada em termos de unidade de comprimento do tubo. Assim, uma quantidade gasosa que entra no tubo em uma extenso dele, ou mais de uma, com as posies definidas pela funo q=q(x), ocorrendo no instante t=t0. Essa representao matemtica adequada para modelar um feixe de partculas, do tipo eltrons, prtons, nutrons, ons, ou ainda, um feixe de ftons, bombardeando regies extensas da parede do tubo em um dado instante de tempo. Um dado instante de tempo significa, no sentido fsico, um intervalo de tempo muito pequeno; no caso de sistemas de alto-vcuo, menor que 10-4 segundos.

72

Epos Item A unidade de qT

Epos Item qT ( x, t ) mbar.l.s-1cm-1. Para q=q(x) temos a unidade Epos Item qT Epos Item qT ( x, t ) como sendo uma

mbar.l.cm-1. Interpretamos fisicamente a grandeza

quantidade de gs ou vapor e agindo nas regies do tubo definidas pela funo q(x) no instante t=t0. Assim, considerando um trecho do tubo com comprimento muito pequeno x sem torno da posio xa, temos que a quantidade de gs, em termos de mbar.l, que entra no sistema de vcuo tubular dada pela expresso q=q(xa) x no instante t=t0. Fonte gasosa extensiva no tempo e impulsiva no espao. Esta fonte gasosa, dependente do tempo e da posio, pode ser modelada pela seguinte funo matemtica generalizada, conforme mostrada na Expresso 2.33

Ipos Etem qT ( x, t )

q (t ) ( x

x0 ) ,

2.33

onde q=q(t) a quantidade gasosa da em termos de mbar.l.s-1, ou seja, uma quantidade de gs, em termos de mbar.l, ocorrendo em uma posio bem localizada do tubo, no ponto x=x0, e especificada em termos de unidade de tempo. Assim, uma quantidade gasosa q=q(t) que entra no tubo em uma posio definida, por exemplo, x=x0. Essa representao matemtica adequada para modelar vazamentos reais e vazamentos virtuais.
Ipos Etem A unidade de qT Ipos Etem qT ( x, t ) mbar.l.s-1cm-1. Para q=q(t) temos a unidade Ipos Etem qT ( x, t ) como sendo uma

Ipos Etem mbar.l.s-1. Interpretamos fisicamente a grandeza qT

quantidade de gs ou vapor, dada em termos de throughput por unidade de comprimento, por q=q(t), sendo liberada para o sistema de vcuo tubular no ponto x=x0. Assim, considerando um intervalo de tempo pequeno t, no instante ta, temos que a quantidade de gs, em termos de mbar.l, que entra no sistema de vcuo tubular dada pela expresso q=q(ta) t na posio x=x0. difuso, com cada termo apresentando a unidade de mbar.l.s-1.cm-1, devemos proceder com discutido acima [37,49,50,57,58].

2.6.2 Equao para o Campo de Presso Bidimensional.


Inicialmente apresentaremos algumas consideraes sobre a modelagem de sistemas de alto-vcuo bidimensionais. A modelagem de certos sistemas de vcuo considerando-os bidimensionais no deve ser entendida como uma simplificao excessiva. Quando assumimos sistemas de alto-vcuo com geometria nitidamente tubular como sendo unidimensionais, queremos com isso explicitamente considerar que as direes perpendiculares ao eixo do tubo no apresentam

73

variaes significativas de presso, ou seja, os seus gradientes so desprezveis, em relao aos gradientes de presso ao longo do eixo do tubo. Assim, do ponto de vista da construo de modelos matemticos que representam realidades fsicas, desconsiderar uma dimenso ou mais significa que as grandezas fsicas que estamos querendo determinar no variam significativamente. Ou colocado de outra forma, admitimos a grandeza tem valor constante, ou prximo de constante, ao longo daquela direo desconsiderada. Fisicamente estamos admitindo simetrias no problema. Para os sistemas de alto-vcuo bidimensionais a equao de difuso pode ser obtida por meio do mesmo raciocnio utilizado no caso unidimensional; apenas cabe uma importante considerao. Fazendo um paralelo com os fenmenos de difuso de calor por conduo em slidos, temos que para os materiais homogneos e isotrpicos a condutividade trmica constante. No caso mais geral deveremos definir a condutividade trmica para cada ponto do material que est sendo estudado o campo de temperatura. No caso de escoamento de gases no regime molecular em sistemas de alto-vcuo bidimensionais, a condutncia especfica tambm chamada de condutncia por unidade de comprimento , em geral, deve ser definida para as duas dimenses, se usarmos o sistema cartesiano, as direes x e y. Assim, teremos uma condutncia especfica definida na direo x, que pode ser dependente da prpria varivel x, e o mesmo para a direo y. Neste caso dizemos que o sistema de alto-vcuo anisotrpico e no-homogneo. Realando, a condutncia especfica uma grandeza que expressa a facilidade com que os gases escoam. Deveremos agora especificar qual a direo de escoamento, pois os sistemas de vcuo bidimensionais so definidos em duas direes. Para cada direo de definio do sistema de vcuo teremos uma condutncia especfica. A condutncia especfica depende do tipo de gs, da temperatura, mas principalmente depende das dimenses da regio onde ocorre o escoamento. Como ocorreu para o caso unidimensional, neste trabalho estamos propondo uma definio de condutncia especfica para o caso bidimensional. Assim, para as direes x e y respectivamente, definimos as condutncias especficas como nas Expresses 2.34

c x ( x)

8 2 RT 3 M

1 2

1 x ( x) Fx ( x )
2

2.34

c y ( y)

8 2 RT 3 M

1 2

1 y ( y) Fy ( y)
2

74

onde as funes:
Fx

( x) define o permetro perpendicular direo x do sistema de vcuo e

Fx ( x) define a rea da seo transversal, do sistema de vcuo, perpendicular direo x. De


y y

forma anloga construmos as funes

( y ) e Fy

Fy ( y ) para a direo y.

Uma vez definidas as condutncias especficas para as direes x e y do sistema de vcuo, podemos obter a equao de difuso bidimensional. Admitiremos um sistema de vcuo com as sees transversais constantes, tanto na direo x como na direo y. As demonstraes rigorosas das funes definidas acima se encontram no Apndice B [37,48,50,56-85].

2.6.2.1 Equao para o Campo de Presso Bidimensional Coordenadas Cartesianas.


A equao de difuso e as condies de contorno e a condio inicial, para a modelagem de sistemas de alto-vcuo e ultra alto-vcuo bidimensionais dependentes do tempo escrita em coordenadas cartesianas, so mostradas abaixo na Expresso 2.35

cx La

p ( x, y , t ) x2

cy Co

p ( x, y , t ) y2

q ( x, y , t )

VCV Co La

p ( x, y , t ) t

p( x A , y A , t ) p ( x, y , t ) x

p A (t ) p ( x, y , t ) y

cx

q A(t)
x x A , y ,t

cy

q B (t)
x , y y B ,t

. 2.35

cx

p ( x, y , t ) x

S A p ( x A , y,t )
x x A , y ,t

cy

p ( x, y , t ) y

S B p( x, y B ,t )
x , y y B ,t

p( x, y,0)

p 0 ( x, y )

Com Co, La e Ha as dimenses das arestas da cmara de vcuo. Para o clculo do throughput, para uma dada posio do sistema de vcuo bidimensional, podemos construir as seguinte expresses auxiliares para as direes x e y respectivamente chegamos Expresso 2.36
yf

Q x ( x, y i , y f , t )
yi

c x ( x ) p ( x, y , t ) dy . La x

2.36

Da mesma forma, podemos deduzir a expresso referente ao throughput na direo y.

75

No caso de uma direo arbitrria, o clculo do throughput deve ser composto pela parcela dos throughputs nas direes x e y, obtidas como na expresso acima. Cabe realar que nos casos gerais temos condutncias especficas diferentes entre si nas direes x e y. Nestes casos o clculo do throughput em uma direo arbitrria de considerar as componentes nas direes x e y com os respectivos valores de condutncias especficas para cada uma dessas direes. Esta mesma situao ocorre nos problemas de transferncia de calor por conduo para os meios anisotrpicos. Concluindo a exposio do ferramental fsico-matemtico desenvolvido para a modelagem de sistemas de alto-vcuo bidimensionais, apresentamos a seguir a equao de difuso, considerando a possibilidade das condutncias especficas dependerem da posio, chegamos Expresso 2.37

1 p ( x, y , t ) c x ( x) La x x

1 p ( x, y , t ) c y ( y) Co y y

q ( x, y , t )

VCV p ( x, y , t ) , 2.37 Co La t

com VCV=Co.La.Ha e complementado, cada termo da equao de difuso tem a dimenso mbar.litro.s-1.cm-2 ou, torr.litro.s-1.cm-2, ainda, no Sistema Internacional de Unidades Pa.m3.s-1.m-2. A condutncia especfica c=c(x) tem unidade de l.s-1.cm. O throughput por unidade de rea q=q(x,y,t) tem unidade de mbar.litro.s-1.cm-2. Encontramos problemas similares a estes naqueles de transferncia de calor por conduo nos meios anisotrpicos e no homogneos [37,48,50,5685].

2.6.2.2 Equao para o Campo de Presso Bidimensional Coordenadas Polares.


Apresentamos a seguir a equao de difuso escrita em termos das coordenadas polares para a modelagem de sistemas de alto-vcuo bidimensionais. Nestes casos as cmaras de vcuo so em geral em forma circular e com a altura bem menor que o raio, ou ainda, com o gradiente de presso na direo z muito menor que os gradientes na direo do raio ou tambm na direo da variao do ngulo. Para a sua obteno consideramos exatamente o mesmo raciocnio do utilizado para as coordenadas cartesianas. As variveis e f so a distncia do ponto P(x,y) que define o raio vetor origem do sistema de coordenadas e o ngulo do raio vetor em relao ao eixo x

respectivamente. A equao de difuso em coordenadas polares dependente do tempo tem a forma mostrada a seguir pela Expresso 2.38

1 1 2 a

p( , , t )

c a

1
2

p( , , t )
2

q( , , t )

VCV p( , , t ) t a2

76

1 1 2 a

p( , , t ) c

p( , , t )

c a

1
2

p( , , t )
2

2.38

q( , , t )

VCV p( , , t ) t a2

Nas situaes comumente encontradas na modelagem de sistemas de alto-vcuo bidimensionais, temos que a condutncia especfica c funo da varivel . Complementando, temos a seguir mostradas as seguintes condies de contorno e condio inicial fisicamente aceitveis,

p( p( , , t )
A , ,t

, t)

p A (t ) 1 p( , , t )
,
B ,t

q A (t)

q B (t)

p( , , t )
A , ,t

S A p(

, , t)

1 p( , , t )
,
B ,t

S B p( ,

, t)
,

p ( , ,0)

p0 ( , )

onde, a o raio da cmara de vcuo cilndrica, c e cf so as condutncias especficas nas direes e f respectivamente. Ainda, Vcv o volume da cmara de vcuo com formato cilndrico, sendo seu valor dado, em termos dos elementos diferenciais de volume, pela seguinte expresso
a 2 c

VCV
Volume da Cmara de Vcuo Cilndrica

d d dz
0 0 z 0

d d dz

.
a 2 c

d
0 0

dz
z 0

VCV

a 2c

Continuando, no caso do problema estacionrio, a Expresso 2.40, em coordenadas polares e as possveis condies de contorno escritas em coordenadas polares, so mostradas a seguir.

1 1 2 a

p( , ) c

p( , )

c a

1
2

p( , )
2

q( , ) .

2.40

77

Sendo em geral c

c ( ) . Para o estabelecimento das possveis fontes de gases e vapores, e

ainda, com relao as definies da condies de contorno apresentadas a seguir, podemos seguir em linhas gerais o mesmo raciocnio daquele usado no caso de sistemas de alto-vcuo unidimensionais [37,48,50,56-80]. Assim, temos respectivamente as condies de contorno do tipo de Dirichlet, de Neumann e de Robin

p( p( , )
A,

pA 1 p( , )
,
B

qA

qB

p( , )
A,

S A p(

, )

1 p( , )
,
B

S B p( ,

) .

Concluindo a exposio do ferramental fsico-matemtico desenvolvido neste trabalho para a modelagem de sistemas de alto-vcuo bidimensionais e expressos em coordenadas polares, apresentaremos as unidades das grandezas fsicas que participam desta equao de difuso. Cada termo da Expresso 2.40 tem a dimenso mbar.litro.s-1.cm-2 ou torr.litro.s-1.cm-2, ou ainda, no Sistema Internacional de Unidades Pa.m3.s-1.m-2=Pa.s-1.m. As condutncias especficas tm unidade de l.s-1.cm. O throughput por unidade de rea q=q( ,f ,t) tem unidade de mbar.litro.s-1.cm-2.

2.6.3

Equao para o Campo de Presso Tridimensional Coordenadas Cartesianas e Cilndricas.


A seguir apresentaremos a equao de difuso tridimensional para modelar sistemas de alto-

vcuo nos casos gerais. Nestes sistemas de vcuo as trs dimenses so comparveis, assim no podemos de imediato, sem uma anlise mais detida, dizer que h gradientes de presso que podem ser desprezados. Apresentamos a seguir a equao de difuso tridimensional, Expresso 2.41, para a modelagem de sistemas de vcuo com os gases e vapores escoando no regime molecular

1 p ( x, y , z , t ) c x ( x, y , z ) La Ha x x

1 Co Ha y

c y ( x, y , z )

p ( x, y , z , t ) y
, 2.41

1 p ( x, y , z , t ) c z ( x, y , z ) Co La y z
78

q ( x, y , z , t )

p ( x, y , z , t ) t

onde as constante Co, La e Ha so respectivamente as dimenses das arestas da cmara de vcuo nas direes x, y e z. Sendo as constantes cx, cy e cz respectivamente as condutncias especficas nas direes x, y e z. A funo q=q(x,y,z,t) representa matematicamente as fontes gasosas do problema. Para os casos de as condutncias especficas serem constantes temos a Expresso 2.42

cx La Ha

p ( x, y , z , t ) x2

cy Co Ha

p ( x, y , z , t ) y2

cz Co La

p ( x, y , z , t ) z2
, 2.42

q ( x, y , z , t )

p ( x, y , z , t ) t

com as possveis condies de contorno e condio inicial expostas a seguir

p( x A , y A , z A , t ) p ( x, y , z , t ) x p ( x, y , z , t ) y
p ( x, y , z , t ) z

p A (t ) p ( x, y , z , t ) x p ( x, y , z , t ) y
p ( x, y , z , t ) z

cx

q A(t)
x x A , y , z ,t

cx

S A p ( x A , y, z,t )
x x A , y , z ,t

cy

q B (t)
x , y y B , z ,t

cy

S B p ( x, y B , z , t )
x , y y B , z ,t

cz

qC (t)
x , y , z z A ,t

cz

S C p( x, y, z C ,t )
x , y , z zC ,t

p( x, y, z,0)

p 0 ( x, y , z )

e complementando, consideramos os casos de modelagem em estado estacionrio, com a forma apropriada da equao de difuso conforme a Expresso 2.43

cx La Ha

p( x, y, z ) x2

cy Co Ha

p( x, y, z ) y2

cz Co La

p( x, y, z ) z2

q( x, y, z ) .

2.43

Sendo o volume da cmara de vcuo igual VCV=Co.La.Ha. Cada termo da equao de difuso tem a dimenso mbar.litro.s-1.cm-3 ou, torr.litro.s-1.cm-3, ou ainda, no Sistema Internacional de Unidades Pa.s-1. As condutncias especficas tm unidades de l.s-1.cm. O throughput por unidade de volume
79

q=q(x,y,z,t) tem unidade de mbar.litro.s-1.cm-3. Similarmente, encontramos a mesma estrutura matemtica nos problemas de transferncia de calor por conduo. Impondo a conservao do throughput, ou seja, a conservao de energia ao volume elementar qualquer da cmara de vcuo e assumindo que podemos ter fontes de gases e vapores, chegamos equao de difuso em coordenadas cilndricas mostrada na Expresso 2.44

1 1 2 ac cz a2

c ( )

p( , , z, t )

c ac

1
2

p( , , z, t )
2

,
2

2.44

p( , , z, t ) z2

q( , , z, t )

p( , , z, t ) t

nos casos mais comuns que podemos modelar sistemas de alto-vcuo utilizando a equao diferencial acima, temos que a condutncia especfica na direo funo desta varivel espacial

c =c ( ) assim, a equao diferencial toma a seguinte forma dada pela Expresso 2.45

1 1 2 ac

p( , , z, t ) c

p( , , z, t )

c ac

1
2

p( , , z, t )
2

. 2.45

cz a2

p( , , z, t ) z2

q( , , z, t )

p( , , z, t ) t

onde as constantes a e c so respectivamente as dimenses do raio da cmara de vcuo estamos admitindo uma cmara de vcuo cilndrica e a sua altura. Ainda, c , cf e cz so respectivamente as condutncias especficas nas direes , f e z. A funo q=q( ,f ,z,t) representa matematicamente as fontes gasosas do problema. Com as seguintes condies de contorno e a condio inicial

p( p( , , z, t )
A , , z ,t

, z A , t)

p A (t ) p( , , z, t )
A , , z ,t

c ( )

q A(t)

S A p(

, , z, t

1 p( , , z, t )
,
B , z ,t

q B (t)

1 p( , , z, t )
,
B , z ,t

S B p( ,

, z, t )

80

cz

p( , , z, t ) z

qC(t)
, , z zC ,t

cz

p( , , z, t ) z

SC p( , , zC , t )
, , zC ,t

p( , , z,0)

p0 ( , , z )

Podemos escrever a equao na forma adequada para modelar casos de sistemas de vcuo em estado estacionrio, isto , com o campo de presso no dependente do tempo, assim temos a Expresso 2.46

1 1 2 ac

p( , , z ) c

p( , , z )

c ac

1
2

p( , , z )
2

, 2.46

cz a2

p( , , z ) z2

q( , , z )

com as seguintes condies de contorno fisicamente aceitveis e possveis para os problemas independentes do tempo ou estacionrios

p( p( , , z )
A , ,z

, zA)

pA p( , , z )
A , ,z

c ( )
c

qA
qB c

S A p(
S B p( ,
,
B ,z

, , z)
, z)
.

1 p( , , z )
,
B ,z

1 p( , , z )

cz

p( , , z ) z

qC
, , z zC

cz

p( , , z ) z

S C p( , , z C )
, , zC

Complementado, cada termo das equaes de difuso, tanto a transiente como a de estado estacionrio, tem a dimenso mbar.litro.s-1.cm-3 ou, torr.litro.s-1.cm-3, ou ainda, no Sistema Internacional de Unidades Pa.s-1. As condutncias especficas tm unidades de l.s-1.cm. O throughput por unidade de volume q=q( ,f ,z,t) tem unidade de mbar.litro.s-1.cm-3.

Similarmente, encontramos tal estrutura matemtica nos problemas de transferncia de calor por conduo nos meios anisotrpicos e no homogneos em seus casos mais gerais [80-85].

81

De forma esquemtica e sistemtica a modelagem contnua de sistemas de vcuo pode seguir os seguintes passos: Identificar as partes do sistema de vcuo que deveremos encontrar o campo de presso. Estudar e verificar as possveis simetrias no sistema fsico e propor um sistema de coordenadas adequado para a modelagem do sistema de vcuo. Identificar, determinar geometricamente e quantificar as fontes de gases e vapores que participam no processo em vcuo. Considerar a importncia relativa entre as vrias fontes gasosas em funo das faixas de presso. Estabelecer as condies de contorno e condio inicial do problema. Para isso as fontes de gases e vapores, as curvas de velocidades de bombeamento das bombas de vcuo em funo da presso e outras grandezas j devem ter sido obtidas. Iniciar a modelagem. A partir dos primeiros resultados, ganhando confiana no modelo, poderemos melhor-lo. Verificar a coerncia dos resultados, por exemplo, comparando com uma anlise e modelagem discretas.

2.7. Formulaes Discreta e Contnua como Complementares.


Apresentamos as formulaes discreta e contnua para a modelagem e anlise detalhadas de sistemas de vcuo. Indicamos que a formulao discreta leva ao conhecimento da presso na cmara de vcuo em funo do tempo, pCV

pCV (t ) . Enfatizamos que a formulao discreta para

a anlise de sistemas de vcuo incapaz de nos fornecer os valores de presso em cada ponto da regio em estudo. Fazendo uso da terminologia da mecnica dos fluidos e da termodinmica das mquinas trmicas, dizemos que na formulao discreta da tecnologia do vcuo, o contorno do volume de controle da formulao discreta o prprio contorno da cmara de vcuo. Neste caso, consideramos a conservao da energia no volume de controle, obtendo a equao fundamental para o processo de bombeamento em vcuo. Em primeira aproximao, sem uma definio rigorosa, dissemos que a funo pCV funo do tempo. Em contraste, a formulao contnua na modelagem de sistemas de vcuo permite-nos determinar os valores de presso em todos os pontos da cmara de vcuo ou ainda, em outras partes do sistema de vcuo, por exemplo, certa regio da tubulao. A formulao contnua para a anlise e modelagem de sistemas de alto-vcuo e ultra alto-vcuo foi descrita neste trabalho em termos da equao de difuso de tomos e molculas. Assim, resolvendo o problema de contorno com a condio inicial, determinamos o campo de presso em qualquer parte do sistema de alto-vcuo.

pCV (t ) o valor de uma presso mdia na cmara de vcuo em

82

Matematicamente teremos o campo escalar p convenientemente escolhido.

p (r , t ) descrito em um sistema de coordenadas

Apesar de a formulao contnua levar a um conhecimento mais refinado dos sistemas de alto-vcuo, a formulao discreta importante. Informaes relativas ao processo de bombeamento, como o tempo de bombeamento, o dimensionamento das bombas de vcuo, a determinao ou simples verificao do desempenho de materiais em vcuo e outras mais, podem ser obtidas por meio da formulao discreta. Considerando tanto a simplicidade na especificao das grandezas fsicas que participam no sistema de vcuo como a facilidade na obteno da soluo matemtica da modelagem matemtica, a formulao discreta apresenta vantagens em relao formulao contnua. A tomada de deciso em usar uma ou outra formulao est discutida no Apndice D. Mas devemos ter sempre presente que as duas formulaes devem ser vistas como ferramentas complementares no estudo dos sistemas de vcuo. Assim, mesmo sendo necessria a realizao da anlise por meio da formulao contnua, podemos iniciar a modelagem com o uso da formulao discreta com o propsito de obter dados gerais e global do sistema de vcuo. Um motivo adicional e muitas vezes essencial que para o estabelecimento das condies de contorno, na modelagem com a equao de difuso, deveremos ter o conhecimento de dados gerais do sistema de vcuo, por exemplo, a presso no flange da cmara de vcuo que d acesso s bombas de vcuo. Portanto, devemos considerar os dois tipos de formulao na anlise de sistemas de vcuo como sendo complementares. Contudo deve ficar claro o estabelecimento das condies fsicas para a validade das formulaes apresentadas, ou seja, os limites de suas aplicaes. Na formulao discreta a Equao Fundamental para o Processo de Bombeamento EPBV vlida para todos os tipos de sistemas de vcuo, isto , para os sistemas de pr-vcuo, alto-vcuo e ultra alto-vcuo, ou de outra forma, a EPBV vlida para os regimes de escoamento viscoso turbulento, viscoso laminar, intermedirio e molecular. No caso da modelagem contnua estamos admitindo neste trabalho a hiptese que o processo de escoamento dos tomos e molculas se d de forma completamente aleatria. A equao de difuso s pode ser aplicada nos sistemas de vcuo em que ocorra escoamento dos tomos e molculas no regime molecular, ou seja, o nmero de Knudsen deve ser maior que um. A hiptese fundamental sobre a validade da equao de difuso dos gases e vapores para a anlise e modelagem de sistemas de alto-vcuo est fundamentada no movimento catico devido s colises dos tomos e molculas com as paredes e internos do sistema de vcuo. No caso do escoamento dos gases e vapores se dar no regime viscoso laminar ou no regime intermedirio, devemos utilizar a mecnica dos fluidos. A hiptese bsica neste caso supor o escoamento gasoso
83

como sendo um meio contnuo; matematicamente, a modelagem feita empregando-se as equaes de Navier-Stokes. A quase totalidade dos casos e problemas de interesse praticamente impossvel de ser resolvida por meio de meios analticos, uma vez que as modelagens matemticas dos problemas so muito difceis e extensas. Nestes casos, a interveno de programas computacionais especializados em mecnica dos fluidos necessria. Ateno especial deve ser dada nas anlises e modelagens de sistemas de vcuo operando no regime de escoamento intermedirio, uma vez que o estabelecimento das condies de contorno no simples e ainda objeto de muitas dvidas [31,39,66-72, 80-85].

2.8. Referncias.
1. Lafferty, J. M., Foundations of Vacuum Science and Technology, Wiley-Interscience Publication, 1998. 2. Wutz, M., Adam, H. and Walcher, W., Theory and Practice of Vacuum Technology. Friedr. Vieweg and Sohn, 1989. 3. 4. Loeb, L.B., The Kinetic Theory of Gases, Second Edition, McGraw-Hill, 1934. Tabor, D., Gases, Liquids and Solids and Other States of Matter, Third Edition, Cambridge University Press, 1991. 5. 6. 7. 8. 9. Walton, A.J., Three Phases of Matter, Second Edition. Oxford University Press, 1983. Present, R.D., Kinetic Theory of Gases, McGraw-Hill, 1958. Kennard, E.H., Kinetic Theory of Gases. McGraw-Hill Book Company, Inc. 1938. Huang, Kerson., Statistical Mechanics, Second Edition, Jonh Wiley and Sons, 1987. Dushman, S., Scientific Foundations of Vacuum Technique, Second Edition, John Wiley, 1962. 10. Hucknall, D., Vacuum Technology and Applications, Butterworth-Heinemann, 1991. 11. OHanlon, J.F., A Users Guide to Vacuum Techonology, Second Edition, Wiley-Interscience, 1989. 12. Roth, A., Vacuum Technology, Second and Revised Edition, North-Holland, 1986. 13. Beni, G., Hackwood, S., Belinski, S., Shirazi, M., Li, Shigang., and Karuppiah, L., Vacuum Mechatronics, Artech House, 1990. 14. Chambers, A., Modern Vacuum Physics. Chapmann&Hall/CRC, 2005. 15. Saksaganskii, G.L., Molecular Flow in Complex Vacuum Systems, Gordon and Science Publishers, 1988. 16. Wedler, G., Manual de Qumica Fsica, Fundao Galouste Gulbenkian, 2001. 17. Cercignani, C., Mathematical Methods in Kinetic Theory, Plenum Press, 1969.
84

18. Knudsen, M., Kinetic Theory of Gases, 3rd Edition, John Wiley and Sons, 1950. 19. Bird, G.A., Molecular Gas Dynamics and the Direct Simulation of Gas Flow, Clarendon Press Oxford, 1996. 20. Kersevan, R., Vacuum System Optimization: Computational Methods, School on Use of Synchrotron Radiation in Science and Technology, International Centre for Science and High Technology, Trieste, Italy, 1991. 21. Kersevan, R., Considerations on Vacuum Calculations, Private Communication, 2005. 22. Kersevan, R., Molflow - Users Guide, Sincrotone Trieste, Trieste, Italy, 1991. 23. Cercignani, C., Rarefied Gas Dynamics: From Basic Concepts to Actual Calculations, Cambridge Text Applied Mathematics, 1999. 24. Berman, A., Vacuum Engineering Calculations, Formulas, and Solved Exercises. Academic Press, Inc, 1992. 25. Degasperi, F.T., Cadernos de Atividades, Instituto de Fsica da Universidade de So Paulo, Circulao Restrita, 1990 at 1999. 26. Hoffman, D.M., Singh, B., and Thomas III, J.H., Handbook of Vacuum Science and Technology, Academic Press, 1997. 27. Ryans, J.L.. and Roper, D.L., Process Vacuum Systems Design and Operation, McGraw-Hill, 1986. 28. Elsey, R.J., Vacuum, 25(7), 1975. 29. Elsey, R.J., Vacuum, 25( 8), 1975. 30. Weston, G.F., Vacuum, 25(11/12), 1975. 31. Woods, R.L. and Lawrence, K.L., Modeling and Simulation of Dynamics Systems, PrenticeHall, 1997. 32. Catlogos das empresas fabricantes de bombas de vcuo. BOC-Edwards, Alcatel, Varian, Leybolb, Balzers, Ulvac. 33. Degasperi, F.T., Instrumentao e Metodologia para o Tratamento e Carga de leo Empregado em Cpulas de Raio-X Utilizando Vcuo, Instituto de Eletrotcnica e Energia da Universidade de So Paulo, So Paulo, SP, 1997, Curso. 34. Hablanian, M.H., High-Vacuum Technology A Practical Guide, 2nd Edition, Marcel Dekker, 1998. 35. Shames, I., Mechanics of Fluids, 3rd Edition, McGraw-Hill, 1985. 36. Catlogos da MKS sobre os Medidores de Fluxo de Massa (Mass Flow Meters).

85

37. Degasperi, F.T., Fluxo de Gases no Sistema CVD para Sntese de Filmes de Diamante, Laboratrio de Filmes de Diamante do Instituto de Fsica da USP, So Paulo, SP, Brasil, 1994, Seminrio. 38. Degasperi, F.T., The Vacuum Pumping, Controlled Gas Injection and Residual Gas Analyses Systems for the TCA-BR Tokamak, 14th International Vacuum Congress (IVC 14), Birmingham, United Kingdon, 1998, Apresentao Oral. 39. Degasperi, F.T., Elizondo, J.I., Lerche, E.A., Reis, A.P. dos, Sanada, E.K., Ferreira, A.A., Lima, R.R. and Nascimento, I.C., The Vacuum Pumping, Controlled Gas Injection, Residual Gas Analysis and Conditioning Wall Systems for the TCABR Tokamak, 14th IAEA Technical Committee Meeting on Research Using Small Fusion Devices, So Paulo, SP, Brazil, 2001. 40. Freitas, L.C. de, Tabacnicks, M.H., Degasperi, F.T., Silva, M.N.M., Castro, C.S.C. de, Franklin, T.P., Couto, P.R.G. and Ferreira, M.J., The Brazilian Primary Vacuum Standart Project, 3rd CCM International Conference, Pressure Metrology from Ultra-High Vacuum to Very High Pressures, Torino, Italy, 1999, Apresentao Oral. 41. Bird, R.B., Stewart, W.E. and Lightfoot, E.N., Transport Phenomena, 2nd Edition, Wiley, 2002. 42. Steckelmacher, W., Reports on Progress Physics, 49(10), 1986. 43. Redhead, P.A., Hobson, J.P. and Kornelsen, E.V., The Physical Basis of Ultra-high Vacuum, Chapman and Hall and reprint by American Vacuum Societys Series of Classic Texts, AVS, 1993. 44. Comsa, G., David, R. and Rendulic, K.D., Physical Review Letters, 38(14), 1977. 45. Comsa, G., Surface Science, 299/300, 1994. 46. Holkeboer, D.H., Jones, D.W., Pagano, F. and Santeler, D.J., Vacuum Technology and Space Simulation, Boston Technical Publishers and reprint by American Vacuum Societys Series of Classics Text, AVS, 1993. 47. Viana, E.R., Desenvolvimento e Implementao de um Simulador para Estudos de Escoamento de Gases em Regime Molecular. Trabalho de Graduao do Curso MPCE da Faculdade de Tecnologia de So Paulo. Orientado por Francisco Tadeu Degasperi. 1999. 48. Raimundo, D.S., Simulao de Transporte de Gases em Tubos e Orifcios no Regime de Escoamento Molecular, Trabalho de Graduao do Curso MPCE da Faculdade de Tecnologia de So Paulo, Orientado por F.T. Degasperi, 2001. 49. Degasperi, F.T., Anlise Detalhada de Sistemas de Vcuo, Laboratrio do Acelerador Linear do Instituto de Fsica da Universidade de So Paulo, So Paulo, SP, Brasil, 1999, Seminrio.

86

50. Degasperi, F.T. and Mammana, V.P., Pressure Field Detailed Calcutations for a New Field Emission Device with Improved Vacuum Features, 46th International Symposium Vacuum, Thin Films, Surfaces/Interfaces and Processing, American Vacuum Society (AVS), Seattle, Washington, USA, 1999, Apresentao Oral. 51. Mammana, V.P., Degasperi, F.T., Monteiro, O.R., Vuolo, J.H., Salvadori, M.C.B. and Brown, I.G., A New Field Emission Device with Improved Vacuum Features, Journal of Vacuum Science and Technology, 18A(4), 2000. 52. Middleman, S. and Hochberg, A.K., Process Engineering Analysis in Semiconductor Device Fabrication, McGraw-Hill, 1993. 53. Sugano, T., Applications of Plasma Processes to VLSI Technology, Wiley-Interscience, 1985. 54. Haile, J.M., Molecular Dynamics Simulation: Elementary Methods, Wiley-Interscience, 1992. 55. Rapaport, D.C., The Art of Molecular Dynamics Simulation, Cambridge University Press, 1995. 56. Landau, L.D. and Lifshitz, E.M., Fluid Mechanics Course of Theoretical Physics Volume 6, Butterworth-Heinemann, 1997. 57. Degasperi, F.T., Martins, M.N., Takahashi, J. and Verardi, S.L.L., Time Dependence of the Pressure Profile in a Tube with Axilly-Dependent Degassing, Particle Accelerator Conference, PAC-2001, Chicago, Illinois, USA, 2001. Apresentado em forma de painel e publicado nos anais. 58. Degasperi, F.T., Mammana, V.P., Verardi, S.L.L. and Baranauskas, V., Calculation of the Vacuum Pressure Gradient in Field Emission Display, Trabalho apresentado no International Conference on Metallurgical Coating and Thin Films, ICMCTF-2001, San Jose, California, USA, 2001. Trabalho publicado Surface and Coating Technology, 2002. 59. Gershendeld, N., The Nature of Mathematical Modeling, Cambridge University Press, 1999. 60. Bequette, B.W., Process Dynamics: Modeling, Analysis and Simulation, Prentice-Hall PTR, 1998. 61. MacCluer, C.R., Industrial Mathematics Modeling in Industry, Science and Government, Prentice Hall, 2000. 62. Svobodny, T., Mathematical Modeling for Industry and Engineering, Prentice Hall, 1998. 63. Shearer, J.L. and Kulakowski, B.T., Dynamics Modeling and Control of Enginnerig Systems, Maxwell Macmillan International Editions, 1990. 64. Gershendeld, N., The Physics of Information Technology, Cambridge University Press, 2000. 65. Rice, R.G. and Do, D.D., Applied Mathematics and Modeling for Chemical Engineers, John Wiley & Sons, 1995.

87

66. Arfken, G. and Weber, H., Mathematical Methods for Physicists, 4th Edition, Academic Press, 1998. 67. Tijonov, A.N. and Samarsky, A.A., Ecuaciones de la Fisica Matematica, Segunda Edicin, Editorial Mir, 1980. 68. Snider, A.D., Partial Differencial Equations: Sources and Solutions, Prentice Hall, 1999. 69. Powers, D.L., Boundary Value Problems, 4th Edtion, Harcourt Academic Press, 1999. 70. zisik, M.N., Boundary Value Problems of Heat Conduction, Dover Publications, 1989. 71. Carslaw, H.S. and Jaeger, J.C., Conduction of Heat in Solids, Oxford University Press, 1957. 72. Lewin, G., Fundamentals of Vacuum Science and Technology, McGraw-Hill, 1965. 73. Degasperi, F.T., Martins, M.N., Takahashi, J. and Verardi, S.L.L., Pressure Field in a Tube with a Time- and Position-Dependent Degassing, Trabalho a ser submetido ao Journal of Vacuum Science and Technology (JVST). 74. Degasperi, F.T., Martins, M.N., Verardi, S.L.L. and Takahashi, J., Pressure Field Along the Axis of an Accelerating Structure, European Particle Accelerator Conference, EPAC-2002, Paris, France, 2002. Trabalho apresentado e publicado nos anais. 75. Degasperi, F.T. e Baranauskas, V., Anlise Detalhada de Sistemas de Vcuo, XXII Congresso Brasileiro de Aplicaes de Vcuo na Indstria e na Cincia (CBRAVIC), Faculdade de Engenharia de Guaratinguet, UNESP, Guaratinguet, SP, Brasil, 2001. Trabalho apresentado na forma de painel. 76. Anderson, J.D., Modern Compressible Flow: with Historical Perspective, McGraw-Hill, 1982. 77. Programa Computacional Ansys para Simulao em Mecnica dos Fluidos, Manual da Verso 4, 1999. 78. Fortuna, A.O., Tcnicas Computacionais para a Dinmica dos Fluidos Conceitos Bsicos e Aplicaes, Editora da Universidade de So Paulo, 2000. 79. Degasperi, F.T., Estudo de Fluxo de Gases em Reatores Assistidos a Plasmas em Baixas Presses, Trabalho apresentado na Disciplina Processos em Eletrohidrodinmica I, Curso de Ps-Graduao da Escola Politcnica da Universidade de So Paulo, So Paulo, SP, 1999. 80. Degasperi, F.T., Deduo da Equao Fundamental para o Processo de Bombeamento na Tecnologia do Vcuo - Objetivo Didtico, XII Congresso Brasileiro de Aplicaes de Vcuo na Cincia e na Indstria, Florianpolis, SC, Brasil, 1991. Trabalho apresentado na Sesso Oral. 81. Sanches Junior, R.L., Tratamento Matemtico Analtico-Numrico para o Processo de Bombeamento em Tecnologia do Vcuo, Trabalho de Graduao do Curso MPCE da Fatec-SP, Orientado por F.T. Degasperi, 1997.

88

82. Degasperi, F.T., Baranauskas, V., Pressure Field in High-Vacuum Systems: Mathematical Physics Formulation, 8th European Vacuum Conference EVC-8 2nd Annual Conference of the German Vacuum Society, Berlin, Germany, 2003. 83. Degasperi, F.T., Mammana, V.P., Baranauskas, V., Steady-State and Transient Profile in Field Emission Display, 8th European Vacuum Conference EVC-8 2nd Annual Conference of the German Vacuum Society, Berlin, Germany, 2003. 84. Degasperi, F.T., Pressure Field Distribuition in Ultra High-Vacuum Systems, 41st IUVSTA Worksohop Vacuum System Design for Particle Accelerators: a multidiciplinary approach, Brdopri Kranju, Slovenia, 2004. 85. Degasperi, F.T., Baranauskas, V., Mathematical Physics Formulation to Pressure Field in a Tube with na Arbitrary Axisymmetric Cross Section, 16th International Vacuum Congress IVC-16, Venice, Italy, 2004.

89

Captulo 3
Sistemas de Vcuo Complexos
Neste captulo apresentamos anlises, clculos e modelagens detalhados de sistemas de vcuo que so utilizados tanto em processos industriais como na pesquisa. As modelagens so realizadas tanto com a formulao discreta como com a formulao contnua. Iniciamos analisando em detalhe dois sistemas de vcuo por meio da abordagem discreta. O primeiro caso em estudo um sistema de pr-vcuo com bomba roots e o segundo deles um sistema de alto-vcuo com bomba de difuso. Mostramos as etapas para a construo do modelo com procedimentos que so aplicveis a outros sistemas de vcuo e quais resultados podem ser alcanados por meio da abordagem discreta com o ferramental desenvolvido neste trabalho. Seguindo, utilizamos a abordagem contnua para modelar sistemas de alto-vcuo e ultra alto-vcuo. Tratamos de sistemas de alto-vcuo tubulares com rea de seo transversal constante e varivel e de sistemas de alto-vcuo bidimensionais com fontes de gases estacionrias e transientes. Finalizando o captulo fazemos uma discusso sobre os resultados alcanados e as limitaes das formulaes apresentadas.

3.1 Introduo.
Como apresentado nos captulos anteriores, podemos realizar a modelagem de sistemas de vcuo adotando as abordagens que chamamos de discreta e contnua. A abordagem discreta a mais utilizada e em geral com muitas simplificaes. Esta abordagem leva somente ao estabelecimento da presso em funo do tempo na cmara de vcuo. No obstante esta limitao intrnseca abordagem discreta, ela tem um alcance suficiente para realizar muitos projetos na rea de tecnologia do vcuo. Apesar de termos disponveis a equao diferencial fundamental para o processo de bombeamento em vcuo e alguns modelos para as fontes de gases e vapores, verificamos que no so freqentes programas computacionais com ferramentas numricas de uso geral para a modelagem detalhada e rigorosa de sistemas de vcuo. Com o propsito de tornar as anlises e modelagens de sistemas de vcuo mais profundas e detalhadas apresentamos uma plataforma computacional de trabalho capaz de auxiliar nos projetos de vcuo.

91

Os modelos construdos neste trabalho consideram vrias fontes de gases e vapores com as condutncias da linha de bombeamento e ainda as velocidades das bombas de vcuo em funo da presso. Os programas computacionais para a modelagem discreta so documentados em detalhe e podem ser utilizados e facilmente alterados de forma a modelar uma vasta gama de situaes encontradas na rea de vcuo. Ainda, com os programas desenvolvidos, poderemos calcular numericamente as condutncias para os quatro regimes de escoamento. Apesar de procuramos proceder com rigor, jamais poderemos escapar de simplificaes e hipteses ah doc em muitas situaes corriqueiras. Isto faz parte intrnseca da modelagem de sistemas da natureza! Apresentamos dois casos de estudos utilizando a formulao discreta. O primeiro caso modela um sistema de vcuo de mdio porte utilizando bomba roots. Este tipo de sistema de vcuo amplamente utilizado na indstria em processos de secagem, de empacotamento de alimentos, tratamento de leos isolantes eltricos, e outros. O segundo caso de estudo um sistema de altovcuo com bomba difusora com armadilha gelada. Nestes dois casos as modelagens foram feitas com bastante detalhe, incorporando aspectos referentes s fontes gasosas, condutncias da linha de bombeamento e bombas de vcuo. Introduzimos ainda detalhes sobre a evoluo temporal da degaseificao e injeo controlada de gases. Obtivemos as solues numricas com cdigos computacionais desenvolvidos neste trabalho utilizando as plataformas MathCADTM e MapleTM. As modelagens e anlises numricas realizadas empregam os mtodos de Euler-Heun e Runge-Kutta de segunda e quarta ordens. Estes mtodos e os programas computacionais desenvolvidos mostraramse eficientes e confiveis, pois, as solues numricas encontradas foram testadas e comparadas com sucesso com solues analticas para os casos possveis. Apesar de termos tratados de poucos sistemas de vcuo, as ferramentas e metodologias desenvolvidas so de larga aplicao em tecnologia do vcuo e so facilmente estendveis a outros casos. Prosseguindo, modelamos sistemas de alto-vcuo tanto unidimensionais como sistemas de alto-vcuo bidimensionais por meio da abordagem contnua. Consideramos nas modelagens fontes de gases transientes e estacionrias, obtendo os seus respectivos campos de presso transientes e estacionrios, e ainda, os seus gradientes tanto por procedimentos analticos como numricos. No caso dos sistemas de alto-vcuo bidimensionais modelados, as suas solues numricas foram obtidas pelo mtodo dos elementos finitos. Um aspecto muito importante considerado neste trabalho foi o fato dos cdigos computacionais desenvolvidos e a sistemtica de trabalho serem abertos, permitindo aos usurios introduzir modificaes de forma clara. Assim, acreditamos que o propsito inicial apresentado contribuir anlise e modelagem detalhadas de sistemas de vcuo foi atingido, tanto por procedimentos analticos como numricos. Outro aspecto que cabe ser enfatizado refere-se ampla

92

e detalhada documentao com que os programas computacionais e o desenvolvimento terico foram construdos e implementados.

3.2 Modelagem Discreta de Sistemas de Vcuo.


Com o propsito de ilustrar e propor uma metodologia de trabalho para a modelagem e anlise de sistemas de vcuo por meio da formulao discreta, trataremos de dois casos bastante presentes nas aplicaes da tecnologia do vcuo. O desenho mostrado na Figura 3.1 apresenta as partes principais de um sistema de vcuo geral, a cmara de vcuo com as possveis fontes de gases e vapores, a linha de bombeamento e as bombas de vcuo. A clara identificao destas partes essencial e crucial para a modelagem de sistemas de vcuo com a abordagem discreta.

Vlvula de Vcuo QVR QIC QVap QBV QGP QPerm QFBV QDeg QSub

Bomba de Vcuo

QVV

Linha de Bombeamento

Cmara de Vcuo
Figura 3.1 Esquema de um sistema de vcuo. Na modelagem usando a formulao discreta, as partes essenciais so: a cmara de vcuo, a linha de bombeamento e as bombas de vcuo.

A Equao Fundamental para o Processo de Bombeamento em Vcuo EPBV dada pela equao diferencial mostrada a seguir, Expresso 1.1, com a condio inicial a ser imposta

VCV

dpCV (t ) dt p CV (t

S ef pCV (t )
i 1

Qi
. 1.1

0)
93

p0

O termo VCV

dpCV (t ) a variao do throughput na cmara de vcuo. Quando o volume e a dt

temperatura so constantes, este termo nos fornece a variao temporal da presso na cmara de vcuo. O termo S ef pCV (t ) est relacionado com o gs que escoa pela linha de bombeamento e igual ao throughput bombeado pelas bombas de vcuo. A velocidade efetiva de bombeamento dada por S ef

Sbv CTotal , mostrando explicitamente a sua dependncia com a condutncia da Sbv CTotal
n

linha de bombeamento e com a velocidade de bombeamento das bombas de vcuo. O termo


i 1

Qi

est relacionado com a quantidade de gs das fontes de gases e vapores e identificamos como sendo igual ao throughput dessas fontes gasosas que alimenta a cmara de vcuo. Assim, temos a estrutura matemtica do problema colocada e os seus termos identificados com as partes do sistema de vcuo. A equao diferencial EPBV est deduzida e discutida em detalhe no Apndice A. Prosseguindo com a modelagem, devemos identificar e quantificar as vrias fontes gasosas relevantes ao processo em vcuo. Mesmo no dispondo de dados precisos sobre as fontes de gases e vapores, podemos fazer inicialmente clculos preliminares no sentido de apontar direes a serem seguidas no projeto. Em seguida, especificamos bombas de vcuo e a linha de bombeamento, propondo valores inicialmente obtidos por meio de clculos simples. A partir de uma determinada quantidade total de gs envolvida no processo e com a presso final que pretendemos atingir, podemos encontrar a velocidade de bombeamento da bomba de vcuo. A partir deste valor podemos detalhar e aprofundar o modelo. Partindo da presso atmosfrica, tendo as dimenses das tubulaes, flanges, e outros componentes da linha de bombeamento podemos determinar o nmero de Knudsen Kn e assim calcular a condutncia total em funo do regime de escoamento dos gases e vapores. As curvas de velocidade de bombeamento das bombas de vcuo em funo da presso podem ser obtidas por meio das expresses no Apndice C. Desta forma, o sistema de vcuo em questo pode ser modelado e os resultados preliminares podem sugerir e indicar alteraes e aprimoramentos a serem feitos. O processo de modelagem sempre um processo iterativo, ou seja, dados obtidos alimentam a obteno de novos dados. A modelagem sempre uma idealizao da realidade, uma forma de montar o problema real em termos matemticos sustentado no conhecimento da fsica envolvida no sistema em estudo [19]. Detalhes sobre o comportamento de sistemas de vcuo em geral podem ser encontrados no Apndice D.

94

3.2.1 Sistema de Pr-Vcuo com Bomba Roots.


Muitos processos industriais ocorrem na faixa do vcuo grosseiro, presso entre a presso atmosfrica at 1 mbar, e pr-vcuo, presso de 1 mbar at 10-3 mbar. As aplicaes cobrem a indstria alimentcia, passando pela indstria farmacutica, de secagem, de impregnao, tratamento de leos isolantes eltricos para transformadores e ampolas de raios-X, e outras. Os sistemas de vcuo, que operam desde a presso atmosfrica at presses da ordem de 10-3 mbar, tm em geral algumas das seguintes caractersticas: Cmaras de vcuo com grandes dimenses. Grandes quantidades de gases e vapores, ou seja, grandes throughputs a serem bombeados. Presena de grandes quantidades de vapores. Atmosfera com poeira e particulados. Vapores corrosivos e agressivos. Busca de reduo de tempo de processo. Processos que exigem grande higiene e atmosferas inertes. Muitas das caractersticas apontadas acima podem levar a instalao de acessrios e sistemas de proteo s bombas de vcuo, ao processo em vcuo e ao ambiente externo. Estes componentes auxiliares de proteo devem fazer parte da modelagem do sistema de vcuo, podendo interferir de forma marcante e at decisiva no valor da condutncia e assim, no valor da velocidade efetiva de bombeamento. A Figura 3.2 mostra esquematicamente um sistema de pr-vcuo com bomba roots tendo em seu flange de exausto conectada uma bomba mecnica de palhetas. A modelagem deste sistema de vcuo ser realizada por meio da soluo da equao diferencial EPBV, para isto devemos especificar a bomba de vcuo roots, determinando a sua velocidade de bombeamento e por meio da escolha de parmetros construir a expresso matemtica da sua curva de velocidade de bombeamento em funo da presso, conforme a Expresso 3.1

S BR ( p)

S MX 1 a p final p

A
b c e f

3.1

p d p final

onde, - p a presso no flange de entrada da bomba de vcuo, - SMX a velocidade de bombeamento mxima, ou ainda, a velocidade nominal da bomba de vcuo, - pfinal a presso mnima que a bomba de vcuo atinge, e
95

- a, b, c, d, e, f e A so constantes que dependem de um particular modelo de bomba roots. Como sabemos a bomba roots somente funciona como bomba de vcuo desde que haja em seu flange de sada uma bomba de pr-vcuo com taxa de compresso suficiente para exaurir os gases contra a atmosfera. Podemos neste caso utilizar uma bomba mecnica de palhetas de dois estgios, ou mesmo de um estgio, desta forma poderemos atingir presses da ordem de 10-5 mbar. Vemos a seguir um esquema de um sistema de vcuo com bomba roots, com vlvula de arejamento instalada na cmara de vcuo. Dependendo do processo em vcuo deveremos arejar a cmara de vcuo com gs inerte.

Medidor de Vcuo

Vlvula para Arejamento AR

Cmara de Vcuo pCV = pCV ( t )

Vlvula de Pr-Vcuo

Bomba de Vcuo Roots

Gs de Purga AR

Bomba de Pr-Vcuo Mecnica de Palhetas

Figura 3.2 Sistemas de vcuo de mdio porte operando da presso atmosfrica at a presso final da ordem de 10-3 mbar. As bombas de vcuo utilizadas so a roots e a mecnica de palhetas.

96

Prosseguindo, a determinao das condutncias feita por meio de expresses considerando o gs N2 e temperatura de 296 K, conforme mostrada na modelagem realizada a seguir utilizando o cdigo numrico criado na plataforma MathCADTM. As expresses para calcular as condutncias dependem do regime de escoamento. Com a determinao do nmero de Knudsen podemos encontrar o regime de escoamento dos gases e vapores na linha de bombeamento. As expresses acima so para tubos cilndricos longos, tubo cujo comprimento 10 vezes ou maior que o seu dimetro. O clculo da condutncia em funo da presso feito automaticamente por meio de uma sentena condicional; sendo que o prprio cdigo computacional passa de uma expresso matemtica para outra dependendo do nmero de Knudsen. Assim, podemos utilizar o mtodo de Euler-Heun ou o mtodo de Runge-Kutta de quarta ordem para resolver numericamente a equao diferencial EPBV. No caso do mtodo de Euler-Heun ou do mtodo de Runge-Kutta de segunda ordem temos a Expresso 3.2

Pn

Pn

h 2

f (tn , Pn )

f tn 1 , ( Pn

h f (tn , Pn ))

3.2

com

f (t , P)

Q ( P, t ) VCV

S ef VCV

Sef

S BV CTotal . S BV CTotal

Sendo Q=Q(P,t) a funo que representa as fontes de gases e vapores. De posse da funo f=f(P,t) encontramos a curva da presso em funo do tempo na cmara de vcuo. Assim, podemos encontrar outras grandezas de interesse para o conhecimento do sistema de vcuo, por exemplo, a determinao do throughput de gs bombeado, neste caso Q Bombeado (t )

S ef ( p CV ) p CV (t ) .

Desta forma, o problema pode ser analisado e o seu sistema de bombeamento determinado. A escolha das bombas de vcuo na primeira modelagem pode ser feita por meio de clculos simples conforme discutidos no Captulo 1. Os Apndices A, C e D trazem em detalhe a teoria e estudos de casos de interesse. Assim, vamos a seguir modelagem de um sistema de vcuo utilizando bomba roots. Apresentamos todas as etapas dos clculos necessrios para analisar em detalhe o sistema de vcuo. A modelagem feita considerando bombas de vcuo existentes no mercado e adotamos os dados extrados de catlogo e tambm de sistemas de vcuo construdos e que esto em operao e alcanaram bom desempenho.

97

Sistema de Pr-Vcuo com Bomba Roots


Definio do intervalo das presses: w 1 14 cw 10
w 11

1 126

1 9

0 9 117

pa

ac
1 9

Dados referentes cmara de vcuo e tubulao da linha de bombeamento: Volume de cmara de vcuo: Dimetro da tubulao: Vcv dia 6000 10 cm litros

Comprimento da tubulao, curvas e outros componentes da linha de bombeamento: ltub 1000 cm

Critrio de Knudsen para a determinao do regime de escoamento dos gases. 6.7 10


z 3

pz

Knz

Nmero de Knudsen

dia

Adotamos o gs nitrognio - 28 uma - a temperatura ambiente - 296 K. As condutncias da tubulao esto calculadas abaixo, nos regimes de escoamento viscoso turbulento, viscoso laminar, intermedirio e molecular. Para os regimes de escoamento viscoso laminar e viscoso turbulento fizemos simplificaes a fim de modelar o problema por meio da abordagem discreta. Calculamos por meio dos comandos condicionais definidos abaixo. A presso crtica determinada com o conhecimento do throughput bombeando. O procedimento de encontrar a presso cujo escoamento de gs passa de viscoso laminar para viscoso turbulento para viscoso fundamental para o clculo da condutncia. pcr 60 mbar Ctuboz 12.1 dia
3

dia

ltub

if Knz

1 1 192 dia pz 237 dia pz

difp

0.1 mbar

ltub

136.5 dia pz 0.01

12.1

if 1

Knz

0.01

if Knz

dia 134 dia dia


4

2 pz

ltub difp pz if pz

if pz

pcr

135

ltub

pcr

Para efeito de comparao vamos utilizar a sequncia de clculo para as condutncias em funo da presso, sendo considerados os regimes de escoamento viscoso laminar, intermedirio e molecular.

Cz

if

dia
6.7 10 pz
3

100 136

dia

ltub

pz

12.1

dia

ltub

0.0736

dia
6.7 10 pz
3

A curva seguinte da condutncia em funo da presso, sendo considerados os regimes de escoamento viscoso laminar, intermedirio e molecular.
1 10
7

1 10

1 10

Condutncia (l/s)

Ctuboz1 10 Cz 1 10

100

10

1 5 1 10

1 10

1 10

0.01

0.1 pz

10

100

1 10

presso (mbar)
Velocidade de bombeamento da bomba roots, modelo EH500A/E2M80 da Edwards. Dados obtidos no catlogo da empresa. Smx 133 litros/segundo 1 2 10 pz
3 2 6

SBR z

Smx 1

1 pz 1000 2 10
3 1 0.15

O critrio para a deciso de clculo da condutncia do regime de escoamento viscoso turbulento para o regime de escoamento viscoso laminar mostrado a seguir.

Qz
1 10
5

SBR z pz

Qcr

490 dia

Qcr

4.9

10

mbar . litros / segundo

1 10

Condutncia (l / s)

1 10 Qz

100 Qcr 10

0.1 4 1 10

1 10

0.01

0.1 pz

10

100

1 10

presso (mbar)
Velocidade de bombeamento da bomba roots, modelo EH500A/E2M80 da Edwards. Dados obtidos no catlogo da empresa. Smx 133 litros/segundo 1 3 10 pz
5 0.9 5

SBR z

Smx 1

1 pz 1000 3 10
3 1 0.27

Est sendo considerado um sistema de pr-vcuo tpico para o bombeamento de grandes quantidades de gases ou vapores. Por exemplo, bombeamento na sada de bombas difusoras de grande porte, na indstria de empacotamento a vcuo, tratamento de leo de transformadores e muitos exemplos. Cabe notar que fontes de gases ou vapores adicionais no sistema de vcuo podem ser introduzidas na modelagem. No caso do bombeamento de grandes quantidades de vapor, por exemplo, nos processos de secagem, deveremos inserir no circuito de vcuo um condensador antes da bomba roots e devemos tambm inserir outro condensador antes da bomba mecnica. A instalao dos condensadores deve-se a dois motivos: o primeiro que o condensador uma eficiente bomba de vcuo para vapores e o segundo motivo que eles protegem as bombas roots e principalmente a bomba mecnica. A velocidade efetiva de bombeamento pode ser determinada pela expresso (1/Sef) = (1/Sb) + (1/Ctotal). Ctuboz SBR z Ctuboz SBR z

SEFEz

200

Cond.,Vel.Bob., Vel.Efet.Bomb. [l/s]

150 Cz SBR z 100 SEFEz 50

1 10

1 10

1 10

0.01

0.1 pz

10

100

1 10

presso (mbar) Condutncia Vel.Bomb.Roots. Vel.Efet.Bombeamento.


A equao fundamental para o processo de bombeamento escrita como

Vcv.dpcv(t)/dt = - Sef.pcv(t) + Qvv + Qvr + Qdeg = Qvap + ....

No nosso caso consideraremos um valor de Qfinal representando todas as fontes de gases e vapores que determinam o valor de presso final. Determinao da presso em funo do tempo na cmara de vcuo. N 10000 tf N t0 1 h 0.1499850015 n 0 N tn 1 tn h t0 0 (instante inicial) tf 1500 (instante final) P0 1000 (presso atmosfrica)

Mtodo Numrico de Euler-Heun ou mtodo de Runge-Kutta de segunda ordem usado para a obteno da soluo da equao diferencial para o processo de bombeamento. Com o propsito de aumentarmos a confiana nas solues numricas, construmos um programa com o mtodo de Runge-Kutta de quarta ordem, utilizado mais frente. No cculo abaixo estamos considerando a bomba de vcuo ligada diretamente na cmara de vcuo, ou em outros termos, condutncia muito grande. Vemos que poderemos introduzir outras fontes de gases e vapores no primeiro termo da funo mostrada abaixo.

Smx 1

1 3 10 P Vcv
5 0.9 5

1 P 1000 3 10
3 1 0.27

f ( t P)

9.0 10 Vcv

Observao: 0,9 mbar.l/s o throughput final arbitrariamente imposto. Smx 1 1 3 10 PP Vcv P0 1000
5 0.9 5

1 PP 1000 3 10
3 1 0.27

g ( t PP)

9 10 Vcv

PP

PP0 PPn 1

1000 PPn

mbar (presso atmosfrica) h 2 g tn PPn g tn 1 PPn

mbar (presso atmosfrica)

h g tn PPn

Mtodo de Euler-Heun para a determinao numrica da presso na cmara de vcuo em funo do tempo. Pn 1 Pn 1 6 h f tn Pn 2 h f tn h f tn 2 h f tn h 2 Pn 1 2 h 2 Pn 1 2 h 2 1 2 h f tn Pn Pn 1 2 h f t n Pn h 2 Pn 1 2 h f tn Pn

h f tn h 2 Pn

h Pn

h f tn

h f tn

Temos a seguir o grfico da presso na cmara de vcuo em funo do tempo.


1 10
3

Presso na Cm.Vc.(mbar)

100 10 Pn 1 PPn 0.1 0.01 1 10


3

200

400

600 tn

800

1000

1200

1400

tempo (s)

O throughput bombeado em funo da presso e do tempo pode ser determinado como segue. Esta informao pode ser importante no sentido de de ser um dado manuteno preventiva e preditiva. Qn Smx 1 1 3 10 Pn
5 0.9 5

1 Pn 1000 3 10
3 1 0.27

Pn

1 10 1 10 1 10 Qn

Throughput (mbar.l/s)

100 10 1 0.1 3 1 10
3

0.01

0.1

1 Pn

10

100

1 10

Presso (mbar)

1 10

1 10

Throughput (mbar.l/s)

1 10

Qn

100

10

0.1 0.1

10 tn

100

1 10

1 10

Tempo (s)

PI0

1000 mbar

(presso atmosfrica)

No clculo a seguir estamos considerando o efeito da condutncia da tubulao no processo de bombeamento.


4 3

A ( PI)

if

dia
6.7 10 PI
3

100 136

dia

ltub

PI

12.1

dia

ltub

0.0736

dia
6.7 10 PI
3

Smx 1 Smx 1

1 3 10 PI 1 3 10 PI
5 0.9 5 5 0.9 5

1 PI 1000 3 10 1 PI 1000 3 10 Vcv


3 1 0.27 3 1 0.27

A ( PI)

PI A ( PI)

fI ( t PI)

9 10 Vcv

Observao:Novamente estamos considerando 0,9 mbar.l/s como sendo o throughput final (arbitrariamente imposto). PIn 1 PIn h 2 fI tn PIn fI tn 1 PIn h fI tn PIn

A curva da presso na cmara de vcuo em funo do tempo mostrada a seguir. Foram considerados o bombeamento com condutncia finita e com condutncia muito grande (infinita).
1 10
3

100

Presso (mbar)

10 Pn 1 PI n 0.1 0.01 1 10
3

200

400

600 tn

800

1000

1200

1400

tempo (s) Considerando a condutncia muito grande do tubo. Considerando a condutncia finita do tubo.

Vemos claramente o efeito da condutncia no valor da velocidade efetiva de bombeamento. H dois fatos decorrentes da introduo da tubulao no circuito de vcuo que chamam a ateno e cabe discut-los. Um deles o aumento do tempo para se atingir um valor de presso na cmara de vcuo quando se considera o efeito da condutncia do tubo. O aumento da presso final na cmara de vcuo devido a condutncia do tubo. Devemos tambm notar que para o incio do processo de bombeamento, quando presso est prxima da presso atmosfrica, o efeito da condutncia quase imperceptvel, uma vez que a condutncia no regime de escoamento viscoso turbulento e tambm a condutncia no regime de escoamento viscoso laminar muito grande. Qualquer fonte de gas ou vapor, em princpio, pode ser considerada no problema. Deveremos especific-la e por meio de sua expresso matemtica us-la na expresso do clculo numrico da presso com o tempo.

Comparao entre a Soluo Analtica e as Solues Numricas Mtodo de Euler-Heun e Mtodo Runge-Kutta de Quarta Ordem.
Sistema de Pr-Vcuo Operando da Presso Atmosfrica - 1000 mbar at 10 -2 mbar - Sistema de Vcuo de Pequeno Porte. -Definio da escala das presses. w 1 14 cw 10
w 11

z ac
1 9

1 126

1 9

0 9 117

pa

O volume da cmara de vcuo de 700 litros.

Vcv

700 litros

A expresso da velocidade de bombeamento, para a bomba mecnica adotada, dada a seguir. SBMmx 1.8 litros / segundo SBMz SBMmx

Assim, a velocidade de bombeamento adotada constante. A curva de velocidade de bombeamento em funo da presso da bomba mecnica mostrada abaixo.
3

Veloc. Bomb. (l/s)

2 SBMz 1

0 3 1 10

0.01

0.1

1 pz

10

100

1 10

presso (mbar)

Determinaremos agora a evoluo da presso na cmara de vcuo em funo do tempo, tanto numericamente como analiticamente. N 100000 tf N t0 1 h 0.099999 n 0 N tn 1 tn h t0 0 tf 10000 P0 1000 mbar (presso atmosfrica)

Curva da presso na cmara de vcuo considerando a bomba de vcuo conectada diretamente bomba de vcuo, ou seja, condutncia muito grande compara a velocidade de bombeamento da bomba de vcuo. Mtodo de Runge-Kutta de Quarta Ordem SBM ( P) SBMmx 2 10 Vcv
2

P0

1000

mbar

Presso Atmosfrica

f ( t P)

SBMmx Vcv

Pn 1

Pn

1 6

h f tn Pn 2 h f tn h f tn

2 h f tn h 2 Pn 1 2

h 2

Pn

1 2 h 2

h f tn Pn Pn 1 2 1 2 h f t n Pn h 2 Pn 1 2 h f tn Pn

h f tn h 2 Pn

h Pn

h f tn

h f tn

Mtodo de Euler-Heun SBM ( PP) SBMmx 2 10 Vcv


2

PP0

1000

mbar (Presso Atmosfrica)

g ( t PP)

SBMmx Vcv

PP

PPn 1

PPn

h 2

g tn PPn

g tn 1

PPn

h g tn PPn

Mtodo de Euler-Heun para a determinao numrica da presso na cmara de vcuo em funo do tempo.

Mtodo Analtico A equao diferencial para o problema mostrada a seguir: Vcv.dp(t)/dt = -Sbm.p(t) + Q

A soluo analtica para o problema dada a seguir pela funo abaixo: SBMmx tn Vcv 2 10
2

Pteon

P0 exp

SBMmx

A figura abaixo mostra a evoluo temporal da presso na cmara de vcuo, estamos mostrando tanto a soluo analtica como as solues numricas. Estamos considerando a bomba de vcuo conectada diretamente cmara de vcuo.

1 10

Presso na Cmara de Vcuo (mbar)

100

10 Pn PPn Pteo n 0.1 1

0.01

1 10

2000

4000 tn

6000

8000

1 10

tempo (s) Soluo Numrica (Runge-Kutta Quarta Ordem). Soluo Numrica (Euler-Heun). Soluo Analtica.
O propsito deste clculo foi mostrar a preciso das solues obtidas numericamente por meio do mtodo de Euler-Heun e do mtodo de Runge-Kutta de quarta ordem. Vemos que no caso particular imposto de velocidade de bombeamento constante as trs solues obtidas, uma analtica e duas numricas, so suficientemente coincidentes. Do ponto de vista de clculo e modelagem visando projetos de sistemas de vcuo, as trs solues podem ser consideradas seguramente iguais entre si. A utilizao de um ou outro mtodo depender da equao diferencial. Para os casos em que as fontes de gases e vapores podem variar bruscamente com o tempo, ou seja, tenham caracter impulsivo, o mtodo de Runge-Kutta de quarta ordem deve ser preferido. De qualquer forma, acreditamos que eles devem ser utilizados em conjunto, no sentido de verificar os clculos. Conseguimos tambm encontrar a curva de bombeamento da cmara de vcuo em funo do tempo para o caso da utilizao de uma bomba roots. Neste caso obtivemos duas solues numricas e elas so coincidentes para os nossos propsitos. Desta forma acreditamos que o ferramental numrico atende a casos como o tratado nesta aplicao bastante presente em sistemas de vcuo utilizados na indstria.

3.2.2 Sistema de Alto-Vcuo com Bomba Difusora.


Existem inmeros processos que ocorrem na regio de alto-vcuo, cobrindo desde as aplicaes industriais at as atividades de pesquisa tanto bsica como aplicada. As mais significativas aplicaes industriais esto na fabricao de filmes finos, cinescpio, vlvulas eletrnicas, metalizao a vcuo e outras. H ainda equipamento que precisam de alto-vcuo para a sua operao, como exemplos temos o microscpios eletrnicos, tubos de raios-X, aceleradores de partculas e muitas outras. Os sistemas de alto-vcuo operam na faixa de 10-3 mbar at 10-7 mbar. Para presses menores temos a regio do ultra alto-vcuo, nesta regio de presso os procedimentos de trabalho so os mesmos que para o alto-vcuo, apenas deveremos observar as fontes de gases e vapores que tm importncia e so mais significativas nesta faixa de presso. Via de regra, as caractersticas mais importantes para os sistemas de alto-vcuo e de ultra alto-vcuo so: Cmaras de vcuo limpas. Pequenas, mdias ou grandes quantidades de gases e vapores devido degaseificao. Processos que temem contaminao de leos e gorduras. Grande durao no tempo de bombeamento Vapores corrosivos e agressivos. Dimenses da linha de bombeamento so determinantes para a velocidade efetiva de bombeamento. H aplicaes, cuja proteo da cmara de vcuo devido contaminao de origem nas bombas de alto-vcuo, que exigem a instalao de dispositivos com pequena condutncia comparada velocidade da bomba de alto-vcuo, trazendo assim uma diminuio significativa na velocidade efetiva de bombeamento. Certamente, estes componentes auxiliares de proteo devem fazer parte na modelagem do sistema de vcuo, uma vez que na regio de alto-vcuo as condutncias so em geral determinantes para o processo de bombeamento. No devemos perder de vista que no regime de escoamento molecular o processo de bombeamento sempre o mais difcil, isto se traduz com valores de condutncia que restringem o efetivo bombeamento. A Figura 3.3 mostra esquematicamente um sistema de alto-vcuo operando com bomba difusora, tambm conhecida como bomba de difuso. A modelagem deste sistema de vcuo ser realizada por meio da equao diferencial EPBV conforme mostrada a seguir, e ainda obedecendo a condio inicial

VCV

dpCV (t ) dt

S ef p CV (t )
i 1

Qi

p CV (t

0)

p0 ,

108

assim, devemos especificar a bomba de alto-vcuo, para determinar a expresso matemtica da sua velocidade de bombeamento em funo da presso, por meio da escolha dos parmetros nas seguintes expresses matemticas obtidas no Apndice C. A expresso matemtica para a construo da curva de velocidade de bombeamento em funo da presso, para as bombas mecnica de palhetas, est mostrada a seguir na Expresso 3.3

S BM ( p )

S MX 1

A a p final p
b c

1 1

B
e

3.3

p d p final

onde, - p a presso no flange de entrada da bomba de vcuo, - SMX a velocidade de bombeamento mxima, ou ainda, a velocidade nominal da bomba de vcuo, - pfinal a presso mnima que a bomba de vcuo atinge, e - a, b, c, d,e, A e B so constantes que dependem de um particular modelo de bomba mecnica de palhetas. A expresso matemtica bsica para expressar a curva de velocidade de bombeamento para as bombas de alto-vcuo do tipo de difuso mostrada a seguir na Expresso 3.4

S BD ( p )

S MX 1

1 p a pinicial
b c

3.4

onde: - p a presso no flange de entrada da bomba de vcuo, - SMX a velocidade de bombeamento mxima, ou ainda, velocidade nominal da bomba de vcuo, - pinicial a presso que a bomba de vcuo inicia sua operao, - a, b e c so constantes que dependem de um particular tipo e modelo das bombas de vcuo. Prosseguindo, a determinao das condutncias feita por meio das expresses mostradas no prprio cdigo numrico, tambm feito neste caso, utilizando a plataforma MathCADTM. As expresses acima so para tubos cilndricos, mas isto no essncia, podemos introduzir novas expresses para as condutncias.
109

Vlvula para Arejamento AR Medidor de Vcuo Vlvula Dosadora e Controladora de Gs Medidores Combinados de PrVcuo e de Alto-Vcuo

QIC
Reservatrio de Gs Presso P0

Cmara de Vcuo pCV = pCV ( t )

Bomba de PrVcuo com Filtro

Bomba de Alto-Vcuo de Difuso com Armadilha Gelada Interna

Vlvula de Alto-Vcuo

Vlvula de Pr-Vcuo

Bomba de Pr-Vcuo Mecnica com Filtro

Gs de Purga AR

Figura 3.3 Sistemas de alto-vcuo com bomba difusora com armadilha gelada embutida.

Neste sistema de alto-vcuo temos uma bomba mecnica de duplo estgio exclusiva para o pr-vcuo. Assim, devemos adotar no clculo do pr-vcuo as dimenses da tubulao pertinente,

110

alm de filtros e outros acessrios nesta linha de bombeamento. Para o alto-vcuo h tubulao com acessrios prprios e a respectiva bomba de alto-vcuo. Na modelagem dos sistemas de altovcuo deveremos considerar a taxa de degaseificao, uma vez que esta fonte de gs est sempre presente e na maioria dos sistemas de alto-vcuo e ultra alto-vcuo a presso final determinada por ela. Adotamos nesta modelagem a dependncia da degaseificao conforme estudado no Captulo 2. Adotaremos dois resultados bem estabelecidos para a dependncia temporal da degaseificao. Nas primeiras 10 horas o throughput devido degaseificao das superfcies
a metlicas varia segundo a expresso qDeg (t ) a q0

1 , onde q0 a taxa de degaseificao no incio t


b q0 exp

do processo de bombeamento e t o tempo dado em horas. Prosseguindo, o throughput de


b degaseificao ter a dependncia temporal qDeg (t )

t tc , onde

depende da

superfcie do material em vcuo. Para haver continuidade quando passarmos da primeira funo
b para a segunda funo, devemos ter q0 a qDeg (tc ) , onde tc igual a dez horas. Com o propsito

de diminuir a presso final dos sistemas de alto-vcuo e ultra alto-vcuo vrios processos de condicionamento foram desenvolvidos. Assim, com os dados obtidos, podemos aplicar o mtodo de Euler-Heun ou tambm o mtodo de Runge-Kutta de segunda ordem, desta forma, temos a seguinte Expresso 3.5

Pn

Pn

h 2

f (tn , Pn )

f tn 1 , ( Pn

h f (tn , Pn )) ,

3.5

sendo que,

f (t , P)

QDeg (t ) VCV

Sef VCV

Sef

S BV CTotal . S BV CTotal

Ainda Q=QDeg(t) a funo que representa a fonte de gs devido degaseificao. A


curva da presso na cmara de vcuo em funo do tempo determinada em duas etapas, o bombeamento no regime viscoso laminar e nos regimes intermedirio e molecular. Aps um intervalo de tempo fazemos introduzir na cmara de vcuo certa quantidade de gs, de forma controlada. Este procedimento chamamos de injeo controlada de gs. Este tipo de fonte de gs ou vapor bastante utilizado em diversos processos industriais.

111

Sistema de Alto-Vcuo com Bomba Difusora


Definio do intervalo das presses para o clculo numrico: w 1 14 cw 10 pa
w 11

1 126

1 9

0 9 117

ac
1 9

Grandezas necessria modelagem do sistema de alto-vcuo: Volume de cmara de vcuo: Vcv 600 Acv qesp
4

litros 4.5 m2 2.4 10 Q0


8

rea da cmara de vcuo e outros internos: Taxa de degaseficao especfica em t=0: Degaseificao Total em t=0: Dimetro do tubo: dpv 4 Q0 cm

mbar.l/s.cm2 10
3

qesp 10 Acv

1.08

mbar.l/s

para o pr-vcuo Comprimento do tubo: lpv 120 cm

Dimetro da tubulao:

dav

14 cm para o alto-vcuo

Comprimento da tubulao:

lav

90

cm

Critrio de Knudsen para a determinao do regime de escoamento dos gases.


3

6.7 10
z

pz

Adotamos como o gs de trabalho nitrognio 28 uma a temperatura ambiente 296 Kelvin. Nmero de Knudsen

Knz

dav

Para o pr-vcuo temos a bomba mecnica de palhetas de 2 estgios tipo TrivacD65G da Leybold-Vacuum. SBMmx SBMz 18 SBMmx 1 l/s 1 2 10 pz
4 0.95 5

Velocidade de Bombeamento Nominal 1 1 1 pz 0.38 1 10


4 0.67

100 Velocidade de Bombeamento (l/s)

10 SBMz 1

0.1 4 1 10

1 10

0.01

0.1 pz

10

100

1 10

presso (mbar)

Para o alto-vcuo temos a bomba difusora tipo M4 da Varian com Armadilha Gelada do tipo 362-4 Cryotrap da Varian. SBDmx 480 l / s SBDz SBDmx 1 1 pz 1.1 10
600 Velocidade de Bombeamento (l/s) 2 3.6 0.85

400 SBDz 200

1 10

1 10

1 10

1 10

1 10 pz

1 10

0.01

0.1

presso (mbar)

Curvas de velocidade de bombeamento em funo da presso para a bomba de pr-vcuo e para a bomba de alto-vcuo (somente as bombas de vcuo conforme fornecidas as curvas pelos fabricantes). A velocidade de bombeamento nominal definida para as bombas de vcuo mecnica e difusora como sendo a mxima velocidade de bombeamento em suas respectivas faixas de operao. A determinao experimental feita considerando uma geometria padro para a cmara de vcuo a ser acoplada bomba de vcuo.

1 10

Velocidade de Bombeamento (l/s)

100

SBDz 10 SBMz

0.1 8 7 6 5 4 3 1 10 1 10 1 10 1 10 1 10 1 10 0.01 pz presso (mbar)

0.1

10

100 1 10

Clculo da velocidade efetiva de bombeamento. So consideradas as condutncias nos regimes de escoamento viscoso laminar, intermedirio e molecular. Automaticamente feito o clculo do nmero de Knudsen e determinado o regime de escoamento com o uso da expresso de condutncia adequada ao regime de escoamento.
4 3

Az

if

dpv
6.7 10 pz
3

100 136

dpv

lpv

pz

12.1

dpv

lpv

0.0736

dpv
6.7 10 pz
3

O clculo abaixo determina a velocidade efetiva de bombeamento para o pr-vcuo. Consideramos a curva de velocidade de bombeamento da bomba mecnica de palhetas e as condutncias da tubulao de pre-vcuo.

SBMmx 1 Sbm z SBMmx 1

1 2 10 pz 1 2 10 pz
4 0.95 5 4 0.95 5

1 1

1 pz 0.38 1 10
4 0.67

Az

1 1

1 pz 0.38 1 10
4 0.67

Az

O clculo abaixo determina a velocidade efetiva de bombeamento para o alto-vcuo. Consideramos a curva de velocidade de bombeamento da bomba de difuso e as condutncias da tubulao de alto -vcuo.
4 3

Bz

if

dav
6.7 10 pz
3

100 136

dav

lav

pz

12.1

dav

lav

0.0736

dav
6.7 10 pz
3

SBDmx 1 Sbd z SBDmx 1

1 pz 1.1 10 1 pz 1.1 10
2 3.6 0.85 2 3.6 0.85

Bz

Bz

Curva da velocidade efetiva de bombeamento para toda a faixa de operao do sistema de vcuo (so levadas em considerao filtros, anteparos, armadilhas geladas e tubulaes, etc). O sistema de vcuo exige proteo da cmara de vcuo ao fazer o pr-vcuo, desta forma instalaremos um filtro, verifica-se que ele diminui muito a velocidade efetiva de bombeamento da bomba de pr-vcuo, exclusiva para esta finalidade junto cmara de vcuo. Podemos avaliar a condutncia do filtro e calcular a velocidade efetiva de bombeamento logo na entrada do filtro, desta forma consideramos 0,45.Sbm.

1 10 Velocidade de Bombeamento (l/s)

100 0.45 Sbm z Sbdz 10

1 8 7 6 5 4 3 1 10 1 10 1 10 1 10 1 10 1 10 0.01 pz presso (mbar) Bomba Mecnica (com cond.) Bomba Difusora (com cond.)

0.1

10

100 1 10

A expresso numrica para a velocidade efetiva de bombeamento, para toda faixa de operao do sistema de vcuo, ser definida a seguir. Valor da presso na passagem da bomba mecnica para a bomba difusora. PnCO 4 10
3

mbar

Ssvz

if pz

PnCO 0.45 Sbmz Sbd z

1 10 Velocidades de Bombeamento (l/s)

0.45 Sbm z 100 Sbdz Ssv z 10

1 8 7 6 5 4 3 1 10 1 10 1 10 1 10 1 10 1 10 pz

0.01

0.1

10

100 1 10

presso (mbar) Bomba Mecnica (com condut.) Bomba Difusora (com antep., arm.gel. e condut.) Veloc. Efet. de Bombeamento.

O grfico para a condutncia da tubulao de pr-vcuo mostrado abaixo.

Cpvz

if

dpv
6.7 10 pz
3

100 136

dpv

lpv

pz

12.1

dpv

lpv

0.0736

dpv
6.7 10 pz
3

1 10 Condut. pr-vcuo (l/s) 1 10 1 10 Cpv z 1 10

6 5 4 3

100 10 1 0.1 3 1 10 0.01 0.1 1 pz presso (mbar) 10 100 1 10


3

O grfico para a condutncia da tubulao de alto-vcuo mostrado abaixo.

Cavz

if

dav
6.7 10 pz
3

100 136

dav

lav

pz

12.1

dav

lav

0.0736

dav
6.7 10 pz
3

1 10 Condut. alto-vcuo (l/s)

Cav z 1 103

100 8 1 10

1 10

1 10

1 10

1 10 pz

1 10

0.01

0.1

presso (mbar)

Estamos definindo abaixo a malha para a discretizao no tempo. N tf N 45000 t0 1 h 0.8888691362 tn 1 tn h h1 h n 0 N t0 0 tf 40000 P0 1000

Para o cculo da variao da presso no tempo, precisamos conhecer a velocidade efetiva de bombeamento: (1/Sefe)=(1/Sb) + (1/Ctotal). Esta expresso geral, independe do regime de escoamento. Temos a seguir a construo do comando condicional para o clculo das condutncias no tubo de dimetro dpv. Veja que temos uma linha de pr-vcuo exclusiva com a prpria bomba mecnica de duplo estgio. O processo em vcuo exige que o pr-vcuo seja feito dentro do regime de escoamento viscoso laminar, impondo assim restrio abertura da vlvula de pr-vcuo. Existem processos em vcuo que temos partes delicadas que podem se romper devido ao regime de escoamento viscoso turbulento. Assim, usaremos a expresso exclusiva para o clculo da condutncia no regime viscoso laminar.

A ( P)

if

dpv
6.7 10 P
3

100 136

dpv

lpv

12.1

dpv

lpv

0.0736

dpv
6.7 10 P
3

O clculo da velocidade efetiva de bombeamento em pr-vcuo mostrado a seguir. 1 2 10 P 1 2 10 P


4 0.95 5 4 0.95 5

SBMmx 1 Sbm ( P) SBMmx 1

1 1

1 P 0.38 1 10
4 0.67

A ( P)

1 1

1 P 0.38 1 10
4 0.67

A ( P)

Temos a seguir a construo do comando condicional para o clculo das condutncias no tubo de dimetro dav.Neste caso a tarefa mais importante o bombeamento em alto-vcuo.
4 3

B ( P)

if

dav
6.7 10 P
3

100 136

dav

lav

12.1

dav

lav

0.0736

dav
6.7 10 P
3

O clculo da velocidade efetiva de bombeamento em alto-vcuo mostrado a seguir. SBDmx 1 Sbd ( P) SBDmx 1 P 2.0 10
2

1 P 2.0 10 1
3.6 0.85 2 3.6 0.85

B ( P)

B ( P)

OBS. Os valores de Sbm(P) e Sbd(P) so as velocidades efetivas de bombeamento. A seguir ns introduziremos a modelagem relativa a taxa de degaseificao natural das paredes expostas ao vcuo. Esta modelagem ser feita em detalhe, observando os fatos experimentais consagrados para as superfcies metlicas. Para outros tipos de superfcies deveremos considerar a potncia na lei de decaimento da taxa de degaseificao no tempo. Vamos considerar o modelo aceito para a taxa de degaseificao de metais. Para as primeiras horas (aprox. 10 horas) a lei de 1/t em seguida exp(-cte.t).

Qd1n

Q0

3600 3600
9

tn

Qd136000

1.0921566468

10

mbar.l/segundo

1 10

Qd2n

Qd136000 exp

36000

tn

QdT n

36000

tn

Qd1n

36000

tn Qd2n

O grfico a seguir mostra a degaseificao em funo do tempo, tanto para a parte da curva proporcional a 1/t assim como a parte da curva proporcional a exp(-const.t).
0.01

Taxa de Degaseificao (mbar.l/s)

1 10

QdT n
4

1 10

1 10

0.1

10

100 tn tempo (s)

1 10

1 10

1 10

Equao diferencial para o processo de bombeamento. Vcv.dpcv(t)/dt = - Sef.pcv(t) + Qdeg + Qvaz + Qevap + ....= - Sef.pcv(t) + Qdeg Degas ( t) (1 ( 36000 t) ) Q0 4 10 3600 3600
2

( 36000

t) Qd136000 exp [ Degas ( t) Vcv

( 36000

t) ]

f ( t P)

if P

Sbm ( P) Sbd ( P) Vcv

Pn 1

Pn

h 2

f t n Pn

f tn 1

Pn

h f t n Pn

Mtodo de Euler-Heun ou mtodo de Runge-Kutta de segunda ordem.

NOTA: Como critrio de passo no tempo, isto , t, consideramos vrios valores norteados pela experincia do autor. Se adotarmos um valor de intervalo muito grande, teremos imprecises no clculo da curva de presso. Agora, se adotarmos um valor de intervalo de tempo muito pequeno, teremos um aumento no tempo de processamento do clculo da curva de presso. Embasado em nossa experincia e comparando resultados obtidos, poderemos propor intervalos de tempo aceitveis considerando o tempo de clculo e a preciso necessria. Temos a seguir o grfico da presso na cmara de vcuo em funo do tempo.

1 10

100 Presso na Cmara de Vcuo (mbar) 10 1 0.1 Pn 0.01 1 10 1 10 1 10 1 10 1 10


3 4 5 6 7

1000

2000 tn tempo (s)

3000

4000

5000

Podemos ver na curva mostrada abaixo o detalhe de bombeamento em pr-vcuo (com a bomba mecnica de palhetas exclusiva ). Ele ocorre desde o instante zero at aproximadamente 400 segundos. Em seguida temos a passagem da bomba de pr-vcuo para a bomba de alto-vcuo. Vemos neste caso a variao bastante abrupta de presso, isto se deve ao fato de termos uma variao bastante grande na velocidade de bombeamento, no caso aumento dela. Vemos uma variao grande entre a velocidade de bombeamento da bomba mecnica e a bomba difusora.

Explicando mais detalhadamente a queda abrupta de presso!

Observao: A queda abrupta da presso, quando passamos da bomba de pr-vacuo (bomba mecnica de palhetas) para a bomba de alto-vcuo (bomba difusora) pode ser explicada facilmente da seguinte forma:Inicialmente, temos considerar o efeito da condutncia. A velocidade efetiva de bombeamento junto a bomba mecnica tem a tendncia de diminuio, enquanto a da bomba difusora tm a tendncia de aumento na sua velocidade de bombeamento. Vemos este fato no grfico da velocidade efetiva de bombeamento em funo da presso.Assim, quando comutamos da primeira para a segunda bomba de vcuo, a cmara de vcuo fica sujeita a um bombeamento muito mais intenso, desta forma temos uma variao (queda) muito grande de presso.

Em detalhe vemos a variao abrupta da presso na cmara de vcuo na fase do bombeamento em pr-vcuo na figura abaixo.

1 10

100 10 1 0.1 Pn 0.01 1 10 1 10 1 10 1 10 1 10


3 4 5 6 7

Presso na Cmara de Vcuo (mbar)

100

200 tn tempo (s)

300

400

500

Podemos agora considerar uma fonte de gs adicional (ou mais), ou tambm aquecer a cmara de vcuo. Neste caso podemos modelar o problema considerando um gs de processo sendo injetado na cmara de vcuo, no caso usamos a funo degrau. O ponto de partida da modelagem pela abordagem discreta, por meio de um procedimento determinstico feito utilizando a equao diferencial a seguir mostrada. Vcv.dpcv(t)/dt = - Sef.pcv(t) + Qdeg + Qvaz + Qevap + ....= - Sef.pcv(t) + Qdeg A construo matemtica do pulso de gs feita com as funes seguintes - Funo degrau de Heaviside. F1 ( t)
2 Funo Injeo

( 19000

t)

F2 ( t)

( 25000

t)

F ( t)

F1 ( t)

F2 ( t)

F( t) 0

0.1

10

100 t tempo (s)

1 10

1 10

1 10

Qdaq ( t)

12 Q0 F ( t)

A intensidade do pulso dada pela funo acima mostrada. Temos muita facilidade em impor fontes de gses do tipo impulsivo. As aplicaes em tecnologia do vcuo cada vez mais exigem injees controladas de gases e vapores de processo. Assim, podemos em nossas modelagens considerar com preciso a introduo de gases e vapores e calculoar a evoluo da presso no tempo.

f ( t P)

if P

4 10

Sbm ( P) Sbd ( P) Vcv 3600 3600

P ( 36000 Vcv t) Qd136000 exp [ ( 36000 t) ]

(1

( 36000

t) ) Q0

Qdaq ( t) Vcv Pn 1 Pn h 2 f t n Pn f tn 1 Pn h f t n Pn

Mtodo de Euler-Heun ou mtodo de Runge-Kutta de segunda ordem. O grfico abaixo mostra a variao da presso na cmara de vcuo com o tempo. Estamos considerando alm da degaseificao das paredes uma outra fonte de gs, por exemplo, uma injeo de gs de processo. Podemos em princpio, considerar qualquer outra fonte de gs ou vapor e inser-la na expresso acima e encontrar a funo pcv=pcv(t).
1 10
3

100 Presso na Cmara de Vcuo (mbar) 10 1 0.1 Pn 0.01 1 10 1 10 1 10 1 10 1 10


3 4 5 6 7

5000

1 10

1.5 10

2 10 tn

2.5 10

3 10

3.5 10

4 10

tempo (s)

Podemos calcular o throughput bombeado desde a presso atmosfrica at a presso final. Q1n Sbm Pn Pn Q2n Sbd Pn Pn Qn if tn 495 Q2n Q1n

Onde, no instante t=495 segundos ocorre a mudana da bomba mecnica para a bomba difusora. Este instante foi determinado a partir do grfico da presso na cmara de vcuo em funo do tempo.
1 10
4

1 10

100 Throughput Bombeado (mbar.l / s)

10

Qn

0.1

0.01

1 10

1 10

5000

1 10

1.5 10 tn

2 10

2.5 10

3 10

Tempo (s)

Desta forma, conseguimos modelar com bastante detalhe um sistama de alto-vcuo, introduzindo uma sries de caractersticas referentes ao processo de bombeamento, seja relativo as bombas de vcuo, tanto de pr-vcuo como a de alto-vcuo, tambm caractersticas referentes a linha de bombeamento. Finalizando esta anlise, podemos dizer que caso queiramos realizar uma nova anlise em um sistema de alto-vcuo, ou ainda, de ultra alto-vcuo, em linhas gerais todo o procedimento o mesmo realizado nesta anlise. Poderemos considerar outros tipos de bombas de vcuo e com outros valores de velocidade de bombeamento em funo da presso; neste caso, podemos considerar os resultados obtidos no Apndice C e adotar as expresses das curvas de velocidade de bombeamento em questo. Dependendo do sistema de vcuo, certamente teremos outras fontes de gases e vapores, neste caso teremos que escrever as funes relativas a elas. Assim, a estrutura numrica para a anlise detalhada de sistema de vcuo em geral est realizada.

Os sistemas de vcuo modelados neste trabalho, por meio da formulao discreta, encontram muitas aplicaes tanto no setor industrial como na pesquisa. Apesar de termos apresentado poucos exemplos, a plataforma de clculo numrico foi construda de forma a ter alcance suficiente para modelar vrios tipos de sistemas de vcuo. Ainda, a plataforma de clculo tem mostrado ser bastante verstil e sendo capaz de absorver melhorias e sofisticaes. Alm, das questes referentes aos aspectos computacionais para a obteno da soluo do problema proposto, temos as fontes de gases e vapores suficientemente descritas e algumas bastante detalhadas, de forma que possam ser utilizadas nas modelagens. A construo de um modelo em geral uma tarefa difcil e sabemos que muitas vezes h uma distncia enorme entre a realidade e a construo de uma representao matemtica sofisticada capaz de descrever vrios detalhes do sistema fsico em estudo. Outrossim, acreditamos que estamos diante de um ferramental suficientemente poderoso para a obteno de solues numricas para a modelagem de sistemas de vcuo de uso geral por meio da formulao discreta [7-11].

3.3 Modelagem Contnua de Sistemas de Vcuo.


O alto-vcuo est presente em muitos dispositivos e equipamentos com as mais variadas formas geomtricas. Inmeros sistemas de alto-vcuo de grande interesse apresentam geometria tubular, estes sistemas de vcuo tm aplicaes tanto na indstria como em pesquisa. Os dispositivos e equipamentos mais importantes so: aceleradores de partculas elementares, anis de armazenagem de feixe, estruturas para a coliso de feixes de partculas, dispositivos eltricos de potncia como as vlvulas klystron, fotomultiplicadoras, microscpios eletrnicos e espectrmetros de massa e muitos outros. Para que estes equipamentos tenham bom desempenho, eles devem operar em condies de alto-vcuo e alguns deles em condies de ultra alto-vcuo. Apesar de os dispositivos mencionados acima apresentarem detalhes construtivos que introduzem complicaes s suas superfcies expostas ao vcuo, podemos fazer aproximaes e em muitos casos modelar sistemas de alto-vcuo e ultra alto-vcuo considerando basicamente a geometria tubular. Por meio da formulao contnua, os sistemas de alto-vcuo com geometria em forma de tubo podem ser considerados problemas matemticos apresentando apenas uma dimenso espacial ou caso unidimensional [11-14]. Uma vez que temos disponvel a equao de difuso para o caso unidimensional, vamos aplic-la geometria tubular e estudar os caso em que as extremidades dos tubos so bombeadas com bombas de alto-vcuo e assim garantir que estamos operando no regime de escoamento molecular. Esta ltima exigncia fundamental para que possamos utilizar a equao de difuso. Uma discusso a respeito desta importante questo est feita no Apndice G. Um sistema de alto-vcuo em forma tubular est esquematizado na Figura 3.4.
124

Vlvula de Alto-Vcuo

Tubo com rea de Seo Transversal Constantecao

Sef

x -L/2 0 Bombas de Alto-Vcuo com Velocidade de Bombeamento Sbv


Figura 3.4 Estrutura geral de um sistema de alto-vcuo com geometria tubular.

Sbv

L/2

A equao de difuso unidimensional dependente do tempo dada pela expresso

p ( x, t ) x2

q ( x, t )

p ( x, t ) , t

onde c=C.L e A=V/L; quando o estado estacionrio for atingido, isto , a presso em cada ponto do sistema de vcuo no varia mais no tempo, temos a condio

p ( x, t ) t

0,

t , assim para os

instantes posteriores a t o sistema de vcuo pode ser modelado pela equao de difuso unidimensional estacionria dada pela expresso a seguir na Expresso 3.6

d 2 p( x) c dx 2

d 2 p ( x) dx 2

q . c

3.6

Os problemas matemticos do tipo tratados acima constituem os problemas de valores de contorno. As equaes diferenciais parciais de segunda ordem, do tipo da equao de difuso, precisam da especificao de duas condies de contorno e uma condio inicial para a obteno da soluo do problema fisicamente aceitvel. Adotaremos a direo definida pela reta x como sendo a orientao do sistema de vcuo tubular, com uma extremidade do tubo em x em x

e a outra extremidade

125

3.3.1 Tubo com Taxa de degaseificao constante.


Estudaremos o caso de um tubo com taxa de degaseificao constante, o campo de presso em estado estacionrio pode ser determinado pela mostrada anteriormente. Esquematicamente o sistema de alto-vcuo tubular mostrado na Figura 3.5.

Vlvula de Alto-Vcuo.

Tubo com taxa de degaseificao constante.

x -L/2 0 Bombas de Alto-Vcuo Velocidade de Bombeamento S.


Figura 3.5 Sistema de alto-vcuo como geometria tubular com taxa de degaseificao constante e bombas de vcuo iguais nas extremidades do tubo.

L/2

Para a obteno da soluo do problema estacionrio, deveremos impor as duas condies de contorno. Uma condio de contorno vem do fato do bombeamento nas extremidades do tubo garantir uma presso que pode ser determinada em funo da taxa de degaseificao total do tubo e a outra condio de contorno pode ser imposta devido simetria do problema, ou seja, no ponto mdio do tubo a presso mxima. Desta forma, matematicamente temos as duas condies de contorno dadas pelas expresses abaixo

p(

L ) 2

p(

L ) 2

QT 2 Sef

dp ( x) dx

0 .
x 0

Assim, encontramos a soluo da equao de difuso dada pela Expresso 3.7 mostrada a seguir

p( x)

q 2 x 2c

QT 2

1 Sef

L , 4c

3.7

126

onde, QT a taxa de degaseificao total do tubo dada por QT

q L e Sef a velocidade de

bombeamento em cada extremidade do tubo. A Expresso 3.6 mostra que o perfil de presso estacionrio de forma parablica. interessante e importante mencionar que muitos sistemas de alto-vcuo podem ser em primeira aproximao colocados na forma tubular, e assim, determinar caractersticas importantes deles. O Apndice D traz sistemas de vcuo tubulares estudados em detalhe. Ainda, na mesma linha de raciocnio, podemos fazer algumas variaes na configurao o sistema de vcuo tubular acima e obter solues de problemas de interesse, por exemplo, considerar uma das extremidades sem bombeamento, neste caso continuamos a ter o perfil parablico de presso, somente que o mximo de presso estar localizado na extremidade fechada, ou seja, sem bombeamento. Em muitos casos alm da determinao do campo de presso ao longo do tubo, queremos determinar a quantidade de gs que chega s extremidades do tubo, assim, quantidade de gs que bombeada pelas bombas de vcuo. Uma vez que em geral nas extremidades dos tubos temos o sistema de bombeamento de vcuo. Para isso, throughput em cada ponto do tubo pode ser determinado pela Expresso 3.8

Q( x)

dp ( x) . dx

3.8

Em particular, podemos aplicar a Expresso 3.8 nos pontos onde esto as bombas de vcuo. Este modelo simples pode ser aplicado, por exemplo, em uma linha de bombeamento, a fim de determinarmos a distncia que devem ficar as bombas de alto-vcuo a fim de que a presso na pior situao, ou seja, entre duas bombas de alto-vcuo consecutivas, fique abaixo de um valor estipulado a priori pelo projeto. Antes de mostrarmos o clculo do campo de presso ao longo do tubo, vemos que por meio da modelagem contnua podemos falar em presso no pondo mdio do tubo, na extremidade junto bomba de alto-vcuo, ou ainda, em qualquer outro ponto deste tubo. Vemos tambm que o sistema de vcuo tubular tem o seu comprimento bastante grande comparada ao seu dimetro de modo geral , desta forma esperamos grandes gradientes de presso. Sendo assim, a modelagem deste tipo de sistema de vcuo por meio da abordagem discreta muito limitada, ou sendo mais prudente, pode ser muito enganosa. Encontramos para os sistemas de vcuo tubulares grandes variaes de presso em seu comprimento. Veja o Apndice D para um estudo detalhado a esse respeito e a exposio de um critrio objetivo para decidir qual tipo de abordagem adotar na modelagem. A seguir mostraremos o clculo do caso estudado acima.

127

Campo de Presso em Tubo com Taxa de Degaseificao Constante.


Comprimento do tubo: Dimetro do tubo : D L 3 400 cm cm c 12 D
3

Condutncia especfica, c=C.L:

324

l.cm / s

Volume especfico ou Volume por unidade de comprimento, v=V/L: A D


2

10

A L

V L v 7.069 10

l / cm

Taxa de degaseificao por unidade de comprimento, qs=QTotal/L: qs 4.7 10


8

mbar.litro/(s.cm)

com,

QTotal=qe.(3,1416.D.L)

qe a taxa de degaseificao especfica do material.Foi adotado como material o ao inoxidvel 304 L. QTotal=qs.L qs L 1.88 10
5

mbar.litros/segundo

Velocidade de bombeamento nas extremidades do tubo: S 100 litros/segundo c v 4.584 10


4

Coeficiente de difuso:

l.cm / s / l 200 199.9 200cm

Definio da malha para as posices ao longo de todo o tubo. x

A soluo estacionria dada pela funo parablica, mostrada abaixo, devido a taxa de degaseificao constante ao longo do tubo: ps ( x ) qs 2 c x
2

qs L 2

L 4 c

1 S

A funo presso ao longo do tubo dada pela funo presso estacionria (perfil parablico).
1 10
5

Presso (mbar)

ps ( x)1 10

1 10

200

150

100

50

0 x

50

100

150

200

Posio do Tubo (cm)

Esta anlise est considerando o problema de escoamento de tomos e molculas ao longo do tubo no regime de escoamento molecular, como sendo um problema de difuso.

3.3.2 Tubo com Trechos de Diferentes Taxas de Degaseificao.


Trataremos a seguir da situao na qual o tubo apresenta partes com diferentes taxas de degaseificao especfica ou, colocado de outro modo, diferentes taxas de degaseificao por unidade de comprimento. Como exemplo, teremos o tubo dividido em trs partes, conforme esquematizado na Figura 3.6

Tubo com duas diferentes taxas de degaseificao. Vlvula de Alto-Vcuo q2 q2


S

q1

X Sbv

-L/2

-l/2

+l/2

x +L/2

Bombas de Alto-Vcuo Velocidade de Bombeamento Sbv

Figura 3.6 Estrutura geral de um sistema de alto-vcuo como geometria tubular apresentando taxas de degaseificao especficas diferentes tubo em trs partes.

Vemos que temos o tubo sendo formado por trs trechos, o trecho de taxa de degaseificao especfica q2 , o trecho especfica q1 e o trecho

L 2

l tem 2

l 2

l tem taxa de degaseificao 2

l 2

L tem taxa de degaseificao especfica q2. Devido simetria 2

do problema, poderemos encontrar a sua soluo para o intervalo positivo da reta x. Deveremos ter a presso mxima em x=0. Nos pontos de unio entre os trechos de diferentes tubos teremos a continuidade do throughput, isto , nos pontos x=-l/2 e x=+l/2. Assim, matematicamente temos a expresso seguinte expondo a continuidade do throughput nos pontos de unio dos trechos diferentes do tubo

129

Q1 (l / 2)

Q2 (l / 2)

dp1 ( x) dx

c
x l/2

dp2 ( x) dx

.
x l/2

Outra condio de contorno vem do estabelecimento da presso nas extremidades do tubo dada pela expresso

p(

L ) 2

p(

L ) 2

QT 2 S

1 S

q1

l 2

q2

L l 2

assim, uma vez considerando as condies de contorno e a equao de difuso em estado estacionrio, encontramos a soluo geral do problema apresentado dadas pelas expresses mostradas abaixo nas Expresses 3.9 e 3.10

p1 ( x)

q1 2 x 2c

q2 L2 l 2 8c

q2

q1 l 2 4c

lL

q1 l 2 8c

QT , 2 S

3.9

vlida para x pertencente ao intervalo 0

l ,e 2
q2 L2 8c

p2 ( x )

q2 2 x 2c

q2 2c

q1

l x

q2

q1 l L 4c

QT , 2 S

3.10

vlida para x pertencente ao intervalo

l 2

L . 2

Assim, encontramos o campo de presso ao longo do tubo dado pelas expresses mostradas acima. Vemos que temos continuidade no valor da presso e no throughput nos pontos que unem os trechos de diferentes taxas de degaseificao do tubo. Este modelo pode representar uma situao na qual uma tubulao construda em partes com materiais diferentes, ou ainda, um trecho da tubulao formado por um fole metlico sensvel, mais conhecido como bellows. A seguir mostramos em detalhe um caso numrico de estudo. Outro exemplo numrico de interesse pode ser encontrado no Apndice D. Este modelo, alm de sua aplicao junto ao projeto de sistemas de altovcuo, tem mostrado ser til para a compreenso doa sistemas de vcuo tubulares.

130

Campo de Presso em Tubo com Trechos com Diferentes Taxas de Degaseificao.


Comprimento do tubo: L 400 cm l cm c 12 D
3

Comprimento do trecho central: Dimetro do tubo : D 3

200 cm

Condutncia especfica, c=C.L:

Volume especfico ou Volume por unidade de comprimento, v=V/L: A D


2

10

A L litros

V L

l / cm

7.069

10

l / cm

Taxa de degaseificao por unidade de comprimento para cada trecho do tubo. Para o trecho central, isto , -l/2<=x<=+l/2, com l=200 cm. A taxa de degaseificao para este trecho q1=4.10^-6 mbar.litro/(s.cm). q1 4 10
6

mbar.litro/(segundo.cm)

Para os trechos externos, isto , -L/2<x<-l/2 e l/2<x<L/2. A taxa de degaseificao para este trecho q2=7.10^-7 mbar.litro/(s.cm). q2 7 10
7

mbar.litro/(segundo.cm)

As taxas de degaseificao especficas dos materiais adotados referem-se ao ao inoxidvel 304 L e o cobre. QTotal=q1.l+q2(L-l) QTotal QTotal q1 l 9.4 10 q2 ( L
4

mbar.litros/segundo l)

mbar.litro/segundo

A velocidade de bombeamento, em cada extremidades do tubo, dada a seguir. S 100 litros/segundo

Definio da malha para as posices ao longo de todo o tubo. Faremos uma malha para cada trecho do tubo, como mostrado abaixo. A soluo estacionria dada por funes de segundo grau (funo parablica), tanto para os trechos externos como para o trecho interno. As funes para o campo de presso ao longo do tubo so mostradas a seguir.Devido a simetria do problema, estudaremos o intervalo de 0<=x<=200 cm. Para o trecho de 0<=x<=100 cm, temos a soluo. x 0 0.1 200 cm

p1s( x )

q1 2 c

q2

( q2

q1)

l L

q1 l

QTotal 2 S

8 c

4 c

8 c

Para o trecho de 100<x<=200 cm, temos a soluo.


2

0 0.1 200 cm

p2s( x )

q2 2 c

( q2

q1) l 2 c

q2 L 8 c

( q2

q1) l L 4 c

QTotal 2 S

Seja a funo ps=ps(x) definida para o intervalo 0<=x<=200 cm. ps ( x ) 1 ( 100 x) p1s( x ) ( 100 x ) p2s( x )

Onde a funo

= (x) a funo degrau Heveaside.

O campo de presso ao longo do tubo dado pelas funes em cada trecho. As funes so de segundo grau (perfl parablico). O grfico est mostrado abaixo.
1 10
3

1 10

Presso (mbar)

p1s ( x) 1 10 p2s ( x)

1 10

1 10

50

100 x Posio do Tubo (cm)

150

200

Veja que no ponto x=100 cm temos a coinsidncia dos valores das funes definidas em cada trecho do tubo, com as respectivas taxas de degaseificao especfica por unidade de comprimento. Mas veja que tambm temos a coincidncia das derivadas da funo presso em relao a x. Fisicamente falando, temos a continuidade do throughput tambm neste ponto.

1 10

1 10 Presso (mbar)

ps ( x)

1 10

1 10

50

100 x Posio do Tubo (cm)

150

200

O grfico acima mostra o campo de presso ao longo do tubo. O throughput ao longo do tubo pode ser calculado da seguinte forma: qs1( x ) c d p1s( x ) dx qs2( x ) c d p2s( x ) dx qs ( x ) c d ps ( x ) dx

Cabe mencionar que o throughput devido a soluo geral do problema em questo dado por qs=qs(x). O) grfico abaixo mostra as curvas os throughputs qs1, qs2 e qs.
1 10
3

Throughput (mbar.l/s)

1 10 qs1 ( x) qs2 ( x) qs ( x) 1 10

1 10

50

100 x Posio do Tubo (cm)

150

200

3.3.3 Tubo com Velocidades de Bombeamento Diferentes nas Extremidades.


No caso a seguir a ser estudado, modelaremos um tubo com taxa de degaseificao constante sendo bombeado em suas extremidades com velocidades de bombeamento diferentes entre si. Assim, estamos diante de um problema sem simetria e certamente teremos a presso mxima ocorrendo em algum ponto do tubo diferente de seu ponto mdio. As extremidades do tubo tero presses diferentes entre si. A Figura 3.7 esquematiza a situao em estudo

Vlvula de Alto-Vcuo

Tubo com taxa de degaseificao constante.

x -L/2 Bombas de AltoVcuo com Velocidade de Bombeamento S1 0 L/2 Bombas de AltoVcuo com Velocidade de Bombeamento S2

Figura 3.7 Tubo sendo bombeado nas suas extremidades com bombas de alto-vcuo com velocidades de bombeamento S1 esquerda p e S2 direita. O problema ser modelado a fim de determinarmos o campo de presso em estado estacionrio, utilizando a equao de difuso em estado estacionrio conforme encontrada no Apndice B. Impondo que o throughput a ser bombeado pela bomba de alto-vcuo da esquerda devido taxa de degaseificao especfica multiplicada pelo trecho do tubo, desde a extremidade esquerda at o ponto de mxima presso, denominado de ponto xM, encontramos o valor deste ponto em funo das grandezas conhecidas. Ou ainda, fazendo S! p

dp ( x) dx

e o
L 2

mesmo para o lado direito do tubo, encontramos o ponto de presso mxima com a Expresso 3.11

xM

c L ( S1 S 2 ) 1 . 2 L S 1 S 2 c ( S1 S 2 )

3.11

134

e o campo de presso representado pela Expresso 3.12

p ( x)

q x2 2c

1 q L ( S1 S 2 ) 2 x L S1 S 2 c ( S1 S 2 )

q L2 8c

L2 ( S1 S 2 ) q L c 4 , L S1 S 2 c ( S1 S 2 )

3.12

onde x est definido no intervalo

L 2

L . A soluo deste problema mostra que o perfil do 2

campo de presso parablico, somente que no caso das velocidades de bombeamento nas extremidades do tubo serem diferentes entre si, a parbola no est centrada em x=0. Analisando o caso numrico vemos que a posio do ponto de mxima presso, chamado de xM; pouco influenciado pelos valores diferentes da velocidade de bombeamento, o determinante a condutncia especfica do tubo. Este ltimo resultado importantssimo para determinarmos as distncias que devem estar as bombas de vcuo em uma linha de bombeamento tubular. Na realidade este um dos resultados mais marcantes neste trabalho, ou seja, determinar objetivamente e de forma precisa a influncia da condutncia no processo de bombeamento e conseqentemente determinar a dependncia da presso confrontando a velocidade de bombeamento com a condutncia. O aumento da velocidade de bombeamento nas extremidades do tubo no leva a uma diminuio expressiva da presso na parte central do tubo, ou seja, prximo de x=0. Necessitando diminuir a presso nas partes mais prximas do ponto mdio do tubo, deveremos colocar mais bombas de vcuo afastadas das extremidades do tubo. Ou seja, em situaes deste tipo prefervel ter vrias bombas de velocidade de bombeamento menores, mas colocadas mais prximas entre si, em vez de termos poucas bombas de vcuo de altas velocidades de bombeamento. O programa computacional para modelar matematicamente esta situao pode ser uma ferramenta eficiente tambm no aprendizado sobre o comportamento dos sistemas de vcuo, no caso discutido acima podemos verificar a dependncia e o domnio da condutncia especfica no processo de bombeamento do sistema de vcuo tubular. Chamando a ateno, veja que as duas condies de contorno necessrias para alcanar a soluo geral do problema foram obtidas a partir de condies de contorno do tipo Robin. Esta a condio de contorno mais freqente nos problemas envolvendo quantidades de gases e presses. A seguir mostramos um caso numrico sobre a situao apresentada; devemos prestar ateno e verificar que o ponto de mxima presso no dista significativamente do ponto mdio do tubo.

135

Campo de Presso em Tubo com Velocidades de Bombeamento Diferentes nas Extremidades.


Comprimento do tubo: Dimetro do tubo : D L 3 400 cm cm c 12 D
3

Condutncia especfica, c=C.L:

324 l.cm / s

Volume especfico ou Volume por unidade de comprimento, v=V/L: A D


2

10

A L litro

V L

l / cm v

7.069

10

l / cm

Taxa de degaseificao por unidade de comprimento para cada trecho do tubo. Para o trecho central, isto , -L/2<=x<=+L/2, com L=400 cm. A taxa de degaseificao especfica por unidade de comprimento igual a qs=4,7.10^-8 mbar.litro/(s.cm). qs 4.7 10
8

mbar.litro/(segundo.cm)

A taxa de degaseificao especfica do material adotado refere-se ao ao inoxidvel 304 L. QTotal qs L


5

mbar.litros/segundo

QTotal

1.88

10

mbar.litro/segundo

A velocidade de bombeamento nas extremidades do tubo pode assumir valores diferentes entre si. -A velocidade de bombeamento na extremidade esquerda, isto , para x=-200 cm S1. -A velocidade de bombeamento na extremidade direita, isto , para x=200 cm S2. S1 100 litros / segundo S2 400 litros/segundo

Definio da malha para as posices ao longo de todo o tubo. Faremos uma malha para cada trecho do tubo, como mostrado abaixo. A soluo estacionria dada por uma funo de segundo grau (funo parablica). A funo para o campo de presso ao longo do tubo mostrada a seguir.Devido a assimetria do problema, estudaremos no intervalo de -200<=x<=200 cm. x 200 199.9 200cm
2

ps ( x )

qs 2 c

qs x
2

L 2

( S1

S2) x S2)

qs L 8 c

qs

( S1

S2) c ( S1

qs L c S2)

L S1 S2

c ( S1

L S1 S2

O ponto, cujo valor de presso mximo, dado pela seguinte expresso. 1 xM 2 c L ( S1 S2) S2) xM 1.203 cm

L S1 S2

c ( S1

O grfico da funo presso ao longo da extenso do tubo pode ser visto abaixo. Note a assimetria da parbola em relao ao ponto x=0. A presso nos seguintes pontos notveis vale:
8

-para x=-200 cm, -para x=xM -para x=200 cm, xM

ps ( 200)

9.343

10

mbar 2.96 mbar 10


6

1.203 cm ps ( 200) 2.364

ps ( xM) 10
8

mbar

(presso mxima)

1 10

1 10 Presso (mbar)

ps ( x)

1 10

1 10

200

150

100

50

0 x

50

100

150

200

Posio do Tubo (cm)

Veja que apesar de termos uma velocidade de bombeamento em x=+200 cm, S2=400 l/s, quatro vezes maior que a velocidade de bombeamento em x=-200 cm, S1=100 l/s, o ponto de presso mxima (xM) est bem prximo de x=0. Tambm, notamos que a poucos centmetros das extremidades do tubo, as presses ao longo do tubo, so praticamente simtricas em relao a x=0. Desta forma, considerando a condutncia especfica, a diferena de velocidade de bombeamento no so determinantes para as presses nas partes prximas de x=0 cm.

Sempre devemos nos lembrar que a velocidade de bombeamento em cada ponto do tubo depende da velocidade da bomba de vcuo e da condutncia entre o ponto em questo e o ponto da bomba de vcuo; mas verificamos, para o caso dos tubos, que o determinante em geral a condutncia.
2

ps ( x )

qs 2 c

qs x
2

L 2

( S1

S2) x S2)

qs L 8 c

qs

( S1

S2) c ( S1

qs L c S2)

L S1 S2

c ( S1

L S1 S2

O grfico em escala linear fica como mostrado abaixo.


3 10
6

2.5 10

2 10

Presso (mbar)

ps ( x) 1.5 10

1 10

5 10

200

150

100

50

0 x

50

100

150

200

Posio do Tubo (cm)

ps ( 200)

9.343

10

mbar

ps ( 200)

2.364

10

mbar

Fica bem claro neste grfico que apesar da diferena de velocidade de bombeamento iqual a 4 vezes, o campo de presso ao longo do tubo praticamente o mesmo a partir de uma pequena distncia da extremidade do tubo. O ponto de mxima presso est praticamente no ponto mdio do tubo.

Os comentrios feitos na pgina anterior sobre a questo das velocidades doferentes de bombeamento, nas extremidades do tubo, podem ser melhores visualizados com o do campo de presso ao longo do tubo a partir do grfico em escala linear. O throughput pode ser determinado da seguinte forma. Q(x)=-c.dps(x)/dx mbar.litro/segundo

Q( x )

qs x

qs L c ( S1 2 L S1 S2

S2) S2)

c ( S1

Q( 200)
1 10
5

9.343

10

mbar.l/s

Q( 200)

9.457

10

mbar.l/s

5 10 Throughput (mbar.litro/segundo)

Q ( x)

5 10

200

150

100

50

0 x

50

100

150

200

Posio do Tubo (cm)

O grfico acima mostra o throughput ao longo do tubo. A parte negativa da curva significa que o throughput est dirigido no sentido negativo do eixo x.

3.3.4 Tubo com Fonte de Gs Transiente Impulsiva.


Iniciaremos o estudo de casos com a presena de fontes gasosas que variam no tempo. Teremos alm da fonte de gs devido a degaseificao das paredes do tubo, uma fonte de gs que varia no tempo. Como a equao de difuso linear e na modelagem dos sistemas de alto-vcuo tubulares aparecem termos constantes no seu equacionamento, as solues obedecem ao princpio de superposio. Veja que este fato est de acordo com a essncia do processo de escoamento dos gases e vapores no regime molecular; uma vez que o transporte dos gases ocorre devido aos choques aleatrios exclusivos com as paredes do sistema de vcuo no caso como as paredes do tubo. Assim, h completa independncia das vrias fontes gasosas entre si e podemos encontrar a soluo para cada uma delas e superpor as solues obtidas para cada fonte gasosa particular. A Figura 3.8 mostra esquematicamente a situao, na qual temos a presena da fonte devida a degaseificao natural do tubo e uma fonte de gs que depende da posio e do tempo, neste caso de estudo consideraremos que a fonte transiente seja uma fonte impulsiva de gs, ocorrendo instantaneamente em uma posio do tubo.

Vlvula de Alto-Vcuo

qi

Tubo com taxa de degaseificao constante em todo tubo e uma fonte impulsiva de gs no espao e no tempo, em x=0 e t=0 .

x -L/2 0 L/2

Bombas de Alto-Vcuo Velocidade de Bombeamento S


Figura 3.8 Tubo com degaseificao constante e uma fonte de gs transiente do tipo impulsiva no tempo e na posio.

A modelagem do problema ser feita baseada na linearidade da equao de difuso para o escoamento dos gases em regime molecular e, portanto, na superposio das solues para cada fonte de gs tratada independentemente. A equao de difuso dada por

140

p ( x, t ) x2

q ( x, t )

p ( x, t ) , t

admitiremos que a soluo geral do problema seja dada pela Expresso 3.13

pG ( x , t )

pE ( x)

pT ( x , t ) ,

3.13

onde temos que a soluo geral soma da soluo do caso estacionrio fonte de gs devida exclusivamente a degaseificao mais a soluo do caso transiente fonte de gs devida fonte impulsiva respectivamente. Este caso encontra uma aplicao muito importante, podemos modelar uma entrada brusca de gs no sistema de alto-vcuo. Por exemplo, um vazamento intermitente, ou ainda, um feixe de partculas ou luz chocando-se com as paredes do tubo. Por meio deste modelo podemos determinar a distncia mxima entre as bombas de alto-vcuo e as suas velocidades de bombeamento, a fim de que a quantidade de gs, que ocorre de forma bem localizada no tempo e no espao, possa ser bombeada em tempo pr-determinado. Este um dado importante para a especificao das bombas de alto-vcuo e a sua distribuio ao longo do sistema de vcuo tubular. As fontes gasosas podem, no problema em questo, ser colocadas matematicamente conforme a seguinte Expresso 3.14

qG ( x, t )

q qT ( x, t ) ,

3.14

onde, o primeiro termo relativo a fonte de gs devido a taxa de degaseificao especfica do tubo, considerada constante. O segundo termo, relativo fonte transiente de gs, considerada impulsiva no espao e no tempo. Modelaremos a fonte de gs impulsiva no tempo e na posio, por meio da funo delta de Dirac, mostrada na Expresso 3.15

qT ( x, t )

q ( x) (t ) ,

3.15

onde, q uma quantidade constante que proporcional quantidade de gs da fonte impulsiva liberada. Podemos entender e interpretar fisicamente esta quantidade de gs, que ser o throughput da fonte impulsiva de gs, como se esta quantidade de gs estivesse armazenada em um pequeno volume a certa presso, de forma que quando liberada produza o throughput qT
141

qT ( x, t ) .

Admitiremos que o gs liberado ocorra em x = 0 e em t = 0. A soluo geral do problema mostrada na Expresso 3.16

pG ( x, t )

pE ( x)

pT ( x, t )

pG ( x, t )

q 2 x 2c

QT 1 2 S

L 4c

q 4 c At
1 2

exp

A 2 x 4 ct

3.16

Explicitamente considerada a superposio das solues, uma vez que a equao diferencial linear. A soluo geral do problema modelado formada pela parte estacionria, dada pela funo parablica como obtida em casos anteriores e formada pela parte transiente dada pela funo de Gauss. As condies de contorno para o caso estacionrio so as mesmas impostas no caso tratado do tubo de taxa de degaseificao constante e velocidades de bombeamento iguais entre si. O modelo adotado para a fonte gasosa transiente de uso bastante restritivo e a origem dela bastante sutil. Ocorre que para o caso da fonte de gs transiente, consideramos que a presso seja igual zero para valores de x tendendo ao infinito, tanto esquerda como direita do tubo. Esta ltima imposio condio de contorno da soluo transiente poder ser e em geral bastante distante da realidade caso a fonte gasosa impulsiva seja muito intensa. Verificamos que os resultados so prximos dos tempos medidos, em situaes como a modelada, se adotarmos fontes gasosas impulsivas de pequena intensidade, comparveis ao throughput da fonte estacionria devida a degaseificao das paredes do tubo [9-17]. Podemos explorar muito este modelo, uma vez que em princpio qualquer fonte gasosa transiente, impulsiva ou no, pode ser estudada matematicamente a partir do problema tratado nesta seo, estamos falando dos problemas de contorno do tipo de Poisson, isto , com o termo de fontes. Este caso est exemplificado a seguir. Mais frente trataremos este problema com rigor e imporemos as condies de contorno que levam em conta o tamanho finito do tubo e que as bombas de vcuo esto localizadas nas extremidades do tubo. O modelo matemtico deste problema muito mais difcil e trabalhosa de ser obtida, entretanto, sua aplicao bem mais segura em casos de fontes gasosas impulsivas. Cabe mencionar que para os tempos em que o gs ainda no atingiu as extremidades do tubo, as duas solues coincidem impressionantemente bem. Este tipo de comparao essencial para verificarmos a coerncias entre os vrios modelos e, sempre devemos faz-las!

142

Campo de Presso em Tubo com Taxa de Degaseificao Constante e com Uma Fonte Impulsiva de Gs no Tempo e na Posio.
Comprimento do tubo: Dimetro do tubo : D L 3 400 cm cm c 12 D
3

Condutncia especfica, c=C.L:

Volume especfico ou Volume por unidade de comprimento, v=V/L: A D


2

10

A L

V L v 7.069 10

l / cm

Taxa de degaseificao por unidade de comprimento, qs=QTotal/L: qs com, 4.7 10


8

mbar.litro/(s.cm)

QTotal=qe.(3,1416.D.L)

qe a taxa de degaseificao especfica do material.Foi adotado como material o ao inoxidvel 304 L. QTotal=qs.L qs L 1.88 10
5

mbar.litros/segundo

Velocidade de bombeamento nas extremidades do tubo: S Coeficiente de difuso: 100 litros/segundo c v 4.584 10
4

Fonte impulsiva de gs - no tempo e no espao - atuando em t=0 e x=0. Representao da fonte impulsiva de gs; q'.delta de Dirac(t=0).delta de Dirac(x=0). Obs: representaremos no Mathcad q' como q1. q1 1.0 10
6

mbar.litro 200 199.9 200cm

Definio da malha para as posices ao longo de todo o tubo. x

A soluo estacionria dada pela funo parablica, mostrada abaixo, devido a taxa de degaseificao constante ao longo do tubo: qs 2 c
2

ps ( x )

qs L 2

L 4 c

1 S

A soluo para cada uma das fontes impulsivas de gs, no tempo e no espao, so mostradas abaixo.

O instante usado para a determinao do campo de presso longo do tubo mostrado a seguir. t 10
4

segundo x1 50 cm t1 0
2

Fonte impulsiva 1. Posio x1 e instante t1.

segundo

pt1( x )

q1 c
2

1 4 (t t1)

exp 4

(x

x1) (t

t1)

A funo presso ao longo do tubo dada pela soma das funo presso estacionria (perfil parablico), somada a funo presso transiente (funo erro). Isto pode ser feito devido a equao diferencial parcial ser linear, assim, podemos aplicar o princpio de superposio.A funo abaixo mostrada representa o campo de presso ao longo do tubo, considerando o instante t=0,0001 segundo. ptt( x ) A funo ps ( x ) ( t1 t) pt1( x )

a funo degrau de Heveaside.

O grfico abaixo mostra o campo de presso ao londo do tubo para t=0,0001 segundo.

1 10

1 10 Presso (mbar) ptt( x) ps ( x) ( t1 t) pt1( x) 1 10

1 10

200

150

100

50

0 x

50

100

150

200

Posio do Tubo (cm)

Agora, o instante usado para a determinao do campo de presso longo do tubo mostrado a seguir. t 10
2

segundo

Fonte impulsiva 1. Posio x1 e instante t1. x1 pt1( x ) q1 c


2

50 cm 1 4 (t

t1

0 segundos exp (x 4 x1) (t


2

t1)

t1)

A funo presso ao longo do tubo dada pela soma das funo presso estacionria (perfil parablico), somada a funo presso transiente (funo erro). Isto pode ser feito devido a equao diferencial parcial ser linear, assim, podemos aplicar o princpio de superposio.A funo abaixo mostrada representa o campo de presso ao longo do tubo, considerando o instante t=0,01 segundo. ptt( x ) A funo ps ( x ) ( t1 t) pt1( x )

a funo degrau de Heveaside.

O grfico abaixo mostra o campo de presso ao londo do tubo para t=0,01 segundo.
1 10
5

Presso (mbar)

ptt( x) ps ( x) ( t1 t) pt1( x) 1 10
6

1 10

200

150

100

50

0 x

50

100

150

200

Posio do Tubo (cm)

Esta anlise est considerando o problema de difuso de tomos e molculas ao longo do tubo, no regime de escoamento molocular, linear. Desta forma, as fontes de gases agem de forma totalmente independentes. Inclusive, este aspecto est no bojo da conceituao do regime molecular.

Vemos que medida que o tempo evolui a parte transiente da soluo tende a zero, resgatando a parte estacionria, ou seja, o campo de presso parablico. Este modelo deve ser aplicado quando a fonte impulsiva de gs no for muito intensa, da ordem do throughput total do tubo, este ponto est discutido mais frente.

3.3.5 Tubo com Vrias Fonte de Gases Transientes Impulsivas.


No caso anterior modelamos um sistema de alto-vcuo em forma tubular com uma fonte impulsiva de gs presente, alm da degaseificao das paredes de vcuo. Vimos que matematicamente podemos tratar separadamente cada um dos problemas, relativos a cada tipo de fonte de gs e em seguida superpor as solues individuais e obter a soluo geral do problema proposto. Discutimos que este procedimento est sustentado no fato dos tomos e molculas no escoamento em regime molecular apresentar choques somente com as paredes do sistema de altovcuo. Continuando com a exemplificao de sistemas de alto-vcuo tubulares, modelaremos o caso de estar presentes quatro fontes impulsivas de gases, alm da fonte devida a degaseificao. A Figura 3.9 mostra esquematicamente a situao com a presena de algumas fontes impulsivas de gases, iniciaremos o estudo deste caso.

Vlvula de Alto-Vcuo qi = qi(x,t)

Tubo com taxa de degaseificao constante e com vrias fontes de gs impulsivas no espao e no tempo

x -L/2 0 Bombas de Alto-Vcuo Velocidade de Bombeamento S L/2

Figura 3.9 Sistema de alto-vcuo tubular apresentando degaseificao natural das paredes e vrias fontes impulsivas de gases e vapores.

146

Este problema no apresenta dificuldade maior que o do caso anterior, apenas teremos que considerar mais fontes impulsivas, mas cada uma delas ter soluo transiente do mesmo tipo do caso tratado na seo anterior. A modelagem do problema ser feita baseada na linearidade da equao de difuso, que exprime o fato de as partculas no se chocarem entre si no escoamento dos gases em regime molecular e, portanto, na superposio das solues para cada fonte de gs tratada independentemente. A equao de difuso dada por

p ( x, t ) x2

q ( x, t )

p ( x, t ) , t

admitiremos que a soluo geral do problema seja dada pela Expresso 3.17

pG ( x, t )

pE ( x )

pT 1 ( x, t )

pT 2 ( x, t )

pT 3 ( x, t )

pT 4 ( x, t ) ,

3.17

ou seja, a soluo geral do problema a soma da soluo do caso estacionrio individual fonte de gs devida exclusivamente degaseificao mais as solues dos casos transientes fontes de gs devidas s fontes impulsivas. As fontes gasosas podem ser colocadas matematicamente conforme a Expresso 3.18

qG ( x, t )

q qT

Total

( x, t ) ,

3.18

onde o primeiro termo devido taxa de degaseificao especfica do tubo, considerada constante, e o segundo termo devido a todas as quatro fontes transientes de gs, consideradas impulsivas no espao e no tempo, cada uma agindo em instantes e posies que so em geral diferentes entre si. Modelaremos as quatro fontes impulsivas de gs conforme mostrada na Expresso 3.19

qT

Total

( x, t )

q1 ( x1 ) (t1 ) q2 ( x2 ) (t2 ) q3 ( x3 ) (t3 ) q4 ( x4 ) (t4 ) ,

3.19

com os qi so quantidades constantes de gases ou vapores das fontes impulsivas. A interpretao fsica a mesma que o caso estudado anteriormente. A soluo geral do problema pode ser obtida considerando o princpio da superposio, na qual devemos adicionar todas as solues obtidas individualmente. Devemos apenas prestar ateno para o fato das fontes impulsivas de gases e

147

vapores poderem ocorrer em instantes diferentes, neste caso deveremos fazer atuar a respectiva soluo no instante correspondente a sua fonte impulsiva. Isto pode ser conseguida fazendo uso da funo degrau Heveaside representada por na Expresso 3.20 (t-ti). Assim, a soluo geral do problema mostrada

pG ( x, t )

q 2 x 2 c (t

QT 1 2 S t2 ) 4 (t t4 )

L 4 c q2 c A t q4

(t

t1 ) 4
1 2

q1
1

exp

A (x 4 c (t

x1 ) 2 t1 )

c A t A (x 4 c (t A (x

t1 x2 ) 2 t2 )

exp

. 3.20

t2

exp

x4 ) 2 t4 )

c A t

t4

4 c (t

A soluo geral do problema modelado formada pela parte estacionria, dada pela funo parablica e pelas partes transientes. A discusso relativa s condies de contorno exatamente a mesma no caso anterior, a linearidade do problema garante esta afirmao. A discusso relativa limitao no modelo proposto segue o mesmo tipo de argumentao para o caso de somente uma fonte impulsiva de gs.

3.3.6

Tubo com Fonte de Gs Transiente Impulsiva no Tempo e Extensiva na Posio.


Este caso que modelaremos pode ser considerado uma generalizao dos casos anteriores,

uma vez que definiremos uma fonte gasosa impulsiva no tempo, mas que tem uma extenso espacial. Em outras palavras, a fonte de gs age em um instante bem definido matematicamente falando e em uma extenso finita do tubo. Esta situao pode ser o caso, por exemplo, de uma fonte gasosa devido ao choque de um feixe de partculas ou ftons em uma parte extensa do tubo da linha do feixe de um microscpio eletrnico. A modelagem realizada deve considerar em detalhe o processo de desorpo fsica transiente que ocorre nas paredes do tubo. Desta forma, devemos identificar o tipo de bombardeamento que est ocorrendo, podendo ser de eltrons, de ftons, ou ainda de ons leves ou pesados. Esta identificao importante, uma vez que a seo de choque destas colises ser fundamental. Junto com a determinao do fluxo de partculas incidentes superfcie podemos calcular da taxa de gs removida das paredes do tubo em estudo, ou seja, o throughput da degaseificao transiente.

148

Vlvula de Alto-Vcuo

Tubo com taxa de degaseificao constante e com uma fonte de gs extensa na posio e impulsiva no tempo. q(t) = q. (t- )

x -L/2 -a 0 +a L/2

Bombas de Alto-Vcuo Velocidade de Bombeamento S

Figura 3.10 Estrutura de um sistema de alto-vcuo tubular apresentando uma fonte gasosa devida a degaseificao e uma fonte gasosa transiente que impulsiva no tempo e extensiva na posio.

Este problema pode ser modelado considerando que qualquer funo que represente uma fonte gasosa transiente pode ser considerada como uma superposio de fontes impulsivas. No caso mais geral, a soluo do problema pode ser obtida pela Expresso 3.21

pG ( x, t )

q 2 .x 2 c

qL 1 2 S

L 4 c

t b

qT ( , ) 4 c A t
1 2

exp

0 a

A x 4 c t

d d , 3.21

para o intervalo que corresponde ao comprimento do tubo,

L 2

L e 0 2

t. A

fonte gasosa transiente, impulsiva no tempo e extensiva na posio, pode ser modelada conforme a Expresso 3.22

q ( x, t )

q ' ( x ). (t

),
(x

3.22

onde, q relativo fonte estacionria devido degaseificao natural do tubo,

) a funo

delta de Dirac e q' ( x) a funo que representa a quantidade de gs liberado no intervalo espacial

149

b e no instante

. Para a fonte gasosa estacionria taxa de degaseificao

especfica constante ao longo do tubo e a fonte gasosa transiente impulsiva no tempo e extensiva na posio , temos a soluo do problema dada pela Expresso 3.23

pG ( x, t )

q x2 2c

qL 2

1 S

L 4c

1 4 c At
1 2

q ' ( ) exp
a

A (x 4 ct

)2

d . 3.23

Encontramos esta situao ocorrendo em sistemas de alto-vcuo e ultra alto-vcuo, por exemplo, em aceleradores de partculas, tubos de microscpios eletrnicos, e outros, o feixe de partculas ou radiao chocando-se com as paredes do tubo, produz uma quantidade de gs devido a eltron ou fton desorpo. Nestes casos a modelagem do comportamento do alto-vcuo pode ser feita por meio do seguinte equacionamento. Matematicamente, a fonte gasosa transiente pode ser representada como na Expresso 3.24

0 , for q ' ( x) q' , for a 0 , for b

L 2 x

x x b

.
L 2

3.24

Considerando tanto a soluo estacionria como a soluo transiente e mais uma vez usando a linearidade do sistema, obtemos a soluo geral para o campo de presso dada pela Expresso 3.25

pG ( x, t )
( x a) 2 t

p( x) q'

1 4 t p ( x)
1 2

c z2 2

exp

(x 4

)2 d t
, 3.25

p ( x) q '

( x b)

2 t

1 2

exp

dz

q' 2 c

erf

( x a) 4 t

erf

( x b) 4 t

com os extremos das integraes dadas pelas posies do incio e do fim da fonte gasosa transiente. A funo p=p(x) devida a degaseificao natural do tubo, obtendo o perfil parablico. Ainda, na soluo alcanada acima a funo erf(x) a funo erro, resultado bastante importante da fsicamatemtica, presente em todos os fenmenos de difuso [5,7]. A seguir vemos um caso numrico que ilustra o caso estudado acima.

150

Campo de Presso em Tubo com Taxa de Degaseificao Constante com uma Fonte de Gs Extensiva na Posio e Impulsiva no Tempo.
Comprimento do tubo: Dimetro do tubo : D L 3 400 cm cm

Comprimento da metade da extenso da fonte impulsiva de gs: a 30 cm 2a 60 cm -30<=x<=+30 cm c 324 litros.cm/s

Intervalo da extenso da fonte impulsiva de gs: Condutncia especfica, c=C.L: c 12 D


3

Volume especfico ou Volume por unidade de comprimento, v=V/L: A D


2

10

AL

V L

7.069

10

litro / cm

Taxa de degaseificao por unidade de comprimento, qs=QTotal/L: qs com, 4.7 10


9

mbar.litro/(s.cm)

QTotal=qe.(3,1416.D.L)

qe a taxa de degaseificao especfica do material. qs L 1.88 10


6

mbar.litros/segundo S 100 litros/segundo

Velocidade de bombeamento nas extremidades do tubo: c v


4

Coeficiente de difuso:

4.584

10

cm^2/segundo

Fonte impulsiva de gs. Atuando no intervalo -30<=x<=+30 cm e em t=0. Representao da fonte impulsiva de gs; q'.delta de Dirac(t)
7

Obs: representaremos q' no Mathcad como q1. Definio dos intervalos do tempo. w t
b

q1

1.0 10

mbar.litro/cm

1 14 bd
1

10

w 6

1 126

1 9

0 9 117

Soluo do problema: Superposio da soluo estacionria com a soluo transiente. Estamos diante de um problema linear. As fontes de gases e vapores no regime de escoamento molecular podem ser tratadas como independentes.

para x=0 cm. qs 2c


2

x0 qs L 2 L 4c 1 S q1
z

0 a t
z

ps0

x0

p0t

2c

erf

x0 4

erf

x0 4

a t
z

p0g

ps0

p0t

para x=50 cm. q1


z

x1 x1 4

50 a t
z

ps1

qs 2c

x1

qs L 2

L 4c

1 S

p1t

2c

erf

erf

x1 4

a t
z

p1g

ps1

p1t

para x=100 cm. q1


z

x2

100 x2 4 a t
z

ps2

qs 2c

x2

qs L 2

L 4c

1 S

p2t

2c

erf

erf

x2 4

a t
z

p2g

ps2

p2t

para x=150 cm. q1


z

x3

150

ps3

qs 2c

x3

qs L 2

L 4c

1 S

p3t

2c

erf

x3 4

a t
z

erf

x3 4

a t
z

p3g

ps3

p3t

para x=200 cm.

x4

200

ps4

qs 2c

x4

qs L 2

L 4c

1 S

p4t

q1
z

2c

erf

x4 4

a t
z

erf

x4 4

a t
z

p4g

ps4

p4t

O grfico da presso para algumas posies do tubo em funo do tempo mostrado abaixo.

1 10

1 10 p0gz presso (mbar) p1gz p2gz p3gz 1 10 p4gz 1 10 1 10

1 10

1 10 1 10

1 10

0.01

0.1

10 tz

100 1 10

1 10 1 10

1 10 1 10

tempo (segundo)

Vemos no grfico acima o perfl de presso para cinco posies do tubo, x=0 cm, x=50 cm, x=100 cm, x=150 cm e x=200 cm. O intervalo de tempo considerado grande, da ordem de 1 ano. Vemos que as partes mais prximas de x=0 cm, a presso volta rapidamente ao valores de estado estacionrio (perfil parablico), mas, a presso junto bomba de vcuo, isto , x=200 cm, a presso demora para retornar ao valor de estado estacionrio. Uma anlise apressada pode levar-nos concluses erradas, apesar da posio junto bomba de vcuo ter a maior velocidade de bombeamento, esta posio tem a menor presso e mais, todo o gs devido fonte transiente chegar em x=200 cm para ser bombeado.como discutimos. O problema est em considerar o tubo infinito. A seguir temos o clculo do throughput ao longo do tubo para alguns tempos. x ps ( x ) qs 2c x
2

0 0.1 200 L 4c 1 S pt1( x )

t1 q1

.00000001 2c erf x 4 a t1 erf x 4 a t1

qs L 2

pg1( x )

ps ( x )

pt1( x )

Q1( x )

d pg1( x ) dx 0.0001 x 4 a t2 x 4 a t2

t2 qs 2c
2

ps ( x )

qs L 2

L 4c

1 S

pt2( x )

q1 2c

erf

erf

pg2( x )

ps ( x )

pt2( x )

Q2( x )

d pg2( x ) dx

t3 qs 2c
2

0.01 q1 2c x 4 a t3 x 4 a t3

ps ( x )

qs L 2

L 4c

1 S

pt3( x )

erf

erf

pg3( x )

ps ( x )

pt3( x )

Q3( x ) t4

d pg3( x ) dx 1.0

ps ( x )

qs 2c

qs L 2 pg4( x )

L 4c ps ( x )

1 S pt4( x )

pt4( x )

q1 2c c

erf

x 4

a t4

erf

x 4

a t4

Q4( x ) t5 1000

d pg4( x ) dx

ps ( x )

qs 2c

qs L 2 pg5( x )

L 4c ps ( x )

1 S pt5( x )

pt5( x )

q1 2c c

erf d pg5( x ) dx

x 4

a t5

erf

x 4

a t5

Q5( x )

d Tempos em segundo e Posies em cm ps ( x ) dx O grfico do throughput ao longo do tubo mostrado a seguir. So feitos os clculos para alguns instante de tempo. QB( x ) c
0.1 0.01 1 10 Throughput (mbar.litros/segundo) Q1( x) Q2( x) 1 10
4 3

Q3( x) 1 10 Q4( x) Q5( x) 1 10 QB( x) 1 10 1 10 1 10 1 10

10

50

100 x posio ao longo do tubo (cm)

150

200

Vemos o throughput ao longo do tubo para alguns instantes de tempo. Para o instante bem prximo da ao da fonte impulsiva de gs, temos a variao abrupta do throughput, e em seguida, o gs escoando tanto para a esquerda como para a direita. Pouco tempo depois, recuperamos o perfl parablico de presso. Determinao da presso ao longo do tubo para alguns instantes de tempo. Soluo estacionria: ps ( x ) qs 2c q1 2c x
2

qs L 2 x 4 a t

L 4c

1 S x 4 a t

Soluo transiente: Soluo geral do problema linear: t1 10


6

pt( x t)

erf pg( x t)

erf

ps ( x )

pt( x t)

pg1( x t1) t4 10
2

ps ( x )

pt( x t1)

t3

10

pg3( x t3)

ps ( x )

pt( x t3)

pg4( x t4) t4a 5 10

ps ( x )
2

pt( x t4)

t8

10

pg8( x t8) ps ( x ) pt( x t4a)

ps ( x )

pt( x t8)

pg4a( x t4a)

Grfico da presso ao longo do tubo para alguns instantes de tempo.


1 10
4

pg1( x t1) 1 10 5 pg3( x t3) Presso (mbar) pg4( x t4) 1 10 pg4a( x t4a) pg8( x t8) ps( x) 1 10
7 6

1 10

50

100 x Posio ao longo do tubo (cm)

150

200

Faremos um modelo mais realstico a seguir. Considerando que o tubo finito e com bombas de vcuo nas suas extremidades.

3.3.7 Tubo com Fonte de Gs Transiente Impulsivas no Tempo e na Posio e com Fonte de Gs Impulsiva no Tempo e Extensiva na Posio.
Apresentaremos a seguir modelagens realsticas para o tratamento de sistemas de altovcuo e ultra alto-vcuo tubulares com fontes de gases transientes impulsivas no tempo e na posio e impulsiva no tempo e extensiva na posio. Complementando os casos tratados anteriormente e cujas solues obtidas tm um alcance limitado, como expusemos e discutimos o assunto. Os esquemas dos sistemas de vcuo so os mesmos das Figuras 3.9 e 3.10. A equao diferencia para modelar o sistema de vcuo mostrada a seguir com o campo de presso dado pela funo p=p(x,t)

p ( x, t ) x2

q ( x, t )

p ( x, t ) , t

sendo que q=q(x,t) inclui ambas as fontes de gs estacionria e transiente, respectivamente qS(x,t)=qS e qT= qT(x,t), e A o volume por unidade de comprimento do tubo, assim a Expresso 3.26

q ( x, t )

qS

qT ( x , t ) .

3.26

A soluo geral dada pela superposio da soluo estacionria com a soluo transiente, como mostrada na Expresso 3.27

pG ( x, t )

p S ( x)

pT ( x, t ) .

3.27

A soluo para o problema estacionrio adiantamos a conhecida funo parablica e o gs que alcana a extremidade direita do tubo deve satisfazer a igualdade, assim em x = L/2

p T ( x, t ) x

L 2

Sp T ( L 2 , t ) ,

0.

E por simetria devemos ter que no intervalo 0

L 2 , tal que em x=0

pT ( x, t ) x

0, t 0 .
x 0

156

A fonte de gs transiente ocorre em t=0, ento

pT ( x,0) 0 , 0 x

L 2.

De forma explicita a soluo geral do problema mostrada a seguir pela Expresso 3.28

p G ( x, t )

qS 2 .x 2c

q S .L 1 2 S

L 4c
.
t

3.28

exp(
m 1

2 m

t) K (

m , x) 0

exp(

2 m

t)

q(

, t )dt

Os primeiros dois termos correspondem a soluo estacionria referente ao perfil parablico e o terceiro termo relativo ao caso da fonte transiente. Demos encontrar os seguintes termos

K(

, x)

2 m L( 2 m

H2 2 H 2) H 2 2

2 cos( m , x)

e ainda,

L2

q(

,t )
0

K(

, x ) q ( x , t ) dx

onde

so solues da equao transcendental

m tg m

L 2

S c

H2

e q(x,t) a funo que representa a fonte de gs transiente, para throughput em cada ponto do tubo obido pela expresso

L 2 e t

0. O

157

Q ( x, t )

p ( x, t ) , x

e ainda

QT ( L 2 , t )
0

p( x, t ) x

dt
x L 2

onde QT dado em mbar.litros. Para o caso de fonte impulsivas na posio e no tempo, modelamos o problema da seguinte forma com a funo mostrada a seguir na Expresso 3.29

q ( x, t )

qS

q' ( x x ). (t t ) ,

3.29

onde q representa a quantidade de gs liberada em x =x e t =t. Assim, adotando x=0 e t=0, temos a funo conforme a Expresso 3.30

pG ( x, t )

qS 2 .x 2c

qS .L 1 2 S

L 4c

q 2 Bm cos 2v m 1

x exp(

2 m

t) ,

3.30

com

c ,e A
2 Bm

2 m

2 H2

L ( 2

2 m

H )

2 2

H2

Desta forma o throughput que chega bomba de vcuo dada pela funo mostrada a na Expresso 3.31

QT ( L 2 , t )

qS

L t 2

q 2

2 Bm L sen m 1 exp 2 1 m

2 am t .

3.31

Fazendo o limite encontramos o resultando que nos expressa a coerncia da soluo obtida, assim

158

lim
t

q 2

2 Bm m 1 m

sen

L 1 exp 2

2 m

q . 2

Para o caso de fonte de gs extensiva na posio e impulsiva no tempo, temos a Expresso 3.32 relativa modelagem desta fonte de gs em questo

q ( x, t )

qS

q ( x ). (t

t ).

3.32

Podemos assim, modelar a fonte de gs neste caso com a funo mostrada na Expresso 3.33

0 , for q' ( x )

L2 x x

x a L2

a
. 3.33

q' , for - a 0 , for a

Cuja soluo geral do problema dada pela Expresso 3.34

pG ( x, t )

qS 2 .x 2c

q S .L 1 2 S

L 4c

q v

2 Bm m 1 m

sin

a cos

x exp(

2 m

t) .

3.34

Como no caso anterior, podemos calcular a quantidade de gs que chega bomba de vcuo em funo do tempo,

QT ( L 2 , t )

qS

L t 2

q
m

2 Bm L 2 sin( m a) sen m 1 exp am t , 2 2 1 m

que fazendo o limite para tempos muito grandes chegamos a expresso

lim q
t m

2 Bm L sin m sin( m a ) 1 exp 2 2 1 m

2 a m t

qa

mostrando mais uma vez coerncia nos clculos. Podemos aplicar essas solues gerais para casos numricos especficos, com o propsito de ilustrar as solues. Assim, para o caso de fonte gasosa impulsivas no tempo e na posio com
159

x = 0 cm e t = 0 s. Tendo os seguintes parmetros L = 400 cm, D = 3 cm, qs = 4.7x10-9 mbar.l.s-1.cm-1, q = 1.0x10-6 mbar.l, c = 324 l.s-1.cm, A = 7.1x10-3 l.cm-1, qS L = 1.9x10-5 mbar.l.s-1, = 4.56x104 cm2.s-1 e S = 100 l.s-1. Entramos o seguinte perfil de presso ao longo do tubo, considerando vrios instante de tempo conforme a Figura 3.11.

Figura 3.11 Campo de presso no tubo para x 0 para diferentes instantes de tempo.

Podemos ver o campo de presso para tempos bem prximos ao disparo da fonte impulsiva e tambm para instante de tempo suficientemente longos para recuperar o perfil parablico de presso. Para fazer o traado do grfico acima foram utilizados 200 termos da srie infinita da funo obtida. O motido de tamanho nmero de termos que para representar funes impulsivas em tempos pequenos devemos reproduzir os detalhes da variao abrupta. Praticamente em menos de 10 segundos o perfil parablico recuperado. Este tipo de soluo de muita utilidade para o projeto de tubos aceleradores de partculas e sistemas de vcuo tubulares em geral. A Figura 3.12 mostra a evoluo da presso em funo do tempo para cinco posies do tubo, explicitando, x = 0, 50, 100, 150 e 200 cm. Continuando, vamos fazer uma discusso que consideramos muito importante e que mostra a importncia fundamental em estabelecermos com realismo e preciso as condies de contorno do problema em anlise. Neste caso em estudo, verificamos que a imposio da condio de contorno do tipo Robin foi fundamental para fazermos coincidir a quantidade total de gs desenvolvidada no tubo com aquela bombeada pelas bombas de vcuo colocadas nas extremidades deste tubo. Como mencionado na seo 3.3.6, nela, a modelagem considera o tubo infinito, segundo a condio de contorno imposta nas extremidades do tubo. Este modelo est bom considerando pequenas quantidades de gs desenvolvidas na fonte impulsiva comparvel quantidade da fonte de gs estacionria.

160

Figura 3.12 Evoluo temporal da presso observadas em cinco diferentes posies do tubo.

Para o caso de fonte de gs impulsiva no tempo e extensiva na posio, consideraramos o seguinte caso numrico a fim de ilustrar a soluo obtida. Com os parmetros tpicos L= 400 cm, D= 3 cm, a= 30 cm, qS = 4.7x10-9 mbar.l.s-1.cm-1, q = 1.0x10-6 mbar.l.cm-1 , A = 7.1x10-3 l.cm-1, c = 324 l.s-1.cm, qS.L = 1.9x10-5 mbar.l.s-1 , = 4.56x104 cm2.s-1 e S = 100 l.s-1. Levando esses

valores soluo geral temos o seguinte campo de presso ao longo do tubo, conforme mostrado na Figura 3.13.

Figura 3.13 Campo de presso ao longo do tubo para x 0 para diferentes tempos.
161

Podemos ver o campo de presso para tempos bem prximos ao disparo da fonte impulsiva extensiva na posio e tambm para instante de tempo suficientemente longos para recuperar o perfil parablico de presso. Para fazer o traado do grfico acima foram utilizados 200 termos da srie infinita da funo obtida. A discusso a mesma que no caso anterior. Praticamente em menos de 10 segundos o perfil parablico recuperado. A Figura 3.14 mostra a evoluo da presso em funo do tempo para cinco posies do tubo, explicitando, x = 0, 50, 100, 150 e 200 cm.

Figura 3.14 Evoluo temporal da presso observadas em cinco diferentes posies do tubo.

Concluindo, conseguimos obter uma soluo bastante realista para fontes impulsivas em sistemas de alto-vcuo e ultra alto-vcuo em forma tubular. Fontes de gs impulsivas sempre esto presentes em sistemas de alto-vcuo, principalmente naqueles cuja participao de campos eletrcos se fazem presentes. Nestes casos devemos considerar a proteo e o bom funcionamento do equipamento, neste sentido, os resultados conseguidos podem ser de grande ajuda no projeto do sistema de bombeamento. Continuando, podemos dizer que por meio das anlises realizadas com os sistemas de alto-vcuo tubulares, os resultados obtidos no se restringem ao entendimento especfico dos sistemas tubulares. Muito dos resultados obtidos podem ser um ponto de partida, mesmo que seja uma idia, de como deve ser o comportamento de sistemas de alto-vcuo e de ultra alto-vcuo bidimensionais. Conforme mostrado no Apndice B, a construo da equao de difuso bidimensional partiu do racioccio da obteno da equao de difuso unidimensional, mesmo que definies mais sofisticadas necessitem ser feitas.

162

3.3.8 Campo de Presso em Tubo Cnico com Degaseificao Constante e Fonte de Gs Transiente Impulsivas na Posio e no Tempo.
Consideraremos a seguir a determinao do campo de presso em um sistema de alto-vcuo tubular com taxa de degaseificao constante por unidade de rea da parede e com uma fonte transiente de gs ocorrendo ao longo do tubo. As bases tericas so as mesmas que aquelas do caso de estudo anterior, somente que deveremos considerar a geometria cnica do tubo. A condutncia especfica dada pela Expresso 3.35

c( x)

16 RT 3 2 M

1 2

f 3 ( x) ,

3.35

com f=f(x) a funo que representa o linha do contorno do tubo. O gs considerado N2 a temperatura de 293 K, assim

c( x)

96 f 3 ( x ) .

A taxa de degaseificao por unidade de comprimento dada pela Expresso 3.36

q( x)

2 p q0 f ( x ) 1

df ( x ) dx

1 2

3.36

Para modelar o problema em alto-vcuo regime de escoamento molecular usamos a equao diferencial

c( x)

p ( x, t ) x2

dc ( x ) dx

p ( x, t ) x

q ( x, t )

( x)

p ( x, t ) . t

A fonte de gs dada pela Expresso 3.37

q ( x, t )

qS

q T ( x, t ) ,

3.37

explicitando a fonte de gs transiente em conjunto com a fonte de gs estacionria temos que

163

q ( x, t )

qS

q' ( x

x ) (t

t)

O campo de presso estacionrio dado pela Expresso 3.38 mostrada a seguir

p S ( x)

C1 2a(ax b) 2

bB 2 196a (ax b) 2

Ab 2 384a 3 (ax b) 2
. 3.38

B 96a (ax b)
2

bA 96a (ax b)
3

A ln(ax b) 192a 3

C2 .

Com os seguintes valores das constantes,


1 2 1 2

D d , 2L

d , 2

2 pq 0 1 a 2

2 pq 0 1 a 2

b.

O sistema de vcuo tubular cnico est esquematizado na Figura 3.15

Fonte de Gs Impulsiva na Posio e no Tempo Dimetro Maior - DM

Vlvula de Alto-Vcuo

Dimetro Menor - Dm

Tubo Cnico

Sef

X Sbv

L/2

Bombas de Alto-Vcuo com Velocidade de Bombeamento Sbv


Figura 3.15 Sistema de alto-vcuo tubular cnico com bombas de vcuo nas suas extremidades.

164

Temos as seguintes condies de contorno condio de contorno de Robin e condio inicial do problema, para as extremidades do tubo cnico

c ( 0)

pG ( x, t ) x

S L pG (0, t ) ,
x 0

c( L)

pG ( x, t ) x

S R pG ( L, t ) ,
x L

0,

com a condio inicial

pG ( x,0)

pS ( x),

x, 0

L. .

Encontramos, assim o campo de presso dado pelas fontes de gs estacionria e transiente, conforme mostrado na Figura 3.16.
Linha Preta t = 10-4 s Linha Vermelha t = 10-3 s Linha Roxa t = 10-2 s Linha Verde t = 2 x 10-2 s Linha Marron t = 10-1 s Linha Rosa t = 1s Linha Amarela t = 10 s

Figura 3.16 Campo de presso ao longo do eixo do tubo cnico para vrios instantes de tempo

Vemos assim o campo de presso determinado para as fontes de gs estacionria, com obteno neste caso de soluo analtica, e transiente, com a respectiva soluo obtida por mtodos numricos. Como mencionado, no Apndice G, o campo de presso estacionrio foi comparado pelo mtodo de Monte Carlo e os resultados esto em excelente acordo com aquele obtido pela equao de difuso, deduzida neste trabalho.
165

3.3.9 Campo de Presso em Estruturas Aceleradoras com Cavidades Ressonantes.


Apresentamos a seguir o campo de presso ao longo de uma estrutura aceleradora de partculas elementares com cavidades ressonantes, esquematicamente representada na Figura 3.17.

Cavidade Ressonante

Bomba de Alto-Vcuo

Estrutura Aceleradora de Eltrons ou ons

Bomba de Alto-Vcuo

Figura 3.17 Desenho esquemtico de uma estrutura aceleradora de partculas elementares com cavidades ressonantes.

Com cinco cavidades ressonantes e em cada extremidade da estrutura aceleradora temos uma bomba de alto-vcuo com velocidade de bombeamento igual Seff = 10 l.s-1. O material que construda a estrutura aceleradora tem taxa de degaseificao especfica por unidade de rea igual qCu = 1.0x10-7 mbar.l.s-1.cm-2, os detalhes da cavidade na Figura 3.18.

Parte 2 Parte 1 Parte 3

Figura 3.18 Mostrando esquematicamente a cavidade ressonante.


166

Com as seguintes condies de contorno podemos encontrar o campo de presso ao longo do eixo da estrutura aceleradora de partculas elementares, em x=0 cm. Por meio da conservao do throughput conservao da energia chegamos s expresses mostradas a seguir,

p (0)

5 q RC 2 S eff

q(0)

c(0)

dp( x) dx

,
x 0

mas ocorre que temos cinco cavidades ressonantes, como 5qRC, ficamos com

q(0)

5q RC . 2

Com a condutncia especfica por unidade de comprimento parte 2 dada pela Expresso 3.39
3

c2 ( x) 96.0

9 (x

4) 2

0.4 ,

3.39

a taxa de degassificao especfica por unidade de comprimento dada pela Expresso 3.40 parte 2

q2 ( x )

2p 10

(x

4)

0.4 1

(x

4)

(x

4)

3.40

Obtemos o campo de presso ao longo do eixo x, Figura 3.19 por procedimentos analticos e numricos.

Figura 3.19 Campo de presso ao longo da estrutura aceleradora.

167

3.3.10 Campos de Presso em Sistemas de Vcuo Bidimensionais.


Aprofundando os estudos de casos de sistemas de alto-vcuo e ultra alto-vcuo fizemos a modelagem em situaes que apresentam muito interesse na atualidade. No caso estamos nos referindo a um possvel substituto dos tubos de raios catdicos TRC. Por mais de um sculo estes tubos tm mostrado ser eficientes e at o momento no h mostradores de imagens com a sua qualidade. Os problemas do TRC so o seu tamanho, consumo de energia e peso. Uma proposta que tem mostrado ser capaz de superar em todos os aspectos os TRC o do Mostrador por Efeito de Campo MEC. Do ponto de vista do vcuo, ele pode ser considerado formado por uma cmara de vcuo com geometria bsica bidimensional, como mostrada esquematicamente na Figura 3.20.

Anodo

Vista em Perspectiva da Cmara de Vcuo (Placas Superior e Inferior)

Catodo

W = 8 cm

T = 0,05 cm

L = 12 cm +4 y

(a) Vista Superior da Cmara de Vcuo

-6

+6

-4

(b)

Figura 3.20 Esquema do sistema de alto-vcuo do Mostrador por Efeito de Campo MEC, com
as suas dimenses tpicas em (a) e o sistema de coordenadas adotado anlise numrica em (b).

168

Muitos avanos tm sido feitos com esse tipo de dispositivo. Uma modelagem realstica deste tipo de sistema de vcuo certamente no poder ser realizada utilizando a abordagem discreta, uma vez que a altura da cmara de vcuo muito menor que as outras dimenses, e com isso temos uma condutncia muito pequena. Desta forma, a abordagem contnua deve ser utilizada. Desenvolvemos a equao de difuso capas de modelar este tipo de sistema de vcuo. Temos a equao de difuso tanto para os casos estacionrios como para os casos transientes. Como no caso dos sistemas de alto-vcuo tubulares, a formulao contnua na modelagem leva determinao do campo de presso, ao contrrio, a formulao discreta somente conseguimos determinar um valor de presso para a cmara do sistema de vcuo. Tanto no caso dos tubos como nos casos, que trataremos nesta seo, das cmaras de vcuo bidimensionais, a formulao discreta somente consegue determinar uma presso para cada instante e analisando os casos vemos que h enormes gradientes de presso no sistema de alto-vcuo. Mais uma vez realamos que a limitao na formulao discreta intrnseca a sua prpria estrutura e que no caso de sistemas de alto-vcuo como os MEC a formulao contnua essencial [11-18, 20-25, 27-37]. Uma vez que temos disponvel a equao de difuso bidimensional aplicaremos s estruturas do MEC, determinando o campo de presso estacionrio, isto , os valores de presso em todos os pontos da cmara de altovcuo no variam no tempo. A Figura 3.21 mostra os casos bidimensionais a serem apresentados os seus campos de presso, impondo as condies de contorno pertinentes a cada caso. Veja que a equao de difuso a mesma para todos casos, a distino entre um particular caso e outro est expressa nas condies de contorno. Trataremos do caso de bombeamento ser feito atravs de um orifcio, de seis orifcios, por duas fendas e por quatro fendas. O estabelecimento das condies de contorno um passo essencial para soluo do problema e certamente demanda muito esforo e o conhecimento detalhado do sistema fsico em estudo. Para as condies de contorno do tipo de Neumann, impomos os valores de throughput, que esto relacionados ao operador gradiente, em certas linhas ou bordas da estrutura do sistema de alto-vcuo. Agora para as condies de contorno do tipo de Dirichlet impomos os valores de presso em certas regies, no caso especfico dos visores, junto s regies que do acesso s bombas de vcuo. Trataremos o problema em coordenadas cartesianas, devido prpria geometria do sistema em estudo. Desta forma, deveremos encontrar a funo p

p ( x, y ) que representa o

campo de presso. Apresentaremos o problema a seguir e a sua determinao ser feita por meio da equao diferencial mostrada na expresso seguinte em sua forma geral com as condies de contorno possveis e condio inicial. Neste caso temos a equao de Poisson mostrada a seguir.

169

cx La

p ( x, y , t ) x2

cy Co

p ( x, y , t ) y2

q ( x, y , t )

VCV Co La

p ( x, y , t ) t

p( x A , y A , t ) p ( x, y , t ) x

p A (t ) p ( x, y , t ) y

cx

q A(t)
x x A , y ,t

cy

q B (t)
x , y y B ,t

cx

p ( x, y , t ) x

S A p( x A , y,t )
x x A , y ,t

cy

p ( x, y , t ) y

S B p( x, y B ,t )
x , y y B ,t

p( x, y,0)

p 0 ( x, y )

p x

0
p y

p y

p x

p x

0
p y

p y

p x

0 (a)

0 (b)

p(-6,0) = 3,8 x 10-7 mbar Sef = 1 l.s-1

p(-6,0) = 6,3 x 10-8 mbar Sef = 1 l.s-1

p y

p y

0 (d) p(-6,y) = 7,7 x 10-8 mbar -1 Sef = 1 l.s p(x,-4) = 7,7 x 10-8 mbar Sef = 1,5 l.s-1

p(-6,y) = 1,9 x 10 mbar Sef = 1 l.s-1

-7

Figura 3.21 Sistemas de alto-vcuo considerados para anlise e obteno do campo de presso: (a) um orifcio, (b) seis orifcios, (c) duas fendas e (d) quatro fendas.

170

Devemos estabelecer a seguir as condies de contorno do problema especfico. Temos que nas regies das bordas que definem a estrutura da cmara do visor, no havendo bombas de vcuo, teremos fluxo de gs igual a zero, desta forma assumimos nestas regies que o throughput nulo, matematicamente teremos

p ( x, y ) n

0 ,

sendo n a direo considerada em anlise e nos casos as direes so x e y. Continuando, as presses nas regies que do acesso s bombas de vcuo e que constituem as outras condies de contorno podem ser determinadas pelo conhecimento do valor do throughput total de degaseificao e pela imposio de uma velocidade de bombeamento nas regies escolhidas, conforme Expresso 3.41

p( x , y )

QTotal . S eff

3.41

Veja que estamos implicitamente utilizando um ingrediente da modelagem discreta para a obteno deste ltimo resultado e como dissemos para estabelecer condies de contorno. O throughput total determinado a partir do conhecimento do material utilizado na fabricao do visor e assim conhecemos a taxa de degaseificao especfica deste material. A determinao matemtica pode ser feita conforme vemos a seguir,

QTotal

2 q eMat AVisor

onde AVisor a rea da placa do visor. Desta forma, podemos tratar da modelagem dos casos propostos. A soluo ser determinada numericamente utilizando um programa baseado no mtodo dos elementos finitos [26-29]. Estaremos expondo o campo bidimensional de presso e a respectiva curva isobrica ou as chamadas curvas de nvel. Conforme mostrado na Figura 3.21 (a), a configurao do sistema de alto-vcuo bidimensional sendo bombeado atravs de um orifcio. A soluo do problema mostrada na Figura 3.22, com a determinao do campo de presso e as curvas isobricas.

171

Vemos que mesmo para regies pouco afastadas do orifcio de bombeamento as presses aumentam muito comparadas presso no orifcio. Este exemplo deixa claro que os resultados seriam impossveis de ser obtidos por meio da formulao discreta. Mas veja que usamos a formulao discreta como ponto de partida para determinao da presso junto ao orifcio, ou seja, a regio de bombeamento. Este exemplo expe o fato de termos as duas abordagens como complementares entre si.

4 3 2 Largura (cm) 1 0 -1 -2 -3 -4 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6

Comprimento (cm)

Figura 3.22 Na parte superior vemos o campo de presso para o caso do visor ser bombeado atravs de um orifcio. Na parte inferior vemos as curvas isobricas.

172

A seguir temos um caso mais difcil de ser modelado, com o mesmo dispositivo MEC. A cmara de alto-vcuo dele bombeada atravs de seis orifcios, como podemos ver na Figura 3.21 (b). Como no caso anterior, a velocidade de bombeamento em cada orifcio imposta e assim, estabelecidas as condies de contorno resolvemos a equao diferencial, mais uma vez lanando mo do mtodo dos elementos finitos, determinando o campo de presso e o seu campo gradiente mostrados na Figura 3.23.

4 3 2 Largura (cm) 1 0 -1 -2 -3 -4 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6

Comprimento (cm)

Figura 3.23 Na parte superior vemos o campo de presso para o caso do visor ser bombeado
atravs de seis orifcio. Na parte inferior vemos as curvas isobricas.

173

Como no caso anterior, tambm neste caso vemos que medida que nos afastamos dos orifcios, a presso aumenta rapidamente, indicando com isso a dificuldade de bombear em estruturas deste tipo, ou seja, cmaras de vcuo bidimensionais. Na figura 3.23 temos mostrados o campo de presso e o respectivo campo de seu gradiente, as chamadas curvas isobricas. Como nos casos anteriores, mais uma vez a abordagem discreta foi utilizada para estabelecer as condies de contorno do problema apresentado na Figura 3.21 (c). Apesar de todos os casos apresentarem velocidades do bombeamento muito prximas entre si, vemos que os campos de presso so muito diferentes, fato que no seria possvel de ser observado objetivamente com a modelagem a partir da abordagem discreta. Vemos o campo de presso e seu gradiente na Figura 2.24.

4 3 2 Largura (cm) 1 0 -1 -2 -3 -4 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6

Comprimento (cm)

Figura 3.24 Na parte superior vemos o campo de presso para o caso do MEC sendo bombeado atravs de duas fendas. Na parte inferior vemos as curvas isobricas.

174

O bombeamento feito desta forma tem uma linha de extenso maior que aquele feito atravs dos orifcios. Podemos assim esperar variaes menos intensas no campo de presso, ou em outras palavras, gradientes menores de presso. Apesar de neste caso a velocidade de bombeamento total ser de 2 litros/segundo a presso no centro do visor em torno de 3,8.10-7 mbar, enquanto que no caso do bombeamento atravs dos seis furos ter velocidade de bombeamento total de 6 litros/segundo, a presso alcanada no centro de visor em torno de 4,2.10-7 mbar. Vemos a importncia de termos o bombeamento distribudo em relao ao concentrado. No conseguiramos obter estes resultados por meio de abordagem discreta. No caso seguinte, a cmara de alto-vcuo do MEC bombeada atravs de quatro fendas colocadas bem junto a cada lado da estrutura retangular, conforme podemos ver na Figura 3.19 (d). Na Figura 3.25 temos o campo de presso e o respectivo campo de gradiente de presso. Analisando este caso e comparando com os casos anteriores, principalmente em relao ao caso do bombeamento feito atravs dos orifcios e das duas fendas, acarretando com isso variaes menos bruscas no campo de presso em relao aos casos anteriores. Vemos que neste caso em estudo, apesar da velocidade de bombeamento total ser de 5 litros/segundo a presso no centro do visor aproximadamente de 1,4.10-7 mbar, enquanto que para o caso do bombeamento atravs do seis furos ter velocidade de bombeamento total de 6 litros/segundo a presso no centro de visor em torno de 4,2.10-7 mbar. Vemos mais uma vez a importncia de termos o bombeamento distribudo em relao ao concentrado, podemos dizer da enorme importncia dos bombeamentos distribudos para obtermos presses e seus gradientes menos intensos que os concentrados. No caso do bombeamento distribudo no contorno do MEC conseguimos obter a soluo analtica para o caso de uma cmara de vcuo de bidimensional com L e W quaisquer, com a soluo geral do problema mostrada na prxima pgina. Encontramos tambm a soluo analtica para o caso de uma fonte de gs impulsiva tanto na posio como no tempo estiver correndo em qualquer parte do MEC. Este tipo de fonte de gs fundamental ser modelada, pois corresponde situao fsica de um feixe de eltrons de grande intensidade chocando-se com a tela do mostrador de imagens MEC. Fato presente tambm nos tubos de raios catdicos, corresponde situao de uma imagem de grande intensidade de luz sendo formada na tela. Assim, no caso do MEC devemos estudar o sistema de vcuo de modo a que situaes transientes de grande intensidade sejam evitadas com acionamento adequado de circuito eletrnico de proteo, restringindo assim o sinal eltrico a ser enviado tela do MEC. Assim, a funo p=p(x,y) do campo de presso estacionrio para o caso de bombeamento em toda a borda dada a seguir pela Expresso 3.42

175

p ( x, y )

4 pB
n 0

senh 2n 1

a b 2

sen 2n 1 a (2n 1) b

a b 2

senh 2n 1

4 pB
n 0

senh 2n 1

a b 2

sen 2n 1 a (2n 1) b

a b 2

senh 2n 1

4 pB
n 0

senh 2n 1

b a 2

sen 2n 1 b (2n 1) a

a a 2

senh 2n 1

4 pB
n 0

senh 2n 1

b a 2

sen 2n 1 b ( 2n 1) a

a a 2

senh 2n 1

3.42
y b 2b

n 1 n 1

Fmn n2

sen n

a 2a

cos m

com

Fmn

1 ab

a b 2 2

q s sen n
a b 2 2

x a cos m 2a

y b dxdy . 2b

Sendo que o campo de presso transiente para uma fonte impulsiva no tempo e na posio dada por

PT ( x, y, t )

q 2c

erf

A 4 t

erf

A 4 t

x erf

B 4 t

erf

B 4 t

176

com q a quantidade de gs em termos de throughput, A e B as dimenses da fonte de gs impulsiva. Cabe mencionar que neste caso valem tambm os comentrios referentes a considerao da fonte impulsiva ter sido modelada com no caso daqueles dos sistemas de alto-vcuo unidimensionais, ou seja, tubulares.

4 3 2 Largura (cm) 1 0 -1 -2 -3 -4 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6

Comprimento (cm)

Figura 3.25 Na parte superior vemos o campo de presso para o caso do visor ser bombeado atravs de toda a borda da cmara de vcuo do MEC. Na parte inferior vemos as curvas referentes ao campo gradiente de presso.

Concluindo esta seo, vimos que os campos de presso e os respectivos campos gradientes de presso puderam ser obtidos por meio da equao de difuso. Em um estudo mais profundo realizado no Apndice G fizemos uma comparao com resultados obtidos por meio do mtodo de Monte Carlo. Apesar de no caso do bombeamento efetuado por todo o contorno da

177

cmara de alto-vcuo bidimensional ter sido possvel encontrar a sua soluo analtica, em geral, temos que dificilmente nos casos corriqueiros isso possvel. Nestes casos certamente deveremos lanar mo dos mtodos numricos, sendo o mais indicado e bem desenvolvido o mtodo dos elementos finitos. O mdulo trmico dos pacotes computacionais comerciais pode ser utilizado. Fica claro, comparando com as modelagens feitas casos apresentados anteriormente, que por meio da formulao discreta no seria possvel obter o campo de presso dos sistemas de vcuo bidimensionais estudados, no obstante, usamos a formulao discreta para determinar as condies de contorno a serem imposta obteno da soluo do problema particular.

3.4 Discusso.
Com as modelagens realizadas nesta seo foi possvel estudar e aprender sobre o comportamento de sistemas de alto-vcuo com geometrias unidimensionais e bidimensionais. Obtivemos solues analticas para vrios casos de interesse, com situaes bastante encontradas na tecnologia do vcuo. Com o desenvolvimento de uma plataforma de trabalho verstil do ponto de vista computacional, afirmao feita devido a verificao que nos casos de estudos realizados, as suas solues foram obtidas em questo de minutos, uma vez construdos os modelos fsicos. Desta forma, poderemos estudar de forma eficiente e segura situaes de projeto para a determinao, por exemplo, do espaamento mximo entre bombas de alto vcuo em uma linha de transporte de feixe de eltrons. Tambm estudamos o tempo que ser necessrio deixar sem feixe um tubo acelerador de partculas caso haja um processo que libere uma quantidade impulsiva de gs no tubo. Poderemos neste caso decidir se devamos ou no colocar mais bombas de vcuo ou esperar restabelecer uma presso segura no tubo do sistema de vcuo. Assim, foi possvel atingir o objetivo de modelar e analisar em detalhe os sistemas de alto-vcuo unidimensionais e bidimensionais por meio da formulao contnua e assim obter o valor de presso em todos os seus pontos. Sempre poderemos aprimorar os modelos feitos nesta seo, em particular, referentes a especificao das fontes de gases e principalmente os vapores, estes ltimos participam de forma determinante em muitos sistemas de vcuo [11, 19-22, 25-28, 31-38].

3.5 Alcance e Limitaes das Formulaes Discreta e Contnua.


Do apresentado neste trabalho de tese tanto na construo da base terica como nas aplicaes, contidos nos captulos e nos apndices, acreditamos que foi possvel contribuir no desenvolvimento e aprimoramento de ferramentas matemticas analticas e computacionais para anlise, modelagem e clculo de sistemas de vcuo. Foram discutidas e sistematizadas as formulaes discreta e contnua na modelagem de sistemas de vcuo. Foram construdas as curvas

178

de velocidade de bombeamento para todos os tipos de bombas de vcuo, as condutncias foram consideradas em detalhe na modelagem, a degaseificao foi tratada e introduzida de forma rigorosa no processo de bombeamento de gases e vapores. Construmos funes matemticas que definem tanto a condutncia especfica como as fontes gasosas estacionrias e transientes. Continuando, foram modelados com rigor o vazamento virtual e a injeo controlada de gases e vapores. Obtivemos ainda a equao para o processo de bombeamento na formulao discreta de forma rigorosa, mostrado a sua importncia e descrevendo as fontes de gases e vapores importantes aos processos realizados em vcuo. Apesar do alcance mostrado nas anlises e modelagens tanto na formulao discreta como na formulao contnua devemos ter claro que a modelagem sempre uma idealizao de algum fenmeno que ocorre na Natureza; a modelagem tem sempre limites, dependendo da necessidade, seja prtica seja fundamental, ela poder ser extremamente difcil de ser construda. Podemos sempre fazer mais e aprimorar o que j foi feito, produzindo mais ferramentas para o projeto e modelagem de sistemas de vcuo sem perder de vista o aspecto prtico da tecnologia do vcuo , mas tambm procurando trat-la como uma cincia na rea dos processos e fenmenos em baixas presses [30-38].

3.6 Referncias.
1. Lafferty, J. M., Foundations of Vacuum Science and Technology, Wiley-Interscience Publication, 1998. 2. Wutz, M., Adam, H. and Walcher, W., Theory and Practice of Vacuum Technology. Friedr. Vieweg and Sohn, 1989. Gershendeld, N., The Nature of Mathematical Modeling, Cambridge University Press, 1999. 3. Bequette, B.W., Process Dynamics: Modeling, Analysis and Simulation, Prentice-Hall PTR, 1998. 4. MacCluer, C.R., Industrial Mathematics Modeling in Industry, Science and Government, Prentice Hall, 2000. 5. 6. Svobodny, T., Mathematical Modeling for Industry and Engineering, Prentice Hall, 1998. Shearer, J.L. and Kulakowski, B.T., Dynamics Modeling and Control of Enginnerig Systems, Maxwell Macmillan International Editions, 1990. 7. 8. Gershendeld, N., The Physics of Information Technology, Cambridge University Press, 2000. Rice, R.G. and Do, D.D., Applied Mathematics and Modeling for Chemical Engineers, John Wiley & Sons, 1995. 9. Degasperi, F.T., Anlise Detalhada de Sistemas de Vcuo, Laboratrio do Acelerador Linear do Instituto de Fsica da Universidade de So Paulo, So Paulo, SP, Brasil, 1999, Seminrio.

179

10. Roth, A., Vacuum Technology, Second and Revised Edition, North-Holland, 1986. 11. Degasperi, F.T., Cadernos de Atividades, Instituto de Fsica da Universidade de So Paulo, Circulao Restrita, 1990 at 1999. 12. Hoffman, D.M., Singh, B., and Thomas III, J.H., Handbook of Vacuum Science and Technology, Academic Press, 1997. 13. Woods, R.L. and Lawrence, K.L., Modeling and Simulation of Dynamics Systems, PrenticeHall, 1997. 14. Hablanian, M.H., High-Vacuum Technology A Practical Guide, 2nd Edition, Marcel Dekker, 1998. 15. Degasperi, F.T., Deduo da Equao Fundamental para o Processo de Bombeamento na Tecnologia do Vcuo - Objetivo Didtico, XII Congresso Brasileiro de Aplicaes de Vcuo na Cincia e na Indstria, Florianpolis, SC, Brasil, 1991. (Trabalho apresentado em Sesso Oral). 16. Sanches Junior, R.L., Tratamento Matemtico Analtico-Numrico para o Processo de Bombeamento em Tecnologia do Vcuo. (Trabalho de Graduao do Curso MPCE da FatecSP, orientado por F.T. Degasperi, 1997). 17. Degasperi, F.T., Martins, M.N., Takahashi, J. and Verardi, S.L.L., Time Dependence of the Pressure Profile in a Tube with Axilly-Dependent Degassing, Particle Accelerator Conference, PAC-2001, Chicago, Illinois, USA, 2001. Apresentado em forma de painel e publicado nos anais do congresso. 18. Degasperi, F.T., Martins, M.N., Takahashi, J. and Verardi, S.L.L., Pressure Field in a Tube with a Time- and Position-Dependent Degassing, Trabalho a ser submetido ao Journal of Vacuum Science and Technology (JVST). 19. Degasperi, F.T., Martins, M.N., Verardi, S.L.L. and Takahashi, J., Pressure Field Along the Axis of an Accelerating Structure, European Particle Accelerator Conference, EPAC-2002, Paris, France, 2002. Trabalho apresentado e publicado nos anais. 20. Redhead, P.A., Hobson, J.P. and Kornelsen, E.V., The Physical Basis of Ultra-high Vacuum, Chapman and Hall and reprint by American Vacuum Societys Series of Classics, 1993. 21. Viana, E.R., Desenvolvimento e Implementao de um Simulador para Estudos de Escoamento de Gases em Regime Molecular. Trabalho de Graduao do Curso MPCE da Faculdade de Tecnologia de So Paulo. Orientado por Francisco Tadeu Degasperi. 1999. 22. Raimundo, D.S., Simulao de Transporte de Gases em Tubos e Orifcios no Regime de Escoamento Molecular, Trabalho de Graduao do Curso MPCE da Faculdade de Tecnologia de So Paulo, Orientado por F.T. Degasperi, 2001.

180

23. Degasperi, F.T., Anlise Detalhada de Sistemas de Vcuo, Laboratrio do Acelerador Linear do Instituto de Fsica da Universidade de So Paulo, So Paulo, SP, Brasil, 1999, Seminrio. 24. Degasperi, F.T. and Mammana, V.P., Pressure Field Detailed Calcutations for a New Field Emission Device with Improved Vacuum Features, 46th International Symposium Vacuum, Thin Films, Surfaces/Interfaces and Processing, American Vacuum Society (AVS), Seattle, Washington, USA, 1999, Apresentao Oral. 25. Mammana, V.P., Degasperi, F.T., Monteiro, O.R., Vuolo, J.H., Salvadori, M.C.B. and Brown, I.G., A New Field Emission Device with Improved Vacuum Features, Journal of Vacuum Science and Technology, 18A(4), 2000. 26. Degasperi, F.T., Mammana, V.P., Verardi, S.L.L. and Baranauskas, V., Calculation of the Vacuum Pressure Gradient in Field Emission Display, Trabalho apresentado no International Conference on Metallurgical Coating and Thin Films, ICMCTF-2001, San Jose, California, USA, 2001. Surface and Coating Technology, 2002. 27. Tijonov, A.N. and Samarsky, A.A., Ecuaciones de la Fisica Matematica, Segunda Edicin, Editorial Mir, 1980. 28. Snider, A.D., Partial Differencial Equations: Sources and Solutions, Prentice Hall, 1999. 29. Verardi, S.L.L. Clculo de Campos em Magnetohidrodinmica. Tese de Doutorado. Escola Politcnica da Universidade de So Paulo, So Paulo, SP, 2002. 30. zisik, M.N., Boundary Value Problems of Heat Conduction, Dover Publications, 1989. 31. Carslaw, H.S. and Jaeger, J.C., Conduction of Heat in Solids, Oxford University Press, 1957. 32. Lewin, G., Fundamentals of Vacuum Science and Technology, McGraw-Hill, 1965. 33. Degasperi, F.T., Motta, C.C., Verardi, S.L.L., Pressure Field Along the Axis of an Klystron Amplifier, IEEE Congress on High Power Devices. To be submited. 34. Degasperi, F.T. e Baranauskas, V., Anlise Detalhada de Sistemas de Vcuo, XXII Congresso Brasileiro de Aplicaes de Vcuo na Indstria e na Cincia (CBRAVIC), Faculdade de Engenharia de Guaratinguet, UNESP, Guaratinguet, SP, Brasil, 2001. Trabalho apresentado na forma de painel. 35. Degasperi, F.T., Baranauskas, V., Pressure Field in High-Vacuum Systems: Mathematical Physics Formulation, 8th European Vacuum Conference EVC-8 2nd Annual Conference of the German Vacuum Society, Berlin, Germany, 2003. 36. Degasperi, F.T., Mammana, V.P., Baranauskas, V., Steady-State and Transient Profile in Field Emission Display, 8th European Vacuum Conference EVC-8 2nd Annual Conference of the German Vacuum Society, Berlin, Germany, 2003.

181

37. Degasperi, F.T., Pressure Field Distribuition in Ultra High-Vacuum Systems, 41st IUVSTA Workshop Vacuum System Design for Particle Accelerators: a multidiciplinary approach, Brdopri Kranju, Slovenia, 2004. 38. Degasperi, F.T., Baranauskas, V. Mathematical Physics Formulation to Pressure Field in a Tube with an Arbitrary Axisymmetric Cross Section, 16th Iternational Vacuum Congress IVC-16, Venice, Italy, 2004.

182

Captulo 4
Concluses, Perspectivas e Trabalhos Futuros
Apresentamos neste captulo as concluses do trabalho de tese e situamos os resultados alcanados para a modelagem, anlise e clculos de sistema de vcuo. Pretendemos tambm traar uma possvel perspectiva de trabalho a ser desenvolvido no futuro prximo, visando sempre aprofundar e estender os conceitos e resultados aqui obtidos s configuraes mais complexas de sistemas de vcuo.

Neste trabalho de tese foi proposto contribuir para o desenvolvimento de ferramentas matemticas analticas e numricas para modelar, calcular e analisar em profundidade sistemas de vcuo de uso geral. Foram consideradas duas maneiras diferentes de modelar sistemas de vcuo, denominadas neste trabalho de formulao discreta e formulao contnua. Na formulao discreta vimos que os sistemas de vcuo so tratados de modo que a cmara de vcuo considerada um ponto e assim conseguimos especificar apenas um valor de presso dependente do tempo. Para isto devemos partir da identificao e determinao das fontes de gases e vapores que intervm no processo em vcuo, das dimenses e particularidades da linha de bombeamento por onde escoam os gases e vapores e fornecer os tipos e capacidades de bombas de vcuo. Na formulao contnua vimos que os sistemas de vcuo so tratados de modo que em cada parte do sistema de vcuo possvel obter a presso em funo do tempo. Desta forma, temos um problema fsico com a estrutura matemtica de campo, no caso, campo escalar de presso. Ainda, de posse do campo de presso possvel obter o campo gradiente de presso. Na modelagem contnua os sistemas de vcuo so tratados com o estabelecimento de equaes diferenciais parciais, assim, necessariamente precisamos especificar as condies de contorno e condio inicial do problema. Apresentamos o desenvolvimento terico para a modelagem contnua de sistemas de alto-vcuo unidimensional e bidimensionais por meio da equao de difuso. Determinamos as condies de contorno fisicamente aceitveis s situaes fsicas encontradas nos sistemas de vcuo e ainda, definimos as grandezas fundamentais como condutncia especfica, volume especfico e taxa de degaseificao especfica por unidade de comprimento e para fontes de gases quaisquer.

183

Ainda, neste trabalho tanto para a formulao discreta como para a formulao contnua consideramos as condutncias em funo da geometria, do regime de escoamento e das propriedades fsicas dos gases e vapores. Cabe frisar que consideramos em detalhe a participao da condutncia nos clculos dos sistemas de vcuo. Fizemos uma introduo s fontes de gases e vapores e mostramos as expresses matemticas para elas serem introduzidas na modelagem. Desenvolvemos em detalhe as expresses matemticas para as curvas de velocidade de bombeamento em funo da presso para todas as bombas de vcuo de ampla utilizao tanto em laboratrios como na indstria. Diante disso, pudemos modelar sistemas de vcuo observando vrios dos seus detalhes e particularidades procurando nos aproximar bastante da realidade fsica. A anlise numrica foi feita utilizando os mtodos de Euler-Heun e Runge-Kutta de segunda e quarta ordens, com os programas computacionais desenvolvidos e construdos com a linguagem MathCadTM e MapleTM Ateno foi dada no aspecto da documentao tanto do desenvolvimento terico como dos cdigos computacionais, sendo que a exposio do conjunto do trabalho procurou ser bastante explcita e detalhada. Tambm, referente aos cdigos computacionais, facilmente podem ser introduzidas mudanas gerais. Assim, acreditamos que conseguimos contribuir para o desenvolvimento de um conjunto coerente de ferramentas matemticas modelagem de sistemas de vcuo, com alcance preciso. Fizemos um estudo detalhado sobre como devemos optar pela formulao discreta ou formulao contnua. A exposio e desenvolvimento sobre esse assunto mostraram vrias particularidades sobre o comportamento de sistemas de vcuo em geral e, em especial, mostrou o papel central da grandeza condutncia. Com o propsito de utilizar as idias desenvolvidas neste trabalho de tese aplicamos a teoria e os conceitos em geral, assim como o instrumental numrico, modelagem de vrios sistemas de vcuo com bastante presena tanto na indstria como na pesquisa. Atentos a muitas aplicaes atuais da tecnologia do vcuo, constatamos que muitos modelos podem ser criados no sentido de estud-las de forma bastante realista. De forma que podemos dizer que as principais contribuies deste trabalho de tese so: a construo de uma planilha de clculo detalhado para anlise de sistemas de vcuo com a abordagem discreta; a construo matemtica de expresses para a velocidade de bombeamento para as principais bombas de vcuo; clculo de sistemas de vcuo considerando detalhes sobre a condutncia da linha de bombeamento; definio das grandezas condutncia especfica e taxa de degaseificao especfica por unidade de comprimento de tubos, para casos gerais de tubos com rea de seo transversal varivel com o comprimento; construo matemtica para a representao de fontes de gases para tubos de rea de seo transversal varivel com o comprimento; tratamento

184

em detalhe de vrios tipos de fontes de gases e vapores; construo de equaes diferenciais para a anlise de sistemas de vcuo gerais pelo mtodo de difuso de gases e comparao dos resultados analticos e computacionais obtidos pelo mtodo de difuso de gases com o mtodo de Monte Carlo. Os resultados obtidos neste trabalho podem ser estendidos e aprimorados de forma a considerar mais detalhes e particularidades de sistemas de vcuo tanto de uso industrial como de pesquisa, tornando os modelos mais realistas e confiveis. As perspectivas de trabalhos futuros so tanto para a formulao discreta como para a formulao contnua. Nas duas formulaes podemos propor as seguintes melhorias e aprimoramentos: Incorporar s modelagens dos sistemas de alto-vcuo a funo taxa de degaseificao determinadas experimentalmente. Considerar o bombeamento em pr-vcuo de misturas gasosas. Aprofundar a comparao entre os resultados obtidos por meio da formulao contnua com o uso da equao de difuso e aqueles obtidos por meio do mtodo de Monte Carlo. Comparar os resultados por meio de modelagens com os resultados experimentais. Estender modelagens a mais sistemas de vcuo complexos.

185

Apndices
Apndice A. Processo de Bombeamento em Vcuo Abordagem Discreta.................................189 Apndice B. Equao de Difuso de Gases no Regime de Escoamento Molecular.......................209 Apndice C. Expresses Matemticas para as Curvas de Velocidade de Bombeamento de Bombas de Vcuo.........................................................................263 Apndice D. Comparao entre a Abordagem Discreta e a Abordagem Contnua na Modelagem de Sistemas de Vcuo........................................................................279 Apndice E. Modelagem do Vazamento Virtual.............................................................................307 Apndice F. Modelagem da Injeo Controlada de Gases..............................................................329 Apndice G. Escoamento dos Gases e Vapores no Regime de Escoamento Molecular Considerado como um Fenmeno de Difuso.............................................................345

- Apndice A Processo de Bombeamento em Vcuo Abordagem Discreta desenvolvemos em detalhe a deduo da Equao Fundamental para o Processo de Bombeamento em Vcuo EPBV para a realizao da modelagem discreta. A deduo rigorosa deixa claro cada termo da equao e o seu papel e a sua participao no processo assistido a vcuo. Analisamos tambm o balano de tomos e molculas entre os termos da equao e interpretamos fisicamente cada um deles. Definimos tambm as principais grandezas da tecnologia do vcuo. - Apndice B Equao de Difuso de Gases no Regime de Escoamento Molecular apresentamos as equaes diferenciais parciais para a modelagem de sistemas de alto-vcuo usando a abordagem contnua. Deduzimos em detalhe as equaes de difuso para os casos unidimensional, bidimensional e tridimensional dependentes e no-dependentes do tempo. No caso bidimensional consideramos as coordenadas cartesianas e polares e no caso tridimensional as coordenadas cartesianas e cilndricas. Definimos a condutncia especfica grandeza que consideramos fundamental e essencial anlise contnua para os casos unidimensional, bidimensional e tridimensional. Definimos matematicamente as fontes gasosas extensivas e impulsivas no tempo e no espao. Em seguida verificamos a coerncia entre as vrias expresses e conseguimos recuperar a equao diferencial bidimensional a partir da imposio de simetria no caso tridimensional. Este procedimento tambm foi feito para o caso bidimensional e assim recuperando a equao do caso unidimensional. O mesmo procedimento foi feito para o caso unidimensional at degenerar ao caso da equao diferencial da abordagem discreta, ou seja, dependente exclusivamente do tempo. Desta forma, mostramos coerncia interna na modelagem contnua.

187

- Apndice C Expresses Matemticas para as Curvas de Velocidade de Bombeamento de Bombas de Vcuo desenvolvemos expresses matemticas para as curvas de velocidade de bombeamento em funo da presso para vrias bombas de vcuo. Estas expresses so importantes para a modelagem de sistemas de vcuo em geral por meio da abordagem discreta. As expresses matemticas foram obtidas considerando a partir de ajustes das curvas de velocidades de bombeamento disponveis nos catlogos das bombas de vcuo. - Apndice D Comparao entre a Abordagem Discreta e a Abordagem Contnua na Modelagem de Sistemas de Vcuo fizemos um estudo detalhado considerando a comparao das abordagens discreta e contnua para a anlise de sistemas de vcuo. Identificamos tambm quando possvel fazer apenas uma anlise do sistema de vcuo usando a abordagem discreta, dispensando a abordagem contnua, esta ltima sempre mais trabalhosa. Os casos de estudo considerados neste apndice mostraram muito sobre o comportamento geral dos sistemas de vcuo, principalmente do papel determinante da condutncia, considerado pelo autor deste trabalho como a mais expressiva e importante grandeza para a modelagem dos sistemas de vcuo. - Apndice E Modelagem do Vazamento Virtual construmos um modelo bastante detalhado do vazamento virtual. Obtivemos uma funo que representa bastante bem o comportamento desta fonte gasosa em sistemas de vcuo. Argumentamos da importncia do seu conhecimento a fim de poder identificar a sua ocorrncia nos sistemas de vcuo. - Apndice F Modelagem da Injeo Controlada de Gases consideramos o caso de termos de introduzir gases e vapores de forma controlada em sistemas de vcuo, a partir da passagem do gs atravs de um bocal, sendo esta a situao mais comum e simples, no por isso menos confivel e precisa. O estudo pode ser aplicado para outras formas de injeo de gases e tambm de vapores. - Apndice G Escoamento dos Gases e Vapores no Regime de Escoamento Molecular Considerado como um Fenmeno de Difuso fizemos uma discusso, que procurou ser bastante profunda, sobre a considerao do transporte de gases no regime de escoamento molecular como sendo um fenmeno de natureza difusiva. Esta discusso essencial para a modelagem de sistemas de vcuo por meio da abordagem contnua. Apresentamos vrios casos de estudo que foram modelados por meio da equao de difuso e que foram comparados com o mtodo de Monte Carlo. A comparao dos resultados obtidos por meio dos dois mtodos de anlise encorajar-nos a continuar e aprofundar as modelagens de sistemas de vcuo com os gases escoando no regime molecular a partir da equao de difuso.

188

Apndice A
Processo de Bombeamento em Vcuo Abordagem Discreta.
O principal objetivo deste apndice deduzir de forma rigorosa a Equao Fundamental para o Processo de Bombeamento em Vcuo EPBV. Por meio da deduo pretendemos apresentar de forma clara como ocorre o processo de transporte de gases e vapores em baixas presses. Apresentaremos tambm as diversas fontes gasosas possveis de ocorrncia nos sistemas de vcuo e qual o papel do bombeamento, tanto da dependncia das bombas de vcuo como das condutncias da linha de transporte dos gases e vapores. Partiremos da suposio que a equao de estado dos gases ideais possa ser empregada para os gases rarefeitos, no caso, presses abaixo da presso atmosfrica. Esta suposio perfeitamente aceitvel, uma vez que a densidade dos gases pequena, tornando a distncia mdia entre as molculas suficientemente grande. Este fato experimentalmente bastante verificado, tanto para os gases acima da temperatura crtica como para os vapores que esto no saturados abaixo da temperatura crtica. Desta forma, a interao de natureza eltrica entre tomos e molculas ser importante somente nos choques delas entre si e com as paredes da cmara de vcuo e seus internos. A equao dos gases perfeitos ou ideais, chamada de equao de Clapeyron-Mendeleev, dada pela Expresso A.1

pV

n RT,

A.1

ou ainda, p V

N k T , onde p a presso, V o volume disponvel para as molculas no

recipiente neste caso a cmara de vcuo , n o nmero de mols, R a constante dos gases perfeitos, T a temperatura absoluta, N o nmero de molculas e k a constante de Boltzmann. Como exemplo de aplicao direta da equao de Clapeyron-Mendeleev citamos o mtodo da expanso esttica, usado extensamente na metrologia em vcuo, cuja base fsica est sustentada na lei de Boyle-Mariotte. Assim, apesar da sua grande simplicidade, a equao dos gases ideais ou perfeitos bastante bem aplicvel tecnologia do vcuo. Partindo da equao dos gases perfeitos, vamos derivar em relao ao tempo ambos os membros da equao Clapeyron-Mendeleev, ficamos com a Expresso A.2

pV

N kT

d pV dt

d N kT dt

dV dt

dp dt

kT

dN dt

k N

dT . dt

A.2

189

Para a maior parte dos sistemas de vcuo, geralmente, a temperatura T e o volume V da cmara de vcuo so mantidos constantes, assim, a equao acima se reduz a Expresso A.3

dp dt

kT

dN . dt

A.3

Importante notar que estamos assumindo explicitamente que a equao dos gases perfeitos pode ser aplicada para estados termodinmicos de no-equilbrio. Ao derivar a equao de estado em relao ao tempo, obtemos uma expresso que fornece explicitamente a variao da presso com o tempo. Como sabemos, a termodinmica clssica pressupe estados de equilbrio, mas admitindo que as variaes de presso em funo do tempo sejam suficientemente lentas, ou seja, que podemos considerar as variveis termodinmicas mudando continuamente e passando por sucessivos estados de equilbrio, legtimo proceder com a derivao em relao ao tempo feita acima. Devido ao movimento de translao dos tomos e molculas, temos associado a esse movimento uma energia cintica. H trs graus de liberdade no movimento de translao, um para cada direo possvel do movimento. Para cada grau de liberdade temos que a energia cintica mdia de translao igual a

1 k T , resultado obtido do princpio de equipartio de energia. 2

Desta forma, a energia cintica mdia de translao por molcula EECM dada por

E ECM

1 kT 2

3 k T . Considerando N molculas, a energia cintica mdia total de 2


N EECM N 3 kT 2 3 N k T . Usando a equao dos gases perfeitos 2

translao igual a E

neste ltimo resultado ficamos com E

3 N kT 2

3 p V . Tomando a derivada em relao ao 2

tempo da ltima expresso obtida, associamos a variao da energia cintica mdia total de translao variao da presso, temos assim a Expresso A.4

dE dt

d N EECM dt

EECM

dN dt

3 dN kT 2 dt

3 dp V 2 dt

dp dt

2 dE 3 dt

A.4

190

Vamos considerar um sistema de vcuo com vrias fontes de gases e vapores possveis presentes na cmara de vcuo. As fontes de gases e vapores possveis esto listadas a seguir: vazamento real, vazamento virtual, vaporizao, sublimao, degaseificao, permeao, fonte gasosa da bomba de vcuo, gases e vapores de processo e injeo controlada de gases e vapores. Para cada uma dessas fontes gasosas associamos uma quantidade de molculas, variando em funo do tempo, alimentando a cmara de vcuo. Como conseqncia, a ao exclusiva destas fontes gasosas far com que aumente a presso na cmara de vcuo. Por outro lado, a ao das bombas de vcuo far com que uma quantidade de gases e vapores seja removida da cmara de vcuo num certo intervalo de tempo. Desta forma, podemos identificar trs parcelas na equao que estabelece o balano de nmero de molculas, para um intervalo de tempo

t , na cmara de vcuo. Temos a parcela

relativa ao nmero de molculas que alimenta a cmara de vcuo devido s fontes de gases e vapores, a parcela devida variao de presso na cmara de vcuo ou, posto de outra forma, a variao do nmero de molculas na cmara de vcuo, e ainda, a parcela relativa ao nmero de molculas removidas pela ao das bombas de vcuo. Esquematicamente, podemos representar as trs partes da equao do balano entre a variao do nmero de tomos e molculas na cmara de vcuo, conforme mostrado na Figura A.1

Cmara de Vcuo

Bombas de Vcuo

Linha de Bombeamento
Figura A.1 Configurao genrica de um sistema de vcuo. O processo de bombeamento em tecnologia do vcuo considera trs partes principais: a quantidade gasosa sendo bombeada pelas bombas de vcuo seta verde , a quantidade gasosa devido s fontes gasosas que alimentam a cmara de vcuo seta azul , e a variao de presso na cmara de vcuo crculo vermelho.

191

Matematicamente escrevemos o balano a variao do nmero de molculas, ocorrendo em um intervalo de tempo

t , na cmara de vcuo da seguinte forma

NCV

N FGV

N BV ,

onde,

N CV a variao do nmero de molculas na cmara de vcuo,

N FGV o nmero de

molculas que alimenta a cmara de vcuo e

N BV o nmero de molculas removida pelas


t . No caso do nmero de molculas

bombas de vcuo, para todos eles no intervalo de tempo relativo totalidade das fontes dos gases e vapores

N FGV , podemos considerar o nmero de


t , para cada particular tipo de

molculas que alimenta a cmara de vcuo no intervalo de tempo fonte gasosa. Assim, a Expresso A.5 est mostrada a seguir

N FGV

NVR

NVV

NVap

N Sub

N Deg

N Perm

N FBV

NGP

N IC ,

A.5

onde, - NVR o nmero de molculas que alimenta a cmara de vcuo, no intervalo de tempo ao vazamento real, - NVV ao vazamento virtual, - NVap vaporizao, - N Sub sublimao, - N Deg degaseificao, - N Perm permeao, - N FBV fonte gasosa da bomba de vcuo, - N GP aos gases e vapores de processo e - N IC injeo controlada de gases e vapores. No caso da variao do nmero de molculas na cmara de vcuo intervalo de tempo

t , devido

N CV , ocorrendo num

t , podemos escrever considerando a temperatura constante, a partir da

equao dos gases perfeitos para o volume da cmara de vcuo VCV

192

VCV pCV VCV pCV

NCV k T N FGV

VCV

pCV

NCV k T N BV k T .

N BV k T

N FGV k T

Fazendo uso da expresso explicitas das fontes dos gases e vapores, a equao acima fica conforme mostrado na Expressso A.6

VCV

p CV N VR N VV N Vap N Sub N Deg N Perm N FBV N GP N IC k T N BV k T A.6

Assim, temos a expresso que relaciona a variao de presso na cmara de vcuo com a variao do nmero de molculas alimentando a cmara de vcuo, e ainda, relacionando ao nmero de molculas removidas pelas bombas de vcuo. Dando continuidade, definimos a grandeza Q'

dN . Ela expressa a variao do nmero de dt

molculas na cmara de vcuo, no tempo. Como p V escrevemos a Expresso A.7

N k T , temos que N

pV . Assim, kT

Q'

dN dt

d dt

pV kT

1 d pV , k T dt

A.7

considerando a temperatura constante. Admitindo que o volume no varie no tempo, temos

Q'

1 dp V . Como obtido anteriormente, sabemos que kT dt

dE dt

3 dN kT 2 dt

3 dp V 2 dt

dp dt

2 dE . 3 dt

193

Portanto, Q '

2 1 dE . Definimos agora a grandeza throughput como sendo Q 3 k T dt

k T Q' .

Desta forma, encontramos Q

2 dE , ou seja, verificamos que o throughput igual a dois teros 3 dt

da variao no tempo da energia cintica mdia do movimento de translao das molculas na cmara de vcuo. Como forma alternativa, assumida em alguns textos, o throughput definido de partida como sendo Q

kT

dN , levando aos mesmos resultados obtidos pela outra definio. dt

O throughput uma grandeza que depende da variao no tempo do nmero de molculas, digamos, em uma cmara de vcuo, ou ainda, que cruza uma determinada seo transversal de um tubo. O throughput tambm depende da temperatura. A maneira como ele definido, primeira vista pode parecer trazer alguma dificuldade na identificao do nmero de molculas variando no tempo em certa regio do sistema de vcuo, uma vez que devemos precisar a temperatura do gs. Isto um fato, devemos conhecer a temperatura. Por outro lado, uma vez conhecida a temperatura, podemos encontrar o nmero de molculas variando no tempo. Um aspecto importante, e que no obvio primeira vista, refere-se interpretao fsica da grandeza throughput. Como dissemos, ela dois teros da variao no tempo da energia cintica mdia de translao das molculas. Assim, podemos interpretar que, durante o processo de bombeamento nos sistemas de vcuo, estamos determinando a vazo de energia cintica mdia de translao das molculas! Vemos que a unidade do throughput energia na unidade de tempo, ou seja, potncia. Como as molculas esto em constante movimento de translao, elas tm energia cintica correspondente a esse movimento, assim, a evoluo temporal da presso nos sistemas de vcuo pode ser modelada e interpretada como sendo um processo de balano de energia cintica devido ao movimento dos tomos e molculas presentes no sistema de vcuo. Do ponto de vista conceitual, estamos procurando obter uma relao para o transporte dos gases e vapores no sistema de vcuo. Vemos que construmos uma expresso baseada no princpio de conservao de energia. Ainda, alm de consideraes formais, por meio do procedimento estabelecido, poderamos considerar o transporte de gases e vapores em sistemas de vcuo com partes apresentando diferentes temperaturas. A definio da grandeza throughput leva essa possibilidade. Continuando, podemos rescrever a equao que relaciona a variao de presso na cmara de vcuo, com a variao do nmero de molculas alimentando a cmara de vcuo, e ainda, o efeito das bombas de vcuo, para um dado intervalo de tempo

t . Como

194

VCV kT

pCV NVR NVV NVap N Sub N Deg N Perm N FBV N GP N IC kT N BV

explicitando cada um dos throughputs, ficamos com

VCV

pCV kT kT NVR N Perm kT kT NVV kT NVap kT N Sub N IC kT kT N Deg N B.V .

N FBV

kT

N GP

kT

Vamos considerar, nesta ltima equao, as parcelas variando na unidade de tempo, desta forma, dividimos por

t . Ficamos assim com a Expresso A.8

VCV

pCV t NVr t N Perm t NVV t NVap t N Sub t N IC t N Deg t N B.V . t

kT

kT

kT

kT

kT

A.8

kT

kT

N FBV t

kT

N GP t

kT

kT

Fazendo o limite para

0 , temos

VCV

dpCV dt dNVr dt dN Perm dt dNVV dt dNVap dt dN Sub dt dN IC dt dN Deg dt dN B.V . dt

kT

kT

kT

kT

kT

kT

kT

dN FBV dt

kT

dN GP dt

kT

kT

195

Identificamos, para cada uma das parcelas do segundo membro como sendo os throughputs relativos s fontes dos gases e vapores e a ltima parcela como sendo o throughput bombeado pelas bombas de vcuo. Rescrevendo a ltima equao diferencial de forma mais compacta, temos a Expresso A.9

VCV

dpCV (t ) dt

QVR QVV

QVap QSub QDeg QPerm QFBV


n

QGP QIC

kT

dN BV (t ) dt

VCV

dpCV (t ) dt

kT

dN BV (t ) dt

Qi ,
i 1

A.9
onde, - QVR o throughput devido ao vazamento real, - QVV ao vazamento virtual, - QVap vaporizao, - QSub sublimao, - QDeg degaseificao, - QPerm permeao, - QFBV fonte gasosa da bomba de vcuo, - QGP aos gases e vapores de processo, e - QIC injeo controlada de gases e vapores. Um sistema de vcuo geral pode ser representado, nas suas partes essenciais, como mostrado na Figura A.2. Temos a cmara de vcuo, estando a presso pCV =pCV (t), e esquematicamente apresentando as possveis fontes de gases e vapores. Esto mostradas tambm a linha de bombeamento dos gases e vapores e as bombas de vcuo. Nosso objetivo agora uma vez identificado o termo relativo ao throughput do bombeamento dos gases e vapores, escrever este termo a partir das grandezas as quais especificamos os sistemas de vcuo, na situao particular, as bombas de vcuo e a linha de bombeamento.

196

Cmara de Vcuo

QVR QIC QVap QBV QGP QPerm QFBV QDeg QVV QSub

Bombas de Vcuo

Linha de Bombeamento

Figura A.2 Esquema de um sistema de vcuo mostrando as possveis fontes de gases e vapores que alimentam a cmara de vcuo, com a linha de bombeamento, que atravs dela, os gases e vapores escoam at atingirem a bomba de vcuo.

Identificamos na ltima equao diferencial a parcela k T

dN BV (t ) como sendo o dt

throughput bombeado pelas bombas de vcuo. Podemos escrever este throughput, que est deixando a cmara de vcuo, como funo da velocidade efetiva de bombeamento Sef e a presso na cmara de vcuo pCV(t) . A velocidade efetiva de bombeamento a velocidade de bombeamento que efetivamente de fato est bombeando os gases e vapores na cmara de vcuo. Ela considerada como sendo a velocidade de bombeamento ocorrendo, imediatamente, no acesso da cmara de vcuo tubulao que segue em direo s bombas de vcuo. Na Expresso A.10 escrevemos o throughput devido ao efeito das bombas de vcuo como sendo

QBV

kT

dN BV (t ) dt

Sef pCV (t ) .

A.10

197

Assim, temos a equao diferencial para o processo de bombeamento dos gases e vapores na cmara de vcuo mostrada na Expresso A.11

VCV

dpCV (t ) dt dpCV (t ) dt

QBV
i 1

Qi
A.11
n

VCV

Sef pCV (t )
i 1

Qi .

Esta ltima equao diferencial ordinria de primeira ordem bsica para a tecnologia do vcuo, uma vez que a partir dela, em princpio, podemos obter o conhecimento da evoluo temporal da presso na cmara de vcuo. Ela est escrita em termos das variveis que representam as grandezas que ocorrem nos projetos em tecnologia do vcuo. Como sabemos, a velocidade efetiva de bombeamento pode ser escrita em termos da velocidade da bomba de vcuo Sbv , geralmente fornecida pelas empresas fabricantes, e da condutncia total CTotal da linha de bombeamento que liga a cmara de vcuo s bombas de vcuo. A seguinte equao conecta estas ltimas grandezas

1 S ef

1 S bv

1 CTotal

S ef

S bv CTotal . S bv CTotal

Esta ltima funo, no caso mais geral, dependente da presso, uma vez que a velocidade de bombeamento das bombas de vcuo e a condutncia podem ser dependentes da presso. Assim, a Equao Fundamental para o Processo de Bombeamento em Vcuo EPBV , com a condio inicial do problema, so mostradas abaixo na Expresso A.12 com a sua condio inicial

VCV

dp CV (t ) dt

S ef p CV (t )
i 1

Qi .

VCV

dp CV (t ) dt

S bv CTotal S bv CTotal p CV t 0

p CV (t )
i 1

Qi .

A.12

p0

198

Complementando, podemos interpretar fisicamente os termos da equao diferencial acima. O termo VCV

dpCV (t ) refere-se variao temporal da presso na cmara de vcuo. O termo dt

Sbv CTotal pCV (t ) refere-se ao throughput bombeado pelas bombas de vcuo; a presena deste Sbv CTotal
n

termo faz com que a presso na cmara de vcuo tenda a diminuir. O termo
i 1

Qi refere-se ao

throughput total devido s fontes dos gases e vapores presentes no sistema de vcuo; este termo intrinsecamente no-negativo e faz com que a presso na cmara de vcuo tenda a aumentar. Analisemos os seguintes casos notveis: 1) A bomba de vcuo est fechada. Assim,
n

Sbv CTotal Sbv CTotal

0 , pois Sbv
dpCV (t ) dt

0 . Como o termo relativo

s fontes de gases e vapores


i 1

Qi

0 , ficamos com VCV

0 , desta forma a presso na

cmara de vcuo estar crescendo, at que o termo das fontes gasosas seja igual a zero.

2) O termo do bombeamento e maior que o termo relativo s fontes gasosas. Neste caso, matematicamente temos Sef pCV (t )

Sbv CTotal pCV (t ) Sbv CTotal

Qi , desta forma, temos que


i 1

VCV

dpCV (t ) dt

0. Explicitando, temos que o volume sempre uma grandeza positiva, conclumos

desta forma que a presso na cmara de vcuo est diminuindo no tempo, pois a sua derivada no tempo negativa.

3) O termo relativo s fontes gasosas maior que aquele relativo ao bombeamento dos gases e vapores. Neste caso, matematicamente VCV vcuo est crescendo com o tempo.

dpCV (t ) dt

0 , significando que a presso na cmara de

4) O termo relativo s fontes de gases e vapores igual ao termo relativo ao bombeamento. Matematicamente temos

S ef pCV (t )

Sbv CTotal pCV (t ) Sbv CTotal

Qi ,
i 1

consequentemente,

199

VCV

dpCV (t ) dt

0 , como o volume da cmara de vcuo sempre nmero positivo, necessariamente

dpCV (t ) dt

0 , digamos para t>t. Isto significa que a presso na cmara de vcuo tem valor

constante no tempo, este o caso quando a presso atinge o valor da presso final. Do ponto de vista matemtico, para resolvermos a equao diferencial devemos especificar um determinado valor da varivel dependente pCV para um determinado valor da varivel independente t ; geralmente sabemos o valor da presso no incio do bombeamento. Por exemplo, a presso atmosfrica a presso na cmara de vcuo para t=0. Ou ainda, quando passamos do pr-vcuo para o alto-vcuo, temos que a presso inicial na cmara de vcuo para o processo de bombeamento em alto-vcuo a presso final na cmara de vcuo para o processo de bombeamento em pr-vcuo. Concluindo, podemos dizer que construmos a equao fundamental para o processo de bombeamento dos gases e vapores para a tecnologia do vcuo, a partir do princpio de conservao de energia. Em termos gerais, estamos em condies de especificar quais fontes de gases e vapores participam do processo ocorrendo em vcuo, e mais, devemos ser capazes de julgar se temos fontes gasosas dominantes e, com isso, fazer simplificaes, desprezando as fontes de gases e vapores pouco intensas frente a dominante. Lembrando, as fontes gasosas so aditivas, ou seja, vrias fontes pouco intensas somadas podem resultar em um throughput aprecivel. Outro ponto que merece ser discutido o referente aos sistemas de vcuo, cujo processo de bombeamento tem a interveno de diferentes tipos de gases e vapores. Na maior parte das aplicaes h vrios gases e vapores presentes na cmara de vcuo. Ocorre que na maioria desses sistemas de vcuo h a predominncia de um determinado tipo de gs ou vapor. Nestes casos, o estudo do processo de bombeamento realizado considerando somente aquela espcie gasosa e, negligenciando a presena dos outros gases e vapores. Desta forma, a condutncia total e a velocidade de bombeamento das bombas de vcuo precisam ser determinadas para o particular gs ou vapor considerado. Em contra partida, h situaes nas quais temos a participao de dois ou mais tipos de gases e vapores no processo ocorrendo em vcuo. Nos casos em que os vrios gases e vapores esto participando em um particular processo em quantidades comparveis, ou ainda, o desempenho do bombeamento de um tipo gasoso bem diferente do outro tipo gasoso, deveremos considerar a anlise do sistema de vcuo para cada um dos gases ou vapores. A ttulo de ilustrao e exemplificao da Equao Fundamental para o Processo de Bombeamento em Vcuo EPBV vamos considerar um sistema de vcuo simples composto de uma bomba mecnica de palhetas de duplo estgio conectada a uma cmara de vcuo por meio de um tubo e vlvula. Este sistema de vcuo pode ser considerado o mais simples possvel dentro da

200

tecnologia do vcuo, desde que a bomba de vcuo tenha velocidade bombeamento constante, a condutncia da tubulao seja muito grande comparada velocidade de bombeamento da bomba de vcuo e ainda a fonte de gs, alm da do volume da cmara de vcuo gasosa, seja de throughput constante. A Figura A.3 mostra esquematicamente o sistema de vcuo a ser analisado. Este pode ser considerado o sistema de vcuo mais simples que pode ser concebido, uma vez que temos as trs partes essenciais presentes, que so: a cmara de vcuo, a linha de bombeamento e a bomba de vcuo. Veremos que mesmo dentro desta aparente simplicidade, a modelagem deste sistema de vcuo pode ser muito complicada, basta considerarmos alguns aspectos em detalhe, como por exemplo, a dependncia da velocidade de bombeamento da bomba de vcuo com a presso.

Cmara de Vcuo

Vlvula de Pr-Vcuo

Bomba Mecnica de Palhetas

pCV = pCV(t)

Linha de Bombeamento

Figura A.3 Esquema de um sistema de vcuo mostrando a cmara de vcuo, com a linha de bombeamento e a bomba de vcuo mecnica de palhetas.

A bomba mecnica de palhetas de duplo estgio tem velocidade de bombeamento constante desde a presso atmosfrica, patm = 1000 mbar at presses em torno de 1 mbar. Podemos modelar o sistema de vcuo utilizando a EPBV conforme mostrado a seguir

VCV

dp CV (t ) dt

S ef p CV (t )
i 1

Qi ,

201

considerando que estamos admitindo que a condutncia seja muito maior que a velocidade de bombeamento da bomba de vcuo na faixa de presso em estudo, temos que S ef

S BV . Ainda,

supomos que a fonte de gs relevante seja aquela do gs do volume da cmara de vcuo e um throughput residual, ficamos com

VCV

dp CV (t ) dt

S BV p CV (t ) Q final .

Desta forma, podemos escrever

VCV

dpCV (t ) dt dpCV (t ) dt

S BV pCV (t ) S BV p final
.

VCV

S BV pCV (t )

p final

Considerando a presso inicial pCV (t Expresso A.13

0)

p atm , temos a seguinte soluo geral, mostrada na

pCV (t )

p atm

p final exp

S BV t VCV

p final , para p atm

pCV (t ) 1 mbar .

A.13

Assim, nas condies apresentadas acima, a presso na cmara de vcuo varia com o tempo conforme a ltima funo matemtica apresentada. Com o propsito de validar o modelo construdo, fizemos no Laboratrio de Tecnologia do Vcuo LTV da Faculdade de Tecnologia de So Paulo FATEC-SP uma experincia nas condies do modelo apresentado e medimos a presso na cmara de vcuo em funo do tempo. Utilizamos dois sensores de vcuo, uma coluna de mercrio e um Pirani. Na Figura A.4 vemos a curva da presso na cmara de vcuo em funo do tempo, variando desde a presso atmosfrica at a presso final. A presso final depende da velocidade efetiva de bombeamento considerada igual velocidade de bombeamento da bomba de vcuo e do throughput da fonte de gs com valor Q final bombeamento da bomba de vcuo constante.

S BV p final . Veja que consideramos a velocidade de

202

Figura A.4 Grfico da variao da presso na cmara de vcuo em funo do tempo. O sistema de vcuo composto da cmara de vcuo, da linha de bombeamento e da bomba de vcuo.

Vemos que desde a presso atmosfrica patm=1000 mbar at pcv=1 mbar a presso varia na cmara de vcuo conforme a expresso apresentada na modelagem considerando a velocidade de bombeamento constante. A partir desta presso no podemos mais desconsiderar o efeito da condutncia da linha de bombeamento e o fato de a velocidade de bombeamento da bomba de vcuo variar com a presso. Utilizamos um medidor Pirani para fazer as medies de presso na cmara de vcuo a medida que ocorre o bombeamento de gs. Desde a presso atmosfrica at aproximadamente 300 mbar, o sensor Pirani nos fornece o valor de presso com uma incerteza de 200 mbar, sendo assim muito grande frente presso em medio. Para conseguirmos realizar uma medio com incerteza menor, utilizamos uma coluna de mercrio, e fizemos uso dela desde a presso atmosfrica at a presso na cmara de vcuo de 300 mbar. A Figura A.5 mostra a curva de variao de presso na cmara de vcuo com a utilizao do medidor de coluna de mercrio, para a primeira faixa de presso 1000 mbar at 200 mbar e o sensor Pirani para a segunda faixa de presso 200 mbar at a escala de 10-2 mbar.

203

Figura A.5 Grfico da variao da presso na cmara de vcuo em funo do tempo. O sistema de vcuo composto da cmara de vcuo, da linha de bombeamento e da bomba de vcuo. Foram utilizados os sensores coluna de mercrio e Pirani.

Vemos que o ajuste linear dos pontos experimentais concorda muito bem com o modelo considerando as hipteses assumidas. Temos que os resultados alcanados, mesmo considerando as hipteses simplificadoras, so bastante bem modelados por meio da expresso empregada. Com isso argumentamos que podemos modelar sistemas de vcuo considerando as vrias faixas de presso de sua operao. Para cada regio de trabalho devemos analisar o problema e fazer as simplificaes pertinentes e plausveis, esperando ser fiel realidade do processo em vcuo sendo modelado. Assim, voltando questo referente ao transporte de gases e vapores, a anlise e a modelagem do processo de bombeamento, para um particular gs ou vapor, podem constituir um problema complicado, dependendo quase que exclusivamente do tipo de regime de escoamento gasoso. No caso do regime de escoamento viscoso laminar, os gases escoam de forma coletiva, considerando a hiptese do contnuo, tratado adequadamente pela mecnica dos fluidos. O

204

escoamento dos gases e vapores, no regime viscoso laminar, atravs da linha de bombeamento feito de forma que os choques das molculas entre si mantenham a mistura gasosa homognea. Desta forma, a condutncia ser, tambm, funo da viscosidade da mistura gasosa e a velocidade de bombeamento da bomba de vcuo dever ser considerada, tambm, para a mistura gasosa. Dado o caracter coletivo e contnuo do escoamento viscoso laminar, as diferentes molculas escoam de forma que permanea a homogeneidade da mistura gasosa; devendo ser considerados os valores das grandezas fsicas desta mistura. A discusso sobre a anlise e modelagem dos sistemas de vcuo com a mistura gasosa escoando no regime intermedirio essencialmente a mesma que a feita anteriormente. Frisando que neste caso a teoria menos desenvolvida e podemos em primeira aproximao considerar os modelos que fazem uso da ponderao entre os regimes de escoamento viscoso laminar e molecular. Com relao velocidade de bombeamento das bombas de vcuo, podemos adotar um valor para cada particular gs ou vapor. A anlise e a modelagem dos sistemas de vcuo, com o transporte da mistura gasosa ocorrendo no regime de escoamento molecular, so mais simples, dado o caracter individual deste tipo de escoamento. As molculas chocam-se exclusivamente com as paredes do sistema de vcuo, desta forma, elas podem ser consideradas completamente independentes uma das outras. Assim, o tratamento matemtico feito tambm de modo individual para cada tipo de gs ou vapor. Para isso, adotamos as fontes gasosas, as condutncias e as velocidades de bombeamento das bombas de vcuo para cada tipo de gs ou vapor e resolvendo a equao diferencial do processo de bombeamento individualmente. Concluindo, vemos que pela prpria essncia da construo da equao diferencial dependente exclusivamente do tempo, o resultado que poderemos alcanar somente poder nos fornecer a presso na cmara de vcuo em funo do tempo. Este tipo de anlise, neste trabalho chamado de abordagem discreta, em princpio nada pode dizer sobre ao valor da presso em cada ponto do sistema de vcuo. O modelo tem apenas dimenso temporal. Para muitos sistemas de vcuo isto no constitui uma limitao excessiva. H uma srie de casos na tecnologia do vcuo cuja cmara de vcuo suficientemente grande e sem partes de geometria complicada, e com as bombas de vcuo e fontes gasosas dispostas de forma que no encontramos intensos gradientes de presso. Por outro lado, tambm encontramos uma srie de importantes sistemas de vcuo, cuja geometria e disposio de bombas de vcuo e fontes gasosas levam enormes variaes de presso na cmara de vcuo e consequentemente a intensos gradientes de presso. Para esses casos desenvolvemos um tipo de anlise para sistemas de alto-vcuo, chamada neste trabalho de abordagem contnua, capaz de encontrar os valores de presso em todos os pontos da cmara de vcuo. Para sistemas de vcuo grosseiro e pr-vcuo

205

podemos lanar mo dos programas computacionais da mecnica dos fluidos. Ateno especial deve ser dada no sentido do estabelecimento das condies de contorno do problema. Cabe mencionar que no caso de empreendermos uma anlise, tanto em sistemas de prvcuo como em sistemas de alto-vcuo, usando a abordagem contnua, certamente usaremos uma anlise via abordagem discreta para obtermos condio inicial e s condies de contorno. De forma alguma a anlise e a modelagem, usando a abordagem discreta devem ser vista como uma ferramenta menor. A seguir apresentamos um curto glossrio com as definies das grandezas fundamentais da tecnologia do vcuo. As grandezas que apresentamos as definies so: presso, throughput, condutncia, velocidade de bombeamento e velocidade efetiva de bombeamento. Presso Do ponto de vista fsico baseado em primeiros princpios, podemos definir a presso exercida por um gs como sendo a intensidade mdia da fora normal total que age em uma superfcie, devido aos choques de origem molecular, dividido pelo valor da rea. Matematicamente, podemos escrever

d FN dA

onde, FN a intensidade mdia da fora normal total que age na superfcie de rea A. Throughput Esta grandeza definida pela expresso

d p V dt

dV dt

dp . dt

Ainda, podemos escrever o throughput como sendo

p S,

onde S a velocidade de bombeamento cujo valor de presso p. O termo throughput no tem uma boa traduo para a lngua portuguesa; uma possvel traduo que preserve o significado fsico talvez seja vazo energtica. Este caso foi tratado em detalhe neste apndice, cujo significado fsico foi muito explorado e sua importncia para a modelagem de sistemas de vcuo enfatizada.

206

Condutncia uma grandeza de fundamental importncia para a modelagem dos sistemas de vcuo. Na opinio do autor deste trabalho, ela a grandeza que mais caracteriza um sistema de vcuo; todos os aspectos importantes para determinar o escoamento dos gases e vapores esto contidos na condutncia. A condutncia quantifica a facilidade que os gases e vapores tm de escoar por uma tubulao ou orifcio. Ela depende de vrios fatores, que so: do regime de escoamento, do gs ou vapor, da temperatura, da forma do tubo e de suas dimenses e da presso (exceto no regime de escoamento molecular, cujas condutncias so independentes da presso). O inverso da condutncia a impedncia. Matematicamente podemos escrever a seguinte relao que define a condutncia

C AB p A

pB

C AB

Q pA pB

onde, Q o throughput que passa entre os pontos A e B de uma tubulao ou orifcio, CAB a condutncia do tubo ou orifcio entre os pontos A e B e pA e pB as presses nos pontos A e B respectivamente. Velocidade de Bombeamento Esta grandeza expressa a quantidade em volume de gs ou vapor na unidade de tempo que removida por uma bomba de vcuo, ou ainda, que passa por uma seo transversal do tubo ou orifcio. Em termos matemticos temos que a velocidade de bombeamento dada pela expresso

dVGS dt

Velocidade Efetiva de Bombeamento Esta grandeza tem o mesmo conceito da velocidade de bombeamento. A velocidade efetiva de bombeamento aquela velocidade de bombeamento bem junto cmara de vcuo. Em termos matemticos podemos escrever

1 S ef

1 S bv

1 CTotal

S ef

S bv CTotal , S bv CTotal

com Sbv a velocidade de bombeamento da bomba de vcuo e CTotal a condutncia total da linha de bombeamento.

207

Referncias: - Degasperi, F.T.; Caderno de Atividades - Notas Particulares. Instituto de Fsica da Universidade de So Paulo. - Degasperi, F.T.; "Deduo da Equao Fundamental para o Processo de Bombeamento na Tecnologia do Vcuo. Objetivo Didtico". XII Congresso Brasileiro de Aplicaes de Vcuo na Cincia e na Indstria, Florianpolis, SC, Brasil, 1991. Seminrio. - Degasperi, F.T.; Corra Filho, W.F.; Sanches Junior, R.L.; "Detalhes do Processo de Bombeamento em Sistemas de Vcuo Industriais". Sesso "Tecnologia do Vcuo na Indstria" do XIX Congresso Brasileiro de Aplicaes de Vcuo na Indstria e na Cincia XIX CBRAVIC, LNLS, Campinas, SP, Brasil, 1998. Comunicao Oral. - Degasperi, F.T.; Bottecchia, J.P.; Jungel, M.; Tpicos de Preparao e Manuseio de Sistemas de Vcuo Indstrias em Geral. Sesso Tecnologia do Vcuo na Indstria do XVIII Congresso Brasileiro de Aplicaes de Vcuo na Indstria e na Cincia XVIII CBRAVIC, Inmetro, Xerm, RJ, Brasil, 1997. Palestra. - Degasperi, F.T.; Aplicaes da Tecnologia do Vcuo na Indstria. Programa de Atualizao Tecnolgica. Faculdade de Tecnologia de So Paulo - Fatec-SP, CEETESP, So Paulo, SP, Brasil, 1998. Palestra. - Degasperi, F.T.; Deteco de Vazamentos. XX Congresso Brasileiro de Aplicaes de Vcuo na Indstria e na Cincia XX CBRAVIC. Instituto de Fsica da Universidade de So Paulo, So Paulo, SP, Brasil, 1999. Curso. - Degasperi, F.T.; Anlise Detalhada de Sistemas de Vcuo. Laboratrio do Acelerador Linear do Instituto de Fsica da Universidade de So Paulo, So Paulo, SP, Brasil, 1999. Seminrio. - Degasperi, F.T.; Caderno de Atividades - Notas Particulares. Faculdade de Tecnologia de So Paulo, Fatec-SP, CEETEPS, So Paulo, SP. 2005. - Acciari, R.; - Medio de Velocidade de Bombeamento de Bombas de Vcuo. Monografia de Trabalho de Graduao do Curso de Materiais, Processos e Componentes Eletrnicos MPCE. Orientador: Francisco Tadeu Degasperi. Trabalho realizado no Laboratrio de Tecnologia do Vcuo LTV. 2004. - Berman, A.; Vacuum Engineering Calculations, Formulas, and Solved Exercises. Academic Press, Inc, 1992.

208

Apndice B
Equao de Difuso de Gases no Regime de Escoamento Molecular.
A difuso est presente em muitos processos bsicos que ocorrem na natureza. Ela tem importncia em fenmenos fsicos, qumicos e biolgicos, tanto para a cincia e conhecimento bsicos como para aplicaes. H processos de transportes de massa, de calor por conduo e de quantidade de movimento em fluidos que so tratados como fenmenos difusivos. Estes fenmenos podem ocorrer nos estados slido, lquido e gasoso e tambm no estado de plasma. Consideraremos o fenmeno relativo ao transporte de gases no regime de escoamento molecular como sendo de difuso. A adoo desta suposio no imediata e requer um estudo mais detido e profundo do fenmeno de transporte em questo, no mnimo ele precisa de uma justificativa, mesmo que seja heurstica. Uma condio bsica que deve satisfazer o processo de transporte para que ele seja considerado um fenmeno difusivo quanto ao mecanismo bsico de movimentao daquilo que est se difundindo. O movimento deve estar sustentado no chamado passeio aleatrio. No Apndice O discutimos em detalhe o escoamento de gases e vapores no regime molecular como sendo um fenmeno de transporte de origem difusiva. Como sabemos, o regime de escoamento molecular aquele cujo caminho livre mdio maior que as dimenses do sistema de vcuo. Matematicamente falando, o nmero de Knudsen maior que um. Apresentamos estudos de casos de sistemas de altovcuo com modelagens realizadas por meio da equao de difuso e por meio do mtodo de Monte Carlo. Comparando os resultados obtidos por meio desses dois mtodos completamente diferentes, verificamos que os resultados so bastante prximos entre si, o suficiente para estar dentro da incerteza dos medidores de alto-vcuo utilizados. Sabemos que este fato no prova que o transporte de gases e vapores no regime de escoamento molecular possa ser considerado um fenmeno difusivo, apenas corrobora o fato. No temos como provar este fato! Uma vez feita esta suposio, deveremos comparar os resultados obtidos com os dados experimentais caso seja possvel obt-los , ou comparar com outras anlises e modelagens confiveis. Pelo que j foi alcanado, estamos confiantes e encorajados em utilizar a equao de difuso para modelar os sistemas de alto-vcuo e ultra alto-vcuo, ou melhor, de maneira mais precisa, os sistemas de vcuo com os gases em regime de escoamento molecular. Uma vez que a fsica-matemtica dos fenmenos de difuso bastante desenvolvida, principalmente devido transferncia de calor por conduo nos slidos, poderemos utilizar uma srie de raciocnios, abordagens e resultados desta rea na tecnologia do vcuo. Assim, determinar os valores de presso em funo do tempo para todos os pontos do sistema de vcuo, ou seja, teremos uma soluo com

209

estrutura de campo escalar. Cabe um alerta: apesar de termos disponveis muitos resultados matemticos da equao de difuso para a transferncia de calor por conduo, a sua adaptao situao do escoamento dos gases em regime molecular no um procedimento direto e mecnico. No Apndice O apresentamos casos muito particulares de modelagens de sistemas de alto-vcuo, com os campos de presso obtidos por meio da equao de difuso e que so comparados com os obtidos pelo mtodo de Monte Carlo. Os resultados obtidos encorajaram-nos a construir, neste trabalho de tese, equaes diferenciais para modelar sistemas de alto-vcuo com geometrias mais complexas. Precisamos interpretar e desenvolver todos os conceitos inerentes ao transporte de gases rarefeitos em regime molecular. A Figura B.1 mostra de forma esquemtica um recipiente contendo gs com os tomos e molculas sendo bombeados atravs de um tubo at atingirem a bomba de alto-vcuo.

Cmara de Vcuo Bomba de Alto-Vcuo

Bombeado!

Tubo e outros Acessrios na Linha de Bombeamento


Figura B.1 Representao esquemtica do processo de bombeamento de tomos e molculas dos gases e vapores no regime de escoamento molecular.

Neste trabalho definimos as grandezas condutncia especfica, throughput especfico para taxa de degaseificao e throughput para qualquer outra fonte gasosa. Nessas grandezas estaro representadas matematicamente as caractersticas bsicas dos sistemas de vcuo, necessrias para a sua modelagem na abordagem contnua. Estaremos desenvolvendo a seguir a deduo da equao de difuso para os casos unidimensional, bidimensional e tridimensional. Conjuntamente

210

apresentaremos as condies de contorno e a condio inicial necessrias soluo matemtica do problema. Caso Unidimensional. O transporte dos gases e vapores em regime molecular tem um mecanismo bastante distinto daquele que estamos familiarizados com os fluidos em geral. No caso dos fluidos, seja lquido ou gs, o seu transporte tratado pela mecnica dos fluidos. A suposio bsica da mecnica dos fluidos consider-los um meio contnuo, apesar de os fluidos serem formados individualmente por tomos e molculas e estes estarem incessantemente em movimento aleatrio devido agitao trmica. No caso gasoso, se o nmero de Knudsen for menor que 0,01 (Kn<0,01) seguramente podemos aplicar as equaes de Navier-Stokes para modelar o comportamento dos gases e vapores. No caso dos gases e vapores escoando no regime molecular (Kn>1) a hiptese do contnuo no pode ser adotada, assim no so vlidas as equaes de Navier-Stokes. Desta forma deveremos procurar uma formulao adequada situao fsica para a modelagem dos sistemas de alto-vcuo. Vemos na Figura B.2 de forma esquemtica, mas bastante fiel situao fsica, o processo de escoamento dos gases ocorrendo ao longo do tubo de forma completamente aleatria. Recorrendo novamente Figura B.1, ela mostra que para os tomos e molculas serem bombeados, eles precisam encontrar o orifcio do tubo e em seguida vencer todo o comprimento do tubo e finalmente chegar bomba de alto-vcuo. A trajetria das partculas completamente ao acaso ocorrendo num movimento sem direo preferencial. devido a este fato que se torna difcil o bombeamento no regime molecular em comparao ao regime viscoso laminar e viscoso turbulento.

Tubo

x
X1 X2

Figura B.2 tomos e molculas realizando ao longo do tubo o passeio aleatrio devido a ocorrncia dos choques com as paredes deste tubo obedecendo a regra de Knudsen.

211

No regime viscoso o transporte dos gases e vapores d-se de forma coletiva, o movimento de uma partcula influencia no movimento de outras partculas. No caso do transporte dos gases e vapores no regime molecular, o movimento individual e depende exclusivamente da agitao trmica das partculas. Assim, como no temos choques entre as partculas gasosas entre si, somente com as paredes do sistema de vcuo, ocorre como se os tomos e molculas estivessem sozinhos no sistema de vcuo. Desta forma, o movimento de uma partcula no influencia o movimento de outras partculas. Vamos nos ater ao transporte dos gases ao longo do tubo. Esquematicamente podemos consider-lo de forma simples, mas sem perder a sua essncia, conforme mostrado na Figura B.3. Determinaremos o balano do nmero de tomos ou molculas que atravessa duas superfcies, posicionadas em x1 e x2 e perpendiculares ao eixo do tubo. Assim, consideremos um tubo reto de rea de seo transversal constante A, orientado na direo x . Diremos que no ponto x1 a corrente molecular j1, e no ponto x2 a corrente molecular j2, para um dado instante t. Definimos corrente molecular como sendo o nmero de tomos ou molculas que cruza uma seo transversal do tubo por unidade de rea na unidade de tempo, isto , o fluxo de partculas. Temos que a corrente molecular uma funo da posio x e do tempo t, escrevemos j=j(x,t). Assim, para os pontos x1 e x2 temos que j1=j(x1,t) e j2=j(x2,t). A Figura B.3 mostra esquematicamente a construo matemtica do balano do nmero de partculas na regio entre x1 e x2. Definimos a funo n=n(x,t) como sendo o nmero de partculas (tomos ou molculas) por unidade de volume na posio x e no instante t.

Volume V rea A Tubo

J1

J2

x
X1 X2

Figura B.3 Os elementos geomtricos para a construo da equao de balano do nmero de partculas em transporte entre os pontos x1 e x2.

212

Vamos adotar a validade da 1a lei de Fick para o processo difusivo de gases e vapores em baixas presses, particularmente, assim ficamos com a Expresso B.1

j ( x, t )

n ( x, t ) , x

B.1

onde D o coeficiente de difuso. A forma da ltima expresso praticamente define o fenmeno de origem difusiva. Considerando a conservao do nmero de partculas no intervalo espacial

x2

x1 , no instante t, temos que a expresso

j2 A

j1 A

j ( x2 , t ) A

j ( x1 , t ) A

j ( x2 , t )

j ( x1 , t ) A ,

igual ao nmero de partculas que atravessa a superfcie em x2 menos o nmero de partculas que atravessa a superfcie x1 , no intervalo de tempo t. Assim, escrevendo em termos da variao da densidade de partculas no volume V=A x, ficamos com

j2 A

j1 A

j ( x2 , t ) A

j ( x1 , t ) A

j ( x2 , t )

j ( x1 , t ) A

n ( x, t ) t

onde x1

x2 . Assim, sabendo-se que V=A x temos a Expresso B.2

j ( x, t ) A

n ( x, t ) t j ( x, t ) x

n ( x, t ) A x t n ( x, t ) t

B.2

fazendo os limites para

0 e simultaneamente x

0 encontramos a igualdade

j ( x, t ) x

n ( x, t ) . t

Usando explicitamente a 1a lei de Fick na expresso acima, ficamos com

213

n ( x, t ) x

n ( x, t ) , t

considerando que o coeficiente de difuso D seja constante, termos a Expresso B.3

n ( x, t ) x2

n ( x, t ) . t

B.3

Esta ltima a equao de difuso escrita em termos da densidade de tomos ou molculas por unidade de volume, ou seja, a densidade volumtrica de partculas. Vamos escrever esta equao diferencial em termos da presso, uma vez que nos sistemas de vcuo, esta a grandeza medida. Consideraremos que a presso no sistema de vcuo varie de forma que possamos ainda definir estados de equilbrio termodinmico em cada instante. Assim, utilizando a equao de estado dos gases perfeitos aplicada a cada pequeno volume centrado nos pontos da reta x encontramos

p V

N kT

N V

1 p kT

mas sabemos que

n ( x, t )

lim
V

N ( x, t ) V

ento, encontramos a expresso da densidade volumtrica de gs em termos da presso

n ( x, t )

1 p ( x, t ) . kT

Finalmente, a equao de difuso escrita na Expresso B.4 em termos da varivel presso do gs

1 p ( x, t ) x k T

1 p ( x, t ) t k T

214

p( x, t ) x

p( x, t ) t

p ( x, t ) x2

p ( x, t ) t
. B.4

p( xA , t )

p A (t )

p ( x, t ) x x

qA
xA

p( x, t ) x x

S A pA
xA

p( x,0)

p0 ( x)

Consideramos o coeficiente de difuso constante na equao de difuso mostrada acima. Este fato ser bastante explorado mais frente e veremos que este coeficiente tem fundamental importncia para a modelagem rigorosa de sistemas de alto-vcuo. A sua definio precisa um dos resultados deste trabalho e exemplificaremos em vrias situaes bastante freqentes e relevantes em tecnologia do vcuo. Vemos que estamos diante de um problema de condies de contorno com condio inicial, com uma equao diferencial a derivadas parciais de segunda ordem. Escrevemos as condies de contorno possveis e a condio inicial, em breve sero discutidas e veremos como imp-las nas modelagens de problemas unidimensionais dependentes do tempo. Existem muitos sistemas de vcuo que podem ser perfeitamente modelados considerando apenas uma dimenso espacial. A soluo da equao diferencial, representada pela funo presso p=p(x,t) tem estrutura de campo escalar. A soluo deste tipo de problema somente ser possvel se forem especificadas duas condies de contorno na varivel espacial x e a condio inicial para um dado instante t, em geral o instante inicial. A corrente molecular foi utilizada para estabelecer o balano do nmero de tomos ou molculas no volume V, porm para a tecnologia do vcuo a grandeza de maior interesse o

throughput. Assim, da mesma forma como fizemos no Apndice A para o throughput em ternos do nmero de tomos e molculas sendo bombeado na unidade de tempo

kT

dN dt

e podemos escrever para a formulao de campo de presso unidimensional o throughput como sendo,

Q( x, t )

k T A j ( x, t ) .
215

Mas sabemos que

j ( x, t )

n ( x, t ) x

1 kT

p ( x, t ) x

portanto encontramos a Expresso B.5

Q ( x, t )

k T A j ( x, t )

DkT A

1 kT

p ( x, t ) x p ( x, t ) x

D A

p ( x, t ) x
B.5

Q ( x, t )

D A

A Expresso B.5 ser utilizada intensamente em nossas modelagens de sistemas de vcuo por meio da formulao contnua. Para tanto deveremos associar e interpretar a grandeza D.A apropriadamente terminologia e conceitos relativos tecnologia do vcuo. Veremos que esta grandeza est ligada condutncia do tubo ou orifcio por onde os gases escoam. o A partir dela poderemos encontrar por exemplo a quantidade de gs que chega em uma bomba de vcuo, ou ainda, as condies de contorno que tenham origem nas fontes gasosas. Podemos tirar uma concluso muito importante sobre o escoamento dos gases nos sistemas de vcuo a partir das seguintes relaes obtidas anteriormente

j ( x, t ) x

1 kT

p ( x, t ) t

Q ( x, t )

k T A j ( x, t ) .

Assim, encontramos a seguinte igualdade mostrada na Expresso B.6

1 k T A 1 A

Q( x, t ) x Q( x, t ) x

1 k T

p( x, t ) t
B.6

p( x, t ) t

A ltima expresso nos diz que o throughput ser constante ao longo de uma tubulao, ou seja, o throughput no depende da coordenada espacial x, se a presso em cada ponto do sistema de
216

vcuo no variar com o tempo. Portanto, no estado estacionrio

p ( x, t ) t

0 ,

throughput no depende da posio. Este resultado somente ser vlido se no ocorrerem outras fontes de gases ou vapores alm daquelas da cmara de vcuo, ou seja, o tubo apenas um caminho para o transporte dos gases. A parede do tubo, ela mesma, no degaseifica ou apresenta qualquer outra fonte gs, como por exemplo, vazamentos. Considerando o efeito dos gases que tm origem nos tubos, deveremos incorporar o throughput desta fonte de gs a ltima expresso. Agora consideraremos a expresso para o caso de um trecho de um sistema de vcuo unidimensional que possa ter fontes de gases e vapores ao longo do seu comprimento. Admitiremos um tubo de rea de seo transversal constante de rea A, conforme esquematizado na Figura B.4. O elemento de volume pode ser escrito como V = A x com x = x2 - x1. Temos que o tubo apresenta uma taxa de degaseificao por unidade de comprimento que denominaremos por q = q(x,t). No trecho do tubo com comprimento x = x2 -x1 escreveremos a equao de balano do throughput dos gases e vapores.

rea A

Volume

Tubo

q1

q2

x
X1 X2
Figura B.4 Construo geomtrica para a determinao do balano do throughput no elemento de tubo com comprimento x = x2 x1, podendo apresentar fontes de gases e vapores em sua extenso. Considerando o trecho do tubo entre x1 e x2 teremos a seguinte relao,

q1

q x q2

A x

p , t

217

nesta relao, as fontes de gases e vapores podem depender da posio e do tempo, assim como a presso. Para uma maior generalidade, escrevemos a ltima relao como

Q( x1 , t ) q x Q( x2 , t )

A x

p( x, t ) , t

com q1

Q( x1 , t ) e q2

Q( x2 , t ) para o intervalo x1

x2 . Continuando, o throughput em

cada ponto x ao longo do tubo pode ser determinado como funo da condutncia especfica c , que a condutncia por unidade de comprimento. Assim, seja a condutncia do tubo de comprimento L igual a C, temos que a condutncia especfica dada por c=C.L. Ainda, para um trecho de tubo de comprimento x , temos que o throughput Q, que escoa atravs tubo, pode ser escrito como

C x ( p1

p2 ) C p

C x ( p1

p2 )

x x

( p1

p2 ) x

( p2 x

p1 )

assim, construmos a Expresso B.7

Q ( x, t )

p ( x, t ) , x

B.7

assim, teremos que

q1

Q ( x1 , t )

p ( x, t ) x

e
x1 , t

q2

Q ( x2 , t )

p ( x, t ) x

.
x 2 ,t

Desta forma, temos na equao do balano do throughput para o trecho x do tubo

Q ( x1 , t ) q x Q ( x2 , t )

A x

p ( x, t ) t
,

p ( x, t ) x

q ( x, t )
x1 , t

p ( x, t ) x x2 ,t

A x

p ( x, t ) t

218

colocando em uma forma mais adequada, ficamos com

p ( x, t ) x x 2 ,t

c x

p ( x, t ) x

x1 , t

q ( x, t )

x x

x p ( x, t ) x t

fazendo simultaneamente os limites para

0, x

0e t

0 na expresso abaixo

c lim
x 0 x 0 t 0

p ( x, t ) x

c
x2 ,t

p ( x, t ) x

x1 , t

lim

x 0 x 0 t 0

q ( x, t )

x x

p ( x, t ) t

encontramos a equao de difuso unidimensional para a modelagem de sistemas de alto-vcuo com as condies de contorno possveis e condio inicial mostradas na Expresso B.8

p ( x, t ) x2

q ( x, t ) A

p ( x, t ) t
.

p( x A , t )

p A (t )

p ( x, t ) x x

q A(t)
xA

p ( x, t ) x x

S A p( x A )
xA

p( x,0)

p0 ( x)
B.8

As constantes definidas formalmente como: volume por unidade de comprimento, A

V , vemos que a constante A coincide com a rea A, L

condutncia por unidade de comprimento ou condutncia especfica, c

C L, e

a quantidade de gs em termos de throughput especfico ou throughput por unidade de comprimento do tubo das fontes gasosas presentes no sistema de vcuo, q=q(x,t).

Para determinar a soluo de um problema especfico, deveremos especificar duas condies de contorno, que podem ser dos seguintes tipos: Condio de Dirichlet. A presso especificada um determinado ponto do sistema de vcuo tubular. Matematicamente, temos a Expresso B.9

219

p( x A , t )

p A (t ) ,

B.9

Nos casos mais comuns a serem modelados encontramos que a presso, especificada em um particular ponto, constante no tempo, desta forma p(xA,t)=pA.

Condio de Neumann. O throughput especificado em algum ponto do sistema de vcuo tubular. Assim, matematicamente escrevemos a Expresso B.10

p ( x, t ) x

q A (t ) ,
x xA

t .

B.10

Na maior parte dos sistemas de vcuo temos que o throughput, especificado em um determinado ponto, constante no tempo, assim q(t)=qA. Em muitos sistemas de vcuo esta condio de contorno tambm ser usada para estabelecer a continuidade do throughput, escoando em regies da tubulao com condutncias especficas de diferentes valores. Ainda, este tipo de condio de contorno ser usado na modelagem para unir trechos de tubos com diferentes taxas de degaseificao por unidade de comprimento. Nestes modelos escreveremos a equao de difuso para cada trecho de tubo, em seguida, a condio de contorno de Neumann nas regies apresentando diferentes condutncias especficas ou diferentes throughputs especficos. Nestes casos poderemos escrever a condio de contorno de Neumann das seguintes formas mostradas na Expresso B.11

p ( x, t ) x

qA,
x xA

B.11.a

ou,

c1

p1 ( x, t ) x

c2
x xA

p 2 ( x, t ) x

,
x xA

B.11.b

ou ainda,

220

p1 ( x, t ) x

c
x xA

p 2 ( x, t ) x

x xA

p1 ( x, t ) x

x xA

p 2 ( x, t ) x

.
x xA

No caso de um ponto a, ao longo do eixo x, cujo throughput igual a zero, podemos escrever

p ( x, t ) x

0.
x xA

B.11.c

Podemos interpretar fisicamente este ltimo caso de duas formas: podemos ter no ponto a uma tampa ou uma vlvula que impede o escoamento de tomos e molculas. Em outro caso, podemos ter no ponto a um ponto de mxima presso.

Condio de Robin: H uma dependncia entre o valor da presso num ponto o valor do throughput no mesmo ponto ao longo do sistema de vcuo tubular, matematicamente, temos a Expresso B.12

p ( x, t ) x

SA pA
x xA

B.12

Na condio de contorno de Robin h uma combinao linear do valor da presso com a derivada da presso em relao direo x. No caso mais geral, este tipo de condio de contorno pode ser formulada como na Expresso B.13

p ( x, t ) x

S p ( x, t )

f ( x, t )

B.13

onde SA a velocidade de bombeamento. Nos problemas mais gerais encontrados em tecnologia do vcuo, a ltima equao colocada na sua forma homognea, mostrada na Expresso B.14

p ( x, t ) x

S A p( x A , t )
x xA

0.

B.14

221

O significado fsico desta ltima expresso pode ser interpretado da seguinte forma: junto bomba de vcuo, na posio xA, o throughput de gs bombeado pode ser expresso de duas formas distintas. Assim, na Expresso B.14, temos que o throughput bombeado q A funo da variao da presso em relao a posio x, calculado em xA, assim

qA

p ( x, t ) x

, e escrito em outra forma, q A funo da velocidade de bombeamento


x xA

da bomba de vcuo, assim q A

S A p( x A , t ) .

No caso de termos um tubo com rea de seo transversal varivel, apresentando simetria cilndrica, a sua rea de seo transversal poder ser escrita matematicamente como uma funo que depende do comprimento do tubo. A Figura B.5 mostra esquematicamente um tubo com seo transversal que depende de x.

rea A=A(x)

Volume V= V(x)

Tubo

q1

q2 q

x
X1 X2

Figura B.5 Construo geomtrica para a determinao do balano do throughput no elemento de tubo com rea de seo varivel com comprimento x = x2 x1, podendo apresentar fontes de gases e vapores em sua extenso. Seguiremos o mesmo raciocnio adotado anteriormente, isto , baseado na conservao do throughput no volume V relao,

A x , encontramos para o trecho do tubo entre x1 e x2 a seguinte

222

q1 q x q2

A x

p , t

nesta relao, as fontes de gases e vapores podem depender da posio e do tempo, assim como a presso. Para uma maior generalidade escrevemos a ltima relao como mostrada na Expresso B.15

Q( x1, t ) q x Q( x2 , t )

A x

p( x, t ) , t

B.15

com q1

Q( x1 , t ) e q2

Q( x2 , t ) para o intervalo x1

x2 . Continuando, o throughput em

cada ponto x ao longo do tubo pode ser determinado como funo da condutncia especfica, que neste caso varia de ponto a ponto ao longo do tubo, uma vez que o dimetro do tubo no constante, assim

Q ( x, t )

c( x)

p ( x, t ) . x

Podemos escrever que

q1

Q ( x1 , t )

c ( x1 )

p ( x, t ) x x1 ,t

q2

Q ( x2 , t )

c ( x2 )

p ( x, t ) . x x2 ,t

Desta forma temos, junto equao do balano do throughput para o trecho x do tubo

Q( x1 , t ) q x Q( x2 , t )

A x

p( x, t ) t
,

c( x1 )

p( x, t ) x x1 ,t

q( x, t )

c( x2 )

p( x, t ) x x2 ,t

A x

p( x, t ) t

colocando em uma forma mais adequada, ficamos com

223

c( x2 )

p ( x, t ) x x2 ,t x

c( x1 )

p ( x, t ) x x1 ,t

q ( x, t )

x x
t

A( x )

x p ( x, t ) x t

fazendo simultaneamente os limites para

0, x

0e

0 na expresso abaixo

c( x2 ) lim
x 0 x 0 t 0

p ( x, t ) x

c( x1 )
x2 ,t

p ( x, t ) x

x1 , t

lim
x x t

0 0 0

q ( x, t )

x x

A( x )

p ( x, t ) t

encontramos finalmente a equao de difuso unidimensional para a modelagem de sistemas de alto-vcuo tubulares com rea de seo transversal varivel com o comprimento do tubo, como mostrada na Expresso B.16. Apresentamos tambm as condies de contorno possveis e a condio inicial, cuja discusso referente a sua especificao idntica quela feita no caso anterior. Adiantamos que deveremos definir com preciso as grandezas condutncia especfica, throughput por unidade de comprimento e rea de seo transversal em funo da posio do tubo. Mais frente definiremos rigorosamente estas grandezas.

x
2

c( x)

p ( x, t ) x

q ( x, t )

A( x)

p ( x, t ) t p ( x, t ) t
.

c( x)

p ( x, t ) x2

dc( x) p( x, t ) dx x p ( x, t ) x

q ( x, t )

A( x)

p( xA , t )

p A (t )

c( x A )

q A(t)
x xA

c( x A )

p ( x, t ) x

S A p( x A )
x xA

p ( x ,0 )

p0 ( x)
B.16

Quando o problema de condies de contorno independente do tempo, isto , um problema estacionrio, podemos fazer simplificaes. Assim, temos que para

p ( x, t ) t

0, t

a equao de difuso e as possveis condies de contorno tomam a seguinte forma, como na Expresso B.17
224

d dp( x) c( x) dx dx

q( x)

d 2 p( x) c( x) dx 2

dc( x) dp( x) dx dx dp( x) dx

q( x)
. B.17

p( x A )

pA

c( x A )

dp( x) dx

qA
x xA

c( x A )

S A p( x A )
x xA

A equao diferencial encontrada acima pode assumir uma forma integral, como podemos ver abaixo. Esta forma de tratar matematicamente o problema pode ser adequada em muitos casos, uma vez que a soluo pode ser obtida diretamente de duas integraes e as suas constantes de integrao podem ser encontradas a partir da imposio das condies de contorno. Assim, manipulando matematicamente temos

d 2 p( x) c( x) dx 2

dc( x) dp ( x) dx dx
x

q ( x)

dp ( x) d c( x) dx dx dp( x) dx 1 c( x)
x

q( x)

dp ( x) c( x) dx
p

q( x )dx
a

q ( x )dx
a

dp ( x) dx dx

1 c( x )

q( x )dx dx
a

e, finalmente chegamos expresso matemtica mostrada na Expresso B.18

p( x)
b

1 c( x )

q ( x )dx dx
a

B.18

com as constantes a e b determinadas a partir da imposio das condies de contorno. Conseguimos obter por meio de primeiros princpios a equao de difuso, para o escoamento dos gases e vapores em regime molecular, para tubos de rea de seo transversal varivel com o seu comprimento. Na deduo aparecem os coeficientes: condutncia especfica, throughput por unidade de comprimento e rea de seo transversal em funo da posio x do tubo. Esses coeficientes so de fundamental importncia, uma vez que eles definiro o sistema de alto-vcuo tubular a ser modelado. Fazendo um paralelo com a transferncia de calor por conduo
225

temos neste caso os coeficientes: condutibilidade trmica, quantidade de gerao de calor por unidade de volume e o produto entre a capacidade trmica especfica e a densidade do material. Nos materiais homogneos e anisotrpicos a condutibilidade trmica constante para qualquer forma do corpo; ela uma caracterstica do meio material que flui por conduo o calor. Este ltimo ponto bastante interessante e igualmente importante quando o transposto situao do escoamento de gases no regime molecular. No caso do escoamento dos gases em regime molecular o meio o vcuo! Podemos primeira vista criticar esta ltima afirmao, dizendo que o meio o prprio gs rarefeito. Uma vez que, por menor que seja a presso, sempre temos um meio material composto por tomos e molculas. A questo fsica essencial que estamos supondo o escoamento dos gases no regime molecular; neste regime as molculas se chocam com as paredes do tubo. Os choques das molculas entre si so eventos bastante raros. Desta forma, apesar de termos gs no tubo, o meio o vcuo, ou melhor, o meio o vcuo cercado pelas paredes do tubo. Assim, no caso do escoamento molecular Kn>1 , a grandeza condutncia especfica deve dependem de caractersticas geomtricas do tubo. Sabemos deste fato quando calculamos a condutncia para um trecho de tubo. Queremos encontrar uma expresso para a condutncia especfica, ou seja, para um dado comprimento unitrio de tubo. A grandeza condutncia, de um trecho de tubo, est relacionada com a facilidade com que os gases escoam ao longo deste tubo. Vamos ento construir a grandeza condutncia especifica para tubos de rea de seo varivel com o seu comprimento. Antes vamos construir uma expresso matemtica capaz de tratar com a situao esquematizada na Figura B.6.

rea A=A(x)

Volume V= V(x)A(xN). xN

Tubo de rea de Seo Transversal Varivel

x
X 1 X2 X3 X4 X5 ....XA..... XN-1
Figura B.6 Construo geomtrica para a determinao da condutncia total do tubo em funo da associao das condutncias de cada elemento de comprimento xN = xN xN-1.

226

Temos um tubo de comprimento L, com rea de seo transversal varivel A=A(x). A expresso matemtica que construiremos ser muito til para verificarmos a expresso da condutncia especfica, detalharemos frente. Assim, dividimos o tubo de comprimento L em comprimentos elementares e nomeamos as suas extremidades, como vemos a seguir. Consideremos a condutncia total do tubo igual a C. Vamos admitir que cada trecho elementar do tubo de rea varivel possa ser substitudo por um tubo cilndrico. Assim, teremos uma composio de trechos cilndricos associados em srie. Para cada tubo elementar, de comprimento xN = xN xN-1, escrevemos que a condutncia especfica igual a c N

CN xN .

Temos que CN a condutncia total do tubo elementar de comprimento xN, calculado por meio da expresso C N

RT 18M

dN , com T a temperatura absoluta, M a massa molecular do gs, dN o xN

dimetro do tubo e xN o seu comprimento. Como a condutncia especfica, ou tambm chamada de condutncia por unidade de comprimento, definida como c N

C N x N temos a Expresso B.19

CN

RT 18 M

3 dN xN

cN

C N xN

RT 18 M

3 dN xN

xN

B.19

cN

RT 18 M

3 dN

Para cada tubo elementar escrevemos a expresso da respectiva condutncia especfica, temos

c1

C1 x1 ,

c2

C 2 x2 ,

c3

C3 x3 ,

cN

CN xN .

Colocando na seguinte forma

c1 x1

C1 ,

c2 x2

C2 ,

c3 x3

C3 ,

cN xN

CN ,

227

sem perda de generalidade, consideraremos que os tubos elementares tm o mesmo comprimento, assim

x1

x2

x3

xN

x . Esses tubos elementares de rea de seo transversal

que podem ser diferentes entre si , de comprimento xN so aproximados por tubos cilndricos de igual comprimento xN e associados em srie, formando um tubo de comprimento total L. Cada tubo cilndrico elementar tem dimetro que pode ser considerado como sendo um valor mdio do tubo de rea de seo transversal varivel, conforme esquematizado na Figura B.7

Tubo Elementar de rea de Seo Transversal Constante

rea A=A(x)

Volume VCIL= VCIL(x)ACIL(xN). x


N

Tubo de rea de Seo Transversal Varivel

x
X0 X 1 X 2 X3 X4 X5 ....XA..... XN

Figura B.7 Construo geomtrica do tubo original a partir dos tubos elementares cilndricos. Cada tubo elementar tem comprimento xN = xN xN-1.

Podemos calcular a condutncia total a partir da associao em srie dos tubos cilndricos elementares, a expresso mostrada abaixo

1 CT

1 C1

1 C2

1 C3

1 CN

1 CT

1 c1 x1

1 c2 x2

1 c3 x3

1 cN xN

228

1 CT

1 c1 x

1 c2 x

1 c3 x 1 CT

1 cN x 1 c1 1 c2

1 CT

x c1

x c2

x c3

x cN
.

1 c3

1 cN

O elemento de comprimento

x pode ser determinado como

L N

xN N

x0

, onde N o funo das

nmero de tubos elementares cilndricos. Desta forma, a condutncia total em condutncias especficas dada pela Expresso B.20

1 CT

1 c1 1 CT

1 c2 L N

1 c3
N i 1

1 cN 1 ci

1 CT 1 L N
N i 1

L 1 N c1

1 c2

1 c3 N L 1
N i 1

1 cN
,

CT

1 ci

CT

1 ci

assim,

CT

N L

1
N i 1

1 ci

B.20

Podemos considerar a expresso acima para o caso da discretizao aumentar muito, a ponto de admitirmos que o tamanho de cada tubo elementar tenda zero. Assim, podemos escrever

CT

N L

1
N i 1

1 L N
N i 1

1 1 ci
N

1 ci

x
i 1

1 ci

CT

1
N i 1

1 ci

Fazendo o limite da expresso acima para N

8 e x

0, encontramos a Expresso B.21

229

CT

1
L

1 dx c( x)

B.21

Assim, uma vez determinada a condutncia especfica do tubo de rea de seo varivel em funo da posio ao longo do seu eixo c=c(x) , podemos em princpio obter a condutncia total deste tubo. Mais uma vez vemos que fundamental encontrar a expresso para o clculo da condutncia especfica para tubos de rea de seo transversal qualquer. Assim vamos construo desta expresso. O ponto de partida a expresso de Knudsen para o clculo da condutncia de um tubo no regime de escoando molecular, conforme mostrada abaixo

CT

4 v 3

1
L

( x) dx F ( x)
2

sendo v a velocidade quadrtica mdia do gs v define o permetro do tubo em funo da sua posio e F

2 RT M

1 2

, a expresso

( x)

F ( x) a expresso que define a rea da

seo transversal do tubo em funo da posio. Proposta por Knudsen, por meio desta expresso calculamos a condutncia de tubos no regime de escoamento molecular. Assim, temos a expresso de Knudsen colocada em sua forma operacional

CT

8 2 RT 3 M

1 2 L

1 . ( x) dx F 2 ( x)

Quando Knudsen, em 1909, props esta equao, em princpio ela foi considerada vlida para qualquer geometria tubular, ou seja, desde que mantivesse a sua simetria em torno do eixo do tubo. Essa expresso foi criticada e proposta uma outra por Smoluchowski em 1910. Smoluchowski considerou a equao de Knudsen vlida somente para o tubo cilndrico. Adiantamos que neste trabalho de tese estamos usando a equao de Knudsen para outras geometrias e os resultados obtidos nas modelagens, comparados com o mtodo de Monte Carlo, tm mostrado excelente concordncia entre eles, de fato, menor que a incerteza intrnseca dos
230

medidores de presso. Desta forma, definimos neste trabalho a condutncia especfica para uma dada posio do tubo, ou seja, a condutncia por unidade de comprimento para uma dada posio do tubo, que chamaremos simplesmente de condutncia especfica, como sendo a Expresso B.22

c( x)

8 2 RT 3 M

1 2

1 ( x) 2 F ( x)

B.22

onde, na expresso e a funo F

( x) a funo que define o permetro do tubo, dependente da posio x,

F ( x) define a rea da seo transversal do tubo em funo de x. Com o propsito de

verificar a coerncia da definio da condutncia especfica de um tubo de comprimento L, com a expresso C T

1
L

1 dx c ( x)

, vemos que o resultado mostrado a seguir

CT

1 1 dx c( x)

1 1 8 2 RT 3 M
1 2

dx 1 ( x) 2 F ( x)
1 2 L

8 2 RT 3 M

1 2 L

1 1 dx 1 ( x) 2 F ( x)
,

CT

8 2 RT 3 M

1 ( x) dx 2 F ( x)

recupera a expresso de Knudsen para a determinao da condutncia do tubo no regime de escoamento molecular. Vamos agora definir as grandezas rea de seo transverso em funo da posio x e o throughput por unidade de comprimento em funo de x. Esta tarefa, como veremos, essencialmente geomtrica, fazendo uso da geometria diferencial. Vamos considerar que o tubo gerado a partir da revoluo de uma linha que define o perfil do tubo, chamada de geratriz, em torno do eixo x. A linha geratriz definir a parede do tubo com eixo de simetria axial em torno da reta x. A Figura B.8 ilustra a construo geomtrica do tubo gerado pela funo geratriz f=f(x). Neste

231

ponto podemos, uma vez tendo claramente definido o tubo do ponto de vista geomtrico, escrever explicitamente as funes da seo transversal do tubo.

( x) , que define o permetro do tubo e F

F ( x) , que define a rea

Extremidade do Tubo em x=0

Extremidade do Tubo em x=L

y
f=f(x)

x
0 xA L
rea A=A(x) do Tubo em xA

Figura B.8 Construo do tubo a partir da revoluo da funo geratriz f(x) em torno do eixo x.

Assim, construmos as funes

( x) e F

F ( x) , para o intervalo 0

( x)

2 f ( x)

F ( x)

f 2 ( x) .

Com essas definies encontramos prontamente a funo A equao de difuso para tubos

A( x ) , necessria para a construo da

A( x)

f 2 ( x) .

Ainda, podemos encontrar uma expresso mais adequada para o clculo da condutncia especfica, considerando diretamente a definio do tubo a partir da sua funo geratriz f=f(x). Assim, temos a Expresso B.22

232

c( x)

8 2 RT 3 M

1 2

1 ( x) 2 F ( x)

8 2 RT 3 M

1 2

1 2 f ( x) f 2 ( x)
2

B.22

c( x)

2 3

8 RT M

1 2

f 3 ( x)

vemos que a condutncia especfica cresce com a temperatura. Com ela, aumenta a velocidade mdia das molculas, portanto aumenta a probabilidade de escoar pelo tubo. O movimento devido agitao trmica responsvel exclusivo pelo transporte dos gases e vapores no regime de escoamento molecular, no h movimento coletivo, somente o individual. Ainda, a condutncia especfica decresce com a massa molecular. Uma vez que a energia cintica mdia de translao funo exclusiva da temperatura para o gs ideal suposio considerada vlida nas condies de gs rarefeito com o aumento da massa molecular, deveremos ter uma diminuio da velocidade mdia de translao, com isso, haver uma diminuio na mobilidade das molculas. A funo f=f(x) o raio do tubo na posio x; como visto para o tubo cilndrico, na expresso da condutncia total, a sua dependncia com o dimetro, ou com o raio, cbica. Desta maneira, vemos que h coerncia em nossa proposta de definio da condutncia especfica para tubos de rea de seo transversal arbitrria. As fontes de gases e vapores devem ser especificadas a fim de realizarmos a modelagem do sistema de alto-vcuo. Mais, elas devem ser quantificadas adequadamente para poderem participar da equao de difuso, ou seja, precisamos objetivamente construir a funo q=q(x,t). Para construir a funo q=q(x,t) convm fazer uma distino entre as fontes gasosas que tm origem exclusivamente nas paredes do tubo, das outras fontes possveis. Esta distino no deve ser considerada como sendo essencial do ponto de vista fsico, apenas refere-se a construo matemtica das funes que as representam. Com relao a fonte gasosa que est distribuda na extenso da parede do tubo, temos associadas a ela a degaseificao natural ou a degaseificao forada, ainda podemos citar, a permeao, a vaporizao e a sublimao. Com relao as outras fontes gasosas, que so localizadas em pontos ou pequenas extenses do tubo, podemos citar, o vazamento real, vazamento virtual, desorpo induzida por eltrons, ftons e ons, ou ainda, uma injeo controlada de gases. Iniciaremos construindo as funes para os throughputs das fontes gasosas que so diretamente proporcionais a rea das paredes do tubo. A funo, que representa o throughput por
233

unidade de comprimento, devido degaseificao natural ou forada, pode ser construda partindose da expresso

Total qD

q 0 AL

onde, q0 a taxa de degaseificao especfica em throughput por unidade de rea do material, ou seja, cada rea unitria do material usado na construo do tubo, adotado um processo de limpeza e condicionamento, degaseifica natural ou foradamente um throughput de gs ou vapor. AL rea lateral do tubo, ou seja, a rea da parede do tubo exposta ao vcuo. Assim, qD o throughput devido a toda rea do tubo exposta ao vcuo. Matematicamente, podemos construir essas grandezas partindo da expresso que calcula a rea lateral do tubo, a partir de rea lateral de um tubo elementar de comprimento x. A expresso matemtica de AL dada a seguir pela Expresso B.23

AL

2
0

f ( x) 1

df ( x) dx

dx .

B.23

Este um resultado conhecido da geometria diferencial, partindo-se do conceito de comprimento de arco. A construo geomtrica do tubo partiu da revoluo da linha representada pela funo f=f(x) em torno do eixo x. Assim, definimos a funo rea lateral do tubo na posio x da seguinte forma

AL ( x )

2 f ( x) 1

df ( x ) dx

Considerando esta ltima definio, construmos a seguir o throughput por unidade de comprimento mostrada na Expresso B.24

qD ( x)

q 0 AL ( x )
, B.24

qD ( x)

q0 2 f ( x ) 1

df ( x ) dx

e verificamos a coerncia da definio, calculando o throughput total para toda a rea do tubo exposta ao vcuo, encontramos a expresso de partida
234

Total D

q0 2
0

f ( x) 1

df ( x) dx

dx

Total qD

q 0 AL .

A estrutura da expresso matemtica obtida acima pode ser estendida s outras fontes de gases que tm origem em toda a extenso das paredes do tubo. Complementado, se estas fontes dependerem explicitamente do tempo, como por exemplo, o caso da degaseificao em suas primeiras horas expostas ao vcuo, imediatamente podemos introduzir este fato na expresso. Substitumos o valor constante q0 pelo valor dependente do tempo e a parte da expresso dependente da rea permanece inalterada, ficamos com a forma mostrada na Expresso B.25

qD ( x, t )

q0 (t ) AL ( x)
. B.25

q D ( x, t )

2 f ( x) 1

df ( x) dx

q0 (t )

No caso mais geral, deveremos considerar a definio matemtica do throughput daquelas fontes gasosas que podem ocorrer em qualquer parte do tubo. Essas fontes gasosas podem ser bastante localizadas, podendo ser modeladas como fontes pontuais, ou ainda podem ocorrer em regies com reas bem pequenas. Podem ocorrer em intervalos de tempo curtos, podendo ser modeladas como sendo fontes impulsivas. Estes casos so bastante freqentes em sistemas de altovcuo e ultra alto-vcuo que tm feixes de partculas e estas podem chocar-se com as paredes do tubo. Uma ferramenta matemtica adequada a essa situao a funo delta de Dirac. A forma matemtica do throughput por unidade de comprimento, considerando a ocorrncia de fontes gasosas quaisquer, tem a seguinte forma da Expresso B.26

qTotal ( x, t ) qD ( x, t )

qT ( x, t )
, B.26
2

qTotal ( x, t ) 2 f ( x) 1

df ( x) dx

q0 (t )

qTr ( x, t )

onde, a funo q=q(x,t) representar o throughput de fontes gasosas ocorrendo em posies definidas e instantes ou intervalos de tempo arbitrrios, que so especficos para cada caso a ser modelado.

235

Fontes gasosas transientes, que tm muito interesse e ocorrncia freqente em sistemas de alto-vcuo e ultra alto-vcuo tubulares, so da forma impulsivas no tempo e na posio e impulsivas no tempo e extensivas na posio. Esses casos ocorrem em tubos por onde passam feixes de partculas, podendo esse feixe induzir degaseificao seja por choque direto dessas partculas ou seja por emisso de ftons em partes bem localizadas nas paredes do tubo. Nos projetos de microscpios eletrnicos, aceleradores de partculas, anis de armazenamento de eltrons ou prtons, vlvulas amplificadoras klystron e girotrons, e outros sistemas de vcuo tubulares de fundamental importncia determinar as velocidades de bombeamento das bombas de vcuo e suas posies. O ferramental fsico-matemtico, que desenvolvemos e apresentamos neste trabalho, tem mostrado se til nos projetos de sistemas de vcuo mencionados acima. Apresentaremos a seguir a maneira como podemos objetivamente construir matematicamente as fontes gasosas transientes de maior interesse, sendo esquematicamente mostradas na Figura B.9.

Fonte Gasosa Impulsiva no Tempo e Extensiva na Posio Fonte Gasosa Impulsiva no Tempo e na Posio

Sistema de AltoVcuo Tubular

Fonte Gasosa Impulsiva na Posio e Extensiva no Tempo

A=A(x)

x
X
Figura B.9 Representao esquemtica das fontes gasosas impulsivas no tempo, ou na posio, ou ainda, em ambos os casos, ao longo do tubo.

Essas fontes gasosas so impulsivas no tempo, no espao ou em ambos. A funo generalizada delta de Dirac mostra-se uma ferramenta matemtica adequada e precisa para

236

representar essas fontes gasosas transientes. A seguir vamos apresentar as estruturas das funes matemticas generalizadas que representam essas fontes gasosas e tambm, como constru-las considerando a quantidade de gs ou vapor que entrar no sistema de vcuo: Fonte gasosa impulsiva no tempo e impulsiva na posio. Esta fonte gasosa, dependente do tempo e da posio, pode ser modelada pela seguinte funo generalizada, conforme mostrada na Expresso B.27

Ipos Item qT ( x, t )

q (x

x0 ) (t t0 ) .

B.27

A quantidade de gs ou vapor

Ipos Item qT

Ipos Item qT ( x, t ) , considerada em termos de throughput,

entra no sistema de vcuo na posio x=x0 no instante t=t0. Essa representao matemtica adequada para modelar, quando uma parte de um feixe de partculas formado por eltrons, prtons, neutrons, ons, ou ainda, por ftons, bombardeiam uma regio bem localizada da parede do tubo em um dado instante de tempo.
Ipos Item A unidade fsica de q T Ipos Item qT ( x, t ) mbar.litro.segundo-1centmetro1, ou de

forma concisa, mbar.l.s-1cm1. Para a grandeza q temos a unidade mbar.l. Interpretamos


Ipos Item fisicamente a grandeza q T Ipos Item qT ( x, t ) como sendo uma quantidade de gs ou vapor q

que entra no sistema de vcuo na posio x=x0 no tubo e no instante t=t0. Podemos considerar um pequeno recipiente auxiliar de volume V, com gs a certa presso p, de modo que q=pV=nRT=NkT. Assim, essa quantidade de gs q=pV entra no sistema de vcuo tubular, instantaneamente, em t=t0 e na posio bem localizada x=x0. Fonte gasosa impulsiva no tempo e extensiva na posio. Esta fonte gasosa, dependente do tempo e da posio, pode ser modelada pela seguinte funo matemtica generalizada, conforme mostrada sua estrutura abaixo na Expresso B.28

Epos Item qT ( x, t )

q ( x) (t t0 ) ,

B.28

onde q=q(x) a quantidade gasosa da em termos de mbar.l.cm-1, ou seja, uma quantidade de gs ou vapor, em termos de mbar.l, ocorrendo em certas posies do tubo e especificada em termos de unidade de comprimento do tubo. Assim, uma quantidade gasosa que entra no tubo em uma extenso dele, ou mais de uma, com as posies definidas pela funo q=q(x), ocorrendo no instante t=t0. Essa representao matemtica adequada para modelar um feixe de partculas, do tipo eltrons, prtons, neutrons, ons, ou ainda, um feixe de ftons, bombardeando regies extensas
237

da parede do tubo em um dado instante de tempo. Um dado instante de tempo significa, no sentido fsico, um intervalo de tempo muito pequeno; no caso de sistemas de alto-vcuo, menor que 10-4 segundos.
Epos Item A unidade de qT Epos Item qT ( x, t ) mbar.l.s-1cm-1. Para q=q(x) temos a unidade Epos Item qT Epos Item qT ( x, t ) como sendo uma

mbar.l.cm-1. Interpretamos fisicamente a grandeza

quantidade de gs ou vapor e agindo nas regies do tubo definidas pela funo q(x) no instante t=t0. Assim, considerando um trecho do tubo com comprimento muito pequeno x sem torno da posio xa, temos que a quantidade de gs, em termos de mbar.l, que entra no sistema de vcuo tubular dada pela expresso q=q(xa) x no instante t=t0. Fonte gasosa extensiva no tempo e impulsiva no espao. Esta fonte gasosa, dependente do tempo e da posio, pode ser modelada pela seguinte funo matemtica generalizada, conforme mostrada sua estrutura abaixo na Expresso B.29

Ipos Etem qT ( x, t )

q (t ) ( x

x0 ) ,

B.29

onde q=q(t) a quantidade gasosa da em termos de mbar.l.s-1, ou seja, uma quantidade de gs, em termos de mbar.l, ocorrendo em uma posio bem localizada do tubo, no ponto x=x0, e especificada em termos de unidade de tempo. Assim, uma quantidade gasosa q=q(t) que entra no tubo em uma posio definida, por exemplo x=x0. Essa representao matemtica adequada para modelar vazamentos reais e vazamentos virtuais.
Ipos Etem A unidade de qT Ipos Etem qT ( x, t ) mbar.l.s-1cm-1. Para q=q(t) temos a unidade Ipos Etem qT ( x, t ) como sendo uma

Ipos Etem mbar.l.s-1. Interpretamos fisicamente a grandeza qT

quantidade de gs ou vapor, dada em termos de throughput por unidade de comprimento, por q=q(t), sendo liberada para o sistema de vcuo tubular no ponto x=x0. Assim, considerando um intervalo de tempo pequeno t, no instante ta, temos que a quantidade de gs, em termos de mbar.l, que entra no sistema de vcuo tubular dada pela expresso q=q(ta) t na posio x=x0. Concluindo a exposio do ferramental fsico-matemtico desenvolvido neste trabalho para a modelagem detalhada de sistemas de alto-vcuo tubulares, apresentaremos as unidades das grandezas fsicas que geralmente participam da equao de difuso. Assim, na equao de difuso, na sua forma mais geral mostrada abaixo, para a modelagem de sistemas de alto-vcuo tubulares

c( x)

p ( x, t ) x2

dc ( x ) p ( x, t ) dx x
238

q ( x, t )

A( x )

p ( x, t ) , t

cada termo dela tem a dimenso mbar.litro.s-1.cm-1 ou, torr.litro.s-1.cm-1, ou ainda, no Sistema Internacional de Unidades Pa.m3.s-1.m-1. A condutncia especfica c=c(x) tem unidade de l.s-1.cm. O throughput por unidade de comprimento q=q(x,t) tem unidade de mbar.litro.s-1.cm-1. A rea da seo transversal A=A(x) tem unidade de l.cm-1. A unidade desta ltima grandeza merece um comentrio. No caso de utilizarmos as unidades de litro para volume e cm para comprimento devemos tomar uma precauo: ao calcularmos a rea da seo transversal adotamos a unidade de cm2, ocorre que na deduo da equao de difuso ocorre o fator

V x

A x x

que multiplica a derivada temporal da presso; assim temos que a unidade da rea A precisa ser escrita em termos de l.cm-1. Desta forma, se as dimenses do forem dadas em cm, a sua rea da seo transversal estar em cm2; calculando o volume teremos cm3, para transformar em l.cm-1 fazemos 10-3A.L. Assim, para haver coerncia na anlise dimensional dos termos da equao de difuso, com cada termo apresentando a unidade de mbar.l.s-1.cm-1, devemos proceder com discutido acima. Caso Bidimensional. Agora estudaremos os sistemas de alto-vcuo que podem ser modelados como sendo bidimensionais. A modelagem de certos sistemas de vcuo considerando-os bidimensionais no deve ser entendida como uma simplificao excessiva. Quando assumimos sistemas de alto-vcuo com geometria nitidamente tubular como sendo unidimensionais, queremos com isso explicitamente considerar que as direes perpendiculares ao eixo do tubo no apresentam variaes significativas de presso, ou seja, os seus gradientes so desprezveis, em relao aos gradientes de presso ao longo do eixo do tubo. Assim, do ponto de vista da construo de modelos matemticos que representam realidades fsicas, desconsiderar uma dimenso ou mais significa que as grandezas fsicas que estamos querendo determinar no variam significativamente. Ou colocado de outra forma, admitimos a grandeza tem valor constante, ou prximo de constante, ao longo daquela direo desconsiderada. Fisicamente estamos admitindo simetrias no problema. Este aspecto extremamente importante, pois a identificao de uma ou mais simetrias em problemas fsicos reduz enormemente o esforo a obteno da sua soluo. Assim, antes da escolha de um mtodo matemtico, dentro de todo arsenal matemtico disponvel, boa prtica fazer uma anlise fsica e verificar se h simetrias a serem exploradas. Este particular muito observado nos modelos construdos neste trabalho. Desta forma, construindo modelos bidimensionais de sistemas de vcuo, estamos admitindo e assumindo que a presso tem valor constante, ou quase constante, em uma das trs direes. Sendo mais preciso na linguagem, podemos dizer que no so os sistemas de vcuo bidimensionais, a realidade dos sistemas de vcuo sempre ocupa trs dimenses espaciais,

239

o que temos a modelagem da realidade fsica considerada em duas dimenses, ou seja, bidimensional. Apesar disto, usaremos o termo sistemas de vcuo bidimensionais, quando for o caso. Estes ltimos comentrios fazem parte da essncia da modelagem de sistemas fsicos. Para os sistemas de alto-vcuo bidimensionais a equao de difuso pode ser obtida por meio do mesmo raciocnio utilizado no caso unidimensional; apenas cabe uma importante considerao. Fazendo um paralelo com os fenmenos de difuso de calor por conduo em slidos, temos que para os materiais homogneos e isotrpicos a condutividade trmica constante. No caso mais geral deveremos definir a condutividade trmica para cada ponto do material que est sendo estudado o campo de temperatura. No caso de escoamento de gases no regime molecular em sistemas de alto-vcuo bidimensionais, a condutncia especfica tambm chamada de condutncia por unidade de comprimento , em geral, deve ser definida para as duas dimenses, se usarmos o sistema cartesiano, as direes x e y. Assim, teremos uma condutncia especfica definida na direo x, que pode ser dependente da prpria varivel x, e o mesmo para a direo y. Neste caso dizemos que o sistema de alto-vcuo anisotrpico e no-homogneo. A Figura B.10 esquematiza um sistema de vcuo bidimensional. Vemos que a altura da cmara de vcuo tem dimenso bem menor que o seu comprimento e a sua largura. Admitimos no caso que no haja variao aprecivel da presso ao longo da direo z, desta forma, na modelagem matemtica no participar a varivel z. Sem perda de generalidade, do ponto de vista conceitual, estudaremos o sistema de vcuo em coordenadas cartesianas.

Bomba de Alto-Vcuo Cmara de Vcuo y z

Linha de Bombeamento

Campo de Presso p=p(x,y,t)

x
Figura B.10 Representao esquemtica de um sistema de alto-vcuo bidimensional, mostrando a cmara de vcuo, a tubulao e a bomba de vcuo.

240

Na figura acima vemos as principais partes que compe um sistema de alto-vcuo, ou seja, a cmara de vcuo, na qual deveremos especificar as condies de contorno, que sero essenciais construo matemtica da soluo do problema. Vemos tambm a linha de bombeamento e a bomba de alto-vcuo. Realando, a condutncia especfica uma grandeza que expressa a facilidade com que os gases escoam. Deveremos agora, especificar qual a direo de escoamento, pois, os sistemas de vcuo bidimensionais so definidos em duas direes. Para cada direo de definio do sistema de vcuo teremos uma condutncia especfica. A condutncia especfica depende do tipo de gs, da temperatura, mas principalmente depende das dimenses da regio onde ocorre o escoamento. Como ocorreu para o caso unidimensional, neste trabalho estamos propondo uma definio de condutncia especfica para o caso bidimensional. Assim, para as direes x e y respectivamente, definimos as condutncias especficas como mostradas nas Expresses B.30

c x ( x)

8 2 RT 3 M

1 2

1 x ( x) Fx ( x )
B.30
2

c y ( y)

8 2 RT 3 M

1 2

1 y ( y) Fy ( y)
2

onde as funes:
Fx

( x) define o permetro perpendicular direo x do sistema de vcuo e

Fx ( x) define a rea da seo transversal, do sistema de vcuo, perpendicular direo x. De


y y

forma anloga construmos as funes

( y ) e Fy

Fy ( y ) para a direo y.

Uma vez definidas as condutncias especficas para as direes x e y do sistema de vcuo, podemos obter equao de difuso bidimensional. Admitiremos um sistema de vcuo com as sees transversais constantes, tanto na direo x como na direo y. A Figura B.11 mostra esquematicamente as paredes de um sistema de vcuo bidimensional bastante simplificado, em formato de paraleleppedo. Apesar desta restrio geomtrica, a equao de difuso a ser obtida ser aplicvel a qualquer sistema de vcuo bidimensional, desde que descrito em coordenadas cartesianas. Devemos ter uma ateno permanente para o fato de o escoamento dos gases e vapores ser em regime molecular, para isso devemos ter Kn>1, em toda a extenso do sistema de vcuo. Ainda, na Figura B.11 esquematizamos um acesso bomba de vcuo e vemos que a altura da

241

cmara de vcuo direo z bastante menor que o comprimento e a largura direes x e y, desta forma, matematicamente Ha<<La e Ha<<Co, com as dimenses Co e La da mesma ordem de grandeza.

Placa Inferior da Cmara de Vcuo Placa Superior da Cmara de Vcuo Ha

Co z La x y Para a Bomba de Vcuo

Figura B.11 Representao esquemtica de um sistema de alto-vcuo bidimensional, mostrando as paredes superior e inferior da cmara de vcuo e um acesso bomba de vcuo. Consideremos um elemento de volume V do sistema de vcuo bidimensional. Este

elemento de volume pode ser escrito como V= A Ha, onde Ha a altura da cmara de vcuo. No elemento de rea A, conforme mostrado na Figura B.12, faremos o balano de throughput

considerando tambm a possibilidade de uma fonte gasosa que possa q = q(x,y,t). Podemos escrever para o elemento de volume que V= A Ha= x y Ha. Considerando os trechos x1 e x2 ,, e y1 e y2 da rea elementar da cmara de vcuo, em torno do ponto (x0,y0), observando ao conservao do throughput, para todo o instante t temos a seguinte relao

q x1 q y1

qx2

qy2

Ha

p t
,

q x1 q y1

x y

qx2

qy2

Ha

x y

p t

242

nesta relao, as fontes de gases e vapores podem depender da posio e do tempo, assim como a presso.

Parede Superior ou Inferior da Cmara de Vcuo

Volume Elementar para a Construo da Equao de Balano dos Throughputs

y
yfin qy2 y2 y0 y1 q(x0,y0,t) x y yini qy1 qx1 qx2

x
xini x1 x0 x2 xfin
Figura B.12 Construo geomtrica para a determinao do balano do throughput no elemento de volume da cmara de vcuo bidimensional. Continuando, o throughput em cada ponto (x,y) ao longo do sistema de vcuo e para cada instante t pode ser determinado como funo da condutncia especfica cx e cy , que a condutncia por unidade de comprimento. Assim, podemos escrever para as direes x e y respectivamente

q x ( x1 , y , t )

cx

p ( x, y , t ) x

e
x1 , y ,t

q y ( x , y1 , t )

cy

p ( x, y , t ) y

.
x , y1 ,t

243

Sendo que c x e c y so definidas como cx

cx

y.Ha La.Ha

cx

y e cy La

cy

x.Ha Co.Ha

cy

x . Veja que Co

estamos considerando as condutncias especficas para o elemento de volume V= A.Ha. Desta forma, temos junto equao do balano do throughput para o volume elementar V do sistema de vcuo bidimensional

q x1

q y1

x y

q x2

q y2

Ha

x y

p t p t p ( x, y , t ) y

q x1

q x2

q y1

q y2

x y Ha

x y

cx

p ( x, y , t ) x

cx
x1 , y ,t

p ( x, y , t ) x q

cy
x 2 , y ,t

p ( x, y , t ) y

cy
x , y1 ,t

x , y 2 ,t

x y

x y Ha

p ( x, y , t ) t

colocando em uma forma mais adequada, ficamos com

cx

y La

p ( x, y , t ) x

cx
x 2 , y ,t

y La

p ( x, y , t ) x

cy
x1 , y ,t

x Co

p ( x, y , t ) y

cy
x , y 2 ,t

y Co

p ( x, y , t ) y

x , y1 ,t

x y p ( x, y , t ) t x y

x y

x y x y

x y Ha

simplificando esta ltima expresso, chegamos forma seguinte

cx La

p ( x, y , t ) x

x 2 , y ,t

p ( x, y , t ) x

cy
x1 , y ,t

Co

p ( x, y , t ) y

x , y 2 ,t

p ( x, y , t ) y

x , y1 ,t

x p ( x, y , t ) t

y
,

q ( x, y, t ) Ha

244

fazendo simultaneamente os limites para ficamos com a expresso

0,

0,

0,

0 e

0,

lim

cx La

p ( x, y , t ) x

x 2 , y ,t

p ( x, y , t ) x

cy
x1 , y ,t

Co lim
x 0 x 0 y 0 y 0 t 0

p ( x, y , t ) y

x , y 2 ,t

p ( x, y , t ) y

x , y1 ,t

x 0 x 0 y 0 y 0 t 0

y
,

lim

x 0 x 0 y 0 y 0 t 0

q ( x, y , t )

Ha

p ( x, y , t ) t

e finalmente encontramos a equao de difuso bidimensional para a modelagem de sistemas de alto-vcuo, escrita em coordenadas cartesianas, com as possveis condies de contorno e condio inicial mostrada na Expresso B.31

cx La

p ( x, y , t ) x2

cy Co

p ( x, y , t ) y2

q ( x, y , t )

VCV Co La

p ( x, y , t ) t

p( x A , y A , t ) p ( x, y , t ) x

p A (t ) p ( x, y , t ) y

cx

q A(t)
x x A , y ,t

cy

q B (t)
x , y y B ,t

cx

p ( x, y , t ) x

S A p ( x A , y,t )
x x A , y ,t

cy

p ( x, y , t ) y

S B p( x, y B ,t )
x , y y B ,t

p( x, y,0)

p 0 ( x, y )
B.31

As constantes definidas formalmente como: volume da cmara de vcuo dado por VCV

Co La Ha ,

condutncias especficas cx e cy definidas acima,

245

quantidade de gs, em termos de throughput especfico, presente no sistema de vcuo, q=q(x,y,t), e

velocidade efetiva de bombeamento nas posies xA e yB respectivamente SA e SB.

Para o clculo do throughput, para uma dada posio do sistema de vcuo bidimensional, podemos construir as seguinte definies matemticas auxiliares para as direes x e y respectivamente

c x ( x)

c x ( x) La Ha

c y ( y)

c y ( y) Co Ha

Considerando a direo x, definimos a seguinte funo dependente do throughput

q x ( x, y , t )

cx ( x )

p ( x, y , t ) x

c x ( x ) p ( x, y , t ) . La Ha x

Assim, para um dado segmento de reta paralelo direo y, iniciando em yi e terminando em yf, com comprimento l y

yf

yi , temos que o throughput que cruza esse segmento de reta em toda a

altura Ha da cmara de vcuo dado por

yf

yf

Q x ( x, y i , y f , t )
yi

q x ( x, y, t ) Ha dy
yi

c x ( x)

p ( x, y , t ) Ha dy x
,

yf

Q x ( x, y i , y f , t )
yi

c x ( x ) p ( x, y , t ) Ha dy La Ha x

chegamos Expresso B.32

yf

Q x ( x, y i , y f , t )
yi

c x ( x ) p ( x, y , t ) dy . La x

B.32

Da mesma forma, podemos deduzir a expresso referente ao throughput na direo y. No caso de uma direo arbitrria, o clculo do throughput deve ser composto pela parcela dos throughputs nas
246

direes x e y, obtidas como na expresso acima. Cabe realar que nos casos gerais temos condutncias especficas diferentes entre si nas direes x e y. Nestes casos o clculo do throughput em uma direo arbitrria de considerar as componentes nas direes x e y com os respectivos valores de condutncias especficas para cada uma dessas direes. Esta mesma situao ocorre nos problemas de transferncia de calor por conduo para os meios anisotrpicos. Concluindo a exposio do ferramental fsico-matemtico desenvolvido para a modelagem de sistemas de alto-vcuo bidimensionais, apresentamos a seguir a equao de difuso, considerando a possibilidade das condutncias especficas dependerem da posio, conforme mostrada na Expresso B.32

1 p ( x, y , t ) c x ( x) La x x

1 p ( x, y , t ) c y ( y) Co y y

q ( x, y , t )

VCV p ( x, y , t ) , B.32 Co La t

com VCV=Co.La.Ha e complementado, cada termo da equao de difuso tem a dimenso mbar.litro.s-1.cm-2 ou, torr.litro.s-1.cm-2, ou ainda, no Sistema Internacional de Unidades Pa.m3.s-1.m2

. A condutncia especfica c=c(x) tem unidade de l.s-1.cm. O throughput por unidade de rea

q=q(x,y,t) tem unidade de mbar.litro.s-1.cm-2. Encontramos problemas similares a estes naqueles de transferncia de calor por conduo nos meios anisotrpicos e no homogneos. Apresentamos a seguir a equao de difuso escrita em termos das coordenadas polares para a modelagem de sistemas de alto-vcuo bidimensionais. Nestes casos as cmaras de vcuo so em geral em forma circular e com a altura bem menor que o raio, ou ainda, com o gradiente de presso na direo z muito menor que os gradientes na direo do raio ou tambm na direo da variao do ngulo. Para a sua obteno consideramos exatamente o mesmo raciocnio do utilizado para deduzir a equao diferencial em coordenadas cartesianas. As variveis e f so a distncia do ponto P(x,y) que define o raio vetor origem do

sistema de coordenadas e o ngulo do raio vetor em relao ao eixo x respectivamente. A equao de difuso em coordenadas polares dependente do tempo tem a forma mostrada a seguir na Expresso B.33

1 1 2 a

p( , , t )

c a

1
2

p( , , t )
2

q( , , t )

VCV p( , , t ) t a2

247

1 1 2 a

p( , , t ) c

p( , , t )

c a

1
2

p( , , t )
2

B.33

q( , , t )

VCV p( , , t ) t a2

nas situaes comumente encontradas na modelagem de sistemas de alto-vcuo bidimensionais, temos que a condutncia especfica c funo da varivel . Completando com as seguintes condies de contorno e condio inicial possveis

p( p( , , t )
A,

, t)

p A (t ) 1 p( , , t )
,
B ,t

q A(t)
,t

q B (t)
,

p( , , t )
A,

S A p(
,t

, , t)

1 p( , , t )
,
B ,t

S B p( ,

, t)

p( , ,0)

p0 ( , )

onde a o raio da cmara de vcuo, c e cf so as condutncias especficas nas direes

ef

respectivamente. Ainda, Vcv o volume da cmara de vcuo com formato cilndrico, sendo seu valor dado, em termos dos elementos diferenciais de volume, pela seguinte expresso

VCV
Volume da Cmara de Vcuo Cilndrica

d d dz
0 0 z 0

d d dz

.
a 2 c

d
0 0

dz
z 0

VCV

a 2c

No caso do problema estacionrio, a equao de difuso bidimensional e as possveis condies de contorno escritas em coordenadas polares, so mostradas a seguir mostrada na Expresso B.34

248

1 1 2 a

p( , ) c

p( , )

c a c ( )

1
2

p( , )
2

q( , )
. B.34

sendo em geral c

Para o estabelecimento das possveis fontes de gases e vapores, e ainda, com relao as definies da condies de contorno apresentadas a seguir, podemos seguir em linhas gerais o mesmo raciocnio daquele usado no caso de sistemas de alto-vcuo unidimensionais

p( p( , )
A,

pA 1 p( , )
,
B

qA

qB

p( , )
A,

S A p(

, )

1 p( , )
,
B

S B p( ,

Concluindo a exposio do ferramental fsico-matemtico desenvolvido neste trabalho para a modelagem de sistemas de alto-vcuo bidimensionais e expressos em coordenadas polares, apresentaremos as unidades das grandezas fsicas que participam desta equao de difuso. Cada termo dela tem a dimenso mbar.litro.s-1.cm-2 ou torr.litro.s-1.cm-2, ou ainda, no Sistema Internacional de Unidades Pa.m3.s-1.m-2=Pa.s-1.m. As condutncias especficas tm unidade de l.s-1.cm. O throughput por unidade de rea q=q( ,f ,t) tem unidade de mbar.litro.s-1.cm-2. Caso Tridimensional. A seguir apresentaremos a equao de difuso tridimensional para modelar sistemas de altovcuo nos casos gerais. Nestes sistemas de vcuo as trs dimenses so comparveis, assim no podemos de imediato, sem uma anlise mais detida, dizer que h gradientes de presso que podem ser desprezados. Veremos a seguir que por meio de um raciocnio simples e baseado no comportamento geral dos sistemas de alto-vcuo fazer algumas suposies sobre a utilidade da obteno da equao de difuso para o caso tridimensional. Consideremos uma cmara de vcuo em forma de paraleleppedo, com as trs arestas com dimenses prximas entre si, conforme mostrada na Figura B.13. Admitamos que uma bomba de vcuo esteja instalada em uma das faces de menor rea. Ao longo da aresta de dimenso maior, no caso a direo x, esperamos encontrar o maior

249

gradiente de presso. Consideremos que h somente a fonte de gs devido degaseificao das paredes da cmara de vcuo. Ocorre que, como as trs arestas tm dimenses comparveis entre si, a rea da seo transversal direo x introduz uma condutncia suficientemente grande a ponto de no termos gradientes apreciveis na direo x. Desta forma surge uma questo: Temos utilidade para a equao de difuso tridimensional? Podemos encontrar duas respostas plausveis. Uma, do ponto de vista pragmtico, ou seja, do clculo para obteno do campo de presso. Dizemos que no h utilidade nela que justifique o esforo, tanto na modelagem matemtica como da obteno da soluo analtica ou numrica do problema. Pois podemos dizer a priori que os gradientes de presso so pequenos e assim os valores de presso nos pontos da cmara de vcuo tero valores prximos entre si. Outra resposta pode ser dada do ponto de vista da construo de uma modelagem consistente do ponto de vista matemtico. Com isto queremos dizer que poderemos verificar matematicamente se a equao de difuso tridimensional reduz-se equao de difuso bidimensional quando identificamos uma simetria no sistema fsico. E ainda se uma vez identificadas duas direes com simetrias obtemos a equao de difuso unidimensional. Podemos ir mais longe busca por uma coerncia na construo de modelos matemticos de sistemas de altovcuo. Caso imponhamos simetrias nas trs direes espaciais, deveremos obter a Equao Fundamental para o Processo de Bombeamento em Vcuo EPBV. Esta equao foi obtida rigorosamente no Apndice A e ela considera os sistemas de vcuo como sendo pontuais, desta forma, a presso pode variar apenas no tempo.

Campo de Presso p=p(x,y,z,t) y

Linha de Bombeamento

x Cmara de Vcuo Bomba de Alto-Vcuo

Figura B.13 Representao esquemtica de um sistema de alto-vcuo tridimensional em forma de paraleleppedo com as trs dimenses das arestas comparveis entre si.

250

Do ponto de vista fsico, se um sistema de vcuo tridimensional tem os valores de presso aproximadamente iguais entre si medida que o tempo evolui, ento podemos considerar o sistema de vcuo reduzido a um ponto! Este mesmo tipo de situao encontramos nas modelagens de muitos sistemas fsicos, como por exemplo, nos fenmenos de transporte de calor por conduo. Neste caso o problema da modelagem reduz-se exclusivamente a imposio do princpio de conservao de energia em funo do tempo. Apresentamos a seguir a equao de difuso tridimensional para a modelagem de sistemas de vcuo com os gases e vapores escoando no regime molecular. A Figura B.14 esquematiza um elemento de volume de um sistema de vcuo tridimensional. Obteremos a equao de difuso em coordenadas cartesianas.

z qz

Volume Elementar para a Construo da Equao de Balano dos Throughputs

q(x0,y0,z0,t) x y z

qy (x0,y0,z0)

qx

(x0,y0) x
Figura B.14 Construo geomtrica para a determinao do balano do throughput no elemento de volume da cmara de vcuo tridimensional em coordenadas cartesianas. Impondo a conservao do throughput ao volume elementar qualquer da cmara de vcuo e assumindo que podemos ter fontes de gases e vapores, chegamos equao de difuso em coordenadas cartesianas como mostrada na Expresso B.35

251

1 La Ha x 1

c x ( x, y , z )

p ( x, y , z , t ) x

1 Co Ha y

c y ( x, y , z )

p ( x, y , z , t ) y
, B.35

Co La y

c z ( x, y , z )

p ( x, y , z , t ) z

q ( x, y , z , t )

p ( x, y , z , t ) t

onde as constante Co, La e Ha so respectivamente as dimenses das arestas da cmara de vcuo nas direes x, y e z. E as constantes cx, cy e cz so respectivamente as condutncias especficas nas direes x, y e z. A funo q=q(x,y,z,t) representa matematicamente as fontes gasosas do problema. Ela dependente do tempo, forma adequada para tratar problemas transientes. Podemos escrev-la para os casos de as condutncias especficas serem constantes como na Expresso B.36

cx La Ha

p ( x, y , z , t ) x2

cy Co Ha

p ( x, y , z , t ) y2

cz Co La

p ( x, y , z , t ) z2
, B.36

q ( x, y , z , t )

p ( x, y , z , t ) t

com as possveis condies de contorno e condio inicial expostas a seguir

p( x A , y A , z A , t ) p ( x, y , z , t ) x p ( x, y , z , t ) y p ( x, y , z , t ) z

p A (t ) p ( x, y , z , t ) x p ( x, y , z , t ) y p ( x, y , z , t ) z p 0 ( x, y , z )

cx

q A(t)
x x A , y , z ,t

cx

S A p( x A , y, z,t )
x x A , y , z ,t

cy

q B (t)
x , y y B , z ,t

cy

S B p( x, y B , z,t )
x , y y B , z ,t

cz

q C (t)
x , y , z z A ,t

cz

S C p ( x, y, z C ,t )
x , y , z zC ,t

p( x, y, z,0)

e complementando, consideramos os casos de modelagem em estado estacionrio com a forma apropriada da equao de difuso mostrada na Expresso B.37
252

cx La Ha

p ( x, y , z ) x2

cy Co Ha

p( x, y, z ) y2

cz Co La

p ( x, y , z ) z2

q( x, y, z ) . B.37

Sendo o volume da cmara de vcuo igual VCV=Co.La.Ha. Cada termo da equao de difuso tem a dimenso mbar.litro.s-1.cm-3 ou, torr.litro.s-1.cm-3, ou ainda, no Sistema Internacional de Unidades Pa.s-1. As condutncias especficas tm unidades de l.s-1.cm. O throughput por unidade de volume q=q(x,y,z,t) tem unidade de mbar.litro.s-1.cm-3. Similarmente, encontramos a mesma estrutura matemtica nos problemas de transferncia de calor por conduo. Apresentamos a seguir a equao de difuso tridimensional em coordenadas cilndricas, com a Figura B.15 esquematizando um elemento de volume nestas coordenadas.

z qz

Volume Elementar para a Construo da Equao de Balano dos Throughputs

q( 0,F0,z0,t) qy

F) z

qx y (x0,y0) x
Figura B.15 Construo geomtrica para a determinao do balano do throughput no elemento de volume da cmara de vcuo tridimensional em coordenadas cilndricas.

Impondo a conservao do throughput, ou seja, a conservao de energia ao volume elementar qualquer da cmara de vcuo e assumindo que podemos ter fontes de gases e vapores, chegamos equao de difuso em coordenadas cilndricas em sua forma mais geral conforme a Expresso B.38

253

1 1 2 ac cz a2

c ( )

p( , , z, t )

c ac

1
2

p( , , z, t )
2

,
2

B.38

p( , , z, t ) z2

q( , , z, t )

p( , , z, t ) t

nos casos mais comuns que podemos modelar sistemas de alto-vcuo utilizando a equao diferencial acima, temos que a condutncia especfica na direo funo desta varivel espacial

c =c ( ) assim, a equao diferencial toma a seguinte forma dada pela Expresso B.39

1 1 2 ac

p( , , z, t ) c

p( , , z, t )

c ac

1
2

p( , , z, t )
2

. B.39

cz a2

p( , , z, t ) z2

q( , , z, t )

p( , , z, t ) t

onde as constante a e c so respectivamente as dimenses do raio da cmara de vcuo estamos admitindo uma cmara de vcuo cilndrica e a sua altura. Ainda, c , cf e cz so respectivamente as condutncias especficas nas direes , f e z. A funo q=q( ,f ,z,t) representa matematicamente as fontes gasosas do problema. Para determinarmos a soluo do problema de forma unvoca devemos impor as condies de contorno e a condio inicial

p( p( , , z, t )
A,

, z A , t)

p A (t ) p( , , z, t )
A,

c ( )

q A(t)
, z ,t

S A p(
, z ,t

, , z, t )

1 p( , , z, t )
,
B , z ,t

q B (t)

1 p( , , z, t )
,
B , z ,t

S B p( ,

, z, t ) .

cz

p( , , z, t ) z

qC (t)
, , z z C ,t

cz

p( , , z, t ) z

S C p( , , z C , t )
, , z C ,t

p ( , , z ,0 )

p0 ( , , z )

254

Podemos escrever a equao na forma adequada para modelar casos de sistemas de vcuo em estado estacionrio, isto , com o campo de presso no dependente do tempo, assim temos a Expresso B.40

1 1 2 ac

p( , , z ) c

p( , , z )

c ac

1
2

p( , , z )
2

, B.40
cz a2
2

p( , , z ) z2

q( , , z )

com as seguintes condies de contorno possveis para os problemas

p( p( , , z )
A,

, zA)

pA p( , , z )
A,

c ( )

qA
,z

S A p(
,z

, , z)
.

1 p( , , z )
,
B ,z

qB

1 p( , , z )
,
B ,z

S B p( ,

, z)

cz

p( , , z ) z

qC
, , z zC

cz

p( , , z ) z

S C p( , , z C )
, , zC

Complementado, cada termo das equaes de difuso, tanto a transiente como a de estado estacionrio, tem a dimenso mbar.litro.s-1.cm-3 ou, torr.litro.s-1.cm-3, ou ainda, no Sistema Internacional de Unidades Pa.s-1. As condutncias especficas tm unidades de l.s-1.cm. O throughput por unidade de volume q=q( ,f ,z,t) tem unidade de mbar.litro.s-1.cm-3.

Similarmente, encontramos tal estrutura matemtica nos problemas de transferncia de calor por conduo nos meios anisotrpicos e no homogneos em seus casos mais gerais. Para concluir este apndice, vamos obter as equaes de difuso para os casos unidimensional, bidimensional e para a dependncia exclusiva no tempo, a partir da equao de difuso tridimensional. Como j foi discutido este assunto, inclusive de forma bastante detalhada, um objetivo a ser alcanado, alm da construo das equaes diferenciais, enfatizar o aspecto da construo de modelos em tecnologia do vcuo. A disponibilidade de um ferramental fsico255

matemtico de fundamental importncia, mas devemos ter sempre em mente que a traduo da realidade fsica para a linguagem matemtica tambm de fundamental importncia para a busca de solues para o problema. A realidade fsica sempre bastante complexa. Procuramos constantemente, neste trabalho de tese, discutir e argumentar sobre a construo dos modelos de problemas reais encontrado na tecnologia do vcuo. Vamos trabalhar as idias esboadas logo acima. Para tanto vamos considerar novamente a equao de difuso tridimensional em coordenadas cartesianas e dependente do tempo, conforme mostrada abaixo

cx La Ha

p ( x, y , z , t ) x2

cy Co Ha

p ( x, y , z , t ) y2

cz Co La

p ( x, y , z , t ) z2
,

q ( x, y , z , t )

p ( x, y , z , t ) t

digamos que, aps uma anlise da situao fsica de um dado problema, verificamos que na direo z a presso deve ter valor praticamente constante, ou seja, o mdulo do gradiente de presso bastante pequeno o termo de comparao o das outras direes da cmara de vcuo. Neste caso, a equao acima se reduz a seguinte equao diferencial parcial

cx La Ha

p ( x, y , t ) x2

cy Co Ha

p ( x, y , t ) y2

q ( x, y , z , t )

p ( x, y , t ) , t

uma vez que

p ( x, y , z , t ) z

0 , para todo os instantes de tempo e para toda a extenso cmara de

vcuo. Podemos escrever portanto a seguinte igualdade

cx La cx La

p ( x, y , t ) x2
2

cy Co cy Co

p ( x, y , t ) y2
2

Ha qT ( x, y, z , t )

Ha

p ( x, y , t ) t
,

p ( x, y , t ) x2

p ( x, y , t ) y2

q B ( x, y , t )

VCV p ( x, y , t ) Co La t

256

sendo que a grandeza qB(x,y,t)=Ha.qT(x,y,z,t) a quantidade de gs em termos de throughput desenvolvida em toda a altura c da cmara de vcuo e que Ha

VCV . Assim, transformamos a Co La

grandeza qT(x,y,z,t) que o throughput por unidade de volume na grandeza qB(x,y,t) que o throughput por unidade de rea. Esta a equao de difuso que obtivemos no caso de sistemas de vcuo bidimensionais. Continuando, vamos considerar uma cmara de vcuo, que digamos aps uma anlise da situao fsica do problema, verificamos que alm da direo z, tambm na direo y a presso deve ter valor praticamente constante. Neste caso o mdulo do seu gradiente de presso bastante pequeno em comparao ao mdulo do gradiente de presso na direo x. Assim, uma vez que

p ( x, y , t ) y

0,

para todos os instantes de tempo e para toda a extenso cmara de vcuo. Podemos escrever, portanto a seguinte igualdade

cx

p ( x, t ) x2

La Ha qT ( x, y, z , t ) La Ha

p ( x, t ) , t

e como La Ha

VCV , podemos obter a equao de difuso unidimensional na direo x a seguir Co


2

cx

p ( x, t ) x2

qU ( x, t )

VCV p ( x, t ) . Co t

Sendo que a grandeza qU(x,t)=La.Ha.qT(x,y,z,t) a quantidade de gs em termos de throughput desenvolvida em toda a altura Ha da cmara de vcuo e a sua largura La. Assim, transformamos a grandeza qT(x,y,z,t) que o throughput por unidade de volume na grandeza qU(x,t) que o throughput por unidade de comprimento. Esta a equao de difuso que obtivemos no caso de sistemas de vcuo unidimensionais. Seguindo o mesmo raciocnio utilizado nos casos anteriores, vamos considerar uma cmara de vcuo, que digamos aps uma anlise da situao fsica do problema, verificamos que alm das direes z e y, a presso deve ter valor praticamente constante tambm ao longo da direo x. Neste caso o mdulo do seu gradiente de presso tambm bastante pequeno, como nas outras direes, como j havamos considerado. Assim, chegamos seguinte identidade matemtica vlida, para

257

todos os instantes de tempo,

p ( x, y , z , t ) x

p ( x, y , z , t ) y

p ( x, y , z , t ) z

0 , e em todos os

pontos da cmara de vcuo e ainda para todos os instantes de tempo t. Dessa forma podemos escrever

0 cx

p ( x, t ) x2

qU ( x , t )

VCV p ( x, t ) Co t dp(t ) dt
.

qU (t )

VCV p(t ) Co t

Co qU (t ) VCV

VCV

dp(t ) dt

Co qU (t ) Q(t )

Pois, como o problema tambm no depende da varivel x, deveremos ter que o throughput total, devido totalidade das fontes gasosas, pode depender apenas do tempo t, ou ser constante. Assim, podemos interpretar o termo Q=Q(t) como sendo o throughput total desenvolvido na cmara de vcuo. Deste total fazem parte o throughput QFG=QFG(t) que entra na cmara de vcuo, isto , aquele que faz a presso aumentar, e aquele throughput QBV=QBV(t) que sai da mesma cmara de vcuo, isto , aquele que bombeado. Assim podemos escrever

VCV

dp (t ) dt

Q(t )

QBV (t )

QFG (t ) ,

em termos das grandezas que definem os sistemas de vcuo

VCV

dpCV (t ) dt

QBV (t )

QFG (t )

VCV

dpCV (t ) dt
n

S ef pCV (t )
i 1

Qi

VCV

dpCV (t ) dt

S BV CTotal pCV (t ) S BV CTotal

Qi
i 1

com a seguinte condio inicial, pCV (t

0)

p0

258

sendo S ef a velocidade efetiva de bombeamento, S BV a velocidade de bombeamento das bombas


n

de vcuo, CTotal a condutncia total da linha de bombeamento e


i 1

Qi a soma dos throughputs das

fontes dos gases e vapores envolvidos no processo em vcuo. Vamos considerar novamente a equao de difuso tridimensional em coordenadas cilndricas como mostrada abaixo

1 1 2 ac cz a2

c ( )

p( , , z, t )

c ac

1
2

p( , , z, t )
2

p( , , z, t ) z2

q( , , z, t )

p( , , z, t ) t

digamos que, aps uma anlise da situao fsica de um dado problema, verificamos que na direo z a presso deve ter valor praticamente constante, ou seja, o mdulo do gradiente de presso bastante pequeno o termo de comparao o das outras direes da cmara de vcuo. Neste caso, a equao acima se reduz a seguinte equao

1 1 2 a

p( , , t )

c a

1
2

p( , , t )
2

cqT ( , , z, t )

VCV p( , , t ) , t a2

e encontramos a forma idntica da equao de difuso bidimensional em coordenadas polares

1 1 2 a

p( , , t )

c a

1
2

p( , , t )
2

qB ( , , t)

VCV p( , , t ) . t a2

Continuando, se em nossa anlise identificarmos na equao de difuso tridimensional simetrias, tanto na direo como na direo f , podemos escrever

cz a2

p( z, t ) z2

qT ( , , z , t )

p( z, t ) t

259

cz

p( z, t ) z2
2

a 2 qT ( , , z , t )

a2

p( z, t ) t
,

cz

p( z, t ) z2

qU ( z , t )

a2

p( z, t ) t

que expresso que deduzimos para modelar tubos com rea de seo transversal constante. Do exposto acima, verificamos que h consistncia interna na proposio das equaes de difuso tridimensionais e dependentes do tempo, escritas tanto em coordenadas cartesianas como em coordenadas cilndricas. Voltemos s questes centrais referentes a modelagem de sistemas de vcuo utilizando a equao de difuso: Podemos considerar os gases escoando no regime molecular como sendo um fenmeno de difuso? Quais so as geometrias nas quais podemos aplicar este tipo de suposio? As respostas a estas questes no so imediatas e nem simples. No Apndice O discutimos em detalhe estas consideraes. Finalizando, foi possvel construir as equaes de difuso unidimensional, bidimensional e tridimensional dependentes do tempo e em estado estacionrio. Definimos as grandezas condutncia especfica fundamental para a construo deste tipo de modelagem e o throughput especfico para todas as possveis fontes gasosas.

Referncias: - Lewin, G.; Fundamentals of Vacuum Science and Technology. McGraw-Hill. 1965. - Degasperi, F.T.; Caderno de Atividades Notas Particulares. Instituto de Fsica da Universidade de So Paulo. So Paulo, SP, Brasil. 1991-2000. - Degasperi, F.T.; "Deduo da Equao Fundamental para o Processo de Bombeamento na Tecnologia do Vcuo Objetivo Didtico". XII Congresso Brasileiro de Aplicaes de Vcuo na Cincia e na Indstria, Florianpolis, SC, Brasil, 1991. Seminrio. - Degasperi, F.T.; Anlise Detalhada de Sistemas de Vcuo. Laboratrio do Acelerador Linear do Instituto de Fsica da Universidade de So Paulo, So Paulo, SP, Brasil, 1999. Seminrio. - zisik, M.N.;, Boundary Value Problems of Heat Conduction, Dover Publications, 1989. - Mammana, V.P.; Degasperi, F.T.; Monteiro, O.R.; Vuolo, J.H.; Salvadori, M.C.B.; Brown, I.G.; "A New Field Emission Device with Improved Vacuum Features". Journal of Vacuum Science and Technology (JVST) da American Vacuum Society. Volume 18 (A), Nmero 4, Jul-Aug. de 2000. - Mammana, V.P.; Pavani Filho, A.; Degasperi, F.T.; Inovaes Brasileiras para a Tecnologia de Displays de Emisso de Campo (FEDs). Revista OESP Eletrotelemtica, O Estado de So Paulo, Ano 6 - No 33 Jan/Fev. 2001. Brasil.
260

- Degasperi, F.T.; Martins, M.N.; Takahashi, J.; Verardi, S.L.L.; "Time Dependence of the Pressure Profile in a Tube with Axially-Dependent Degassing". Particle Accelerator Conference, PAC-2001, Chicago, Illinois, USA, 2001. Apresentado em forma de Painel e Publicado nos Anais. - Degasperi, F.T.; Mammana, V.P.; Verardi, S.L.L.; Baranauskas, V.; "Calculation of the Vacuum Pressure Gradient in Field Emission Displays". Trabalho Publicado no Peridico Surface Coatings and Technology, 2001. - Buikema, H.; Hering, V.R.; Mammana, V.P.; Degasperi, F.T.; Pavani Filho, A.; Calculation of the Deflection for Porous Polymide Membranes in Field Emission Displays. Asia Display IDW 2001 Society for Information Display. 21st International Display Research Conference. The 8th International Displays Workshops. Nagoya, Japan, 2001. Trabalho e Painel Premiados pela Excelncia. - Degasperi, F.T.; Martins, M.N.; Takahashi, J.; Verardi, S.L.L.; "Pressure Field Along the Axis of an Accelerating Structure". European Particle Accelerator Conference, EPAC-2002, Paris, Frana, 2002. Trabalho apresentado em forma de Painel e Publicado nos Anais. - Degasperi, F.T.; Motta, C.C.; Verardi, S.L.L.; Pressure Field Along the Axis of an High Power Klystron Amplifier. 14th IEEE International Pulsed Power Conference - 2003 PPC-IEEE. Austin, Texas, USA, 2003. Trabalho Apresentado em Forma de Painel e Publicado nos Anais. - Degasperi, F.T.; Verardi, S.L.L.; Motta, C.C.; Pressure Field in the Cathode-Anode Regions of a High-Power Klystron Amplifier. 15th IEEE International Vacuum Electronics Conference IVEC2004, Monterey, California, USA, 2004. Apresentado em Forma de Painel e Publicado nos Anais. - Degasperi, F.T.; Martins, M.N.; Verardi, S.L.L.; Takahashi, J.; Pressure Field Distribution in a Cylindrical Geometry with Arbitrary Cross Section. 9th European Particle Accelerator Conference EPAC-2004, Lucerne, Swiss, 2004. Apresentado em Forma de Painel e Publicado nos Anais. - Degasperi, F.T.; Martins, M.N.; Takahashi, J.; Verardi, S.L.L.; Pressure Field in a Tube with a General and Arbitrary Time- and Position-Dependent Gas Source. Journal of Vacuum Science and Technology JVST-A, American Vacuum Society. Sep-Oct 2004. - Degasperi, F.T.; Verardi, S.L.L.; Martins, M.N.; Takahashi, J.; Pressure Field Distribution in a Conical Tube with a Transient Gas Source and Outgassing. 5th Particle Accelerator Conference PAC-2005, Knoxville, TN, USA, 2005. Apresentado em Forma de Painel e Publicado nos Anais. - Degasperi, F.T.; Baranauskas, V.; Pressure Field in High Vacuum Systems: Mathematical Physics Formulation. 8th European Vacuum Conference - EVC-8 e 2nd Annual Conference of the German Vacuum Society. Berlin, Germany, 2003. Trabalho Apresentado em Forma de Painel.

261

- Degasperi, F.T.; Mammana, V.P.; Baranauskas, V.; Steady-State and Transient Pressure Profile in Field Emission Display. 8th European Vacuum Conference - EVC-8 e 2nd Annual Conference of the German Vacuum Society. Berlin, Germany, 2003. Trabalho Apresentado em Forma Oral. - Degasperi, F.T.; Martins, M.N.; Verardi, S.L.L.; Takahashi, J; Pressure Field in a Tube with a General and Arbitrary Time- and Position-Dependent Degassing. 8th European Vacuum Conference - EVC-8 e 2nd Annual Conference of the German Vacuum Society. Berlin, Germany, 2003. Trabalho Apresentado em Forma de Painel. - Degasperi, F.T. Pressure Field Distribution in a Superconductor Accelerator Tube of CERN. Seminrio Convidado e Apresentado no Grupo de Vcuo do CERN. Genebra, Swiss, 2004. - Degasperi, F. T.; Baranauskas, V.; Mathematical Physics Formulation to Pressure Field in a Tube with an Arbitrary Axisymmetric Cross Section. 16th International Vacuum Congress IVC-16, Venice, Italy, 2004. Apresentado em forma oral. - Degasperi, F.T.; Pressure Field Distribution in Ultra High-Vacuum Systems. 41st IUVSTA WORKSHOP Vacuum System Design for Particle Accelerators: a multidisciplinary approach. Brdo pri Kranju, Slovenia, 2004. Apresentado em forma oral. - Degasperi, F.T.; "Campo de Presso em Associao de Tubos em Sistemas de Alto-Vcuo. XXVI Congresso Brasileiro de Aplicaes de Vcuo na Indstria e na Cincia XXVI CBRAVIC, Universidade Estadual de Londrina, Londrina, PR, Brasil, 2005. Apresentao Oral. - Degasperi, F.T.; Mammana, V.P.; Baranauskas, V.; Vacuum Calculation and System to Field Emission Display. XII InfoDysplay III BrDisplay VII DisplayEscola Centro de Pesquisa Renato Archer CenPRA Campinas, SP, Brasil, 2005. Apresentao Oral Convidada.

262

Apndice C
Expresses Matemticas para as Curvas de Velocidade de Bombeamento de Bombas de Vcuo.
A anlise, modelagem e clculo de sistemas de vcuo em geral pr-vcuo, alto-vcuo e ultra alto-vcuo exigem o conhecimento de vrios dados pertinentes ao processo de bombeamento de gases e vapores. Alguns desses dados, como por exemplo, as condutncias dos componentes da linha de bombeamento, podem ser determinados por meio de clculos. Em geral, so necessrias as dimenses dos tubos, vlvulas, filtros, etc., alm das grandezas fsicas relativas cintica dos gases, como temperatura, massa molecular dos gases envolvidos no bombeamento. Outros dados necessrios s modelagens, anlises e os clculos detalhados de sistemas de vcuo so as curvas de velocidade de bombeamento das bombas de vcuo em funo da sua presso de operao. Geralmente, as curvas de velocidade de bombeamento, da maioria das bombas de vcuo comercializadas, esto disponveis nos catlogos dos fabricantes. Esquematicamente, um sistema de vcuo, operando em qualquer faixa de presso pode ser representado conforme mostrado a Figura C.1

Cmara de Vcuo

Sistema de Bombeamento de Vcuo

pCV=pCV(t)

Tubulao ou Linha de Bombeamento


Figura C.1 Configurao de um sistema de vcuo geral apresentando as suas trs partes principais: a cmara de vcuo, a linha de bombeamento os tubos, conexes, vlvulas, filtros, etc. e o sistema de bombeamento de vcuo as bombas de vcuo.

263

Como estudado detalhadamente no Apndice A, a determinao da evoluo temporal da presso na cmara de vcuo envolve a soluo da Equao Fundamental para o Processo de Bombeamento em Vcuo EPV, conforme mostrada a seguir com a sua condio inicial

VCV

dpCV (t ) dt pCV t

Sef pCV (t )
i 1

Qi
.

p0

Sendo que Sef a velocidade efetiva de bombeamento pode ser escrita em termos da velocidade da bomba de vcuo Sbv , geralmente fornecida pelas empresas fabricantes, e da condutncia total da linha de bombeamento CTotal , que liga a cmara de vcuo s bombas de vcuo. Desta forma, nas modelagens de sistemas de vcuo, precisamos ter o conhecimento da funo velocidade de bombeamento das bombas de vcuo em funo da presso, e assim construmos a funo, em geral dependente da presso, mostrada abaixo

1 S ef

1 S bv

1 CTotal

S ef

S bv CTotal . S bv CTotal

Apesar de estarmos expondo a necessidade do conhecimento das curvas de velocidade de bombeamento das bombas de vcuo, argumentando em torno da modelagem por meio da abordagem discreta, o mesmo ocorre na abordagem contnua. Algumas bombas de vcuo como, por exemplo, a bomba de sorpo, a bomba de sublimao de titnio, a bomba criognica e a bomba NEG no acompanham em seus catlogos as suas curvas de velocidade de bombeamento em funo da presso de operao; assumimos nestes casos que a velocidade de bombeamento o valor fornecido pelos fabricantes e vlido para toda a sua faixa de operao. Em particular, para a bomba de sorpo, os seus fabricantes fornecem as curvas de presso em funo do tempo para situaes tpicas de sistemas de vcuo. Os fabricantes exemplificam-na mostrando os valores de presso no tempo para uma cmara de vcuo, com certo volume, considerando uma particular bomba de sorpo. Por meio desta curva possvel obter e construir a curva da velocidade de bombeamento. No caso de projetos de sistemas de vcuo de grande porte, um procedimento seguro fazermos um prottipo, ou ainda, determinar experimentalmente as curvas de velocidade de bombeamento para as bombas de vcuo que no trazem informao sobre o seu comportamento

264

geral em funo da presso. Ainda h a possibilidade de obter informaes adicionais sobre o seu desempenho junto aos seus fabricantes. Mesmo para as bombas de vcuo cujas curvas de velocidade de bombeamento so disponveis, temos situaes particulares, como por exemplo: a presena de gases especiais, perigosos, ou ainda vapores, tambm no caso de temperatura de operao fora do usual, enfim, situaes no corriqueiras nos sistemas de vcuo. Podemos obter a soluo da Equao Fundamental para o Processo de Bombeamento em Vcuo EPV tanto analitica como numericamente, aproximando a curva real da velocidade de bombeamento, de uma particular bomba de vcuo, por uma funo composta por vrias funes de valor constante. Assim, para cada intervalo de presso assumimos um valor de velocidade de bombeamento constante, o mesmo para outro intervalo de presso, e assim por diante. Este um procedimento legtimo. Certamente uma aproximao, como a tarefa de modelagem! O que pretendemos mostrar a seguir uma srie de expresses matemticas, que representam de forma bastante precisa, as curvas de velocidade de bombeamento das mais importantes e usuais bombas de vcuo. O alcance de uma expresso matemtica sempre maior que o conhecimento de uma tabela ou de uma curva aproximada por degraus; por meio do conhecimento de uma expresso matemtica poderemos fazer qualquer operao matemtica com ela, ou seja, integr-la, diferenci-la, determinar pontos de mximo e mnimo, e outras operaes. Assim, foram obtidas as expresses matemticas da velocidade de bombeamento das seguintes bombas de vcuo: bomba mecnica de palheta de um estgio, bomba mecnica de palheta de dois estgios, bomba de pisto, bomba de diafragma, bomba de anel lquido, bomba scroll, bomba roots, bomba injetora de vapor, bomba de difuso ou difusora, bomba turbomolecular-drag, bomba turbomolecular e bomba inica. Cabe mencionar que as expresses matemticas foram obtidas por meio de ajustes das curvas disponveis nos catlogos dos fabricantes. Assim, enfatizamos que as expresses matemticas no forma obtidas a partir de primeiros princpios de funcionamento das bombas de vcuo em questo. O ponto de partida para a obteno das expresses matemticas foi a constatao de que as curvas de velocidades de bombeamento so muito similares quelas das curvas de resposta dos filtros eltricos em funo da freqncia, ou seja, os filtros passa-alta, passa-baixa e passa-banda. A seguir mostraremos as curvas de velocidade de bombeamento em funo da presso. 1. Bomba Mecnica de Palheta de um Estgio, Bomba Mecnica de Palheta de Dois Estgios, Bomba de Pisto, Bomba de Diafragma, Bomba de Anel Lquido e Bomba Scroll. Estes tipos de bombas de vcuo iniciam sua operao presso atmosfrica e atingem presses da ordem de 20 mbar para a bomba de anel lquido e 10-1 at 10-4 mbar para as demais. A

265

expresso matemtica bsica para expressar a curva de velocidade de bombeamento dessas bombas de pr-vcuo est mostrada a seguir, mostrada na Expresso C.1

S BM ( p )

S MX 1

A a p final p
b c

1 1

B
e

C.1

p d p final

onde - p a presso na flange de entrada da bomba de vcuo, - SMX a velocidade de bombeamento mxima, ou ainda, a velocidade nominal da bomba de vcuo, - pfinal a presso mnima que a bomba de vcuo atinge, e - a, b, c, d, e, f, A e B so constantes que dependem de um particular tipo ou modelo de bomba de vcuo. primeira vista, o fato de termos uma expresso aparentemente complicada e com algumas constantes a serem determinadas pode parecer uma desvantagem, mas acreditamos que no devemos olhar desta forma. Com as constantes a serem determinadas que no ser uma tarefa difcil de realizar! nos dar a possibilidade de ajustar muito bem a curva da velocidade de bombeamento de uma particular bomba de vcuo. Tambm, do ponto de vista computacional, esta expresso no trar dificuldade alguma em sua manipulao numrica. Complementando, cabe mencionar que um particular tipo de bomba de vcuo, dessas que listamos, ou ainda, dentro de certo tipo de bomba de vcuo, podemos encontrar pequenas variaes na forma da curva de velocidade de bombeamento dada pela expresso acima. Estas variaes dependem da capacidade da bomba de vcuo, isto , se so bombas de vcuo de pequeno ou grande porte. Ainda, do fabricante, uma vez que detalhes de projeto podem introduzir detalhes que levam a alguma particularidade bomba de vcuo. Assim, certamente, a expresso matemtica mostrada acima dever tambm incorporar estas particularidades. Poderemos em alguns casos ter necessidade de compor outras funes matemticas com a expresso dada, pois, poderemos ter uma particular bomba de vcuo cuja velocidade de bombeamento, em certo intervalo de presso, seja difcil de ser ajustado unicamente por meio da manipulao da expresso dada. No final deste apndice construiremos curvas de velocidade de bombeamento para as vrias bombas de vcuo listadas. Adotaremos os catlogos das empresas fabricantes das bombas de vcuo, como a literatura tcnica para a obteno das curvas de

266

velocidade de bombeamento a serem reproduzidas. Para esta tarefa utilizaremos o programa MathCADTM. 2. Bomba Roots. A expresso matemtica para a construo da curva de velocidade de bombeamento em funo da presso, para as bombas mecnicas roots, est mostrada a seguir na Expresso C.2

S BR ( p )

S MX 1 a p final p

A
b c e f

C.2

p d p final

onde - p a presso na flange de entrada da bomba de vcuo, - SMX a velocidade de bombeamento mxima, ou ainda, a velocidade nominal da bomba de vcuo, - pfinal a presso mnima que a bomba de vcuo atinge, e - a, b, c, d, e, f e A so constantes que dependem de um particular modelo de bomba roots. Os comentrios tecidos no item acima valem para o caso da bomba roots. No final deste apndice construiremos curvas de velocidade de bombeamento para bombas de vcuo roots. Adotaremos os catlogos das empresas fabricantes das bombas de vcuo, como a literatura tcnica para a obteno das curvas de velocidade de bombeamento a serem reproduzidas. Para esta tarefa utilizaremos o programa MathCADTM. 3. Bomba Injetora de Vapor ou Bomba Booster de Vapor. Este tipo de vcuo inicia sua operao presso de 1 mbar e atingem presses da ordem de 10-4 mbar. A expresso matemtica bsica para expressar a curva de velocidade de bombeamento dessas bombas de vcuo est mostrada a seguir na Expresso C.3

S MX
log S MX log S INT log p log p1 log S INT

para p1

p MX

S BIV ( p )

10

log p1 log p 2

para p1
log p log p2 log S Im n

p2

C.3

10

log S INT log S m n log p 2 log p mn

para p 2

p mn

267

onde - p a presso na flange de entrada da bomba de vcuo, - SMX a velocidade mxima de bombeamento, ou ainda, a velocidade nominal da bomba de vcuo, - SINT a velocidade de bombeamento para a presso p2, - Smn a velocidade de bombeamento para a presso pmn , e - pmn a presso mnima que a bomba de vcuo atinge. Os comentrios feitos no item acima valem para o caso da bomba booster de vapor ou tambm chamada bomba injetora de vapor. No final deste apndice construiremos curvas de velocidade de bombeamento para estas bombas de vcuo. Adotaremos os catlogos das empresas fabricantes das bombas de vcuo, como a literatura tcnica para a obteno das curvas de velocidade de bombeamento a serem reproduzidas. Para esta tarefa utilizaremos o programa MathCADTM. 4. Bomba de Difuso ou Difusora, Bomba Turbomolecular-Drag e Bomba Turbomolecular. Estes tipos de bombas de vcuo iniciam sua operao presso em torno de 10-1 a 10-2 mbar e podem atingir presses da ordem de 10-6 para as bombas turbomolecular-drag, 10-9 mbar para as bombas difusoras com certos tipos de leo e com armadilha gelada e 10-10 mbar para as bombas turbomoleculares. A expresso matemtica bsica para expressar a curva de velocidade de bombeamento para as bombas de vcuo listadas est mostrada a seguir na Expresso C.4

S BD ( p )

S MX 1

1 p a pinicial
b c

C.4

onde - p a presso na flange de entrada da bomba de vcuo, - SMX a velocidade de bombeamento mxima, ou ainda, velocidade nominal da bomba de vcuo, - pinicial a presso que a bomba de vcuo inicia sua operao, - a, b e c so constantes que dependem de um particular tipo e modelo das bombas de vcuo. No caso de sistemas de alto-vcuo utilizando bomba difusora, tendo como exigncia um vcuo no contaminado com vapor de leo na verdade, quantidades muito pequenas de vapor de leo podemos instalar as chamadas armadilhas geladas e os anteparos. Nestes casos teremos uma diminuio significativa da velocidade de bombeamento efetiva. Nas modelagens, deveremos incluir este fato associando em srie com a bomba de difuso o anteparo e a armadilha gelada.

268

Os comentrios tecidos no item acima continuam vlidos para o caso das bombas de vcuo listadas neste item. No final deste apndice construiremos curvas de velocidade de bombeamento para as bombas de vcuo mencionadas. Adotaremos os catlogos das empresas fabricantes das bombas de vcuo, como a literatura tcnica para a obteno das curvas de velocidade de bombeamento a serem reproduzidas. Para esta tarefa utilizaremos o programa MathCADTM. 5. Bomba Inica. A expresso matemtica da curva de velocidade de bombeamento em funo da presso, para a bomba inica est mostrada a seguir na Expresso C.4

S BR ( p )

S MX 1 a p final p

1
b c e f

C.4

p d p final

onde - p a presso na flange de entrada da bomba de vcuo, - SMX a velocidade de bombeamento mxima, ou ainda, a velocidade nominal da bomba de vcuo, - pfinal a presso mnima que a bomba de vcuo atinge, e - a, b, c, d, e e f so constantes que dependem de um particular modelo de bomba mecnica inica. No final deste apndice construiremos curvas de velocidade de bombeamento para as bombas inicas. Adotaremos os catlogos das empresas fabricantes das bombas de vcuo, como a literatura tcnica para a obteno das curvas de velocidade de bombeamento a serem reproduzidas. Para esta tarefa utilizaremos o programa MathCADTM. Como comentrio geral podemos dizer que somos capazes de representar matematicamente as curvas de velocidade de bombeamento, para a maioria das bombas de vcuo disponveis no mercado, a partir das expresses matemticas construdas neste apndice. Cabe mencionar que este trabalho original, sendo que o autor no encontrou na literatura da rea, expresses matemticas para as curvas de velocidade de bombeamento para as bombas de vcuo. Tambm pertinente enfatizar que as expresses matemticas no foram obtidas a partir do princpio de funcionamento das bombas de vcuo. Mas sim da explorao de funes que ajustem bem as curvas obtidas dos catlogos dos fabricantes. Fechando este apndice, fizemos uma apresentao das expresses matemticas das curvas de velocidade de bombeamento em funo da presso para as bombas de vcuo mais usadas tanto na indstria como na cincia e na tecnologia. A seguir so mostradas curvas de velocidade de bombeamento para as bombas de vcuo listadas neste apndice com os seus grficos.

269

Expresses Matemticas para as Curvas de Velocidade de Bombeamento de Bombas de Vcuo.


Definio da escala das presses.
w 11

1 14 c w

10

1 126

1 9

0 9 117

pa

ac
1 9

Bomba Mecnica de Palhetas de um Estgio. Modelo 1015 SD, srie Pascal e marca Alcatel. SBMmx SBMz 12.5 SBMmx 1 metros cbicos / hora 1 0.8 5 10 pz
2 1.7 10

1 1

1 pz 1.5 10
1 1

5 10

15

Vel. de Bomb. (met.cb./h)

10 SBMz 5

0.01

0.1

1 pz presso (mbar)

10

100

1 10

Cabe mencionar que as curvas a serem obtidas, como a curva mostrada acima, so curvas aproximadas. Por meio de uma inspeo visual nos catlogos, construmos as curvas ajustando as constantes nas expresses matemticas. A curva mostrada acima, a representao da velocidade de bombeamento foi feita em escala linear. Muitas vezes a velocidade de bombeamento representada em escala logartmica. A seguir mostramos a mesma curva acima em escala logartmica. Devemos prestar ateno s unidades considerada em nossa modelagem e assim extrair corretamente as informaes a partir das curvas.

100

Vel. de Bomb. (met.cb./h)

10 SBMz 1

0.1 0.01

0.1

1 pz presso (mbar)

10

100

1 10

Bomba Mecnica de Palhetas de dois Estgios. Modelo E2M30 e marca BOC Edwards. SBMmx 537 litros / minuto 1 1.3 7.5 10 pz
4 0.7 10

SBMz

SBMmx 1

1 1 0.5 10

1 pz
1 0.95 4

7.5 10

1 10

Vel. de Bomb. (l/min)

100

SBMz

10

0.1 4 1 10

1 10

0.01

0.1 pz presso (torr)

10

100

1 10

Bomba Scroll. Modelo DS 610 e marca Varian. SBSrmx SBSr z 585 litros / minuto 1 1.0 7.5 10 pz
3 3.7 10

SBSrmx 1

1 1 0.5 10

1 pz
1 0.195 3

7.5 10

1 10 Vel. de Bomb. (l/min)

100

SBSr z

10

0.1 3 1 10

0.01

0.1

1 pz presso (torr)

10

100

1 10

Bomba Diafragma de dois Estgios. Modelo DIVAC 0.6 L e marca Leybold. SBDmx SBDz 10.0 SBDmx 1 metros cbicos / hora 1.15 17.0 8 pz
0.8 0.9

1 1

1 pz 2.50 8
1.8

10 Vel. de Bomb. (met.cb/hora)

SBD z 1

0.1

10 pz presso (mbar)

100

1 10

Bomba Roots. Modelo EH500 - E1M80 e marca BOC Edwards. SBMmx SBMz 605 SBMmx 1 1 3.0 10 pz
3 2

metros cbicos / hora 1


6

pz 10 3.0 10
3 3

0.4

1 10 Vel. de Bomb. (met.cb/hora)

100 SBMz 10

1 3 1 10

0.01

0.1

1 pz presso (mbar)

10

100

1 10

Bomba Injetora de Vapor. Modelo 18B4B e marca BOC Edwards. SBIVmx 1 10


4

litros / segundo

SBIV1z

SBIVmx
3

9 10

pz 1
1

pz 1

Az

9 10

pz 1
4 1

10
3

pz 1

log 1 10

log 4 10 log 10

SBIV2z

10

log 10

log p z log 10

log 4 10

Az

Bz

9 10

pz 1
3

10

pz 1
4

log 4 10

log( 50) log 10


4

SBIV3z

10

log 10

log p z log 10

log( 50)

Bz

1 10 Vel. de Bomb. (litros/segundo)

1 10 SBIV1z

SBIV2z1 103 SBIV3z 100

10 4 1 10

1 10

0.01 pz presso (mbar)

0.1

Bomba Difusora. Modelo HS-20 e marca Varian. SBDmx 17500 litros / segundo 1 pz 0.215 1.0 10
2 10
4

SBDz

SBDmx 1

2 1

Vel. de Bomb. (litros/segundo)

1.5 10

SBD z 1 104

5000

1 10

1 10

1 10

1 10

1 10 pz

1 10

1 10

0.01

0.1

presso (torr)

Bomba Turbomolecular. Modelo TC TPU 2201 C e marca Pfeiffer. SBTmx 2100 litros / segundo 1 pz 0.8 1.0 10
1 1.2 3

SBT z

SBTmx 1

3000 Vel. de Bomb. (litros/segundo)

2000 SBT z 1000

1 10

10

1 10

1 10

1 10

1 10

1 10 pz

1 10

1 10

0.01

0.1

presso (mbar)

Bomba Inica. Modelo MI-150 Mag-Ion e marca Veeco. SBImx SBIz 105 SBImx 1 3 1.0 10 pz
11 1

litros / segundo 1
6

pz 10 1.0 10
8 11

0.3

Na representao matemtica das curvas de velocidade de bombeamento das bombas de vcuo, poderemos enfrentar o problema de no conseguirmos obter uma boa aderncia entre a proposta da expresso matemtica e a curva encontrada no catlogo que quearemos trabalhar. Neste caso podemos agir da seguinte forma: construir por pedaos a curva da velocidade de bombeamento. Assim, podemos para cada trecho da curva de velocidade de bombeamento fornecida pelo catlogo utilizar uma expresso matemtica que a represente bem, dentro do critrio de qualidade estabelecido na anlise aser realizada. Citando um caso cuja situao comentada acima ocorre com freqncia, temos as bombas roots. Existem marcas deste tipo de bomba de vcuo, cuja velocidade de bombeamento, desde a presso atmosfrica at 100 mbar, praticamente constante e igual a bomba mecnica acoplada a ela. A partir de 110 mbar, para presses menores h um aumento bastante acentuado de velocidade de bombeamento, neste caso verificamos que mais fcil considerar a construo da funo matemtica da velocidade de bombeamento em duas partes.

Vel. de Bomb. (litros/segundo)

100

SBI z 50

1 10

10

1 10

1 10

1 10

1 10 pz

1 10

1 10

1 10

presso (torr)

CONCLUINDO: Contrumos curvas de velocidade de bombeamento em funo da presso para vrias bombas de vcuo muito utilizadas tanto na indstria como na cincia. Cabe mencionar que so curvas aproximadas das curvas disponveis em catlogos dos fabricantes. Certamente, para muitas bombas de vcuo teremos muita dificuldade em ajustar as suas curvas de velocidade de bombeamento para toda a sua faixa de operao. Caso haja necessidade de uma boa reproduo, podemos lanar mo de um artifcio, que ajustar a curva por pedaos. Esta tarefa em geral trabalhosa mas podemos chegar a bons resultados; nestes casos usamos a funo degrau ou funo Hevisade. Para saber se uma modelagem sobre o processo de bombeamento em vcuo muito dependente da curva velocidade de bombeamento ajustada, podemnos simplesmente fazer pequenas variaes em torno da curva proposta e verificar o seu efeito nos clculos.

Referncias: - Degasperi, F.T.; Caderno de Atividades - Notas Particulares. Instituto de Fsica da Universidade de So Paulo. 1990 a 2000. - Degasperi, F.T.; - "Deduo da Equao Fundamental para o Processo de Bombeamento na Tecnologia do Vcuo: Objetivo Didtico". XII Congresso Brasileiro de Aplicaes de Vcuo na Cincia e na Indstria, Florianpolis, SC, Brasil, 1991. Seminrio. - Sanches Jnior, R.L.; Trabalho de Graduao do Curso de Materiais, Processos e Componentes Eletrnicos. Trabalho desenvolvido no Laboratrio de Tecnologia do Vcuo da Faculdade de Tecnologia de So Paulo. Trabalho orientado por Francisco Tadeu Degasperi. 1997. - Degasperi, F.T.; Corra Filho, W.F.; Sanches Junior, R.L.; "Detalhes do Processo de Bombeamento em Sistemas de Vcuo Industriais". Sesso "Tecnologia do Vcuo na Indstria" do XIX Congresso Brasileiro de Aplicaes de Vcuo na Indstria e na Cincia (CBRAVIC), LNLS, Campinas, SP, Brasil, 1998. Comunicao Oral. - Catlogos das Seguintes Empresas de Vcuo: Leybold, Pfeiffer-Balzers, Alcatel, Varian, Edwards e Kurt-Lesker. - Manual do Programa MathCadTM Professional Faculdade de Tecnologia de So Paulo Fatec-SP. - Wieder, S.; Introduction to MathCADTM for Scientists and Engineers. McGraw-Hill, Inc. 1992. - Kaganov, I.L.; Electronica Industrial Curso General. Editorial Mir. 1971. verso 6.0, MathSoft Inc. Instalado na

277

Apndice D
Comparao entre a Abordagem Discreta e a Abordagem Contnua na Modelagem de Sistemas de Vcuo.
Em tecnologia do vcuo as anlises, modelagens e clculos dos sistemas de vcuo em geral so realizados por meio da abordagem discreta, sejam eles de pr-vcuo, de alto-vcuo ou de ultra alto-vcuo. Este tipo de abordagem, apesar de til na maioria dos casos, bastante limitado, uma vez que por meio dela conseguimos obter um nico valor de presso geralmente dependente do tempo para toda a extenso da cmara de vcuo. A anlise discreta no fornece o campo de presso e o seu gradiente em funo da posio interna da cmara de vcuo. A abordagem discreta foi detalhada e rigorosamente desenvolvida no Apndice A. Em contra partida, na abordagem contnua podemos obter a presso em funo do tempo para cada ponto que compe a cmara de vcuo, isto , temos uma soluo com estrutura de campo, no caso campo escalar de presso. A partir da funo matemtica que representa o campo de presso, podemos determinar o gradiente de presso. A abordagem contnua foi detalhada e rigorosamente desenvolvida no Apndice B. Na modelagem realizada por meio da abordagem discreta os sistemas de vcuo so divididos em trs partes distintas e independentes, que so: a cmara de vcuo, a tubulao ou linha de bombeamento e o sistema de bombeamento de vcuo. Esquematicamente temos representado abaixo na Figura D.1 um sistema de vcuo tpico

Cmara de Vcuo

Sistema de Bombeamento de Vcuo

pCV= pCV(t)

Tubulao ou Linha de Bombeamento


Figura D.1 Configurao de um sistema de vcuo apresentando as suas trs partes principais: a cmara de vcuo, a tubulao ou linha de bombeamento e o sistema de bombeamento de vcuo.
279

Definindo sucintamente estas trs partes, podemos dizer que a cmara de vcuo a regio onde realizamos o processo em vcuo, a tubulao ou linha de bombeamento compreende as partes da conexo da cmara de vcuo ao sistema de bombeamento de vcuo fazem parte os tubos, conexes, vlvulas, filtros, armadilhas geladas, conexes em geral e finalmente temos o sistema de bombeamento de vcuo, este ltimo responsvel pela remoo dos gases e vapores do sistema de vcuo. Como mostramos no Apndice A, a modelagem dos sistemas de vcuo, por meio da abordagem discreta, determinamos um nico valor de presso em funo do tempo para toda a cmara de vcuo. Para muitas situaes encontradas na tecnologia do vcuo esse tipo de abordagem atende s necessidades de projeto, porm para muitas outras situaes, como por exemplo, nos sistemas de alto-vcuo tubulares a presso ao longo da sua extenso pode variar por vrias ordens de grandeza. Nestes casos a presso dependente unicamente do tempo, obtida por meio da abordagem discreta, esconde completamente a realidade fsica do problema. Veremos neste apndice uma situao realstica cuja anlise por meio da abordagem contnua imprescindvel. A Equao Fundamental para o Processo de Bombeamento em Vcuo EPBV na abordagem discreta mostrada abaixo

VCV

dp CV (t ) dt

S ef pCV (t )
i 1

Qi ,

com

1 S ef

1 S bv

1 CTotal

S ef

S bv CTotal , S bv CTotal

assim ficamos com a equao diferencial ordinria de primeira ordem e a sua condio inicial

VCV

dpCV (t ) dt

S bv CTotal S bv CTotal pCV (t 0) p0

pCV (t )
i 1

Qi

Este tipo de anlise considera todo o sistema de vcuo cmara de vcuo, linha de bombeamento e sistema de bombeamento como sendo constitudo de dimenso geomtrica puntual.

280

A abordagem discreta faz exclusivamente uso do princpio de conservao de energia e podemos esquematicamente representar o balano energtico do sistema fsico conforme Figura D.2 mostrada abaixo

Qi
i 1

S ef pCV (t )
dp CV (t ) dt

Sistema de Vcuo

VCV

Figura D.2 Representao puntual de um sistema de vcuo por meio da abordagem discreta.

Vemos que os termos da Equao Fundamental para o Processo de Bombeamento em Vcuo EPBV tm dimenso de potncia energia na unidade de tempo , que pode ser expressa como: mbar.l.s-1, ou torr.l.s-1, ou ainda, no Sistema Internacional de Unidades SI, Pa.m3.s-1 que eqivale a W. Caso de Estudo 1. O objetivo deste apndice confrontar as abordagens discreta e contnua nas modelagens de sistemas de vcuo. Para tanto vamos considerar um sistema de vcuo bastante simples e por meio dele estudar e comparar as duas abordagens. Vamos considerar um sistema de alto-vcuo composto por uma cmara de vcuo em forma cilndrica isto no essencial em nossa modelagem conforme mostrado na Figura D.3

Cmara de Vcuo

Bomba de Alto-Vcuo

Linha de Bombeamento
Figura D.3 Sistema de alto-vcuo com cmara de vcuo, linha de bombeamento e bomba de vcuo.

281

A cmara de vcuo tem dimetro de DCV = 80 cm e comprimento de LCV = 160 cm. A tubulao tem dimetro de DTub = 20 cm e comprimento de LTub = 60 cm. A velocidade de bombeamento da bomba de alto-vcuo constante e de Sbv = 150 l.s-1. O volume da cmara de vcuo de aproximadamente VCV = 804 litros e a sua rea exposta ao vcuo de aproximadamente ACV = 5 x 104 cm2. Consideraremos a taxa de degaseificao especfica do material da cmara de
CV vcuo igual a q deg = 1 x 10-10 mbar.l.s-1.cm-2. Desta forma, a taxa de degaseificao da cmara de

vcuo, considerando as reas das tampas de da parte cilndrica de aproximadamente Qdeg = 5 x 10-6 mbar.l.s-1. A velocidade efetiva de bombeamento, isto , a velocidade que efetivamente bombeia a cmara de vcuo dada por

1 S ef

1 S bv

1 CTotal

ou de uma forma mais

conveniente S ef

S bv CTotal . Calculando a condutncia total da linha de bombeamento, S bv CTotal

admitindo o gs N2 e temperatura T = 293 K, encontramos o valor aproximado de CTotal = 916 l.s-1. Consideramos o orifcio de entrada do tubo da linha de bombeamento em srie com o prprio tubo, matematicamente temos que a condutncia resultante dada pela seguinte expresso

1 CTotal

1 COrifcio

1 CTubo

Assim, determinamos a velocidade efetiva de bombeamento como sendo Sef = 129 l.s-1. A partir da equao fundamental para o processo de bombeamento em vcuo, considerando que a presso final foi atingida, isto , a presso na cmara de vcuo no varia no tempo, temos que
n final S ef p CV i 1 n

Qi

final S ef p CV i 1

Qi e

como

estamos

admitindo

somente

final degaseificao como fonte de gs chegamos seguinte expresso S ef pCV

Qdeg . Encontramos,
3,9 x 10-8 mbar.

final na cmara de vcuo o seguinte valor aproximado de presso final, p CV

Conforme mencionamos de forma enftica e at exaustiva e agora constatamos neste exemplo, obtivemos um nico valor de presso para toda a cmara de vcuo. Esta uma limitao intrnseca da abordagem discreta. Veja que o fato de termos considerado o problema independente do tempo, isto , a presso final na cmara de vcuo foi atingida, no essencial. Nos problemas cuja presso dependente do tempo, temos ainda um s valor dela, para instante, para toda a cmara de vcuo! Modelaremos a seguir o mesmo problema cuja geometria muito comum em sistemas de alto-vcuo adotando a abordagem contnua. Consideraremos este sistema de alto-vcuo como sendo formado por um tubo cilndrico conforme esquematizado na Figura D.4. Ou seja, a cmara de

282

vcuo do sistema de alto-vcuo ser considerada como sendo de geometria tubular. No desenho abaixo vemos uma extenso pontilhada que tem incio em x = 0 e fim em x = Li. O comprimento de Li at Lf igual a 160 cm, ou seja, LCV = Lf - Li = 160 cm. Posteriormente discutiremos sobre o trecho da parte inicial da cmara de vcuo, representada em linha pontilhada, isto , 0 at Li. Vamos considerar o clculo da presso na cmara de vcuo, ou melhor, o clculo do campo de presso. Vamos admitir um modelo tubular com as mesmas dimenses adotadas na abordagem discreta a menos de algumas correes como iremos discuti-las posteriormente. Mesmo na modelagem contnua consideraremos que a presso somente possa variar ao longo da sua extenso, ou seja, estaremos construindo um modelo unidimensional, chamaremos de direo x. O clculo do campo de presso ser estacionrio no tempo e depender exclusivamente da varivel x.

Cmara de Vcuo

Bomba de Alto-Vcuo Sef Sbv

Linha de Bombeamento
0 Li Lf X

Figura D.4 Sistema de alto-vcuo com cmara de vcuo cilndrica, linha de bombeamento e bomba de alto-vcuo.

Como na abordagem discreta, tambm na modelagem por meio da abordagem contnua a fonte gasosa que ser considerada exclusivamente a degaseificao. Na abordagem contnua ela dever ser especificada ao longo do tubo cilndrico. Com relao ao acrscimo, fizemos um aumento para compensar a degaseificao na tampa da esquerda da cmara de vcuo. Na abordagem contnua adotaremos que tanto a tampa da esquerda como a tampa da direita no degaseificam. A degaseificao devido tampa da esquerda ser compensada por um aumento no comprimento da cmara de vcuo, dado por L = Li 0 = Li, que ser calculado mais frente. A degaseificao devido a tampa da direita, a que est prxima ao acesso bomba de alto-vcuo, ser acrescida parede do tubo. Estas aproximaes so feitas para tornar o problema em questo unidimensional, ainda, h uma arbitrariedade no sentido que poderamos considerar, por exemplo,

283

que a degaseificao total devido s duas tampas fosse acrescida degaseificao da parede cilndrica. Este um aspecto importantssimo na construo de modelos fsicos, ou seja, as aproximaes e simplificaes so totalmente dependentes da experincia e da vivncia do analista. Certamente, poderemos fazer vrias simplificaes em nossas modelagens. Algumas sero necessrias e plausveis, fazendo com que no nos afastamentos da realidade fsica a ser estudada. Como saber? Falando precisamente, impossvel! Mas sempre poderemos comparar com dados experimentais, caso tenhamos disponveis, ou ainda, verificando a coerncia dos resultados, fazendo pequenas variaes em torno de alguns valores e analisando os novos resultados, verificando se convergem para casos bem estabelecidos ou com solues analticas. Enfim, analisar detalhadamente e criticamente os resultados alcanados na modelagem. No caso especfico aqui estudado, poderamos substituir a degaseificao das duas tampas tratadas individualmente e coloc-las juntas na degaseificao da parede cilndrica da cmara de vcuo. Assim, h algumas possibilidades. Uma anlise do problema leva-nos a admitir que no haja variaes apreciveis podemos e devemos tentar novas simplificaes , uma vez que o dimetro da cmara de vcuo metade do seu comprimento, com isso no devemos esperar gradientes intensos de presso. Para a determinao da nova taxa de degaseficao especfica da parede da cmara de vcuo, temos o seguinte roteiro de clculo, conforme a Expresso D.1

CV ( Parede Qdeg

Tampa)

CVParede Qdeg

CVTampa Qdeg

CV q deg

Parede ACV

Tampa ACV ,

D.1

atribuindo os valores numricos, temos que o throughput igual a

CV ( Parede Qdeg

Tampa )

CVParede CVTampa Qdeg Qdeg

CV qdeg

DCV LCV

2 DCV

1 10

10

80 160

4
6

802

CV ( Parede Qdeg

Tampa )

4,52 10

mbar.l.s-1

A seguir determinamos o throughput da degaseificao devido exclusivamente a desorpo de uma das tampas da cmara de vcuo, encontramos o valor

284

CVTampa Qdeg

5,03 10

mbar.l.s -1 .

CV Vamos considerar a taxa de degaseificao especfica do tubo corrigida q deg Cor , uma vez que

deveremos somar o gs desorvido da tampa da direita da cmara de vcuo ao gs desorvido da parede lateral da cmara de vcuo. Assim, temos a Expresso D.2

CV q deg Cor

DCV LCV

CV ( Parede Qdeg

Tampa )

CV q deg Cor

80 160
-1 -2

4,52 10

mbar.l.s -1
.

CV deg Cor

1,12 10

10

mbar.l.s .cm

D.2 Nas modelagens por meio da abordagem contnua, em geral, mais conveniente apresentar o throughput devido degaseificao por unidade de comprimento da cmara de vcuo. Desta forma ficamos com

CV q deg espcom

CV DCV q deg Cor

CV q deg esapcom

2,825 10

mbar.l.s -1 .cm -1 .

A quantidade que deveremos acrescentar ao comprimento original da cmara de vcuo dada pelo seguinte clculo

CVTampa Qdeg

CV qdeg espcom

CV

5,03 10 2,825 10 L CV
8

CV q deg espcom

CV

CV q deg espcom ( Li

0)
.

5,03 10

CV

2,825 10

Li

Li

17,805 cm

Assim, o comprimento da cmara de vcuo cilndrica, que estamos modelando por meio da abordagem contnua, igual a LMAC CV

(160 17,805) cm

LMAC CV

177,805 cm . Temos todos

os elementos necessrios para obter o campo de presso ao longo do eixo x da cmara de vcuo, ou seja, a condutncia especfica, a taxa de degaseificao por unidade de comprimento, e ainda a velocidade de bombeamento junto ao acesso cmara de vcuo. Adotaremos o smbolo
CV TM qs = q deg esapcom nos clculos realizados a seguir com a interveno do programa MathCAD .

285

Campo de Presso em Cmara de Vcuo Cilndrica


Comprimento do cmara de vcuo: Dimetro da cmara de vcuo: Condutncia especfica, ccv=Ccv.Lcv: Lcv Dcv ccv 2 ( 160 80cm 12 Dcv
3

17.805) cm

Lcv 2

177.805 cm

ccv

6.144

10

l.cm / s

Taxa de degaseificao por unidade de comprimento, qs=QTotal/L: qs 2.85 10


8

torr.litro/(s.cm) qs Lcv 1.013 10


5

QTotal=qs.Lcv

torr.litros/segundo 129 litros/segundo x 0 0.1 180 cm

Velocidade efetiva de bombeamento na cmara de vcuo: Sef Definio da malha para as posices ao longo de todo a CV.

A soluo estacionria dada pela funo parablica, mostrada abaixo, devido a taxa de degaseificao constante ao longo da cmara de vcuo: ps ( x ) qs 2 ccv x
2

qs Lcv 2

Lcv 4 ccv

1 Sef

A funo presso ao longo do eixo da cmara de vcuo o bem conhecido perfil parablico.
1 10
7

Presso (torr)

ps ( x)

1 10

50 x

100

150

Posio no Eixo da Cmara de Vcuo (cm)

A presso ao longo doeixo da cmara de vcuo em alguns pontos: ps ( 0 ) ps ( 50) ps ( 100) ps ( 177.8 ) 3.936 3.935 3.933 3.928 10 10 10
8 8 8 8

torr torr torr torr

10

Vemos que o campo de presso ao longo do eixo x da cmara de vcuo praticamente constante. O motivo deste fato est na alta condutncia da cmara de vcuo em comparao a velocidade efetiva de bombeamento. Neste sistema de vcuo verificamos que no h diferena prtica entre os resultados obtidos por meio das anlise discreta e contnua.

Vemos que o resultado obtido o bem conhecido campo de presso com perfil parablico. Devido s dimenses do comprimento e do dimetro da cmara de vcuo temos uma condutncia bastante grande comparada com o a velocidade efetiva de bombeamento. Desta forma, no temos uma variao aprecivel de presso ao longo do eixo da cmara de vcuo. Vemos que h praticamente uma igualdade entre os valores de presso na cmara de vcuo obtidos por meio das abordagens discreta e contnua. Em suma, como a condutncia da cmara de vcuo muito grande comparada velocidade efetiva de bombeamento, no temos gradiente de presso aprecivel na cmara de vcuo em toda a sua extenso. Mas cabe um comentrio: apesar de a presso praticamente constante ao longo do eixo da cmara de vcuo, precisa haver um gradiente, por menor que seja, seno no haver fluxo de gases! Pois, veja que h fonte gasosa na cmara de vcuo. Neste sistema de vcuo estudado, a abordagem discreta mostrou ser suficiente. Para finalizar os comentrios relativos modelagem deste sistema de vcuo, cabe mencionar que fizemos algumas simplificaes e suposies sempre teremos que fazer hipteses e simplificaes na construo de modelos fsicos. da sua essncia! Mas, se tivssemos feito algumas hipteses e simplificaes diferentes, no se distanciando da realidade fsica, os resultados obtidos no devem ser diferentes. Este um ponto que devemos explorar em nossas anlises. Ou seja, se fizermos variaes em nosso modelo, que acreditamos ser razoveis, no podemos encontrar resultados muito diferentes entre si. Isto um indcio forte que o nosso modelo representa bem a realidade fsica. Caso de Estudo 2. O nosso objetivo a seguir estudar um outro sistema de alto-vcuo, e mais uma vez, comparar as modelagens obtidas por meio das abordagens discreta e contnua. Temos tambm o propsito de mostrar que, na ausncia da possibilidade de realizar uma anlise mais sofisticada, podemos ousar algumas simplificaes mais arrojadas e tentar obter resultados que representem razoavelmente bem a realidade fsica. Consideraremos o problema em estado estacionrio. Seja o sistema de vcuo em forma tubular cilndrica mostrado na Figura D.5. Temos o dimetro D e comprimento L. H duas bombas de alto-vcuo, uma em cada extremidade do tubo. A velocidade de bombeamento de cada bomba de alto-vcuo igual Sbv e a velocidade efetiva de bombeamento em cada extremidade do tubo igual Sef. A taxa de degasificao especfica por unidade de comprimento qS constante e a condutncia especfica ou condutncia por unidade de comprimento c e igual a c = CTubo.L, onde CTubo a condutncia total do tubo. Este problema est tratado em detalhe no Captulo 3 e sua teoria no Apndice B. A soluo deste problema, em estado estacionrio, a funo que representa o perfil parablico de presso vlido para o seguinte intervalo
L 2 x L , mostrada na Expresso D.3 2

287

pTubo ( x)

qS 2 x 2c

qS L 1 2 S ef

L . 4c

D.3

Vemos que esta soluo simtrica em relao ao ponto mdio do tubo, isto x = 0 e neste ponto a presso assume o seu valor mximo.

Vlvula de Alto-Vcuo

Tubo com Taxa de Degaseificao Constante


Sef

x -L/2 0 Bombas de Alto-Vcuo com Velocidade de Bombeamento Sbv L/2

Sbv

Figura D.5 Sistema de alto-vcuo tubular com taxa de degaseificao constante. Bombas de altovcuo nas extremidades do tubo.

Consideraremos em seguida a modelagem deste sistema de alto-vcuo dispondo somente ferramental de anlise relativo abordagem discreta. Neste caso deveremos elaborar um sistema de alto-vcuo equivalente ou o mais prximo dele, com as suas partes principais cmara de vcuo, linha de bombeamento e bombas de vcuo que se aproxime da realidade fsica do problema original. Resumidamente: deveremos considerar um sistema de alto-vcuo composto por uma cmara de vcuo, uma linha de bombeamento e uma bomba de vcuo que represente bem se for possvel! o sistema de alto-vcuo tubular. O sistema de alto-vcuo a ser modelado pela abordagem discreta est mostrado na Figura D.6. Vamos considerar, de forma totalmente arbitrria, que todo o gs degaseificado ao longo do tubo da Figura D.5 tenha origem somente na cmara de vcuo da Figura D.6. Veja que a adoo arbitrria de que toda a fonte de gs tem origem na cmara de vcuo um modelo. O gs de origem na cmara de vcuo dever ser bombeado pelas duas bombas de vcuo, escoando atravs das respectivas linhas de bombeamento formadas por metade do comprimento do tubo que compes o sistema de alto-vcuo tubular. Admitiremos que nas linhas de bombeamento no h degaseificao. Elas so apenas os dutos nos quais escoam o gs que tem origem na cmara de
288

vcuo. Por meio dos resultados obtidos, verificaremos se este modelo realstico e representa bem a situao fsica.

Cmara de Vcuo Sef

Linhas de Bombeamento Sef

Bombas de Alto-Vcuo

L/2

Figura D.6 Sistema de alto-vcuo com as suas partes discretas cmara de vcuo, linha de bombeamento e bomba de vcuo.

A quantidade total de gs, em termos de throughput, que tem origem na cmara de vcuo dada por QTotal
Total q S L . A velocidade efetiva total de bombeamento S ef

2 S ef na cmara

de vcuo, na modelagem discreta, dada pela Expresso D.4

1 S ef

1 S ef

1
L/2 CTubo

S ef

L/2 S ef CTubo

S ef

L/2 CTubo

Total ef

2.S ef

Total ef

L/2 S ef CTubo

S ef

L/2 CTubo

D.4

L/2 sendo que CTubo a condutncia do tubo da linha de bombeamento com comprimento L/2. A

condutncia do tubo de comprimento L/2 o dobro da condutncia do tubo de comprimento L, CTubo , mantendo constantes as outras condies de escoamento. Estamos em condies de comparar as presses obtidas por meio das abordagens discreta e contnua modelando o sistema de alto-vcuo tubular. No caso da abordagem contnua o valor de presso no ponto mdio do tubo, isto , em x = 0 dada por
289

pTubo (0)

qS L 1 2 S ef

L , 4c

sabemos que c = CTubo.L , assim temos que

pTubo (0)

qS L 1 2 S ef

1 4C Tubo

pTubo (0)

q S L S ef C Tubo . 2 4 S ef CTubo

Agora, por meio da abordagem discreta, temos que a presso na cmara de vcuo dada pela seguinte Expresso D.5

pCV

QTotal Total S ef

qS L Total S ef

qS L L/2 S ef CTubo S ef
L/2 CTubo

qS L S ef 2CTubo S ef 2CTubo

qS L S ef 2CTubo S ef 2CTubo
. D.5

p CV

q S L S ef 2CTubo 2 2 S ef CTubo

Comparando os dois valores de presso obtidos por meio das duas abordagens na modelagem, temos que

pCV pTubo (0)

q S L S ef 2CTubo 2 2 S ef CTubo q S L S ef CTubo 2 4 S ef CTubo

S ef S ef

2CTubo CTubo pCV pTubo (0) 2 S ef S ef 2CTubo 4CTubo


,

2 S ef CTubo 4 S ef CTubo

cuja expresso depende exclusivamente das grandezas inerentes ao transporte dos gases. Ao inspecionarmos a expresso acima, podemos analisar duas situaes notveis: uma delas ocorre quando temos satisfeita a condio S ef

CTubo , isto , a velocidade efetiva de

bombeamento, que ocorre na extremidade da tubulao, muito maior que a condutncia da mesma tubulao. Assim, obteremos a relao

pCV pTubo (0)


290

pCV

2 pTubo (0) . Desta forma,

obtivemos em nosso modelo que a presso calculada na cmara de vcuo modelo discreto duas vezes maior que a presso no ponto mdio do tubo modelo contnuo , desde que a velocidade efetiva de bombeamento seja muito maior que a condutncia do tubo. Podemos interpretar este resultado como sendo uma conseqncia do efeito da condutncia no processo de bombeamento, que na condio de S ef

CTubo faz com que o efeito dominante no processo de

escoamento dos gases para as bombas de vcuo determinado pela condutncia da linha de bombeamento. Ento, para que os gases sejam bombeados, existe uma dificuldade muito grande para chegar s bombas de vcuo, devido condutncia da linha de bombeamento. Vemos que no modelo discreto consideramos a totalidade dos gases tendo origem em uma cmara de vcuo hipottica localiza no ponto mdio do tubo. Veja que esse gs precisa percorrer toda a extenso da metade do comprimento do tubo. J, caso do modelo contnuo, os gases tm origem em toda a extenso do tubo, trazendo uma facilidade maior para o seu bombeamento, pois h gases mais prximos das bombas de vcuo! Esta anlise qualitativa est em acordo com o resultado matemtico, pois chegamos concluso que a presso na cmara de vcuo modelo discreto o dobro da presso no ponto mdio do tubo modelo contnuo. Temos que ter sempre presente a dificuldade em conceber um modelo de sistema de altovcuo tubular que possa ser substitudo por um sistema de alto-vcuo com suas partes discretizadas, com isso, a sua cmara de vcuo reduzida a um ponto. Mas tambm temos que ter sempre presente que a arbitrariedade na construo de modelos fsico-matemticos total. A questo est em estarmos sempre presos realidade fsica! Outro caso notvel ocorre quando temos satisfeita a condio CTubo obteremos

S ef . Desta forma

pCV pTubo (0)

pCV

pTubo (0) . Assim, por meio das modelagens obtivemos que a

presso calculada na cmara de vcuo modelo discreto aproximadamente igual presso no ponto mdio do tubo modelo contnuo. Este resultado mais simples de ser interpretado. Como

CTubo

S ef temos que os gases no encontram resistncia em seu escoamento, e assim, o processo

de bombeamento essencialmente determinado pela capacidade de bombeamento das bombas de vcuo. Nesta situao vemos que as duas modelagens levam ao mesmo resultado de valor de presso na cmara de vcuo. Mas devemos mencionar que apesar de termos obtido resultados iguais de presso, a abordagem discreta nada nos revela sobre os possveis valores de presso ao longo da linha de bombeamento. Esta limitao da essncia da abordagem discreta. No caso da abordagem contnua tanto as fontes gasosas como as bombas de vcuo so consideradas ponto a ponto, assim podemos obter os valores de presso tambm ponto a ponto. Este alcance da essncia da

291

abordagem contnua. Este ltimo resultado obtido est em total acordo com aquele obtido no Caso de Estudo 1, cuja condutncia da cmara de vcuo muito grande compara velocidade efetiva de bombeamento levou ao resultado de um campo de presso praticamente constante. Caso de Estudo 3. Consideraremos a seguir um sistema de alto-vcuo tubular com partes do tubo apresentando diferentes taxas de degaseificao por unidade de comprimento entre si. A Figura D.7 mostra esquematicamente o sistema de alto-vcuo tubular com comprimento total L e com rea de seo transversal circular e constante. As velocidades de bombeamento das bombas de vcuo so iguais e dadas por Sbv.

Vlvula de Alto-Vcuo

q2

q1

q2

Sef

X Sbv

-L/2

-l/2

+l/2

x +L/2

Bombas de Alto-Vcuo Velocidade de Bombeamento Sbv


Figura D.7 Estrutura geral de um sistema de alto-vcuo como geometria tubular apresentando taxas de degaseificao especficas diferentes tubo em trs partes. Vemos o tubo sendo formado por trs trechos, o trecho de degaseificao especfica q2 , o trecho trecho

L 2

l tem taxa de 2

l 2

l tem taxa de degaseificao especfica q1 e o 2

l 2

L tem taxa de degaseificao especfica q2. Devido simetria do problema, 2

poderemos encontrar a sua soluo para o intervalo positivo da reta x. Deveremos ter a presso mxima em x=0. O valor da presso nos extremos do tubo dada por

L 2

L 2

QT 2 Sef

1 l q1 Sef 2

q2

L l 2

292

a soluo geral do problema dado pelas seguintes Expresses D.6 e D.7

p1 ( x)

q1 2 x 2c

q 2 L2 l 2 8c

q2

q1 l 2 4c

lL

q1l 2 8c

QT 2S ef

D.6

para x no intervalo 0

l ,e 2
q 2 L2 8c

p 2 ( x)

q2 2 x 2c

q2 2c

q1

lx

q2

q1 lL 4c

QT 2S ef

D.7

para x no intervalo

l 2

L . 2
0 e q2 0 ea

Pretendemos estudar as duas situaes seguintes: a primeira quando q1 segunda quando q1

0 e q2

0 . Veremos que os resultados sero bastante interessantes e

elucidativos, e mais uma vez veremos o alcance da abordagem contnua frente abordagem discreta. Os clculos da anlise pela abordagem contnua esto mostrados a seguir e foram realizados usando o programa MathCADTM. Veremos no caso do sistema de alto-vcuo tubular em que q1

0 e q2

0 a sua modelagem realizada por meio da abordagem discreta leva a um

resultado completamente descabido, sem vinculao alguma com a realidade. Veremos como a abordagem contnua poderosa e pode fornecer informaes sobre detalhes dos sistemas de vcuo cuja abordagem discreta mostra-se totalmente falha. Ficar claro que na abordagem contnua os gases tendo origem, por exemplo, na tubulao do sistema de bombeamento de vcuo influencia diretamente os valores de presso em toda a extenso do sistema de vcuo. Este aspecto muito difcil de ser considerado na abordagem discreta e, alm disso, a introduo desses detalhes sempre est acompanhado de muito artificialismo e hipteses difceis de serem sustentadas. Mas, apesar de estarmos advogando em favor da abordagem contnua, encontramos uma srie de casos importantes e corriqueiros em tecnologia do vcuo, cuja anlise por meio da abordagem discreta suficiente e conduz a resultados confiveis. A opo por uma abordagem ou outra dever ser avaliada pelo analista, uma vez que uma escolha errada poder levar por um lado ao desperdcio de tempo e recursos computacionais, ou por outro lado, poder levar a resultados insuficientes para a realizao do projeto e ter certamente conseqncias na escolha correta da instrumentao. A seguir mostramos a anlise usando a abordagem contnua.
293

Campo de Presso em Tubo com Trechos com Diferentes Taxas de Degaseificao Comprimento do tubo: L 400 cm 100 cm
3

Situao 1

Comprimento do trecho central: l Dimetro do tubo : D 3 cm

Condutncia especfica, c=C.L:

12 D

324 l.s(-1) .cm

Volume especfico ou Volume por unidade de comprimento, v=V/L: A D


2

10

A L

litro

Taxa de degaseificao por unidade de comprimento para cada trecho do tubo. Para o trecho central, isto , -l/2<=x<=+l/2, com l=200 cm. -A taxa de degaseificao para este trecho. q1 5 10
6

mbar.litro/(segundo.cm)

Para os trechos externos, isto , -L/2<x<-l/2 e l/2<x<L/2. -A taxa de degaseificao para este trecho. q2 0 mbar.litro/(segundo.cm)

As taxas de degaseificao especficas usadas produzem os seguintes valores. QTotal=q1.l+q2(L-l) QTotal QTotal q1 l 5 10 q2 ( L
4

l)

mbar.litro/segundo

A velocidade de bombeamento, em cada extremidades do tubo, dada a seguir. S 10 litros/segundo

Definio da malha para as posices ao longo de todo o tubo.Faremos uma malha para cada trecho do tubo, como mostradoabaixo. A soluo estacionria dada por funes de segundo grau (funo parablica), tanto para os trechos externos como para o trecho interno. As funes para o campo de presso ao longo do tubo so mostradas a seguir.Devido a simetria do problema, estudaremos o intervalo de 0<=x<=200 cm. Veja que no ponto x=50 cm temos a coincidncia dos valores das funes definidas em cada trecho do tubo, com as respectivas taxas de degaseificao especfica por unidade de comprimento.Mas veja que tambm temos a coincidncia das derivadas da funo presso em relao a x. Fisicamente falando, temos a continuidade do throughput tambm neste ponto. Para o trecho de 0<=x<=50 cm, temos a soluo. q1 2 c
2

x q1) l
2

0 0.1 200 cm l L q1 l
2

pTrecho1( x )

q2

( q2

QTotal 2 S

8 c

4 c x

8 c 0 0.1 200

Para o trecho de 50<x<=200 cm, temos a soluo.

pTrecho2( x )

q2 2 c

( q2

q1) l 2 c

q2 L 8 c

( q2

q1) l L 4 c

QTotal 2 S

Seja a funo ps=ps(x) definida para o intervalo 0<=x<=200 cm. pTrecho ( x ) Onde a funo 1 ( 50 x) pTrecho1( x ) ( 50 x ) pTrecho2( x )

= (x) a funo degrau Heveaside.

O campo de presso ao longo do tubo dado pelas funes em cada trecho. As funes so de segundo grau (perfl parablico). O grfico est mostrado abaixo.
2 10
4

1.5 10 Presso (mbar)

pTrecho( x) 1 10

5 10

50

100 x Posio do Tubo (cm)

150

200

Comprimento do tubo: L

400

cm 100 cm
3

Situao 2

Comprimento do trecho central: l Dimetro do tubo : D 3 cm

Condutncia especfica, c=C.L:

12 D

324 l.s(-1) .cm

Volume especfico ou Volume por unidade de comprimento, v=V/L: A D


2

10

A L

litro

Taxa de degaseificao por unidade de comprimento para cada trecho do tubo. Para o trecho central, isto , -l/2<=x<=+l/2, com l=200 cm. -A taxa de degaseificao para este trecho. q1 0 mbar.litro/(segundo.cm)

Para os trechos externos, isto , -L/2<x<-l/2 e l/2<x<L/2. -A taxa de degaseificao para este trecho. q2 5 10
6

mbar.litro/(segundo.cm)

As taxas de degaseificao especficas usadas produzem os seguintes valores.

QTotal=q1.l+q2(L-l) QTotal 1.5 10


3

QTotal

q1 l

q2 ( L

l)

mbar.litro/segundo

A velocidade de bombeamento, em cada extremidades do tubo, dada a seguir. S 10 litros/segundo

Definio da malha para as posices ao longo de todo o tubo.Faremos uma malha para cada trecho do tubo, como mostradoabaixo. A soluo estacionria dada por funes de segundo grau (funo parablica), tanto para os trechos externos como para o trecho interno. As funes para o campo de presso ao longo do tubo so mostradas a seguir.Devido a simetria do problema, estudaremos o intervalo de 0<=x<=200 cm. Para o trecho de 0<=x<=50 cm, temos a soluo. q1 2 c
2

x q1) l
2

0 0.1 200 l L q1 l
2

cm QTotal 2 S

pTrecho1( x )

q2

( q2

8 c

4 c x
2

8 c 0 0.1 200 q1) l L 4 c

Para o trecho de 50<x<=200 cm, temos a soluo. q2 2 c


2

pTrecho2( x )

( q2

q1) l 2 c

q2 L 8 c

( q2

QTotal 2 S

Seja a funo ps=ps(x) definida para o intervalo 0<=x<=200 cm. pTrecho ( x ) Onde a funo
4 10
4

( 50

x)

pTrecho1( x )

( 50

x ) pTrecho2( x )

= (x) a funo degrau Heveaside.

3.202 10 Presso (mbar)

2.404 10 pTrecho( x) 1.606 10

8.08 10

1 10

50

100 x Posio do Tubo (cm)

150

200

Cabem duas observaes que so bastante instrutivas e representativas dos sistemas de vcuo. Na situao com q1

0 e q2

0 , vimos que a presso constante no trecho 0

l , 2

assim, ter seu gradiente igual a zero e conseqentemente no haver throughput conhecemos a expresso q ( x)

dp( x) vlida em todos os pontos do sistema de vcuo. Desta forma, teremos dx


0 . Fisicamente

apenas uma quantidade de gs, presso constante, no trecho em que ocorre q1

falando, no h degaseificao da parede do tubo neste trecho, assim, no poder haver variao de presso medida que percorremos o tubo no trecho 0

l . Agora, no trecho 2

l 2

L 2

a presso varia quadraticamente com a posio, pois neste trecho q2

0 . Temos que a soluo

obtida neste trecho a mesma que se no tivssemos o primeiro trecho do tubo. Na situao com q1 no trecho

0 e q2

0 temos que a presso varia linearmente com a posio

l 2

L . Assim, o gradiente da presso neste trecho constante, uma vez que o 2

gs que passa em sua extenso foi degaseificado apenas no trecho 0

l . Veja que no trecho 2

l o perfil de presso parablico e a sua soluo depende do comprimento do tubo do 2

trecho

l 2

L . O motivo est no fato de a velocidade de bombeamento no ponto 2

l depender tanto da velocidade de bombeamento da bomba de vcuo como da condutncia do 2


l 2 x L . Consideramos este caso to importante como instrutivo em tecnologia do 2

trecho

vcuo. Muito sobre o comportamento e particularidades dos sistemas de vcuo podem ser extrados deste caso de estudo. Complementando a anlise deste sistema de alto-vcuo tubular, por meio da abordagem discreta, na situao com as seguintes taxas de degaseificao por unidade de comprimento

q1

0 e q2

0 . Podemos adotar no trecho em que se verifica q 2

0 , ou seja, no

intervalo 0

l , como sendo bombeado pela abertura na posio x 2

l . Considerando um 2

modelo discreto tal que o gs desenvolvido no trecho direita no intervm no trecho esquerda, chegaremos a um resultante no realstico. Vejamos, sendo a velocidade de bombeamento

297

em x

l , diferente de zero, teremos que a presso no trecho 0 x 2


L fosse colocado no trecho 0 2

l ser igual a zero. Isto no 2

fisicamente aceitvel! Poderamos, por outro lado, considerar que o gs tendo origem no trecho
l 2 x

l . Assim, a velocidade de bombeamento no ponto 2

l 2 igual a

1 Sl
2

1 Cl
2 x L 2

1 S ef

Sl
2

324 10 150 324 10 150

Sl
2

1,78 litros/segundo ,

chegamos assim presso no trecho 0

l , dada pela expresso abaixo 2


400 2 1,78 100 2

p 0

l 2

q1

L 2 Sl
2

l 2

5 10

p 0

l 2

4,2 10

mbar .

Por meio da modelagem, adotando a abordagem contnua, o valor de presso neste mesmo trecho foi encontrado como aproximadamente sendo igual a p 0
x l 2 2,41 10
4

mbar .

Vemos que podemos chegar a resultados aceitveis em alguns casos importantes que ocorrem na tecnologia do vcuo por meio de um ou outro tipo de abordagem. A questo saber quais so esses casos cujos resultados so aceitveis. Para saber podemos realizar a anlise por meio da abordagem contnua! Se assim fosse poderamos dispensar definitivamente a abordagem discreta. No o caso. Podemos em princpio fazer estudos como fizemos at este ponto, ou seja, aprendendo e adquirindo sensibilidade sobre o comportamento dos sistemas de vcuo. Vimos como a anlise contnua sempre muito mais poderosa comparada anlise discreta; mas vimos tambm como aquela muito mais trabalhosa e exige muito mais esforo matemtico-analtico e/ou numrico-computacional. Qual caminho seguir certamente ser guiada pela experincia, vivncia e conhecimento do analista. Caso de Estudo 4. Estudaremos a seguir como o campo de presso de um sistema de alto-vcuo tubular, com taxa de degaseificao constante, depende da velocidade de bombeamento das bombas de vcuo

298

instaladas nas extremidades do tubo e da condutncia especfica deste tubo. Veremos que os resultados obtidos para vrios valores de velocidade de bombeamento, fixando as dimenses do tubo, so bastante interessantes. O estudo de casos como este, mais uma vez, mostrar que podemos aprender muito sobre o comportamento de sistemas de vcuo, em particular, da importncia fundamental da condutncia do prprio sistema de vcuo com sua linha de bombeamento comparada velocidade de bombeamento das bombas de vcuo. A Figura D.8 mostra esquematicamente o sistema de alto-vcuo tubular com comprimento total L e com rea de seo transversal circular e constante. As velocidades de bombeamento das bombas de vcuo so iguais e dadas por Sbv.

Vlvula de Alto-Vcuo

Tubo com Taxa de Degaseificao Constante


Sef

x -L/2 0 Bombas de Alto-Vcuo com Velocidade de Bombeamento Sbv L/2

Sbv

Figura D.8 Sistema de alto-vcuo tubular com taxa de degaseificao constante. Bombas de altovcuo nas extremidades do tubo.

A anlise adotando a abordagem contnua bastante simples de realizar e est mostrada a seguir, realizada utilizando o programa MathCADTM. Como h simetria no sistema de vcuo, estudaremos apenas o trecho relativo ao intervalo

L 2

0 . Manteremos constante a geometria

do sistema de alto-vcuo tubular e tambm constante a sua taxa de degaseificao ao longo do tubo. Estudaremos os campos de presso obtidos em funo da variao da velocidade de bombeamento da bomba de vcuo instalada na extremidade do tubo. Veja que, por simetria, o mesmo ocorre relativo ao intervalo 0

L . 2

299

Campo de Presso em Tubo com Taxa de Degaseificao Constante com Vrias Velocidades de Bombeamento nas Extremidades do Tubo.
Comprimento do tubo: Dimetro do tubo : D L 400 cm 3 cm c 12 D
3

Condutncia especfica, c=C.L:

324 l.cm / s c
L 2

Condutncia do tubo de comprimento L/2 = 200 cm. Cmettubo

Cmettubo

1.62 l / s

Taxa de degaseificao por unidade de comprimento, qs=QTotal/L: qs 1.0 10


8

mbar.litro/(s.cm) qs L 4 10
6

QTotal=qs.L

mbar.litros/segundo

Velocidade de bombeamento nas extremidades do tubo: S1 S6 S11 0.01 30 500 S2 S7 S12 0.1 40 S3 S8 1 50 5000 S4 S9 S14 10 100 10000 200 199.9 0 cm S5 S10 20 200 litros/segundo

1000 S13

Definio da malha para as posices ao longo de todo o tubo. x A soluo estacionria dada pela funo parablica: ps1( x ) qs 2 c qs 2 c qs 2 c qs 2 c qs 2 c qs 2 c qs 2 c x
2

qs L 2

L 4 c L 4 c L 4 c L 4 c L 4 c L 4 c L 4 c

1 S1 1 S2 1 S3 1 S4 1 S5 1 S6 1 S7

ps8( x )

qs 2 c qs 2 c qs 2 c qs 2 c qs 2 c qs 2 c qs 2 c

qs L 2

L 4 c L 4 c L 4 c L 4 c L 4 c L 4 c L 4 c

1 S8 1 S9 1 S10 1 S11 1 S12 1 S13 1 S14

ps2( x )

qs L 2

ps9( x )

qs L 2
2

ps3( x )

qs L 2

ps10( x )

qs L 2

ps4( x )

qs L 2

ps11( x )

qs L 2

ps5( x )

qs L 2

ps12( x )

qs L 2

ps6( x )

qs L 2

ps13( x )

qs L 2

ps7( x )

qs L 2

ps14( x )

qs L 2

Os campos de presso para as vrias velocidades de bombeamento na extremidades do tubo esto mostrados a seguir.
1 10
3

1 10

ps1 ( x) ps2 ( x) ps3 ( x) ps4 ( x) ps5 ( x) ps6 ( x) Presso (mbar) ps7 ( x) ps8 ( x) ps9 ( x) ps10 ( x) ps11 ( x) ps12 ( x)1 10 ps13 ( x) ps14 ( x)
7

1 10

1 10

1 10

1 10

200

150

100 x Posio do Tubo (cm)

50

Vemos como a presso na extremidade (x = -200 cm) muito dependente da velocidade de bombeamento neste ponto. No caso da presso no ponto mdio do tubo h duas situaes marcantes que podem ser sistematizadas comparando a velocidade de bombeamento na extremidade do tubo e a condutncia do tubo. No caso, a condutncia do tubo de comprimento L/2 = 200 cm Cmettubo = 0,62 l / s. Para velocidades de bombeamento menores que Cmettubo observamos que a presso praticamente constante em toda a extenso do tubo. Para a velocidade de bombeamento S3 = 1 l / s, aproximadamente igual a Cmettubo comeamos a notar o perfil parablico. Para velocidades de bombeamento maiores que Cmettubo vemos que a presso em x = 0 cm diminui mais converge para um valor, no caso p(0) = 6,17 x 10 (-7) mbar.

Podemos verificar os valores de presso na extremidade do tubo, em x = -200 cm e no ponto mdio do tubo, em x = 0 cm. Presso na extremidade do tubo (x = -200 cm): ps1( 200) ps2( 200) ps3( 200) ps4( 200) ps5( 200) ps6( 200) ps7( 200) 2 2 2 2 10 10 10 10 10 10
4 5 6 7 8 8

Presso no ponto mdio do tubo (x = 0 cm): ps1( 0 ) ps2( 0 ) 2.006 2.062 2.617 8.173 7.173 6.84 6.673 10 10 10 10 10 10 10
7 7 4 5 6 7 7

ps8( 200) ps9( 200) ps10( 200) ps11( 200) ps12( 200) ps13( 200) ps14( 200)

4 2 10 4 2 4 2

10 10

8 8 9 9 9 10 10

ps8( 0 ) ps9( 0 ) ps10( 0 ) ps11( 0 ) ps12( 0 ) ps13( 0 ) ps14( 0 )

6.573 6.373 6.273 6.213 6.193 6.177 6.175

10 10 10 10 10 10 10

7 7 7 7 7 7 7

10 10 10 10 10

ps3( 0 ) ps4( 0 ) ps5( 0 ) ps6( 0 ) ps7( 0 )

6.667 5 10

10
8

As presses em unidades de mbar.

A anlise realizada, do sistema de alto-vcuo tubular, apresenta resultados interessantes e que so bastante reveladores e expem claramente o seu comportamento quando variamos a velocidade de bombeamento na extremidade do tubo. Mais ainda, verificamos como so importantes as grandezas condutncia, velocidade de bombeamento efetiva e tambm a relao entre essas grandezas. Vemos que para o mesmo sistema de alto-vcuo temos comportamentos bem distintos, em funo das grandezas que o definem. Assim, para uma mesma configurao geomtrica e fixando a taxa de degaseificao especfica por unidade de comprimento, o perfil de presso fundamentalmente dependente da relao entre a condutncia do trecho do tubo considerado e a velocidade de bombeamento na extremidade do tubo. Podemos identificar trs situaes cujos comportamentos so bem distintos entre si. A primeira situao ocorre quando

S bv

C Tubo ; temos que obtemos campos de presso parablicos, mas praticamente com a presso

constante em toda a extenso do tubo. Nesta situao vemos que a abordagem discreta suficiente para modelar o problema. A explicao fsica, para o fato de o campo de presso ser praticamente constante, est em o transporte dos gases ser dominado pela velocidade de bombeamento na extremidade do tubo, a condutncia do tubo no o fator limitante no escoamento dos gases. A segunda situao ocorre quando S bv

C Tubo ; temos que obtemos campos de presso

exibindo a forma parablica, mas as presses ao longo do tubo no variando acentuadamente para uma dada velocidade de bombeamento. Mas observamos que, variando a velocidade de bombeamento, obtemos campos de presso que distintos entre si em toda a extenso do tubo. A terceira situao ocorre quando Sbv

CTubo ; temos que obtemos campos de presso

parablicos bem acentuados e com as presses nas extremidades do tubo variando em funo da velocidade de bombeamento. As presses nas extremidades variam inversamente com a velocidade de bombeamento. Mas, ao afastarmos da entrada do tubo vemos que as presses praticamente no mudam de forma acentuada. Ainda, verificamos que a presso no ponto mdio do tubo isto , em x = 0 cm tende a um valor limite de presso, este valor dado pela Expresso D.8

S bv

lim ps (0)

S bv

lim

qS L L 2 4c

1 S bv

q S L2 , 8c

D.8

que, para o sistema de alto-vcuo em estudo leva menor presso possvel de ser atingida em x = 0 cm igual a ps (0)

6,173 10

mbar . Este um resultado dos mais expressivos em

tecnologia do vcuo acredito que seja mesmo o mais expressivo! , ele expe claramente o papel da condutncia no processo de bombeamento dos gases. Veja que, por mais que aumentemos a
303

velocidade de bombeamento das bombas de vcuo satisfazendo Sbv

CTubo , o campo de

presso no se altera expressivamente, exceto bem prximo s extremidades do tubo. Este um resultado geral em tecnologia do vcuo e vimos o mesmo comportamento em sistemas de vcuo estudados pela abordagem discreta, cujo equivalente est contido na expresso

1 Sef

1 Sbv

1 CTotal

Ela mostra que mesmo aumentando muito a velocidade de bombeamento Sbv, a velocidade efetiva de bombeamento Sef estar limitada pela condutncia da linha de bombeamento. Este resultado importante no somente do ponto de vista conceitual, exibindo claramente o papel da condutncia no processo de bombeamento em vcuo, mas tambm tem importncia do ponto de vista de projeto. Com isto queremos dizer que, para um dado sistema de vcuo, tubular ou qualquer outra geometria, a diminuio de presso muitas vezes no ser conseguida aumentando a velocidade de bombeamento das bombas existentes, mas instalando novas bombas de vcuo mais prximas das regies nas quais precisamos diminuir a presso. Em transporte de gases rarefeitos, devemos ter sempre presente o fato de que, por mais capacidade de bombeamento que uma bomba de vcuo possa ter, o gs dever chegar at ela. Neste caso a responsabilidade recai na linha de bombeamento, assim ela dever ter uma condutncia condizente com a capacidade das bombas de vcuo. Desta forma, encerramos o Apndice D assinalando que os casos em estudos foram todos complementares entre si, e que encontramos coerncia entre eles, e ainda, realamos e enfatizamos a distino entre as abordagens discreta e contnua. E mais, vimos em todos os casos estudados a importncia da grandeza condutncia para a anlise e modelagem dos sistemas de vcuo.

Referncias: - Degasperi, F.T.; Caderno de Atividades Notas Particulares. Instituto de Fsica da Universidade de So Paulo. So Paulo, SP, Brasil. 1991-2000. - Degasperi, F.T.; "Deduo da Equao Fundamental para o Processo de Bombeamento na Tecnologia do Vcuo. Objetivo Didtico". XII Congresso Brasileiro de Aplicaes de Vcuo na Cincia e na Indstria XII CBRAVIC, Florianpolis, SC, Brasil, 1991. Seminrio. - Degasperi, F.T.; Anlise Detalhada de Sistemas de Vcuo. Laboratrio do Acelerador Linear do Instituto de Fsica da Universidade de So Paulo, So Paulo, SP, Brasil, 1999. Seminrio.

304

- Mammana, V.P.; Degasperi, F.T.; Monteiro, O.R.; Vuolo, J.H.; Salvadori, M.C.B.; Brown, I.G.; "A New Field Emission Device with Improved Vacuum Features". Journal of Vacuum Science and Technology (JVST) da American Vacuum Society. Volume 18 (A), Nmero 4, Julho-Agosto de 2000. - Degasperi, F.T.; Martins, M.N.; Takahashi, J.; Verardi, S.L.L.; "Time Dependence of the Pressure Profile in a Tube with Axially-Dependent Degassing". Particle Accelerator Conference, PAC-2001, Chicago, Illinois, USA, 2001. Apresentado em forma de Painel e Publicado nos Anais. - Degasperi, F.T.; Mammana, V.P.; Verardi, S.L.L.; Baranauskas, V.; "Calculation of the Vacuum Pressure Gradient in Field Emission Displays". Trabalho Publicado no Peridico Surface Coatings and Technology, 2001. - Buikema, H.; Hering, V.R.; Mammana, V.P.; Degasperi, F.T.; Pavani Filho, A.; Calculation of the Deflection for Porous Polymide Membranes in Field Emission Displays. Asia Display IDW 2001 Society for Information Display. 21st International Display Research Conference. The 8th International Displays Workshops. Nagoya, Japan, 2001. Trabalho e Painel Premiados pela Excelncia. - Degasperi, F.T.; Martins, M.N.; Takahashi, J.; Verardi, S.L.L.; "Pressure Field Along the Axis of an Accelerating Structure". European Particle Accelerator Conference, EPAC-2002, Paris, Frana, 2002. Trabalho apresentado em forma de Painel e Publicado nos Anais. - Degasperi, F.T.; Motta, C.C.; Verardi, S.L.L.; Pressure Field Along the Axis of an High Power Klystron Amplifier. 14th IEEE International Pulsed Power Conference - 2003 PPC-IEEE. Austin, Texas, USA, 2003. Trabalho Apresentado em Forma de Painel e Publicado nos Anais. - Degasperi, F.T.; Verardi, S.L.L.; Motta, C.C.; Pressure Field in the Cathode-Anode Regions of a High-Power Klystron Amplifier. 15th IEEE International Vacuum Electronics Conference IVEC2004, Monterey, California, USA, 2004. Apresentado em Forma de Painel e Publicado nos Anais. - Degasperi, F.T.; Martins, M.N.; Verardi, S.L.L.; Takahashi, J.; Pressure Field Distribution in a Cylindrical Geometry with Arbitrary Cross Section. 9th European Particle Accelerator Conference EPAC-2004, Lucerne, Swiss, 2004. Apresentado em Forma de Painel e Publicado nos Anais. - Degasperi, F.T.; Martins, M.N.; Takahashi, J.; Verardi, S.L.L.; Pressure Field in a Tube with a General and Arbitrary Time- and Position-Dependent Gas Source. Journal of Vacuum Science and Technology JVST-A, American Vacuum Society. Sep-Oct 2004. - Degasperi, F.T.; Verardi, S.L.L.; Martins, M.N.; Takahashi, J.; Pressure Field Distribution in a Conical Tube with a Transient Gas Source and Outgassing. 5th Particle Accelerator Conference PAC-2005, Knoxville, TN, USA, 2005. Apresentado em Forma de Painel e Publicado nos Anais.

305

- Degasperi, F.T.; Baranauskas, V.; Pressure Field in High Vacuum Systems: Mathematical Physics Formulation. 8th European Vacuum Conference - EVC-8 e 2nd Annual Conference of the German Vacuum Society. Berlin, Germany, 2003. Trabalho Apresentado em Forma de Painel. - Degasperi, F.T.; Mammana, V.P.; Baranauskas, V.; Steady-State and Transient Pressure Profile in Field Emission Display. 8th European Vacuum Conference - EVC-8 e 2nd Annual Conference of the German Vacuum Society. Berlin, Germany, 2003. Trabalho Apresentado em Forma Oral. - Degasperi, F.T.; Martins, M.N.; Verardi, S.L.L.; Takahashi, J; Pressure Field in a Tube with a General and Arbitrary Time- and Position-Dependent Degassing. 8th European Vacuum Conference - EVC-8 e 2nd Annual Conference of the German Vacuum Society. Berlin, Germany, 2003. Trabalho Apresentado em Forma de Painel. - Degasperi, F.T. Pressure Field Distribution in a Superconductor Accelerator Tube of CERN. Seminrio Convidado e Apresentado no Grupo de Vcuo do CERN. Genebra, Swiss, 2004. - Degasperi, F. T.; Baranauskas, V.; Mathematical Physics Formulation to Pressure Field in a Tube with an Arbitrary Axisymmetric Cross Section. 16th International Vacuum Congress IVC-16, Venice, Italy, 2004. Apresentado em forma oral. - Degasperi, F.T.; Pressure Field Distribution in Ultra High-Vacuum Systems. 41st IUVSTA WORKSHOP Vacuum System Design for Particle Accelerators: a multidisciplinary approach. Brdo pri Kranju, Slovenia, 2004. Apresentado em forma oral. - Degasperi, F.T.; "Campo de Presso em Associao de Tubos em Sistemas de Alto-Vcuo. XXVI Congresso Brasileiro de Aplicaes de Vcuo na Indstria e na Cincia XXVI CBRAVIC, Universidade Estadual de Londrina, Londrina, PR, Brasil, 2005. Apresentao Oral. - Degasperi, F.T.; Mammana, V.P.; Baranauskas, V.; Vacuum Calculation and System to Field Emission Display. XII InfoDysplay III BrDisplay VII DisplayEscola Centro de Pesquisa Renato Archer CenPRA Campinas, SP, Brasil, 2005. Apresentao Oral Convidada.

306

Apndice E
Modelagem do Vazamento Virtual.
A identificao das fontes de gases e vapores constitui um problema central na
modelagem e nos clculos de sistemas de vcuo. Para realizar anlises detalhadas de sistemas de vcuo somente ser possvel se os throughputs das fontes de gases e vapores forem devidamente determinados. Em geral as funes que representam os throughputs no so simples de ser construdas. A dificuldade em construir essas funes geralmente se d em dois aspectos: a fsica envolvida na fonte gasosa, ou seja, como a fsica do fenmeno referente quela particular fonte gasosa, e o outro aspecto quantificar, encontrar os parmetros que especifique aquela particular fonte gasosa. Em muitos casos temos somente um conhecimento parcial, e isto pode limitar o alcance da anlise do sistema de vcuo. De todas as fontes de gases importantes para os sistemas de vcuo, o vazamento virtual aquele com que temos menos informaes. Muitos textos sobre vcuo simplesmente o mencionam, dizendo como ele prejudicial e sugerem algumas prticas construtivas no sentido de evitar o seu aparecimento. A proposio de medidas preventivas est correta. Inclusive, somente elas iro evitar a existncia do vazamento virtual! O fato de no podermos localizar o vazamento virtual, mesmo que consigamos identific-lo, torna-o ainda mais indesejado. Ele pode comprometer seriamente o bom desempenho de um sistema de vcuo e at mesmo conden-lo definitivamente. O motivo ficar claro quando construirmos o seu modelo. Quando se trata do vazamento virtual, a seguinte questo pode ser: O que ns conseguimos com o estudo e a construo de um modelo matemtico para o vazamento virtual? Poderamos simplesmente responder dizendo que h o interesse acadmico, ou seja, o seu conhecimento. Mas, h tambm a questo prtica envolvida. Com um modelo matemtico do vazamento virtual, poderemos ser capazes de identificar a sua presena, comparando os resultados tericos com as medies de presso na cmara de vcuo em funo do tempo. Veremos que ser possvel construir um modelo bastante simples sobre ele e obter uma soluo analtica de fcil aplicao e de grande alcance. Na sua essncia, o vazamento virtual uma pequena quantidade de gs aprisionado em um pequeno volume bolso de gs dentro da cmara de vcuo que libera seu gs para a cmara de vcuo. O vazamento virtual ser prejudicial para o sistema de vcuo se a passagem, que liga o pequeno volume contendo gs com a cmara de vcuo, tiver uma condutncia bastante pequena. Desta forma, o gs aprisionado demorar muito para ser bombeado! Veremos este aspecto mais precisamente a seguir e este o aspecto essencial da modelagem do vazamento virtual. Do ponto de
307

vista prtico, devemos evitar o surgimento do vazamento virtual, e a regra geral a seguinte: qualquer construo dentro do sistema de vcuo que produza volumes com pequenas passagens de gs para o vcuo deve ser evitada. Durante o processo de bombeamento em alto-vcuo, caso haja um vazamento virtual, haver uma superposio dos efeitos da degaseificao e do vazamento virtual. Isto certamente trar uma dificuldade adicional na identificao do vazamento virtual. Mais uma razo para conhecermos bem o comportamento dele! A configurao bsica do vazamento virtual pode ser visto esquematicamente na Figura E.1. Vemos a cmara de vcuo, de volume VVC, conectada a uma bomba de vcuo por meio de uma tubulao; a velocidade efetiva de bombeamento Sef. A cmara de vcuo que denominaremos de cmara de vcuo principal est conectada a uma pequena cmara que denominaremos de cmara de vcuo do vazamento virtual de volume VVV , por meio de uma passagem de condutncia CVV .

Reservatrio de Gs

Medidor de Presso

Cmara de Vcuo

Vlvula de Vcuo

QVV

Cmara de Vcuo do Vazamento Virtual Tubo de Passagem da Cmara do Vazamento Virtual Cmara de Vcuo Principal Condutncia CVV Bomba de Vcuo Presso na Cmara de Vcuo Principal pCV = pCV(t)

Figura E.1 O sistema de vcuo mostrando a cmara de vcuo principal, a cmara de vcuo do vazamento virtual, a condutncia CVV e a bomba de vcuo.

A denominao de vazamento virtual pode trazer alguma confuso. Precisamos ter presente o vazamento virtual uma de fonte de gs com caractersticas e comportamentos prprios. O seu nome tem origem no fato de o vazamento virtual pode ser confundido na prtica ao vazamento real.

308

Mas devemos fazer a distino entre eles. Assim, o vazamento real formado por uma passagem de gs entre o meio externo meio da atmosfera e o meio interno do sistema de vcuo. Neste caso, temos uma passagem de gs com throughput praticamente constante alimentando o sistema de vcuo. Agora, no caso do vazamento virtual, medida que o gs contido no seu pequeno volume est sendo liberado cmara de vcuo, a sua quantidade de gs diminui, at ser completamente consumida isto se passar um tempo suficientemente grande. Fisicamente falando, a fonte de gs do vazamento real constituda por um volume praticamente infinito a atmosfera o reservatrio de gs! Isto faz com que a modelagem do vazamento real seja mais simples, e podemos adotar para o seu modelo aquele estudado na injeo controlada de gs. O escoamento do gs atravs da passagem no vazamento real se d em regime viscoso, e para todos os efeitos, consideramos a presso da cmara de vcuo como sendo zero, uma vez que esta presso geralmente muito menor que a presso atmosfrica. Como conseqncia prtica, temos que o throughput do vazamento real constante, desde que a presso na cmara de vcuo principal seja menor que a metade da presso atmosfrica presso externa , este assunto tratado em detalhe no Apndice F. A Figura F.2 mostra as partes essenciais componentes do vazamento virtual para a construo da sua modelagem. A imposio da sua geometria determinar quase que naturalmente a dinmica do gs nas duas cmaras de vcuo a do vazamento virtual e a principal.

Medidor de Presso Regio 1

Regio 2

Cmara de Vcuo Principal

pVV = pVV(t) Volume VVV

QVV
Volume VCV pCV = pCV(t) Tubo que Conecta a Cmara de Vcuo do Vazamento Virtual Cmara de Vcuo Principal Condutncia CVV

Cmara de Vcuo do Vazamento Virtual

Figura E.2 Detalhe mostrando a cmara de vcuo do vazamento virtual de volume Vvv e a cmara de vcuo principal de volume Vcv interligadas por uma conexo de condutncia Cvv.

309

A dinmica do fluxo dos gases tanto na cmara de vcuo principal como na cmara de vcuo do vazamento virtual pode ser assim descrita. Consideremos que antes de iniciar a remoo dos gases, o sistema de vcuo estava presso atmosfrica, de modo que a presso era a mesma em todas as suas partes a cmara de vcuo principal, o tubo e a cmara de vcuo do vazamento virtual. Ao iniciarmos o bombeamento dos gases, a presso diminuir na cmara de vcuo principal. Desta forma, haver uma diferena de presso entre a cmara de vcuo principal e a cmara de vcuo do vazamento virtual. Como conseqncia teremos o surgimento de um fluxo de gs da presso maior na cmara de vcuo do vazamento virtual, que pVV menor cmara de vcuo principal, que pCV

pVV (t ) , para a presso

pCV (t ) . Desta forma, os gases da cmara de

vcuo do vazamento virtual estaro sendo tambm bombeados. Sem nenhum clculo prvio, apenas apoiados no comportamento geral dos sistemas de vcuo, podemos dizer que: acreditamos que o tempo de bombeamento dos gases na cmara do vazamento virtual depender da razo entre a condutncia CVV do tubo e do volume VVV do vazamento virtual. Como veremos este resultado se confirmar! A velocidade de bombeamento na regio 2, na cmara vcuo do vazamento virtual, bem junto uma extremidade do tubo, ser chamada de S2 e a velocidade de bombeamento na regio 1, na cmara de vcuo principal, bem na outra extremidade do tubo, ser chamada de S1. Podemos relacionar estas velocidades de bombeamento e a condutncia do tubo CVV por meio da expresso mostrada abaixo

1 S2

1 S1

1 CVV

S2

S1 CVV . S1 CVV

Para a existncia de fato do vazamento virtual, devemos ter CVV simplificar a expresso acima e ficar com S 2

S1 ; assim, podemos S1 teremos rapidamente

CVV . Veja que se CVV

o gs sendo bombeado da cmara d e vcuo do vazamento virtual, desta forma, a questo referente ao vazamento na prtica nem se coloca. Isto mostra que a remoo dos gases da cmara de vcuo do vazamento virtual determinada pela condutncia do tubo que liga a cmara de vcuo principal com a cmara de vcuo do vazamento virtual. Assim, apesar de a velocidade de bombeamento da bomba de vcuo Sb poder ser de alto valor, o que determinar a queda da presso na cmara de vcuo do vazamento virtual ser a razo

CVV . Neste sentido, devemos esperar, na regio de altoVVV


310

vcuo, trs etapas bem distintas na curva da presso em funo do tempo na cmara de vcuo principal. Na primeira etapa, teremos a queda de presso devido remoo dos gases remanescentes do pr-vcuo. Na segunda etapa, a presso cai lentamente devido aos gases que saem da cmara de vcuo do vazamento virtual. Finalmente, na terceira etapa, a presso na cmara de vcuo principal atinge o seu valor mnimo, ou seja, a presso final pfinal. Em cada uma das etapas apresentadas, referentes ao processo de bombeamento da cmara de vcuo principal, as fontes de gases presentes no sistema de vcuo participam conjuntamente. Em geral, teremos a predominncia de uma particular fonte de gs durante uma etapa do processo de bombeamento. Ainda, se uma determinada fonte de gs for demasiadamente intensa digamos a sublimao de um determinado material poder ocorrer que a fonte de gs relativa ao vazamento virtual seja completamente irrelevante frente quela. Assim, devemos analisar cada caso e cada etapa do sistema de vcuo, de forma a considerar as particularidades e aspectos marcantes do processo de bombeamento em questo. Uma anlise detalhada em sistemas de vcuo somente poder ser realizada se a identificao e quantificao das fontes de gases e vapores forem feitas. Essa a tarefa mais importante e difcil na realizao da modelagem de sistemas de vcuo. Continuando, vamos escrever a Equao Diferencial Fundamental para o Processo de Bombeamento em Vcuo Epbv para a cmara de vcuo principal e tambm para a cmara de vcuo do vazamento virtual. A modelagem de sistemas de vcuo utilizando a equao diferencial mostrada abaixo estudada em detalhe no Apndice A e no Apndice D. No caso da cmara de vcuo principal, temos a equao Epbv mostrada a seguir

VCV

dpCV (t ) dt

S efCV pCV (t )
i 1

Qi ,

onde
i 1

Qi a totalidade das fontes de gases presentes no sistema de vcuo. Consideraremos, no

caso em estudo, apenas a presena do vazamento virtual e da degaseificao. Adotaremos para a fonte de gs devido degaseificao simplesmente um valor constante, isto deve ser imposto como uma das condies para que a presso final do sistema de vcuo atinja um valor constante pfinal. Escrevemos matematicamente a presena das duas fontes de gs como mostrado abaixo na Expresso E.1

Qi
i 1

QVV

QDeg .

E.1

311

Seguindo em nossa anlise, vamos introduzir esta ltima funo, a Expresso E.1, na equao diferencial EPBV para a cmara de vcuo principal, obtendo a Expresso E.2

VCV

dpCV (t ) dt dpCV (t ) dt

S efCV pCV (t )
i 1

Qi
. E.2

VCV

S efCV pCV (t ) QVV

QDeg

Prosseguindo, podemos expressar o throughput devido degaseificao, em termos da presso final, da seguinte forma QDeg

S efCV p final , com S efCV a velocidade efetiva de

bombeamento na cmara de vcuo principal. Ainda, o throughput de origem no vazamento virtual pode ser escrito como QVV (t )

CVV pVV (t )

p CV (t ) . Desta maneira, temos que a equao Epbv

acima toma a seguinte forma mostrada na Expresso E.3

VCV

dpCV (t ) dt

S efCV pCV (t ) CVV pVV (t )

pCV (t )

S efCV p final .

E.3

Reagrupando os termos da Expresso E.3, ficamos com uma forma adequada para a resoluo desta equao diferencial. Explicitando, a equao diferencial do processo de bombeamento de gases da cmara de vcuo principal fica como na Expresso E.4

VCV

dpCV (t ) dt

S efCV pCV (t )

p final

CVV pVV (t )

pCV (t ) .

E.4

Vemos que, para resolver esta equao, mostrada na Expresso E.4, precisamos conhecer a funo pVV

pVV (t ) , ou seja, precisamos saber como varia no tempo a presso na cmara de

vcuo do vazamento virtual. Continuando com a anlise, vamos escrever a Equao Diferencial Fundamental para o Processo de Bombeamento em Vcuo EPBV na cmara de vcuo do vazamento virtual, temos assim mostrada a Expresso E.5

312

VVV

dpVV (t ) dt dpVV (t ) dt

S efVV pVV (t )
i 1

Qi
, E.5

VVV

S1 CVV pVV (t ) S1 CVV

Qi
i 1

onde SefVV a velocidade efetiva de bombeamento na cmara de vcuo do vazamento virtual e pode ser escrita como S efVV

S1 CVV , e a parcela representada pela somatria S1 CVV

Qi a totalidade
i 1

das fontes de gases presentes na cmara de vcuo do vazamento virtual. Consideraremos, no caso do vazamento virtual, somente a fonte de gs devida degaseificao. Adotaremos simplesmente uma degaseificao constante que far com que nesta cmara de vcuo a presso final atinja o valor pfianl . Assim, podemos escrever

Qi
i 1

QDeg

e o processo de bombeamento na cmara de vcuo do vazamento virtual ficar expresso como mostrado na equao diferencial EPBV a seguir mostrada na Expresso E.6

VVV

dpVV (t ) dt dpVV (t ) dt

S efVV pVV (t )
i 1

Qi
. E.6

VVV

S efVV pVV (t ) QDeg

Continuando, mais uma vez, podemos expressar o throughput devido degaseificao, em termos da presso final na cmara de vcuo do vazamento virtual, da seguinte forma

QDeg

SefVV p final . Explicitamente estamos adotando que a presso final na cmara de vcuo

principal a mesma que na cmara de vcuo do vazamento virtual. Est uma suposio bastante razovel e nada restritiva, no alterando a essncia da modelagem do vazamento virtual. Assim, a expresso para o processo de bombeamento na cmara de vcuo do vazamento virtual dada pela equao EPBV mostrada na Expresso E.7

313

VVV

dpVV (t ) dt

S efVV pVV (t ) S efVV p final


. E.7

VVV

dpVV (t ) dt

S efVV pVV (t )

p final

A velocidade efetiva de bombeamento na cmara de vcuo do vazamento virtual SefVV identificada com S 2 , desta forma, temos que S efVV

S 2 . A soluo da equao EPBV, para a

modelagem da cmara de vcuo do vazamento virtual , dada pela funo mostrada na Expresso E.8

pVV (t )

0 ( pVV

p final ) exp

S efVV VVV

p final .

E.8

Impusemos que a condio inicial do problema dada por pVV (t

0)

0 pVV . Desta forma, a

funo pVV = pVV(t) representa matematicamente a variao temporal da presso na cmara de vcuo do vazamento virtual. De posse desta ltima funo, podemos considerar novamente a equao Epbv escrita para a cmara de vcuo principal. Desta maneira, rescrevendo-a temos a Expresso E.9

VCV

dpCV (t ) dt

S efCV pCV (t )

p final

CVV pVV (t )

pCV (t ) .

E.9

A partir desta ltima equao e introduzindo explicitamente nela a funo pVV = pVV(t), ficamos com a seguinte equao EPBV , para a cmara de vcuo principal mostrada a seguir na Expresso E.10

VCV

dpCV (t ) dt

( S efCV

CVV ) pCV (t )
, E.10

0 CVV ( pVV

p final ) exp

S efVV VVV

(CVV

S efCV ) p final

reagrupando os seus termos, finalmente ficamos com a seguinte equao mostrada na Expresso E.11

314

dpCV (t ) dt

S efCV VCV

CVV

pCV (t )
. E.11

0 CVV ( pVV

p final )

VCV

exp

S efVV VVV

(CVV

S efCV ) VCV

p final

Apesar de trabalhosa, a soluo desta ltima equao diferencial ordinria de primeiro grau pode ser obtida sem muita dificuldade. Estaremos impondo como condio inicial que a presso na cmara de vcuo principal, em t

0 , seja igual a pCV (t

0)

0 pcv . Assim, a ltima equao

diferencial tem como soluo a seguinte funo mostrada a seguir na Expresso E.12

pCV (t )

0 CV

0 CVV pVV

S efCV

CVV

p fianl S efVV VCV VVV

p final exp

S efCV VCV

CVV

.
0 CVV pVV

E.12

S efCV

CVV

p final exp S efVV VCV VVV

S efVV VVV

p final

A funo pCV

pCV (t ) descreve matematicamente a evoluo temporal da presso na

cmara de vcuo principal. Ela composta de trs partes conforme adiantamos anteriormente em discusso preliminar. A primeira parcela da funo pCV

pCV (t ) mostra os efeitos dominantes

relativos aos gases de origem na prpria cmara de vcuo principal. A segunda parcela mostra os efeitos relativos aos gases da cmara do vazamento de vcuo do vazamento virtual na cmara de vcuo principal. Finalmente, a terceira e ltima parcela mostra simplesmente ao efeito da degaseificao residual do sistema de vcuo. Vemos que a importncia, mais ou menos acentuada, do vazamento virtual, na evoluo temporal na presso na cmara de vcuo principal, depender da relao entre as vrias grandezas pertinentes do sistema de vcuo. Ainda, na funo pCV

pCV (t )

participam grandezas com valores bastante distintos entre si. Desta forma, algumas simplificaes

315

podem ser conseguidas, tornando a expresso mais fcil de ser manipulada e os clculos mais simples e adequados para tratar as situaes realista, sem alterar certamente o seu contedo. Com o propsito de manter as duas funes, que representam a evoluo temporal da presso nas duas cmaras de vcuo, escreveremos abaixo pVV

pVV (t ) na Expresso E.13

pVV (t )

0 ( pVV

p final ) exp

S efVV VVV

p final .

E.13

Iniciaremos observando os vrios termos da funo pCV

pCV (t ) e procedendo s

simplificaes aceitveis, aps uma anlise fsica. Assim, enquanto o vazamento virtual tiver importncia, a presso na cmara de vcuo do vazamento virtual ser sempre muito maior que a presso na cmara de vcuo principal. Caso isso no se verifique, o vazamento virtual deixa de ser importante, e praticamente a questo sobre a sua existncia nem se coloca! Continuando, existindo o vazamento virtual, podemos escrever que pVV (t )

pCV (t ) para

todos os instantes de tempo. A condutncia CVV o fator que limita, ou seja, o fator determinante do processo de bombeamento dos gases da cmara de vcuo do vazamento virtual, desta maneira,

SefVV

CVV . Em relao s presses iniciais nas cmaras de vcuo, seguramente temos verificadas
0 p final e pCV

0 as seguintes desigualdades: pVV

p final essas hipteses estavam presentes

desde o incio da construo do modelo do vazamento virtual e as vemos coerentemente explicitadas na funo pCV

pCV (t ) .

Ainda, a velocidade efetiva de bombeamento na cmara de vcuo principal ser sempre muito maior que velocidade efetiva de bombeamento na cmara de vcuo do vazamento virtual caso contrrio, no teramos o vazamento virtual! , ento S efCV

SefVV

CVV . Levando-se em
pCV (t )

conta as aproximaes apresentadas acima, podemos rescrever os termos da funo pCV como segue

0 CV

0 CVV pVV

S efCV

CVV

p fianl S efVV VCV VVV

p final

0 pCV

0 CVV pVV CVV VCV S efCV VVV

316

e tambm, para o outro termo

0 CVV pVV

S efCV

CVV

p final S efVV VCV VVV

0 CVV pVV . CVV VCV S efCV VVV

De posse destas simplificaes e introduzindo-as na expresso de pCV E.14

pCV (t ) temos a Expresso

pCV (t )

0 p CV

0 CVV pVV CVV VCV S efCV VVV

exp

S efCV VCV

.
0 CVV pVV exp CVV VCV S efCV VVV

E.14

CVV t VVV

p final .

Finalmente encontramos a expresso que representa a evoluo temporal da presso na cmara de vcuo principal. Nesta expresso esto sendo consideradas como fontes de gases as de origem no vazamento virtual e na degaseificao das paredes da cmara de vcuo principal. Poderamos em princpio ter considerado a degaseificao dependente do tempo, como estudado no Captulo 3. Neste caso, mesmo no havendo uma soluo analtica para a Equao Diferencial para o Processo de Bombeamento em Vcuo EPBV , lanaramos mo de mtodos numricos, tais como, o de Euler-Heun ou de Runge-Kutta de 4a ordem para chegarmos soluo. Mesmo no considerando o aspecto mais realista da evoluo temporal da degaseificao na modelagem do vazamento virtual, os resultados alcanados mostram o seu comportamento essencial em um sistema de vcuo. Podemos explorar um pouco mais a questo da degaseificao na modelagem realizada. Sabemos que as vrias fontes de gases que concorrem nos sistema de vcuo manifestam-se geralmente ao mesmo tempo. Temos que uma fonte de gs ser mais ou menos importante dependendo de sua intensidade durante uma etapa especfica do processo de bombeamento. Pode

317

ocorrer, por exemplo, que a degaseificao seja to intensa em um sistema de vcuo que torne a fonte de gs devido ao vazamento virtual completamente imperceptvel. Nesta situao o vazamento virtual poder no trazer problemas. Mas nem sempre a realidade assim. Devido aos possveis cenrios apresentados estarem dentro do plano da realidade, deveremos ter um conhecimento suficiente das vrias fontes gasosas a ponto de discerni-las e quantific-las. Isto justifica mais uma vez a construo de modelos capazes de representar matematicamente as fontes de gases presentes nos sistemas de vcuo. Voltando ao vazamento virtual, ele pode tambm ser prejudicial em um sistema de vcuo quando vrios gases de processo so empregados. Digamos que, aps o bombeamento, foi atingida uma dada presso na cmara de vcuo principal. Em seguida, um determinado gs injetado na cmara de vcuo principal; este gs preencher parcial ou totalmente a cmara de vcuo do vazamento virtual. Posteriormente, com a interrupo da entrada do gs injetado, uma presso mais baixa ser novamente atingida. Agora, um outro gs de processo injetado na cmara de vcuo principal. Mas o gs injetado anterior ainda estar suprindo a cmara de vcuo principal, uma vez que a fonte do vazamento virtual est presente. Isto pode ser extremamente prejudicial para o processo em andamento. Ele poder ter um efeito de contaminante, assim, apesar de nem sempre estarmos preocupados com o valor da presso final, o vazamento virtual ser uma fonte de gs que poder prejudicar as etapas de um processo. Este fato de extrema importncia em vrios processos de fabricao de produtos, por exemplo, circuitos integrados na indstria de microeletrnica, na fabricao de discos compactos CD e DVD, indstria de lmpadas de descargas em gases, fabricao de superfcies construdas por filmes finos, e outros mais. Podemos tambm usar os resultados obtidos neste estudo sobre o vazamento virtual para testar a estanqueidade de peas seladas. Digamos, por exemplo, que os vrios invlucros bem distintos um do outro, um marca-passo cardaco, um circuito integrado, ou ainda uma lata de leite condensado, devero ter a estanqueidade testada. Podemos proceder da seguinte forma. Inicialmente submetemos uma dada pea a uma alta presso duas ou trs atmosferas de gs hlio, com durao de tempo determinada por normas de operao tcnicas. Assim, se a pea tiver um furo que determina uma passagem do meio exterior ao seu interior, mesmo que muito pequena, ou seja, pequena condutncia, uma quantidade de hlio entrar nela. Em seguida, colocamos a pea em uma cmara de vcuo, acoplada a um detetor de vazamentos ou a um analisador de gases residuais. Assim, poderemos monitorar a evoluo temporal da presso parcial do hlio. Pelo exposto, se a evoluo temporal da presso parcial do hlio for do tipo representada pela Expresso E.14

318

pCV (t )

0 CV

0 CVV pVV CVV VCV S efCV VVV

exp

S efCV VCV

,
0 CVV pVV exp CVV VCV S efCV VVV

E.14

CVV t VVV

p final

estaremos diante de um vazamento virtual, significando que a pea tem um furo com passagem ao seu interior. Deve ficar claro que este tipo de procedimento requer alguns testes e calibraes para a sua validao. Estes procedimentos de validao da metodologia e de sua quantificao no so muito difceis, requerendo essencialmente, uma compreenso dos conceitos bsicos envolvidos. Finalizando este estudo sobre o vazamento virtual, vamos mostrar como possvel obter as grandezas que definem o vazamento virtual, isto , a condutncia CVV e o volume da cmara de vcuo do vazamento virtual VVV . Atravs da Figura E.3 mostrada abaixo, vemos a evoluo temporal da presso na cmara de vcuo principal.
1 10
3

Presso na Cmara de Vcuo (mbar)

1 10

1 10 pcv( t)

1 10

1 10

500

1000 t tempo (s)

1500

2000

2500

Figura F.3 Grfico da funo temporal da presso na cmara de vcuo principal com a presena de um vazamento virtual.
319

O grfico construdo acima tem os seguintes valores para as grandezas pertinentes na modelagem do vazamento virtual: VCV

100 litros, SefCV

5 litros/segundo, VVV 1000 mbar e p final

3 10
6 10
7

litros,

CVV

1,5 10

0 litros/segundo, pCV

1 10

0 mbar, pVV

mbar. O

primeiro trecho reto da curva acima refere-se a evoluo temporal da presso devido ao gs do volume. Nesta etapa do bombeamento em geral as outras fontes gasosas no tm importncia significativa e na maior parte dos casos so completamente desprezveis. Analisando o segundo trecho reto da curva da funo pCV

pCV (t ) , vemos que podemos extrair os valores das grandezas

determinantes do vazamento virtual a partir do valor do seu coeficiente angular, que denominamos por a . Continuando, a interseo deste segundo trecho de reta, com o eixo da presso na cmara de vcuo principal, nos fornece o fator que multiplica a segunda exponencial da funo

pCV

pCV (t ) , que denominamos por . Desta forma, temos um sistema de duas equaes

algbricas e duas variveis, explicitadas abaixo

CVV VVV
,

CVV p CVV VCV S efCV VVV

0 VV

vemos que assumimos que as outras grandezas presentes do sistema algbrico mostrado acima so consideradas conhecidas. Vamos ilustrar com alguns exemplos, o efeito do vazamento virtual nos sistemas de vcuo. So apresentados trs casos de estudo, tendo o vazamento virtual uma presena mais ou menos pronunciada. No primeiro caso, apesar de existir e ser notada a sua presena, o vazamento virtual, em aproximadamente 300 segundos, deixa de ser uma fonte de gs importante para o sistema de vcuo. Isto no significa que ele no possa ser danoso ao processo em vcuo. Por exemplo, pode ocorrer que neste nterim haja a introduo de um gs de processo, e ainda o gs presente na cmara de vcuo do vazamento virtual estar sendo liberado. Esta mistura pode ser completamente inadmissvel. No segundo caso de estudo, o gs do vazamento virtual demora em torno de 1200 segundos para ser bombeado. Finalmente, no ltimo caso, o vazamento virtual no tem participao notada no decorrer do processo de bombeamento dos gases e vapores da cmara de vcuo principal.
320

A relao

CVV a que define a participao do vazamento virtual para a evoluo temporal da VVV

presso na cmara de vcuo principal. Podemos ainda dizer que esta ltima relao define se h ou no vazamento virtual. Com isso queremos dizer que no basta termos uma pequena cmara de vcuo bolso com uma passagem ligando ao sistema de vcuo, matematicamente falando, no importa os valores isolados de CVV e VVV , o que importante para a prpria definio do vazamento virtual a relao

CVV . VVV

Nos casos estudados, foram adotados valores realistas para as variveis que aparecem na expresso

pCV

pCV (t ) . Poderamos ainda ter adotados valores para CVV e VVV , os quais tornariam a fonte

de gs do vazamento virtual atuando, na queda da presso na cmara de vcuo principal, por dias, semanas, meses, ou ainda tempos maiores. Finalizando este estudo sobre o vazamento virtual, cabe novamente enfatizar que ele pode comprometer seriamente o bom desempenho de um sistema de vcuo. Neste sentido, devemos ter especial ateno no projeto, construo e instalao das partes componentes dos sistemas de vcuo, a fim de evitar qualquer formao que introduza volumes de gases aprisionados neles. Assim, a modelagem do vazamento virtual e a medio da presso em funo do tempo na cmara de vcuo principal possibilitam ou auxiliam a identificao desta fonte de gases nos sistemas de vcuo. Igualmente, podemos tambm fazer uso do conhecimento do comportamento do vazamento virtual para estudar o grau de estanqueidade de volumes de sistemas de vcuo selados. Acrescentando, podemos construir uma srie de situaes encontradas na tecnologia do vcuo, que so sofisticaes da modelagem do vazamento virtual. Assim, podemos ter a cmara de vcuo principal ligada a duas pequenas cmaras de vcuo pequenas, sendo estas conectadas entre si por um pequeno tubo. Ou ainda, trs cmaras de vcuo pequenas conectadas entre si por pequenos tubos. Estas situaes no so comumente encontradas nos sistemas de vcuo, mas encontramos aplicaes em vcuo que usam as situaes descritas. Podemos ainda usar a modelagem do vazamento virtual para tratar sistemas de vcuo que apresentem a estrutura de bombeamento diferencial. Nestes casos podemos, em conjunto com a anlise especfica para o bombeamento diferencial, construir uma anlise baseada na modelagem do vazamento virtual. Enfim, este tipo de procedimento est sempre presente na modelagem de sistemas fsicos, isto , adaptar modelos j realizados a outras situaes. Apresentamos a seguir clculos de sistemas de vcuo para a obteno da curva de presso na cmara de vcuo em funo do tempo, usando a modelagem do vazamento virtual construda acima.
321

Aplicaes da Modelagem do Vazamento Virtual


CASO 1
O modelo bsico do vazamento virtual utilizado e supondo que junto cmara de vcuo principal h uma outra cmara de vcuo de volume muito pequeno ligada a ela por meio de uma condutncia muito pequena. Vcv Sefcv 100 litros 10.0 Volume da cmara de vcuo principal. Velocidade de bombeamento da cmara de vcuo principal.

litros / segundo
6

Vvv Cvv

30.0 10 5 10
7

litros

Volume da cmara de vcuo do vazamento virtual. Condutncia da ligao da cmara de vcuo principal cmara de vcuo do vazamento virtual. Velocidade efetiva de bombeamento na cmara de vcuo do vazamento virtual.

litros / segundo

Sefvv

Sefcv Cvv Sefcv


3

litros / segundo

Cvv mbar

pocv

10

Esta a presso na cmara de vcuo quando iniciamos o bombeamento em alto-vcuo. Estamos admitindo esta presso da passagem da bomba de pr-vcuo para a bomba de alto-vcuo. Supor outro valor de presso de troca das bombas de vcuo no muda a essncia do problema e o modelo tambm no muda. povv 1000 mbar

Esta est sendo considerada a presso na cmara do vazamento virtual. Na verdade, entre o tempo da partida do bombeamento da cmara de vcuo e a queda da presso at a troca da bomba de pr-vcuo para a bomba de alto-vcuo, ocorreu tambm o bombeamento de algum gs da cmara do vazamento virtual. Estamos supondo que no houve tempo para uma variao aprecivel. Isto certamente depende da condutncia Cvv e do volume do vazamento virtual Vvv. pf 6 10
7

mbar

Presso considerada como presso final que atinge o sistema de vcuo. t 0 0.1 1000 (segundos)

Definio da escala de tempo

A soluo da equao diferencial para o processo de bombeamento, considerando o vazamento virtual, mostrada abaixo pcv( t) pocv pf Sefcv Cvv ( povv Sefcv Cvv Cvv ( povv Cvv pf ) Vvv pf ) Vvv exp Sefvv t Vvv pf exp ( Sefcv Cvv) t

Sefvv Vcv

Vcv

Sefvv Vcv

O grfico da evoluo temporal da presso na cmara de vcuo mostrado abaixo


1 10 Presso na Cmara de Vcuo Principal (mbar)
3

1 10

pcv( t)1 10

1 10

1 10

200

400 t tempo (s)

600

800

1000

Comentrio Geral do CASO 1 Vemos no grfico acima que a presso cai rapidamente na cmara de vcuo considerando apenas os gases do volume. Agora, a partir de aproximadamente 50 segundos, temos outra inclinao da curva, mostrando o efeito do vazamento virtual, que faz com que a presso final seja atingida somente aps 500 segundos (aproximadamente). A inclinao da segunda parte da curva depende da relao Sefvv / Vvv; em palavras, para um dado volume da cmara do vazamento virtual, se a condutncia Cvv for muito grande, teremos o bombeamento dos gases aprisionados feito rapidamente. Ou ainda, se para uma dada condutncia Cvv muito pequena (Sefvv tambm muito pequena) tivermos um volume do vazamento virtual muito pequeno, tambm neste caso, os gases sero removidos rapidamente.Desta forma, enfatizando, o que importa a relao Cvv/Vvv, como podemos ver na expresso pcv = pcv(t).

CASO 2
O modelo bsico do vazamento virtual utilizado e supondo que junto cmara de vcuo principal h uma outra cmara de vcuo de volume muito pequeno ligada a ela por meio de uma condutncia muito pequena. Vcv Sefcv 100 litros 5.0 Volume da cmara de vcuo principal. Velocidade de bombeamento da cmara de vcuo principal.

litros / segundo
6 7

Vvv Cvv

30.0 10 1.5 10

litros

Volume da cmara de vcuo do vazamento virtual. Condutncia da ligao da cmara de vcuo principal cmara de vcuo do vazamento virtual.

litros / segundo

Sefvv

Sefcv Cvv Sefcv


3

litros / segundo

Cvv mbar mbar

Velocidade efetiva de bombeamento na cmara de vcuo do vazamento virtual.

pocv povv

10

1000
7

pf

6 10

mbar

Presso considerada como presso final que atinge o sistema de vcuo. t 0 0.1 2500 (segundos)

Definio da escala de tempo

A soluo da equao diferencial para o processo de bombeamento, considerando o vazamento virtual, mostrada abaixo

pcv( t)

pocv

pf Sefcv Cvv ( povv

Cvv ( povv Cvv pf ) Vvv

pf ) Vvv exp

Sefvv Vcv

exp

( Sefcv

Cvv) t

Vcv pf

Sefvv t Vvv

Sefcv

Cvv

Sefvv Vcv

O grfico da evoluo temporal da presso na cmara de vcuo mostrado abaixo.


1 10
3

Presso na Cmara de Vcuo Principal (mbar)

1 10

pcv( t)1 10

1 10

1 10

500

1000 t tempo (s)

1500

2000

2500

Comentrio Geral do CASO 2 Vemos no grfico acima que a presso cai rapidamente na cmara de vcuo considerando apenas os gases do volume. Agora, a partir de aproximadamente 100 segundos, temos outra inclinao da curva, mostrando o efeito do vazamento virtual, que faz com que a presso final seja atingida somente aps 1500 segundos (aproximadamente). A inclinao da segunda parte da curva depende da relao Sefvv / Vvv; em palavras, para um dado volume da cmara do vazamento virtual, se a condutncia Cvv for muito grande, teremos o bombeamento dos gases aprisionados feito rapidamente. Ou ainda, se para uma dada condutncia Cvv muito pequena (Sefvv tambm muito pequena) tivermos um volume do vazamento virtual muito pequeno, tambm neste caso, os gases sero removidos rapidamente.Desta forma, enfatizando, o que importa a relao Cvv/Vvv, como podemos ver na expresso pcv = pcv(t).

CASO 3
O modelo bsico do vazamento virtual utilizado e supondo que junto cmara de vcuo principal h uma outra cmara de vcuo de volume muito pequeno ligada a ela por meio de uma condutncia muito pequena. Vcv Sefcv 100 litros 5.0 Volume da cmara de vcuo principal. Velocidade de bombeamento da cmara de vcuo principal.

litros / segundo

Vvv Cvv

30.0 10 50 10
7

litros

Volume da cmara de vcuo do vazamento virtual. Condutncia da ligao da cmara de vcuo principal cmara de vcuo do vazamento virtual. Velocidade efetiva de bombeamento na cmara de vcuo do vazamento virtual.

litros / segundo

Sefvv

Sefcv Cvv Sefcv


3

litros / segundo

Cvv mbar mbar

pocv povv

10

1000
7

pf

6 10

mbar

Presso considerada como presso final que atinge o sistema de vcuo. t 0 0.1 500 (segundos)

Definio da escala de tempo

A soluo da equao diferencial para o processo de bombeamento, considerando o vazamento virtual, mostrada abaixo

pcv( t)

pocv

pf Sefcv Cvv ( povv

Cvv ( povv Cvv pf ) Vvv

pf ) Vvv exp

Sefvv Vcv

exp

( Sefcv

Cvv) t

Vcv pf

Sefvv t Vvv

Sefcv

Cvv

Sefvv Vcv

O grfico da evoluo temporal da presso na cmara de vcuo mostrado abaixo.


1 10
3

Presso na Cmara de Vcuo Principal (mbar)

1 10

pcv( t)1 10

1 10

1 10

100

200 t tempo (s)

300

400

500

Comentrio Geral do CASO 3 NESTE CASO O VAZAMENTO VIRTUAL PRATICAMENTE NO EXISTE, APESAR DE EXISTIREM A CMARA DE VCUO DO VAZAMENTO VIRTUAL E A PASSAGEM DESTA CMARA CMARA DE VCUO PRINCIPAL.

DECORRENTE DO VALOR DA RELAO Sefvv /Vvv O BOMBEAMENTO NA CMARA DO VAZAMENTO VIRTUAL FEITO RAPIDAMENTE. ASSIM, A PRESSO FINAL NA CMARA DE VCUO PRINCIPAL ATINGIDA RAPIDAMENTE, DEPENDENDO DA RAZO ENTRE AS GRANDEZAS Sefcv E Vcv .

Referncias: - Degasperi, F.T.; Cadernos de Atividades Notas Particulares. Instituto de Fsica da Universidade de So Paulo. 1990, 1991 e 1993. - Degasperi, F.T.; "Deduo da Equao Diferencial para o Vazamento Virtual e sua Soluo Objetivo Didtico. XI Congresso Brasileiro de Aplicaes de Vcuo na Indstria e na Cincia XI CBRAVIC. So Paulo, SP, Brasil, 1990. - Degasperi, F.T.; "Modelagem para o Vazamento Virtual". Centro Tecnolgico para a Informtica, Campinas, SP, Brasil, 1990. Seminrio. - Degasperi, F.T.; "Deduo da Equao Fundamental para o Processo de Bombeamento na Tecnologia do Vcuo. Objetivo Didtico". XII Congresso Brasileiro de Aplicaes de Vcuo na Cincia e na Indstria XII CBRAVIC. Florianpolis, SC, Brasil, 1991. Seminrio. - Ueta, K.; Watari, K.; Equaes Diferenciais Ordinrias - Apostilas da Disciplina de Mtodos da Fsica Terica. Instituto de Fsica da Universidade de So Paulo, 1976.

327

Apndice F
Modelagem da Injeo Controlada de Gases.
Em muitas atividades de pesquisa, de fabricao e de condicionamento, envolvendo a
tecnologia do vcuo, temos o uso de gases e vapores, que devem ser introduzidos de forma controlada nas cmaras de vcuo. Nestes casos, os gases e vapores devem ser introduzidos nas cmaras de vcuo de modo tal que, tanto as suas quantidades quanto os tempos de dosagem sejam controlados e monitorados durante o processo. Desta forma, quando especificamos a instrumentao necessria injeo controlada de gases e vapores em sistemas de vcuo, estamos pressupondo a observao de dois aspectos: as doses gasosas devem ter as suas quantidades determinadas a priori, e ainda, o instante de entrada dos gases e a durao da injeo devem ser especificados e controlados. A Figura F.1 representa esquematicamente um sistema de vcuo com uma linha de injeo de gases.

Reservatrio de Gs

Medidor de Presso

Cmara de Vcuo

Vlvula de Vcuo

QIC

Presso do Gs de Injeo P0 Dispositivo Controlador da Injeo de Gs Presso na Cmara de Vcuo pCV = pCV(t)

Bomba de Vcuo

Figura F.1 Representao esquemtica da injeo de gases e vapores em sistemas de vcuo. So mostrados o reservatrio de gs de injeo, o dispositivo medidor-controlador da injeo de gs, a cmara de vcuo com sua linha de bombeamento e a bomba de vcuo, e os medidores de presso.

329

Com o propsito de modelar a entrada de gs em uma cmara de vcuo, vamos considerar inicialmente a definio do problema. Temos um reservatrio de gs a uma presso constante P0 , conectado cmara de vcuo de volume VCV. O controle da injeo de gs, do reservatrio de gs cmara de vcuo, realizado por meio de um dispositivo capaz de comandar a sua abertura e seu fechamento. Aps a injeo de gases, a presso na cmara de vcuo aumentar. O sistema de bombeamento de gs utilizado para bombear os gases produzidos depois da injeo de gases, pois muitas vezes haver reao qumica na cmara de vcuo e os gases de produto devem ser removidos. Muitos dispositivos construdos para essa funo tambm so capazes de injetar uma quantidade previamente determinada de gs. Freqentemente, o dispositivo controlador da injeo de gs uma vlvula de acionamento rpido, podendo ser uma vlvula do tipo solenide, ou ainda, uma vlvula com elemento de cristal piezoeltrico. Essas vlvulas tm sua abertura e fechamento determinados pela excitao eltrica em seu elemento piezoeltrico. Estas vlvulas, geralmente, apresentam um acionamento bastante rpido, tipicamente com tempo de resposta da ordem de 10-3 s, podendo ser ainda menores. Cabe mencionar que estas vlvulas e os sistemas de injeo de gases tratados neste apndice encontram muita aplicao na indstria espacial. Estes dispositivos so utilizados nos sistemas de propulso de satlites, com o propsito de prover pequenos e precisos impulsos. A injeo de gases e vapores nas aplicaes envolvendo o vcuo ocorre, em linhas gerais, da seguinte forma: um reservatrio contendo gs, que ser injetado na cmara de vcuo, est a uma presso constante P0, o gs escoar at a cmara de vcuo, passando atravs do dispositivo controlador da injeo do gs. Para efeito de modelagem da injeo controlada de gases, consideraremos o dispositivo controlador da injeo do gs sendo representado apenas por uma abertura de rea A. Consideraremos a condutncia da linha de alimentao do gs de injeo como tendo um valor muito grande, assim ela no oferea resistncia passagem de gs. O reservatrio de gs est ligado a um cilindro de gs e vlvulas reguladoras, a fim de manter a presso constante na fonte de gs. A presso no reservatrio de gs ser mantida em P0= 1000 mbar. A presso na cmara do reservatrio pode assumir uma extensa faixa de valores. O modelo que iremos apresentar vlido desde que o gs escoe no regime viscoso. Observando esta exigncia, podemos escolher a presso de entrada arbitrariamente. O fato de podermos variar a presso de entrada faz com que tenhamos mais liberdade na escolha da quantidade de gs a ser injetada na cmara de vcuo. Assim, o gs passa atravs de uma abertura de rea A considerada a nica restrio passagem do gs. Aps percorrer a linha de injeo, o gs atingir a cmara de vcuo, cuja presso base pCV =1 x 10-4 mbar.

330

O livre caminho mdio dado por dimetro cintico da molcula

1 2 nd
2

onde, nd a densidade do gs e que

o ainda

considerada.

Sabemos

pV

nm RT ,

nd

nm V

p assim, podemos escrever RT


1 2 nd
2

1 n 2 m V

RT
2

2 p

Para o gs nitrognio temperatura ambiente, a expresso do livre caminho mdio


N2

6,7 10 p

, com a presso em mbar e


Re s N2

N2

em cm. No caso do reservatrio de gs estar

presso P0 =1000 mbar, temos que

6,7 10 6 cm.

Em muitas aplicaes em sistemas de vcuo cuja injeo de gs deva ser feita de forma bastante precisa e reprodutvel a vlvula piezeltrica geralmente utilizada. Os dispositivos de injeo de gs so sempre dispositivos mecnicos, mas o acionamento em geral so eletromecnicos, como por exemplo, por meio de uma bobina solenide ou um elemento piezoeltrico. Consultando os desenhos disponveis da vlvula piezoeltrica, vemos que a sua abertura tem aproximadamente um dimetro de DVP = 1 mm. Assim, determinamos o regime de escoamento para o gs nitrognio, por meio do critrio de Knudsen. Como o nmero de Knudsen dado pela Expresso F.1

RT NK
Re s N2

DVP

NK

2 p DVP

2 N2

NK

RT 2 p
2 N2

DVP

F.1

assim, encontramos que sendo NK = 6,7.10-7 o regime de escoamento o viscoso. No mbito da rea da mecnica dos fluidos, chamamos de bocais os dispositivos que apresentam a caracterstica geomtrica de aberturas do tipo orifcio, ou ainda, em forma de tubos, atravs dos quais escoam gases em alta velocidade. Estes dispositivos so muito importantes, uma vez que, a vazo de gases constante para uma larga faixa de presso. Mantendo a presso no reservatrio de gs constante, no nosso caso P0 =1000 mbar mantida constante e, inicialmente, na cmara de vcuo tambm
331

presso de 1000 mbar. Nesta situao no haver throughput de gs do reservatrio para a cmara de vcuo. Entretanto, se diminuirmos a presso na cmara de vcuo, verificamos um aumento do throughput de gs saindo do reservatrio cmara de gs. Verificamos que o aumento do throughput atingir um valor limite que depende da razo da presso no reservatrio de gs com a presso na cmara de vcuo. Um resultado da mecnica dos fluidos aplicada dinmica dos gases escoando atravs de bocais que o aumento do throughput ocorre at atingir o seu valor mximo, que dado pela seguinte relao entre presses, mostrada na Expresso F.2

pCV P0

2 1

rC ,

F.2

onde a constante rC a razo crtica das presses e

cp cv

para um gs diatmico

1,4 , para

a temperatura de 293 K temos que rC =0,525. Assim, quando a presso na cmara de vcuo atingir o valor de pCV
0,525 P0 , a partir deste valor, diminuindo a presso na cmara de vcuo que

inicialmente estava a uma presso igual a do reservatrio de gs , no se verifica mais o aumento do throughput de gs que sai do reservatrio de gs e chega cmara de vcuo. A situao simular ao caso de termos na cmara de vcuo uma presso muito menor que a presso no reservatrio de gs e injetarmos gs cmara de vcuo. At atingir a na cmara de vcuo igual a

pCV

0,525 1000

525 mbar no teremos aumento do throughput de gs. Este resultado to

inesperado e intrigante como til. Ele muito utilizado na metrologia de vazo de gases, uma vez que intrnseco natureza dos gases, isto , se atmico, diatmico ou triatmico; certamente depende tambm da temperatura. Considerando uma expanso adiabtica, conforme os resultados da dinmica dos fluidos compressveis, temos que o throughput de gs passando por um orifcio de rea A dado pela Expresso F.3

1 2

Q IC p CV

AP0

pCV P0

RT 1 1M

pCV P0

F.3

332

para o intervalo 0,525 P0

pCV

P0 . Fazendo a seguinte mudana de varivel passando de pCV

para pCV /P0 teremos a Expresso F.4

1 2

QIC

pCV P0

AP0

pCV P0

RT 1 1M

pCV P0

F.4

importante observar que esta expresso vlida somente para o seguinte intervalo de presso 0,525 P0

pCV

P0 . Para o intervalo 0

pCV

0,525 P0 a expresso do throughput

dada pela funo constante Q IC (

pCV ) P0

Mx QIC . A condutncia da abertura pode ser obtida

diretamente da definio, por meio da seguinte expresso operacional QIC

C Ab P0

pCV . A

expresso da condutncia da abertura CAb mostrada a seguir mostrada na Expresso F.5

C Ab

Q IC P0 p CV
1 2

C Ab

P0 P0 p CV

p CV P0

RT 1 1 M

p CV P0

.5

1 2

C Ab 1

A p CV P0

p CV P0

RT 1 1M

p CV P0

Vamos apresentar alguns pontos notveis na expresso do throughput Q IC

QIC (

pCV ). P0

Ela ser igual a zero para a presso pCV = P0. Vemos tambm que o throughput mximo e
Mx constante QIC no intervalo de presso na cmara de vcuo, 0

pCV

rC P0 . O primeiro

ponto de mximo, a partir da direita no eixo das abcissas pode ser obtido matematicamente por

333

meio

da

imposio

da

seguinte

condio

Q IC p CV P0

expresso

do

throughput

QIC

QIC

pCV , em funo da razo entre as presses pCV e P0 . P0 pCV P0 rc 0,525 ,

A expresso para o throughput mximo, ou seja, quando 0 considerando o nitrognio molecular N2 a temperatura de 293 K, dada por

Mx QIC

76,6 A P0 0,525
Mx QIC

0 , 714

1 (0,525)0, 286

0,5

26,7 A P0

Adotando a presso no reservatrio de gs em mbar, a rea da abertura da passagem do gs em cm2, o throughput dado em mbar.l.s-1. A condutncia pode ser determinada para os dois trechos marcantes da curva do

QIC

QIC

pCV P0

. No caso de 0

pCV P0

rc pCV P0

0,525 , temos que a condutncia ser dada por

C Ab ,1

20 A . Agora, quando 0,525 pCV 1 P0

1 , temos que a condutncia ser dada por

C Ab , 2

76,6 A PCV pCV P0 1 P0

0.714

pCV P0

0 , 286

O grfico da curva Q IC

QIC

pCV P0

mostrado na Figura F.2, com as duas partes

marcantes em destaque, sendo separadas pelo valor da presso crtica, rC

pCV P0

0,525 . Assim,

temos a regio da curva, cujo valor constante do throughput verificado ao longo do eixo das

334

abcissas, no intervalo 0

pCV P0

rc
pCV P0

0,525 . Agora, temos o valor do throughput varivel,


1 . Em geral, nos sistemas de vcuo, com injeo controlada

ocorrendo no intervalo 0,525

de gases e vapores, temos na cmara de vcuo presses menores que 10-2 mbar. A presso no reservatrio de gs est geralmente compreendida entre 1000 mbar at 2000 mbar. Tomando esses valores como indicativo, e ainda, considerando que a presso crtica ser em torno de 500 mbar, temos que a injeo de gs dar-se- de forma que o throughput seja constante e determinado pela expresso vlida no intervalo 0

pCV P0

rC , com rC dependendo se o gs monoatmico,

diatmico, etc. No caso do gs nitrognio, ou tambm hidrognio, rC

0,525 .

As ltimas consideraes so adotadas para a maioria dos sistemas de vcuo, operando tipicamente dentro da faixa de valores de presso, tanto na injeo de gs como na cmara de vcuo. Mas, de qualquer forma, sempre deveremos verificar atravs do clculo pertinente, a regio da curva do throughput em que estamos operando. A funo throughput dependente de est mostrada na Figura F.2.

pCV P0

QIC

pCV P0
Mx QIC

rc = 0,525

pCV P 0

Figura F.2 Grfico do throughput em funo do quociente da presso na cmara de vcuo pela presso no reservatrio de gs. O gs o N2 a temperatura T = 293 K.

335

Com o propsito de ilustrar a variao de presso na cmara de vcuo devido injeo controlada de gs, vamos exemplificar com a cmara de vcuo do Tokamak TCABR. A cmara de vcuo tem um volume de VCV = 1000 litros. Considerando as dimenses da vlvula piezoeltrica PV-10 (Marca Veeco) temos que o dimetro do orifcio igual a 0,02 cm; com isso, a rea da abertura A =1,36.10-3 cm2. Assim, o throughput mximo de injeo de gs nitrognio fica (mais frente calcularemos para o gs hidrognio)

Mx QIC

26,7 A P0 Q
Mx IC

26,7 1,36 10

1000
.

36,3 mbar l s

O esquema a seguir, na Figura F.3, mostra a concepo bsica do circuito de vcuo e do circuito de injeo controlada de gs do Tokamak TCABR. Este circuito bastante simples foi usado nas primeiras injees controladas de gs. Atualmente, o circuito mais sofisticado, com controle dos seus parmetros por computador e capaz de promover misturas gasosas, no entanto, o modelo fsico construdo para a injeo controlada de gases permanece vlido.

Vlvula Piezoeltrica PV-10 Cmara de Vcuo do Tokamak TCABR pCV = pCV(t)

Medidor de Alto-Vcuo

QIC

Reservatrio de Gs Presso P0

Bomba de Alto-Vcuo (Turbomolecular)

Vlvula de Alto-Vcuo

Figura F.3 Diagrama do circuito de vcuo com a injeo controlada de gs, com a vlvula piezeltrica PV-10, a bomba turbomolecular e a cmara de vcuo do Tokamak TCABR.
336

A modelagem da injeo controlada de gases cmara de vcuo ser feita empregando a Equao Diferencial para o Processo de Bombeamento em Vcuo EPBV apresentada em detalhe no Apndice A, mostrada abaixo

VCV

dpCV (t ) dt

Sef pCV (t )
i 1

Qi .

Para o caso em estudo, vamos considerar que h somente a fonte devida injeo controlada de gs. A degaseificao pode ser considerada neste modelo, conforme representada matematicamente na equao seguinte

VCV

dpCV (t ) dt

QDeg

QIC .

Verificando que ao impor doses gasosas de throughput muito superiores ao throughput da degaseificao, e ainda, injetando os vrios pulsos de gases espaados por poucos segundos, podemos desprezar o efeito da degaseificao , assim a equao diferencial fica

VCV

dpCV (t ) dt

QIC .

A velocidade efetiva de bombeamento Sef = 200 l.s-1. Para medir a elevao da presso na cmara de vcuo, aps a abertura da vlvula piezoeltrica, fechamos a vlvula de alto-vcuo da bomba de vcuo turbomolecular. Assim, com a equao diferencial para o processo de bombeamento na forma do problema em questo, mostrada logo acima, e admitindo que a presso na cmara de vcuo em t = t, imediatamente antes da primeira injeo de gs, seja pCV (t ' ) encontramos a soluo geral, mostrada abaixo
inicial pCV ,

final pCV

inicial pCV

QIC VCV

t pulso .
injeo

Assim, partindo de um valor de presso na cmara de vcuo, logo aps o disparo de um pulso de gs a presso na cmara de vcuo aumenta conforme a expresso mostrada acima. Certamente se o prximo pulso de gs demorar a ocorrer, o valor da presso na cmara de vcuo
337

comear a aumentar de forma significativa devido degaseificao, ou ainda a outras possveis fontes gasosas, por exemplo, um possvel vazamento. Assim, no modelo construdo, devemos disparar os pulsos gasosos um aps o outro e em intervalos de tempo curtos. Adotamos neste caso o intervalo de tempo suficiente para podermos ler a medio no sensor de alto-vcuo instalado junto cmara de vcuo. As hipteses assumidas na modelagem construda para a injeo controlada de gases foram muito bem verificadas, como veremos por meio dos dados experimentais obtidos.Para cada pulso de injeo de gs com durao

t pulso , veja este o valor da durao do pulso do gs


injeo

injetado e no o intervalo de tempo entre pulsos! , aplicamos a soluo obtida acima, e assim, encontrar a nova presso na cmara de vcuo. Ilustrando, vamos considerar uma srie de disparos no sistema de injeo de gs do Tokamak TCABR, usando o gs hidrognio. As grandezas relativas aos disparos so: presso inicial na cmara de vcuo de 5.10-6 mbar, durao do pulso de injeo de gs de 0,28 ms, presso no reservatrio de gs de 2000 mbar e a temperatura do gs de 293 K. A Figura F.4 mostra a variao da presso na cmara de vcuo em funo do nmero do disparo da vlvula piezoeltrica do sistema de injeo de gs.
1 .2 x 1 0
-4

Presso na Cmara de Vcuo (mbar)

1 .0 x 1 0

-4

8 .0 x 1 0

-5

6 .0 x 1 0

-5

4 .0 x 1 0

-5

2 .0 x 1 0

-5

10

N m e r o d o P u ls o

Figura F.4 Grfico da presso na cmara de vcuo em funo do nmero do disparo do pulso da vlvula piezoeltrica.

Vemos no grfico acima que cada disparo na vlvula piezoeltrica faz com que ocorra uma mesma elevao na presso na cmara de vcuo. Encontramos que na modelagem da injeo controlada de gs na cmara de vcuo necessitou de dois estudos isolados. Em um deles, foi
338

necessria a determinao do throughput de gs que passa por uma abertura chamada bocal em condies de choque, com nmero de Mach igual a um. O outro, refere-se variao de presso na cmara de vcuo; a presso na cmara de vcuo, em funo do tempo, vem da soluo da equao fundamental para o processo de bombeamento EPBV. Analisando os dados obtidos, no caso, com a injeo controlada de hidrognio na cmara de vcuo do Tokamak TCABR, vemos que os dados experimentais tm muito boa concordncia com o modelo proposto, em torno de 20%. O caso modelado acima considerou a variao da presso na cmara de vcuo com o sistema de bombeamento de gases e vapores isolado da cmara de vcuo. Assim, partimos de uma presso base e estudamos a elevao de presso na cmara de vcuo aps cada injeo de gs. Poderamos considerar tambm o caso das bombas de vcuo estar atuando na cmara de vcuo, com isso, teramos que acrescentar na equao diferencial para o processo de bombeamento o termo Sef. O programa computacional desenvolvido neste trabalho e apresentado em detalhe a sua teoria no Apndice A e os casos de estudo no Captulo 3 capaz de tratar e analisar a fonte de gs dependente do tempo. No caso especfico da injeo controlada de gs, poderamos model-la como uma fonte impulsiva de gs, fazendo uso da funo delta de Dirac, ou ainda, combinando vrias funes do tipo da funo degrau de Heveaside. No modelo proposto acima, a principal fonte de incerteza foi a suposio referente ao dimetro da abertura da vlvula piezoeltrica. O seu dimetro, como mencionado, foi obtido por meio de desenho que acompanha o seu catlogo. Neste caso admitimos que o desenho feito conservou a escala fiel ao dispositivo. O estudo realizado da injeo controlada de gs tambm vlido para a injeo de vapor na cmara de vcuo. Nesta situao, devemos nos lembrar que, caso o vapor encontre uma superfcie com temperatura abaixo da temperatura de injeo, teremos a sua condensao. Assim, a linha de injeo de vapor deve ser mantida mesma temperatura da do reservatrio, em toda a sua extenso, at atingir a cmara de vcuo. Na Figura F.5 vemos uma fotografia do arranjo experimental utilizado.

Figura F.5 Arranjo experimental utilizado para medir a descarga de gases em bocais.
339

Vamos a seguir continuar o estudo referente injeo de gases em sistemas de vcuo, mostrando um arranjo experimental construdo no Laboratrio de Tecnologia do Vcuo LTV da Fatec-SP, com o propsito de realizar medies precisas sobre a descarga de gases em bocais. Por meio deste arranjo experimental foram feitas determinaes precisas de descarga de gases em microbocais fabricados com diamante sintetizado. Este trabalho est sendo realizado em colaborao com o Laboratrio de Filmes Finos do Instituto de Fsica da Universidade de So Paulo IFUSP. Sendo o diamante um material inerte e que tem baixa dilatao trmica, isto faz com que ele seja um excelente material a ser utilizado na fabricao de bocais utilizados para fins metrolgicos. O diagrama esquemtico do circuito de vcuo, em conjunto com, os medidores de presso, o dispositivo bocal a ser medido e o reservatrio de gs de entrada, est mostrado na Figura F.6 a seguir.

Bocal

Medidor de Vcuo Coluna de Mercrio

Cmara de Vcuo

QIC

CV

Gs N2

Reservatrio de Gs Presso P0 Bomba de Vcuo com Filtro

Vlvula de Vcuo

Gs de Purga N2

Figura F.6 Diagrama do circuito de vcuo com a injeo controlada de gs para estudar a descarga de gases em bocais.

Uma vez que os bocais de diamante medidos tm dimetros da ordem de 200 10

m , ou

seja, 0,2 mm, o arranjo experimental dever medir pequenos throughputs de gs. Do exposto sucintamente sobre a presso crtica nos bocais, temos interesse em determinar em qual presso

340

ocorre a transio do intervalo de throughput constante para o intervalo de throughput varivel, ou em outras palavras, em qual intervalo de presso temos o fenmeno de brocagem. Essa determinao experimental fundamental para a caracterizao completa do bocal. A Figura F.7 mostra os pontos experimentais da razo entre as presses na cmara de vcuo e a presso de entrada do bocal em relao ao tempo. A presso de entrada do bocal mantida constante. A derivada da curva ajustada dos pontos experimentais em relao ao tempo nos fornecer o throughput que passa pelo bocal e preenche a cmara de vcuo.

Figura F.7 Pontos experimentais da razo das presses na cmara de vcuo e na entrada do bocal em relao ao tempo. Descarga de gs no bocal de diamante com dimetro de 293 m.

Na Figura F.7 vemos como foi possvel fazer um bom ajuste linear referentes aos pontos experimentais at o instante no qual ocorre a blocagem. O instante de tempo aquele cujo valor da

341

ordenada da curva

p CV P0

0,525 rC . Podemos determinar o throughput do gs que chega

cmara de vcuo conhecendo o valor da presso em funo do tempo. Temos que em cada instante na cmara de vcuo vlida a equao dos gases perfeitos ou equao de Clapeyron-Mendeleev

pCV VCV
assim, podemos fazer

nCV RTCV

pCV VCV

N CV kTCV ,

d pCV VCV dt

d N CV kTCV , dt

como o volume da cmara de vcuo e a temperatura so constantes, ficamos com

VCV

dpCV (t ) dt

kTCV

dNCV (t ) dt

Q(t )
.

Q(t ) VCV

dpCV (t ) dt

kTCV

dNCV (t ) dt

Desta forma, calculando a derivada da presso na cmara de vcuo em relao ao tempo, obtemos os valores do throughput em cada instante, e assim poderemos associar estes valores aos respectivos valores de presso na cmara de vcuo. Normalizando a abscissa em relao presso de entrada no bocal e a ordenada em relao ao throughput mximo, construmos a curva que caracteriza o bocal. Os resultados experimentais obtidos como mostrados na Figura F.7 foram comparados com a teoria e houve uma aderncia bastante boa entre eles. De posse desses resultados, podemos caracterizar com preciso o bocal de diamante. Todos os resultados obtidos neste apndice corroboram o modelo considerado para a injeo controlada de gases em sistemas de vcuo.

Referncias: - Degasperi, F.T.; Cadernos de Atividades Notas Particulares. Instituto de Fsica da Universidade de So Paulo. 1998 e 1999. - Shames, I.; Mechanics of Fluids, 3rd Edition, McGraw-Hill Book Company, 1985. - Faires, V. M.; Termodinmica, Traduo 4a Edio, Ao Livro Tcnico S.A., 1966. - Roth, A.; Vacuum Technology. Second and Revised Edition, North-Holland, 1986.

342

- Nardes, A.M.; Fontes Eletrnicas de Alimentao e Controle Usadas em Sistemas de Vcuo. Trabalho de Graduao do Curso MPCE da Fatec-SP. Orientado por Ivan Cunha Nascimento, Juan Iraburu Elisondo, Ablcio Pires dos Reis e Francisco Tadeu Degasperi. 1999. - Rangel, R. A.; Efeito de Bocais em Bombeamento de Gases Rarefeitos. Trabalho de Graduao do Curso MPCE da Fatec-SP. Estagirio do Laboratrio de Tecnologia do Vcuo de Fatec-SP. Orientado por Francisco Tadeu Degasperi. 2006. Trabalho em Andamento. - Sparapani, D.da C; Padro para Vazamentos e Injeo Controlada de Gases. Trabalho de Graduao do Curso MPCE da Fatec-SP. Bolsista Pibic-CNPq do Laboratrio de Tecnologia do Vcuo de Fatec-SP. Orientado por Francisco Tadeu Degasperi. 2006. Trabalho em Andamento - Laino, M. F.; Caracterizao de Micro-Bocais Snicos. Trabalho de Graduao do Curso MPCE da Fatec-SP. Bolsista Pibic-CNPq do Laboratrio de Filmes Finos do IFUSP. Orientado pela Profa.Dra; Maria Ceclia Salvadori. Trabalho em parte sendo realizado no Laboratrio de Tecnologia do Vcuo de Fatec-SP. Co-orientado por Francisco Tadeu Degasperi. 2006. Trabalho em Andamento.

343

Apndice G
Escoamento dos Gases e Vapores no Regime de Escoamento Molecular Considerado como um Fenmeno de Difuso.
O fenmeno da difuso ocorre em muitos processos na natureza. Ele tem importncia nas reas da fsica, qumica e biologia, e ainda, em todas as reas da engenharia. Em alguns dos chamados fenmenos de transporte, sendo os mais importantes: transporte de massa, de calor por conduo e quantidade de movimento em fluidos; todos eles so considerados fenmenos de transporte por difuso. Ao construir modelos dos sistemas de vcuo, com os gases e vapores escoando no regime molecular, adotamos explicitamente o transporte desses gases como sendo um fenmeno difusivo. Desta forma, utilizamos a equao de difuso com o estabelecimento das condies de contorno e condio inicial para encontrar o campo de presso em sistemas de altovcuo e ultra alto-vcuo. Uma vez que a fsica-matemtica dos fenmenos de difuso bastante desenvolvida, principalmente devido transferncia de calor por conduo nos slidos, poderemos utilizar uma srie de raciocnios, abordagens e resultados matemticos desta rea na tecnologia do vcuo. importante enfatizar uma vez mais, como procuramos deixar bastante claro no Apndice B, que apesar de termos uma equao de difuso, aplicada ao transporte de gases escoando no regime molecular, do mesmo formato daquela aplicada conduo de calor em slidos, a transposio de uma outra no direta, imediata e nem simples. Vimos que tivemos que definir aspectos prprios e inerentes fsica dos gases rarefeitos no regime molecular e ainda definir a condutncia especfica e o throughput especfico das fontes gasosas. Apesar do exposto acima, ainda fica a questo questo crucial: Podemos considerar os gases escoando no regime molecular como sendo um fenmeno de difuso? A resposta no imediata e nem simples, e ainda, no conclusiva. Na sua essncia, o fenmeno da difuso em escala atmica est baseado em choques entre tomos e/ou molculas e, dependendo da concentrao das partculas dependente da posio, teremos o fluxo da grandeza inerente ao tipo de transporte. Assim, para que possamos considerar o transporte de uma grandeza como sendo do tipo difusivo, ele deve satisfazer uma condio bsica, que o transporte, visto de forma microscpica, seja do tipo do passeio aleatrio. Isto significa que, microscopicamente falando, o transporte da grandeza tem igual probabilidade de ser em qualquer direo em um dado evento de choque atmico e/ou molecular, quando nenhuma fora externa age no sistema. A Figura G.1 mostra de forma pictrica um recipiente contendo gs. Vamos supor a possibilidade de seguirmos a trajetria de um tomo ou molcula. Assim, veremos este tomo

345

chocando-se com os tomos vizinhos do gs e tambm com as paredes do recipiente. Dependendo da densidade do gs teremos um valor de livre caminho mdio cuja definio pode ser expressa como: a distncia mdia percorrida por tomo ou molcula entre dois choques sucessivos, simbolizado por . Se o livre caminho mdio for menor muito menor que as dimenses tpicas do

recipiente, teremos os choques dos tomos ou molculas ocorrendo preferencialmente com os tomos vizinhos. Entretanto, se a densidade do gs for suficientemente baixa, teremos os choques dos tomos ou molculas ocorrendo essencialmente com as paredes do recipiente, uma vez que o livre caminho mdio ser maior que as dimenses tpicas do recipiente. Veja que nesta situao no impossvel ocorrer choques dos tomos ou molculas entre si, mas bastante improvvel e quanto menor a densidade do gs mais improvvel ser. Apesar de o fenmeno da difuso, macroscopicamente falando, ser de caracter determinstico, a sua origem fsica passeio aleatrio tem caracter intrinsecamente probabilstico.

tomo ou Molcula Realizando o Passeio Aleatrio

Cmara de Vcuo

Figura G.1 tomo ou molcula de um gs, confinado em um recipiente, realizando o


passeio aleatrio. Este fenmeno de natureza fsica intrinsecamente probabilstica. Desta forma surge a necessidade de analisarmos o escoamento dos gases e vapores no regime molecular e dizer se podemos tratar este escoamento como sendo um fenmeno de origem difusiva. Considerando uma anlise puramente heurstica, podemos dizer que uma vez que os choques dos tomos ou molculas, ocorrendo com as paredes do recipiente que contm o gs,

346

obedecem a regra de Knudsen, isto faz com que as partculas tenham igual probabilidade de seguir direita ou esquerda do tubo, ou ainda para frente ou para trs. A regra de Knudsen declara que o ngulo da ejeo de tomos e molculas de uma superfcie proporcional ao cosseno do ngulo de ejeo com a reta normal superfcie, e mais, o ngulo de ejeo no depende do ngulo de incidncia dos tomos e molculas na superfcie. Dizemos que no h efeito de memria no processo de coliso-espalhamento. Do ponto de vista da fsica fundamental, podemos dizer que para as condies normais de operao dos sistemas de alto-vcuo, os tomos e molculas tm um comprimento de onda de de Broglie muito menor que os tamanhos das irregularidade das superfcies dos materiais que compem o sistemas de vcuo. Desta forma, supomos que a ejeo dos tomos e molculas segue um comportamento de espalhamento aleatrio o suficiente para torn-lo difusivo. Esta ltima considerao que faz com que adotemos o escoamento dos gases no regime de escoamento molecular um fenmeno difusivo. Ao contrrio, se os tamanhos das irregularidades das superfcies for menor que o comprimento de onda de de Broglie dos tomos e molculas, teremos um espalhamento especular. A analogia com o caso das ondas eletromagnticas caso ptico no mera coincidncia, est no bojo dos princpios da mecnica quntica. A Figura G.2 mostra esquematicamente a construo geomtrica para a regra de Knudsen.

Reta Normal Superfcie do Choque Superfcie Onde Ocorre o Choque da Partcula

ngulo de Ejeo do tomo ou Molcula

Figura G.2 Construo geomtrica para a regra de Knudsen para a ejeo de tomos ou molculas de uma superfcie.

Assim, supomos que a verificao da regra de Knudsen leva randomizao na distribuio das direes das trajetrias dos tomos e molculas no regime molecular. Esquematicamente, os gases e vapores escoam ao longo de um tubo conforme mostrado na Figura

347

G.3. Pelo exposto, consideramos o escoamento no regime molecular dos gases e vapores como sendo um fenmeno de origem difusiva. Existem casos, observados experimentalmente, nos quais h um desacordo com a regra de Knudsen. O processo de coliso e espalhamento de tomos e molculas com superfcies slidas depende em geral do tipo de tomo ou molcula, do material da superfcie, do estado mecnico da superfcie, da estrutura cristalina da superfcie, do ngulo de ejeo e do momento linear do tomo ou molcula incidente superfcie. Como vemos o espalhamento de tomos e molculas pode ser um processo fsico complicado. Apesar disto, observamos experimentalmente que para os casos que ocorrem na tecnologia do vcuo a regra de Knudsen obedecida.

Tubo com tomos e Molculas Escoando no Regime Molecular

Figura G.3 tomo ou molcula realizando o passeio aleatrio em um tubo devido a ocorrncia dos choques com as suas paredes verificando a regra de Knudsen.

Que pese a rpida argumentao feita acima sobre considerarmos o escoamento dos gases e vapores no regime molecular como sendo um fenmeno de origem difusiva, devemos ter em conta que para os outros tipos de fenmenos de transporte sempre estaremos fazendo a suposio se eles podem ou no tambm ser tratados como um fenmeno de difuso. A questo deve ser posta em prova. Uma vez feita a modelagem de um determinado caso particular, compararemos o resultado da anlise com os resultados experimentais. Tambm podemos comparar com outras ferramentas de modelagem, por exemplo, os sistemas de alto-vcuo e ultra alto-vcuo so modelados usando o mtodo de Monte Carlo, ou ainda utilizando a equao de Boltzmann. Mas, em ltima instncia, a comparao dos resultados da modelagem por meio da equao de difuso com os dados experimentais ser decisiva para o julgamento de estarmos diante de um fenmeno de difuso ou no. Neste trabalho foram feitas comparaes de campos de presso, em vrios sistemas de altovcuo, utilizando a equao de difuso e o mtodo de Monte Carlo.

348

O primeiro sistema de alto-vcuo considerado foi um simples tubo tendo as suas extremidades sendo bombeadas com velocidades de bombeamento iguais a Sef = 10 litros/segundo. Mantivemos fixo o dimetro do tubo e variamos o seu comprimento. Tambm, adotamos uma taxa de degaseificao por unidade de rea igual para todos os oito casos modelados, com valor qdeg = 1.0 x 10-8 mbar.litros.s-1.cm-2. O dimetro do tubo cilndrico igual a D = 3 cm, variamos o comprimento do tubo com os seguintes valores: L = 3 cm, L = 6 cm, L = 12 cm, L = 25 cm, L = 50 cm, L = 100 cm, L = 200 cm e L = 400 cm. Seja o sistema de vcuo em forma tubular cilndrica mostrado na Figura G.4. Temos o dimetro D e comprimento L. H duas bombas de alto-vcuo, uma em cada extremidade do tubo. A velocidade de bombeamento de cada bomba de alto-vcuo igual Sbv e a velocidade efetiva de bombeamento em cada extremidade do tubo igual Sef. A taxa de degasificao especfica por unidade de comprimento qS constante e a condutncia especfica ou condutncia por unidade de comprimento c e igual a c = CTubo.L, onde CTubo a condutncia total do tubo.

Vlvula de Alto-Vcuo

Tubo com Taxa de Degaseificao Constante Sef

x -L/2 0 Bombas de Alto-Vcuo com Velocidade de Bombeamento Sbv L/2

Sbv

Figura G.4 Sistema de alto-vcuo tubular com taxa de degaseificao constante. Bombas de altovcuo nas extremidades do tubo.

Este problema est tratado em detalhe no Captulo 3 e sua teoria no Apndice B. A soluo deste problema, em estado estacionrio, a funo que representa o perfil parablico de presso vlido para o seguinte intervalo
L 2 x L , vemos que esta soluo simtrica em relao ao 2

ponto mdio do tubo, isto x = 0, e neste ponto a presso assume o seu valor mximo,

349

pTubo ( x)

qS 2 x 2c

qS L 1 2 S ef

L . 4c

A Figura G.5 mostra as curvas de campo de presso obtidas por meio da equao de difuso e o mtodo de Monte Carlo. As curvas de campo de presso so obtidas para os seguintes comprimentos de tubo L = 3 cm, L = 6 cm, L = 12 cm, L = 25 cm.
1,0E-06
L = 3 cm - Mt. Eq. Difuso L = 6 cm - Mt. Eq. Difuso L = 12 cm - Mt. Eq. Difuso L = 25 cm - Mt. Eq. Difuso L = 3 cm - Mt. Monte Carlo L = 6 cm - Mt. Monte Carlo L = 12 cm - Mt. Monte Carlo L = 25 cm - Mt. Monte Carlo
Presso (mbar)

1,0E-07

1,0E-08 -15 -10 -5 0


Posio do Tubo (cm)

10

15

Figura G.5 Campo de presso em sistema de alto-vcuo tubular com taxa de degaseificao constante. Bombas de alto-vcuo nas extremidades do tubo com velocidades de bombeamento iguais entre si.

Continuando, temos mostradas na Figura G.6 as curvas de campo de presso para os seguintes comprimentos de tubo L = 50 cm, L = 100 cm, L = 200 cm e L = 400 cm. Tambm nestes casos a velocidade de bombeamento nas extremidades do tubo so iguais a Sef = 10 litros/segundo e o dimetro do tubo de D = 3 cm.

350

1,0E-05

Presso (mbar)

1,0E-06

L = 50 cm - Mt. Eq. Difuso L = 100 cm - Mt. Eq. Difuso L = 200 cm - Mt. Eq. Difuso L = 400 cm - Mt. Eq. Difuso L = 50 cm - Mt. Monte Carlo L = 100 cm - Mt. Monte Carlo L = 200 cm - Mt. Monte Carlo L = 400 cm - Mt. Monte Carlo
1,0E-07 -200 -150 -100 -50 0 Posio do Tubo (cm) 50 100 150 200

Figura G.6 Campo de presso em sistema de alto-vcuo tubular com taxa de degaseificao constante. Bombas de alto-vcuo nas extremidades do tubo com velocidades de bombeamento iguais entre si.

Vemos que h uma concordncia bastante boa entre os campos de presso obtidos por meio da equao de difuso e pelo mtodo de Monte Carlo. A concordncia bastante boa no somente para comprimentos grandes em relao ao dimetro do tubo, mas tambm para comprimentos da ordem da dimenso do dimetro. Estamos diante de um fato muito surpreendente. O modelo difusivo deveria ser vlido apenas para os casos tubulares cujo comprimento do tubo fosse muito maior que a dimenso transversal ao seu eixo. No caso particular de tubo cilndrico, com o comprimento muito menor que o dimetro do tubo. Mas de forma completamente inesperada encontramos que o campo de presso obtido por meio da equao de difuso quase igual quele obtido pelo mtodo de Monte Carlo. Na prtica, considerando a resoluo dos medidores de altovcuo disponveis no mercado, podemos dizer que, para uma dada situao, os campos de presso so iguais! Observamos um outro fato notvel, analisando as curvas acima. Sistematicamente, a

351

presso na extremidade do tubo obtido pela equao de difuso maior que quela obtida pelo mtodo de Monte Carlo. A diferena entre os valores de presso nas extremidades do tubo, para cada caso, no mximo de 5%. medida que percorremos a extenso do tubo no sentido do seu ponto mdio, a diferena de presso obtida por meio dos dois mtodos tende a zero. O aspecto marcante e inesperado est no fato de, mesmo para os casos em que o comprimento da ordem do dimetro, verificarmos que o modelo difusivo leva resultados quase iguais queles obtidos por meio do mtodo de Monte Carlo. A questo fsica est no fato de que mantendo o dimetro do tubo fixo, ao diminuirmos o comprimento do tubo, podemos ter partculas viajando diretamente de uma extremidade outra do tubo, sem a ocorrncia de choques com as paredes do tubo, consequentemente no respeitando o equilbrio local. Desta forma, do ponto de vista do processo fsico bsico de transporte, dizemos que no h observncia e obedincia do equilbrio local. Isto quer dizer, matematicamente falando, que no podemos escrever em cada ponto do eixo do sistema de vcuo tubular a lei de Fick sabemos que este tipo de lei declara que o transporte de alguma grandeza fsica proporcional ao gradiente de alguma outra grandeza fsica, no caso, o throughput proporcional ao gradiente da presso. A seguir mostramos a lei de Fick adaptada ao transporte de gases no regime molecular

q ( x, t )

p ( x, t ) . x

Sempre devemos ter presente que a imposio simplesmente da conservao de energia ao sistema fsico no leva equao de difuso. Observando detidamente a deduo da equao de difuso aplicada ao regime molecular, feita em detalhe no Apndice B, verificamos que aps o estabelecimento da equao de balano energtico, impusemos explicitamente a lei de Fick mostrada anteriormente. Assim, frisando mais uma vez: o aspecto marcante, inesperado e surpreendente est no fato de verificarmos que o modelo difusivo aplicado ao escoamento dos gases escoando no regime molecular leva resultados que so verificados por meio do mtodo de Monte Carlo. Veja que o clculo por meio do mtodo de Monte Carlo completamente diferente daquele do modelo difusivo. Foi este fato surpreendente que levou o autor deste trabalho em acreditar que o modelo difusivo aplicvel em outras geometrias e levou deduo da equao de difuso, tanto para o caso bidimensional como tridimensional. Cabe mencionar que no h explicao para o fato de verificarmos a validade da equao de difuso nos casos de tubos de comprimento da ordem do seu dimetro. Deve acontecer algum processo adicional quele dos choques com as paredes do tubo que faz com que o escoamento dos gases seja tratado como fenmeno de origem difusiva.

352

Certamente estamos diante de algo interessante a ser investigado. Apresentaremos a seguir outros casos de estudo em sistemas de alto-vcuo, cujos campos de presso foram determinados tanto por meio da equao de difuso como pelo mtodo de Monte Carlo, e em seguida comparados. Os clculos realizados em todos os casos de estudo deste apndice, por meio do mtodo de Monte Carlo, foram feitos utilizando o programa MolFlowTM. Este programa e as anlises apresentadas so de autoria do Dr. Roberto Kersevan do European Synchrotron Radiation Facility ESRF de Grenoble, Frana. O programa MolFlowTM considerado o melhor da sua rea e tem sido intensamente utilizado em grandes projetos de aceleradores de partculas. Seja o sistema de vcuo em forma tubular com tubo cnico como mostrado na Figura G.7. Temos os dimetros DM e Dm e comprimento L. H duas bombas de alto-vcuo, uma em cada extremidade do tubo cnico. A velocidade de bombeamento de cada bomba de alto-vcuo igual Sbv e a velocidade efetiva de bombeamento em cada extremidade do tubo igual Sef. A taxa de degasificao especfica por unidade de rea da parede do tubo qdeg constante, a condutncia especfica ou condutncia por unidade de comprimento depende da posio ao longo do eixo do tubo cnico.

Dimetro Menor - Dm Vlvula de Alto-Vcuo

Tubo Cnico

Dimetro Maior - DM

Sef

x Sbv -L/2 0 L/2

Bombas de Alto-Vcuo com Velocidade de Bombeamento Sbv


Figura G.7 Sistema de alto-vcuo com tubo cnico com taxa de degaseificao por unidade de rea constante. Bombas de alto-vcuo com mesma velocidade de bombeamento.

Este problema est tratado em detalhe no Captulo 3 e sua teoria no Apndice B. Na Figura G.8 mostramos as curvas de campo de presso para o caso do tubo cnico adotando trs velocidades de bombeamento em suas extremidade. Os resultados foram obtidos por meio do mtodo de Monte

353

Carlo. O dimetro maior do tubo cnico DM = 6 cm, o dimetro menor Dm = 3 cm, o comprimento L = 400 cm, a taxa de degaseificao especfica por unidade de rea qdeg = 1 x 10-9 mbar.litro.s-1.cm-2. As velocidades efetivas de bombeamento so: para o caso 1, S-L/2 = S+L/2 = 5 l.s-1; para o caso 2, S-L/2 = S+L/2 = 50 l.s-1; e para o caso 3, S-L/2 = 83,2 l.s-1 e S+L/2 = 332,8 l.s-1.

Perfil de Presso ao Longo do Tubo Cnico

Posio do Tubo Z (m)

Figura G.8 Campo de presso ao longo to eixo do tubo cnico. As velocidades efetivas de bombeamento so as seguintes: S-L/2 = S+L/2 = 5 l.s-1 linha azul; S-L/2 = S+L/2 = 50 l.s-1 linha vermelha; S-L/2 = 83,2 l.s-1 e S+L/2 = 332,8 l.s-1 linha verde. Clculos realizados pelo mtodo de Monte Carlo.

Na Figura G.9 mostramos as curvas de campo de presso para o caso de tubo cnico considerando as seguintes velocidades efetivas de bombeamento so: para o caso 1, S-L/2 = S+L/2 = 5 l.s-1 , para o caso 2, S-L/2 = S+L/2 = 50 l.s-1, e para o caso 3, S-L/2 = 500 l.s-1 e S+L/2 = 500 l.s-1. Os resultados foram obtidos por meio da equao de difuso. As solues foram obtidas tanto em forma analtica como por recursos numrico-computacionais. Nestes casos fizemos uso do mtodo dos elementos finitos e mtodo de Runge-Kutta de 2a ordem. No caso do mtodo dos elementos

354

finitos, a anlise foi realizada pelo Dr. Srgio Luiz Lopes Verardi, da Escola Politcnica da Universidade de So Paulo EPUSP, usando programa desenvolvido por ele mesmo. No caso do mtodo de Runge-Kutta de 2a ordem, o programa foi desenvolvido pelo autor deste trabalho utilizando o programa MathCadTM Verso 13 e o programa Maple 5.

Figura G.9 Campo de presso ao longo to eixo do tubo cnico. S-L/2 = S+L/2 = 5 l.s-1 linha pontilhada verde; S-L/2 = S+L/2 = 50 l.s-1 linha tracejada vermelha; S-L/2 = S+L/2 = 500 l.s-1 linha cheia azul. Clculos realizados pelo modelo difusivo.

Vemos nestes sistemas de alto-vcuo tubular cnico que os campos de presso obtidos tanto pela equao de difuso como pelo mtodo de Monte Carlo so muito prximos entre si. Considerando os medidores de alto vcuo disponveis no mercado as curvas podem ser adotadas como iguais. Observando as curvas detidamente, devemos tecer algumas consideraes. No caso da anlise feita utilizando o mtodo de Monte Carlo no podemos impor qualquer velocidade de bombeamento em uma rea. Pela prpria caracterstica inerente ao mtodo de Monte Carlo, uma

355

determinada rea ter no mximo uma velocidade de bombeamento que dada pela probalidade de choque nesta rea. Assim, vemos que no foi possvel determinar o campo de presso para o caso da velocidade de bombeamento igual a 500 litros/segundo. Isto no constitui um problema prtico grande, uma vez que nos casos em que a condutncia especfica na extremidade seja menor que a velocidade de bombeamento nesta extremidade, teremos que o gradiente do campo de presso ter valores bastante altos. Desta forma, pouco distante desta extremidade o campo de presso no ser influenciado pela alta velocidade de bombeamento. Este fato est em total acordo com o discutido no Apndice D. Este um dos fatos mais marcantes da tecnologia do vcuo, como fizemos questo de inmeras vezes de ressaltar. De qualquer forma temos um problema interessante e importante pela frente. Estudar como ficaria o caso de instalarmos uma cmara de vcuo junto a uma das extremidades do tubo, com a cmara de vcuo estando a uma presso muito baixa. Outro caso de estudo ser considerado a seguir. Seja o sistema de alto-vcuo em forma tubular com a associao de um tubo cilndrico ligado a um tubo cnico e ligado a um tubo cilndrico, como mostrado na Figura G.10.

Vlvula de Alto-Vcuo

Dimetro Menor - Dm

Tubo Cnico

Dimetro Maior - DM

Sef

Sbv
0 . 200 400 600 X (cm)

Bombas de Alto-Vcuo com Velocidade de Bombeamento Sbv


Figura G.10 Sistema de alto-vcuo com tubo cnico com taxa de degaseificao por unidade de rea constante. Bombas de alto-vcuo com mesma velocidade de bombeamento.

Temos os dimetros maior DM = 6 cm e o menor Dm = 3 cm, o comprimento de cada trecho de tubo igual a 2 m, assim o comprimento total da associao de tubos de 6 m. H duas bombas de alto-vcuo, uma em cada extremidade da associao tubular cilndrico-cnico-cilndrico. A velocidade de bombeamento de cada bomba de alto-vcuo igual Sbv e a velocidade efetiva de
356

bombeamento em cada extremidade do tubo igual Sef . A taxa de degasificao especfica por unidade de rea da parede dos tubos igual qdeg = 1.0 x 10-8 mbar.litros.s-1.cm-2, a condutncia especfica ou condutncia por unidade de comprimento depende da posio ao longo do eixo do tubo cnico. Na Figura G.11 mostramos as curvas de campo de presso obtidas pelo mtodo de Monte Carlo. O sistema de alto-vcuo formado pela associao de tubo cilndrico em srie com tubo cnico em srie com tubo cilndrico considerando as seguintes velocidades efetivas de bombeamento so: para o caso 1, S0 = S6 = 10 l.s-1 , para o caso 2, S0 = 0 l.s-1 e S6 = 10 l.s-1, para o caso 3, S0 = 10 l.s-1 e S6 = 0 l.s-1 e para o caso 4, S0 = 20 l.s-1 e S6 = 10 l.s-1. Sendo S0 a velocidade efetiva de bombeamento na extremidade tubo em x = 0 m e S6 em x = 6 m.

Perfil de Presso ao Longo do Tubo Cilndrico-Cnico-Cilndrico

Posio do Tubo Z (m)

Figura G.11 Campo de presso ao longo do eixo da associao tubular cilindro-cone-cilindro. As velocidades efetivas de bombeamento so as seguintes: caso 1, S0 = S6 = 10 l.s-1 linha azul, para o caso 2, S0 = 0 l.s-1 e S6 = 10 l.s-1 linha vermelha, para o caso 3, S0 = 10 l.s-1 e S6 = 0 l.s-1 linha verde e para o caso 4, S0 = 20 l.s-1 e S6 = 10 l.s-1 linha laranja. Clculos realizados pelo mtodo de Monte Carlo.

357

Os clculos realizados pelo mtodo de Monte Carlo foram feitos utilizando o programa MolFlowTM e as anlises apresentadas so novamente de autoria do Dr. Roberto Kersevan. Na Figura G.12 mostramos em mais detalhe as curvas de campo de presso. Na Figura G.12 mostramos as mesmas curvas de campo de presso mostradas anteriormente, somente que ampliadas para detalhar as curvas em menores valores de presso.

Perfil de Presso ao Longo do Tubo Cilndrico-Cnico-Cilndrico

Posio do Tubo Z (m)

Figura G.12 Campo de presso ao longo do eixo da associao tubular cilindro-cone-cilindro em detalhe para menores valores de presso. As velocidades efetivas de bombeamento so as seguintes: caso 1, S0 = S6 = 10 l.s-1 linha azul, para o caso 2, S0 = 0 l.s-1 e S6 = 10 l.s-1 linha vermelha, para o caso 3, S0 = 10 l.s-1 e S6 = 0 l.s-1 linha verde e para o caso 4, S0 = 20 l.s-1 e S6 = 10 l.s-1 linha laranja. Clculos realizados pelo mtodo de Monte Carlo.

Continuando, na Figura G.13 mostramos as curvas de campo de presso do mesmo caso anterior, mas com os resultados obtidos por meio da equao de difuso e graficadas junto s curvas obtidas pelo mtodo de Monte Carlo. Desta forma fica mais direta a comparao entre os dois

358

mtodos de anlise. importante frisar que os clculos feitos das duas maneiras so completamente diferentes entre si, um determinstico equao de difuso e o outro de natureza intrinsecamente probabilstico mtodo de Monte Carlo. As solues foram obtidas tanto em forma analtica como em forma utilizando recursos numrico-computacionais. Nestes casos de estudo tambm fizemos uso do mtodo dos elementos finitos e mtodo de Runge-Kutta de 2a ordem. A anlise feita pelo mtodo dos elementos finitos foi realizada mais uma vez pelo Dr. Srgio L. L. Verardi. No caso do mtodo de Runge-Kutta de 2a ordem, o programa foi desenvolvido pelo autor deste trabalho utilizando o programa MathCadTM Verso 13 e o programa Maple 5.

Campo de Presso
8,00E-05

Perfil de Presso ao Longo do Tubo Cilndrico-Cnico-Cilndrico


Verde Escuro MMC Verde Claro MED

7,00E-05

Posio do Tubo Z (m)

6,00E-05

5,00E-05 P resso (m bar)

4,00E-05

3,00E-05

Vinho MMC Rosa MED Vermelho MMC Laranja MED

2,00E-05

1,00E-05

Azul Escuro MMC Azul Celeste MED


0,00E+00 0 1 2 3 Posio (m) Caso1 ( D ) Caso2 ( D ) Caso3 ( D ) Caso4 ( D ) Caso1 ( K ) Caso2 ( K ) Caso3 ( K ) Caso4 ( K) 4 5 6

Figura G.13 Campo de presso ao longo do eixo da associao tubular cilindro-cone-cilindro. As velocidades efetivas de bombeamento so as seguintes: caso 1, S0 = S6 = 10 l.s-1 linhas vermelha e laranja, para o caso 2, S0 = 0 l.s-1 e S6 = 10 l.s-1 linhas vinho e rosa, para o caso 3, S0 = 10 l.s-1 e S6 = 0 l.s-1 linhas verde escuro e verde claro e para o caso 4, S0 = 20 l.s-1 e S6 = 10 l.s-1 linhas azul e celeste. Modelo feito utilizando a equao de difuso com as solues obtidas por meio do mtodo dos elementos finitos.
359

Na Figura G.14 mostramos as mesmas curvas de campo de presso mostradas anteriormente, somente que ampliadas para detalhar as curvas em menores valores de presso.

5,00E-05 Presso (mbar)


Perfil de Presso ao Longo do Tubo Cilndrico-Cnico-Cilndrico
Verde Escuro MMC Verde Claro MED

4,00E-05

3,00E-05

Vinho MMC Rosa MED

2,00E-05

1,00E-05

Vermelho MMC Laranja MED

Azul Escuro MMC Azul Celeste MED

0,00E+00 0 1
Posio do Tubo Z (m)

Figura G.14 Campo de presso ao longo do eixo da associao tubular cilindro-cone-cilindro em detalhe para menores valores de presso. As velocidades efetivas de bombeamento so as seguintes: caso 1, S0 = S6 = 10 l.s-1 linhas vermelha e laranja, para o caso 2, S0 = 0 l.s-1 e S6 = 10 l.s-1 linhas vinho e rosa, para o caso 3, S0 = 10 l.s-1 e S6 = 0 l.s-1 linhas verde escuro e verde claro e para o caso 4, S0 = 20 l.s-1 e S6 = 10 l.s-1 linhas azul e celeste. Modelo feito utilizando a equao de difuso com as solues obtidas por meio do mtodo dos elementos finitos.

Vemos tambm nestes sistemas de alto-vcuo tubular, com associao em srie de trs tubos cilndrico-cnico-cilndrico que os campos de presso obtidos tanto pela equao de difuso
360

como pelo mtodo de Monte Carlo so muito prximos entre si. Mais uma vez, considerando os medidores de alto vcuo disponveis no mercado as curvas podem ser adotadas como iguais. Vemos um efeito interessante que ocorre na extremidade esquerda do tubo e que podemos arriscar uma generalizao. Observamos nos casos, que ocorrem gradientes de presso grandes, um maior distanciamento entre os resultados obtidos pelo mtodo de Monte Carlo e a equao de difuso. Assim, medida que temos a presso variando pouco ao longo do tubo, isto , gradientes de presso pequenos, as curvas de campo de presso, para um mesmo caso de estudo, praticamente se confundem. Com este fato podemos ver de forma bastante marcante na extremidade direita do tubo. Fisicamente falando, na extremidade direta do tubo a condutncia especfica muito grande comparada s velocidades efetivas de bombeamento, assim a presso varia muito pouco. Este comportamento geral, verificado nos sistemas de vcuo, foi discutido em detalhe no Apndice D. Finalizando as comparaes feitas na modelagem de sistemas de alto-vcuo utilizando o mtodo de Monte Carlo e a equao de difuso, temos um sistema de alto-vcuo bidimensional, conforme esquematizado na Figura G.15.

Bomba de Alto-Vcuo Cmara de Vcuo y z

Linha de Bombeamento

Campo de Presso p=p(x,y,t)

x
Figura G.15 Representao esquemtica de um sistema de alto-vcuo bidimensional, mostrando a cmara de vcuo, a tubulao e a bomba de vcuo.

Este sistema de alto vcuo tem as seguintes dimenses geomtricas: Comprimento de 12 cm, largura de 8 cm e altura de 0,05 cm. Vemos que devido pequena altura, podemos dizer que um sistema de vcuo bidimensional, este fato foi muito discutido no Apndice B. A velocidade efetiva de bombeamento igual a Sef = 1 litro/segundo. A taxa de degasificao especfica por

361

unidade de rea da parede da cmara de vcuo igual qdeg = 1 x 10-8 mbar.litros.s-1.cm-2. A Figura G.16 mostra a curva de campo de presso obtida pelo mtodo de Monte Carlo.

Campo de Presso em Sistema de Alto-Vcuo Bidimensional

Figura G.16 Campo de Presso em sistema de alto-vcuo bidimensional. A bomba de vcuo est instalada na posio (x,y) = (0,-6). A soluo foi obtida por meio do mtodo de Monte Carlo.

A seguir vemos na Figura G.17 a curva de campo de presso empregando a equao de difuso e a soluo obtida pelo mtodo dos elementos finitos, com qdeg =2 x 10-9 mbar.litros.s-1.cm-2.

Campo de Presso em Sistema de Alto-Vcuo Bidimensional Presso (mbar)

Y (cm) X (cm)

Figura G.17 Campo de Presso em sistema de alto-vcuo bidimensional. A bomba de vcuo est instalada na posio (x,y) = (0,-6). A soluo foi obtida por meio da equao de difuso.
362

Vemos que neste sistema de alto-vcuo bidimensional os campos de presso obtidos tanto pela equao de difuso como pelo mtodo de Monte Carlo tm suas formas iguais. Neste caso de estudo houve um desencontro entre as anlises feitas por meio dos dois mtodos. O motivo foi que foram adotados valores diferentes para as taxas de degaseificao especfica por unidade de rea. Assim, obviamente no houve concordncia numrica entre eles. Nos casos mostrados acima, temos que foi considerado qdeg = 1 x 10-8 mbar.litros.s-1.cm-2 para a anlise pelo mtodo de Monte Carlo, e para a anlise usando a equao de difuso qdeg = 2 x 10-9 mbar.litros.s-1.cm-2. Foram feitas mais trs anlises sob as mesmas condies em sistemas de alto-vcuo bidimensionais mais sofisticados que este apresentado. Os formatos das curvas de campo de presso so os mesmos para os dois mtodos de modelagem. Observamos mais uma vez o efeito marcante da pequena condutncia especifica do sistema de vcuo. O gradiente do campo de presso grande prximo entrada da bomba de vcuo e a partir desta regio a presso no varia significativamente por unidade de comprimento. Este resultado foi obtido tanto pelo mtodo de Monte Carlo como pela equao de difuso. Este comportamento geral, verificado nos sistemas de vcuo, foi discutido em detalhe no Apndice D. Finalizamos o Apndice G dizendo que a modelagem de sistemas de alto-vcuo e ultra altovcuo, ou de maneira mais rigorosa, sistemas de vcuo com os gases escoando no regime molecular podem ser realizadas por meio da equao de difuso. Este tipo de abordagem utilizado h vrios anos, ocorre que a sua abrangncia no grande e est restrita a poucos especialistas. No caso de sistemas de vcuo tubulares o mtodo difusivo empregado e, quando o tubo tem sua rea de seo dependente da posio, como, por exemplo, um tubo cnico, em geral ele acaba sendo aproximado por vrios pequenos tubos cilndricos montados em srie. Um aspecto apresentado neste trabalho de tese que temos agora um procedimento geral de definio de condutncia especfica, de taxa de degaseificao especfica tanto para fontes gasosas extensas como localizadas espao e no tempo. O fato de termos obtidos os resultados surpreendentes e inesperados do campo de presso em tubos, de comprimento da mesma ordem do seu dimetro, por meio do modelo difusivo em concordncia com aqueles obtidos pelo mtodo de Monte Carlo corroborou a idia de utilizarmos o modelo difusivo em sistemas de alto-vcuo bidimensionais e tridimensionais. Desta forma, nos sistemas de alto-vcuo bidimensionais, aplicamos o modelo difusivo e conseguimos aparentemente resultados que podem ser considerados como promissores, com isto posto, encoraja-nos e estimula-nos a prosseguir com o trabalho.

363

Referncias: - Degasperi, F.T.; Caderno de Atividades - Notas Particulares. Instituto de Fsica da Universidade de So Paulo. - Degasperi, F.T.; "Deduo da Equao Fundamental para o Processo de Bombeamento na Tecnologia do Vcuo. Objetivo Didtico". XII Congresso Brasileiro de Aplicaes de Vcuo na Cincia e na Indstria XII CBRAVIC. Florianpolis, SC, Brasil, 1991. Seminrio. - Degasperi, F.T.; Anlise Detalhada de Sistemas de Vcuo. Laboratrio do Acelerador Linear do Instituto de Fsica da Universidade de So Paulo, So Paulo, SP, Brasil, 1999. Seminrio. - Viana, E.R.; Estudos para a Simulao de Transporte de Gases em Regime de Escoamento Molecular. Trabalho de Graduao do Curso de MPCE. Faculdade de Tecnologia de So Paulo. Orientador: F.T. Degasperi. 1999. - Raimundo, D.E.; Simulao de Escoamentos de Gases no Regime Molecular. Trabalho de Graduao do Curso de MPCE. Faculdade de Tecnologia de So Paulo. Orientador: F.T. Degasperi. 2001. - Walton, A.L.; Three Phases of Matter. Second Edition. Oxford University Press. 1992. - Pcseli, H.L.; Fluctuations in Physical Systems. Cambrigde University Press. 2000. - Watanabe, E.T; Simulao de Escoamentos de Gases no Regime Molecular em Trs Dimenses pelo Mtodo de Monte Carlo. Trabalho de Graduao do Curso de MPCE. Faculdade de Tecnologia de So Paulo. Orientador: F.T. Degasperi. 2006. Trabalho em Andamento. - Kersevan, R.; Discusses e Documentos Privados sobre Modelagens de Sistemas de Alto-Vcuo pelo Mtodo de Monte Carlo. 2005 e 2006.

364

Você também pode gostar