UNIVERSIDAD

POLITECNICA DE PACHUCA
PROGRAMA EDUCATIVO
INGENIERIA MECANICA AUTOMOTRIZ

ASIGNATURA:
ELECTRONICA

PRACTICA:
07

TITULO:
EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

CATEDRATICO:
ING. ARTURO CRUZ AVILS

LABORATORIO DE ELECTRONICA
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INTRODUCCIN
Los transistores ms conocidos son los llamados bipolar (NPN y PNP), llamados as porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo. Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material P N, llamada canal, que rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unin P-N. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar figura.

Figura: Estructura del transistor FET

Figura: Disposicin de las polarizaciones para un FET de canal N. La figura, se muestra un esquema que ayudar a comprender el funcionamiento de un FET. En este caso se ha supuesto que el canal es de material de tipo N. La puerta est polarizada negativamente respecto a la fuente, por lo que la unin P-N entre ellas se encuentra polarizada inversamente y existe (se crea) una capa desierta.

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Si el material de la puerta est ms dopado que el del canal, la mayor parte de la capa estar formada por el canal. Si al tensin de la puerta es cero, y Vds = 0, las capas desiertas profundizan poco en el canal y son uniformes a todo lo largo de la unin. Si Vds se hace positiva (Vgs sigue siendo cero) por el canal circular una corriente entre sumidero y fuente, que har que la polarizacin inversa de la unin no sea uniforme en toda su longitud y, en consecuencia, en la parte ms prxima al sumidero, que es la ms polarizada, la capa desierta penetrar ms hacia el interior del canal. Para valores pequeos de Vds, la corriente de sumidero es una funcin casi lineal de la tensin, ya que la penetracin de la capa desierta hacia el interior del canal no vara substancialmente de su valor inicial. Sin embargo, a medida que aumenta la tensin aumenta tambin la polarizacin inversa, la capa desierta profundiza en el canal y la conductancia de ste disminuye. El ritmo de incremento de corriente resulta, en consecuencia, menor y llega un momento en que el canal se ha hecho tan estrecho en las proximidades del sumidero que un incremento de Vds apenas tiene efecto sobre la corriente de sumidero. Entonces se dice que el transistor est trabajando en la zona de estriccin (pinch-off), llamndose tensin de estriccin Vp a la del punto de transicin entre el comportamiento casi lineal y el casi saturado. Si a la puerta se le aplica una polarizacin negativa estacionaria, la capa desierta penetra ms en el interior que con la polarizacin nula; por tanto, para pasar a la zona de estriccin se necesita menos tensin de sumidero. El aumentar la polarizacin negativa permite tener la transicin a la zona de estriccin a corrientes de sumidero an inferiores figura

Figura: Zonas de funcionamiento del JFET El funcionamiento del FET se basa en la capacidad de control de la conductancia del canal por parte de la tensin de puerta y, como la unin puerta-canal se encuentra siempre polarizada inversamente, el FET es por esencia un elemento de alta impedancia de entrada.

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OBJETIVO GENERAL
Determinar el funcionamiento de un transistor de efecto de campo

OBJETIVOS PARTICULARES Determinar

la dependencia exponencial dada por la ley de SHOCKLEY entre la corriente I0 y el voltaje VGS. Determinar la curva de transferencia del transistor FET. Comprobar el efecto de amplificacin

DESARROLLO DE LA METODOLOGA
I.- Equipo y Material Equipo 2 Multimetro 1 Fuente 1 Generador de seales 1 Osciloscopio con 2 sondas Material
6 Transistores 2N5457, 2N5458 2N5484. 3 Bateras de 1.5 V. 1 Portapilas.

Resistencias R1 = 12 K, R2 = 27 K,
1 Protoboard Alambre de conexin para Protoboard

II.- Desarrollo de la prctica Parte 1 POLARIZACIN DEL TRANSISTOR I.

Construya el circuito que se muestra en la figura

Conecte la terminal G a tierra.

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 Ajuste la fuente de alimentacin a su valor mnimo, incremente el voltaje de entrada en intervalos de 0.5 Volts, hasta alcanzar 5 Volts, posteriormente, vari el incremento a intervalos de 2 Volts hasta alcanzar 15 Volts. Con el Multmetro mida el valor de lDSS, para cada uno de los para cada uno de los incrementos. Trazar la curva experimental de transferencia del FET con estos valores. Determine el voltaje de estrechamiento VP utilizando la curva de transferencia del FET.

Parte 2 POLARIZACIN DEL TRANSISTOR II.

Construya el circuito que se muestra en la figura

Ajuste las fuentes VDD y VGG a 0 volts. Partiendo de cero volts, ajuste la fuente VGG hasta obtener un valor de - 0.25 volts en las terminales G y S (VGS = -- 0.25 volts). Partiendo de cero volts, ajuste la fuente VDD hasta obtener valores de VDS de 0 a 15 Volts en intervalos de tres volts cada uno. Medir la corriente lD para cada incremento de VDS. Calcular tericamente la corriente ID y el voltaje VDS. Obtener el porcentaje de error. Partiendo de cero volts, ajuste la fuente VGG hasta obtener un valor de - 0.5 volts en las terminales G y S (VGS = -- 0.5 volts). Repita los incisos anteriores hasta obtener el porcentaje de error. Localizar el punto Q de trabajo en la grafica de transferencia.

Parte 3 AMPLIFICADOR DE JFET

Construya el circuito que se muestran en la figura

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 Con el osciloscopio observe la forma de onda y mida el voltaje de salida V0 (t). Calcular el valor terico de V0 (t) utilizando el equivalente del FET. Compare la seal de salida en las terminales A y B, con respecto a la seal de entrada de la fuente, anote los cambios observados en fase y amplitud. Grafique la seal de salida con respecto a la seal de entrada. Obtenga el porcentaje de error.

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APLICACIN 7.- TEMPORIZADOR

Material necesario: Rel para 9V T1 = Transistor: BC547 T2 = Transistor: BD137 R1 = Resistencia 100 R2 = Resistencia 2,2 K 2 K RV = Resistencia variable 50 K Diodo 1N4007 C = Condensador 2200 F P = Pulsador NA Funcionamiento Utilizamos dos transistores conectados como se ve en el circuito (montaje Darlington) ya que de esta manera se aumenta la ganancia del circuito. En el circuito de la prctica 3, se comprueba que el tiempo que permanece la lmpara encendida no es muy grande, ya que, al disminuir la carga del condensador, la corriente de base es muy pequea, y por tanto, la corriente que deja pasar el transistor no es suficiente para mantener encendida la lmpara. Esa pequea corriente que no es suficiente para encender la lmpara, s lo es para saturar el T2 (del par Darlington) y, como consecuencia, la lmpara podr continuar encendida hasta que la corriente de base de T2 llegue a un pequeo valor, aumentando enormemente el tiempo mximo de funcionamiento del circuito. Ajustando el valor del potencimetro, podremos regular el tiempo de descarga del condensador y, por tanto, el tiempo en que estar activado el rel. Cuando la corriente suministrada por el condensador sea muy pequea, el rel volver a su posicin de reposo. Actividades 1. Monta el circuito en placa de montaje rpido y comprueba su funcionamiento. 2. Sustituye los condensadores por otro de distinta capacidad y comprueba cmo se modifica el tiempo de conexin 3. Acta sobre la RV y comprueba cmo se modifica el tiempo de conexin 4.- Monta el circuito en el protoboard y verifica que funcione.

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APLICACIN

8.- Activacin de un rel por luz

Material necesario: Rel para 6V Transistor T1: BC547 Transistor T2: BD137 Resistencia 2,2 K P1= R. variable 5 K Diodo 1N4007 LDR

Funcionamiento Cuando la luz incida directamente sobre la LDR su resistencia disminuye y aumenta el potencial elctrico en la base de T1, lo cual hace que ambos transistores se saturen y, por tanto, el rel se activar y su contacto se cerrar. Por el contrario, cuando no incide luz sobre la LDR, aumenta su resistencia y disminuye el potencial de base de T1, por lo que ambos transistores se cortarn, el rel se desactiva y su contacto permanecer abierto. El potencimetro permite un ajuste fino de las condiciones ambientales de luz Actividades 1. Monta el circuito en placa de montaje rpido y comprueba su funcionamiento. 2. Acta sobre la RV y comprueba cmo se modifica la sensibilidad a la luz 3. Modifica el circuito para que el rel se active por falta de luz y comprueba su funcionamiento 4. Monta el circuito en el protoboard y verifica que funciones

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CALCULOS Y RESULTADOS
Anexar el anlisis terico del experimento, indique bajo que ecuaciones se relaciona el resultado experimental.

CUESTIONARIO
1.- Explique la diferencia entre un transistor BJT y un transistor FET. 2.- Indique los elementos que determinan el punto de trabajo en un transistor FET. 3.- Enuncie tres ejemplos de aplicacin para transistores FET. 4.- Explique la operacin del FET en las zonas de corte y saturacin en las curvas de caractersticas. 5.- Explique por qu un FET tiene alta impedancia de entrada. 6.- Enuncie los tipos de FET que conoce. 7.- Describa la ecuacin de SHOCKLEY. 8.- Cuales son las ventajas que presenta el FET con respecto a un BJT. 9.- Explique cul es el efecto que tiene la carga esttica en el FET. 10.- Explique cmo opera el FET en la regin de agotamiento.

ANALISIS DE RESULTADOS
Realiza detalladamente un anlisis de los resultados obtenido durante el desarrollo de los objetivos.

CONCLUSIONES
Anotar las conclusiones que obtuvo del ensayo

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APENDICE

a) TRANSFORMADORES

Se utiliza para modificar los parmetros fundamentales de un circuito elctrico, Tensin (V) o Intensidad (I). Disponen de devanado primario y secundario. Se colocan al principio de los circuitos electrnicos, junto con un rectificador, ya que la mayora de los componentes trabajan con corriente continua (c.c.) de baja tensin. b) RESISTENCIAS Las resistencias son componentes que representan oposicin al paso de la corriente, emplendose para regular su circulacin, adems protegen al resto de componentes. Su unidad de medicin se la de ohmnios. FIJAS

Las resistencias fijas son aquellas que tienen un valor fijo. El cual se identifica mediante el cdigo de colores. VARIABLES

Las resistencias variables son aquellas que pueden cambiar su valor nominal. Estas resistencias cumplen la Ley de Ohm. ESPECIALES

Las resistencias especiales varan su valor segn: la luz (fotorresistencias, LDR), la temperatura (termorresistencias, PTC y NTC) y la tensin (varistores, VDR).

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c) CONDENSADORES

Un condensador est formado por dos placas metlicas separadas por inmaterial aislante (aire, papel, cermica, plstico), denominada dielctrico. Sirve para almacenar energa elctrica, denominada carga elctrica, la cual se mide en microfaradios. Los condensadores polarizados se conocen con el nombre de electrolticos d) DIODOS

El diodo es un dispositivo de material semiconductor que permite el paso de la corriente en una sola direccin. Los ms importantes son los normales, los diodos leds, y los diodos zener. El diodo led se ilumina cuando conduce la electricidad. El diodo zener se utiliza como estabilizador de tensin. e) TRANSISTORES

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El transistor es un dispositivo que consta de 3 terminales, construido con materiales semiconductores. f) RELES

El rel es un interruptor magntico que acciona un electroimn al recibir una seal de mando. Dicho electroimn abrir o cerrar unos contactos segn sea NC o NA. g) AMPLIFICADORES (A. O. 741) Y (C. I. 555)

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APENDICE

REGLAMENTO INTERNO DE LOS LABORATORIOS DEL DEPARTAMENTO DE BIOELECTRNICA

1) Para tener acceso al laboratorio en horas de clase y tiempo libre, es indispensable el uso de bata, material de trabajo y herramienta mnima necesaria. 2) La tolerancia de entrada al laboratorio es de 10 min. Posteriormente se prohibir el acceso. 3) Colocar las mochilas en los anaqueles correspondientes. Prohibido colocarlas en pasillos y mesas de trabajo. 4) Al inicio de la sesin de laboratorio se deber revisar el correcto funcionamiento de los equipos electrnicos, reportando de inmediato cualquier anomala a los profesores encargados del laboratorio. 5) Prohibido fumar, consumir alimentos y bebidas en el interior del laboratorio. 6) No se permitir la estancia de alumnos, sin que haya un profesor responsable en los laboratorios del departamento en horas fuera de las asignadas oficialmente. 7) No se permiten visitas durante la sesin de trabajo y actitudes fuera de lugar. 8) Prohibido escuchar msica. 9) En las sesiones que se lleven acabo en los laboratorios de Electrnica y Circuitos, se deber traer de manera individual como material indispensable: a. Multimetro. b. Protoboard. c. Pinzas y desarmadores necesarios. d. 4 pares de puntas banana caimn. e. Traer un trozo de franela por equipo. NOTA: De no traer el material, NO se podr realizar la prctica correspondiente, quedando esta NO aprobada. 10) Utilizar solo las puntas adecuadas para cada equipo de laboratorio. 11) Ser responsabilidad de los usuarios cualquier dao a los equipos y la reparacin de los mismos, causado por mal uso y negligencia en el manejo. 12) No se permite la salida de equipo de medicin, herramientas y computadoras

BIBLIOGRAFIA
1.- Electrnica. Teora de circuitos y dispositivos electrnicos.
Autor: Boylestad, Robert L.; Nashelsky, Louis. Edit: Pearson, Prentice Hill Octava Edicin. 2.- Introduccin al anlisis de circuitos Autor: Boylestad Editorial: Pearson, Prentice Hill Dcima Edicin

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