FORMULARIO ELECTRNICA DE DISPOSITIVOS ITTSE

1
1
TEMA 1: Modelos en semiconductores y dispositivos
semiconductores.
1.2.1. Modelo cualitativo de bandas de energa.
[ ] 0 ) , , ( ) , , (
8
) , , (
2
2
2
+ z y x z y x V E
h
m
z y x

GaAs el para
204
10 4 . 5
52 . 1 ) (
Si el para
636
10 73 . 4
17 . 1 ) (
2 4
2 4
+


+

T
T
T E
T
T
T E
g
g
1.2.2. Modelo cuantitativo de bandas de energa.
[ ]
2
2
2
2 2
2
4
con 0 ) ( ) (
2 ) (

+
h
x x W E
m
dx
x d
!
!
Caso 0 < E < W
o
:
b a L
E W m E m
L K a b a sin b sinh
+

,
) ( 2
,
2
) ( cos ) cos( ) cosh( ) ( ) (
2
2
0 2
2
2
2 2
! !




Caso E > W
o
:





+

+

i
L K a b a sin b sin ) cos( ) cos( ) cos( ) ( ) (
2
2 2
TEMA 2: Estadstica y fenmenos de transporte de
carga en semiconductores.
2.1. Densidad de estados.
2
1
2
3
2
2
4 ) ( E
h
m
E N (
,
\
,
(
j

2
1
2
3
2
2
1
2
3
2
2
4 B.V.

2
4 B.C.
E) (E
h
m
(E) N
) E (E
h
m
(E) N
v
p
p
c
n
n

(
(
,
\
,
,
(
j

(
,
\
,
(
j

2.2.1. Funcin de distribucin de Fermi- Dirac.

KT
F
E E
e 1
1
) E ( f

+

e
-
en B.C.:
KT
E E
c
F
e E f
) (
) (

h
+
en B.V.:
KT
E E
v
F
e E f
) (
) (

2.2.2. Concentracin de portadores.

2
3
2
2
3
2
2
2 con
2
2 con
) ( ) (
(
(
,
\
,
,
(
j

(
,
\
,
(
j

(
,
\
,
(
j

(
,
\
,
(
j

h
T K m
N e N p
h
T K m
N e N n
f(E) E N E n
p
v
T K
E E
v
n
c
T K
E E
c
V F
F C

2.3. Semiconductores intrnsecos y extrnsecos.

2.3.1. Concentracin intrnseca, nivel de Fermi y pro-
ducto np.
(
(
,
\
,
,
(
j
+
+

(
(
,
\
,
,
(
j
+
+

n
p v c
c
v v c
i F
m
m
T K E E
N
N T K E E
E E ln
4
3
2
ln
2 2
Ley de accin de masas:
v c g
KT
E
v c i i
E E E e N N n n n p
g


con
2
2
2.3.2. Semiconductores extrnsecos.
Condicin de ionizacin completa:
Tipo N:
D
N n
(
(
,
\
,
,
(
j

D
c
F c
N
N
T K E E ln
Tipo P:
A
N p
(
(
,
\
,
,
(
j

A
v
v F
N
N
T K E E ln
Concentraciones extrnsecas:
KT
E
i
T K
E E
V
KT
E
i
T K
E E
C
F
V F
i
F C
n e N p
n e N n

(
,
\
,
(
j

(
,
\
,
(
j

i
F
E
E
e
e
Neutralidad de carga:
D A
N p N n + +
[ ]
2
i
2
A D A D n
n 4 ) N N ( N N
2
1
n + + ,
n
i
n
n
n
p
2

[ ]
2
i
2
D A D A p
n 4 ) N N ( N N
2
1
p + + ,
p
i
p
p
n
n
2

2.4. Fenmenos de transporte de carga en semiconducto-

res.
2.4.1. Fenmeno de arrastre de portadores.
;
p p n n
v v
p
c
p
n
c
n
m

y
m

siendo

q q

pv , nv
p p n n
p q q J n q q J
p n

p n
J J J +

p q n q
1 1
p n

+
;
A
L
R
2.4.2. Fenmeno de difusin en portadores.

dx
dp
D
dx
dn
D
V y con
dx
dn

p n
th
q J q J
l
l V D D F
p n
c
th n n

Relacin de Einstein:

n

q
KT
D
n

Ecuaciones para la densidad de corriente:
p n cond
J J J +
FORMULARIO ELECTRNICA DE DISPOSITIVOS ITTSE
2
2
dx
dp
D q q J
dx
dn
D q q J
p p
n n
p
n
p
n

+


2.4.2.4. Efecto Hall sobre un semiconductor P.
A V q
W B I
p
q
R B J R B v
H
z
H z p H x y


,
p
1
siendo :
z

2.4.4. Proceso de generacin y recombinacin de por-
tadores.
Proceso de generacin y recombinacin directa o entre
bandas:
no no th th
p n R G : trmico Eq.
no
p
p
no n
th L
no
L th
n
p p
U
U G R G
p n p p n R
G G G

1
con


siendo ; ) ( ) (n
: luminosa Excitacion
no

+ +
+
Proceso de generacin y recombinacin indirecta en
volumen:
T K E E
i c d d c
T K E E
i a b b a
t i
i t
e n K K R R
e n K K R R




/ ) (
/ ) (
: trmico Eq.
t c
p
p
no n
d c b a L
N K
p p
U
U R R R R G

1
con

: luminosa Excitacion

2.4.5. La ecuacin de continuidad.

) (
1
, ) (
1
) (
) ( ) (
dx A
p p
p
n n
n
n n
n n
R G
x
J
q t
p
R G
x
J
q t
n
dx A R G
q
A dx x J
q
A x J
t
n
+

+
]
]
]
,

Portadores minoritarios:
p
no n
n
n
p
n
p n
n
n
po p
n
p
n
p
n p
p
p p
G
x
p
D
x
p

x
p
t
Jp
n n
G
x
n
D
x
n
x
n
t
Jn

2
2
p
2
2
n


Ec. de Poisson:

s
s
x

Inyeccin de portadores en exceso desde una cara:
[ ] , siendo ; ) 0 ( ) (
: L W Cuando

p
p p p
L
x
no n no n
D L e p p p x p
p
+
>>>

[ ] ) 0 ( ) (
: L Cuando
p
(
(
,
\
,
,
(
j
(
(
,
\
,
,
(
j

+
>
p
p
no n no n
L
W
sinh
L
x W
sinh
p p p x p
W
TEMA 3. Fsica de la unin PN.
3.1. La unin PN en equilibrio trmico.
) (
2
2
n p N N
q
dx
d
dx
d
A D
s
+

0 0
_ _
+
dx
dE
J J
F
difusin p arrastre p
i
D
n
i
A
p
n
N
q
T K
n
N
q
T K
ln y ln

n
ln
q
T K
V
2
i
bi
D A
p n
N N

+
3.2. Resolucin de la ecuacin de Poisson.
Unin abrupta:
) ( (x) ,
d
: 0
) ( - (x) , : 0
s s
2
2
s
2
2
n
D D
n
p
A
s
A
p
x x
N q N q
dx
x x
x x
N q N q
dx
d
x x

<
+

<

Neutralidad de carga:
n
x N x N
D p A

bi
D A
D A
m bi
p
s
A
n
s
D
m
V
N N
N N
W V
x
N q
x
N q

(
(
,
\
,
,
(
j

q
2
W
2
1
s

Unin abrupta en un lado p

+
n:
(
,
\
,
(
j

W
x
x
W N q
N q
V
x W
m
s
B
m
D
bi s
n
1 ) ( ,
2

Unin gradual:
s
bi
s
m
s
W a q
V
W a q
x
W
a q
x

(
,
\
,
(
j

12

8
2
2
) (
3 2
2
2

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3
3
3.3. La unin PN polarizada.
W
A C
W V V V
V V
N N
N N
q
W
s
total j
m bi j
bi
D A
D A s

(
(
,
\
,
,
(
j

_
2
1
) (
2

3.4. Modelo matemtico de la unin PN. Ecuacin de

Shockley.
Leyes de la unin:
T K V q
po p
e n n


/
para x = -x
p
T K V q
no n
e p p


/
para x = x
n
Distribucin de portadores en zonas neutras:
( )
n
L
x x
T K
V q
no no n
x x para e e p p x p
p
n
>
(
(
,
\
,
,
(
j

)
(
1
( )
p
L
x x
T K
V q
po po p
x x para e e n n x n
n
p
<
(
(
,
\
,
,
(
j

+

)
(
1
Ecuacin del diodo ideal o de Shockley:
(
(
,
\
,
,
(
j

1 ) (
T K
V q
p
no p
n p
e
L
p D q
x J
(
(
,
\
,
,
(
j

1 ) (
T K
V q
n
po n
p n
e
L
n D q
x J
s s
T K
V q
n
po n
p
no p
s
T K
V q
s n p p n
J A I e
L
n D q
L
p D q
J
e J x J x J J

(
(
,
\
,
,
(
j


+

(
(
,
\
,
,
(
j
+

con 1 I I
con
1 ) ( ) (
s
3.5. Fenmenos de ruptura.
Ruptura por avalancha:

(
(
,
\
,
,
(
j

R
s R
V
V
M I M I
1
1
con
Ruptura por efecto tnel o zener:
2
1
2
0
1
0
0
) ( 2
con
) ( 4
1 .
]
]
]
,

]
]
]
,

,


+

!
E E m
E E E
W sin E
prob

Clculo de la tensin de ruptura por avalancha:

a) Unin abrupta p-n:
( )
r bi
D A
D A
s
cr
V V
N N
N N q
+
(
(
,
\
,
,
(
j
+

b) Unin abrupta a un lado p

+
n:
D
cr s
r
N q
V

2
2

3.6. Almacenamiento de carga y capacidad de difusin.

Zona neutra N: ) ( ) (
n p p n n p n
x J q x p L Q
Zona neutra P: ) ( ) (
p n n p p n p
x J q x n L Q
Capacidad de difusin en unin p
+
-n:
T K
V q
no p
d
e
T K
p L q A
C

2
TEMA 4: El transistor y el tiristor.
El transistor:
Cp Ep Cn En C E B
Cn Cp C En Ep E
I I I I I I I
I I I I I I
+
+ +
BB BB
I con I
,
CBO E 0 C
p
E
Cp
T
En Ep
Ep
T
E
Cp
0
I I I
I
I
,
I I
I
,
I
I
+

+

4.2. Caractersticas estticas del transistor bipolar en
base comn.
Distribucin de portadores:
A) Base.

0 ; 1
1 ) (
W x
L
W
sinh
L
x
sinh
p
L
W
sinh
L
x W
sinh
e p x p
p
p
no
p
p
KT
qV
no n
EB

]
]
]
]
]
]
]
,
,
,
,
,

,
(
(
(
(
(
,
\
,
,
,
,
,
(
j
(
(
,
\
,
,
(
j
(
(
,
\
,
,
(
j
+
+
]
]
]
]
]
]
]
,
,
,
,
,

,
(
(
,
\
,
,
(
j
(
(
,
\
,
,
(
j

(
(
,
\
,
,
(
j

0 ) (
) 0 (

W p
e p p
n
KT
qV
o n n
EB
Caso W/L
p
<<1:
(
,
\
,
(
j


W
x
e p x p
T K V q
no n
BE
1 ) (
/
B) Emisor:

+
+
) (
) (

) 1 ( ) (
0
0
0 0
E E
KT
qV
E E E
E
L
x x
KT
qV
E E E
n n
e n x n
x x e e n n x n
EB
E
E
EB
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4
4
C) Colector:

0
0
0 0
) (
0 ) (

) (
C c
KT
V q
C C C
L
x x
C C C
n n
e n x n
e n n x n
CB
c
c
Carga neta en base:
2
) 0 (
n B
B
p W A q
Q

Expresin de las corrientes en el transistor en base

comn: ecuaciones de Ebbers-Mll:
]
]
]
]
]
]
]
,
,
,
,
,

,
(
(
,
\
,
,
(
j
+
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,

p
KT
qV
p p
no p
x
n
p Ep
L
W
Cosh
e
L
W
Co
L
p D
A q
dx
dp
D q A I
EB
1
1 tgh
0
Caso W/L
p
<<1:
T K V q
B
i p
Ep
EB
e
W N
n D A q
I

/
2
]
]
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]
,
,

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(
(
,
\
,
,
(
j
+
(
(
,
\
,
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p
KT
qV
p
p
no p
W x
n
p Cp
L
W
Cosh e
L
W
Sinh
L
p D
A q
dx
dp
D q A I
EB
1
1
Caso W/L
p
<<1:
T K V q
B
i p
Cp
EB
e
W N
n D A q
I

/
2
(
(
,
\
,
,
(
j

]
]
]
]
,
,

,


1
KT
qV
E
Eo E
x x
E
E En
EB
E
e
L
n D
A q
dx
dn
D q A I
c
co C
x x
c
C Cn
L
n D
A q
dx
dn
D q A I
c

]
]
]
]
,
,

2
2
T
2
1 sec
1
1
p p
E E
B
p
E L
W
L
W
h
L
W
N
N
D
D

(
(
,
\
,
,
(
j

+

: operacin de modo cualquier para Mll - Ebbers de Ec.
(
(
,
\
,
,
(
j

(
(
,
\
,
,
(
j

(
(
,
\
,
,
(
j

(
(
,
\
,
,
(
j



1 1 I
1 1 I
22 21 C
12 11 E
KT
V q
KT
V q
KT
V q
KT
V q
CB EB
CB EB
e a e a
e a e a
Las aproximaciones son validas para 1
L
W
p
<< :
]
]
]
]
,
,

,

+

]
]
]
]
,
,

,

+
(
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E
Eo E
B
i p
E
Eo E
p p
no p
L
n D
W N
n D
A q
L
n D
L
W
Co
L
p D
A q a
2
11
tgh
W N
n D
A q
L
W
Sinh
L
p D
A q a a
B
i p
p
p
no p

(
(
,
\
,
,
(
j

2
21 12
1
]
]
]
]
,
,

,

+

+
(
(
,
\
,
,
(
j

C
Co C
B
i p
C
Co C
p p
no p
L
n D
W N
n D
A q
L
n D
A q
L
W
Co
L
p D
A q a
2
22
tgh
Efectos de 2 orden:
- Modulacin de la anchura de base (Configuracin en
emisor comn)
2
2
2
1 W
L
I I I
p
o
o
o
CEO B o C

- Corrientes de saturacin y tensin de ruptura:

CBO o
o
CBO
CEO
I
I
I

1
( )

1
1
1
1


(
(
,
\
,
,
(
j

o CBO
o
o
CBO o CBO CEO
BV BV BV BV
con comprendido entre 2 y 6 para Si.
VARIABLES Y CONSTANTES EMPLEADAS
h Constante de Planck: 6,62610
-34
J-s
k Constante de Boltzman: 1,3810
-23
J/K= 86,310
-6
eV/K
m
n
Masa efectiva del electrn: 9,810
-31
kg
m
p
Masa efectiva del hueco: 2,3510
-30
kg
E
g
Anchura de la banda prohibida a 300
o
K: 1,12 eV(Si ),
1.42eV (GaAs) y 0.72eV (Ge).
N
c
Densidad efectiva de estados en la BC a T=300K:
2,810
19
cm
-3
(Si), 4.710
17
cm
-3
(GaAs).
N
v
Densidad efectiva de estados en la BV a T=300K:
1,0410
19
cm
-3
(Si) y 7.010
18
cm
-3
(GaAs).
n
i
Concentracin intrnseca a 300
o
K: n
i
= 1.4510
10
cm
-3
(Si) y n
i
= 1.7910
6
cm
-3
(GaAs).
q Carga del electrn: 1,60210
-19
C
D
n
Coeficiente de difusin de los electrones (Si): 34cm
2
/s
D
p
Coeficiente de difusin de los huecos (Si): 13cm
2
/s

s
Permitividad absoluta del semiconductor (Si):
1.0410
-12
F/cm