Universidad Nacional de Rosario Facultad de Ciencias Exactas, Ingeniera y Agrimensura Escuela de Ingeniera Electrnica ELECTRNICA II

NOTAS DE CLASE

Protecciones en Amplificadores de Potencia

Autores: Ing. Sergio Eberlein (Profesor Asociado) Ing. Osvaldo Vzquez (Profesor Adjunto)
Edicin 2012-1

Electrnica II

Notas de Clase

ndice

1. 2. 3.
3.1 3.2 3.3 3.4

Introduccin ............................................................................................. 3 Proteccin con diodos (sistema pasivo)................................................... 3 Sistemas de proteccin activos ................................................................ 4
Transistor simple................................................................................................................ 4 Primer variante de la proteccin: ....................................................................................... 6 Segunda variante de la proteccin: doble pendiente.......................................................... 9 Tercer variante de la proteccin:...................................................................................... 11

4. 5.

Anexo 1: ................................................................................................ 12 Bibliografa: ........................................................................................... 14

Electrnica II

Notas de Clase

1. Introduccin
El concepto es generar circuitos que protejan a los transistores de potencia de sobrecargas o cortos circuitos en la carga, tratando de mantener al transistor en la zona de operacin segura (SOA). Una condicin de sobrecarga podra plantearse si el circuito fue diseado para por alguna razn la

RL = 8

RL

baja o se le conecta por error una

RL = 4 .

Otra condicin de sobrecarga podra darse si la

VL

va mas all del mximo previsto porque por

ejemplo le conecte otro pre-amplificador que entrega una seal ms alta. En una condicin de corto circuito la carga R L se hace cero.

2. Proteccin con diodos (sistema pasivo)

Cuando la corriente de colector sube aumenta la cada de tensin en la resistencia de emisor (la R E para el ciclo positivo de la seal). De esta forma pasado un limite de 2 tensiones umbrales
1

se polarizan el par de diodos D1 y D2, con lo cual esta circulacin de corriente se resta a la corriente de base del transistor Q1 el cual a su ves disminuye su corriente de colector. Logrndose de esta forma la disminucin de este parmetro. Igualmente para el semiciclo negativo de la seal, aumenta la cada de tensin en la resistencia de emisor 2. De esta forma pasado un limite de 2 tensiones umbrales se polarizan el par de diodos D3 y D1, con lo cual esta circulacin de corriente se resta a la corriente de base del transistor Q2 el cual a su ves disminuye su corriente de colector.

En este circuito la

R E1, 2

cumple una doble funcin:

a) Estabilizar la etapa de salida de colector comn. b) Disparar la proteccin del transistor de salida.
3

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Notas de Clase

Si

I C1 VRE1 V1 V1 2 V ( D1 / D2 )
aparece

Cuando

I I B1 I C1

3. Sistemas de proteccin activos

Son sistemas similares a las protecciones de las fuentes reguladas. Tienen una fuerte realimentacin negativa. Existen varios esquemas para aprovechar lo mejor posible la zona de operacin segura (SOA) de los transistores de salida.

3.1 Transistor simple

El funcionamiento de este circuito es similar al anterior. Lo que se busca es restar corriente de base al transistor Q1 para enclavar la corriente de colector. En este caso cuando la tensin sobre la resistencia de emisor supera la tensin umbral del transistor de proteccin Qp , la corriente de colector de este se resta a la I B , disminuyendo de este modo la corriente I C .
1
1

Con esta configuracin la corriente de colector de Q1 queda enclavada cuando acta la proteccin.

VF
IF
I B1

I C1

IL

Cuando

VRE V
IC 1

se enclava la

IC 1

Se disea para que

sea menor que una

I C1 = I MAX
I MAX = VBE RE
donde

La condicin de diseo de la proteccin es

VBE = V

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Luego

RE =

VBE I MAX

Con esta configuracin de proteccin donde ubicara la curva de proteccin?

RL = 4

RL = 0

RL = 8

Supongamos que coloco la recta de proteccin en

I MAX 1

en una corriente mxima menor a la

mxima admisible por el transistor Q1. Vemos que esto no afecta las excursiones de la seal por las rectas de carga tanto para cargas de 8 ohms como de 4 ohms. Pero si R L = 0 , la recta de carga se vuelve vertical y supera la potencia mxima. Por esta razn debo colocar la proteccin en I MAX 2 (si deseo proteger al transistor contra cortos circuitos en la carga) con lo cual queda limitada la excursin posible de V L como muestra la grafica. Un problema con esta configuracin es que la

RE

esta pensada para estabilidad trmica del

transistor de salida y en general da un valor demasiado grande para usarla directamente para activar el transistor de proteccin. La solucin es utilizar un divisor de tensin para tomar solo una fraccin de la cada de tensin en la resistencia R E . Esto da lugar al siguiente circuito:

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VF
IF
IB

I C1

IL

Este nuevo esquema no soluciona la limitacin en la excursin de VL Calculo el divisor haciendo que el transistor de proteccin.

I  I L MAX

y definiendo cual ser la

I L MAX

que activar

3.2 Primer variante de la proteccin:

El objetivo de este esquema es aprovechar mejor la zona de operacin segura (SOA) del transistor y que no me quede limitada la excursin de VL como en el circuito anterior.

VF
IF
I C1
VCE

I3

IB

I1

I2

IL

Para obtener la curva de la proteccin (la caracterstica V-A de la misma) planteo las ecuaciones de las corrientes justo antes que la proteccin acte. Entonces en ese punto la cada de tensin sobre R2 es aproximadamente

V 0,6
6

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En ese punto, justo antes de la conduccin

IB 0

Luego podemos plantear las siguientes ecuaciones:

I 2 = I1 + I 3
Donde:

I2 =

V R2

0,6 R2

Adems:

I1 =

VR1 R1

I L RE1 0,6 R1

Y con esta configuracin del circuito siempre resulta que la cada de tensin sobre R3 es mucho mayor que la cada sobre R1, esto es Entonces reemplazando resulta:

VR 3  VR1

. Entonces puedo aproximar

I3

VCE R3

I L RE1 VCE 0,6 0,6 + = R3 R1 R1 R2

Luego:

I L RE1 R1

1 1 VCE = 0,6 + R R R3 1 2
R1 RE1

R + R2 R1 V I L = 0,6 1 CE R3 R1 R2 RE1

Resultando la ecuacin de la curva de la proteccin:

IL =

R1 0,6 R1 + R2 VCE RE1 R2 R3 RE1

Donde notamos que

Electrnica II

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0,6 R1 + R2 RE1 R2 independiente de R 3 .

Y la pendiente

es la ordenada al origen de la recta y queda

R1 R3 RE1
R3

es funcin de la resistencia

R3

Entonces variando origen.

puedo cambiar la pendiente de la recta sin que se altere la ordenada al

Veamos esto con un ejemplo numrico: Con

R1 = 270 , R 2 = 330 , R 3 = 15 K y R E1 = 0,1

resulta:

I L = 11 A 0, 2 VCE
Y si

R 3 = 10 K

resulta

I L = 11 A 0, 27 VCE

Mejora notablemente ya que la recta de la proteccin acompaa a la recta de carga, con lo cual no tendra recortes en la excursin de VL como en los circuitos anteriores. Una mejora mas seria cambiar la pendiente de la recta de proteccin y que acompae mejor a la curva de potencia mxima ya que para cargas inductivas la recta de carga se va mas all de VF
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(hasta idealmente a

2 VF

para una carga inductiva pura). Entonces necesito

acompaar mejor esta posibilidad, de forma que surge la siguiente variante:

3.3 Segunda variante de la proteccin: doble pendiente

Nuevamente el objetivo de este esquema es aprovechar aun mejor la zona de operacin segura (SOA) del transistor haciendo que la recta tenga un quiebre para acompaar mejor a la curva de potencia mxima del transistor.

VF
IF
I4

I C1
VCE

I3
IB

I5

I1

I2

IL

NOTA: El diodo D1 esta para evitar circulaciones inversas por la juntura de colector del transistor Qp , para el caso de cargas inductivas. Este diodo debe colocarse en todos los circuitos de proteccin donde aparezca Qp. El diodo D2 se llama catching diode y se utiliza como proteccin para cargas inductivas (ya que puedo tener VCE menores que cero). Es decir tensiones VL mayores al la tensin de alimentacin VF . El concepto de este circuito es que en algn valor de corriente a la

VCE R 3 . Con lo cual la corriente por la carga I L

el diodo zener conducir y le sacara para el arranque del transistor

QP

va a se mayor cuando este activa la rama del zener. Esto se ve en la grafica como un cambio de pendiente en la curva de la proteccin. Y a medida que bajo el valor de R 5 mayor ser la corriente por el zener y consecuentemente mayor ser la

IL

por la carga a la cual se activa la proteccin.

El punto de arranque del zener ser cuando

VR 2 + VR 3 = VZ
VR 2 + VR 3 VZ
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Matemticamente puedo decir que el zener estar en conduccin cuando

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En los puntos de arranque de la proteccin deber ser Veamos cuanto vale

VR 2 = V

VR 3 :

VR 3

R3 R3 + R 4

VCE

( despreciando la cada en la resistencia

R1 )

Para este ejemplo numrico resulta: Entonces reemplazando resulta: Luego:

VR 3 = 0, 4 VCE

V + 0, 4 VCE = VZ = 15 V

VCE =

15 V 0,6 V = 36 V 0, 4 VCE = 36 V
como muestra la grfica.

El punto de quiebre esta situado entonces en

Tambin se muestra en la grfica como varia la segunda parte de la recta de proteccin para distintos valores de R 5 . Vemos que la pendiente de la recta disminuye al disminuir el valor de

R5 .

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3.4 Tercer variante de la proteccin:

Es ms simple y primitiva que la anterior, esta no logra cambiar la pendiente. Se podra pensar por la presencia del diodo que hay un cambio de pendiente, pero esto no es as ya que en el semiciclo de la seal en que conduce el transistor Q1 el diodo esta siempre en conduccin.

VF
IF
Q1

IC1
VCE

IB
Qp R2

V A

R1

I1
RE1

R4

I2

I4
D

IL
RL

Veamos conceptualmente la forma que va a tener la curva de proteccin. Al aumentar

VCE

disminuye y produce que aumente la corriente

VL

, la

con lo cual

VR1

aumenta y dado que

VR 2 = VR E 1 VR1

resulta que esto retraza el punto de arranque del transistor de proteccin.

Esto produce una recta con pendiente negativa como la que vemos en la grafica.

IC I
MAX

PMAX
VF/8=10A

VCE
VF RECTA DE CARGA

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Notas de Clase

Si lo vemos matemticamente, se puede demostrar que

I L = I L*
Donde

(R + R )R
1 4

R1 R 4

VCE

E1

R1 ( R1 + R 4 ) RE1

I L* =

V R1

V R2

VF R4
R4
aparece en la ordenada al origen y en la

Una desventaja de esta proteccin es que la

pendiente de la recta. Entonces no tengo ajustes independientes para la ordenada al origen y la pendiente de la recta.

4. Anexo 1:
Deduccin de la ecuacin de la recta de proteccin para el tem 3-d) Tercer variante. Solo a ttulo informativo. Podemos plantear que:

I1 = I 2 + I 4
Donde en el borde de la conduccin del transistor de proteccin resulta

I1 = I2 = I4 =

V R1 R1 V R2

I L R E1 V R1

V A V DIODO R4

Y reemplazando en la ecuacin anterior obtenemos la siguiente expresin:

I L R E1 V R1

V R2

V A V DIODO R4

V R2

VA R4

V DIODO R4

Donde puedo escribir

VA

como:

V A = I 1 R1 V CE + V F
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Notas de Clase

Entonces

I L R E1 R1
Luego

V R1 V R1

V R2 V R2

I 1 R1 V CE + V F R4 R1 R4 V CE R4

V DIODO R4 V DIODO R4

I L R E1 R1

I1

VF R4

Reemplazando el valor de

I1
V

resulta:

I L R E1 R1
Entonces

V R1

R2

I L R E1 V R1

R1 R4

V CE R4

VF R4

V DIODO R4

I L R E1 R1
Luego:

I L R E1 R4

V R1

V R2

V R4

V CE R4

VF R4

V DIODO R4

I L R E1 R1
Entonces:

I L R E1 R4

V R1

V R2

V CE R4

VF R4

R E1 R E1 + IL R1 R4
Llamando

V V VF V CE = + + R1 R R R4 2 4

V V VF I L* = + + R1 R R 2 4
Podemos escribir:

R E1 R E1 + IL R1 R4

V CE = I L* R4
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Luego:

IL = IL

R1 R 4 ( R1 + R 4 ) R E 1

V CE R4

(R

R1 R 4

+ R 4 ) R E1

Con lo cual la expresin final resulta:

R1 R 4 IL = IL ( R1 + R 4 ) R E 1 V V * Donde I L = + R1 R2
*

VF + R4

(R

+ R 4 ) R E1

R1

V CE

OBSERVACION: En la expresin de la

IL
R1 R 1 + 1 R E1 R4 R1 R +R R 4) E1 ( 1 V CE

V V VF IL = + + R1 R R 2 4 R4

Si hacemos tender

resulta:

V R1 + R 2 V R1 IL = + 0 = V R1 R1 R 2 R2 R E1
Luego:

R1 RE 1

I L = V

(R

+ R2 )

R 2 R E1

Expresin que coincide con la proteccin simple de un solo transistor con divisor, ya que la rama del diodo no esta presente.

5. Bibliografa:
Audio Power Amplifier Design Handbook, Douglas Self, Third edition.
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