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Prctica 3.- CARACTERIZACIN DE COMPONENTES ACTIVOS: TRANSISTORES BIPOLARES

1.- Objetivos Se va a abordar en esta prctica el estudio de los transistores bipolares. Los objetivos que se pretenden con la realizacin de la misma sern los siguientes: L Identificar distintos modelos de transistores bipolares, interpretando el cdigo marcado por el fabricante sobre el cuerpo del componente y ayudndose de los catlogos proporcionados. L Obtencin de las caractersticas I-V, con ayuda del trazador de curvas TEKTRONIX 571 L Medida de los tiempos de conmutacin

2.- Identificacin 2.1.1.- Tipos En estos dispositivos, los tipos, generalmente, estn relacionados con unas determinadas aplicaciones, o bien, por detalles de constitucin interna. Son tantas las aplicaciones de los transistores bipolares que se hace prcticamente imposible confeccionar una lista con todas las aplicaciones de estos componentes, si bien se indican las ms importantes, obtenidas directamente de la informacin proporcionada por los fabricantes en los Databook. Atendiendo a esta consideracin se ha hecho la siguiente distincin de transistores (entre parntesis se indican las caractersticas ms significativas para cada tipo): - de propsito general - para conmutacin (ton, toff) - para amplificacin (parmetros del modelo lineal) - osciladores (parmetros del modelo lineal) - de potencia (PMX, ICMX, VCEMX, RTH) - Darlington (hFE)

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2.2.- Codificacin A continuacin se detallan los sistemas de codificacin ms utilizados en los transistores bipolares. Antes de pasar a la descripcin de los cdigos, se har un breve recordatorio de las caractersticas ms relevantes de estos componentes. L La primera consideracin a tener en cuenta es el tipo de transistor de que se trata: NPN o PNP, de forma que cualquier sustitucin que se realice ha de ser con un transistor del mismo tipo. Tambin es importante el material semiconductor con el que se fabrica el componente (Germanio o Silicio), mucho ms utilizado el ltimo. Las corrientes de fuga en los transistores de germanio son varias veces mayores que en los de silicio; segn esto es aconsejable reemplazar un transistor por otro del mismo material base, aunque puede sustituirse , con las precauciones adecuadas, uno de germanio por uno de silicio, no siendo aplicable este criterio en caso contrario. Otro aspecto a tener en cuenta es el encapsulado, as como la identificacin de patillas o terminales para su correcta ubicacin en un circuito. El transistor es bsicamente un dispositivo de baja tensin y es importante comprobar las tensiones mximas permisibles que pueden aplicarse a sus terminales (VCBO, VCEO, VEBO). El valor lmite emisor-base suele ser, generalmente, inferior a 6 V en los transistores de silicio, por lo que debe cuidarse este aspecto, siendo mucho mayor en los de germanio. Siguiendo con las limitaciones del transistor, hay que tener en cuenta la mxima corriente de colector permisible, as como las limitaciones trmicas , ya que la unin se calienta en el interior del transistor sometido a una carga y los fabricantes especifican la mxima temperatura de unin permisible para evitar una excesiva degradacin de las caractersticas del dispositivo. Valores tpicos de estas temperaturas estn en la regin de 60-100 C en germanio y en 125 - 200 C en silicio. Para la disipacin de potencia los fabricantes suelen especificar la potencia mxima de dos formas:

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- valor lmite en aire libre a 25 C para los dispositivos de pequea potencia - valor lmite de disipacin referida a cpsulaa 25 C de temperatura de cpsula para los dispositivos de gran potencia montados generalmente sobre algn tipo de disipador de calor. L Otra caracterstica del transistor es su ganancia de corriente (tambin hFE). Es importante conocer este valor para poder calcular el circuito de polarizacin, as como para conocer el funcionamiento como amplificador del dispositivo. Este valor viene especificado para una corriente de colector determinada. Otro dato significativo es la frecuencia fT, a la cual la ganancia de corriente se reduce a la unidad. Para el silicio suele ser de 10 a 100 veces mayor que para el germanio. Finalmente, tambin es til conocer posibles sustitutos de un determinado transistor. Las indicaciones de sustitucin han de emplearse con precaucin porque caractersticas especiales no indicadas pueden hacer que el sustituto sugerido sea inaceptable para una determinada aplicacin. Los sistemas de codificacin ms empleados, al igual que los diodos, son: - EUROPEO (PROELECTRON) - AMERICANO (JEDEC) - JAPONS (JIS) El sistema europeo queda definido por dos letras maysculas seguidas de tres nmeros para transistores utilizados en equipos de consumo y por tres letras y dos nmeros para aplicaciones profesionales. La primera letra del cdigo indica el tipo de material semiconductor empleado en la fabricacin (germanio, silicio,...). La segunda indica la construccin y/o principal aplicacin. La tercera, seguida de dos nmeros o lo tres nmeros indican asimismo las aplicaciones. En el sistema americano el cdigo queda definido por un 2N que indica que es un dispositivo de dos o ms uniones, seguido de un grupo de 4 nmeros y una letra. Este grupo nos es ms que el nmero de registro y la letra una seleccin del tipo. En el sistema japons el cdigo queda definido por 2S que indica que es un dispositivo de dos o ms uniones, seguido por una letra y tres nmeros. La letra que sigue al grupo 2S puede significar: -3-

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A: PNP de alta frecuencia B: PNP de baja frecuencia C: NPN de alta frecuencia D: NPN de baja frecuencia Como existen distintas codificaciones puede darse el caso de que transistores con cdigos diferentes tengan caractersticas similares (transistores equivalentes).

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Tabla de identificacin

CDIGO Tipo-Ge/SiFabricante NPN/PNP Cpsula Identificacin Terminales VCBO VCEO VEBO ICMX PMX TJMX hFE HFE BIAS (IC) fT Equivalentes Aplicaciones

BD136

BD137

2N2222

BC548

En el apndice I se indica el significado de cada uno de los trminos de la tabla.

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3.- Caractersticas I-V de los transistores bipolares La obtencin de estas curvas la haremos a partir del trazador de curvas TEKTRONIX 571, volcando los resultados obtenidos a la impresora conectada a l. El funcionamiento del aparato se supone conocido (se explic su funcionamiento en la prctica Diodos semiconductores), por lo que no es necesaria ninguna aclaracin. Solamente se enumeran a ttulo recordatorio las posibilidades de configuracin para los transistores bipolares, remitindo al lector al manual resumido del equipo, que se encuentra en el apndice X, para una informacin ms detallada de sus posibilidades. Function Type Vce mx Ic mx Ib/step Steps Rload Pmax Retrieve Menu [Acquisition Continuous Compare] [NPN PNP N-FET P-FET DIODE SCR] [0.5 1 2 5 10 20 50 100] Volt [0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000 2000] mA [0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 500] uA [1 2 5 10 20] mA [1 2 3 4 5 6 7 8 9 10] [10k 1k 100 10 1 0.25] Ohm [ 0.1 0.5 2 10 50 100] Watt Save Menu

Conviene tambin aclarar que el trazador nos ofrece la posibilidad de utilizar diferentes zcalos. Esto es debido a la existencia de distintas configuraciones de patillajes en los encapsulados. Para usar el zcalo ms idneo es imprescindible identificar en el transistor los distintos terminales. Una vez identificados, y en funcin del tipo de transistor, se localizar en el trazador el zcalo ms adecuado, intentando que no haya que doblar ni retorcer los terminales para conectarlo, porque es muy probable que exista un zcalo que coincida plenamente con el patillaje del componente.

Para la realizacin de esta parte se propone la obtencin de las curvas caractersticas de los siguientes transistores: BD-136 BD-137 BC-548 -6-

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Se deben representar 10 curvas, de manera que la tensin VCE llegue a los 20 V y la corriente de colector a 200 mA. Obtngase el valor de hFE para una corriente igual a la especificada por los fabricantes en sus caractersticas (ver apartado de identificacin), comprobando que el parmetro medido est conforme a lo indicado. En la memoria de la prctica han de incluirse las copias de la configuracin empleada para cada medida, as como las curvas obtenidas, con indicacin grfica del parmetro calculado. Para el transistor BD-137, realcese tambin una ampliacin de la zona de saturacin.

4.- Medida de los tiempos de conmutacin Para la obtencin de los tiempos de conmutacin de un determinado dispositivo en un circuito concreto, haremos pasar el punto de trabajo de corte a conduccin instantneamente. Para ello se construir un circuito donde se aplicar una seal cuadrada a la entrada observando la respuesta del componente a estudiar. En el caso de los transistores bipolares se har la conmutacin entre la zona de corte (OFF) y la de saturacin (ON). Utilizando el osciloscopio se visualizar en un canal la seal aplicada a la entrada y en el otro la respuesta del componente. Aumentando la frecuencia de la seal de entrada empieza a apreciarse alguna diferencia (retraso) entre la respuesta y la seal de entrada. Segn esto, aumentaremos la frecuencia de la seal hasta que sean perfectamente distinguibles los tiempos de conmutacin. Ajustando la base de tiempos del osciloscopio, para conseguir la mejor visualizacin posible, se podrn medir los retardos entre entrada y salida del dispositivo (tiempos de conmutacin). Como desarrollo prctico se propone la obtencin de los tiempos de conmutacin del transistor BD-137, para lo que es necesario realizar el montaje de la figura, aplicando una seal cuadrada a la entrada entre 0 y 5V. Conectar un canal del osciloscopio en la seal de entrada y otro en el colector del transistor (con la masa comn). Dibujar la forma de onda de salida anotando valores de tiempo y tensiones sobre los grficos. Completar la tabla que se muestra a continuacin. -7-

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Tiempos de conmutacin

ton td tr ts

toff tt

BD137

5.- Cuestiones 1.- Qu puede deducirse del transistor BD137, sin el apoyo del catlogo? 2.- Comparando en el catlogo los transistores SC107 y SC107B cul es la diferencia entra ambos? 3.- Indquese cmo realiza el trazador de curvas la medida del parmetro hFE del transistor. Vara con la corriente de colector?Cul es la diferencia entre los parmetros y hFE de un transistor? 4.- Indquese cmo evolucionan las curvas caractersticas de salida de los transistores con la temperatura, justificando la respuesta. Comprubese esta variacin con la ayuda del trazador de curvas empleado en la realizacin de la prctica. 5.- Propngase un circuito que permita realizar la medida de los tiempos de conmutacin de un transistor pnp, con indicacin de las seales a utilizar. 6.- En el circuito ensayado con el transistor BD137, cul es la mxima frecuencia permitida si el generador de funciones proporciona una seal con un ciclo de trabajo del 50%?

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