Você está na página 1de 11

Universidade Federal do ABC

Universidade Federal do ABC Relatório – Aula Prática 1 – Caracterização de transistores MOS integrados Disciplina:

Relatório – Aula Prática 1 – Caracterização de transistores MOS integrados

Disciplina: EN2709 – Eletrônica Aplicada

Discentes:

André Lucas de O. Duarte

11058710

Daniel Santos de Oliveira

11044510

Samuel Ribeiro

11095909

Turma A1 – Diurno

Prof. Dr. Carlos Alberto dos Reis Filho

Santo André, 2013

Sumário

1. Materiais Utilizados

 

2

2. Procedimento Experimental

2

2.1 Transistor

MOS

Canal-N

2

2.2 Transistor MOS Canal-P

5

2.3 Figura de Lissajous

 

7

3. Conclusões

10

4. Referências

10

1. Materiais Utilizados

Múltimetro de Bancada

Múltimetro Portatil

Osciloscópio

Fonte de alimentação

Cabos banana-jacaré

Fios de cobre

Pontas de prova para osciloscópio

Pontas de prova para o multímetro

Protoboard

Circuito Integrado CD4007

Resistores (1kΩ, 10kΩ e 100kΩ)

Diodos

Capacitor Eletrolítico de 470μF

Transformador 12V

2. Procedimento Experimental

2.1 Transistor MOS Canal-N

Primeiramente, para analisar o comportamento da corrente Id em função da tensão Vds num transistor MOS canal-N, foi montado o circuito esquematizado na Figura 1 abaixo:

foi montado o circuito esquematizado na Figura 1 abaixo: Figura 1 - Primeiro circuito montado em

Figura 1 - Primeiro circuito montado em laboratório.[1]

Então, variou-se a tensão Vds de 0 a 5V para Vgs fixo em 1, 2, 3 e 4V, respectivamente, e foi anotado os valores de corrente Id correspondentes. Para Vgs = 1V, a corrente Id era muito pequena e o amperímetro utilizado não possuía escala adequada para realizar a medição. Os resultados obtidos para Vgs = 2, 3 e 4V estão apresentados nas tabelas abaixo:

Tabela 1 - Valores de Id em função de Vds para Vgs = 1V.

Vds

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.7

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

(V)

Id

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

(mA)

Tabela 2 - Valores de Id em função de Vds para Vgs = 2V.

 

Vds

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.7

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

(V)

Id

0.002

0.124 0.198 0.255 0.271 0.276 0.293 0.300 0.320 0.325 0.330 0.330 0.330 0.331 0.331 0.332

(mA)

Tabela 3 - Valores de Id em função de Vds para Vgs = 3V.

Vds

0

0.5

0.7

0.9

1.0

1.1

1.3

1.5

1.7

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

(V)

Id

0.003

0.974 1.148

1.249 1.277

1.297 1.315

1.325 1.333 1.343 1.355 1.361 1.368 1.373 1.376

1.378

(mA)

Tabela 4 - Valores de Id em função de Vds para Vgs = 4V.

Vds

0 0.5

0.7

0.9

1.0

1.1

1.3

1.5

1.7

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

(V)

Id

0.450

1.745 2.096 2.400 2.492 2.595 2.735 2.848 2.902 2.939 2.973 2.992 3.008 3.020 3.032 3.039

(mA)

Com os dados acima, foram plotadas as curvas Id x Vds (figura2) com auxílio do MATLAB®. Os pontos pretos sobre as curvas indicam os pontos coletados experimentalmente e apresentados nas Tabelas de 1 até a 4:

Figura 2 - Curvas Id x Vds para vários valores de Vgs. Conforme pode-se observar

Figura 2 - Curvas Id x Vds para vários valores de Vgs.

Conforme pode-se observar pelas curvas id x Vds da figura 2 acima, a medida que a tensão de dreno, Vds, ultrapassa um certo valor de tensão Vt, denominada de tensão de limiar ou Threshold , e colocando uma tensão Vgs na porta, o transistor passar a conduzir corrente, conforme demonstra a gráfico. Aumentando a tensão de Dreno, Vds, mantendo fixo a tensão da porta, Vgs, num determinado valor, a curva do gráfico tende a ficar constante. O que mostra que o transistor Mos- N entrou na região de saturação de seu funcionamento. Para estes valores cada vez mais alto de Vds, a profundidade do canal do lado do dreno começa a ficar cada vez menor. Quando atinge este estágio, conforme a teoria, diz-se que o canal está estrangulado ou em Pinched- off.

2.2 Transistor MOS Canal-P

Em seguida, para analisar o comportamento da corrente Id em função da tensão Vds num transistor MOS canal-P foi montado o circuito indicado na Figura 2 abaixo:

canal-P foi montado o circuito indicado na Figura 2 abaixo: Figura 3 - Circuito para obtenção

Figura 3 - Circuito para obtenção dos pontos de operação do transistor MOS Canal- P.[1]

Então, variou-se Vv de 0 até 5V para cada Vgs fixo em 1, 2, 3 e 4V respectivamente, e mediu-se a corrente Id com auxílio do amperímetro. Os dados coletados seguem nas tabelas 5, 6 , 7 e 8 respectivamente conforme a seguir:

Tabela 5 - Valores de Id em função de Vds para Vgs = 1V.

Vv

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

(V)

Vds

5.087

4.531

3.990

3.529

3.046

2.452

2.052

1.565

1.021

0.528

0.012

(V)

Id

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

(mA)

Tabela 6 - Valores de Id em função de Vds para Vgs = 2V.

Vv

0.1

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

(V)

Vds

4.964

4.531

4.000

3.592

3.035

2.566

2.032

1.578

1.004

0.588

0.067

(V)

Id

0.128

0.124

0.119

0.116

0.110

0.107

0.102

0.097

0.091

0.082

0.003

(mA)

Tabela 7 - Valores de Id em função de Vds para Vgs = 3V.

Vv

0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

(V)

Vds

5.109

3.557

3.038

2.584

2.074

1.551

1.025

0.549

0.079

(V)

Id

0.938

0.899

0.801

0.773

0.743

0.702

0.618

0.426

0.075

(mA)

Tabela 8 - Valores de Id em função de Vds para Vgs = 4V.

 

Vv

0

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

(V)

Vds

5.093

3.046

2.549

2.031

1.523

1.037

0.553

0.040

(V)

Id

2.298

2.070

1.963

1.811

1.590

1.243

0.750

0.120

(mA)

Novamente, com auxílio do MATLAB®, plotou-se as curvas (Figura 4) das características de corrente Id em função da tensão Vds:

características de corrente Id em função da tensão Vds: Figura 4 - Curvas Id x Vds

Figura 4 - Curvas Id x Vds para vários valores fixos de Vgs.

Os valores de Vgs no gráfico da figura 4 estão em módulo, pois, na verdade, são valores

negativos de tensão que está se colocando na porta, conforme a montagem da figura 3 acima. Pois, o transistor sendo de canal P, utiliza-se lacunas como portadoras de cargas. Então,conforme pode-se observar pelo gráfico, quando Vds aumenta de valores ultrapassando uma certa tensão Vt, denominada de tensão de limiar ou Threshold e colocando uma tensão Vgs na porta, o transistor passar a conduzir corrente, conforme demonstra a figura 4.

E, a medida que Vgs decresce de Vgs = -1v até Vgs = -4 v, a corrente Id aumenta de valores.

O que está de acordo com o funcionamento típico de um transistor MOS-P, conforme estudado na teoria.

Aumentando a tensão de Dreno, Vds, mantendo fixo a tensão da porta, Vgs, num determinado valor, a curva do gráfico tende a ficar constante. O que mostra que o transistor Mos-P entrou na região de saturação de seu funcionamento. Para estes valores cada vez mais alto de Vds (em módulo), a profundidade do canal do lado do dreno começa a ficar cada vez menor. Quando atinge este estágio, conforme a teoria, diz-se que o canal está estrangulado ou em Pinched- off.

2.3 Figura de Lissajous

Por fim, utilizando-se o mesmo transistor MOS canal-N utilizado no circuito da Figura 1, foi montado o circuito mostrado na Figura 5 abaixo:

1, foi montado o circuito mostrado na Figura 5 abaixo: Figura 5 - Terceiro circuito montado

Figura 5 - Terceiro circuito montado em laboratório.[1]

O trimpot (trimmer potentiometer) R2 foi ajustado para que Vgs (tensão entre os terminais 6

e 7) assumisse os valores de 2.0V, 3.0V e 4.0V. Então, foi conectado os terminais X e Y aos dois canais de entrada do osciloscópio e mude o formato de visualização de YT para XY para compor uma figura de Lissajous.

Seja Vy a tensão medida em V pelo canal Y do osciloscópio, Vx a tensão medida em V pelo canal X do osciloscópio e id em mA a corrente passando pelo resistor de 1kΩ. De acordo com a

Figura 5, tem-se:

Ainda, da Figura 6:

V DS

=

V Y 0

V

V D V S

V X

Y

=

=

=

=

( 1kΩ ) i

i D

( 1 )

D

0

V S

V DS

= − V S = − V X

( 2

)

Portanto, por (1) e (2), a figura de Lissajous indicada que deve aparecer na tela do osciloscópio é a curva Id x Vds invertida devido à equação (2). Invertendo a curva graças a um comando do próprio osciloscópio, as figuras de Lissajous foram capturadas e foram colocadas escalas aos eixos x e y:

foram capturadas e foram colocadas escalas aos eixos x e y: Figura 6 - Figura de

Figura 6 - Figura de Lissajous obtida para Vgs = 2.0V.

Note no canto superior esquerdo da Figura 6 que o canal 1 está com uma escala de 5V por divisão. Como, por (2) Vx = -Vds, cada quadrado equivale a 5V em Vds. Analogamente, o canal 2 está com uma escala de 500mV por divisão. Como, por (1), Vy = id, 1V em Vy equivale à 1 mA em id. Assim, cada quadrado equivale à 0.5mA.

Figura 7 - Figura de Lissajous obtida para Vgs = 3.0V. Note no canto superior

Figura 7 - Figura de Lissajous obtida para Vgs = 3.0V.

Note no canto superior esquerdo da Figura 6 que o canal 1 está com uma escala de 5V por divisão. Como, por (2) Vx = -Vds, cada quadrado equivale a 5V em Vds. Analogamente, o canal 2 está com uma escala de 1V por divisão. Como, por (1), Vy = id, 1V em Vy equivale à 1 mA em id. Assim, cada quadrado equivale à 1mA.

Figura 8 - Figura de Lissajous obtida para Vgs = 4.0V. A forma com que

Figura 8 - Figura de Lissajous obtida para Vgs = 4.0V.

A forma com que as escala foi colocada se justifica da mesma forma da Figura 7.

3. Conclusões

Nas duas primeiras etapas foi caracterizado a curva características do transistor MOS canal N e MOS canal P do Circuito Integrado CD4007. Na etapa , a fonte distorcia alguns resultados devido ao circuito interno do próprio aparelho , dessa forma foi extrapolado os últimos valores na curva.

Já a terceira etapa foi gerado a figura de Lissajous na tela do osciloscópio representando a curva Id x Vds invertida de acordo com o esperado.

4. Referências

[1] Roteiro da aula prática 1, disponível em http://carlosreis.webs.com, acessado em 29/07/2013.

[2] http://www.ni.com/white-paper/3736/en/, acessado em 30/07/2013.

[3] SEDRA, Adel S. et al. Microeletrônica. 5. ed. São Paulo: PRENTICE HALL BRASIL, 2007. 848 p. ISBN 8576050226.