SIMULACIONESDELCOMPORTAMIENTO ESTTICAYDINMICADELINVERSOR BSICONMOS

ANDERSSONJULINGMEZ ESTUDIANTEDEING.ELECTRNICA

UNIVERSIDADDELOSANDES ELECTRNICA DIGITAL 2009II

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LoprimeroesidentificarloscircuitosNMOSdependiendodelacarga.

TomadodeDiapositivaInversorBsicoGiovanniBermdez.

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LosiguienteesabrireleditordesimulacionesPspice ADStudent

Laventanaqueseabre eslasiguiente siguiente.Vamosa crearunarchivonuevo TipoTextoenFile,New, Text File

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Dado cualquier circuito, en Pspice se pueden generar una serie de ficheros o textos con el mismo nombre y diferentes extensiones en funcin de su contenido. Los ms importantes son: .cir:NetlistFicherodeentradaenformadetextocreadoporSpice Net. .dwg:Esquemagrficodelcircuito .err:Mensajedeerror .out:Ficherocompletodedatosdesalidaenformadetexto Existenotrotipodearchivoscomografosdesalidaosimplementearchivosdetexto .txt.Paranuestrocaso,simplementevamosausarunarchivo.cir

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Para realizar una simulacin con Pspice AD Student se debe generar un fichero o un archivo de texto de entrada o netlist que contenga los siguientes elementos:

1. Ttuloyunalneafinal.END 2. Losvaloresdeloscomponentesylaformaenlaqueestn conectados. 3 Las 3. L seales l d deentrada d oaplicadas li d ( (polarizacin), l i i ) l la alimentacinytierra. 4. Sentenciasdecontrol(Tipodeanlisis) 5. Sentenciasdep peticindesalidasresultados

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MODELOS
Un modelo define el comportamiento elctrico de una parte o componente dependiendo del tipo de dispositivo y pueden ser definidos mediante: Conjuntosdeparmetros(modelosinternosenSPICE) Subcircuitos Losmodelossealmacenanenarchivosdetextollamadosbibliotecas. Lasbibliotecaspuedenserglobalesolocalesaundiseo. Lasbibliotecasdemodelossepuedenanidar. Paralassimulacionesenestecurso,seestudiarnlosmodelosinternosen SPICE. SPICE

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MODELOSINTERNOSENSPICE
Sedefinenmedianteunconjuntodeparmetros. PuedeneditarsemedianteelcomandodeSPICE .MODELnombredeltipodemodelo[parmetro=valor] Losparmetrosnoalteradostomansuvalorpordefectoqueexplicarenunatabla msadelante. Losdispositivosquesepuedenmodelarinternamentepuedenserpasivosoactivos.
ELEMENTOSPASIVOS R: Resistencias C:Capacitancias O:Lneasdetransmisinconprdidas L:Inductancias K:Inductanciamtuas (transformadores) prdidas T:Lneasdetransmisinsinp ELEMENTOSACTIVOS D:Diodos Q:Transistoresbipolares(BJTs) J: Transistoresdeunindeefecto M: TransistoresMOSFET Z: TransistoresMESFETS(GaAs FETs) p controladosp porvoltaje j S: Interruptores W:Interruptorescontroladosporcorriente

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TIPOSDEMODELOSINTERNOS
TIPO DE MODELO CAP IND RES D NPN PNP LPNP NJF PJF NMOS OS PMOS VSWITCH ISWITCH ELEMENTO CORRESPONDIENTE Condensadores Bobinas Resistencias Diodos Transistores bipolares NPN Transistores bipolares PNP Transistores bipolares p de estructura lateral PNP Transistores de union FET de canal N Transistores de unin FET de canal P Transistores a s sto es MOSFET OS de ca canal a N Transistores MOSFET de canal P Interruptores controlados por tensin Interruptores controlados por intensidad

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MODELOTRANSISTORMOS
Los simuladores de la familia SPICE son ampliamente utilizados por los diseadores de circuitos. Su utilidad es especialmente importante en el diseo de circuitos integrados que incluyen un gran nmero de transistores. En el caso de circuitos fabricados a medida del usuario (custom design) la necesidad de simuladores es todava mayor. Por esta razn se han desarrollado modelos de dispositivos sofisticados para poder predecir d i con precisin i i el l comportamiento t i t del d l circuito. i it La L presentacin t i de d los parmetros utilizados por los diferentes niveles de modelos SPICE va ms all del curso de Electrnica Digital en los Andes y son estudiados en cursos de p postgrado g como diseo VLSI. Sin embargo, g p para nuestro modelo, vamos a utilizar los valores de VTO, el KN, el GAMMA y el PHI.

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PARMETROSDELMODELONMOS DELNIVEL1AL3
1

ACLARACIN1IMPORTANTE: Para un transitor NMOS tambin se le debe pasar el parmetro Kp sin importar que deba ser Kn.

Tomadode
http://www.wrcad.com/manual/wrs3manual/node122.html

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MODELOCIRCUITAL
Los nmeros que aparecen en los transistores corresponden a los parmetros del transistor para crear el netlist. Ejemplo para el modelo con carga de enriquecimiento: PARA ML
1 Se asigna lo que est 1. conectado al drain. En este caso VDD. 2. Gate que es el mismo VDD. 3. Lo que vaya en el source que en este caso es Vout. 4. El body que se conecta a 0 voltios. PARA MD 1. El Drain es el mismo Vout. 2 El Gate 2. G t es Vin. Vi 3. Va conectado a 0 voltios. 4. El body tambin a 0 voltios.

1 4 3 2 4 2 3 1 2 2

1 4 3 1 3 4

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CREANDOELARCHIVO.CIRP1
DEFINICINDELTRANSISTORYMODELO
Iniciamos el fichero definiendo los 2 transistor de nivel 1. Para ello, , voy y a escribir en rojo lo que debe ir en el fichero de SPICE. Aclaro que se pueden hacer comentarios en el fichero antecediendo un *(Asterisco). .model model NMOS NMOS LEVEL = 1 Solo vamos a trabajar los parmetros que aparece en la gua que son VTO, KN, GAMMA Y PHI. Por eso ponemos LEVEL = 1. Si se necesitan modificar ms parmetros ver la pgina 10 de este documento. +VTO = 0.92V Kp = 50e6 GAMMA = 0.85 PHI = 0.6V

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CREANDOELARCHIVO.CIRP2
HACIENDOELNETLIST
Lo siguiente es definir las conexiones del transistor. El nombre del transistor MOS (Mnombre) tiene que comenzar con M; ND, NG, NS y NB son los nodos asociados al los terminales del Drain, Gate, Source y Bulk respectivamente. Mnombre es el nombre del modelo del transistor a simular. L corresponde a la longitud y W al ancho de la compuerta(en metros, as que debemos poner u para micras). Estos parmetros normalmente describen completamente un transistor di discreto. t Sin Si embargo, b para simulaciones i l i d circuitos de i it integrados i t d en diseo di a bajo nivel se usan ms parmetros relacionados con la geometra del transistor. Analizando el modelo de carga de enriquecimiento, se escribe el siguiente g cdigo: MD vdd vdd vo 0 NMOS L=1u W=3u ML vo vin 0 0 NMOS L=1u W=10u

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CREANDOELARCHIVO.CIRP3
DEFINICIN DELASFUENTES
Ya definidos los parmetros de los transistores, junto a las conexiones, procedemos a definir los valores usados en los parmetros como vdd y vin que es especificar los componentes del circuito. Para vdd que es una fuente de voltaje, se utilizan los siguientes parmetros: Fuente deVoltaje:Vnombre N1N2Tipo deValor. N1es elterminalpositivo,osea vdd yN2es elterminalnegativo,osea 0.Los valores defuentes devoltaje j deben comenzar conv. Vddvdd05V Vinvin04V Segnlosclculostericos,paraesteinversorNMOSsabemosquedespusde 4Vyaestenun0lgico.

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CREANDOELARCHIVO.CIRP4
Ahora usamosvpulse paraestimularel sistema. sistema Los parmetros son: +pulse (V1V2TDTr TfPWPeriod) V1 Voltaje inicial,V2 Voltaje mximo opico;TD Tiempo deretardo inicial; Tr Tiempo p desubida; ;Tf Tiempo p debajada; j ;p pwf Ancho delp pulso; ;yPeriod Periodo. +pulse05010n10n1u2u

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CREANDOELARCHIVO.CIRP5 ANLISIS
Usamos el.tran que especifca losintervalos detiempo enloscuales seva ahacer la simulacin i l i del d ltransiente i para hallar h ll los l tiempos i d propagacin de i ytransicin. i i Elformato es elsiguiente:TRANTSTEPTSTOP<TSTART<TMAX>><UIC> TSTEP:Eselincremento enpantalla que sevisualiza. TSTOP:Tiempo final TSTART:Tiempo inicial (Siseomite,por defecto loponeen0) TMAX Eseltamao delpaso ms largoque TMAX: q e puede p ede realizar reali ar eltransiente. transiente UIC significa Use Initial Condition and instructs. No fundamental para iniciar la simulacin. .tran 10n4u1u

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CREANDOELARCHIVO.CIRP6 ANLISIS
Ahora usamosvpulse paraestimularel sistema. sistema Los parmetros son: +pulse (V1V2TDTr TfPWPeriod) V1 Volateja inicial,V2 Voltaje mximo opico;TD Tiempo dedelayinicial; Tr Tiempo p desubida; ;Tf Tiempo p debajada; j ;p pwf Ancho delp pulso; ;yPeriod Periodo.
+pulse05010n10n1u2u

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CREANDOELARCHIVO.CIRP7
Debido a que necesitamos hallar la VTC Voltage Transfer Characteristic, debemos realizar un anlisis de DC Sweep. p Como en el circuito sabemos q que Vin es la entrada, , sobre esa entrada realizar el barrido. .DCnombrefuente STARTSTOPSTEP(nombrefuente ennuestro caso es vin). Elcomando.DCproduceunsolovalor. DondeSTARTeselvoltajeinicial,STOPelvoltajeFINAL,STEPsonlosincrementos. .dcVin050.2

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CREANDOELARCHIVO.CIRP8
ElRengln.OP Esta instruccion deSPICEcomputa p losp puntos deoperacin p DCtalescomo elvoltaje j en losnodos,corriente decada fuente devoltaje ylospuntos deoperacin decada elemento. Laverdad L d dnoesnecesario i especificar ifi la l polarizacin l i i enuncircuito i it amenosque vayamosahacerunanlisisdetransiente .Ennuestrocasoesnecesario.

.op

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CREANDOELARCHIVO.CIRP9
ParaqueSPICEguardelosdatosquesehacenenelanlisis,sedebellamarlafuncin .probe,yaqueestaguardalasimulacindealgunavariableenespecialodetodas.Sino selep pasaninguna g variable, ,alahoradeverlasimulacinnotenemosninguna g salida, , simplementedebemosagregarla.Ennuestrocaso,vamosadejarlalibre.Aqusecreael archivo.dat .probe b Yateniendotodoslosdatos,procedemosacerrarelmodelotalcomoseexplicenlas primerasdiapositivasatravsdelcomando.end .end

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CDIGOFINAL
*INVERSOR_BASICO_CARGA_ENRIQUECIMIENTO_ANDEGOM *DEFINICIONDELMODELOJUNTOASUSPARAMETROS .model NMOSNMOS LEVEL=1 +VTO=0.92VKp =50e6GAMMA=0.85PHI=0.6V *DIAGRAMADECONEXINPARAELNETLISTDELMOSFETDECARGADEENRIQUECIMIENTO MLVdd Vdd Vo 0NMOSL L=1u 1uW W=3u 3u MDVo Vin 00NMOSL=1uW=10u *POLARIZACION Vdd Vdd 05V Vin Vin 04V +pulse0501n1n 0.5u1u *ANALISISTRANSIENTEYBARRIDODC .tran 1n3u100n .dc dc Vin 040.1 01 .op .probe .end

NOTA: RecuerdenquesedebeponerKp sinimportarqueseaunNMOS.

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Guardar

PASOFINAL
Correrasimular Cuandoledemosguardar,debemossalvarel archivoconextensin .cir. .cir .Paraello,debemosdarclick entipode archivoyseleccionarlaextensin.cir quese refiereaarchivosdecircuitos. P lti Por ltimocorremosla l simulacin. i l i

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SIMULACINDELAVTC

Deben seleccionar que tipo de anlisis quieren simular. Si escogen DC tenemos la curva VTC que aparece arriba. Ustedes deben buscar los valores en los cuales la pendiente es 1. Esos valores corresponde a los valores crticos Si al principio no les aparece ninguna variable, crticos. variable las debe agregar con Add Trace . Buscan Vout.
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SIMULACINPARALOSTPYTT

Si seleccionan Transient, Transient el les bota una curva de este tipo. tipo Aqu nuevamente buscan los tt y los tp. Si al principio no les aparece ninguna variable, las debe agregar con Add Trace. Buscan Vin y Vout.

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SIMULACINPARAELDECARGA DEEMPOBRECIMIENTO
Para este modelo simplemente revisan que tipo de conexin se debe realizar respecto a la configuracin deseada. Los dems parmetros los cambian de acuerdo al enunciado y listo. TIPS para el Inversor CMOS. Recuerden que lo que nosotros podemos manejar como ingenieros de diseo son los l parmetros ( / ) por lo (W/L), l cual, l el l xito i de d encontrar un VIH y un VIL est en escoger unas buenas dimensiones o una buena relacin del Kr. Espero que esta gua les sirva para sus talleres de aqu en adelante.

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REFERENCIAS
http://www.wrcad.com/manual/wrs3manual/node122.html http://www.seas.upenn.edu/ jan/spice/spice.overview.html#Control http://www.seas.upenn.edu/~jan/spice/spice.overview.html#Control http://www.seas.upenn.edu/~jan/spice/spice.overview.html http://www sc ehu es/acwamurc/practicas/ISSPICE pdf http://www.sc.ehu.es/acwamurc/practicas/ISSPICE.pdf faraday.fie.umich.mx/titulacion/MODELOS_presentacion.ppt Libros: Dispositivos Electrnicos y Fotnicos. Fundamentos. Lluis Prat Vias. Richar Jaeger, Microelectronic Circuit Design, 3ra Edicin. Diapositivas profesor MsC. Giovanni Bermdez. Disponibles en Sicua, Universidad de los Andes.

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GRACIAS
ANDERSSONJULIN GMEZ ESTUDIANTEDEING.ELCTRONICA

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