Gua 5. RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR DE UNA SOLA ETAPA. I. II.

. Objetivos: Estudiar el comportamiento en altas frecuencias de un amplificador de audio. Informe previo.

1. Definir

La resistencia , denominada resistencia de dispersin de la base, es la resistencia hmica de la regin de base. Normalmente, resulta pequea comparada con , variando entre 10 y 100 para dispositivos de seal. Su valor es prcticamente independiente del punto de trabajo. La resistencia representa la resistencia dinmica de la unin base-emisor vista desde el terminal de base. Es la misma que la indicada en la figura , y su valor viene determinado por la ecuacin:

 La resistencia tiene en cuenta el efecto de la modulacin del ancho de la base sobre la caracterstica de entrada. En otras palabras, representa una realimentacin desde el colector a la base. En este sentido, juega esencialmente el mismo papel que en el circuito equivalente de parmetros h:

La siguiente frmula aproximada relaciona estos parmetros:

El valor de es muy grande (varios megaohmios es un valor tpico). Para simplificar el anlisis, a menudo reemplazamos por un circuito abierto. Esto se justifica an ms para frecuencias altas, porque est derivada por la impedancia mucho menor de . La resistencia define (de forma aproximada) la pendiente ascendente de la caracterstica de salida del transistor. Por tanto, juega aproximadamente el mismo papel que en el circuito equivalente de parmetros h. Por tanto, podemos formular:

Adems, est relacionada con la tensin de Early, . La tensin de Early surge de las prolongaciones de la relacin entre vs para diferentes valores de :

Se observa el interesante hecho de que todas las prolongaciones se intersectan aproximadamente en un mismo valor de tensin , cuyo valor suele estar entre 50 y 100 V y es constante para cada transistor. De aqu puede obtenerse por simple semejanza de tringulos la pendiente de cada curva:

De donde resulta

A veces, para simplificar el anlisis, reemplazamos

por un circuito abierto.

La capacidad es la capacidad de transicin de la unin base-colector. Su valor depende de y del tipo de dispositivo que se utilice. Los valores se suelen proporcionar en las hojas de especificaciones como . (Desafortunadamente, el uso de smbolos no est estandarizado en toda la comunidad electrnica.) Por ejemplo, la hoja de especificaciones del modelo 2N2222A incluye una mxima de 8 pF para 10 V. A veces, se proporciona la constante de tiempo del circuito RC entre los terminales de colector y base en las hojas de especificaciones. Por ejemplo, las del dispositivo 2N2222A denominan a esta constante . Esta constante de tiempo es aproximadamente igual a . Suponiendo que se conoce , podemos utilizar el valor proporcionado por la constante de tiempo para determinar . Para el 2N2222A:

representa la capacidad de difusin de la unin base-emisor. Su valor depende del punto Q y del tipo de transistor. Los valores tpicos varan de 10 pF a 1000 pF para dispositivos de seal. La fuente controlada mostrada representa las propiedades de amplificacin del transistor. Para un funcionamiento a baja frecuencia, los condensadores se comportan como circuitos abiertos. Por otro lado, como aproximacin razonable, podemos reemplazar por un cortocircuito, y y por circuitos abiertos. El circuito resultante se ilustra en la figura:

Donde

Comparndolo con el modelo , vemos que el circuito de entrada est formado en ambos casos por una resistencia . Las dos fuentes controladas deben producir la misma corriente de colector; por tanto, podemos escribir:

Resolviendo

, obtenemos

Sin embargo,

, por lo que tenemos:

Por tanto, podemos calcular

conociendo el punto Q y la temperatura.

es la frecuenta de corte de la ganancia de corriente en c.c., es decir, si determinamos :

Del modelo para altas frecuencias:

Por tanto la frecuencia de corte con

Las hojas de datos de un transistor facilitan generalmente la frecuencia de transicin , que es la frecuencia para la que la magnitud de la ganancia de corriente del emisor comn es igual a la unidad cuando el transistor funciona con un cortocircuito de alterna entre el colector y masa. La frecuencia de transicin

se relaciona con los parmetros hbridos en por medio de la frmula aproximada la cual se deduce de:

De donde:

2. En el circuito del experimento de acuerdo al modelo del transistor en altas frecuencias, encontrar una expresin para .
VCC

12V

R2 56k

RC 1.5k

CO 22uF

RI

CI 22uF

Q1 2N2222

VI

R1 12k 0.68k RE CE 100uF

RL 10k

Sabiendo que:

Entonces:

3. Considerando que

<0.1-50pF>,

<100-1000pF> y

, encontrar el

punto de corte superior aproximado en nuestro circuito. De la hoja de datos del 2N2222A: CollectorBase Capacitance Emitter Base capacitance

Consideramos

Calculamos

Del ckto:

Por tanto (a 25C):

Clculo de

Clculo de

(Capacitancia Miller en la entrada):

Para la configuracin de Emisor Comn:

Clculo de

(Capacitancia Miller en la salida):

( Clculo de :

Para el 2N2222A encontramos que

. Reemplazando obtenemos:

Clculo de

Donde: | Considerando : |

Reemplazando:

Por tanto la frecuencia de corte superior es:

4. En altas frecuencias Cul de las configuraciones de transistor ser ms conveniente? Por qu?. El Amplificador Base Comn es la mejor opcin en aplicaciones de altas frecuencias debido a que no posee el efecto Miller, por el hecho que no posee desfase en la salida. Esto sumado a que la configuracin Base Comn posee muy baja impedancia de entrada y como vimos:

En el Base Comn sera bajo por lo que ancho de banda del amplificador. BIBLIOGRAFIA. Diseo Electrnico. J Savant. Electrnica. Hambley. 2da edicin.

es alto y en consecuencia aumenta el

REFERENCIAS WEB http://www.fceia.unr.edu.ar/enica3/rtafrec.pdf http://www.datasheetarchive.com/