Electrnica de sistemas: Elementos de disparo

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SIDAC

SIDAC Tiristor bi-direccional de conmutacin por voltaje

El SIDAC o Diodo de silicio para corriente alterna (English:Silicon Diode for Alternating Current) es un dispositivo bilateral de disparo de alta tensin y corriente. Es bsicamente un diodo de cuatro capas con unas caractersticas elctricas simtricas. El SIDAC se utiliza en aplicaciones en la cuales se necesita una tensin de disparo tpicamente comprendida entre 104 y 280 V. Forma parte de la familia de los Tiristores, comnmente llamados diodos tiristores bi-direccionales, es tcnicamente especificado como un interruptor conmutado de tensin bilateral. El SIDAC es un dispositivo de conmutacin activado por voltaje y utilizado en circuitos de encendido de lmparas compuestas por halogenuros metlicos as como en la iluminacin de calles y exteriores en circuitos de encendido de lmparas de vapor de sodio de alta presin.3

Definicin
EL SIDAC es un dispositivo de alto voltaje de disparo bilateral que ampla las capacidades de disparo para voltajes y corrientes significativamente ms altos que los DIACs, lo que permite nuevas aplicaciones rentables. Al ser un dispositivo bilateral, pasa de un estado de bloqueo a un estado de conduccin cuando el voltaje aplicado de cualquier polaridad supera el voltaje de transicin. Al igual que en otros dispositivos de activacin, ( SBS), los SIDAC se activan al pasar de una regin de resistencia negativa a una de baja tensin en el estado de activacin y permanecen en estado de conduccin hasta que la corriente principal del terminal se interrumpe o cae por debajo de la corriente de mantenimiento. Los rangos de alto voltaje y corriente que manejan los SIDACs los hacen ideales para aplicaciones con altos niveles de potencia en donde otros dispositivos de disparo no son capaces de funcionar por s solos, sin la ayuda de componentes elevadores.

Fsica del Dispositivo

Estructura multicapa de un SIDAC

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Es un dispositivo compuesto, en principio, por cuatro capas semiconductoras NPNP ms una capa P. Esencialmente, es un dispositivo interruptor que al aplicrsele tensin positiva entre el nodo y el ctodo, tendr polarizacin directa entre dos de las uniones PN y una polarizacin inversa en las uniones NP. En estas condiciones, nicamente circula corriente muy baja y el dispositivo se encuentra en estado de corte o bloqueo. Al aumentar esta tensin, se llega a un voltaje de ruptura o avalancha, en el cual la corriente crece de forma abrupta y la cada de tensin decrece de idntico modo. En este momento, el SIDAC ha conmutado desde el estado de bloqueo al de conduccin. 6

Curva caracterstica

Relacin de Corriente y voltaje de ruptura idealizada. Una vez que la tensin supera el umbral de encendido, el dispositivo se enciende y el voltaje cae rpidamente, mientras que la corriente aumenta

La curva caracterstica de un SIDAC es similar a la curva de un de cuatro capas

Caractersticas trmicas
Este robusto interruptor de estado slido est diseado para manejar aplicaciones de encendido de lmparas que requieren un funcionamiento a temperaturas ambientes alrededor de 90 C donde los componentes del circuito de ignicin pueden aumentar la temperatura de la unin del SIDAC hasta 125 C, especialmente cuando el elemento de la lmpara se remueve o se rompe. Dependiendo de la corriente y de la temperatura, se ve afectado el voltaje instantneo de encendido, principalmente si se encuentra en temperaturas cercanas a 125 C, las caractersticas de temperaturas en funcin de la corriente y el voltaje se pueden obtener en las relaciones I-V disponibles en la hoja de datos del fabricante.

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Circuito bsico

Circuito bsico de un SIDAC y formas de onda de la tensin y la corriente entre sus terminales

Un circuito bsico para la operacin de un SIDAC consiste en conectarlo en serie con la fuente de tensin alterna y la carga. Puede observarse que, una vez que el voltaje de entrada sobrepasa al valor de disparo, denominado VBO el dispositivo conmuta al voltaje de encendido sealado como V T (1,1 V) y puede conducir una corriente definida segn las especificaciones del fabricante. Este circuito puede ser utilizado para el encendido de lmparas tanto en interiores como en exteriores.

Fabricacin
Los SIDAC estn disponibles en series de gran tamao que son econmicas y fciles de insertar y en series axiales que posen un pequeo encapsulado. Entre los principales encapsulados para los SIDAC, disponibles en el mercado electrnico, estn los de configuracin axial, los de montaje superficial y los tipos 1 y 70. Las caractersticas trmicas y dems capacidades de operacin que pueda tener un SIDAC dependen principalmente del mtodo utilizado para su fabricacin. Entre los principales mtodos de manufactura de los SIDAC y tiristores en general es la fabricacin en Pallet que puede ser por el mtodo difundido y planar difundido. El otro grupo es por encapsulacin de Pellet.

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SBS
Para otros usos de este trmino, vase SBS (desambiguacin).

Modelos comerciales de SBS. Smbolo esquemtico de un SBS.

Un SBS o Interruptor Bilateral de Silicio , por sus siglas en ingls (Silicon Bilateral Switch) es un tiristor del tipo bidireccional, que est compuesto por dos tiristores unidireccionales o SUS conectados en antiparalelo. Al igual que los tiristores UJT, PUT y SUS, el SBS es utilizado en circuitos osciladores de relajacin para el control de disparo de dispositivos que entregan potencia elctrica a una carga, como los SCR y los TRIAC; la diferencia consiste en que pueden dispararse tanto en el semiciclo positivo como en el negativo de una fuente de voltaje de corriente alterna, debido a que pueden polarizarse directa e inversamente.

Construccin

Circuito Equivalente de un SBS.

Como casi todos los familiares de los tiristores, el SBS cuenta con tres conexiones: la compuerta (G), el nodo o terminal 1 (A1 o T1) y el nodo o terminal 2 (A2 o T2). Una caracterstica muy especial de este dispositivo es que no es una versin modificada de un diodo con sus capas NPNP, sino ms bien est compuesto internamente por transistores, diodos Zener y resistencias internas, y que adems vienen fabricados como circuitos integrados.

Curva Caracterstica de Voltaje-Corriente

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Curva Voltaje-Corriente de un SBS con la compuerta desconectada.

Un SBS puede dispararse con la compuerta conectada o desconectada; esta terminal solamente proporciona mayor flexibilidad en el disparo y por tanto altera sus caractersticas de voltaje-corriente. Si se comparara esta curva caracterstica con la de un DIAC, se podra observar que son muy similares; sin embargo, la curva del SBS tiene una regin de resistencia negativa ms pronunciada, lo que significa que su cada de voltaje es mucho ms drstica despus de llegar a su estado de conduccin. Usualmente, el voltaje de ruptura de un SBS se encuentra entre los 7 y 9 voltios, cuyo voltaje es mucho menor que el de un DIAC. Uso de la compuerta del SBS para modificar la curva caracterstica de un SBS

Modificacin de la curva caracterstica de un SBS con un Zener.

La compuerta de un SBS es usada para alterar el comportamiento mostrado en la curva caracterstica Voltaje-Corriente; por ejemplo, si se desea tener ngulos de disparo diferentes en los semiciclos positivos y negativos, se puede conectar un diodo Zener entre la compuerta G y la terminal T1, con la finalidad de que el voltaje de ruptura directo llegue hasta el valor de voltaje del diodo Zener, mientras que el voltaje de ruptura inverso no se modifica. Con esto, se logra modificar el voltaje de ruptura original a uno determinado por el "usuario" para una aplicacin cualquiera, aunque no es comn tener diferentes ngulos de ruptura.

Ventajas

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Adems de su cada de voltaje ms drstica debido a su regin de resistencia negativa, lo cual permite una conmutacin ms rpida, el SBS es mucho ms estable trmicamente y ms simtrico que su familiar cercano, el DIAC.

Estabilidad trmica: Esto significa que ante incrementos de temperatura, el SBS mantiene un voltaje muy estable; de acuerdo con la hoja de especificaciones de la compaa POWEREX, 1 el modelo BS08D-T112 cuenta con un coeficiente de temperatura de 0.01%/C. En otras palabras, por cada grado centgrado que vare la temperatura del dispositivo, su voltaje de ruptura cambiar en un 0.01%, convirtindolo en un dispositivo muy estable trmicamente hablando.

Simetra: Cuando se menciona que el SBS es simtrico, es porque los voltajes de ruptura en los semiciclos positivos y negativos son iguales o casi iguales. Esto se puede verificar en la seal de salida de un SBS: sus ngulos de disparo en los dos semiciclos son prcticamente iguales.

Circuitos de Disparo

Control de potencia de una carga con un SBS. Seal de salida del SBS.

Los siguientes circuitos son utilizados para el control del disparo de un SBS. En el primero, con la seleccin adecuada de dos resistencias se puede regular la corriente que circula por la compuerta del SBS y por lo tanto permite ajustar su ngulo de disparo y la potencia entregada a una carga cualquiera. Ntese que los ngulos de disparo en los dos semiciclos son iguales. En el segundo y tercer circuito se controla indirectamente la potencia entregada a la carga, al controlar directamente el disparo de un SCR y TRIAC, respectivamente. Dependiendo de los valores de resistencias y capacitancias seleccionados, as mismo ser el tiempo de carga y descarga del condensador (constante RC); al cargarse el condensador hasta un voltaje determinado, el SBS se disparar y le entregar pulsos de voltaje al SCR oTRIAC para que se disparen y le entreguen la potencia a la carga. El segundo circuito es comnmente utilizado para el control de motores DC, mientras que el tercero es frecuentemente usado para control de iluminacin (luces) y calentadores elctricos.

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Circuito de control de disparo de un SBS para el disparo de un SCR.

Circuito de control de disparo de un SBS para el disparo de un TRIAC.

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Interruptor unilateral de silicio

Interruptor Unilateral de Silicio SUS El Interruptor unilateral de silicio o mejor conocido por sus siglas en ingls como SUS (Silicon Unilateral Switch), es un dispositivo de tres terminales (nodo, ctodo y compuerta) el cual conduce en una sola direccin de nodo a ctodo cuando el voltaje en el primero es mayor que en el segundo. Presenta caractersticas elctricas muy similares a la de un diodo de cuatro capas; sin embargo, la presencia de la terminal de compuerta le permite controlar su voltaje de disparo. Por su carcter unidireccional es utilizado para el control de SCRs y para el control de TRIACS. . 1

ESTRUCTURA Y SIMBOLOGA. 1. Se puede apreciar las 4 capas y la presencia de la compuerta en la Capa N adems del Zener entre compuerta y ctodo. 2 Circuito Equivalente de un tiristor de puerta de nodo al que se asocia el Zener. 3. simbologa comn. 4.SUS en empaque TO98.

Estructura y Simbologa
Este dispositivo presenta cuatro capas de materiales semiconductores; en el nodo se tiene la terminal de compuerta y un diodo Zener de bajo voltaje entre los terminales de compuerta y ctodo. Por esta razn, muchas veces es representado como un tiristor de puerta de nodo al que se asocia el Zener.

Curva de comportamiento de la corriente en trminos del voltaje.

Comportamiento
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Este dispositivo comienza a conducir cuando el voltaje entre nodo y Ctodo alcanza un valor Vs el cual tpicamente es de 6 a 10V. Despus de esto el voltaje cae dependiendo de la corriente de conduccin. Hay que destacar que este dispositivo seguir conduciendo mientras se mantenga un voltaje por encima de 0.7 y la corriente de conduccin no caiga por debajo de la corriente de mantenimiento IH la cual tpicamente es de 1.5mA. En el caso que se d una polarizacin inversa este dispositivo no conduce, sin embargo tiene un lmite de voltaje inverso llamado VR el cual puede estar por el orden de los 30V. Si se supera este voltaje entonces se destruye el dispositivo.

Efecto de la compuerta
Si aplicamos una diferencia de potencial entre la compuerta y el ctodo se puede modificar considerablemente la curva de operacin del SUS. Una de las formas ms clsicas de hacer esto es mediante un diodo zener, entre la compuerta y el ctodo. De esta forma, el voltaje de Disparo (Vs) queda definido por: Vs = Vz + 0.6 V De lo observado hasta ahora podramos decir que el SUS es similar al UJT, sin embargo, el SUS se dispara a una tensin determinada por el diodo zener, y su corriente Is (corriente de activacin) resulta mayor y muy cercana a IH (corriente de mantenimiento). Estos Datos limitan la frecuencia de trabajo del elemento para valores altos y bajos.

Disparador de Tiristores en general

Circuito RC con SUS para disparar un Tiristor. R1 Carga C hasta Vs, luego C se descarga por l SUS, creado un pulso en R2, hasta que I se hace menor de IH.

Por medio de una configuracin RC, se puede utilizar este dispositivo para disparar tiristores como el SCR y tambin TRIAC. Si cargamos un condensador por medio de una resistencia variable de tal forma que el condensador alcance el voltaje de disparo del SUS en un tiempo RC, cuando este voltaje es alcanzado el condensador se descargar por medio del SUS. De esta forma se producir un pulso en de voltaje en una resistencia, la cual estar conectada a la compuerta de Tiristor. Este pulso ser de muy corta duracin ya que solo se mantiene mientras el condensador entrega una corriente mayor a la de mantenimiento y, como sabemos, en estos dispositivos esta corriente es bastante elevada. La resistencia variable nos permite variar el tiempo de carga del condensador y con ello el tiempo
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de disparo. Para utilizar esta configuracin es fundamental el parmetro Vo, que es el voltaje pico producido por SUS en la resistencia, este factor es crucial ya que si no se tiene la suficiente potencia no se podr activar el tiristor. 4

Disparador de TRIAC

En este circuito se controla el TRIAC mediante los disparos del SUS, que a su vez son controlados por R1, R2 y C1

Un circuito para control de TRIAC por medio de SUS (Ver Figura) funciona de la siguiente forma. Una fuente AC conectada a un puente rectificador, entrega un voltaje rectificado a un condensador C, Este voltaje tender a seguir el voltaje del puente con un atraso de posicin, determinado por una resistencia de carga R2 en serie con el condensador. En algn momento del semi-ciclo el voltaje del condensador alcanzar el voltaje de disparo del SUS, al alcanzar este voltaje el SUS se dispara y permite que el condensador se descargue a travs del devanado primario de un transformador. Esta descarga del condensador C1 produce un impulso de corriente en el devanado primario del transformador hasta que el condensador se descargue al punto de no poder entregar una corriente igual al de mantenimiento SUS. En el secundario se produce una corriente que va directo a la compuerta del TRIAC, la cual lo activa. Cabe destacar que la corriente va saliendo de la compuerta; esto se logra invirtiendo el secundario, esto permite que el TRIAC se dispare en el segundo y tercer cuadrante, es decir para una corriente negativa y polarizacin directa e inversa de terminales. Si no se colocara el SUS, los ngulos de disparos serian diferentes entre los semi-ciclos positivos y negativos de la carga, ya que recordemos que el TRIAC se enciende dependiendo de la polarizacin de sus terminales y del sentido de la corriente en su base. Sin embargo, como el SUS genera un pulso que evita que el TRIAC detecte una curva suave de elevacin de corriente y con ello que se dispare en ngulos diferentes.

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Disparo de SCR

Control de SCR

En este circuito de la figura Control de SCR se vuelve a observar la Configuracin RC para controlar el tiempo de disparo del SUS, este al disparase activa el SCR, sin embargo a diferencia del TRIAC este se desactiva para el semi-ciclo negativo, ya que por la presencia de los diodos solo se disparara el SUS y con ello el SCR para el semi-ciclo positivo.

Hoja de datos
A continuacin, se presentan los criterios relevantes que podemos encontrar en datasheets de SUS, los valores mostrados son para la familia 2N4987, 2N4989, 2N4989 y 2N4990
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Tensin de disparo Vs = 6 a 10V Corriente en el momento de disparo Is= 0.5 mA Tensin de Manteamiento VH = aproximadamente 0.7 a 25 C Corriente de mantenimiento IH = 1.5 mA Max. Cada de tensin directa (para If = 200mA) = 1.75V Tensin Inversa VR = 30V Pico de los impulsos V0=3.5 V min Temperatura de juntura Tj -65 a 125 C

De estos criterios se observa que este dispositivo opera para bajos valores de corriente y de voltaje, de hecho, la mxima corriente que este dispositivo maneja no es ms de 1 A.

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PUT

Simbolo del PUT

El PUT es un semiconductor de cuatro capas (pnpn) cuyo funcionamiento es similar al del UJT. Es un tipo de tiristor y a veces se le llama tiristor disparado por nodo debido a su configuracin. Al igual que el UJT, se utiliza como oscilador y base de tiempos, pero es ms flexible, ya que la compuerta se conecta a un divisor de tensin que permita variar la frecuencia del oscilador sin modificar la constante de tiempo RC.

Funcionamiento
Si el PUT est polarizado directamente y aplicamos Vag= 0.7 V, entra en conduccin. El PUT permanece encendido hasta que el voltaje andico es insuficiente, entonces, se apaga. El apagado se debe a que la corriente andica llega un valor ligeramente menor a la corriente de sostenimiento.

Conexin tpica del PUT

Es un dispositivo de disparo nodo-puerta (nodo-compuerta) puesto que su disparo se realiza cuando la puerta tenga una tensin ms negativa que el nodo, es decir, la conduccin del PUT se realiza por control de las tensiones en sus terminales. Si el PUT es utilizado como oscilador de relajacin, el voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentacin mediante el divisor resistivo del voltaje RB1 y RB2, y determina el voltaje de disparo Vp. En el caso del UJT, Vp est fijado por el voltaje de alimentacin, pero en un PUT puede variar al modificar el valor del divisor resistivo RB1 y RB2. Si el voltaje del nodo Va es menor que el voltaje de compuerta Vg, se conservara en su estado inactivo, pero si el voltaje de nodo excede al de compuerta ms el voltaje de diodo Vag, se alcanzara el punto de disparo y el dispositivo se activar.

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Grficos corrientes picos y valle vs resistencia de compuerta Rg=RB1RB2/(RB1 + RB2)

La corriente de pico Ip y la corriente de valle Iv dependen de la impedancia equivalente en la compuerta y del voltaje de alimentacin en VBB. En general Rk est limitado a un valor por debajo de 100 ohm Para tener un diseo exitoso, la corriente de nodo, que la llamaremos I, debe estar entre las corrientes Ip e Iv, de no estarlo, el dispositivo no oscilar. Por ello, se debe tener cuidado al disear la impedancia equivalente Rg y el voltaje de alimentacin, ya que estos parmetros modifican directamente los valores de corriente ya mencionados.

Aplicaciones
El uso del PUT se encuentra casi limitado a su utilizacin en osciladores de relajacin para disparo de tiristores de potencia en aplicaciones de control de fase. Su alta sensibilidad, les permite trabajar con elevados valores de resistencia de temporizacin o pequeos valores de capacitancia, en aplicaciones de baja corriente, tales como temporizaciones muy largas o en circuitos alimentadas con bateras. Adicionalmente, por su conmutacin debido a un proceso de realimentacin positiva de elementos activos, presentan menores tiempos de conmutacin que los UJT donde este proceso se debe a un cambio en la conductividad de la barra de silicio por inyeccin de portadores. En consecuencia menores valores de capacitancia producen pulsos de disparos de la potencia adecuada.

Ejemplo

Ejemplo
Para el diseo de un oscilador de relajacin con PUT, se debe realizar los siguientes pasos:
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1. Al igual que en los UJT, la resistencia de temporizacin R debe ser lo suficientemente baja para que pueda alcanzar a circular Ip y lo suficientemente alta para que no pueda circular la Iv en forma permanente. Para el caso de los PUT 2.Debe tenerse en cuenta que los valores de Ip e Iv dependen del valor de Rg. El valor de Vp en los PUT es fijado por el circuito exterior, por ejemplo mediante un divisor resistivo como el mostrado. La ecuacin bsica del PUT es: Vp = Vt + Vs Siendo Vs la tensin de Thevenin vista desde la compuerta y Vt una tensin de offset compuesta por la cada directa de la juntura nodo compuerta Vag ms la cada producida en Rg por la corriente Ip justo antes del disparo.

Voltajes y corrientes en nodo Ctodo mientras el dispositivo oscila

3.Como Vt = Vag + Ip*Rg , un cambio en Rg afecta a ambos trminos en forma opuesta. Si Rg aumenta, Ip disminuye y hace decrecer a Vag, pero como Ip no se reduce tan rpido como Rg se incrementa, el producto Ip*Rg aumenta, aumentando el valor de Vt. Como estas variaciones son difciles de estimar, es de uso generalizado tomar para la mayora de las aplicaciones. Vt = 0.6 v 4.El periodo de un oscilador a relajacin basado en PUT resulta: Vct=Vp=Vt+Vs Por lo que resulta un periodo T=R*C*Ln((VBB-Vv)/(VBB-Vt-Vs)) Donde Vcc es el voltaje de alimentacin del circuito. Despreciando Vv y Vt, se reduce a una expresin equivalente a la ya obtenida para los UJT. T=R*C*Ln(1+RB1/RB2) 5.Al igual que con los UJT, la amplitud del pulso de salida depende de la velocidad de conmutacin, especialmente para capacidades inferiores a 0.01 uF. 6.Valores tpicos de frecuencias de oscilaciones se encuentran comprendidas entre los 0.003 Hz y 2.5 KHz. 7. El PUT operando como oscilador de relajacin presenta una baja dependencia de su frecuencia con la temperatura debido a que su tensin de compuerta se encuentra fijada exteriormente. Para aplicaciones crticas deben implementarse circuitos de compensacin.

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