Laboratorio N1:

Amplificador Multietapa
(Informe Previo)

Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica U.N.I. Laboratorio de Electrnica II (EE442M)

Martinez Flores Michel Mike.aeo@gmail.com

Resumen Los amplificadores multietapa son circuitos electrnicos formados por varios transistores (BJT o FET), que pueden ser acoplados en forma directa o mediante capacitores. Las configuraciones clsicas son el par Darlington (alta impedancia de entrada e incremento de la ganancia de corriente), el par diferencial (Relacin de rechazo en modo comn elevada), el amplificador cascode (alta impedancia de salida). Todas estas etapas amplificadoras pueden ser integradas y encapsuladas en un chip semiconductor llamado Circuito Integrado (CI). En el CI las polarizacin de las etapas se hace usando fuentes de corriente, debido a la mayor facilidad de construccin (a travs de transistores). Objetivos Diseas, simular, implementar y analizar, la ganancia y respuesta en frecuencia de un amplificador.

Segundo: La tensin en la juntura base-emisor no deber exceder los 26mV (constante trmica) para evitar distorsiones en la seal de salida. 2. Fundamente las razones por los que se disea la ganancia y otros parmetros de un amplificador independiente del hfe , hie , etc., del BJT por ejemplo.

I.

INTRODUCCION

Es conveniente que al realizar el diseo de un circuito amplificador, la funcin de ganancia no sea dependiente de trminos como hfe , hie, etc. , ya que estos trminos son variable ante los cambios de temperatura, y en un momento dado podemos obtener valores ptimos de amplificacin y luego resultados muy pobres. Es mejor que trminos como la ganancia sean funciones constantes dependientes de los resistores, para obtener resultados fiables. 3. Disee un circuito amplificador ARGOS 1 bajo las siguientes premisas:

Un amplificador se describe como un circuito capaz de procesar las seales de acuerdo a la naturaleza de su aplicacin. El amplificador sabr extraer la informacin de toda seal, de tal manera que permita mantener o mejorar la prestacin del sistema que genera la seal (sensor o transductor usado para la aplicacin). Se llama amplificador multietapa a los circuitos o sistemas que tienen mltiples transistores y adems pueden ser conectados entre si Zin, Zout o ancho de banda. Las aplicaciones pueden ser tanto de cc. como de ca. II. 1. INFORME PREVIO

- Fuente de operacin DC 12v - Elementos activos 2N2222A - Seal de prueba 1kHz 10mv, resistencia 10k - Corrientes ICQ mayores o iguales a 1mA - Frecuencia de corte fi = 100Hz y fs = 5kHz - Ganancia a frecuencias medias 350 ARGOS 1

Detallar las condiciones para los que un bjt y/o fet puede operar en baja frecuencia.

Para que un BJT o FET opere a frecuencias bajas debe cumplir ciertas condiciones: Primero: estos dispositivos deben trabajar en su zona linear, lo que quiere decir que deben estar correctamente polarizados.

4.

Simular el circuito y graficar los principales parmetros del amplificador

5.

Comprobar que las junturas Base Emisor trabajan en el rgimen lineal y de mnima distorsin armnica, basado en los diagramas de bode del circuito ARGOS 1 obtenidos de la simulacin.

Se observa que los transistores estn polarizados linealmente. 6. Presente los diagramas de bode obtenidos de la simulacin. V2 vs V1:

Respuesta del Amplificador ARGOS 1 a una onda de prueba de 1kHz.

V6 vs V1:

V15 vs V12:

V7 vs V6:

V16 vs V12:

V9 vs V1:

V16 vs V1:

V12 vs V9:

7.

Implementacin Equipo y Material Bsico 1 Osciloscopio 1 Generador de Seales 1 Multmetro digital 1 Fuente DC Lista de Componentes: Transistores: Q1, Q2, Q3, Q4 2N2222A

Resistencias R1, RL R2 R3, R9 R4, R8 R5, R11 R6, R13 R7, R14 R9 R10 R12 R15 Capacitores C1,C4 C2,C5 C3 C6 C7

10 K 100 K 68 K 2.2 K 3.9 K 3.3 K 100 68 K 22 K 1.5 K 680 0.22 F 47 F 0.15 F 1.8 nF 1.2 nF

8.

Bibliografa

[1] Rashid, Muhammad H, Circuitos Microelectrnicos, Mxico D.F. Internacional Thomson Editores , 2000. [2] Kunst Zurich. Amplificadores diferenciales. [En lnea]. http://www.slideshare.net/Volta/tema-7amplificador-diferencialpresentation