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E.T.S.I. de Telecomunicacin Universidad de Vigo

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS I APELLIDOS:

NOMBRE:

CUESTIONES DICIEMBRE 2006

(0,4) 1) El Germanio es un semiconductor con una banda prohibida de aproximadamente EG(Ge) = 0,72 eV. Dentro de esa banda prohibida aparecen niveles de energa debidos a impurezas. Medidos respecto a la banda de valencia, estos niveles estn a 0,01 eV para el aluminio y 0,69 eV para el fsforo. Cul de estas impurezas acta como donadora y cul como aceptora?. Razona la respuesta de acuerdo a la teora de las bandas de energa.

El aluminio acta como impureza aceptora ya que crea un nivel de energa EA muy cercano a la banda de valencia (BV) y pueden pasar fcilmente electrones de la banda de valencia a este nivel de la energa aceptora (slo necesita 0,01 eV). De este modo se crea un hueco por cada tomo de aluminio correspondiente al espacio que deja libre en un enlace covalente el electrn que salta al nivel de energa aceptor. Por lo tanto, el aluminio es una impureza aceptora. En cambio, el fsforo acta como impureza donadora ya que el nivel energtico que crea (ED) est muy lejos de la banda de valencia y no pueden pasar electrones desde la banda de valencia a este nivel de energa. Pero este nivel est muy cercano a la banda de conduccin y es fcil que un electrn del fsforo que est en el nivel ED pase a la banda de conduccin (slo necesita 0,03 eV) y se genere as un electrn libre por cada tomo de fsforo. Por lo tanto, el fsforo es una impureza donadora.

(0,3) 2) Circuito rectificador de onda completa en puente. Dibujar el circuito y explicar los inconvenientes y las ventajas con respecto al circuito rectificador de onda completa con 2 diodos.

D1 + Vi _

D2

RL

C.A. D4 D3

Inconvenientes: Utiliza 4 diodos. Ventajas: -Transformador sin toma intermedia - Tensin de pico mxima que soportan los diodos en inversa es slamente la tensin mxima de la seal de entrada

(0,4) 3) Indicar en el recuadro correspondiente a que tipo de transistor se refiere cada una de las siguientes grficas.

IDS

Vp IDSS

VGS

FET o MOSFET de deplexin de canal N

FET o MOSFET de deplexin de canal P

ID

IC (mA) -50 -40 -30 -20 -10 -2 -4 -6 -8 -10


BJT PNP

IB = -0,35 mA

-0,2 mA -0,1 mA IB = 0 mA VCE (V)

V GS V TH

MOSFET de acumulacin de canal N

(0,4) 4) Clasificacin de los condensadores en funcin del dielctrico.

Impregnado Papel Plstico NO POLARIZADOS Mica Cermicos CONDENSADORES POLARIZADOS Electrolticos de aluminio Electrolticos de tantalio Mica Control Aire Cermicos Ajuste (trimmers) Metalizado

VARIABLES

(0,5) 5) Responde brevemente a las siguientes preguntas: a) Qu es la curva de deswataje o derating? Representa la potencia mxima que puede disipar un dispositivo electrnico en funcin de la temperatura ambiente. Es la curva que indica como va disminuyendo la potencia mxima que puede consumir un dispositivo electrnico a medida que aumenta la temperatura ambiente.

b) Qu es un termistor?. Qu es un varistor? Un termistor es un resistor no lineal construido especialmente para que su resistencia varie de una forma significativa cuando varia la temperatura del resistor. Un varistor es un resistor no lineal construido especialmente para que su resistencia varie de una forma significativa cuando varia la tensin aplicada al resistor.

c) Poner la expresin matemtica de la relacin de Einstein. Esta expresin se aplica en semiconductores, aislantes o metales?

Dp

Dn

= VT

T ( K ) 11.600

Se aplica en semiconductores

d) Cul es la corriente mxima que se puede conseguir en el colector del transistor de la figura? (=150, VBEon = 0,7V, VCesat = 0V) 10 mA

100 Vi 1 K 10 V

e) Definir el parmetro IDSS y decir en que tipo de transistores es aplicable. Es un parmetro aplicable en transistores FET y MOSFET de dplexin o empobrecimiento. Se define como la corriente de saturacin del drenador del transistor cuaqndo la puerta est cortocircuitada con la fuente (VGS = 0).