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Relatrio de Fsica Experimental II

Professor: Ronaldo Marchezinni Alunos: Carlos Gustavo Paes Leme dos Reis Digenes Andr Domingues Jnior Mayra Vieira Gomes Nayara Campos Barbosa Turma: Quarta, 16:30 18:20 Data: 14/08/2013

Diodo Semicondutor
INTRODUO

Os materiais semicondutores apresentam quatro eltrons no nvel de valncia, e possuem resistncia eltrica maior do que a dos materiais condutores e menor do que as dos isolantes. Ou seja, no so nem condutores nem isolantes. Os trs principais so o Germnio, Silcio e o Carbono. Esses materiais so divididos em semicondutores intrnsecos e extrnsecos. O primeiro trata-se dos que so encontrados na forma pura, sem outros elementos. Os extrnsecos, tambm chamados de dopados, possuem certas impurezas que so utilizadas para o controle de sua capacidade eltrica, ou seja, para estabilizar o tetravalente em questo. Dentre os semicondutores dopados temos o semicondutor TIPO P e o semicondutor TIPO N. Tipo P: So semicondutores dopados com impurezas trivalentes, gerando lacunas. Devido a essa dopagem, h uma grande quantidade de lacunas e uma falta de eltrons. Tipo N: So semicondutores dopados com impurezas pentavalente, gerando eltrons livres. Com isso, h uma maior quantidade de eltrons livres, e uma pequena quantidade de lacunas. Uma juno P-N consiste numa interface entre as duas diferentes camadas dopadas de um material semicondutor, estabelecendo um campo eltrico que define a direo de um fluxo de eltrons estimulados pela luz ou pelo calor.

Entre as duas interfaces criada uma camada de depleo (zona vazia) que funciona como uma barreira potencial, que apresentam um valor de tenso que as molculas no conseguem romper para formar novas ligaes. Um tipo de material P-N o diodo. Dentre
Figura 1 Juno P-N

uma

das

suas

utilizaes

est

transformar corrente alternada em contnua.

Para se livrar da zona vazia, os eltrons devem se mover da rea tipo-N para a rea tipo-P e os buracos no sentido inverso. Para fazer isto, conecta-se o lado tipo-N do diodo ao terminal negativo do circuito e o lado tipo-P ao terminal positivo, como na figura 2. Os eltrons livres no material tipo-N so repelidos pelo eletrodo negativo e atrados para o eletrodo positivo. Os buracos no material tipo-P se movem no sentido contrrio. Quando a diferena de potencial entre os eletrodos alta o suficiente, os eltrons na zona vazia so retirados de seus buracos e comeam a se mover livremente de novo. A zona vazia desaparece e a carga se move atravs do diodo. Se a inteno for mover a corrente no sentido oposto, com o lado tipo-P conectado ao terminal negativo do circuito e o lado tipo-N conectado ao polo positivo, figurav3, a corrente no fluir. Os eltrons negativos no material tipo-N so atrados para o eletrodo positivo. Os buracos positivos no material tipo-P so atrados para o eletrodo negativo. Nenhuma corrente flui atravs da juno porque os buracos e os eltrons esto cada um se movendo no sentido errado. A zona vazia ento aumenta.

Figura 2 Diodo ligado a uma bateria

Figura 3 Inverso dos polos

Curva caracterstica de um diodo

A curva caracterstica de um diodo um grfico que relaciona cada valor da tenso aplicada com a respectiva corrente eltrica que atravessa o diodo.

Polarizao direta:

Polarizao reversa:

Grfico completo: A tenso para a qual a corrente comea a aumentar rapidamente chamada de tenso de joelho. (No Si aprox. 0,6V). Se for aumentando a tenso reversa aplicada sobre o diodo, chega um momento em que atinge a tenso de ruptura (varia muito de diodo para diodo) a partir da qual a corrente

aumenta sensivelmente. Salvo o diodo feito para tal, os diodos no podem trabalhar na regio de ruptura. LED - O LED um diodo semicondutor (juno P-N) que quando energizado emite luz visvel por isso LED (Diodo Emissor de Luz). A luz no monocromtica (como em um laser), mas consiste de uma banda espectral relativamente estreita e produzida pelas interaes energticas do eltron. O processo de emisso de luz pela aplicao de uma fonte eltrica de energia chamado eletroluminescncia. Em qualquer juno P-N polarizada diretamente, dentro da estrutura, prximo juno, ocorrem recombinaes de lacunas e eltrons. Essa recombinao exige que a energia possuda pelos eltrons seja liberada, o que ocorre na forma de calor ou ftons de luz.

A energia dos ftons emitidos por eletroluminescncia dada por E hf. Esta energia igual energia de ligao do eltron no potencial Vf, ou seja, E = qxVF. Desta forma, podemos relacionar o comprimento de onda da luz emitida por um LED com sua tenso do corte atravs da relao: hf = = q Vf

OBJETIVOS

Observar o comportamento de um LED em polarizao direta e reversa e levantar sua curva caracterstica IxV; Medir o comprimento de onda da luz emitida por um LED.

MATERIAL UTLIZADO

Fonte de tenso contnua, multmetros digitais, painel de ligao, cabos, um LED, um resistor de 200

METODOLOGIA e RESULTADOS Foi montado o circuito abaixo, com R = 200 , e variou-se a fonte de 0 a 10V.

Figura 4 Circuito para a obteno da curva caracterstica do diodo

Observou-se que antes de 1,4v o LED no acende, isso porque esse valor corresponde a queda de tenso do diodo. Aps tal valor o brilho aumenta proporcionalmente a tenso.

Trocou-se a polarizao da tenso aplicada e repetiu-se a variao de tenso de 0 a 10V. Nesse momento nada ocorreu visualmente, o LED no acendeu. Porm, sabe-se que ocorre o aumento da regio de depelao.

Ajustou-se a fonte para 2V, e em seguida conectou-se o voltmetro aos terminais do LED. Foi feita nova variao nos valores de tenso e obteve-se os seguintes valores:

Fonte Voltmetro Ampermetro 0V 1V 2V 3V 4V 5V 5V 7V 8V 9V 10V 0,000V 1,186V 1,750V 1,842V 1,886V 1,918V 1,945V 1,965V 1,974V 1,988V 1,998V 0 mA 0 mA 2,04 mA 7,35 mA 11,76 mA 16,09 mA 21,03 mA 25,79 mA 29,89 mA 34,92 mA 40,03 mA

Tabela 1 Valores de leitura dos multmetros

A partir desses valores montou-se o grfico a seguir:

Ajustou-se uma reta sobre a parte aparentemente retilnea do grfico, que corresponde aos 5 ltimos pontos da Tabela 1. Com esses pontos encontrouse um novo grfico:

A inclinao da reta igual a 343,37. A resistncia corresponde a = = 0,0029 K = 2,9 .

Para encontrar Vf, considera-se R = 2,9 e I = 40,03 mA. Por meio da equao V = RxI, temos: Vf = (2,9 ) x (40,03 x 10-3 A) = 116,08 x 10-3 v. O erro encontrado no grfico corresponde a 59,098%.

Como a fonte de tenso de corrente contnua, podemos generalizar os clculos para Lei de Ohm. I=

= 0,05 A

O encontrado experimentalmente foi de 40,03 mA = 0,04003 A

A frequncia do fton emitido pelo LED Vermelho ( Vf = 1,8) hf = = q Vf

Substituindo valores: 6,63X10-34 x f = ( 1,6x10-19 ) (1,8 ) f = 4,34 X 10-1

CONCLUSO

Por meio do experimento foi possvel verificar a teoria sobre o dodo e verificar experimentalmente o grfico conhecido teoricamente. O LED um bom emissor de luz, pois possui baixa resistncia, dessa forma ele esquenta menos e dura mais.

BIBLIOGRAFIA

Materiais semicondutores. Disponvel:<http://ldev.wordpress.com/2009/03/10/materiais-semicondutores/>. Acesso em: 11/08/2013

Materiais semicondutores. Disponvel em:<http://eletronicos.hsw.uol.com.br/led1.htm>. Acesso em: 11/08/2013