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Fsica de semiconductores Semiconductores

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Teora de bandas Cristales Teora se semiconductores Aplicaciones

Escuela Politcnica Nacional FISICA GENERAL 3


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Resistividad vs. Temperatura

Figure 11.1: (a) Conductor tpico. Resistividad crece con incremento de la temperatura (b) Conductor a bajas temperaturas. Curva se aplana y se aproxima a resitencia diferente a cero para T 0. (c)Semiconductor tpico. La resistividad se incrementa con T 0.

Teora de Bandas
Toma encuenta la disminucin de la resistividad con el incremento de la temperatura Funciones de onda se traslapan los niveles se ensanchan (continuo)=BANDA Bandas de energa Estados de energa de los electrones son cercanos al continuo sobre ciertos rangos, con ''brechas'' (gaps) de energa permitidas entre estas bandas.

Bandas de energa completamente llenas Brecha de energa Bandas de conduccin


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Conductor

Bandas parcialmente llenas (estados vacios) Traslape de bandas Requiere energa e- pueden exitarse
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Aislante

Banda valencia=llena Banda prohibida Banda conduccion = vaca e- pueden exitarse

Semiconductor

Temperaturas bajas semiconductor= aislante Temperaturas altas semiconductor=conductor


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Semiconductores
Intrnseco: Sin impurezas Extrnseco: Con impurezas Dopado Donor:
* e- libres * semiconductor tipo n

Teora de bandas

Funciones de onda conocidas de dos tomos de hidrgeno (lo suficiente lejos para que no interactuen)

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Teora de bandas

Interaccin de tomos se acercan

Simtrico

Asimetrico

Estado Simetrico: e- tiene probabilidad diferente de cero de estar en la mitad del camino entre dos tomos. Energa de enlace ms fuerte Estado Antimtrico: e- tiene probabilidad zero de estar en esta posicin.
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Teora de bandas
Divisin de los niveles de energa posibles (1s,2s, 2p, 3p....) Aaden ms tomos separacin adicional de niveles de energa Gran nmero de tomos niveles se dividen en bandas de energa

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Modelo de Kronig-Penney

(Como entender) Brecha de energa = modelar la interaccin entre los electrones y la red de los tomos Kronig-Penney :un modelo unidimensional de la interaccin de un electrn en una red en 1931
Asumieron un electrn en un arreglo infinito de pozos de potencial finitos. Cada pozo de potencial modela la atraccin de un tomo en la red Tamao de los pozos corresponde aproximadamente al espacio reticular
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Modelo Kronig-Penney
Movimiento de un electrn en una red cristalina peridica unidimensional. Electrn en arreglo de pozos de potencial finitos Pozo modela atraccin de tomo en la red Tamao pozo espacio reticular

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Celda Unitaria

Cristales. Definiciones

La unidad de repeticin ms pequea de una estructura cristalina, en 3D,que muestra toda la simetra de la estructura.
Celda unitaria con: 3 lados (a, b, c) 3 ngulos ( , , )

se repite en todas las direcciones cristal

ESTRUCTURA SIMTRICA Celdas unitarias IDENTICAS NO ESPACIOS ENTRE CELDAS ADYACENTES

Modelo Kronig-Penney
Movimiento de un electrn en una red cristalina peridica unidimensional. Electrn en arreglo de pozos de potencial finitos Potencial de interaccin peridico con los iones Pozo modela atraccin de tomo en la red Interaccin con los ncleos atmicos es de corto alcance Electrn en el cristal es una partcula libre, con una masa efectiva Tamao pozo espacio reticular
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Modelo Kronig-Penney
Movimiento de un electrn en una red cristalina peridica unidimensional. - Electrn atraviesa DOS REGIONES - Movimiento descrito por ecuacin SCHRDINGER

INDEPENDIENTE DEL TIEMPO:

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Modelo Kronig-Penney

0 < x < a ELECTRON LIBRE donde k: a < x < a+b y E<Vo EFECTO TUNEL donde k:

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Kronig-Penney Model

Soluciones en el limite:

+1 y -1

donde K es otro numero de onda


Existen ZONAS PROHIBIDAS para la solucin (Forma restringida)

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Zonas Prohibidas
2ba / 2 = 3 / 2

Energa
Zonas de energi prohibida= gaps

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Modelo Kronig-Penney vs Pozo potencial simple


Modelo: RED INFINITA Energas permidas (Banda continua) Realidad: RED FINITA Energas permidas (Banda continua) 1) Modelo: Cristal 1D Vector de onda ??? Realidad: Cristal 3D Vector r de onda (Zonas de Brillouin)D k 1) Modelo: Modelo sencillo Brecha de energa = tamao uniforme Realidad: Modelo complicado Brecha de energa cambia
1)

de la red

SEMICONDUTORES

impurezas e imperfecciones
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Teora de bandas y Conductividad


Buenos conductores entendidos usando el electrn libre Conductor con banda llena (electrones no libres) Bandas superpuestas (traslapadas), no huecos

campo elctrico aplicado electrn SALTE desde banda llena a nivel + energtico

CONDUCCION

Conducin con resistencia superior a los metales (semimetales)


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Bandas de valencia y conduccin


Banda de valencia banda de energa llena en aislantes y semiconductores Banda de conduccin banda de alta energa Brecha de energa Grande aislante Dificil superar brecha por un campo aplicado Mov. trmico no mueve gran # e- a banda conduccion Pequea semiconductor E< 1eV Campo elctrico aplicado produce corriente # e- suficientes para moverse
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Semiconductores
Si T incrementa Calor CALOR

METALES Electrones

SEMICONDUCTORES

Vibraciones de la red
CALOR
PARTICULA ONDA

CALOR
PARTICULA ONDA

T resistencia

T resistencia

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ELECTRONES

FONONES

Lundstrong y Joang 2011.

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Efecto Mssbauer
ANTES de la TEORIA Mssbauer
Yes~! I am a nuclei at ground state. I am a nuclei excited state.

I want to go to the excited state.

You will be unstable. Do you want it?

Ok. I will give you a gamma ray for your exciting.

Thank you! The energy of my gamma should be smaller than excited since I should be recoiled.

This energy is not enough for my exciting.

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Efecto Mssbauer
DESPUES DE LA TEORIA MOSSBAUER
I am a nuclei at ground state. I am a nuclei excited state.

I can give you an energy for your exciting. I am K-U.Choi nuclei. I have a different flavor than yours.

Really? but.. I dont believe you. -_-;;

K-U.Choi stick me on this space with silicon! so I can have little momentum.

Really? I believe you then.

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