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UNIVERSIDAD DE SAN CARLOS DE GUATEMALA FACULTAD DE INGENIERIA LABORATORIO DE ELECTRONICA ELECTRONICA 4

2013
ELECTRONICA DE POTENCIA

GRUPO A 201

30/09/2013

QUE ES LA ELECTRONICA DE POTENCIA? Es una de las ramas de la ingeniera elctrica, en ella se combina la energa, la electrnica y el control. El control se encarga del rgimen permanente y de las caractersticas dinmicas de los sistemas de lazo cerrado. La energa tiene que ver con el equipo de energa de potencia esttica y rotativa o giratoria, para la generacin, transmisin y distribucin de energa elctrica. La electrnica se ocupa de los dispositivos y circuitos de estado slidos requeridos en el procesamiento de seales para cumplir con los objetivos de control deseados. La electrnica de potencia se puede definir como la aplicacin de electrnica de estado slidos para el control y la conversin de la energa elctrica.

DISPOSITIVOS SEMICUNDOCTORES DE POTENCIA RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR) El SCR es un dispositivo de cuatro capas posee tres terminales: nodo, ctodo y puerta (gate). Presenta dos estados de operacin: abierto y cerrado, como si se tratase de un interruptor.

CARACTERISTICA TENSION INTENSIDAD

Para valores negativos del voltaje aplicado, como en un diodo, slo habr una corriente muy pequea hasta que se alcance la tensin de ruptura (VRB), En cuanto a la parte de polarizacin positiva, el diodo no conduce hasta que se recibe un pulso de tensin en el terminal de puerta (gate). Una vez recibido, la tensin entre nodo y ctodo cae hasta ser menor que un voltio y la corriente aumenta rpidamente, quedando limitada en la prctica por componentes externos. Podemos ver en la curva cuatro valores importantes. Dos de ellos provocarn la destruccin del SCR si se superan: VRB e IMAX. Los otros dos valores importantes son la tensin de cebado VBO (Forward Breakover Voltage) y la corriente de mantenimiento IH.

CIRCUITO PRACTICO DE PRUEBA

APLICACIONES DEL SCR Una aplicacin muy frecuente de los SCR es el control de potencia en alterna en reguladores (dimmer) de lmparas, calentadores elctricos y motores elctricos. En la Figura se muestra un circuito de control de fase de media onda y resistencia variable. Entre los terminales A y B se aplican 120 V (AC). RL representa la resistencia de la carga (por ejemplo un elemento calefactor o el filamento de una lmpara). R1 es una resistencia limitadora de la corriente y R2 es un potencimetro que ajusta el nivel de disparo para el SCR. Mediante el ajuste del mismo, el SCR se puede disparar en cualquier punto del ciclo positivo de la onda en alterna entre 0 y 180, como se aprecia en la Figura

Cuando el SCR se dispara cerca del principio del ciclo (aproximadamente a 0), como en la Figura (a), conduce durante aproximadamente 180 y se transmite mxima potencia a la carga. Cuando se dispara cerca del pico positivo de la onda, como en la Figura 8 (b), el SCR conduce durante aproximadamente 90 y se transmite menos potencia a la carga. Mediante el ajuste de RX, el disparo puede retardarse, transmitiendo as una cantidad variable de potencia a la carga. Cuando la entrada en AC es negativa, el SCR se apaga y no conduce otra vez hasta el siguiente disparo durante el ciclo positivo. Es necesario repetir el disparo en cada ciclo como se ilustra en la Figura 2. El diodo se coloca para evitar que voltaje negativo en AC sea aplicado a la gate del SCR.

TRIAC Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Se puede disparar mediante un pulso de corriente de gate.

En la curva caracterstica se indica que para diferentes disparos, es decir, para distintas corrientes aplicadas en gate, el valor de VBO es distinto. En la parte de polarizacin positiva, la curva de ms a la izquierda es la que presenta un valor de VBO ms bajo, y es la que mayor corriente de gate precisa en el disparo. Para que este dispositivo deje de conducir, hay que hacer bajar la corriente por debajo del valor IH.

APLICACIN: Al igual que el SCR, se emplean para controlar la potencia suministrada a una carga. El triac puede dispararse de tal modo que la potencia en alterna sea suministrada a la carga durante un tiempo determinado de cada ciclo. La diferencia con el SCR es que se puede disparar tanto en la parte positiva que en la negativa del ciclo, de tal manera que la corriente en la carga puede circular en los dos sentidos.

TRANSISTOR IGBT La sigla IGBT corresponde a las iniciales de isolated gate bipolar transistor o sea transistor bipolar de puerta de salida El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los atributos del TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. El smbolo ms comnmente usado se muestra en la figura . Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenmeno de ruptura secundario como el TBJ. El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo electrnico que generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control

de puerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta. Es un componente de tres terminales que se denominan GATE (G) o puerta, COLECTOR (C) y EMISOR (E) y su smbolo corresponde al dibujo de la figura siguiente.

Su estructura microelectrnica es bastante compleja es por ello que lo describimos en base a su esquema equivalente.

CURVA CARACTERISTICA IGBT:

CARACTERISTICAS A TENER EN CUENTA EN UN IGBT: IDmax Limitada por efecto Latch-up. VGSmax Limitada por el espesor del xido de silicio. Se disea para que cuando VGS = VGSmax la corriente de cortocircuito sea entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda soportarla durante unos 5 a 10 μs. y pueda actuar una proteccin electrnica cortando desde puerta. VDSmax es la tensin de ruptura del transistor pnp. Como α es muy baja, ser VDSmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV). La temperatura mxima de la unin suele ser de 150C (con SiC se esperan valores mayores) Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp.

Aplicacin del IGBT en PWM:

La Modulacin por Ancho de Pulso (PWM) es un sistema de control para los inversores con el cual se obtiene una onda de salida de notables caractersticas y elevada prestacin, con reducido contenido armnico y segn sea la aplicacin se puede optar por una salida de parmetros fijos o variables: Variacin de la tensin de salida. Variacin de la frecuencia. Variacin a relacin constante Tensin Frecuencia. El circuito de potencia es el puente, en este caso monofsico, normalmente implementado con transistores MOS o IGBT, debido a que en general trabaja con una frecuencia de conmutacin del orden de los 15 KHz. Segn la aplicacin, en PWM se lo utiliza entre 1KHz y 40 KHz y de hecho los elementos operan en conmutacin.

EL INVERSOR PUENTE TRIFSICO

TIRISTOR GTO (GATE TURN-OFF THYRISTOR)

Un tiristor GTO es un SCR que puede apagarse por una pulsacin suficientemente grande en su compuerta de entrada, aun si la corriente iD excede IH. se usan desde 1960, pero se potencializaron al final de los aos setenta. son comunes en las unidades de control de motores, ya que eliminan componentes externos para apagar los SCR en circuitos de cc. CARACTERISTICAS El disparo se realiza mediante una VGK >0 El bloqueo se realiza con una VGK < 0. La ventaja del bloqueo por puerta es que no se precisan de los circuitos de bloqueo forzado que requieren los SCR. La desventaja es que la corriente de puerta tiene que ser mucho mayor por lo que el generador debe estar mas dimensionado. El GTO con respecto al SCR disipa menos potencia. FUNCIONAMIENTO DEL GTO

Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista seal en el gate, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el nodo, pero una corriente de fuga (IA leak) existe. Con un

voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso dinmico de encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la aplicacin de una voltaje en inversa, solo una pequea corriente de fuga (IA leak) existe. Una polarizacin en inversa VAK puede ser alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del voltaje del voltaje de ruptura inverso depende del mtodo de fabricacin para la creacin de una regeneracin interna para facilitar el proceso de apagado. APLICACIONES Como el GTO tiene una conduccin de corriente unidireccional, y puede ser apagado en cualquier instante, ste se aplica en circuitos chopper (conversiones de dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc -ac) a niveles de potencia en los que los MOSFET's, TBJ's e IGBT's no pueden ser utilizados. A bajos niveles de potencia los semiconductores de conmutacin rpida son preferibles. En la conversin de AC - DC, los GTO's, son tiles porque las estrategias de conmutacin que posee, pueden ser usadas para regular la potencia, como el factor de potencia. a nivel industrial algunos usos son: troceadores y convertidores. Control de motores asncronos. Inversores. Caldeo inductivo. Rectificadores. Soldadura al arco. Sistema de alimentacin ininterrumpida (SAI). Control de motores. Traccin elctrica TIRISTOR IGCT

Un Tiristor Controlado por Puerta Integrada o simplemente Tiristor IGCT (del inglsIntegrated Gate-Commutated Thyristor) es un dispositivo semiconductor empleado en electrnica de potencia para conmutar corriente elctrica en equipos industriales. Es la evolucin del Tiristor GTO (del ingls Gate Turn-Off). Al igual que el GTO, el IGCT es un interruptor controlable, permitiendo adems de activarlo, tambin desactivarlo desde el terminal de control Puerta o G (del ingls Gate). La electrnica de control de la puerta est integrada en el propio tiristor.

COMPARACION DE VOLTAJE Y CORRIENTE Y FORMA DE ONDA DEL IGCT EN DESVIO

Tiristor controlado por MOS (MCT). El MCT es otro dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los atributos del MOSFET y el tiristor. Recientemente se puso en disponibilidad en el mercado y su aplicacin fundamental es en la electrnica de potencia. Extructura

Est integrado por 2 MOSFET, uno de ellos enciende al tiristor y el otro lo apaga. Existen diversos tipos de estructuras, pero todas ellas coinciden existe un tiristor pnpn que determina las propiedades de conduccin (y de bloqueo).

Caractersticas

Una baja cada de voltaje directo durante la conduccin. Un tiempo de activado rpido, tpicamente 0.4m s, y un tiempo de desactivado rpido, tpicamente 1.25m s, para un MCT de 300A, 500V. Bajas perdidas de conmutacin. Una baja capacidad de bloqueo voltaje inverso. Una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica mucho los circuitos de excitacin. Es posible ponerlo efectivamente en paralelo, para interrumpir corrientes altas, con slo modestas reducciones en la especificacin de corriente del dispositivo. No se puede excitar fcilmente a partir de un transformador de pulso, si se requiere de una polarizacin continua a fin de evitar ambigedad de estado.

Debido a que el tiempo de apagado del MCT es muy bajo (cerca de 1.5 ms) y que posee un elevado di/dt (1000 A/ms) y dv/dt ( 5000 V/ms), stas caractersticas superiores lo convierten en un dispositivo de conmutacin ideal y posee un tremendo potencial para aplicaciones en motores de media y alta potencia, as como en distintas aplicaciones en la electrnica de potencia.

CONVERTIDORES DE ENERGIA ELECTRICA

QUE ES UN RECTIFICADOR? En electrnica, un rectificador es el elemento o circuito que permite convertir la corriente alterna en corriente continua.

TIPOS DE RECTIFICADORES? Dependiendo de la seal de salida: Media onda. Onda completa. RECTIFICADOR MONOFASICO DE MEDIA ONDA... La parte negativa de la seal es rectificada. conseguimos elevar el valor medio de la seal.

Mientras mayor sea la inductancia, el paso por 0 se realizara con mayor retardo y por lo tanto el tramo negativo de tensin aumentara y el valor medio se reducir.

RECTIFICADOR ONDA COMPLETA Es el que se utiliza si lo que se desea es utilizar todo el voltaje del secundario del transformador (en el caso de un transformador con derivacin central). En el circuito con transformador con derivacin central, la tensin de salida depende de la mitad de la tensin del secundario En este circuito el transformador es alimentado por una tensin en corriente alterna. Los diodos D1 y D3 son polarizados en directo en el semiciclo positivo, los diodos D2 y D4 son polarizados en sentido inverso. Ver que la corriente atraviesa la resistencia de carga RL.

RECTIFICADOR TRIFSICO MEDIA ONDA Este tipo de convertidor nos proporciona una tensin de salida alta, en comparacin con los rectificadores controlados monofsicos. Es muy usado para trabajar con altas potencias, ya que se obtiene a la salida una corriente y voltaje bastante contino.

INVERSORES

Un inversor, tambin llamado ondulador, es un circuito utilizado para convertir corriente continua en corriente alterna. La funcin de un inversor es cambiar un voltaje de entrada de corriente directa a un voltaje simtrico de salida de corriente alterna, con la magnitud y frecuencia deseada por el usuario o el diseador. Los inversores son utilizados en una gran variedad de aplicaciones, desde pequeas fuentes de alimentacin para computadoras, hasta aplicaciones industriales para manejar alta potencia. Los inversores tambin son utilizados para convertir la corriente continua generada por los paneles solares fotovoltaicos, acumuladores o bateras, etc, en corriente alterna y de esta manera poder ser inyectados en la red elctrica o usados en instalaciones elctricas aisladas.

Un inversor simple consta de un oscilador que controla a un transistor, el cual es utilizado para interrumpir la corriente entrante y generar una onda cuadrada. Esta onda cuadrada alimenta a un transformador que suaviza su forma, hacindola parecer un poco ms una onda senoidal y produciendo el voltaje de salida necesario. Las formas de onda de salida del voltaje de un inversor ideal debera ser sinusoidal.

Los inversores ms modernos han comenzado a utilizar formas ms avanzadas de transistores o dispositivos similares, como los tiristores, los triac's o los IGBT's. Inversores ms eficientes utilizan varios artificios electrnicos para tratar de llegar a una onda que simule razonablemente a una onda senoidal en la entrada del transformador, en vez de depender de ste para suavizar la onda. Se pueden clasificar en general de dos tipos: 1) inversores monofasicos y 2) inversores trifasicos.

CIRCUITOS BASICOS DE PRUEBA INVERSOR DE FASE Esquema

DESCRIPCIN DEL CIRCUITO Se trata de un montaje de un transistor bipolar BJT, tipo NPN (MC 140) en emisor comn. El transistor est polarizado mediante un divisor de tensin compuesto por R1, R2, Rc y Re. R1 y R2 se encargan de que los 12V que se le aplican como alimentacin, queden reducidos a un valor adecuado para polarizar la base. Rc y Re son unas resistencias que limitan la intensidad que circula por el colector y por el emisor. C1 es un condensador de acoplamiento y C2 y C3 son condensadores de desacoplamiento, cuya misin es aislar la componente continua de la seal que se le aplica, de una etapa con respecto a la siguiente. Ve es por donde se le aplica la seal de entrada y Vs1 y Vs2 son los terminales de salida. Funcionamiento: Este circuito corresponde a un inversor trifsico de 2 niveles con modulacin PWM, que lo componen una seal moduladora senoidal, encargada de dar la referencia de la tensin de salida del inversor en forma y frecuencia y una seal portadora con forma triangular encargada de generar la frecuencia de los pulsos de disparo en los switch, los pulsos de disparo los conseguiremos por medio de la comparacin de la seal portadora y la seal moduladora, a esta comparacin se le denomina control PWM. Inversor Trifsico Diagrama esquemtico del circuito INVERSOR TRIFSICO

Funcionamiento:

Este circuito corresponde a un inversor trifsico de 2 niveles con modulacin PWM, que lo componen una seal moduladora senoidal, encargada de dar la referencia de la tensin de salida del inversor en forma y frecuencia y una seal portadora con forma triangular encargada de generar la frecuencia de los pulsos de disparo en los switch, los pulsos de disparo los conseguiremos por medio de la comparacin de la seal portadora y la seal moduladora, a esta comparacin se le denomina control PWM. Se utiliza este mtodo ya que posee la caracterstica de obtener una tensin en la carga similar en forma y frecuencia a la seal moduladora, cabe sealar que la amplitud de la seal moduladora no debe sobrepasar la seal portadora ya que de lo contrario se perdera el control de la tensin en la carga y se saturara esta tensin.

CICLOCONVERSORES Un cicloconversor es un Convertidor esttico de potencia que convierte un voltaje AC, como el suministro de conducto principal, a otro voltaje AC. La amplitud y la frecuencia del voltaje de entrada tienden a ser fijas, mientras que tanto la amplitud como la frecuencia del voltaje de salida pueden ser variables dependiendo del control. Tradicionalmente la conversin AC-AC se llevaba a cabo en dos etapas: primero de AC CD con un rectificador y luego de CD AC mediante un inversor. Los cicloconvertidores son circuitos diseados para llevara a cabo la conversin AC-AC sin esas dos etapas, lo que eleva el rendimiento y reduce la cantidad de componentes necesarios. La aplicacin tpica de este circuito es en el control de velocidad de motores sncronos y de induccin por medio de variacin de la frecuencia. En la figura se muestra el diagrama de bloques de un cicloconvertidor.

monofsico monofsico El circuito consiste de dos rectificadores conectados a la misma fuente de alimentacin monofsica. En el primer semiciclo se disparan los tiristores del puente llamado convertidor funcionando por una cierta cantidad de ciclos de la seal de entrada. En el segundo semiciclo funciona el convertidor durante la misma cantidad de ciclos que el convertidor +. As la carga recibe una tensin alterna compuesta por semiciclos de la tensin de entrada con una frecuencia que es un submltiplo de la original. Ver la figura 2. Cabe destacar que el ngulo de disparo puede variarse para ajustar el valor RMS de la tensin de salida. La forma de onda de la tensin de salida se muestra en la figura 3 para diferentes ngulos de disparo.

cicloconvertidor trifsico a monofsico El principio de operacin es el mismo que el anterior solo que los convertidores + y - pueden

ser del tipo rectificador de media onda o de onda completa.

trifsico a trifsico Generalmente son utilizados en el control de velocidad de motores de induccin trifsicos y se hace necesario el empleo de sistemas microprogramados para el control de disparo por puerta debido a la gran cantidad de tiristores que componen el circuito. Existen cicloconvertidores de media y onda completa para generar tensin trifsica de frecuencia ajustable. En la figura 6 se muestra un convertidor AC-AC de media onda y en la 7 uno de onda completa.

CUESTIONARIO
1. Para un dispositivo SCR, cuando la carga es inductiva es importante tomar en cuenta el tiempo que tarda la corriente en aumentar en una bobina. si el circuito es inductivo, como es el caso de los motores elctricos, entonces la corriente no puede sufrir cambios bruscos, pudiendo llegar a tener un retraso considerable respecto a la tensin. Qu problemas puede aparecer si la inductancia es alta? R/ si la inductancia es grande, hay que tomar en cuenta el ngulo de disparo y la potencia que queremos suministrar a la carga inductiva, por lo que no veo ningn problema en que la inductancia sea alta.

2. Las limitaciones el tiristor (SCR) por la pendiente de tensin dV/dt y la pendiente de intensidad dI/dt hacen necesario protegerlo para su optimo funcionamiento, si tiene un circuito como el de la figura 1, que tipo de proteccin implementara para minimizar los efectos de dV/dt y dI/dt.

R/ colocar una red RC en paralelo con el SCR y una L en serie. Calculo: mtodo de la constante de tiempo y mtodo de la resonancia.

3. Cules son los mtodos de disparo de un TRIAC? R/ Disparo por corriente continua, Disparo por corriente alterna. 4. El transistor IGBT es un hibrido, que tipo de caractersticas comparte con otros componentes y porque estas caractersticas lo hacen tan especiales, ejemplifique alguna aplicacin. R/ combina los atributos de un transistor BJT y un MOSFET El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT. El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 20 KHz. Una aplicacin es la conmutacin en la etapa de potencia de los inversores.

5. Cul es la limitacin en frecuencia de la salida de un cicloconvertidor? R/ El mximo de la frecuencia de salida es inferior a la frecuencia de entrada, por lo que es un demultiplicador de frecuencia.

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