Fabricacin de clulas de silicio

OBTENCIN DE OBLEAS DE SILICIO

El Si es el elemento ms abundante en la corteza terrestre. Aparece en forma de arena o slice. El silicio que se emplea en la fabricacin de clulas fotovoltaicas no necesita ser tan puro como el utilizado en la fabricacin de circuitos integrados (Si grado semiconductor). Por eso, se habla de Si-grado solar, aunque en la actualidad se utiliza mayormente el Si grado semiconductor.
Steps to Obtaining Semiconductor Grade Silicon (SGS) Step 1 Description of Process Produce metallurgical grade silicon (MGS) by heating silica with carbon Purify MG silicon through a chemical reaction to produce a silicon-bearing gas of trichlorosilane (SiHCl3) SiHCl3 and hydrogen react in a process called Siemens to obtain pure semiconductorgrade silicon (SGS) Reaction

SiO + C (s) (l) Si+(s) + CO SiC (s)2+(s) SiO Si SiO(g) + CO (g) 2 (s) 2 (g)
Si (s) + 3HCl (g) SiHCl3 (g) + H2 (g) + heat

2SiHCl3 (g) + 2H2 (g) 2Si (s) + 6HCl (g)

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Cualquier semiconductor puede ser amorfo o cristalino, atendiendo al grado en que presenta una estructura atmica perfectamente ordenada y regular.

AMORFO CRISTALINO La estructura repetida en un cristal se denomina celda unidad.

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Cada celda unidad se sita en un sistema coordenado de 3 ejes. Las coordenadas de los distintos planos en ese sistema se conocen como ndices de Miller del cristal e identifican su orientacin. 1
Unit cell 0
Z Z

X 1

1Y
Z

Y X
(100)

Y X (110) X
(111)

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Entre los materiales con estructura cristalina podemos diferenciar dos clases bsicas: monocristales y policristales

Polycrystalline structure

Monocrystalline structure

En un monocristal todos los tomos se colocan segn una nica orientacin. En cambio, un policristal est formado por diferentes monocristales cada uno orientado en una direccin diferente.

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Entre los materiales con estructura policristalina podemos encontrar una nomenclatura ms especfica atendiendo al tamao de los monocristales que conforman el cristal de semiconductor. As, para el caso del silicio se distinguen las siguientes clasificaciones:
Descriptor Single crystal Multicrystalline sc-Si mc-Si Symbol Grain Size >10cm 1mm-10cm Common Growth Techniques

Czochralski float zone (FZ)

(CZ)

Cast, sheet, ribbon Chemical-vapour deposition Plasma deposition

Polycrystalline
Microcrystalline

pc-Si
c-Si

1m-1mm
<1m

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El silicio multicristalino es ms barato aunque de inferior calidad que el Si monocristalino.
La calidad se reduce por la presencia de fronteras de grano (entre los monocristales en contacto) que funcionan como centros de recombinacin localizados. Adems, las fronteras de grano reducen la eficiencia de las clulas al bloquear el flujo de portadores y crear caminos alternativos para la corriente que atraviesa la unin p-n (reduce el valor de la resistencia paralela).

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Para obtener Si multicristalino se deposita el Si fundido en un crisol muy grande y se deja enfriar lentamente para formar cristales de gran tamao:

Crisol: 50cm x 50cm x 25cm

Horno a T > 1415C (Si funde)

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Bloque de Si multicristalino extraido del horno:

Bloque: 50cm x 50cm x 25cm

Una sierra mecnica divide el bloque en ladrillos.

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A partir de los ladrillos pueden obtenerse obleas de Si multicristalino:

Oblea mc-Si 10x10 cm2 texturizada. Los granos de diferente orientacin se muestran claros u oscuros.

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La tcnica ms utilizada para la obtencin de obleas de Si es la de Czochralski. Consiste en la obtencin de cilindros monocristalinos a partir de una semilla con la orientacin deseada:
Crystal puller and rotation mechanism

Crystal seed

Single crystal silicon Quartz crucible Carbon heating element

Molten polysilicon Heat shield Water jacket

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Controlando la temperatura y la velocidad de extraccin y rotacin se consigue el dimetro deseado. El crecimiento dura varias horas.

Kayex Corp., 300 mm Si CZ crystal puller

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Aunque el proceso de CZ se utiliza comnmente para sustratos comerciales, tiene varias desventajas para la obtencin de clulas solares de alta eficiencia. Las obleas de Si CZ contienen una gran cantidad de oxgeno. Las impurezas de oxgeno reducen la vida til de los portadores minoritarios en la clula solar, lo que reduce la tensin, corriente y la eficiencia. Adems, los complejos del oxgeno con otros elementos pueden ser activos a temperaturas ms altas, por lo que las obleas se vuelven sensibles al procesado a alta temperatura. Para superar estos problemas, se utiliza la tcnica de zona flotante (FZ). En este proceso, una pequea regin de Si es fundida y pasa lentamente a lo largo de todo el cilindro. Las impurezas permanecen en la regin fundida en lugar de ser incorporados en la regin solidificada, lo que permite obtener un monocristal muy puro.

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Esquema de un sistema de Zona Flotante:
Gas inlet (inert) Chuck

Polycrystalline rod (silicon) RF

Molten zone
Traveling RF coil

Seed crystal Inert gas out

Chuck

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Pasos bsicos para la obtencin de obleas a partir de los lingotes o rodillos:

Crystal Growth

Wafer Lapping and Edge Grind

Cleaning

Shaping

Etching

Inspection

Wafer Slicing

Polishing

Packaging

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Determinacin del dimetro de obleas monocristalinas y marcado:
Preparing crystal ingot for grinding

Diameter grind

Flat grind

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Los biseles primario y secundario indican la orientacin cristalogrfica y tipo de dopado de la oblea de Si monocristalina:

P-type (111)

P-type (100)

N-type (111)

N-type (100)

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A continuacin se procede al corte del rodillo monocristalino en obleas de un espesor de entre 0,3 - 0,8 mm segn el dimetro.

Internal diameter wafer saw

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El corte de los ladrillos policristalinos puede hacerse tambin mediante unas sierra de hilos:

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Ataque qumico de la superficie de las obleas para eliminar el daado que produce la sierra:

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Se utilizan tambin procesos de pulido mecnico para tratar la superficie de la oblea:

Upper polishing pad

Wafer Slurry

Lower polishing pad

SILICIO SOLAR
El silicio utilizado para la fabricacin de clulas solares no necesita ser tan extraordinariamente puro como el empleado en la fabricacin de circuitos integrados. Incluso en la mayora de los casos no tiene porque ser monocristalino. La industria fotovoltaica se nutre de los desechos de la industria de los CIs. La alta demanda ha provocado un fuerte incremento del precio de estos sobrantes.

SILICIO SOLAR
En pocas de gran demanda el precio de estos sobrantes de Si puede multiplicarse por 10 lo que afectara negativamente al precio final de los sistemas fotovoltaicos. Por ello, en diversas ocasiones grandes empresas han planteado la posibilidad de crear industrias dedicadas a la obtencin de Silicio de grado solar y no depender de los excedentes de las empresas fabricantes de circuitos integrados. Sin embargo, para que la inversin en una planta de produccin de Si solar fuera rentable, la demanda de las empresas de fabricacin de clulas solares debera crecer y estar asegurada durante un largo periodo de tiempo. Algunos intentos de levantar este tipo de industria no han tenido xito hasta el momento.

LINEA DE PRODUCCIN DE CLULAS SOLARES

Vamos a ver paso a paso los procesos que tienen lugar para fabricar clulas solares de silicio (en este caso policristalino). Partiendo de la oblea de silicio el primer paso consiste en realizar una limpieza exhaustiva de la superficie de la misma y en su caso realizar el texturizado de la superficie para disminuir las prdidas pticas en la futura clula. Para manejar las obleas, stas se colocan en soportes que facilitan su manejo:

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Proceso de limpieza y texturing: Un bao de cido fluorhdrico para eliminar el xido superficial de las obleas y NaOH para el texturizado de la superficie:

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Tras el grabado superficial (texturing) las obleas deben pasar por numerosos ciclos de aclarado para eliminar los restos de cidos y atacantes. Finalmente las obleas son cargadas en una centrfuga donde reciben los ltimos aclarados y el proceso de secado:

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El paso siguiente es crear la unin p-n. En este caso se ha utilizado un sustrato tipo p por lo que debe doparse tipo n la cara superior de la clula. El proceso de dopado de semiconductores puede hacerse por dos tcnicas: difusin o implantacin inica.
Dopant gas

Oxide

Diffused region N

Oxide

p+ Silicon substrate

DIFUSIN

IMPLANTACIN INICA

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En el ejemplo que veremos se procede a hacer una difusin aplicando el dopante en forma de una capa en la superficie de la oblea que posteriormente debe calentarse en un horno para que el dopante penetre en el sustrato.
Primero, las obleas son transferidas a la cinta transportadora que las conduce al primer horno en el que se les aplica una capa conteniendo fsforo sobre la superficie.

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A la salida del primer horno prcticamente no se aprecia diferencia de color en las obleas ya que el recubrimiento que contiene el dopante es transparente. Una vez recubiertas las obleas pasan a un horno de mayor temperatura donde se produce la difusin. Este proceso dura aproximadamente una hora.

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Una vez formada la unin p-n las obleas se cargan de nuevo en sus soportes y se limpian con un ataque cido los restos de la capa de fsforo cristalizada que han quedado en la superficie de las obleas.

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Como tras esta difusin tambin la superficie lateral de las obleas se ha dopado tipo n se trata de eliminar la unin p-n presente en los laterales de la oblea:
p-Si
p-Si

Para ello, las obleas se colocan con sus superficies presionadas en contacto y se introducen en un equipo donde recibirn un ataque por plasma de las superficies expuestas. De esta forma se aisla la parte trasera (base) del contacto superior (emisor) de la clula.

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A continuacin se procede a recubrir la superficie con una capa antireflejante. Normalmente se utiliza el nitruro de silicio que acta tambin como pasivante de la superficie eliminando los centros de recombinacin superficiales que tanto deterioran la eficiencia de la clula. Este recubrimiento se deposita por CVD (ChemicalVapor Deposition) una tcnica de crecimiento controlada que emplea normalmente la siguiente reaccin:
3SiH4 + 4NH3 -> Si3N4 + 12H2

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En el video se muestra el proceso de carga de las obleas en el equipo de CVD y la salida de las obleas con su capa antireflejante de nitruro de silicio que le da el caracterstico color azul que presentan la mayora de las clulas solares de silicio.

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El siguiente paso consiste en la fabricacin de los contactos metlicos para recolectar la corriente. En el caso que estamos analizando estos contactos se realizan por la tcnica de screen-printing:

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Primero se depositan los contactos superiores y despus el posterior. Para el contacto superior (cara expuesta a la luz solar) se emplea pasta de plata y se deposita para formar los buses y fingers de la clula por screen-printing:

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Despus de depositar la pasta de plata es necesario proceder al secado. En un horno alrededor de 200C se evaporan los disolventes orgnicos presentes en la pasta metlica para que se endurezca. Una vez que la pasta se ha secado las obleas se cargan de nuevo en la cinta transportadora para continuar la lnea de fabricacin.

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La pasta de plata una vez seca puede verse como un fino polvo de plata adherido a la superficie de la oblea. Para que se forme un buen contacto hmico entre la plata y el silicio, que permita extraer la corriente, es necesario hacer un aleado fuerte conocido como Firing que se realiza posteriormente.

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A continuacin se fabrica el contacto posterior que comprende dos fases. La primera ser realizar un dopado tipo p+ de la parte posterior del sustrato para generar un BSF (Back Surface Field) que apantalle la posible recombinacin en este contacto. Con este fin, mediante la tcnica de screen-printing se deposita una gruesa pasta de Aluminio cubriendo casi toda la cara posterior.

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Este proceso de deposicin de la capa gruesa de aluminio es bastante caro. Solo quedan libres pequeas zonas que se reservan para la pasta de plata que se utilizar para el contacto elctrico posterior. La pasta de aluminio est muy hmeda y debe manejarse con mucho cuidado ya que cualquier gota que tocase la superficie contraria cortocircuitara la clula inutilizndola. Por ello es necesario tambin proceder a su secado.

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Para finalizar el proceso de Screen-printing las obleas con la pasta de aluminio aleada se transportan al equipo que lleva a cabo la segunda fase, que consiste en la deposicin de pasta de plata en las zonas descubiertas de la parte posterior de la oblea. La razn de utilizar plata en lugar de aluminio es para facilitar la posterior soldadura de las tiras que forman el cableado de cada clula.

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Se procede tambin al secado a baja temperatura (200C) de la pasta de plata. Y finalmente, se procede al Firing de las clulas para que se forme un buen contacto hmico entre la plata y el silicio y mejore la adherencia y unin entre ambos materiales .

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El siguiente video ofrece una visin global de la cadena completa de screen-printing (SP): SP superior de Ag + secado + SP posterior de Al + secado + SP posterior de Ag + secado + firing

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El paso final para completar la fabricacin consiste en testear cada clula para comprobar su funcionamiento. Para ello cada clula individual es cargada en el tester que puede diferenciarse en el vdeo por ser la zona fuertemente iluminada:

LINEA DE PRODUCCIN DE CLULAS SOLARES

Con los resultados obtenidos en el test el sistema es capaz de clasificar las diversas obleas segn su mejor o peor funcionamiento. Un sistema automatizado coloca cada clula individual en el montn con comportamiento ms similar al suyo propio.

Referencias
http://www.pveducation.org/pvcdrom

Cuestiones
Qu silicio necesita estar ms purificado: el que se emplea en la metalurgia o el silicio de grado solar? El silicio que se utiliza como materia prima para la fabricacin de clulas solares tiene que ser monocristalino como el que se utiliza para la fabricacin de circuitos integrados? Qu tipo de silicio: multicristalino, policristalino o microcristalino, dara a priori clulas con mejor eficiencia? Porqu? Para fabricar clulas solares de Si monocristalino que tcnica sera ms recomendable emplear Czochralski o zona flotante? Porqu? Por qu es necesario eliminar la unin p-n de los laterales de las obleas en la fabricacin de clulas solares? Qu da a las clulas solares de Si el caracterstico color azul de su superficie? Porqu no se utiliza aluminio como metal para hacer los fingers, buses y los contactos traseros de la clula solar si tiene menor temperatura de fusin? Porqu es necesario el aleado final firing de la clula?