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Marcos Matsunaga Yamaguti

Andrei Paula Leite Paz




Desenvolvimento de
aparelho para
eletroestimulao
neuromuscular funcional

Braslia-DF
2009
Universidade de Braslia


Faculdade de Tecnologia
Departamento de Engenharia Eltrica
Trabalho de Concluso do Curso de Engenharia Eltrica
Desenvolvimento de aparelho
para eletroestimulao
neuromuscular funcional

Banca Examinadora

_______________________________________
Adson Ferreira da Rocha

_______________________________________
Janana Gonalves Guimares

_______________________________________
Juliana Fernandes Camapum



Braslia-DF, julho de 2009












Dedicatria
Aos meus pais Francisco Mitsuo Yamaguti e
Odette Midori Matsunaga Yamaguti pela
dedicao e ensinamentos.
Ao meu irmo Leandro Matsunaga
Yamaguti pela fora.
minha namorada Carolina Ery Hosaka de
Vasconcelos, pelo amor e apoio.
A Deus, por tudo.
Marcos Matsunaga Yamaguti
A minha parceira Brbara Isaura de Macedo,
pela admirao e companheirismo.
Ao meu pai Francisco das Chagas Paz, por
no me deixar desistir.
A minha me Jacqueline Paula Leite Paz,
pelo carinho e amizade.
A Deus, pela maravilhosa vida.
Andrei Paula Leite Paz


Agradecimentos
Ao professor Adson Ferreira da Rocha, pela orientao neste trabalho.
professora Janana Gonalves Guimares, pelo apoio.
professora Juliana Fernandes Camapum.
Aos nossos colegas de curso, pela amizade e pelo companheirismo.
Universidade de Braslia pelo apoio.
Aos membros do laboratrio GPDS.
A Deus.
















Resumo deste trabalho de concluso de curso para obteno do certificado de
graduao em Engenharia Eltrica pela Universidade de Braslia.
Desenvolvimento de aparelho para eletroestimulao
neuromuscular funcional
Julho/09

Autores: Marcos Matsunaga Yamaguti
Andrei Paula Leite Paz
Orientador: Adson Ferreira da Rocha
rea de concentrao: Engenharia Biomdica
Palavras-chave: eletroestimulao, CI 555, monoestvel, astvel.
Nmero de pginas: 42

O presente trabalho consiste no projeto, simulao e implementao de um
aparelho destinado eletroestimulao neuromuscular funcional. Este tipo de
aparelho pode ser utilizado tanto para fins teraputicos quanto para fins de
fortalecimento e tonificao muscular. Seu uso consiste na aplicao de uma
corrente eltrica controlada na superfcie da pele, por meio de eletrodos de contato.
Esto presentes, portanto, a anlise e o diagrama do circuito, a descrio dos
componentes e a simulao deste prottipo, neste trabalho.



Abstract of work for conclusion of course to obtain a certificate of graduation in
Electrical Engineering from the University of Brasilia.
Development of functional neuromuscular electrical
stimulation device
July/09

Autores: Marcos Matsunaga Yamaguti
Andrei Paula Leite Paz
Advisor: Adson Ferreira da Rocha
Area of Concentration: Biomedical Engineering
Keywords: electrical stimulation, IC 555, monostable, astable.
Number of pages: 42

This work deals with the design, simulation and implementation of a device
for neuromuscular functional electrical stimulation. This type of device can be
used both for therapeutic purposes and for purposes of strengthening and muscle
fortifying. Its use consists of applying a controlled electric current on the surface of
the skin through electrodes in contact. Are present, therefore, the analysis f the
circuit and the circuit diagram, description of components and simulation of this
prototype, in this work.


Sumrio
Introduo ..................................................................................................................................................... 1
Objetivos ....................................................................................................................................................... 4
Fundamentao Terica ................................................................................................................................ 5
3.1 Interao fisiolgica da eletroestimulao .......................................................................................... 5
3.2 Riscos da eletroestimulao ................................................................................................................ 7
Descrio do circuito eltrico ..................................................................................................................... 11
4.1 Configurao bsica .......................................................................................................................... 11
4.2 Descrio dos componentes .............................................................................................................. 13
4.2.1 O circuito integrado 555 ............................................................................................................ 13
4.2.1.1 Comparador simples. .......................................................................................................... 15
4.2.1.2 Funcionamento do flip-flop RS:.......................................................................................... 16
4.2.2 Modos de operao do CI 555 ................................................................................................... 16
4.2.2.1 Operao Monoestvel ........................................................................................................ 17
4.2.2.2 Operao Astvel ................................................................................................................ 19
4.2.3 Resistores Fixos ......................................................................................................................... 22
4.2.4 Resistores Variveis ................................................................................................................... 23
4.2.5 Capacitores ................................................................................................................................. 24
4.2.6 Diodos de Juno ....................................................................................................................... 26
4.2.7 Amplificadores Operacionais ..................................................................................................... 27
4.2.8 Transistor Bipolar de Juno ...................................................................................................... 29
Simulao do circuito ................................................................................................................................. 32
Anlise dos resultados ................................................................................................................................. 39
Concluso .................................................................................................................................................... 41
Referncias Bibliogrficas .......................................................................................................................... 42






Lista de Figuras e Tabelas

Figura 01 Diagrama esquemtico do circuito eltrico do aparelho eletroestimulador.
Figura 02 Diagrama esquemtico do circuito integrado 555.
Figura 03 Diagrama resumido do circuito integrado 555.
Figura 04 Esquemtico do comparador simples.
Figura 05 Configurao do 555 para operao em modo monoestvel.
Figura 06 Configurao do 555 (pinagem) para operao em modo monoestvel.
Figura 07 Curvas de operao para o modo monoestvel.
Figura 08 Configurao do 555 para operao em modo astvel.
Figura 09 Configurao do 555 (pinagem) para operao em modo astvel.
Figura 10 Curvas de operao para o modo astvel.
Figura 11 Configurao (CI) para igual durao entre os nveis alto e baixo .
Figura 12 Configurao (pinagem) para igual durao entre os nveis alto e baixo.
Figura 13 Relao entre a rea, o comprimento e a resistividade.
Figura 14 Juno PN.
Figura 15 Curva corrente x tenso do diodo.
Figura 16 Esquema de ligao do dispositivo limitador duplo.
Figura 17 Representao do amplificador operacional.
Figura 18 Esquema de ligao do amplificador operacional.
Figura 19 Diagrama do transistor bipolar de juno.
Figura 20 Forma de onda na sada do gerador de sinais.
Figura 21 Forma de onda no trigger do primeiro CI.
Figura 22 Forma de onda na descarga do primeiro CI.
Figura 23 Forma de onda no trigger do segundo CI.
Figura 24 Forma de onda na descarga do segundo CI.
Figura 25 Forma de onda na sada do segundo CI.
Figura 26 Forma de onda aps a primeira queda de tenso (8,81 V).
Figura 27 Forma de onda na entrada no inversora do primeiro amp-op.
Figura 28 Forma de onda na sada do segundo amp-op.
Figura 29 Forma de onda aps a queda de tenso na sada do segundo amp-op.
Figura 30 Forma de onda da corrente que excita o transistor.
Figura 31 Forma de onda da corrente no primrio do transformador.
Figura 32 Forma de onda na sada do transformador.
Figura 33 Forma de onda da sada para uma variao de R2.
Figura 34 Tempo de subida e durao do pulso.
Figura 35 Intervalo entre pulsos.

Tabela 01 Tabela resumo do flip-flop RS.
Tabela 02 Parmetros do transistor.



Lista de siglas

CMOS Complementary Metal-Oxide-Semiconductor
MOS - Metal-Oxide-Semiconductor
FET Field Effect Transistor
JFET Junction Field Effect Transistor
MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor
TBJ Transistor Bipolar de Juno
DIP Dual In-line Package
OP Operational Amplifier
CI Circuito Integrado
LED Light Emitting Diode
1

INTRODUO

Sabe-se que desde a antiguidade h relatos sobre o uso dos fenmenos eltricos com fins
teraputicos. Entretanto o interesse maior do uso destes fenmenos eltricos relacionados ao
corpo humano intensificou-se durante o sculo XVIII. Em meados desse sculo, um cientista e
mdico italiano chamado Luigi Galvani deu incio a alguns estudos relacionados aos efeitos da
corrente eltrica na musculatura humana. Desde ento, este tipo de terapia foi crescendo at se
tornar uma das tcnicas mais utilizadas tanto no tratamento de quadros associados dor e
reabilitao neuromuscular quanto ao uso voltado ao fortalecimento e tonificao muscular.
A eletroestimulao uma tcnica que consiste na aplicao de pulsos de corrente
eltrica sobre a pele (atravs de eletrodos) que estimulam msculos, nervos e tecidos,
provocando vrios benefcios, dentre eles, cita-se:
restaurao total ou parcial da funo motora em pacientes com leso medular,
auxiliando principalmente deficientes fsicos (hemiplgicos, paraplgicos e tetraplgicos) nas
suas atividades bsicas dirias como locomoo ou preenso de objetos;
retardo de processos de dores agudas e crnicas, tais como artrite reumatide,
lombalgias, ciatalgias, cervicalgias, dores articulares e contuses;
retardo de processos inflamatrios como artrites, tendinites e bursites, causados
por leses por esforo repetitivo;
retardo dos quadros de atrofias por desuso, muitas vezes provocados por acidentes
vasculares cerebrais;
tratamento de incontinncia urinria;
tratamento da disfuno diafragmtica.

Para se compreender as respostas fisiolgicas dos msculos e tecidos ao estmulo eltrico
necessrio conhecer alguns fundamentos bsicos, tais como: passagem de corrente eltrica pelo
corpo, modulao, amplitude e freqncia de corrente eltrica. A passagem de eletricidade de um
2

ponto para outro determina, no corpo humano, algumas modificaes fisiolgicas decorrentes do
deslocamento de ons.
Ao aplicar pulsos eltricos atravs da pele, as unidades motoras que estiverem na rea
dos eletrodos, e que apresentarem limiares similares, sero recrutadas simultaneamente.
medida que a fadiga se instala nestas unidades, a tenso nos msculos comear a diminuir, a
no ser que se aumente a intensidade do estmulo aplicado, para que se recrutem novas unidades
motoras com limiares maiores, ou com limiares semelhantes, mas que estejam localizadas mais
distantes dos eletrodos. A fadiga excessiva ser evitada mediante a escolha adequada dos
parmetros utilizados, freqncias e tempo de durao da aplicao.
Bipsias de msculos dos seres humanos mostram mudanas marcantes nas
caractersticas das fibras e no seu metabolismo, aps a estimulao eltrica. Foram descritas, por
exemplo, alteraes na proporo entre as fibras de tipo I e II bem como o aumento de seus
tamanhos. Foi descrito que a estimulao eltrica propicia um maior aumento da desidrogenase
succnica, uma flavoprotena contendo ferro hemnico, que se toma como indicativo da
capacidade oxidativa mitocondrial, o que pode aumentar a capacidade aerbia do msculo [10].
Assim, percebe-se que o fluxo de estmulos nos nervos motores serve a princpio para
provocar contraes musculares, que promovem o fortalecimento das fibras musculares e a
facilitao do controle muscular, atravs das mudanas positivas no metabolismo das fibras
nervosas.
A estimulao eltrica pode ser de forma contnua ou intermitente. Na forma contnua, a
corrente eltrica aplicada sem intervalos, de forma constante; na intermitente, a emisso feita
com perodos alternados de repouso e aplicao, permitindo hipertrofia e fortalecimento
muscular. A intensidade da corrente eltrica nos equipamentos de eletroestimulao medida em
mA, o tempo de durao de um pulso padronizado em ms e a freqncia expressa em Hz.
Portanto, na eletroestimulao, a freqncia responsvel por quantizar e qualificar a
contrao muscular, j que ela determina a quantidade de pulsos aplicados dentro de um
intervalo de tempo (neste caso, segundos). A intensidade do estmulo outro fator bastante
importante, pois deve ser ajustada de forma a sobrepor a barreira da sensibilidade e provocar um
estmulo que atinja um patamar satisfatrio. A polarizao da onda tambm muito importante,
pois a aplicao de ondas unidirecionais provoca a chamada ionizao, o que no ocorre com as
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ondas bipolares ou bidirecionais. A ionizao um fenmeno que pode ocasionar diversas
queimaduras e leses.
No ltimo sculo os aparelhos para eletroestimulao foram objeto de pesquisas e
aprimoramentos de tal forma a tornar o uso da eletroestimulao bastante eficaz no tratamento de
vrias patologias e tambm no fortalecimento e tonificao musculares.

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OBJETIVOS
O objetivo deste trabalho projetar um prottipo de aparelho de eletroestimulao
neuromuscular funcional capaz de realizar tanto funes de tratamento de patologias quanto de
fortalecimento muscular em seres humanos. A metodologia usada baseia-se nas simulaes em
softwares de implementao de circuitos eletrnicos com resultados em grficos.














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FUNDAMENTAO TERICA

3.1 INTERAO FISIOLGICA DA ELETROESTIMULAO

Deve-se conhecer, ento, as conseqncias e os efeitos da corrente eltrica no corpo
humano. A eletroestimulao depende da taxa de variao de carga dos pulsos eltricos nos
tecidos sob trs aspectos [2]:
1. No existindo variao (ou se a variao insignificante) e a corrente eltrica
unidirecional, existir um fluxo permanente de ons nos tecidos.
2. Se a taxa de variao relativamente rpida, e o pulso eltrico possui longa durao
(pulso bastante largo), sero estimulados nervos e msculos.
3. Se a taxa de variao muito rpida (freqncia alta), a durao do pulso ser
insuficiente para excitar as clulas. Assim, para que ocorra a estimulao, ser preciso aumentar
a amplitude da corrente, o que poder provocar queimaduras no tecido.
A interao fisiolgica depender da intensidade da corrente. Quanto maior a intensidade
maiores os efeitos. A intensidade tambm determina se um simples pulso eltrico ter energia
suficiente para provocar um potencial de ao gerando um impulso nervoso. A taxa de subida e
descida e a durao do pulso devem ser suficientemente rpidas a fim de provocar a estimulao
do nervo com uma baixa intensidade de corrente. A fora das contraes musculares ou o efeito
sensorial dependero do nmero de fibras nervosas estimuladas, que por sua vez dependero da
intensidade de corrente. Maiores intensidades de corrente iro se propagar mais facilmente nos
tecidos, e portanto, mais nervos sero ativados.
A aplicao de pulsos eltricos nos tecidos depende necessariamente de um circuito
eltrico fechado. Dessa forma, dois eletrodos de material condutor so fixados com certa
distncia entre si na pele. Como j foi dito, quanto maior a densidade de corrente maiores os
efeitos. Maiores densidades de corrente faro com que a corrente afete nervos maiores,
resultando em uma sensao de formigamento mais intenso e propagao at os nervos motores
causando contraes musculares. A posio dos eletrodos ir determinar os pontos de maiores
densidades de corrente nos tecidos e quais nervos sero afetados.
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As fibras nervosas em estado de repouso possuem uma diferena de potencial em torno
de 70 mV entre a parte interna e externa da membrana celular [2], sendo a parte interna negativa
e a parte externa positiva. Como o impulso nervoso se deve a uma mudana eletroqumica que se
propaga ao longo da fibra nervosa, ele pode ser causado pela diferena de potencial da
membrana causada por um pulso eltrico. Este impulso nervoso propaga-se a princpio em ambas
as direes da fibra, contudo o efeito ser percebido em apenas uma direo, devido ao bloqueio
causado pela sinapse, somente na direo de estmulo desejado.
Existem algumas comprovaes de que a taxa de subida do pulso eltrico deve ser muito
rpida, como em um pulso retangular, por exemplo. Se a taxa de subida do pulso lenta, o
impulso nervoso no acontecer porque o balano inico nas membranas das fibras nervosas ser
capaz de se ajustar a estas mudanas. Este processo chamado de acomodao. Por isso o pulso
eltrico capaz de estimular um nervo deve possuir um tempo de subida rpido, como um pulso
retangular, com menos de 1 ms de durao, de preferncia.
Se ocorrer um impulso, a membrana passa a ter um potencial em torno de 30 mV. Existe,
ento, um tempo para a membrana voltar ao potencial de equilbrio de cerca de 70 mV. Este
perodo chamado de perodo refratrio absoluto, e durante este perodo, impossvel gerar
outro impulso nervoso. O perodo refratrio absoluto pode variar de 0.4 a 2 ms dependendo do
tipo de clula. Dentro dos prximos 10 a 15 ms, o impulso nervoso poder ser novamente
gerado, neste caso, com intensidade maior. Este chamado de perodo refratrio relativo. Depois
deste perodo, o nervo volta a seu estado de equilbrio.
O perodo refratrio bastante importante e deve ser levado em conta quando se realiza a
anlise das frequncias dos pulsos eltricos usados na eletroestimulao. Se uma srie de pulsos
nervosos so aplicados a um nervo motor com a frequncia de 1 Hz, iro acontecer contraes
musculares nesta frequncia.
Assim, nervos sensoriais apresentaro o mesmo comportamento atravs de suaves
choques. Se esta frequncia aumentada para 10 Hz, acontecer um tremor muscular
correspondente, porm, se esta frequncia ainda aumentada para 50 Hz, por exemplo, as
contraes musculares sero contnuas. Estas contraes so chamadas de contraes tetnicas.
Embora o pico de corrente permanea o mesmo, a fora das contraes tetnicas aumentam com
o aumento da frequncia at 100 Hz, mas no alm. O aumento da fora muscular ocorre porque
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a tenso mecnica desenvolvida durante uma contrao no possui tempo para relaxar antes do
prximo estmulo, fazendo com que o esforo muscular atravs de suas sucessivas contraes se
acumule.
Acima de 100 Hz, as contraes musculares e as sensaes de formigamento no
aumentam com o aumento da frequncia. De fato, elas podem at diminuir a menos que a
intensidade de corrente seja aumentada.
Rpidas contraes musculares, usadas para o aumento da fora muscular e rapidez nos
movimentos, respondem melhor a frequncias na faixa de 50-150 Hz. Lentas contraes, usadas
para a melhoria de postura, possuem uma frequncia tetnica de 20-30 Hz.
Como em todo projeto, existe uma anlise que se faz com relao apropriao e uso de
cada procedimento. Para a estimulao de nervos motores e sensoriais, os pulsos devem ser
retangulares de curta durao (entre 0,1 e 0,5 ms). Para se alcanar a diferenciao entre estes
nervos e os nervos de dor, pulsos ainda mais curtos (entre 0,02 e 0,05 ms) so mais apropriados.
Pulsos bidirecionais simtricos possuem a vantagem de evitar qualquer risco de eletrlise. Estes
so considerados pulsos sem polarizao, e frequncias em torno de 80 a 100 Hz so
consideradas as melhores. Para outros propsitos, como estimular nervos de dor perifricos,
pulsos mais longos em torno de 10 ms se mostram mais apropriados. De forma similar, se efeitos
de polarizao so necessrios para promover a cicatrizao de ferimentos, correntes DC podem
ser usadas. Contudo, preciso compreender que a estimulao eltrica possui uma variedade de
efeitos os quais podem no ser desejados e apresentam riscos.

3.2 RISCOS DA ELETROESTIMULAO

Para a utilizao correta da eletroestimulao, algumas observaes devem ser seguidas.
Devem-se conhecer as formas de pulso empregadas, seus parmetros, as caractersticas dos
aparelhos utilizados e o mais importante, saber os limites nos quais a estimulao eltrica pode
ser aplicada com segurana.
De um modo geral podem ocorrer trs efeitos: aquecimento (pela resistncia oferecida
pelos tecidos), estimulao dos tecidos excitveis e queimadura eletroqumica. As altas
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intensidades so as principais causadoras dos efeitos indesejveis, mas tambm outros fatores
como o tipo de corrente utilizada, a forma e a largura do pulso, frequncia, impedncias, e mais
alguns fatores j citados.
O choque eltrico uma perturbao que se manifesta no organismo quando ele
percorrido por uma corrente eltrica de qualquer natureza, sendo que seus efeitos podem variar
dependendo de fatores como:
intensidade de corrente;
percurso que a corrente eltrica perfaz no organismo;
tempo de durao do estmulo (choque eltrico);
rea e presso do contato;
tipo de corrente eltrica (forma do pulso);
frequncia da corrente eltrica;
diferena de potencial;
condies da pele do indivduo;
regio onde se produz o choque, no organismo;
constituio fsica e condies de sade do indivduo.

As maiores complicaes de um choque so:
queimaduras;
parada respiratria;
fibrilao ventricular, parada cardaca;
tetanizao (paralisia) muscular;
alteraes sanguneas provocadas por alteraes tcnicas e eletrolticas;
diversas alteraes no sistema nervoso;
diversas alteraes em diferentes rgos e sistemas.
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Entretanto, os danos so bastante raros. A fabricao dos equipamentos de
eletroestimulao no permite que sejam geradas correntes com intensidades suficientemente
grandes para ocasionar dano aos tecidos. Os incidentes com eletricidade ocorrem em grande
parte com aparelhos eletrodomsticos. Os choques eltricos tambm possuem classificaes:
existem os macrochoques, onde a corrente passa atravs da pele, e os microchoques que se
referem a choques aplicados diretamente nos tecidos, por exemplo, o estmulo do marcapasso no
corao. Assim sendo, o microchoque pode ser mais perigoso, pois pequenas variaes de
corrente podem ser fatais.
Quando uma corrente eltrica se propaga em nosso corpo, ela tende a se espalhar atravs
dos caminhos de baixa resistncia nos tecidos subcutneos, lembrando que a resistncia da pele
muito maior do que a resistncia dos tecidos internos. A resistncia da pele normal da
magnitude de milhares de ohms, enquanto que a pele mida pode ter menos que 1000 e os
tecidos internos uma resistncia de poucas centenas de ohms. Pode-se ento verificar as
consequncias do choque eltrico em ambientes midos, um exemplo: um choque de 240 V, a
uma resistncia de 1000 , gera uma corrente de 240 mA suficiente para causar uma fibrilao
ventricular, o que pode ser fatal; j com a pele seca, a resistncia pode chegar a 100.000 , e a
corrente resultante de 2.4 mA causaria uma pequena sensao de formigamento.
A aplicao da corrente eltrica no corpo humano, mesmo no apresentando grandes
riscos, pode provocar algumas sensaes de dor e desconforto, o que pode ocasionar, em raros
casos, danos aos tecidos. As fibras de dor possuem maior impedncia do que as fibras nervosas
sensoriais, por isso que as baixas intensidades de corrente no provocam dor. A dor s comea a
ser sentida medida que aumentada a intensidade de corrente. Entretanto pequenas dores
podem eventualmente fazer parte da intensidade de corrente necessria ao tratamento, com a
ressalva de que esta sensao jamais cause trauma ou medo ao paciente. Outro aspecto
importante que sendo a pele a maior resistncia ao fluxo de corrente, qualquer alterao
cutnea como um ferimento, por exemplo, poder gerar um caminho de baixa resistncia,
podendo elevar a densidade de corrente local de forma significativa e causar fortes dores.
Como j foi dito, a densidade de corrente que sai dos eletrodos de fundamental
importncia. Alm disso, devem-se observar as diferentes respostas sensitivas estimulao
eltrica para cada paciente. Estudos mostraram que, de modo geral, as mulheres parecem ter
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menores limiares para percepo, dor e tolerncia estimulao eltrica cutnea em relao aos
homens. Isto associado ao fato de que mulheres so mais sensitivas a dor por presso do que os
homens.
A aplicao de correntes eltricas provoca contraes que dependem dos parmetros
dessa corrente, com isso, possvel haver leses nas juntas e articulaes devido ao uso de
correntes excessivamente fortes. De qualquer forma, este um risco bastante pequeno, pois a
eletroestimulao neuromuscular raramente produz uma contrao maior do que a contrao
produzida voluntariamente.
Recomenda-se a no utilizao deste mtodo de tratamento em regies inflamadas, sob o
risco de se provocar o espalhamento desta infeco. Similarmente, tratamentos prximos ao
tero de uma gestante podero provocar movimentos uterinos indesejveis. Se qualquer tipo de
hemorragia ocorrer na superfcie da pele ou nos tecidos, devido a movimentos musculares,
vasodilao ou rompimento de um cogulo, a estimulao dever ser interrompida.
A aplicao da eletroestimulao na regio de marcapassos cardacos implantados pode
alterar seu funcionamento ocasionando arritmia cardaca. Outro risco bastante improvvel, mas
no impossvel, a irradiao de campos eletromagnticos emitidos pelo estimulador eltrico
causarem interferncias ao marcapasso. uma possibilidade remota, mas que deve ser
considerada na medida em que problemas de incompatibilidade eletromagntica so passveis
entre dois equipamentos eltricos quaisquer.
As contra-indicaes ao uso da estimulao eltrica para fins teraputicos podem ser
resumidas em:
1. Casos em que fortes contraes musculares causarem qualquer dano em msculos ou
articulaes; desprendimento de cogulo; propagao de infeco ou hemorragia;
2. Casos em que a estimulao de nervos poder alterar o ritmo cardaco ou outras
funes vitais;
3. Casos em que possa haver aberturas de ferimentos ou leses na pele;
4. Casos em que possa provocar atividades indesejveis em tumores;
5. Casos em que possa causar irritao e danos pele, principalmente em pessoas com
baixa sensibilidade.
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DESCRIO DO CIRCUITO ELTRICO

4.1 CONFIGURAO BSICA
O circuito eltrico deste trabalho tem como base o artigo Development of a Circuit for
Functional Electrical Stimulation, K. W. Eric Cheng, Yan Lu, Kai-Yu Tong, A. B. Rad, Daniel
H. K. Chow, and Danny Sutanto, Senior Member, IEEE. Mostra-se na figura abaixo, a
configurao bsica do circuito.

Figura 01 Diagrama esquemtico do circuito eltrico do aparelho eletroestimulador.

O circuito do aparelho eletroestimulador deste trabalho pode ser dividido em duas partes.
A primeira parte composta por dois circuitos integrados temporizadores do tipo 555 associados
a uma srie de resistores, capacitores e diodos. O primeiro CI (U1) est na configurao de
T1
5to1
200 Hz
V1
0/12V
10k 40%
OP2
OP4
0.01uF
+V
12V
+ OP1
1M 40%
+
OP3
+V
12V
1uF
0.01uF
R2
0.5M 40%
Q1
NPN_
D3
DIODE
+V 12V
RB
360k 40%
D2
D1
0.01uF
C2
0.1uF
0.01uF
C1
10uF
1000pF
RA
300k 40%
R1
560k 40%
+V
Vcc
15V
Gnd
Trg
Out
Rst Ctl
Thr
Dis
Vcc
U2
555
Gnd
Trg
Out
Rst Ctl
Thr
Dis
Vcc
U1
555
Carga
100
100k
20k
10k
100k
9k
20
100k
20k
51k
20k
12

multivibrador monoestvel e o segundo CI (U2) est na configurao de multivibrador astvel. O
funcionamento destes CIs ser descrito adiante. Para que o circuito execute a funo desejada,
necessrio que em sua entrada ele possua um sinal externo que funcione como uma microchave.
Neste ponto, foi associado ao terminal de entrada um gerador de sinais.
Na sada do multivibrador astvel, temos uma srie de pulsos. A largura dos pulsos e
tambm a freqncia destes pulsos podem ser ajustados pelos valores dos resistores R1, RA e RB
e tambm pelos valores dos capacitores C1 e C2.
A segunda parte do circuito composta por quatro amplificadores operacionais (OP1,
OP2, OP3 e OP4), um transistor, um transformador e mais alguns resistores, capacitores e
diodos. O primeiro amp-op (OP1) usado como um amplificador de erro, o segundo amp-op
(OP2) usado para amplificar o sinal que segue para o transformador e os outros dois amp-ops
so usados para realimentao de corrente. A amplitude do pulso controlada pelo resistor R2. O
transformador tem a funo alterar o nvel de tenso para o patamar desejado.
Esta segunda parte do circuito tem basicamente a funo de elevar a tenso de sada ao
valor desejado e transformar os pulsos da sada do multivibrador astvel em uma srie de pulsos
de corrente cujas amplitudes podem superar 100 mA. Um loop de realimentao usado para
garantir a amplitude da corrente.
O circuito, como um todo, possui:
Na 1
a
parte:
2 CI's 555;
3 resistores variveis;
2 resistores fixos;
5 capacitores;
2 diodos.
Na 2
a
parte:
4 amplificadores operacionais;
1 resistor varivel;
13

10 resistores fixos;
3 capacitores;
1 transistor bipolar de juno NPN;
1 transformador.

4.2 DESCRIO DOS COMPONENTES

4.2.1 O CIRCUITO INTEGRADO 555

O circuito integrado 555 foi criado com o objetivo de ser utilizado em uma srie de
aplicaes e projetos que dependem de temporizao ou ainda, ser utilizado como multivibrador.
Este CI foi projetado e desenhado por Hans R. Camenzind, e comeou a ser comercializado em
1971 pela Signetics (grupo posteriormente adquirido pela Philips). O nome original deste CI era
SE555/NE555 e inicialmente foi chamado de "The IC Time Machine". Atualmente, este CI
bastante usado, devido essencialmente sua simplicidade de uso, baixo custo e boa estabilidade.
A fabricao em larga escala basicamente do grupo Samsung na Coria onde so fabricados
cerca de um bilho de unidades por ano. O temporizador 555 um dos mais populares e versteis
circuitos integrados j produzidos. O diagrama esquemtico deste CI est mostrado na figura 2,
logo abaixo. Este CI composto pela associao de 28 transistores e 12 resistores num chip de
silcio em um encapsulamento de 8 pinos duplo em linha (DIP).
14


Figura 02 Diagrama esquemtico do circuito integrado 555.

O diagrama esquemtico do circuito integrado 555 pode ter seu funcionamento resumido
na ao de: um flip-flop do tipo RS, dois comparadores simples e um transistor de descarga.
possvel perceber na figura 3, abaixo:


Figura 03 Diagrama resumido do circuito integrado 555.
Esse CI possui uma tenso de alimentao entre 5 e 18 V, tornando-o compatvel com a
famlia TTL de circuitos integrados e bastante til para uso em circuitos alimentados por
baterias. A sada deste CI pode fornecer ou drenar correntes de at 200 mA, permitindo, dessa
forma o controle direto de componentes eletrnicos como rels, lmpadas e outros tipos de carga
relativamente grandes.
15

Geralmente o pino 5 (entrada de controle), no conectado, deixando assim a tenso de
controle fixa em 2/3Vcc (de acordo com a frmula de divisor de tenso: Vcontrole =
(R+R)*Vcc/R+R+R = 2R*Vcc/3R = 2/3Vcc). Toda vez que a tenso de limiar (sensor de nvel,
pino 6) exceder a tenso de controle (2/3Vcc), a sada do comparador 1 vai para nvel alto,
setando o flip-flop RS e saturando o transistor de descarga, devido ao nvel alto na sada Q do
flip-flop.
O disparador (trigger) est conectado entrada inversora do comparador 2 (pino 2). A
entrada no-inversora tem uma tenso fixa de 1/3Vcc (V-inv = R*Vcc/R+R+R = RVcc/3R =
Vcc/3).Toda vez que a tenso do disparador for menor que 1/3Vcc, a sada do comparador vai a
nvel alto, resetando o flip-flop, cortando o transistor de descarga e deixando a sada /Q (pino 3)
em nvel alto.
O reset (pino 4) habilita o 555 com nvel alto e o desabilita com nvel baixo. Geralmente
na maioria das aplicaes, este pino ligado Vcc.

4.2.1.1 Comparador simples.

Figura 04 Esquemtico do comparador simples.

O comparador simples um tipo de configurao de um circuito amplificador
operacional que tem a funo de chavear para um nvel de tenso entre dois possveis, baseado
na comparao das tenses de entrada.
Se: V1 > V2 , ento V
o
= V
cc
;
V1 < V2 , ento V
o
= Gnd;
V1 = V2 , ento V
o
= 0V.
16



4.2.1.2 Funcionamento do flip-flop RS:
O flip-flop um circuito digital bsico que armazena 1 bit de informao. A sada de um
flip-flop s muda durante a transio do clock. Ele possui a seguinte tabela-verdade:
Tabela 01 Tabela resumo do flip-flop RS.



4.2.2 MODOS DE OPERAO DO CI 555
Possui trs modos bsicos de operao:
Modo monoestvel: nesta configurao, o CI 555 funciona, basicamente, como um
disparador. Suas aplicaes incluem temporizadores, detectores de pulso, chaves imunes a rudo,
interruptores de toque, etc.
Modo astvel: nesta configurao, o CI 555 opera como um oscilador. Os usos incluem
pisca-pisca de LED, geradores de pulso, relgios, geradores de tom, alarmes de segurana, etc.
Modo biestvel: nesta configurao, o CI 555 pode operar como um flip-flop, se o pino
DIS (discharge) no for conectado e se no for utilizado capacitor. As aplicaes incluem
interruptores imunes a rudo, etc.
Neste trabalho esto sendo usadas as configuraes monoestvel e astvel, descritas
abaixo.

17

4.2.2.1 Operao Monoestvel
As figuras abaixo mostram as configuraes do circuito integrado 555 em operao
monoestvel.

Figura 05 Configurao do 555 (CI) para operao em modo monoestvel.


Figura 06 Configurao do 555 (pinagem) para operao em modo monoestvel.

Figura 07 Curvas de operao para o modo monoestvel.
Inicialmente, a tenso de disparo +Vcc. Como o disparador (no caso, trigger) est
ligado entrada inversora do comparador 2, uma tenso de +Vcc nesta entrada faz com que se
tenha nvel baixo na sada deste comparador (pois a tenso na entrada inversora, +Vcc, maior
18

que a tenso na entrada no-inversora, +1/3Vcc). Isto faz com que o flip-flop RS fique no seu
estado normal (com nvel alto na sada Q e nvel baixo na sada /Q), saturando o transistor de
descarga e deixando o capacitor Ct descarregado.
Quando a tenso de disparo vai a nvel baixo, a tenso na entrada no-inversora
(+1/3Vcc) maior que a tenso na entrada inversora (0V), no comparador 2. Isto faz com que a
sua sada v a nvel alto, resetando o flip-flop (nvel baixo na sada Q e nvel alto na sada /Q) e
colocando o transistor de descarga em corte. Dessa forma, o capacitor Ct se carrega.
A tenso em Ct (tenso de limiar) aumenta at que exceda a tenso de controle
(+2/3Vcc). Quando isto ocorre, a sada do comparador 1 vai a nvel alto, setando o flip-flop,
saturando o transistor de descarga e, por conseqncia, descarregando Ct.
Quanto maior a constante de tempo RC, mais tempo leva para a tenso em Ct chegar a
+2/3Vcc (tenso de controle).
Isto determina a largura do pulso ou a temporizao na sada, que dada por:
T= 1,1 * R
t
* C
t

Onde T dado em segundos, Rt em ohms e Ct em farad.
A tenso de controle, geralmente de 2/3Vcc, pode ser desacoplada atravs de um outro
capacitor ligado ao pino 5 e terra (tipicamente de 0,01 F), com isso, possvel melhorar a
imunidade ao rudo. Esta tenso tambm pode ser alterada, atravs do pino 5, a fim de obter
outras tenses diferentes de 2/3V
cc
.
Alterando os valores de Ct e Rt, o perodo da temporizao pode ser controlado entre
cerca de 5 ms at aproximadamente 1 hora. Porm, em uma temporizao acima de 5 minutos a
confiabilidade fica comprometida, devido aos altos valores de Rt e Ct necessrios para esta
temporizao.
O valor mnimo de Rt limitado pelo transistor de descarga (geralmente 1 k o
mnimo permitido).
Com relao ao valor mximo de Rt, geralmente os fabricantes recomendam um mximo
de 20 M, mas acima de 1 M a preciso fica comprometida. Portanto, em aplicaes gerais, o
valor de Rt deve ficar entre 1 k e 1 M.
19

No h limites para o valor de Ct, a no ser o seu custo. Dependendo do valor da
capacitncia do capacitor eletroltico e de sua qualidade, ele pode apresentar correntes de fuga
que podem distorcer os perodos calculados das temporizaes. Para valores muito altos de
capacitncia, o transistor de descarga levar mais tempo para descarregar Ct. A sua tenso de
isolao deve ser maior ou igual a Vcc (quanto mais prximo de Vcc, melhor), j que uma tenso
de isolao menor que Vcc causar uma diminuio na vida til do capacitor.
4.2.2.2 Operao Astvel
As figuras abaixo mostram as configuraes do 555 em operao astvel.

Figura 08 Configurao do 555 para operao em modo astvel.



Figura 09 Configurao do 555 (pinagem) para operao em modo astvel.

20


Figura 10 Curvas de operao para o modo astvel.
Neste tipo de operao, so colocados os resistores Rt1 e Rt2 em srie no lugar do nico
Rt na operao monoestvel.
Como ponto de partida, inicialmente pode-se supor que o flip-flop est resetado (Q em
nvel baixo e /Q em nvel alto). Dessa forma, o transistor est em corte e o capacitor Ct est se
carregando. Este capacitor se carrega at que excede a tenso de controle (2/3Vcc), fazendo com
que a tenso na entrada no-inversora (pino 6) do comparador 1 seja maior que a tenso na sua
entrada inversora, isso faz com que sua sada v a nvel alto, setando o flip-flop. Com nvel alto
em Q, o transistor de descarga entra em saturao fazendo com que Ct se descarregue por Rt2. A
tenso em Ct diminui at que fique menor que a tenso da entrada no inversora do comparador
2 (1/3Vcc). A sada do comparador 2 vai a nvel alto, resetando o flip-flop e voltando ao ponto
de partida. Esta operao astvel se repete indefinidamente.
A tenso em Ct varia entre 1/3Vcc e 2/3Vcc, embora possa ser alterada, externamente,
atuando sobre a tenso de controle (pino 5).
A durao do perodo alto ou tempo de carga dada por:
T1= 0,7 * (R
t1
+R
t2
) * C
t

E a durao do perodo baixo ou tempo de descarga dada por:
T2= 0,7 * R
t2
* C
t

O perodo total (T) :
T= T1 + T2 = 0,7 * (R
t1
+ 2 R
t2
) * C
t

E a freqncia (f) :
f = 1 / T ~ 1,45 * (R
t1
+ 2R
t2
) * C
t

21

Se Rt2 for muito maior que Rt1, os perodos altos e baixos sero quase iguais. O valor de
Rt1 ser desprezvel em relao ao valor de Rt2, assim a freqncia ser de:
f ~ 0,73 / R
t2
* C
t

Caso tenha a necessidade um oscilador com duraes iguais dos nveis altos e baixos, o
circuito deve ser configurado como mostram as figuras abaixo.

Figura 11 Configurao (CI) para igual durao entre os nveis alto e baixo.


Figura 12 Configurao (pinagem) para igual durao entre os nveis alto e baixo.
O pino 7 (descarga) no conectado e colocado um resistor Rt no lugar dos dois
resistores Rt1 e Rt2, com o pino 3 (sada) conectado este resistor Rt.
Supondo que inicialmente o flip-flop esteja setado, no existe diferena de potencial em
Rt e Ct. Com Ct descarregado, a tenso no disparador (pino 2) de 0V. Assim, a sada do
comparador 2 vai nvel alto, resetando o flip-flop e deixando a sada /Q em nvel alto. Neste
momento Ct se carrega por Rt, fazendo a tenso de limiar (pino 6) elevar-se, at que atinge a
22

tenso de controle (+2/3Vcc). Quando isso ocorre, a sada do comparador 1 vai a nvel alto,
setando o flip-flop e fazendo com que a sada /Q v a nvel baixo. Ento, Ct se descarrega por Rt,
voltando para o estado inicial. Os perodos de nvel alto e baixo so iguais porque Ct se carrega
por Rt e se descarrega pelo mesmo Rt.
O perodo de carga e de descarga dado por:
T
carga
= T
descarga
= 0,7 * C
t
* R
t

Assim, o perodo total de:
T
total
= 2* T
carga
= 1,4 * C
t
* R
t

Nesta mesma famlia de temporizadores existem ainda o CI 556 que composto pela
combinao de dois temporizadores 555. Para a fabricao, os dois CIs 555 so combinados em
um encapsulamento de 14 pinos. O CI 558 tambm um encapsulamento, s que de 16 pinos
combinando quatro temporizadores 555. Existem ainda verses de ultra baixa potncia como o
CI 7555, que utiliza um nmero menor de componentes externos e tem menor consumo de
energia.
Uma curiosidade: o nome "555" foi adotado em aluso ao fato de que existe uma rede
interna (divisor de tenso) composta por trs resistores de 5 k que servem de referncia de
tenso para os comparadores do circuito integrado.
4.2.3 RESISTORES FIXOS
Os resistores so componentes projetados e fabricados com o intuito de oferecer uma
resistncia passagem de corrente.
Tal resistncia (R) inversamente proporcional rea perpendicular ao fluxo das cargas
(A) e diretamente proporcional resistividade - propriedade eltrica do material - e ao
comprimento L, no sentido pelo qual a corrente atravessa. Tal relao pode ser vista na figura 13
abaixo.
23


Figura 13 Relao entre a rea, o comprimento e a resistividade.
Sua unidade de medida padro dada em Ohm ().
Os resistores fixos mais comuns so compostos de um miolo de cermica envolto por
uma fina camada de filme de carbono, a qual enrolada at se atingir a resistncia desejada.
acrescentado um fio terminal em cada extremidade e em seguida uma isolao eltrica cobrindo
este conjunto.
O resistor fixo ideal possui uma resistncia constante e independente da temperatura, da
tenso aplicada em seus terminais e da corrente que o atravessa. Sua resistncia determina a
declividade da curva V x I a qual, no caso ideal, se mostra como sendo uma reta devido relao
abaixo:

Onde V a tenso nos terminais e I a corrente que atravessa o resistor.
4.2.4 RESISTORES VARIVEIS
So resistores comuns, porm possuem um dispositivo de controle mecnico-manual do
valor de sua resistividade uma vez que seu comprimento e sua rea permanecem praticamente
inalterados. Com isso, o valor da prpria resistncia pode ser regulado. Os resistores variveis
so chamados de potencimetros ou trimpot's de acordo com a acessibilidade do dispositivo de
regulao ao usurio. O resistor varivel semi-fixo (trimpot) tem sua resistncia variada apenas
para manuteno ou, na implementao, para pequenos ajustes at se encontrar a condio
operacional e a forma de onda desejada. J o potencimetro utilizado, pelo prprio usurio,
24

para ajuste de intensidade ou de freqncia. Em nosso projeto utilizamos trimpots na 1 parte do
circuito, mantendo a freqncia constante e inacessvel ao usurio. Porm na 2 parte um
potencimetro R2 foi inserido para permitir ajustes na amplitude da corrente pelo fisioterapeuta
responsvel.

4.2.5 CAPACITORES
Os capacitores so compostos por duas placas metlicas dispostas em paralelo com o
objetivo bsico de se induzir um campo eletrosttico entre as mesmas ao se aplicar uma tenso
em seus terminais. Este campo armazena energia potencial, pois cargas de sinais opostos se
concentram na extremidade de cada placa. Para que tais cargas no atravessem o espao entre os
metais, seu interior preenchido com material dieltrico. A unidade que caracteriza um capacitor
o Farad (F) que nada mais representa do que a carga (Q) que se acumula em cada placa ao se
aplicar uma tenso V. Assim:

Tal capacitncia determinada fisicamente pela rea (A) de cada placa, pela distncia (d)
entre elas e pela permissividade eletrosttica do material isolante. Podendo se ajustar variando
um destes parmetros, como na frmula:

Quando inseridos em circuitos eltricos de corrente contnua, que causam uma diferena
de potencial constante nos seus terminais, os capacitores passam por dois momentos: no 1
momento - transitrio - por no permitirem que flua corrente por seu dieltrico, cargas fluem,
pelo circuito, de uma placa a outra carregando-as com sinais opostos. No 2 momento, depois de
carregadas, as placas atingem o regime permanente, onde funcionam como uma bateria que
armazena energia. Esta energia pode ser re-utilizada pelo prprio circuito em determinadas
situaes.
25

Como nosso circuito projetado funciona com corrente alternada, precisamos compreender
o funcionamento dos capacitores neste caso. Pela equao abaixo, nota-se que, ao se alterar a
tenso no capacitor, uma corrente proporcional a esta variao se estabelece:

Na situao AC senoidal, caso a tenso varie com o co-seno no tempo, a corrente varia
com sua derivada, ou seja, o negativo do seno. Assim:

Substituindo-se I e V acima na equao anterior e integrando dos dois lados, possvel
perceber que o capacitor possui a caracterstica de se opor passagem de corrente, assim como o
resistor, porm sua "resistncia", a que chamamos de reatncia, varia inversamente com a
frequncia, conforme abaixo:

Pode-se notar, pela equao acima, que a freqncias muito altas o capacitor se aproxima
de um curto circuito. A baixas freqncias, funciona como um circuito aberto.
Pode-se provar que uma onda quadrada - que exatamente o que se pretende obter neste
projeto nada mais do que o somatrio das harmnicas inteiras mpares da srie de Fourier, ou
seja, um somatrio de senos.
Portanto, todos os capacitores utilizados no projeto tm o objetivo de filtrar a onda,
permitindo a passagem das freqncias desejadas e impedindo que interferncia ou rudo seja
propagado.



4.2.6 DIODOS DE JUNO
Os diodos so compostos por duas
uma com eltrons (N) e a outra com buracos (P)
conecta essas duas partes, forma
interessantes para a eletrnica.
Apesar de serem os componentes eletrnicos mais simples, os diodos so dispositiv
no-lineares em sua relao corrente x t
fluxo de cargas apenas em um sentido, se opondo a qualquer tendncia destas caminharem no
sentido inverso. Portanto, quando se aplica uma tenso em seu ando maior do que a de seu
catdo ele conduz, quando o contrrio ocorre, ele se comporta aproximadamente como um
circuito aberto.
26
UNO
Os diodos so compostos por duas partes semicondutoras, geralmente silcio, dopadas:
uma com eltrons (N) e a outra com buracos (P), como visto na figura 14 abaixo
conecta essas duas partes, forma-se uma juno PN que possui algumas propriedades

Figura 14 Juno PN.
Apesar de serem os componentes eletrnicos mais simples, os diodos so dispositiv
orrente x tenso. Possuem a caracterstica predominante de permitir
fluxo de cargas apenas em um sentido, se opondo a qualquer tendncia destas caminharem no
sentido inverso. Portanto, quando se aplica uma tenso em seu ando maior do que a de seu
le conduz, quando o contrrio ocorre, ele se comporta aproximadamente como um

Figura 15 Curva corrente x tenso do diodo.
partes semicondutoras, geralmente silcio, dopadas:
baixo. Quando se
se uma juno PN que possui algumas propriedades
Apesar de serem os componentes eletrnicos mais simples, os diodos so dispositivos
enso. Possuem a caracterstica predominante de permitir
fluxo de cargas apenas em um sentido, se opondo a qualquer tendncia destas caminharem no
sentido inverso. Portanto, quando se aplica uma tenso em seu ando maior do que a de seu
le conduz, quando o contrrio ocorre, ele se comporta aproximadamente como um
27

Na realidade, conforme figura 15 acima, existem outras duas regies de atuao no diodo
alm da zona de polarizao direta, so elas:
regio de polarizao reversa, onde a corrente mnima e negativa, mas existe;
regio de ruptura, que conduz a chamada corrente de avalanche.
Na regio direta, o diodo segue a seguinte relao:

Onde Is corrente de saturao, V a tenso nos terminais, k a constante de Boltzmann, q
a carga do eltron e T a temperatura absoluta em Kelvin.
Neste projeto, os dois diodos associados em paralelo com polaridades opostas formam
um dispositivo limitador duplo (figura 16), que neste caso ainda acrescido de uma resistncia
RB.

Figura 16 Esquema de ligao do dispositivo limitador duplo.
4.2.7 AMPLIFICADORES OPERACIONAIS
So elementos formados por transistores. Como verificado na figura 17, possuem dois
terminais de entrada de sinais (o positivo e o negativo) e uma sada - alm da alimentao e do
28

terra, que ficam geralmente implcitos em sua representao grfica. Sua principal caracterstica
a de amplificar a diferena de tenso entre seus terminais com um ganho altssimo em malha
aberta.

Figura 17 Representao do amplificador operacional.
Os operacionais so amplamente utilizados na eletrnica por se aproximarem bastante do
funcionamento ideal para um amplificador. O amp-op ideal, entre outras propriedades, possui
impedncia de entrada e ganho de malha aberta infinitos, alm de uma impedncia de sada nula
bem como as correntes nos dois terminais de entrada.
Sua montagem mais usual a que utiliza uma realimentao da sada para a porta de
entrada inversora, a qual torna o conjunto mais estvel e o ganho finito, porm controlvel. Esta
configurao cria o chamado curto virtual entre os dois terminais de entrada e com isso pode-se
controlar o ganho que se deseja ter variando apenas os elementos constantes na realimentao.
No caso da figura 18 abaixo, Z1 e Z2.

Figura 18 Esquema de ligao do amplificador operacional.
29

O ganho da montagem acima, por exemplo, dado por:

No nosso projeto, todos os amp-ops possuem realimentao negativa.
No OP1, a impedncia Z2 capacitiva (um resistor em paralelo com uma capacitncia) e
Z1 resistiva. O 2 e o 3 amplificadores operacionais utilizam as duas impedncias resistivas.
OP4 utiliza uma realimentao direta, o que torna o ganho unitrio, funcionando apenas como
seguidor de tenso. O buffer, como tambm chamado, tem o objetivo de acoplar dois setores do
circuito sem que a alta impedncia do 1 influencie no 2, para que no ocorra um descasamento.

4.2.8 TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNO
A necessidade de se criar os transistores surgiu na dcada de 1940, com a 2 Guerra
Mundial, devido s limitaes que as vlvulas comeavam a apresentar com relao s novas
necessidades tecnolgicas de transmisso de ondas de rdio. Os transistores inicialmente se
mostraram vantajosos por funcionarem a altas freqncias e por permitirem a amplificao dos
sinais recebidos. Mais tarde, com novas pesquisas e desenvolvimento, tais dispositivos se
mostraram infinitamente superiores s vlvulas, principalmente no que diz respeito ao baixssimo
custo e reduo drstica do tamanho ocupado, o que permite hoje a construo dos circuitos
integrados (CI).
O primeiro tipo de transistor implementado foi o bipolar de juno e mais tarde vieram os
de efeito de campo (FET) que so divididos em JFETS e MOSFETS. A tecnologia MOS (Metal
Oxide Semiconductor) principalmente o CMOS - hoje, sem dvida, a mais utilizada.
Nosso circuito utiliza apenas um TBJ do tipo NPN. Tal dispositivo possui vrias
aplicaes, dentre elas, as principais so: funcionamento como chave (base dos circuitos digitais)
e amplificao de sinais.
Os TBJs so compostos por trs terminais conectados cada um a uma regio semi-
condutora (figura 19). No caso NPN o emissor do tipo N e se liga diretamente base, do tipo P,

a qual, por sua vez, faz interface com o coletor, novamente do tipo N. Com isso se formam duas
junes, como as do diodo, e a forma com que se energiza
de operao destas junes e, assim, do dispositivo como um todo.
Figura 19
O modo ativo utilizado no projeto
maior do que o do emissor, e tambm
base fica diretamente polarizada enquanto a juno coletor
No projeto e implementao de um transistor, propositadamente,
dopadas de forma equivalente nem possuem o mesmo tamanho.
possui tamanho mdio e intensamente dopada enquanto a
dopagem mediana. J o coletor pouqussimo dopado, porm possu
grande. Com tal disparidade o componente funciona de tal forma que uma mnima parte da
corrente flua pela base enquanto a maior parte
coletor. E assim temos um amplificador de
Onde chamada de ganho de corrente de emissor comum e dada por:
30
a qual, por sua vez, faz interface com o coletor, novamente do tipo N. Com isso se formam duas
unes, como as do diodo, e a forma com que se energizam os trs terminais determina o modo
de operao destas junes e, assim, do dispositivo como um todo.

Figura 19 Diagrama do transistor bipolar de juno.
o no projeto ocorre quando a base tem um potenc
tambm o coletor com relao base. Assim, a juno e
e polarizada enquanto a juno coletor-base fica reversamente
No projeto e implementao de um transistor, propositadamente, as trs
dopadas de forma equivalente nem possuem o mesmo tamanho. A regio relativa ao e
possui tamanho mdio e intensamente dopada enquanto a base (P) possui
oletor pouqussimo dopado, porm possui uma largura relativamente
grande. Com tal disparidade o componente funciona de tal forma que uma mnima parte da
corrente flua pela base enquanto a maior parte - proporcional quela da base, atrada atravs do
oletor. E assim temos um amplificador de corrente seguindo a relao abaixo:
I
C
= I
B x

chamada de ganho de corrente de emissor comum e dada por:
a qual, por sua vez, faz interface com o coletor, novamente do tipo N. Com isso se formam duas
nais determina o modo

ase tem um potencial eltrico
Assim, a juno emissor-
ase fica reversamente polarizada.
as trs regies no so
A regio relativa ao emissor
(P) possui espessura fina e
i uma largura relativamente
grande. Com tal disparidade o componente funciona de tal forma que uma mnima parte da
da base, atrada atravs do
chamada de ganho de corrente de emissor comum e dada por:
31


uma constante caracterstica de cada transistor e varia, na maioria dos casos, entre 100
a 200, podendo chegar a 1000 em dispositivos especiais. Em nosso circuito utilizamos para o
valor de 448.



32

SIMULAO DO CIRCUITO

A anlise do circuito deste projeto inicia-se pelo terminal de entrada, onde foi associado
um oscilador (gerador de sinais) ajustado para gerar uma onda quadrada com frequncia de 200
Hz, amplitude variando entre a mxima de 12 V e a mnima de 0 V, com a durao do tempo de
pico de 1 ms e tempo de vale de 4 ms. Na figura 20 abaixo, temos a forma de onda gerada pelo
oscilador.

Figura 20 Forma de onda na sada do gerador de sinais.

A sada do oscilador acoplada atravs de um capacitor (capacitor de acoplamento) que
associa o gerador de sinais ao disparador (trigger) do primeiro circuito integrado (CI 555), que
atua na configurao de oscilador monoestvel. O sinal que ser a entrada do trigger do primeiro
CI est mostrado na figura 21.

Figura 21 Forma de onda no trigger do primeiro CI.

Note que o disparador tem um pulso positivo quando a onda original sobe e nulo quando
esta desce.
33

H, entre VCC e o terra, a associao entre um resistor fixo em srie com um resistor
varivel, que por sua funo, ocasionam uma queda de tenso. Esta tenso se acumula no
capacitor C1, formando uma linha crescente no tempo, mostrada no grfico abaixo (figura 22),
que vai de 0 a 10 V (2/3Vcc). Note que esta curva o incio da subida do limiar mostrada na
figura 7. Nosso simulador, o software Circuit Maker, s simula at 2 segundos, por isso no foi
possvel mostrar a onda inteira, mas um comportamento coerente com esperado de um
monoestvel foi verificado. Este ponto se conecta ao pino de descarga (pino 6) e ao sensor de
limiar (pino 7) os quais ficam curto-circuitados e conectados ao terminal do capacitor C1, como
explicado na descrio do CI555.

Figura 22 Forma de onda na descarga do primeiro CI.
A sada deste primeiro CI uma onda quadrada, com a mesma durao da onda acima
(figura 22) e com amplitude de 15 V, e conectada ao terminal RESET do segundo CI. Este CI,
diferentemente do primeiro, opera na configurao multivibrador astvel.
Nesta configurao h um curto-circuito entre o trigger e o sensor de limiar. Este ponto,
cuja forma de onda est mostrada abaixo (figura 23), conectado entre o capacitor C2 e um dos
lados de um dispositivo limitador duplo (formado por dois diodos, com polaridades opostas,
associados em srie com um resistor RB varivel).

34

Figura 23 Forma de onda no trigger do segundo CI.
O terminal do ponto de descarga se conecta entre o resistor varivel RA e o outro lado do
limitador e possui a forma de onda mostrada abaixo (figura 24).

Figura 24 Forma de onda na descarga do segundo CI.
A figura 25 mostra a sada deste CI, uma onda quadrada com frequncia de 50 Hz e
amplitude de 15 V. interessante comparar tal sada com aquela representada pela figura 10,
quando temos uma entrada muito semelhante, figura 23.
A freqncia, a partir deste ponto no mais varia, pois tal funo exercida apenas pela
1 parte do circuito.

Figura 25 Forma de onda na sada do segundo CI.

A segunda parte do circuito tem, basicamente, a funo de atuar sobre a amplitude do
pulso.
A sada da primeira parte acoplada segunda parte atravs de um divisor de tenses
(um resistor varivel e um fixo em srie). A tenso cai para 8,81 V, como possvel notar na
figura 26 abaixo, e em seguida para 1,47 V aps a passagem por um resistor de 100 k.

35


Figura 26 Forma de onda aps a primeira queda de tenso (8,81 V).

Aps a segunda queda de tenso e antes de entrar no primeiro amp-op, a onda passa por
um capacitor em paralelo com um resistor. Esta capacitncia, assim como aquela da
realimentao do amp.op 1, tem a finalidade de filtrar freqncias indesejadas, eliminado
vestgios de rudo ou interferncia. Por conseqncia, esses capacitores arredondam a subida da
curva (figura 27), o que no o objetivo, mas tambm no inviabiliza o funcionamento do
circuito.

Figura 27 Forma de onda na entrada no inversora do primeiro amp-op.

Em seguida a onda passa pelos amp-ops. Todos eles configurados com realimentao
negativa possuindo, assim, a propriedade do curto virtual. O OP1 utilizado como um
amplificador de erro (menor curva da figura 28). A sada deste (curva do meio) se torna a entrada
do OP2, o qual amplifica o sinal (curva maior da figura 28) para conduzir o transistor. A
resistncia varivel R2 presente na realimentao desta etapa tem a funo de ser o dispositivo
regulador da amplitude de pulso de corrente.

36


Figura 28 Forma de onda na sada do segundo amp-op.

Um resistor utilizado para acoplamento ao transistor, criando uma queda de tenso (ver
figura 29 abaixo).

Figura 29 Forma de onda aps a queda de tenso na sada do segundo amp-op.

Uma corrente de 0.156 mA (figura 30) atravessa o resistor e excita o transistor.

Figura 30 Forma de onda da corrente que excita o transistor.

O transistor drena, atravs do transformador, uma corrente amplificada.
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O transformador utilizado para reforar a elevao da tenso de sada ou reduzi-la ao
nvel correto, quando esta fica acima da intensidade desejada. No nosso caso, j que a tenso na
entrada do transformador chega a 175,45 V (figura 31), utilizamos um fator de reduo de 5/1,
gerando a onda da figura 32 como sada do circuito.


Figura 31 Forma de onda no primrio do transformador.


Figura 32 Forma de onda na sada do transformador.
Os amp-ops OP3 e OP4 formam a rede de realimentao de corrente.
O OP4 opera como buffer, ou seguidor de tenso, impedindo que a impedncia da carga
influencie, atravs desse retorno, no comportamento do circuito, j que os ganhos so
determinados por uma relao entre impedncias. A corrente est em realimentao para garantir
sua amplitude.


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Na tabela abaixo, esto especificados os parmetros do transistor utilizado.
Tabela 02 Parmetros do transistor.
Parmetro Descrio Valor
IS Corrente de saturao 100e-18
Ikf Taxa mxima da corrente de desligamento 0
ISC Corrente de fuga de base-coletor 0
Bf Ganho de corrente direta 448
Br Ganho de corrente reversa 1
Rb Resistncia de base 0
Rc Resistncia de coletor 0
Va Tenso Early direta 0
Cjc Capacitncia de base-coletor 0
Cje Capacitncia de base-emissor 0

A sada possui uma margem de operao de 0,311 mA a 0,454 mA,, a uma carga de 100
, quando se varia o resistor R2 num intervalo entre 0,35 M a 0,9 M. Na figura 33,
mostramos a sada - da menor para a maior - correspondente passagem de R2 pelos valores de
350 k, 500 k e 900 K.

Figura 33 Forma de onda da sada para uma variao de R2.
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ANLISE DOS RESULTADOS

Conforme mostrado na fundamentao terica, o pulso estimulador deve ter uma subida
rpida, de forma a no permitir uma acomodao da clula. Tal tempo de subida idealmente deve
durar menos de 1 ms e nosso projeto conseguiu gerar uma onda com apenas 0,9 ms, conforme
anlise abaixo, na figura 34. Portanto, nosso sistema funcional nesse aspecto.

Figura 34 Tempo de subida e durao do pulso.
A figura acima tambm evidencia a durao do pulso como sendo da ordem de 8 ms, o
que nos leva concluso de que tal onda ir estimular nervos motores e sensoriais, mais
perifricos.
Analisando ainda o que foi mostrado na fundamentao terica com relao ao perodo
refratrio absoluto e relativo, precisamos averiguar se o espaamento de tempo entre o final de
um pulso e o incio do prximo suficiente para a clula recompor seu potencial de 70 mV. Na
figura 35 abaixo nota-se que o intervalo entre os pulsos gerados possui por volta de 10,3 ms
estando, portanto, na faixa capaz de re-estimular a clula.

Figura 35 Intervalo entre pulsos.
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Por ltimo, na mesma figura 35 possvel perceber que o perodo total de um ciclo de
onda dura 20 ms, logo a freqncia de 50 Hz, significando que estamos atuando no caso onde
se inicia a contrao tetnica.

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CONCLUSO

possvel verificar que o modelo proposto propicia reais condies de uso, tomando base
nos resultados obtidos aps simulao em software computacional. O desenvolvimento de um
aparelho eletroestimulador neuromuscular funcional possibilita a realizao de tratamentos nos
diversos casos patolgicos j citados e tambm auxilia no fortalecimento e tonificao
musculares.
Dentro do propsito inicialmente estabelecido, acredita-se que os objetivos foram
alcanados, pois possvel perceber na anlise dos resultados da simulao que o
comportamento do circuito proposto foi bastante satisfatrio, tendo como base de comparao a
fundamentao terica do trabalho. Com relao parte prtica (fabricao do prottipo), devido
a alguns pequenos problemas, no se tornou possvel a execuo.
Procurou-se simplificar ao mximo e tambm adequar a linguagem deste trabalho de
modo a propiciar o seu entendimento tanto para estudantes de engenharia eltrica quanto para
profissionais ligados a fisioterapia. Assim, espera-se uma maior troca de informaes entre os
campos de trabalho destas duas reas, de forma a suprir as necessidades destas duas profisses,
atravs do campo de atuao da engenharia biomdica.

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REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

[1] SEDRA, ADEL S; SMITH, KENNETH, C. Microeletrnica. So Paulo: Pearson
Makron Books, 2000.

[2] LOW, J; REED, A. Eletrotherapy Explained : Principles and Practice. 2 ed. EUA:
Butterworth-Heinemann Medical, 1995.

[3]AMESTOY, R.D.F. Eletroterapia e Eletroacupuntura. 1 Florianpolis: Edio do
Autor, 1998.

[4] ZELENOVSKY, R; MENDONA, A. Eletrnica Digital. Rio de Janeiro: MZ
Editora Ltda., 2004.

[5] KINDERMANN, G. Choque eltrico. 1 ed. Florianpolis: Sagra DC Luzzatto, 1995.

[6] LAUTENBACHER, S; ROLLMAN, G.B. Sex differences in responsiveness to
painful and non-painful stimuli are dependent upon the stimulation method. Pain. EUA, 1993.

[7] FISCHER, A.A. Pressure algometry over normal muscle: standard values, validity
and reproducibility of pressure threshold. Pain. EUA, 1987.

[8] WADSWORTH, H; CHANMUGAN, A.P.P. Electrophysical Agents in
Physiotherapy. 2 ed. Australia: Science Press, 1980.

[9] SILVA, V.P. Microcontroladores PIC: Teoria e Prtica. So Paulo: Edio do Autor,
1997.

[10] ROBINSON, A.J; SNYDER-MACKLER, L. Clinical Electrophysiology:
Electrotherapy and Electrophysiologic Testing . 2 ed. EUA: Williams & Wilkins Press, 1995.

[11] MANCINI, R. Op amps for everyone. Texas Instruments. Disponvel em:
http://focus.ti.com/lit/an/slod006b/slod006b.pdf

[12] CALVERT, J.B. Eletronics Index. Disponvel em:
http://mysite.du.edu/~etuttle/electron/elecindx.htm

[13] Wikipedia. Disponvel em: http://pt.wikipedia.org/wiki/P%C3%A1gina_principal