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I

SUMRIO
1INTRODUO.....................................................................................................................1
2PROCESSOSESTRUTURASPROPRIEDADES.....................................................................2
2.1INTRODUOAOSMATERIAIS...............................................................................................3
2.2TIPOSDEMATERIAIS..............................................................................................................7
2.3RELACOENTREPROCESSOSESTRUTURASPROPRIEDADES..........................................15
2.4EFEITOSDOMEIOSOBOCOMPORTAMENTODOMATERIAL..............................................25
2.5SELEODOSMATERIAIS.....................................................................................................27
3ESTRUTURASATMICAS...................................................................................................29
3.1CONCEITOSELEMENTARES...................................................................................................30
3.2ESTRUTURASATMICAS......................................................................................................35
3.3ESTRUTURAELETRINICADOSTOMOS.............................................................................36
3.3.1NmeroQuntico.......................................................................................................36
3.3.2ConfiguraoEletrnicadosElementos......................................................................39
3.3.3ExclusodePauli........................................................................................................39
3.3.4DesviosdaEstruturaEletrnicaEsperada....................................................................40
3.3.5Valncia......................................................................................................................40
3.3.6TabelaPeridica.........................................................................................................41
3.3.7Eletronegatividade.....................................................................................................41
3.3.8PropriedadesAperidicasePeridicos.......................................................................42
4LIGAESQUMICAS........................................................................................................43
4.1LIGAESPRIMRIASFORTESENTRETOMOS...................................................................43
4.1.1LigaesInicas.........................................................................................................44
4.1.2LigaesCovalentes....................................................................................................46
4.1.3FraoCovalente........................................................................................................49
4.1.4LigaesMetlicas......................................................................................................50
4.2LIGAESSECUNDRIAS......................................................................................................51
II

4.2.1ForasdeVanDerWaals.............................................................................................51
4.2.1.1DipolosFlutuantesInduzidos...................................................................................52
4.2.1.2DipolosPermanentesMolculasPolares...............................................................53
4.3RESUMODASLIGAES.......................................................................................................54
4.4COMPRIMENTO,FORAEENERGIADELIGAO................................................................56
4.4.1ComprimentodeLigao............................................................................................56
4.4.2EnergiadeLigao......................................................................................................57
4.4.3ForaseDistnciasInteratmicas..............................................................................60
5ESTRUTURASCRISTALINAS...............................................................................................62
5.1ORDENAODOSTOMOS.................................................................................................64
5.1.1Desordenado(Amorfo)...............................................................................................65
5.1.2OrdenadoaCurtoAlcance..........................................................................................65
5.1.3OrdenadoaLongoAlcance..........................................................................................66
5.2CLULAUNITRIA.................................................................................................................67
5.2.1NmerodetomosporClulaUnitria.......................................................................70
5.2.2RelaoentreRaioAtmicoeParmetrodeRede......................................................73
5.2.3NmerodeCoordenao............................................................................................75
5.2.4FatordeEmpacotamento............................................................................................77
5.2.5Densidade...................................................................................................................78
5.3ESTRUTURAS.........................................................................................................................79
5.3.1ResumodaEstruturaCbica.......................................................................................79
5.3.2EstruturaHexagonalSimples......................................................................................80
5.3.3EstruturaHexagonalCompacta...................................................................................80
5.3.4AlotropiaouTransformaesPolimrficas..................................................................81
5.4DIREESEPLANOSNOCRISTAL.........................................................................................84
5.4.1CoordenadasdosPontos.............................................................................................84
5.4.2DireesdaClulaUnitria.........................................................................................85
III

5.4.3Planos.........................................................................................................................90
5.4.4ndicesdeMillerparaaClulaHexagonal...................................................................95
5.5METAIS.................................................................................................................................97
5.6CRISTAISINICOS.................................................................................................................98
5.6.1StiosIntersticiais........................................................................................................99
5.6.2TiposdeEstruturas...................................................................................................101
5.6.2.1TeoriadaRedeCristalinaparaCristaisInicos........................................................102
5.6.2.2EstruturasdoTipoAX............................................................................................105
5.6.2.3EstruturasdoTipo

.......................................................................................109
5.6.2.4EstruturasdoTipo

...................................................................................111
5.7CRISTAISCOVALENTES........................................................................................................112
5.7.1EstruturasdoDiamante............................................................................................112
5.8POLMEROS........................................................................................................................113
5.9DIFRAODERAIOSX........................................................................................................114
5.10IMPERFEIESNOARRANJOCRISTALINO........................................................................118
5.10.1VibraesnaRede...................................................................................................120
5.10.2DefeitosPontuais....................................................................................................120
5.10.2.1QuantoaForma...................................................................................................121
5.10.2.2QuantoaOrigemdoDefeito................................................................................128
5.10.2.3QuantoaEstequiometria.....................................................................................138
5.10.3DefeitosLineares....................................................................................................139
5.10.3.1DiscordnciaemEspiral.......................................................................................140
5.10.3.2DiscordnciaemCunha........................................................................................141
5.10.3.3DiscordnciaMista...............................................................................................142
5.10.4DefeitosPlanares....................................................................................................144
5.10.4.1SuperfcieExterna................................................................................................144
5.10.4.2ContornodeGro.................................................................................................144
IV

5.10.5DefeitosVolumtricos.............................................................................................145
5.10.5.1EstruturasAmorfas..............................................................................................145
6PROPRIEDADESTRMICAS..............................................................................................147
6.1CAPACIDADECALORFICA...................................................................................................147
6.2CALORESPECFICO..............................................................................................................147
6.3DILATAOOUEXPANOTRMICA.................................................................................148
6.4CONDUTIVIDADETRMICA.................................................................................................148
6.5TENSESTRMICAS............................................................................................................149
6.6EXPERIMENTOSDEPROPIEDADESTRMICAS....................................................................150
6.6.1AnlisedeCalorEspecficodosMateriais..................................................................150
6.6.2AnlisedeCoeficientedeDilataodeTrsMateriais...............................................152
7PROPRIEDADESMAGNTICAS.........................................................................................154
7.1EXPERIMENTODEPROPRIEDADESMAGNTICAS..............................................................154
7.1.1ObservaodeCampoEletroMagntico...................................................................154
7.1.2VariveisdosCamposEletroMagnticos..................................................................155
8PROPRIEDADESELTRICAS....................................................................................................156
8.1CONCEITOS.........................................................................................................................156
8.2MECANISMOSDECONDUODEBANDASDEENERGIA...................................................157
8.2.1TiposCaractersticosdeEstruturasdeBandasdeEnergiaemSlidos........................159
8.2.2Metais......................................................................................................................159
8.2.3Semicondutores........................................................................................................160
8.2.4Isolantes...................................................................................................................160
8.2.5EfeitodaTemperatura..............................................................................................161
8.3RESISTIVIDADEELTRICADEMETAISELIGAS....................................................................161
8.3.1EfeitodaTemperaturaedaEstruturanaResistividadedoMaterial..........................162
8.4CONDUTIVIDADEELTRICADOSMATERIAISINICOS.......................................................163
8.5CONDUTIVIDADEELTRICADOSMATERIAISCOVALENTES................................................164
V

8.6SEMICONDUTORESCONDUTIVIDADEELETRNICA.........................................................165
8.6.1SemicondutoresConduoIntrnseca.....................................................................166
8.6.2SemicondutoresConduoExtrnseca....................................................................167
8.7SUPERCONDUTIVIDADEELTRICA......................................................................................169
8.8COMPORTAMENTODIELTRICO.........................................................................................170
8.8.1ComportamentoFerroeltrico..................................................................................170
8.8.2ComportamentoPiezoeltrico..................................................................................171
9PROPRIEDADESTICAS...................................................................................................171
9.1CONCEITOSBSICOS..........................................................................................................172
9.2PROPRIEDADESTICASDEMATERIAISMETLICOS..........................................................172
9.3PROPRIEDADESTICASDEMATERIAISNOMETLICOS..................................................173
10BIBLIOGRAFIA...............................................................................................................176
10.1Webgrafia.........................................................................................................................176
11ANEXOS........................................................................................................................177
11.1ExercciosResolvidos........................................................................................................177

1INTRODUO

interessantedividiradisciplinaemCinciaeEngenhariadosmateriais,acinciados
materiais,envolveoestudoeinvestigaodasrelaesentreestruturasepropriedadesdos
materiais.JaEngenhariadosMateriaisbaseadanorelacionamentoestruturaVS.
Propriedade,desenvolveaestruturadeummaterialparaobtercertaspropriedades.Emum
pontodevistafuncional,oCientistadeMateriaisdesenvolveousintetizanovosmateriais
enquantooEngenheirodeMateriaisdesenvolvemsistemasusandomateriaisexistentese/ou
desenvolvetcnicasdeprocessarosmateriais.
AsEstruturasdosmateriaisestorelacionadascomaorganizaodeseus
componentesinternos.Asestruturassubatmicasenvolvemoseltronsemseustomosesua
interaocomoncleo,nonvelatmico,asestruturasenglobamostomosoumolculaseo
modoqueelesserelacionam,aprximamaiorestruturaseriamgruposdetomosou
molculasmicroscopicamenteaglomerados,efinalmenteelementosestruturaisquepodem
servistosaolhonu,chamadosmacroscpicos.
Enquantoemuso,todososmateriaisficamexpostosaestmulosexternosque
resultamemalgumtipoderesposta,porexemploumcorpoexpostoaforamecnica
apresentaralgumtipodedeformao,oufazeropolimentodeumasuperfciemetlicaa
deixarareflexiva.Apropriedadeomaterialtratadotercertotipoemagnitudederespostaa
umestimuloexternoimposto.Essadefiniodepropriedadetemqueserindependentede
tamanhoouforma.
Oobjetivodestaapostilafazercomqueatravsdaorganizaodosdadose
informaesexpostosaosalunos,osmesmosfixemestesedesenvolvamaorganizaoda
comunicaoescrita.
Nestaapostilaestoreunidosostemasdiscutidosemsaladeaula,osexperimentos,os
exercciosresolvidosealgumaspesquisasqueconsidereiinteressanteerelevanteparao
desenvolvimentodoconhecimentobsicodacinciadosmateriais.

2PROCESSOSMICROESTRUTURASPROPRIEDADES
Temosumexemplodarelaoprocessos>microestruturas>propriedadesnafigura
2.1,quemostratrsdiscossobreumasuperfcie.Mostraseclaraadiferenanaspropriedades
pticas(i.e.,atransmissodeluz)dosdiscos;omaisaesquerdatransparente(i.e.,
virtualmentetodaaluzrefletidapassaporele),enquantoosdiscosdocentroedadireitaso,
respectivamente,translcidoeopaco.Estesdiscossodomesmomaterial,Oxidodealumnio,
pormomaisaesquerdaumcristalnicoouseja,comaltograudeperfeiooque
aumentasuatransparncia.Odocentrocompostoporvriospequenoscristaisnicos
conectados;asfronteirasentremestespequenoscristaisdispersopartesdaluzrefletidada
superfcieoquedeixaomaterialopticamentetranslcido.Finalmenteodiscomaisadireita
compostonospormuitospequenoscristaisinterconectados,maistambmcomporum
grandenumerodeporoseespaosvazios.Estesporosajudamnadispersodaluzedeixaeste
materialopaco.
Figura2.1
Destamaneiraasestruturasdostrsdiscossodiferentesemtermosdecristalografia
oqueafetaaspropriedadesdetransmissotica.Almdisso,cadadiscofoiproduzidousando
processosdiferentese,claro,queseatransmissoticaforumparmetroimportanteparaa
utilizao,odesempenhodecadadiscoserdiferente.

2.1INTRODUOAOSMATERIAIS
TODO ENGENHEIRO (HARD)
manufatura materiais
processa materiais
projeta materiais
constri com materiais
seleciona materiais
testa e analisa materiais
Palheta de turbina
Fundi o convencional Gros col unares Cristal nico
Palheta de Turbina

Srie LIBERTY: 1000 navios


Gasoduto na Sibria
Ponte nos EUA

CINCIA dos MATERIAIS: 40 anos


CONHECIMENTO CONHECIMENTO
ENCICLOPDICO FENOMENOLGICO
X
5

Todo ENGENHEIROresponsvel est interessado em melhorar a


performance do que est projetando ou manufaturando
produo: desenvolver processos e materiais com menor custo
eltrico;: (materiais eltricos/dieltricos)
civil: durabilidade, esttica, resistncia corroso
automotivos (leves, resistentes e durveis)
aeroespacial (densidade/resistncia mecnica, alta temperatura)
mecnico (estruturas, componentes)
materiais: materiais com melhor desempenho, com menor custo.
ambiental: processos e materiais eco-desenhados

OBJETIVO
ampliar os conhecimentos dos materiais disponveis
entender seu comportamento em geral e seu POTENCIAL de
utilizao
reconhecer os efeitos do meio e condies de servio -
LIMITAES
fornecer subsdios para compreender o comportamento de
materiais em servio
seu potencial (e limitaes) de utilizao em funo das
condies de servio e do meio

CICLO GLOBAL DOS MATERIAIS


MATRIA-PRIMA
BSICA
metal, papel, cimento,
fibras, produtos qumicos
SUCATA
ou
RESDUOS
A TERRA
MATRIA-PRIMA
BRUTA
carvo, minrios, madeira,
petrleo, rochas,planta,
argilas
MATRIA-PRIMA
INDUSTRIAL
cristais, ligas, tecidos,
chapas, cermicos, plsticos
BENS DE
CONSUMO
carros, pontes, relgios,
equipamentos, mquinas, prdios
Transformao
ou
Processamento
Uso
ou
Servio
ou
Desempenho
Fabricao
Montagem
Descarte
Extrao
ou
Refino
ou
Processamento
Prospeco
ou
Minerao
ou
Colheita
Reciclagem
Cincia e
Engenharia
do
Meio Ambiente
Cincia e
Engenharia:
Materiais
aplicados na
Engenharia
ou

2.2TIPOSDEMATERIAIS
CLASSIFICAO DOS MATERIAIS:
CRITRIOS
aplicaes pela indstria
metais, cermicos, polmeros e compsitos
pelo grau de desenvolvimento tecnolgico
naturais, empricos, desenvolvimento cientfico e projetados
morfologia estrutural
monoestruturados, recobrimentos, gradiente e aleatrio

Metlicos Cermicos Polimricos Compsitos


Cobre Porcelana Polietileno Grafite-epxi
Ferro fundido Vidros Epxi Carbeto de
Ligas de ao Tijolos Fenlicos cobalto e
Louas Refratrios Tungstnio
Classificao dos materiais pela indstria

Materiais metlicos so geralmente uma


combinao de elementos metlicos.
Os eltrons no esto ligados a nenhum
tomo em particular e por isso so bons
condutores de calor e eletricidade
No so transparentes luz visvel
Tm aparncia lustrosa quando polidos
Geralmente so resistentes e
deformveis
So muito utilizados para aplicaes
estruturais
Metais
Classificao dos materiais pela indstria

Materiais cermicos so no-


metlicos e inorgnicos.
Geralmente so xidos, nitretos e
carbetos
So geralmente isolantes de calor e
eletricidade
So mais resistentes a altas
temperaturas e ambientes
severos que metais e polmeros
Os materiais cermicos so
materiais de alta dureza, porm
frgeis
Classificao dos materiais pela indstria
Cermicos

Materiais polimricos so
geralmente compostos
orgnicos baseados em
carbono, hidrognio e outros
elementos no-metlicos.
So constitudos de molculas
muito grandes (macro-
molculas)
Tipicamente, esses materiais
apresentam baixa densidade e
podem ser extremamente
flexveis
Materiais polimricos incluem
plsticos e borrachas
Classificao dos materiais pela indstria
Polmeros

Materiais compsitos so
constitudos de mais de um tipo
de material insolveis entre si.
Os compsitos so projetados
para a obteno de propriedades
as quais no esto presentes em
um material monofsico
Um exemplo clssico o
compsito de matriz polimrica
com fibra de vidro. O material
compsito apresenta a
resistncia da fibra de vidro
associado a flexibilidade do
polmero
Classificao dos materiais pela indstria
Compsitos

10

As diferentes propriedades dos materiais so determinantes na sua classificao


Condutividade
eltrica
representativa para
diferentes
categorias de
materiais
Classificao dos materiais pela indstria

As diferentes propriedades dos materiais, tambm determinam a classificao


Resistncia
mecnica
representativa para
diferentes
categorias de
materiais
Classificao dos materiais pela indstria

11

O uso das diferentes classes dos materiais tem sido alterado com a
evoluo tecnolgica.
Classificao dos materiais pela indstria

Classificao dos materiais pela indstria


Competio entre os materiais:
1978 1993 2003
peso kg 1800 1430
ligas Fe/ao % 60 50 a 60 75
alumnio % 3 a 5 5 a 10
polmeros % 10 a 20 15 a 20 15
outros % 10
Ligas Fe/ao e alumnio
Vidros, fluidos, pneus e
borrachas em geral

12

Classificao
dos materiais
Metais
Polmeros
Cermicos
Aplicao pela
indstria
Classificao dos materiais pela indstria
Espessura de parede: 0,15 mm
%peso embalagem/contedo: 3,85
Densidade (g/cm
3
): 2,70
Espessura de parede: 0,30 mm
%peso embalagem/contedo: 2,90
Densidade (g/cm
3
): 1,35
Espessura de parede:
8,0 mm
%peso
embalagem/contedo:
46,80
Densidade (g/cm
3
): 2,70

Etapas no processo de fabricao de latas de alumnio para bebidas


Classificao dos materiais pela indstria

13

Classificao dos materiais quanto ao


grau de desenvolvimento tecnolgico
1. Naturais: utilizados como se encontram na natureza
2. Empiricamente desenvolvidos:
ex. argila vermelha
3. Desenvolvimento cientfico:
a cincia no desenvolvimento dos materiais
4. Materiais projetados: fabricados
com grau de conhecimento elevado

VIABILIZAO DE PROJETOS DE ALTA TECNOLOGIA


Classificao dos materiais quanto ao grau de
desenvolvimento tecnolgico
Materiais projetados

14

Exemplo: lmpada de sdio (1000


o
C) com
tubo de alumina
(100 lmens/W convencional 15 lmens/W)
Alumina convencional (opaca) Alumina translcida
Materiais projetados:
Classificao dos materiais quanto ao
grau de desenvolvimento tecnolgico
porosidade: 3% porosidade: 0,3%

Classificao dos materiais segundo morfologia


1.Monoestruturados: nico conjunto de propriedades
2.Recobrimentos: propriedades da superfcie diferente
das do corpo
3.Gradiente material: multicamadas com gradiente
de propriedades
4.Composio aleatria de diferentes materiais: reforo por segunda fase

15

2.3RELAOENTREPROCESSOSESTRUTURAPROPRIEDADES
MATERIAIS PARA ENGENHARIA
desenvolvidos para uso na Indstria
fundamento: CINCIA DOS MATERIAIS
interrelao entre ESTRUTURA e PROPRIEDADES
ESTRUTURA PROPRIEDADES
CINCIA DOS MATERIAIS

MATERIAIS PARA ENGENHARIA


ESTRUTURA
PROPRIEDADES
PROCESSOS DE FABRICAO

16

MATERIAIS PARA ENGENHARIA


ESTRUTURA PROPRIEDADES
PROCESSO DE FABRICAO
CINCIA DOS MATERIAIS

MATERIAIS PARA ENGENHARIA


ESTRUTURA NOS MATERIAIS
ESTRUTURA ATMICA
ESTRUTURA CRISTALINA
MICROESTRUTURA
MACROESTRUTURA

17

DIVISO DA ESTRUTURANOS MATERIAIS

18

MATERIAIS PARA ENGENHARIA


PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
MECNICAS
FSICAS
QUMICAS

- PROPRIEDADES DOS MATERIAIS


mecnicas
resistncia trao, compresso, flexo
resistncia ao escoamento, fluncia, fadiga
ductilidade
mdulo de elasticidade
resistncia ao desgaste
fsicas
propriedades eltricas
magnticas
trmicas
pticas
densidade
qumicas
resistncia corroso

19

- PROPRIEDADES
DE SUPERFCIE
DE VOLUME

- PROPRIEDADES DE SUPERFCIE
reatividade com o meio, resistncia corroso e
ao desgaste, biocompatibilidade, efeito decorativo

20

- PROPRIEDADES DE CORPO
comportamento mecnico, propriedades eltricas e
magnticas, condutividade trmica

- PROPRIEDADES DOS MATERIAIS


Exemplos representativos: aplicaes e propriedades de cada categoria de material

21

- PROPRIEDADES DOS MATERIAIS


Exemplos representativos: aplicaes e propriedades de cada categoria de material

MATERIAIS PARA ENGENHARIA


PROCESSOS DE
FABRICAO
FUNDIO
LAMINAO
EXTRUSO
METALURGIA DO P
PRENSAGEM
COLAGEM
OUTROS ...

22

MATERIAIS PARA ENGENHARIA


PROCESSOS DE FABRICAO
os materiais precisam adquirir forma e dimenses
para ser utilizveis na Indstria
so definidos em funo das propriedades dos
materiais iniciais e das propriedades necessrias
para fazer frente s condies de servio da pea ou
componente

- PROCESSOS DE FABRICAO
METAI S
Fundio: areia, vazamento, molde
permanente, cera perdida, lingotamento
contnuo
Conformao: forjamento, extruso,
estampagem profunda, dobramento, laminao
J uno: soldagem a gs, por resistncia
eltrica, brasagem, a arco, a estanho, por
frico e por difuso
Usinagem: torneamento, perfurao, fresa,
corte
Metalurgia do p
CERMICOS
Fundio ou colagem
Compactao: extruso, prensagem e
prensagem isosttica
Sinterizao
POLMEROS
Moldagem por injeo
Conformao: a vcuo, por repuxamento,
por extruso
SEMI-CONDUTORES
Crescimento de cristais
Deposio qumica de
vapores
COMPSITOS
Fundio, incluindo infiltrao
Conformao
J uno: juno adesiva, ligadura por
exploso, por difuso
Compactao e sinterizao

23

- PROCESSOS DE FABRICAO
DIFERENTES PROCESSOS DE FABRICAO
DIFERENTES MICROESTRUTURAS

MATERIAIS PARA
ENGENHARIA
Exemplo da relao
tripartite aplicada a uma
barra de alumnio laminado

24

MATERIAIS PARA ENGENHARIA


ESTRUTURA
PROPRIEDADES
PROCESSOS DE FABRICAO
DESEMPENHO
como os materiais se comportam nas condies de servio
(laboratrio, acompanhamento e anlise post-mortem)
ESTRUTURA PROPRIEDADES
PROCESSO DE FABRICAO
CINCIA DOS MATERIAIS

MATERIAIS PARA ENGENHARIA


ESTRUTURA PROPRIEDADES
PROCESSO DE FABRICAO
CINCIA DOS MATERIAIS
DESEMPENHO

25

2.4EFEITOSDOMEIOSOBOCOMPORTAMENTODOMATERIAL
Os materiais tm seu comportamento influenciado
pelo meio em que se encontram:
- TEMPERATURA
- CORROSO
- RADIAO
- DESGASTE

Temperatura
Tendncia: T RM
troca rpida de temperatura - catastrfica
Aumento de
temperatura
diminui a
resistncia
mecnica dos
materiais

26

Corroso
Metais e polmeros reagem com O
2
e outros gases
aumento de temperatura reage mais
pode ocorrer corroso por lquidos
pits, trincas fratura
Cermicos podem ser atacados por outros lquidos cermicos
Alumnio
atacado por
bactria
Hidrognio dissolvido no
cobre
fratura frgil

Radiao De alta energia


Ex.: neutrons de reatores nucleares que podem afetar a estrutura interna dos
materiais, diminuir a resistncia mecnica e fragilizar o material, devido a
formao de fissuras.
Desgaste Abraso
Ex.: pisos cermicos desgastados com o trfego de pessoas

27

2.5SELEODOSMATERIAIS
Quais os critrios que um engenheiro deve adotar para selecionar
um material entre tantos outros?
Custo total.
Em primeiro lugar, o engenheiro deve caracterizar quais as condies de servio a que
ser submetido o material e levantar as propriedades requeridas para tal aplicao.
Deve-se incluir os fatores de degradao de propriedades, como temperatura de
trabalho, agentes corrosivos - ataque qumico, desgaste, radiaes, nessas
consideraes.
Determinar (ou saber como foram determinados) as propriedades de interesse e saber
qual o desempenho e limitaes e restries no uso dos materiais selecionados.
Em raras ocasies um material rene uma combinao ideal de propriedades,
ou seja, muitas vezes necessrio reduzir uma em benefcio da outra. Um
exemplo clssico so resistncia e ductilidade, geralmente um material de alta
resistncia apresenta ductilidade limitada. Este tipo de circunstncia exige que
se estabelea um compromisso razovel entre duas ou mais propriedades
Disponibilidade de matria-prima e viabilidade tcnica em obter a dimenso e forma da
pea para seu emprego.
Impacto ambiental da produo e reciclabilidade do material aps uso.

Em resumo deve-se selecionar um material que:


1. Apresente as propriedades adequadas
Compromisso entre propriedades
Confiabilidade
2. Possa ser processado na forma desejvel
3. Seja economicamente vivel (matria-prima e processo de fabricao)
4. Possa ser produzido com baixo impacto ambiental e posa ser reciclado

28

Material Resistncia Mecnica


(MPa)
Densidade Resistncia/peso
(m
2
s
-2
10
3
)
Polietileno 7 0,83 8
Alumnio puro 45 2,7 17
Cobre puro 207 8,9 23
Ao baixo-carbono 393 7,8 50
Titnio puro 241 4,4 55
Al
2
O
3
207 3,9 53
Nylon 76 1,11 68
Epxi 103 1,4 74
Ao alto-carbono 614 7,8 79
Si
3
N
4
483 3,2 151
Ao-liga tratado termicamente 1655 7,8 212
Liga de alumnio tratada termicamente 593 2,7 220
Compsito carbono-carbono 414 1,8 230
Liga de titnio tratada termicamente 1172 4,4 256
Compsito Kevlar-epxi 448 1,4 320
Compsito carbono-epxi 551 1,4 393
RELAO: RESISTNCIA/DENSIDADE

RELAO: RESISTNCIA/DENSIDADE

29

3ESTRUTURASATOMICAS
antes de entender fenmenos que determinampropriedades nos materiais a
partir da MICROESTRUTURAdeve-se primeiramente entender a ESTRUTURA
ATMICA(e ESTRUTURACRISTALINA) dos materiais porque estas definem
algumas de suas propriedades
ESTRUTURA PROPRIEDADES
CINCIA DOS MATERIAIS
ESTRUTURA ATMICA
ESTRUTURA CRISTALINA
MICROESTRUTURA

Ordem de grandeza da estrutura atmica 10


-15
a 10
-10
m
A estrutura
eletrnica dos
tomos determina
a natureza das
ligaes atmicas
e define algumas
propriedades dos
materiais
Propriedades:
fsicas, pticas,
eltricas e
trmicas

30

3.1CONCEITOSELEMENTARES
Por que os elementos no se decompem formando novos elementos?
Por que as substncias se decompem formando novas substncias?
Por que o nmero de elementos pequeno comparado ao nmero de
substncias?
Surgimento de Dalton
Thompson
TEORIAS: Rutherford
Bohr
Princpio da incerteza de Heisenberg

Teoria atmica de Dalton entre 1803-1808:


- tomo;
- igual em todas as suas propriedades;
- tomos de elementos possuem propriedades fsicas e
qumicas diferentes;
- substncia formada pela combinao de dois ou mais tomos
Cada tomo guarda sua identidade qumica.
Teoria atmica de Thomson 1887:
- tomo de Dalton no explicava fenmenos
eltricos (raios catdicos = e
-
);
- modelo do pudim de passas: uma esfera
positiva com e
-
na superfcie;
- Eugene Goldstein sups o prton destruindo
a teoria de Thomson.

31

Teoria atmica de Rutherford 1911:


Para saber o contedo de um caixote pode-se atirar nele, se a bala passar ele est
vazio, ou tem um material pouco consistente.
Partculas alfa contra uma fina lmina de ouro (0,0001 cm - dez mil tomos) a grande
maioria das partculas atravessava a lmina ou parte ricocheteava.

Teoria atmica de Rutherford 1911: MODELO PLANETRIO


- o tomo no macio, mais espaos vazios;
- regio central - ncleo - cargas positivas;
- eletrosfera - eltrons (1836 vezes mais leve);
- a relao entre partculas que passam e a as
que ricocheteiam: tamanho do tomo cerca
de 10 mil vezes maior que o tamanho do ncleo.

32

Teoria atmica de Bohr 1913: MODELO RUTHERFORD-BOHR


No explicava os espectros atmicos.
- os eltrons circundam orbitalmente
- cada nvel tem um valor determinado
de energia (no possvel permanecer
entre os nveis);
- excitao do eltron: passa de um
nvel para o outro;
- volta emitindo energia
NOVIDADE DA TEORIA:
quantizao da energia dos eltrons

Teoria atmica de Bohr 1913: MODELO RUTHERFORD-BOHR


Energia dos trs primeiros
eltrons de hidrognio.
Comparao entre (a) Bohr e (b)modelo mecnico
ondulatrio (quntico) em funo da distribuio de e
-
.

33

Teoria atmica de Bohr 1913: MODELO RUTHERFORD-BOHR


O tomo de Bohr mostrando os eltrons em orbitas circulares ao redor do ncleo. Os
orbitais apresentam energia quantizada. Ocorre transmisso de energia do tomo
quando um eltron pula de um orbital mais afastado do ncleo, para um mais prximo.

Princpio da Incerteza de Heisenberg 1927:


- medir a temperatura de uma piscina, de um copo de gua, de uma gotcula de
gua;
- a luz interage com o eltron, logo no possvel ter certeza de sua
posio;
- contraps as rbitas circulares de Bohr;
- o eltron bem mais caracterizado pela sua energia do que por sua
posio, velocidade ou trajetria.
Fenmenos qumicos: eletrosfera - ncleo inalterado
Fenmenos nuclear ou radioativo: ncleo

34

TOMOS NCLEOS PRTON


NEUTRON
ELETROSFERA ELTRON
CONCEITUAR:
UNIDADE DE MASSA ATMICA (u.m.a.)
NMERO ATMICO (Z)
MASSA ATMICA
NMERO DE AVOGADRO (N
A
)
ISTOPOS
ISBAROS
ISTONOS

Unidade de massa atmica (u.m.a.): definida como 12 avos da massa do


carbono 12. H 6,02 x 10
23
u.m.a. por grama
1 u.m.a./tomo (ou molcula) = 1g/mol
Nmero atmico (Z): o n
o
de prtons no ncleo.
Massa atmica (A): soma das massas dos prtons e neutrons do ncleo de
um tomo.
Nmero de Avogadro (N
A
): n
o
de tomos ou molculas de um g.mol, e
corresponde a 6,02 x 10
23
mol
-1
.
Istopos: n
os
atmicos iguais e diferentes massas.
Isbaros: n
os
de massa iguais e diferentes n
os
atmicos.
Istonos: n
os
de neutrons iguais.

35

tomo - ncleo neutrons


prtons
- eletrosfera eltrons
mantida pela atrao eletrosttica
carga massa
e- -1,60 x 10
-19
C 9,11 x 10
-28
g
prton +1,60 x 10
-19
C 1,67 x 10
-24
g
neutron - 1,67 x 10
-24
g

3.2ESTRUTURAATMICA
Eltrons (e
-
): - componente do tomo com carga negativa
de 1,6 x 10
-19
C;
- apresentam-se em rbitas;
- podem ser e
-
de valncia, se na ltima camada;
- podem gerar ctions ou nions.
Os e
-
mais afastados do ncleo determinam:
- propriedades qumicas;
- natureza das ligaes interatmicas;
- controlam tamanho do tomo, condutividade eltrica;
- influencia nas caractersticas ticas.

36

3.3ESTRUTURAELETRNICADOSTOMOS
3.3.1NMEROSQUNTICOS

NMERO QUNTICO PRINCIPAL (n):


representa os nveis principais de energia para o
eltron, pode ser imaginado como uma camada no
espao onde a probabilidade de encontrar um eltron
com valor particular de n muito alta.
NMERO QUNTICO SECUNDRIO (l):
especifica subnveis de energia dentro de um nvel de
energia, tambm especifica uma subcamada onde a
probabilidade de se encontrar o eltron bastante
elevada.
l = 0 1 2 3
l = s p d f
Caractersticas direcionais dos orbitais s, p e d

37

NMERO QUNTICO MAGNTICO (m


l
):
especifica a orientao espacial de um orbital
atmico e tem pouco efeito na energia do
eltron. Depende do valor de l.
NMERO QUNTICO DO SPIN DO ELTRON (m
s
):
especifica as duas condies permitidas para um eltron
girar em torno de seu prprio eixo. As direes so no
sentido horrio e anti-horrio.
GENERICAMENTE
m
l
= 2l + 1
VALORES PERMITIDOS
+ 1/2 e -1/2

Exemplo da distribuio eletrnica do tomo de sdio, de nmero atmico


11, observa-se os eltrons nas camadas qunticas K, L e M.

38

Representao
da energia
relativa dos
eltrons de
cada camada e
subcamada

39

3.3.2CONFIGURAOELETRNICADOSELEMENTOS
Descreve o modo com o qual os eltrons esto arranjados nos orbitais do
tomo.
A configurao escrita por meio de uma notao convencional: lista o
n quntico principal, seguido pela letra do orbital, e o ndice sobrescrito
acima da letra do orbital.
Exemplo de configurao eletrnica:
1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
4s
2
3d
10
4p
6
5s
2
Sr
DIAGRAMA DE LINUS PAULING

3.3.3EXCLUSODEPAULI
Distribuio eletrnica de tomos neutros
1s
2
Nvel
de
energia
Subnvel
Nmero
mximo
de
eltrons
Princpio de excluso de Pauli:
apenas 2 e
-
podem ter os mesmos n
os
qunticos
orbitais e estes no so idnticos pois tem spins
contrrios

40

3.3.4DESVIOSDAESTRUTURAELETRNICAESPERADA
Ocorre pois nem sempre
seguida a distribuio
eletrnica prevista pelo
ordenamento de eltrons,
principalmente quando o n de
tomos aumenta e os nveis d e
f comeam a ser preenchidos.

3.3.5VALNCIA
A camada de valncia a camada mais afastada do ncleo.
Est relacionada com a capacidade de um tomo em se combinar
quimicamente com outros elementos
Exemplo:
Mg: 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
Valncia 2
Al: 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
1
Valncia 3
Ge: 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
3d
10
4s
2
4p
2
Valncia 4
Depende tambm da natureza da reao qumica.
Exemplo: P

41

3.3.6TABELAPERIDICA

3.3.7ELETRONEGATIVIDADE
Valores de eletronegatividade dos elementos, segundo a Tabela Peridica dos elementos.
Tabela de Eletronegatividade

42

Descreve a tendncia de um elemento em receber eltrons para completar


seu nvel energtico mais externo.
Exemplo: na ligao inica NaCl, Cl eletronegativo.

3.3.8PROPRIEDADESAPERIDICASEPERIDICOS
Relao do PF e PE com o nmero
atmico
Aperidicas: massa atmica
Peridicas: raio atmico
potencial de ionizao
eletroafinidade
densidade
PF e PE

43

Relao do
potencial de
ionizao com o
nmero atmico
Aperidicas: massa atmica
Peridicas: raio atmico
potencial de ionizao
eletroafinidade
densidade
PF e PE

4LIGAESQUIMICAS
4.1LIGAESPRIMRIASFORTESENTRETOMOS
O tipo de ligao interatmica geralmente explica a propriedade do material. Por
exemplo, o carbono pode existir na forma de grafite que mole, escuro e gorduroso e na
forma de diamante que extremamente duro e brilhante. Essa enorme disparidade nas
propriedadescomeapelotipodeligaoqumicadocarbonoemcadaumdoscasos.Paraum
elementoadquiriraconfiguraoestvelde8e

naltimacamadaelepode:
1. Recebere

extrasformandoons
2. Cedere

positivosounegativos
3. Compartilhare

associaoentretomos
Inicas
LigaesprimriasCovalentes
Metlicas

44

4.1.1LIGAESINICAS
z Os eltrons de valncia so
transferidos entre tomos
produzindo ons
z Forma-se com tomos de
diferentes eletronegatividades
(alta e baixa)
z A ligao inica no direcional,
a atrao mtua
z A ligao forte= 150-300
Kcal/mol (por isso o PF dos
materiais com esse tipo de
ligao geralmente alto)
Inica

Em resumo:
Atrao mtua de cargas + e -
Envolve o tamanho de ons
Elementos menos eletronegativos: cedeme
-
ctions
Elementos mais eletronegativos: recebeme
-
nions

45

Propriedades de compostos inicos


Os ons em um slido inico so ordenados na rede, formando
uma forte atrao eltrica entre eles
Sais e xidos metlicos so tipicamente compostos inicos.
A forte ligao responsvel por:
- Elevada dureza (se frgil)
- Elevado pontos de fuso e ebulio
- Cristalinos slidos a T
ambiente
- Podem ser solveis em gua
Os slidos cristalinos no conduzem eletricidade, pois os ons
no esto livres para mover-se e transportar corrente eltrica.
Compostos inicos fundidos ou dissolvidos em gua sero
condutores de eletricidade, pois como partculas inicas esto
livres.

46

4.1.2LIGAESCOVALENTES
z Os eltrons de valncia so
compartilhados
z Forma-se com tomos de alta
eletronegatividade
z A ligao covalente
direcional
z A ligao covalente forte
(um pouco menos que a
inica)= 125-300 Kcal/mol
z Esse tipo de ligao comum
em compostos orgnicos, por
exemplo em materiais
polimricos e diamante.
Tipo de simetria em
ligaes covalentes
Covalente

Usufruto de um par de eltrons comum


Pode ser coordenada ou dativa
Covalncia entre ametais (Ex. F
2
, O
2
, Cl
2
) baixo PF
Covalncia entre mais tomos (Ex. Diamante) alto PF
Em resumo:
Metano
Amnia
Par de eltrons
no ligados

47

Compostos covalentes unidades individuais: molculas


Molcula simples: pequeno grupo de tomos ligados por foras covalentes. Propriedades:
- Podem ser lquidos ou slidos(no cristalinos) a T
ambiente
- Insolveis em gua, mas solveis em outros solventes
- Isolantes eltricos e no eletrlitos
- Apresentam baixo ponto de fuso e ebulio: foras entre tomos so fortes, mas as
foras entre molculas so fracas e facilmente quebradas no aquecimento
- So ms condutores de eletricidade devido a ausncia de eltrons (ou ons) livres
Macromolcula: molculas grandes com um grande nmero de tomos ligados covalentemente
em uma estrutura contnua. Propriedades:
- Slidos com alto ponto de fuso: elementos podem formar ligaes simples com
outros tomos, formando uma estrutura muito estvel. Ex Diamante
- Cristalinos, freqentemente

Diamante macromolcula
C distribuio eletrnica no estado fundamental: 1s
2
2s
2
2p
2
pode formar 2
ligaes covalentes
C forma quatro ligaes covalentes de mesma intensidade porm
HIBRIDIZAO
1s 2s
2p
Dois orbitais
semipreenchidos
1s Quatro orbitais equivalentes
sp
3
semipreenchidos
ARRANJO DOS ORBITAIS NO
ESTADO FUNDAMENTAL
ARRANJO DOS ORBITAIS sp
3
HIBRIDIZADAS
ENERGIA PARA LEVAR O ELTRON 2s PARA O ORBITAL 2p COMPENSADA
PELA DIMINUIO DE ENERGIA QUE ACOMPANHA O PROCESSO DE LIGAO

48

Diamante
C apresenta ligaes tetradricas sp
3
: C no centro de um tetraedro regular formado de
outros quatro carbonos
Estrutura do diamante: molcula macia contnua em cada cristal
Dureza do diamante trincar um diamante significa quebrar milhes de ligaes
covalentes com energia de ligao de 711kJ/mol

Grafite
- apresenta-se em camadas
- C 3 vizinhos prximos com comprimento
de ligao 1,42
- planos separados por 3,35
indica foras de ligao fracas
Gap de van der Waals
- ligao na camada: sp
2
hbrida
- ligao entre camadas: orbital p
- Propriedades qumicas e condutividade
eltrica esto relacionadas com as ligaes

49

4.1.3FRAOCOVALENTE
Muito poucos compostos exibem ligao inica e covalente
puras.
A maioria das ligaes inicas tm um certo grau de ligao
covalente e viceversa transferem e compartilham
eltrons.
O grau do tipo de ligao depende da eletronegatividade dos
tomos constituintes.
Muitos cermicos e semicondutores so formados por metais
e no-metais, e so na verdade uma mistura de ligaes
inicas e covalente.
Quanto maior a diferena de eletronegatividade entre os
tomos aumenta o carter inico.
O carter inico aumenta em elementos com distribuio
eletrnica de final sp

FC = exp (- 0,25 E
2
)
onde E a diferena nas eletronegatividades dos tomos
Ex: SiO
2
E
Si
= 1,8 E
O
= 3,5
Frao covalente FC = 0,486= 48,6%
FI = 1 FC FI: frao inica

50

4.1.4LIGAESMETLICAS
z Forma-se com tomos de baixa
eletronegatividade (em torno de 3
eltrons de valncia)
z Os eltrons de valncia so divididos
por todos os tomos (no esto
ligados a nenhum tomo em
particular) e assim eles esto livres
para conduzir
z A ligao metlica no direcional
porque os eltrons livres protegem o
tomo carregado positivamente das
foras repulsivas eletrostticas
z A ligao metlica forte (um pouco
menos que a inica e covalente)= 20-
200 Kcal/mol
Metlica

Eltrons externos dos tomos do metal esto livres para mover-se entre os centros positivos
juno eletrnica determinam propriedades
Fora eltrica de atrao entre eltrons mveis e imveis ligao metlica.
Forte ligao resulta em: materiais densos, fortes com alto ponto de fuso e ebulio
Metais - bons condutores de eletricidade: eltrons livres so transportadores de
carga e corrente eltrica, quando uma
ddp aplicada na pea metlica.
- bons condutores de calor: choques de eltrons livre, transferindo E
c
- tem uma superfcie prateada que pode ser facilmente manchada por
corroso, oxidao do ar e da gua
ons
mar de
eltrons

51

4.2LIGAESSECUNDRIAS
Podem ser:
Ligaes ou Foras de - Dipolos permanentes -Pontes de
van der Waals Hidrognio
- Dipolos flutuantes -Dipolos
induzidos
Est relacionada com a quantidade de energia envolvida
- PE dos halognios (F
2
, Cl
2
, Br
2
, I
2
): crescente massa molecular
- PE dos haletos dos halognios
geometria molecular: linear, trigonal plana, angular,
tetradrica, piramidal;
repulso dos pares eletrnicos - ngulo de ligao

4.2.1FORASDEVANDERWAALS
z So ligaes de natureza
fsica
z A polarizao (formao de
dipolos) devido a estrutura da
ligao produz foras
atrativas e repulsivas entre
tomos e molculas
z A ligao de van der Waals
no direcional
z A ligao fraca< 10 Kcal/mol
Van der Waals

52

4.2.1.1DIPLOSFLUTUANTESINDUZIDOS
Ocorre em molculas com distribuio de
cargas eltricas simtricas (H
2
, N
2
, O
2
,...), onde
os e
-
e suas vibraes podem distorcer esta
simetria, ocorrendo um dipolo eltrico.
Esquema representativo (a) tomo eletricamente
simtrico (b) um dipolo atmico induzido

53

4.2.1.2DIPLOSPERMANENTESMOLCULASPOLARES
Molculas assimtricas (NH
3
, CH
3
Cl) jamais tm
coincidentes os centros de suas cargas positivas e
negativas, podendo interagir eletrostaticamente com as
adjacentes.
Esquema representativo da
molcula polar de HCl
Molculas polares
na ausncia de
campo eltrico
na presena de
campo eltrico

z Nome deriva da ligao: H - centro


de cargas positivas, atraindo o centro
das cargas negativas das molculas
adjacentes POLARIZAO
z Produo de foras de van der
Waals entre as molculas:
- alinhamento de plos
negativos com positivos
(ngulo de ligao 109,5
o
)
- molculas formam uma
estrutura quase hexagonal
z H ligado a F, O e N
PONTES DE HIDROGNIO
uma das mais fortes ligaes
secundrias, e um caso especial
de molculas polares (distribuio desigual da
densidade de eltrons)

54

PONTES DE HIDROGNIO
ons e de certas molculas se dissolvem na gua polaridade
Exemplo:o cloreto de sdio (forma cristalina)
e dissolvido em gua.
Propriedades da gua ligao
- gelo flutuar: menos
denso: as ligaes de hidrognio
mantm as molculas de gua
mais afastadas no slido do que
no lquido, onde h uma ligao
hidrognio a menos por molcula)
- elevado calor de
vaporizao
- forte tenso
superficial
- alto calor especfico
- propriedades
solventes
- efeito hidrofbico
Estrutura do gelo

4.3RESUMODASLIGAES
INICA COVALENTE METLICA SECUNDRIAS

55

Comparao entre ligao covalente (na formao de molculas) e


foras de van der Waals (ligao fraca entre molculas dissolvidas)

Inica Covalente Metlica Intermolecular


Intensidade
de ligao
forte muito forte
moderada e
varivel
fraca
Dureza moderada a alta muito duro, frgil
baixa a moderada;
dctil e malevel
mole e plstico
Condutivida
de eltrica
conduo por transporte de
ons, somente quando
dissociado
isolante em slido e
lquido
bom condutor por
tramnsporte de
eltrons
isolantes no estado
slido e lquido
Ponto de
fuso
moderado a alto baixo geralmente alto baixo
Solubilidade
solvel em solventes
polares
solubilidade muito
baixa
insolveis
solveis em
solventes
orgnicos
Exemplos muitos minerais
diamante, oxignio,
molculas orgnicas
Cu, Ag, Au, outros
metais
gelo,slidos
orgnicos
(cristais)
Comparao entre o tipo de ligao e propriedades esperadas
Exceo do diamante

56

4.4COMPRIMENTO,FORAEENERGIADELIGAO
Representao
tetradrica dos
diferentes tipos de
ligaes que ocorrem
entre os materiais de
engenharia.

4.4.1COMPRIMENTODELIGAO
z A distncia entre 2 tomos
determinada pelo balano das
foras atrativas e repulsivas
z As foras atrativas variam
com o quadrado da distncia
entre os 2 tomos
z As foras repulsivas variam
inversamente proporcional a
distncia interatmica
z Quando a soma das foras
atrativas e repulsivas zero,
a distncia entre os tomos
est em equilbrio.

57

4.4.2ENERGIADELIGAO
z a soma das foras atrativas e
repulsivas entre os tomos
z No ponto de equilbrio a soma das
duas foras zeroF
resultante
= 0
z Quando os tomos se aproximam as
foras de atrao e repulso
aumentam (mas as foras de
repulso aumentambemmais)
F
atrao
= - Z
1
Z
2
e
2
4
0
a
2
F
repulso
= - nb
a
n+1
F
resultante
= - Z
1
Z
2
e
2
- nb
4
0
a
2
a
n+1
F
atrao
> F
repulso
F
atrao
< F
repulso

z Inclinao da curva no ponto de equilbrio fora necessria para separar os tomos


z Corresponde ao mdulo de elasticidade (E) que a inclinao da curva x

58

z Algumas vezes mais conveniente


trabalhar com energia (potencial) do
que foras de ligaes.
z Matematicamente energia (E) e fora
de ligaes (F) esto relacionadas
por : E= F.dr
z A menor energia o ponto de
equilbrio
E
atrao
= Z
1
Z
2
e
2
4
0
a
E
repulso
= nb
a
n
E
resultante
= Z
1
Z
2
e
2
+ nb
4
0
a a
n

z Alguns valores de energia e comprimento de ligao


Energia de ligao necessria para
romper um mol de ligaes
Comprimento das energias de ligao:
Ligao Kcal/mol Comprimento (nm)
C - C 88 0,154
C = C 162 0,13
C C 213 0,12
C - H 104 0,11
C - O 86 0,14
H - H 104 0,074

59

z a mnima energia necessria para formar ou romper uma ligao.


z Esto relacionados com a energia de ligao propriedades como:
- mdulo de elasticidade;
- coeficiente de expanso trmica;
- ponto de fuso;
- calor latente
- resistncia mecnica
Energia de ligao x distncia
interatmica na ligao do HH

z Quanto mais profundo o poo de energia maior a temperatura de fuso do material


z Devido s foras de repulso aumentarem muito mais com a aproximao dos
tomos a curva no simtrica. Por isso, a maioria dos materiais tendem a se expandir
quando aquecidos

60

Quando energia fornecida a um material, a vibrao trmica faz com


que os tomos oscilem prximos ao estado de equilbrio.
Devido a assimetria da curva de energia de ligao x distncia
interatmica, a distncia mdia entre os tomos aumenta com o
aumento da temperatura.
Ento, quanto mais estreito o mnimo de potencial menor o coeficiente
de expanso trmica do material

4.4.3FORASEDISTNCIASINTERATMICAS

61

62

5ESTRUTURASCRISTALINAS
antes de entender fenmenos que determinam propriedades nos materiais a
partir da MICROESTRUTURAdeve-se primeiramente entender a (ESTRUTURA
ATMICA) e ESTRUTURA CRISTALINAdos materiais porque estas definem
algumas de suas propriedades
ESTRUTURA ATMICA
ESTRUTURA CRISTALINA
MICROESTRUTURA
ESTRUTURA PROPRIEDADES
CINCIA DOS MATERIAIS

63

As propriedades de alguns materiais esto


diretamente associadas sua estrutura
cristalina.
Ex: magnsio e berlio que tm a
mesma estrutura (HC) se deformam muito
menos que ouro e prata (CFC) que tm outra
estrutura cristalina.
Explica a diferena significativa nas
propriedades de materiais cristalinos e no
cristalinos de mesma composio.
Ex: Materiais transparentes,
translcidos opacos e no-cristalinos.
As propriedades dos materiais slidos
cristalinos depende da estrutura cristalina, ou
seja, da maneira na qual os tomos,
molculas ou ons esto espacialmente
dispostos.
A diferena no comportamento
mecnico de um material slido
definida no arranjo atmico, e
conseqentemente na sua estrutura
cristalina.

64

Importncia da estrutura cristalina


Grande parte da diferena das propriedades dos materiais de interesse
tecnolgico, assim as diferenas na estrutura cristalina de um mesmo composto
de grande importncia na Engenharia.
Carbono grafite hexagonal
diamante cbico
Nitreto de boro cbico
grafite
Fe CCC
CFC
O que se pode fazer para
modificar a resistncia
mecnica de um material ?
Alotropia ou Polimorfismo:

5.1ORDENAODOSTOMOS
Cristal Amorfo Gs
Ordenamento a
longo alcance
Ordenamento a
curto alcance
Sem
ordenamento
Os materiais slidos podem ser classificados de acordo com a regularidade
na qual os tomos ou ons se dispem em relao seus vizinhos.
Estado slido
Estado gasoso

65

5.1.1DESORDENADO(AMORFO)
Em gases, como o Ar e outros gases nobres.
Se confinados, os gases no apresentaro nenhuma ordem
entre seus tomos constituintes.
Argnio
Hlio

5.1.2ORDENADOACURTOALCANCE
ngulos, distncias e simetria com ordenao
a curto alcance.
Ocorre na H
2
O, que apresenta uma orientao
preferencial, no SiO
2
e no polietileno.
em materiais no-cristalinos ou amorfos
H
O
O
H
2
O
SiO
2
Polietileno

66

5.1.3ORDENADOALONGOALCANCE
Material cristalino
tomos ordenados em longas distncias atmicas
formam uma estrutura tridimensional
rede cristalina
Metais, muitas cermicos e alguns
polmeros formam estruturas
cristalinas sob condies
normais de solidificao

A rede formada por tomos se repete regularmente


REDE: conjunto de pontos espaciais
que possuem vizinhana
idntica.
Na rede a relao com vizinhos constante:
- simetria com os vizinhos;
- distncias define o parmetro de rede;
- ngulos entre arestas
PARMETROS PELOS QUAIS SE DEFINE UM CRISTAL
Exemplo esquemtico
de rede

67

Na solidificao ou por saturao de uma soluo.


SOLIDIFICAO Cristais se formam no sentido
contrrio da retirada de calor
Mais baixa energia livre
Maior empacotamento
SATURAO de uma
soluo.
Como s cristais se formam?

5.2CLULAUNITRIA
As estruturas ideais apresentam baixa energia e maior empacotamento,
j as reais compreendem os defeitos possveis nas ideais.
As estruturas ideais compreendem:
- diferentes sistemas cristalinos ngulos ,,
tamanho das arestas a, b, c
- sistemas cristalinos 7 diferentes
- redes de Bravais 14 diferentes

68

CLULA UNITRIA menor subdiviso da rede cristalina


que retm as caractersticas de toda
a rede.
Clula unitria
Arranjo de
tomos em
um cristal
Rede
cristalina
Representao da clula unitria CFC

CLULA UNITRIA existem diferentes tipos de clulas


unitrias, que dependem da relao
entre seus ngulos e arestas.
Existem 14 tipos diferentes:
redes de Bravais, agrupadas em
sete tipos de estruturas
cristalinas (sistemas cristalinos).
Trs diferentes tipos de estruturas cristalinas

69

Sete sistemas cristalinos

Metais cristalizam
preferencialmente:
- hexagonal
- CCC
- CFC
- CS muito raro
7 sistemas cristalinos e 14 redes de Bravais
METAIS
Ligao metlica no-
direcional: no h restries
quanto ao nmero e posies
dos vizinhos mais prximos.
Estrutura cristalina dos metais
tm geralmente um nmero de
vizinhos grandes e alto
empacotamento atmico.
Rombodrico
Hexagonal

70

5.2.1NMERODETOMOSPORCLULAUNITRIA
o nmero especfico de pontos da
rede que define cada clula unitria.
- tomo no vrtice da clula
unitria cbica: partilhado por
sete clulas unitrias em contato
somente 1/8 de cada
vrtice pertence a uma
clula particular.
- tomo da face centrada:
partilhado por
duas clulas
unitrias

Cbico Simples
(CS)
Cbico Corpo Centrado
(CCC)
Cbico Face Centrada
(CFC)
SISTEMA CBICO

71

Exemplo 1: Determine o nmero de tomos da rede cristalina por clula no


sistema cristalino cbico.
Resposta:
CS n pontos da rede = 8(cantos) *1 = 1 tomo
clula unitria 8

Exemplo 1: Determine o nmero de tomos da rede cristalina por clula no


sistema cristalino cbico.
Resposta:
CCC n pontos da rede = 8(cantos)*1 + 1 (centro)= 2 tomos
clula unitria 8

72

Exemplo 1: Determine o nmero de tomos da rede cristalina por clula no


sistema cristalino cbico.
Resposta:
CFC n pontos da rede = 8(cantos)*1 + 6 (faces)*1= 4 tomos
clula unitria 8 2

CS 1 tomo
CCC 2 tomos
CFC 4 tomos

73

5.2.2RELAOENTRERAIOATMICOEPARMETRODEREDE
Determina-se primeiramente como os tomos esto em contato
(direo de empacotamento fechado, ou de maior empacotamento)
Geometricamente determina-se a relao entre o raio atmico (r) e
o parmetro de rede (a
o
).

Exemplo 2: Determine a relao entre o raio atmico e o


parmetro da rede cristalina para as clulas unitrias do
sistema cristalino cbico (CS, CFC, CCC).
CBICO SIMPLES
a
o
= 2r
Contato entre os tomos ocorre atravs
da aresta da clula unitria
a
o
= r + r

74

a=2R2
Contato entre os tomos ocorre
atravs da diagonal da face da
clula unitria
d
face
2
= a
o
2
+ a
o
2
(4r)
2
= 2a
o
2
Exemplo 2: Determine a relao entre o raio atmico e o
parmetro da rede cristalina para as clulas unitrias do
sistema cristalino cbico (CS, CFC, CCC).
CBICO DE FACE CENTRADA

CBICO DE CORPO CENTRADO


a
o
= 4r
3
Contato entre os tomos ocorre
atravs da diagonal do cubo da
clula unitria
D
cubo
2
= a
o
2
+ d
face
2
(4r)
2
= 3a
o
2
Exemplo 2: Determine a relao entre o raio atmico e o
parmetro da rede cristalina para as clulas unitrias do
sistema cristalino cbico (CS, CFC, CCC).

75

Fe CCC
Exemplo3: O raio atmico do ferro 1,24 A Calcule o parmetro de rede
do Fe CCC e CFC.
Fe CFC
a
o
= 4r
3
1/2
a
o
= 4 x 1,24 = 2,86 A
3
1/2
a
o
= 4r
2
1/2
a
o
= 4 x 1,24 = 3,51 A
2
1/2

5.2.3NMERODECOORDENAO
O nmero de coordenao o nmero de vizinhos mais prximos,
depende de: - covalncia: o nmero
de ligaes covalentes
que um tomo pode
compartilhar;
- fator de empacotamento
cristalino.
CBI CO
SIMPLES
NC = 6

76

CBICO DE
CORPO
CENTRADO
NC = 8

CBICO
DE FACE
CENTRADA
NC = 12

77

HEXAGONAL
COMPACTO
NC = 12

5.2.4FATORDEEMPACOTAMENTO
Fator de empacotamento a frao de volume da clula unitria
efetivamente ocupada por tomos, assumindo que os tomos so esferas
rgidas.
FE = (n tomos / clula) * volume cada tomo
volume da clula unitria
Exemplo 4: Calcule o fator de empacotamento do sistema cbico (CS, CFC
e CCC).

78

CS FE = (1 tomo / clula) * (4r


3
/3)
a
o
3
FE = (1 tomo / clula) * (4r
3
/3) = 0,52
(2r)
3
CCC FE = (2 tomo / clula) * (4r
3
/3)
a
o
3
FE = (2 tomo / clula) * (4r
3
/3) = 0,68
(4r/3
1/2
)
3
CFC FE = (4 tomo / clula) * (4r
3
/3)
a
o
3
FE = (4 tomo / clula) * (4r
3
/3) = 0,74
(4r/2
1/2
)
3
Exemplo 4: Calcule o fator de empacotamento do sistema cbico.

5.2.5DENSIDADE
A densidade terica de um cristal pode ser calculada usando-se as
propriedades da estrutura cristalina.
= (n tomos / clula)*(massa atmica de cada tomo)
(volume da clula unitria) * (n de Avogadro)
Exemplo 5: Determine a densidade do Fe CCC, que tem um a
0
de 2,866 A.

79

A densidade medida 7,870 Mg/m


3
. Por que a diferena da densidade
terica e a medida?
= (2 tomos / clula)*(55,85 g/g.mol)
(23,55 10
-24
cm
3
/clula) * (6,02 10
23
tomos/g.mol)
= 7,879 Mg/m
3
tomos/clula = 2 tomos
Massa atmica = 55,85 g/g.mol
Volume da clula unitria = a
0
3
= 23,55 10
-24
cm
3
/clula
Nmero de Avogadro = 6,02 10
23
tomos/g.mol
Exemplo 5: Determine a densidade do Fe CCC, que tem um a
0
de 2,866 A.

5.3ESTRUTURAS
5.3.1RESUMODAESTRUTURACBICA
tomos Nmero de Parmetro Fator de
por clula coordenao de rede empacotamento
CS 1 6 2R 0,52
CCC 2 8 4R/(3)
1/2
0,68
CFC 4 12 4R/(2)
1/2
0,74
CS
CCC CFC

80

5.3.2ESTRUTURAHEXAGONALSIMPLES
Metais no cristalizam no sistema hexagonal simples
o fator de empacotamento
muito baixo
Cristais com mais de um tipo
de tomo podem cristalizar neste
sistema

5.3.3ESTRUTURAHEXAGONALCOMPACTA
O sistema Hexagonal Compacto mais comum nos metais (ex: Mg, Zn)
Neste sistema cada tomo em seu nvel est localizado acima ou
abaixo do interstcio de 3 tomos de nveis adjacentes.

81

O nmero de coordenao deste sistema 12,


pois cada tomo toca 3 tomos no seu nvel inferior,
seis no seu prprio plano e mais trs no nvel
superior ao seu, resultando em um.
A razo c/a ideal 1,633, mas a maioria dos metais
tem essa razo modificada devido a presena de ligaes no metlicas.

5.3.4ALOTROPIAOUTRANSFORMAESPOLIMRFICAS
Alguns metais e no-metais podem ter mais de uma estrutura cristalina
dependendo da temperatura e presso.
Materiais de mesma composio qumica, mas que podem
apresentar estruturas cristalinas diferentes, so denominados de
alotrpicos ou polimrficos.
Geralmente as transformaes polimrficas so acompanhadas de
mudanas na densidade e mudanas de outras propriedades fsicas.

82

Carbono grafite hexagonal


diamante cbico
Nitreto de boro cbico
grafite
Fe CCC
CFC
Titnio

SiC (chega a ter 20 modificaes cristalinas)


Exemplos
Diamante
Grafite

T
ambiente
Fe
CCC
,
NC 8
FE 0,68
910 C Fe
CFC
NC 12
FE 0,74
1390 C Fe
CCC

83

Exemplo 6: Calcule a mudana de volume que ocorre quando o Fe


CCC

aquecido e transforma-se em Fe
CFC
. Na transformao o parmetro de rede
muda de a
CCC
= 2,863A para a
CFC
= 3,591A.
Volume da clula CCC = a
3
= 23,467A
3
Volume da clula CFC = a
3
= 46,307A
3
Fe
CCC
2 tomos
Fe
CFC
4 tomos
1Fe
CFC
2Fe
CCC
Mudana de Volume = Vf - Vi * 100 = 46,307 - 46,934 * 100
Vi 46,934
Mudana de Volume = -1,34%

Mudana de Volume = -1,34%


TRANSFORMAES
DE FASE VERSUS
DILATOMETRIA:
a 906C e 1409C
A diferena deve-se
provavelmente a
impurezas e
policristalinidade.

84

5.4DIREESEPLANOSNOCRISTAL
Aspropriedadesdemuitosmateriaissodirecionais,porexemploomdulode
elasticidadedoFe
CCC
maiornadiagonaldocuboquenadireodaaresta.

5.4.1COORDENADASDOSPONTOS
Pode-se localizar os pontos das
posies atmicas da clula
unitria cristalina construindo-se
um sistema de eixos coordenados.

85

5.4.2DIREESDACLULAUNITRIA
Algumas direes da clula unitria so de particular importncia, por
exemplo os metais se deformam ao longo da direo de maior
empacotamento.
Algumas propriedades dos materiais dependem da direo do cristal
em que se encontram e so medidas.
Os ndices de Miller das direes so usados para descrever estas
direes.

NDICES DE MILLER PARA DIREES:


1. Definir dois pontos por onde passa a direo
2. Definir o ponto alvo e origem, fazendo-se: ALVO-ORIGEM
3. Eliminar as fraes e reduzir ao m.m.c.
4. Escrever entre colchetes, e se houver n negativo o sinal colocado
sobre o n.
[h k l]
x y z

86

Exemplo 7: Determine os ndices de Miller das direes A, B e C, da figura


abaixo.
Direo A:
1. alvo= 1, 0, 0; origem= 0, 0, 0
2. alvo - origem = 1, 0, 0
3. sem fraes
4. [1 0 0] Direo B:
1. alvo= 1,1,1; origem= 0, 0, 0
2. alvo - origem = 1, 1, 1
3. sem fraes
4. [1 1 1]
Direo C:
1. alvo= 0, 0, 1; origem= 1/2, 1, 0
2. alvo - origem = -1/2, -1, 1
3. 2 (-1/2, -1, 1) = -1, -2, 2
4. [1 2 2]

Algumas observaes:
- direo e suas mltiplas so idnticas [111] [222];
- ndices de Miller simtricos no so da mesma direo
(direes e suas negativas no so idnticas) [111] [111];
FAMLIA DE DIREES: conjunto de ndices de Miller onde todos tem
mesma simetria.
Exemplo para
simetria cbica:

87

Para o sistema cbico:


A simetria da estrutura permite que as direes equivalentes sejam agrupadas:
Famlia de direes:
<100> para as faces
<110> para as diagonais das faces
<111> para a diagonal do cubo
CCC
Famlia de direes <111>
empacotamento
atmico fechado
CFC
Famlia de direes <110>
empacotamento
atmico fechado

Outra maneira de caracterizar as direes atravs da distncia de


repetio, fator de empacotamento e densidade linear.
DENSIDADE LINEAR: o nmero de tomos por unidades de
comprimento.

L
= nmero de tomos
unidade de comprimento

88

Exemplo 8: Calcular a densidade linear na direo [1 0 0] para o potssio.


Dados: K - CCC
r - 0,2312 nm

L
= n tomos
unid comprimento

L
= 1/2 + 1/2
a
o
a
o
= 4r/3
1/2

L
= 0,187 tomos/
Exerccio: Qual a densidade linear na direo [1 1 0] para o Cu?

DISTNCIA DE REPETIO: De quanto em


quanto se repete o centro de um tomo. o
inverso da densidade linear.
FATOR DE EMPACOTAMENTO LINEAR: quanto da direo est
definitivamente coberta por tomos.

89

Exemplo 9: Calcule a distncia de repetio, densidade linear e o fator de


empacotamento para a direo [1 1 1] do Cu CFC. (ao=3,6151 A)
Distncia de repetio
o centro do tomo se repete
a cada diagonal do cubo
D
r
= a
0
3
1/2
D
r
= 3,6151 10
-8*
3
1/2
D
r
= 6,262 10
-8
cm

Densidade linear
L

L
= 1/ D
r
= 1/ 6,262 10
-8

L
= 1,597 10
7
tomos/cm
Fator de empacotamento FE
FE = 2r/ D
cubo
= 0,408
Exerccio: Compare a D
r
, r
L
e o FE para as direes [1 1 1] e [1 1 0] do Cu CFC.
Exemplo 9: Calcule a distncia de repetio, densidade linear e o fator de
empacotamento para a direo [1 1 1] do Cu CFC. (ao=3,6151 A)

90

5.4.3PLANOS
Um cristal possui planos de tomos que influenciam as propriedades e
o comportamento de um material.
Os ndices de Miller tambm so determinados para planos.
NDICES DE MILLER PARA PLANOS:
1. Definir trs pontos onde o plano corta x, y e z.
2. Calcular os recprocos dos valores obtidos.
3. Eliminar as fraes sem reduzir ao m.m.c.
4. Escrever entre parnteses, e se houver n negativo o sinal colocado
sobre este n.
OBS.: Se o plano passar pela origem, desloque-a. (h k l)
x y z

Exemplo 10: Determine os ndices de Miller para os planos A, B e C da


figura abaixo.
Plano A:
1. 1 1 1
2. 1/1 1/1 1/1
3. No tem fraes
4. (1 1 1)
Plano B:
1. 1 2
2. 1/1 1/2 1/
3. 2 1 0
4. (2 1 0)
Plano C: passa pela
origem
(x, y, z)
1. -1
2. 1/ 1/-1 1/
3. 0 -1 0
4. (0 1 0)

91

Observaes importantes:
- Iguais ndices de Miller para direo e
plano, significa que estes apresentam
perpendicularidade.
Exemplo: (1 0 0) [1 0 0]
- ndices de Miller simtricos so o mesmo
plano, depende apenas do referencial
(planos e seus negativos so idnticos).
Exemplo: (0 2 0) (0 2 0)
- Planos e seus mltiplos no so
idnticos (densidade planar diferente).

DENSIDADE PLANAR: o nmero de tomos por unidades de


comprimento.

P
= nmero de tomos no plano
rea do plano
FATOR DE EMPACOTAMENTO PLANAR: quanto da rea est
efetivamente coberta por tomos.
FE
P
= rea dos tomos
rea do plano

92

DISTNCIA INTERPLANAR: a distncia de dois planos com mesmos


ndices de Miller.
D
(h, k, l)
= a
0
(h
2
+ k
2
+ l
2
)
1/2
Para o
sistema
cbico
d
(110)
= a
(1
2
+ 1
2
+ 0
2
)
1/2
d
(110)
= a
2
1/2
Ou, geometricamente:
d = d
face
= a 2
1/2
2 2

Exemplo 11: Calcule a densidade planar e o fator de empacotamento


planar para os planos (0 1 0) e (0 2 0), para o sistema cbico simples do
polnio, o qual tem a
0
= 3,34 10
-8
cm.

planar (0 2 0)
= zero
FE
planar (0 2 0)
= zero

planar
= n tomos
rea

planar (0 1 0)
= 1 tomo = 8,96 10
14
tomos/cm
2
a
o
2
FE
planar
= rea de tomos por face
rea da face
FE
planar (0 1 0)
= 1 tomo (pr
2
)= 0,79
a
o
2
(010)
(020)

93

Exemplo 12: Calcule a distncia interplanar entre dois planos adjacentes


[1 1 1 ] no ouro, que tem a
0
= 4,0786 .
d (h, k, l) = a
0
(h
2
+ k
2
+ l
2
)
1/2
d (h, k, l) = 4,0786 A = 2,355
(1
2
+ 1
2
+ 1
2
)
1/2

Famlia de planos: em cada clula unitria os planos formam um grupo


equivalente que tem ndices particulares devido a orientao de suas
coordenadas.
Exemplo: planos da famlia {1 1 0} (1 1 0) (1 0 1) (0 1 1)
(1 1 0) (1 0 1) (0 1 1)
O tomo do centro do cubo interceptado pela famlia de planos {111} para o CCC?

94

FAMLIA DE PLANOS {110} paralelo a um eixo


z
y
x

FAMLIA DE PLANOS {111}

95

A simetria do sistema cbico faz com que a famlia de planos tenha o


mesmo arranjo e densidade
Deformao em metais envolve deslizamento de planos atmicos
Deslizamento ocorre mais facilmente nos planos e
direes de maior densidade atmica
CCC
Famlia de planos {110}:
maior densidade atmica
CFC
Famlia de planos {111}:
maior densidade atmica

5.4.4NDICESDEMILLERPARAACLULAHEXAGONAL
Chamados ndices de Miller Bravais, devido a modificao em relao
ao sistema cristalino
Estabelece-se 4 eixos, 3 coplanares
Tem-se 4 intersees e 4 ndices de Miller
ndices de Miller Bravais: h k i l
onde: h + k = - i
Similar aos ndices de Miller para plano da estrutura cristalina cbica,
determina-se os ndices de Miller Bravais.

96

Direes na clula
unitria hexagonal
[h k i l]
Eixos: a
1
a
2
a
3
c

Exemplo 13: Determine os ndices de Miller para os planos A e B e para


as direes C e D
Plano A:
1. 1
2. 1/ 1/ 1/ 1/1
3. 0 0 0 1
4. (0 0 0 1) ou (0 0 1)
Plano B:
1. 1 1 -1/2 1
2. 1/1 1/1 -2/1 1/1
3. 1 1 -2 1
4. (1 1 -2 1) ou (1 1 1)

97

Direo C:
1. alvo= 0, 0, 0, 1; origem= 1, 0, 0, 0
2. alvo - origem = -1, 0, 0, 1
3. sem fraes
4. [1 0 01]
Direo D:
1. alvo= 0, 1, 0, 0; origem= 1, 0, 0, 0
2. alvo - origem = -1, 1, 0, 0
3. sem fraes
4. [1 1 0 0]
Exemplo 13: Determine os ndices de Miller para os planos A e B e para
as direes C e D

5.5METAIS
Sistema cbico
Sistema
hexagonal
compacto
Sumarizando: os elementos metais cristalizam preferencialmente em
sistemas cbico(CCC, CFC) ou hexagonal (HC). Logo, a estrutura cristalina
destes materiais j foi estudada.
CCC CFC

98

Caractersticas de cristais metlicos comuns


Estrutura a
0
x R tomos NC FE Metais
por clula Tpicos
CS a
0
= 2R 1 6 0,52 Po
CCC a
0
= 4R/3
1/2
2 8 0,68 Fe, Ti, W, Mo,
Nb, Ta, K,
Na, V, Cr, Zr
CFC a
0
= 4R/2
1/2
4 12 0,74 Fe, U, Al, Au,
Ag, Pb, Ni, Pt
HC a
0
= 2R 6 12 0,74 Ti, Mg, Zn, Be,
c
0
= 1,633 a
0
Co, Zr, Cd

5.6CRISTAISINICOS
Muitos materiais cermicos possuem ligaes inicas entre
nions e ctions.
possuem estruturas cristalinas que
asseguram a neutralidade eltrica.
Relao de raios: nion (geralmente maior)
e ction
Considera-se que o nion vai formar a rede cristalina e o ction
preencher os vazios da rede.
determina o tipo de
arranjo cristalino.

99

5.6.1STIOSINTERSTICIAIS
Estrutura cristalina de uma clula unitria
existem pequenos espaos no
ocupados (vazios) stios intersticiais.
Podem ser ocupados por tomos estranhos
a rede ex: impurezas e elementos liga nos metais
Estruturas inicas (como muitos cermicos) podem ser
entendidas como o nion formando a rede cristalina e o ction
preenchendo os stios intersticiais, respeitando a neutralidade
inica.

Localizao dos stios intersticiais nas clulas unitrias cbicas e hexagonal.


Apenas um de cada grupo est representado.

100

Um tomo em um stio intersticial toca dois ou mais tomos da


clula unitria NC
O tamanho de cada stio intersticial pode ser calculado em
termos do tamanho dos tomos da posio regular da rede.
Exemplo 14: Supondo uma esfera, calcule o tamanho de
umstio intersticial: (a) cbico (b) octadrico.

2R + 2r = 2R 2

r = 2

R - R
r = (2

- 1) R
r /R= 0,414
2R + 2r = 2R 3

r = 3

R - R
r = (3

- 1) R
r /R= 0,732
Exemplo 14: Supondo uma esfera, calcule o tamanho de um stio intersticial: (a) cbico (b)
octadrico.

101

O tomo intersticial
- tamanho menor do
stio intersticial
- tamanho maior do
stio intersticial
Razo entre raios
determina NC e a
localizao do interstcio
2 0 - 0,155
3 0,155 - 0,225
4 0,225 - 0,414
6 0,414 - 0,732
8 0,732 - 1,000
NC
Razo raios

5.6.2TIPOSDEESTRUTURAS

102

Exemplo 15: Calcule a densidade e o fator de empacotamento do MgO,


sabendo-se que M
Mg
24,31 g/mol e do M
O
15,99 g/mol.
= m/ V
Massa cl. unit.= 4Mg
+2
+ 4O
-2
(4.M
Mg
+ 4. M
O
)/ 6,02.10
23
ons= 26,78 . 10
-23
g
Volume da clula unitria = a
0
3
= 0,0621 . 10
-27
m
3
=26,78 . 10
-23
g/ 0,0621 . 10
-27
m
3
= 4,31 . 10
6
g/ m
3
ou 4,31 g/ cm
3
FE = V
ons
/ V
cl. Unit.
Vol ons cl. unit.= 4V
Mg+2
+ 4V
O-2
(4. 4/ 3 r
3
+ 4. 4/ 3 R
3
)= 0,0433 . 10
-29
m
3
Volume da clula unitria = a
0
3
= 0,0621 . 10
-27
m
3
FE = 0,0433 . 10
-29
m
3
/ 0,0621 . 10
-27
m
3
= 69,8%
Soluo: = m/ V FE = V
ons
/ V
cl. Unit.
a
o
=?
r
Mg
+2
= 0,066 nm R
O
-2
= 0,132 nm
r
Mg
+2
/ R
O
-2
= 0,5 NC=6 CFC tipo NaCl
a
o
=(2 R
O
-2
+ 2 r
Mg
+2
) = 0,396 nm

5.6.2.1TEORIADAREDECRISTALINAPARACRISTAISINICOS
Modelo matemtico da estrutura cristalina de cristais inicos
clculo de propriedades do cristal: energia de ligao e espaamento de
equilbrio dos ons no cristal
Considera-se que:
- rede construda com esferas rgidas que tocam-se em uma direo;
as esferas tem um raio fixo e definido;
- as esferas so eletricamente carregadas com cargas elementares;
- as cargas formam um arranjo peridico;
- a rede empacota de forma simples: cbico, hexagonal ou cbico de face centrada
Ex: NaCl
Caractersticas da rede:
- Arranjo peridico de esferas
- Esferas rgidas com raio fixo e definido
- Esferas carregadas com cargas elementares
- Tamanho dos ons: Na
+
: 0,98 e Cl
-
: 1,81

103

Clculo da Energia de ligao entre duas esferas vizinhas


2 , 1
2
2 1
0
2 , 1
4
1
r
e z z
E =

1
2 1
= = z z
2 , 1
2
0
2 , 1
4
1
r
e
E =

As outras esferas tambm devem ser consideradas


CADEIA LINEAR
- +
- + - + - + +
a
0
d
0
1 2 3 4 5 2 3 4 5

=
= + + + + + + =
=
2
14 13 ' 12
14 13 12
2 ...
' ' '
k
CL CL
E E E E E E E E
Como:
CL
k
CL
r
e
E
2
0
4
1
) 1 ( =

e
0 4 1 0 3 1 0 2 1
3 2 d r d r d r = = =
Ento:

+ + = ...
5
1
4
1
3
1
2
1
1
4
2
0 0
2
d
e
E
CL

ln 2
0 0
2
4 d
e
A E
CL CL

=
A
CL
= 2 ln2 = 1,386

CADEIA LINEAR
Por comparao, a energia de ligao de um simples on em uma molcula de dois
ons, separado por uma distncia d
0
, :
0 0
2
4 d
e
E
Mol

=
Logo, A
CL
a razo da energia de ligao de um on na cadeia linear em relao a um
on na molcula:
Mol
CL
CL
E
E
A =
IMPORTANTE: A
CL
> 1 significa que a situao de um on na cadeia linear energeticamente
mais favorvel que em uma molcula de dois ons, embora na cadeia linear, h a repulso
entre cargas.
ENERGIA DE LIGAO EM UMA REDE TRIDIMENSIONAL?

104

ENERGIA DE LIGAO EM UMA REDE TRIDIMENSIONAL


Caso dos cristais inicos CONSTANTE DE MADELUNG
Energia de ligao de um on na rede, E
G
: com i, k = 1...N
Pode-se escrever que: com e A = constante de Madelung
Ento a primeira aproximao de E
G
:
Frmula geral para o clculo da energia da rede em um cristal inico:

=
k i
ik G
E E

=
ik
G
n d
e
E
1
4
1
0
2
0


= A
n
ik
1
0 0
2
4 d
e
A E
G

=
Significado de A:
Razo entre a energia de
ligao do on na rede
cristalina e a energia de
ligao do on na
molcula
N
d
e z z
A E
G
0 0
2
2 1
4
=

ENERGIA DE LIGAO EM UMA REDE TRIDIMENSIONAL


Constante de Madelung de vrios cermicos:
Tipo Estrutura Nome Valor de A
AX NaCl Cloreto de sdio 1,748
CsCl Cloreto de csio 1,763
ZnS Blenda de zinco 1,638
ZnS Wurtzita 1,641
AX
2
CaF
2
Fluorita 5,03
A
2
X
3
Al
2
O
3
Corindum 25,0
Os valores de A para a estrutura AX no so
muito maiores que 1;
Diferena no tipo de estrutura AX difere muito
pouco os valores de A;
A ligao mais forte da estrutura do corindum
Material E
teorica
(kJ/mol) E
experimental
(kJ/mol) E/ E
teorica
NaCl 858 766 - 0,11
CsCl 687 649 - 0,05
Os valores medidos so
menores que os valores
tericos
A diferena pode ser
explicada pelo potencial de
repulso
Verificao experimental da energia de ligao calculada

105

5.6.2.2ESTRUTURASDOTIPOAX
Os compostos cermicos mais simples possuem igual
nmero de tomos metlicos e no-metlicos. Podem ser
inicos como o MgO (Mg
+2
, O
-2
), ou covalentes como o ZnS.
NC
Trs formas principais: CsCl 8
NaCl 6
ZnS 4

Tipo CsCl
Cada tomo A tem
oito vizinhos X
r
Cs+
= 1,69
R
Cl
-
=
1,81
NC = 8
r/R=0,92

106

Tipo CsCl
D
c
= 2 (R+r)
Os ons se tocam pela diagonal do cubo
a
o
= 2(r+R)
3
1/2

Tipo NaCl
Cada tomo A tem
seis vizinhos intersticiais
r
Na+
= 1,02
R
Cl
-
=
1,81
NC = 6
r/R=0,56
Exemplos: MgO, MnS, LiF, FeO
Na
Cl

107

Tipo NaCl
Os ons se tocam pela aresta do cubo
a
o
= 2(r+R)

Tipo ZnS
Os ctions ocupam 4 das 8
posies intersticiais tetraedrais
possveis.
r
Zn+
= 0,74
R
S
-
=
1,84
NC = 4
r/R=0,40
Exemplos: BeO

108

Tipo ZnS
D
c
= 4 (R+r)
Os ons se tocam pela diagonal do cubo
a
o
= 4(r+R)
3
1/2

Tipo NiAs
Estrutura hexagonal com seis interstcios com Ni
+2

109

5.6.2.3ESTRUTURASDOTIPOA
n
X
m

Relao de 1
ction para 2 nion
Estrutura cubica
de face centrada
8 interstcios
octadricos ocupados
Ex: estruturas AX
2
ou A
2
X
3
Tipo AX
2
Exemplos: UO
2
, PuO
2
,
ThO
2
CaF
2
Exemplo: UO
2
, interstcios octaedrais disponveis combustvel nuclear
produtos de fisso acomodados nas posies vazias.

Exemplo: ZrO
2
Tipo AX
2

110

Exemplo: Pirita
Tipo AX
2
FeS
2
Fe
S

Exemplo: Al
2
O
3
Tipo A
2
X
3
Mantm
neutralidade
eltrica devido a
valncia

111

5.6.2.4ESTRUTURASDOTIPOA
n
B
m
X
p

Tipo BaTiO
3
xido duplo com dois
ctions
Estrutura mais complexa
devido a presena de mais
um tomo
Estrutura da Perovskita
Exemplos: CaTiO
3,
SrZnO
3
, SrSnO
3,
Ferritas e Espinlios

Tipo FeAl
2
O
4
Estrutura do Espinlio
A metal valncia +2
B metal valncia +3
O forma rede CFC
A interstcio octadrico
B interstcio tetradrico
Uso: materiais magnticos no
metlicos em aplicaes
eletrnicas

112

5.7CRISTAISCOVALENTES
5.7.1ESTRUTURASDODIAMANTE
Ocupao dos interstcios ~ ZnS
Totalmente covalente
Forma metaestvel
Exemplos: Ge, Si, Pb

D
c
= 8r
Os tomos se tocam
pela diagonal do cubo
a
o
= 8r
3
1/2

113

Soluo:
= m/ V
Massa cl. unit.= 8 C 8 x 12/6,02.10
23
= 15,95 . 10
-23
g
Volume da clula unitria: a
o
3
a
o
= 8 r / 3
0,5
r = 0,077 nm
a
o
= 8 . 0,077 nm / 3
0,5
= 0,356 nm
a
0
3
= 0,0451 . 10
-27
m
3
= 15,95 . 10
-23
g / 0,0451 . 10
-27
m
3
= 3,54 . 10
6
g/m
3
ou 3,54 g/cm
3
Exemplo 16: Calcule a densidade do Diamante.

5.8POLMEROS
Tipicamente: amorfos
(ordem a curto alcance)
Sob condies especiais:
estrutura cristalina.
Ex.: polietileno estrutura
ortorrmbica

114

5.9DIFRAODERAIOSX
Difrao de raios-X diferentes comprimentos de onda
Espectro de radiao eletromagntica, salientando o
comprimento de onda para a radiao X.

A luz visvel tem comprimento de onda da ordem de 1000 nm ranhuras


em um vidro
Na estrutura cristalina:
Interao do fton com o
orbital de eltrons.
O empilhamento de tomos
tem a mesma funo que as
ranhuras da figura ao lado.

115

O FENMENO DA DIFRAO:
Quando um feixe de raios x dirigido um material cristalino, esses
raios so difratados pelos planos dos tomos ou ons dentro do cristal
T= fonte de raios X
S= amostra
C= detector
O= eixo no qual a amostra e o
detector giram
O DIFRATMETRO:

Para que ocorra a difrao, o feixe de raios X precisa estar em fase com os planos
do cristal.
De outra maneira, interferncias destrutivas de ondas ocorrem e no possvel
detectar um feixe de difrao intenso.

116

Na interferncia construtiva, com feixes em fase, a diferena no


comprimento da trajetria dos feixes de raios X adjacentes um
nmero inteiro de comprimentos de onda.
Esta relao dada pela equao de Bragg:
n= 2d sen
onde d o espaamento atmico e o ngulo de difrao com a
superfcie (2 = ngulo de difrao - ngulo medido experimentalmente)
d o espaamento interplanar funo dos ndices de Miller para
planos.

Distncia interplanar (exemplos):


Cbico
D
hkl
= a
o
/(h
2
+k
2
+l
2
)
0,5
Hexagonal
D
hkl
= a
o
/[4/3(h
2
+hk+k
2
)+l
2
(a
o
2
/c
o
2
)]
0,5
CS
CCC CFC

117

Para o sistema cbico (estrutura de metais):


A lei de Bragg necessria mas no suficiente. As clulas unitrias
no primitivas provocam difrao no prevista pela lei de Bragg para
certos ngulos.
Estrutura Difrao no ocorre Difrao ocorre
cristalina
CCC h+k+l=nmero par h+k+l=nmero mpar
CFC h, k, l (par e mpar) h, k, l (ou par ou
mpar)
HC h+2k=3n, l par (n inteiro) todos outros casos

Exemplo de difrao de raios X em um chumbo em p.

118

Exemplo 17: Uma amostra de ferro CCC foi colocada num difractmetro de
raios X incidentes com = 0,1541nm. A difrao pelos planos {110} ocorreu
para 2= 44,704
o
. Calcule o valor do parmetro de rede do ferro CCC
(considere a difrao de 1
a
ordem, com n=1).
Soluo:
d
[110]
2= 44,704
o
= 22,352
o
= 2.d
[hkl]
sen
d
[110]
= / 2 sen = 0,1541nm / 2(sen 22,35
o
) = 0,2026 nm
a
o(Fe)
d
[110]
= a
o
/ (h
2
+k
2
+l
2
)
0,5
a
o(Fe)
= d
[110]
= a
o
/ (h
2
+k
2
+l
2
)
0,5
= 0,2026nm (1,414) = 0,287 nm

5.10IMPERFEIESNOARRANJOCRISTALINO
Rede sem defeitos, ideal,
T= 0K Propriedades:E
L
, E,
diagrama de fases,
equilbrio termodinmico
ESTRUTURA CRISTALINA
PERTURBAES NA ESTRUTURA CRISTALINA
Estgio 1: vibrao da rede, T>0
Propriedades: k, , C
Estgio 2: defeitos pontuais
(vacncias, tomos intersticiais,
substitucionais, Frenkel e Schottky)
na rede
Propriedades: difuso, processos
de transporte conduo inica,
reaes de estado slido,
transformaes de fase, evoluo
da microestrutura, deformao em
T
elevadas
Estgio 3: defeitos lineares, discordncias
Propriedades: mecnicas (deformao
plstica), fragilidade, dureza
Estgio 4: defeitos planares,falhas,
contornos de gros, de fases.
Propriedades: magnticas e dieltricas
No apresenta rede
cristalina, defeito
volumtrico.
ESTRUTURA AMORFA

119

Todos os materiais apresentam imperfeies no arranjo de seus tomos, que reflete


no comportamento do mesmo.
Controlar as imperfeies, significa obter materiais com diferentes propriedades e
para novas aplicaes.
Podem existir diferentes tipos de imperfeies na rede:
i) vibraes da rede: quantizadas por fnons
ii) defeitos pontuais: vacncias, tomos intersticiais, tomos substitucionais, defeito
Frenkel e Schottky;
iii) defeitos lineares: discordncias;
iv) defeitos planares: superfcies interna e externa e interfaces (falhas de
empilhamento, contorno de fases, superfcies livres);
v) defeitos volumtricos: estruturas amorfas ou no-cristalinas
Classificados pela ordem
de grandeza na estrutura

Defeitos possveis em um material a partir da dimenso em


que ocorrem na estrutura

120

5.10.1VIBRAESNAREDE
As vibraes da rede so quantizadas por fnons.
Configurao cristalina ideal s ocorre
hipoteticamente
temperatura do zero
absoluto
demais temperaturas
vibrao dos tomos na rede provoca
distores no cristal perfeito;

5.10.2DEFEITOSPONTUAIS
Podemser classificados segundo:
FORMA
ORIGEM DO DEFEITO
ESTEQUIOMETRIA
- vacncia
- tomo intruso
- schottky
- frenkel
- intrnseco
- extrnseco
- sub rede de ctions
no
estequiomtrico
- sub rede de nions

121

5.10.2.1QUANTOFORMA
VACNCIAS:
Tambm denominado de lacuna
a falta de um tomo na rede cristalina
Pode resultar do empacotamento
imperfeito na solidificao inicial,
ou decorrer de vibraes trmicas
dos tomos em temperaturas elevadas

122

VACNCIAS:
O nmero de vacncias varia com a temperatura
n
v
= n exp (-Q/RT)
onde:
nv: n de vacncias/cm3
n: n de pontos na rede/cm3
Q: energia necessria para produzir a vacncia (J/mol)
R: cte dos gases (8,31 J/molK)
T: temperatura em K

VACNCIAS:
Exemplo 18: Calcule o n de vacncias por centmetro cbico e o n de
vacncias por tomo de cobre, quando o cobre est (a) a temperatura
ambiente, (b) 1084C. Aproximadamente 83600 J/mol so requeridos para
produzir uma vacncia no cobre.
Dados:
a
0
= 3,6151 x 10
-8
cm
Q = 83600 J/mol
R = 8,31J/mol K

123

VACNCIAS:
n
v
= n exp (-Q/RT)
Exemplo 18 - Soluo
O nmero de tomos de cobre por parmetro da rede por cm
3
:
n = n tomos/clula
volume da clula unitria
n = 4 tomos/clula = 8,47 x 10
22
tomos Cu/cm3
(3,6151 x 10
-8
)
3
O que se quer saber?
n
v
a T
amb
e a 1084C

VACNCIAS:
n
v
= n exp (-Q/RT)
Exemplo 18 - Soluo
(a) T
ambiente
:
T = 25 + 273 = 298 K
n
v
= (8,47 x 10
22
) exp [-83600/(8,31 x 298)]
n
v
= 1,847 x 10
8
vacncias/cm
3
n
v
= 1,847 x 10
8
vacncias/cm
3
n 8,47 x 10
22
tomos de Cu/cm
3
n
v
= 2,18 x 10
-15
vacncias/ tomos de Cu
n

124

VACNCIAS:
Exemplo 18 - Soluo
n
v
= n exp (-Q/RT)
(b) T = 1084C:
T = 1084 + 273 = 1357 K
n
v
= (8,47 x 10
22
) exp [-83600/(8,31 x 1357)]
n
v
= 5,11 x 10
19
vacncias/cm
3
n
v
= 5,11 x 10
19
vacncias/cm
3
n 8,47 x 10
22
tomos de Cu/cm
3
n
v
= 6,03 x 10
-4
vacncias/ tomos de Cu
n

VACNCIAS:
Exemplo 19: O ferro tem a densidade medida de 7,87 Mg/m3. O parmetro
de rede do Fe CCC 2,866 A. Calcule a percentagem de vacncias no ferro
puro.
Dados:
a
0
= 2,866 A
M
Fe
= 55,85g/gmol
% vacncias = ?

125

VACNCIAS:
Exemplo 19 - Soluo
Utilizando-se a densidade medida pode-se calcular o n de tomos por
clula unitria:
= n tomos/clula x massa de cada tomo
N Avogadro x volume da clula unitria
7,87 Mg/m3 = n tomos/clula x 55,85 g/gmol
6,02 x 10
23
x (2,866 x 10
-8
)
3
nt/clula = 1,998
Deveriam ser 2 tomos no Fe CCC
% Vacncias = (2 - 1,998) x 100 / 2 = 0,1%

DEFEITO INTERSTICIAL:
Quando um tomo abrigado por
uma estrutura cristalina, principalmente
se esta tiver um baixo fator de
empacotamento
Conseqncia, distoro da rede

126

DEFEITO SUBSTITUCIONAL:
Quando um tomo deslocado de
sua posio original por outro, e
conforme o tamanho, pode
(a) aproximar os tomos da rede
(b) separar os tomos da rede
Conseqncia, distoro da rede
(a)
(b)

DEFEITO SUBSTITUCIONAL:
tomo substitucional pequeno tomo substitucional grande
Gera distoro na rede

127

DEFEITO FRENKEL:
Quando um on desloca-se de sua
posio no reticulado (formando uma
lacuna) para uma posio intersticial
Ocorre em compostos inicos

DEFEITO SCHOTTKY:
Quando ocorre lacuna de um par de
ons
Ocorre para compostos que devem
manter o equilbrio de cargas opostas
Somente para compostos inicos

128

Exemplo 20: Supondo a


o
= 0,40185 do CsCl e a densidade medida de 4,285
Mg/m
3
, calcular o nmero de defeitos Schottky por clula unitria.
Massa cl. unit.= Cs
+
+ Cl
-
X.(M
Cs
+ M
Cl
)/ 6,02.10
23
ons
Volume da clula unitria = a
0
3
= 0,0649 . 10
-27
m
3
4,285 Mg/ m
3
= X. 27,96 . 10
-23
g/ 0,0621 . 10
-27
m
3
X= 0,9943 ons
n
o
defeitos= (1-0,9943)/ 1 = 0,568%
Soluo: 4,285= m/ V
.
a
o
= 0,40185 nm
r
Cs+
= 0,167 nm R
Cl-
= 0,181 nm
r
Cs+
/ R
Cl-
= 0,92 NC=4 CFC tipo CsCl

5.10.2.2QUANTOORIGEMDODEFEITO
Regras:
1. A letra maiscula indica o tipo de defeito pontual, isto , um dos ons, dos quais a rede
cristalina formada, ou se vacncia ou impureza;
NOTAO KRGER-VINK
POSIO NA REDE
M
TIPO
i
CARGA NA
REDE
2. O subscrito indica a posio que o on ou vacncia ocupa na rede: 3 possibilidades:
posio do ction, do nion ou intersticial;
3. O superscrito indica o excesso de carga: se positiva: pontos; se negativa: traos; se
no h excesso de carga, pode-se indic-lo por X.
Ex.: M
M
e X
X
ction e nions em suas posies normais
V
M
e V
X
vacncias de ction e nions
M
i
e X
i
ction intersticial positivamente carregado ou nion intersticial negativamente
carregado

129

EXEMPLOS:
POSIO NA REDE
M
TIPO
i
CARGA NA
REDE
Ex.: V
Al
V
Na
V
O
Ex.: Al
Mg
Mg
Al
Ca
Na
Ex.: Zn
i
O
i
Al
i
NOTAO KRGER-VINK

EXEMPLOS:
POSIO NA REDE
M
TIPO
i
CARGA NA
REDE
Ex.: V
Al
vacncia de um ction Al
+3
em Al
2
O
3
V
Na
vacncia de um ction Na
+
em NaCl
V
O
vacncia de um nion O
-2
em ZrO
2
Ex.: Al
Mg
Al substituindo ion Mg em MgO
Mg
Al
Mg substituindo Al em Al
2
O
3
Ca
Na
Ca
+2
substituindo Na em NaCl
Ex.: Zn
i
Zn intersticial em ZnO
O
i
O em um interstcio de um xido
Al
i
Al intersticial em Al
2
O
3
NOTAO KRGER-VINK

130

EXEMPLOS:
POSIO NA REDE
M
TIPO
i
CARGA NA
REDE
Ex.: Ca
2+
incorporado em KCl
CaCl
2
(s)
KCl
Ca
K
+ V
K
+ 2 Cl
Cl
Como seria uma reao alternativa a essa?
NOTAO KRGER-VINK

EXEMPLOS:
POSIO NA REDE
M
TIPO
i
CARGA NA
REDE
Ex.: Ca
2+
incorporado em KCl
CaCl
2(s)
KCl
Ca
K
+ V
K
+ 2 Cl
Cl
Alternativa:
CaCl
2(s)
KCl
Ca
i
+ 2V
K
+ 2 Cl
Cl
NOTAO KRGER-VINK

131

INTRNSECO:
Surge no material apenas pelo efeito da TEMPERATURA
Vacncias, defeitos tipo Schottky e tipo Frenkel so intrnsecos
esto presentes em materiais puros
Termodinamicamente defeitos devem estar presentes em uma
estrutura cristalina

INTRNSECO:
Surgimento de defeitos intrnsecos em estruturas cristalinas energia
de formao
G=H - TS
Balano entre variao de entalpia aumenta com a
criao do defeito
variao da entropia
diminuio da energia livre na formao inicial do defeito

132

Normalmente existem mais defeitos presentes nos cristais do que


corresponde concentrao de equilbrio termodinmico
POR QU?
Cristais preparados a altas temperaturas
intrinsecamente mais defeitos esto presentes em
maiores temperaturas
aumento do termo TSna energia livre
INTRNSECO:

INTRNSECO:
FRENKEL: consiste em um par de defeitos: uma vacncia e um tomo intersticial
Defeito na rede do ction: M
M
V
M
+ M
i
Defeito na rede do nion: O
O
V
O
+ O
i
Clculo da concentrao de defeito em
funo da temperatura
) 2 exp( kT g x
F F
=
x
F
: concentrao de defeitos Frenkel
g
F
: energia livre de formao para defeito Frenkel
k: constante de Boltzmann
T: temperatura
IMPORTANTE: com 1g
F
, 2 defeitos so formados
FORMAO DO DEFEITO FRENKEL

133

INTRNSECO:
SCHOTTKY: consiste em um pequeno nmero de vacncias de nions e ctions, com
relao estequiomtrica
Defeito na rede : nulo V
M
+ V
X
Ex, para Al
2
O
3
: nulo 2V
Al
+ 3V
O
FORMAO DO DEFEITO SCHOTTKY
CONSIDERAES:
- ons deslocados das posies normais da
rede so adicionados na superfcie, nos
contornos internos, ou nas discordncias.
- Defeito Schottky causa aumento no
volume do cristal.
- Contribuio anmala em a T
elevadas
devido a diminuio da densidade pelo
defeito Schottky

INTRNSECO:
SCHOTTKY: Clculo da concentrao de defeito em funo da temperatura
Ex, para Al
2
O
3
: nulo 2V
Al
+ 3V
O
, aplicando a lei de conservao de massa, temos:
[ ] [ ] ) exp( ) ( .
3 2
kT g T K V V
S O Al
= =
] [ ] [
V,O O V,Al Al
x V x V = =
Al V O V
x x
, ,
2
3
=
) (
8
27
.
3
,
2
,
T K x x
Al V Al V
=
) 5 exp( '
,
kT g K x
S Al V
=
5 / 1
) 27 / 8 ( ' = K
x
V,Al
: concentrao de defeitos Schottky
g
S
: energia livre de formao para defeito Schottky
K: constante de equilbrio da reao, f(T)
k: constante de Boltzmann
T: temperatura
IMPORTANTE: com 1g
S
, 5 defeitos so formados
Para muitos cristais: g
S
< g
F

134

INTRNSECO:
OBSERVAES:
1. A concentrao de defeitos intrnsecos aumenta muito com a temperatura.
2. O clculo da energia absoluta de formao e da concentrao de defeitos pode no ser
possvel, pois o valor do termo S incerto.
3. A energia de formao dos trs tipos possveis de defeitos intrnsecos pode ser diferente
dependendo do tipo de estrutura cristalina, raio inico, polarizibilidade; logo deve ser
determinada experimentalmente.
4. Em halognios alcalinos h
F
muito grande, e observa-se predominantemente defeitos
Schottky.
5. Na estrutura tipo fluorita h
F
pequeno, logo observa-se freqentemente defeitos Frenkel.
6. Em xidos h
Sch
cerca de 2 a 3 vezes maior que em halognios alcalinos, a concentrao de
defeitos muito pequena e s apresenta importncia em altas temperaturas
Ex: x
S
,(Al
2
O
3
, PF) 10
-7
= 0,1ppm defeitos intrnsecos em xidos so freqentemente
mascarados por defeitos extrnsecos.

Defeitos extrnsecos vacncias cristais no-


defeitos intersticiais estequiomtricos
Defeitos vm de fora do cristal no so gerados pela
temperatura
Criados por diferentes mecanismos:
(i) presena de impurezas
(ii) adies intencionais (dopantes)
(iii) mudana de valncia
(iv) mudana na presso de oxignio externa (no-
estequiometria)
EXTRNSECO:

135

EXTRNSECO:
Principal interesse deste tipo de defeito
Conseqncias da substituio de ons da
matriz da rede cristalina por ons de impureza
ou adicionados intencionalmente que possuem
valncia diferente.
Idia fundamental do conceito de desordem extrnseca
cargas em falta ou em excesso so compensadas
COMO?

EXTRNSECO:
Atravs de uma mudana:
i) no nmero de lacunas ou de defeitos intersticiais
intrnsecos
ii) na valncia dos ons da matriz da rede
Conseqncia: concentrao dos defeitos intrnsecos alterada

136

EXTRNSECO:
Defeitos extrnsecos na estrutura devido a incorporao de ons:
levam a formao de solues slidas intersticial ou substitucional
= valncia: isovalente valncia: aliovalente
- so incorporados de forma simples;
- deve-se considerar a interao elstica
resultante da diferena dos raios inicos
- aplica-se a regra de Hume-Rothery para
determinar o tipo de soluo slida formada
ISOVALENTE

EXTRNSECO:
1. Excesso de cargas introduzidas deve ser compensada por defeitos hospedeiros: V
M
, V
X
, M
i
e X
i
.
2. Causa grande concentrao de defeitos na rede. atrmico.
3. O tipo de defeito induzido hospedeiro pode no ser predito, depende da energia de formao.
4. Lei de conservao de massa: defeito hospedeiro dominante. Exemplos
ALIOVALENTE:
Exemplo 1: Defeitos Schottky na estrutura
Para o produto concentrao de vacncias no KCl
Ca
2+
incorporado como Ca
K
e produz vacncias V
K
. A
concentrao de vacncias de nion V
Cl
ento reduzida
) ( ] ].[ [
'
T K V V
S Cl K
=

Exemplo 2: Defeitos Frenkel na estrutura


Y
2
O
3
o defeito dominante na estrutura o Frenkel de nion
Incorporao de ZrO
2
em Y
2
O
3
como Zr
Y
e causa
excesso de oxignio nos interstcios O
i
. A concentrao de
vacncias de oxignio reduzida.
) ( ] ].[ [
' '
T K O V
F i O
=

137

EXTRNSECO:
ALIOVALENTE:
Exemplo de incorporao de ons aliovalentes
1. ZrO
2
em Y
2
O
3
2ZrO
2
2Zr
Y
+ 3O
O
+ O
i
2. Al2O3 no espinlio 4Al
2
O
3
2Al
Mg
+ V
Mg
+ 6Al
Al
+ 12O
O
3. CaO em ZrO
2
Verso 1: diminuio da densidade CaO Ca
Zr
+ O
O
+V
O
Verso 1: pequena diminuio da densidade 2CaO + ZrO
2
2Ca
Zr
+ Zr
i
+ 4V
O
Y
2
O
3
x
x
x MgAl
2
O
4
x
ZrO
2
x
ZrO
2

Exemplo: adio de Al
2
O
3
em MgO
aumenta a concentrao de Al
+3
na rede de MgO
COMO: incorporao de Al
+3
: 2 V
M
+ Al Al
+3
+ 3Mg;
Representao esquemtica da reao de adio de Al em MgO,
observando-se a criao de lacunas.
EXTRNSECO:
ALIOVALENTE:

138

5.10.2.3QUANTOESTEQUIOMETRIA
Sub rede de ctions
Tipo de desvio
estequiomtrico
Defeito
dominante
Defeito
compensador
Equao Exemplos
Deficincia de
metal
V
M
buracos h 1/2O
2(g)
O
O
+ 2h +V
M
Fe
1-x
O, Ni
1-x
O, Co
1-x
O,
Mn
1-x
O, Cu
2-x
O,
Deficincia de
oxignio
V
O
eltrons e 1/2O
2(g)
+ V
O
+ 2eO
O
UO
2-x
, CdO
1-x
, Nb
2
O
3-x
,
ZrO
2-x
. .
.. ..
x
x
Dependncia da presso
parcial de oxignio
Dependncia da presso
parcial de oxignio

Tipo de desvio
estequiomtrico
Defeito
dominante
Defeito
compensador
Equao Exemplos
Excesso de
oxignio
O
i
buracos h 1/2O
2(g)
O
i
+ 2h UO
2+x
, Y2O
3+x
Excesso de
metal
M
i
eltrons e 1/2O
2(g)
+ Zn
i
+ eZn
Zn
+O
O
Zn
1+x
O
Dependncia da presso
parcial de oxignio
Dependncia da presso
parcial de oxignio
Sub rede de nions
. .
x
x

139

5.10.3DEFEITOSLINEARES
Discordncias associadas a cristalizao e a
deformao
origem: trmica, mecnica e supersaturao de defeitos pontuais
Tipo de defeito responsvel por deformao
falha
rompimento dos materiais
Quantidade e movimento das discordncias podem ser
controlados pelo grau de deformao (conformao
mecnica) e/ou por tratamentos trmicos

As discordncias podem ser: - Cunha


- Hlice
- Mista
As discordncias geram um vetor de Burgers:
- Fornece a magnitude e a direo de distoro da rede
- Corresponde distncia de deslocamento dos tomos
ao redor da discordncia

140

5.10.3.1DISCORDNCIAEMESPIRAL
Ilustrada pelo corte parcial de um cristal perfeito, deslocando a rede de um
espaamento atmico

Produz distoro na rede


O vetor de burger
paralelo direo da linha
de discordncia

141

5.10.3.2DISCORDNCIAEMCUNHA
Ilustrada pelo talhamento de um cristal perfeito, deslocando a rede de
um espaamento atmico
O vetor de Burgers perpendicular discordncia em cunha

Vista superior da discordncia


Plano extra

142

5.10.3.3DISCORDNCIAMISTA
Discordncia
em cunha
Discordncia
em espiral
Em um cristal pode ocorrer os dois
tipos de discordncia
Visualizao de discordncias na
microestrutura de um material

143

Exemplo 21: Supondo a estrutura CCC com ao=4A, com uma discordncia
como na figura abaixo, determine a direo e o comprimento do vetor de
Burgers.

Exemplo 21: Supondo a estrutura CCC com ao=4A, com uma discordncia
como na figura abaixo, determine a direo e o comprimento do vetor de
Burgers
D
(222)
= 4/(2
2
+2
2
+2
2
)
0,5
= 1,15 A
D
(hkl)
= a
o
/(h
2
+k
2
+l
2
)
0,5
(222) [222] [111]

144

5.10.4DEFEITOSPLANARES
5.10.4.1SUPERFCIEEXTERNA
Mais evidente dos defeitos de superfcie devido a descontinuidade
Coordenao atmica na superfcie no comparvel a dos tomos no
interior do cristal
tomos superficiais tem seus vizinhos em apenas um lado, logo
possuem mais energia e esto menos firmemente ligados aos tomos
externos

5.10.4.2CONTORNODEGRO
Microestrutura de metais e
outros materiais slidos consistem
de muitos gros
Gro: poro de material onde o
arranjo cristalino idntico,
variando sua orientao
Contorno de gro: fronteira
entre os gros

145

5.10.5DEFEITOSVOLUMTRICOS
5.10.5.1ESTRUITURASAMORFAS
Vidros
Polmeros
Algumas estruturas sem
ordenamento a longo alcance so
consideradas como defeitos
volumtricos, como o caso do
vidro e dos polmeros

146

147

6PROPRIEDADESTRMICAS
6.1CAPACIDADECALORFICA
Capacidadetrmicaoucapacidadecalorficaagrandezafsicaquedeterminaa
variaotrmicadeumcorpoaoreceberdeterminadaquantidadedecalor.Ovalorda
capacidadetrmicacorrespondentequantidadedecalornecessriaparaelevara
temperaturadocorpoemumaunidadedevariaodetemperatura.
C =
J
JI

OndeCacapacidadecalorficaemJoule/Kelvin,dQ/dTsoaenergiaexigidapara
produzirumavariaodetemperatura.
Acapacidadetrmicacaracterizaocorpo,enoasubstnciaqueoconstitui.Dois
corposdemassasedesubstnciasdiferentespodempossuiramesmacapacidadetrmica.
Doiscorposdemassasdiferentesedemesmasubstnciapossuemcapacidadestrmicas
diferentes.
Agrandezaquecaracterizaumasubstnciaocalorespecfico.

6.2CALORESPECFICO
Calorespecficoumagrandezafsicaquedefineavariaotrmicadedeterminada
substnciaaoreceberdeterminadaquantidadedecalor.Tambmchamadodecapacidade
trmicamssica.constanteparacadasubstnciaemcadaestadofsico.Podesedizerqueo
calorespecficocaracterizaumasubstncia(emdeterminadoestadofsico).
AunidadenoSIJ/kg.K(JouleporQuilogramaKelvin).Outraunidademaisusualpara
calorespecficocal/g.C(CaloriaporGramaGrauCelsius).
possvelcalcularocalorespecficodeumasubstncia(c)apartirdacapacidade
trmicadeumcorpocompostoporela(C)edamassadessecorpo(m).
c =
C
m

Tambmpossveldeterminarocalorespecficodeumasubstnciaapartirda
quantidadedecalorcedidaaumcorpodessasubstncia(
c
),davariaotrmicaqueele
sofre(I),edamassadessecorpo.
c =
m
. I

148

6.3DILATAOOUEXPANOTRMICA
Dilataoouexpansotrmica()eoaumentodovolumedaumcorpoocasionado
peloaumentodetemperaturadeste.
Adilataonosmateriaiscbicoseamorfosisotrpica,igualemtodasasdirees,
emoutrosmateriaisamagnitudedadilataovariacomaorientao.
NosmetaisvariaentreSx1u
-6
e2Sx1u
-6
C
-1
,noscermicosadilataoa
menordetodasvariandoentreu,Sx1u
-6
e1Sx1u
-6
C
-1
,ospolmerosporoutroladosoos
materiaisemqueadilataotrmicaamaiorevariaentreSux1u
-6
e4uux1u
-6
C
-1
.No
temosummaterialquecombinealtopontodefusocomaltograudedilataotrmica.

6.4CONDUTIVIDADETRMICA
Condutividadetrmicaumapropriedadefsicadosmateriaisquedescritacomoa
habilidadedosmesmosdeconduzircalor.Condutividadetrmicaequivalequantidadede
calor(Q)transmitidaatravsdeumaespessura(L),numadireonormalsuperfciederea
(A),devidoaumavariaodetemperatura(T),sobcondiesdeestadofixoequandoa
transfernciadecalordependenteapenasdavariaodetemperatura.Asformulasusadas
paracalcularcondutividadetrmicaso:

I
= K. A. _
I
I
]
OndeKcondutividadetrmica[W/(m.K)].
Coeficientedecondutividadetrmicaumacaractersticadanaturezadomaterial,
correspondequantidadedeenergia,sobaformadecalor,quepassa,numsegundo,atravs
de1mdesuperfcie,quandoadiferenadetemperaturaentreointerioreoexteriorde1K.

I
= u. A. t
Onde

1
aenergiatransferida,comocalor,porsegundo[J/s]eUocoeficiente
decondutividadetrmica.
Acondutividadetrmicaeocoeficientedecondutividadetrmicaserelacionam
atravsdaseguinteexpresso:
u =
K
I

OndeUpodeestarexpressoemwattpormetroquadradoporkelvin[wm
2
K]

149

6.5TENSESTRMICAS
Tensesinduzidasemumcorpocomoresultadodasvariaesdetemperatura.

Podemoscalcularatensoinduzidapelaequao:
o = E. J. (I

-I
]
)
Ondeatensoinduzida[MPa]eEomodulodeelasticidade[GPa].

150

6.6EXPERIMENTOSDEPROPRIEDADESTRMICAS
6.6.1ANLISEDECALORESPECFICODOSMATERIAIS
Materiais
1. Sistemadeaquisiodedados
2. TermopartipoK
3. Balanadigital
4. Fornoeltrico
5. Beckercomisolamentotrmicodepoliuretano
6. guadestilada
Metodologia
Mediramassadosmateriais,nocasolato,cobreao1045,alumnioetijolo,ea
temperaturainicialtantodosmateriaisquantodagua.
Usandoasseguintesformulas

1
= m
1
. C
1
. I
1
Q
1
sendoaquantidadedecalordomaterialeQ
2
daguadestilada,

2
= m
2
. C
2
. I2 eCocalorespecifico.
PorequilbriotrmicoemumadeterminadaIteremosentoqueQ
1
=Q
2
,deduzindo
assim;m
1
. C
1
. I
1
= m
2
. C
2
. I
2

C
1
=
m
2
.C
2
.1
2
m
1
.1
1

Comusodabalanaforamadquiridososdadosdemassadosmateriaisanalisadoseda
guadestiladautilizadanoexperimento,astemperaturainicialdosmateriaisedaguafoi
medidacomousodotermopartipoKesistemadeaquisiodedados,osmateriaisforam
colocadosnofornoeaquecidoatatemperaturafinalquefoinovamentemedida,os
materiaisforammergulhadosemguadestiladaatemperaturaambienteemumBecker
isoladotermicamentecompoliuretano,apsestabilizaratrocadecalorfoimedidaa
temperaturadaguanovamente.

151

Dadosadquiridos:
MASSA TEMP.INICIAL TEMP.FINAL
gua 249g 25.1C 30.0C
Lato 68g 208C 30.0c

MASSA TEMP.INICIAL TEMP.FINAL


gua 250g 26.2C 32.2C
Cobre 70g 205C 32.2C

MASSA TEMP.INICIAL TEMP.FINAL


gua 253g 26.0C 32.9C
Ao1045 62g 204C 32.9C

MASSA TEMP.INICIAL TEMP.FINAL


gua 310g 25.8C 29.4C
Alumnio 20g 204C 29.4C

MASSA TEMP.INICIAL TEMP.FINAL


gua 300g 25.8C 36.4C
Tijolo 80g 202C 36.4C

Clculos:
Lato>>C
Luto
=
249.1.4,9
68.-178
= u,1uu8
cuI
g
C
Cobre>>C
Cobc1
=
250.1.6
70.-172,8
= u,124u
cuI
g
C
Ao1045>>C
Ao
=
253.1.6,9
62.-171,1
= u.1646
cuI
g
C
Alumnio>>C
AIumno
=
310.1.3,6
20.-174,6
= u.S196
cuI
g
C
Tijolo>>C
1]oIo
=
300.1.10,6
80.-165.6
= u.24uu
cuI
g
C
152

6.6.2ANLISEDOCOEFICIENTEDEDILATAOTRMICADETRSMATERIAIS
Materiais:
1. Caldeiradgua;
2. Termopartipok;
3. Sistemadeaquisiodedados;
4. TubosdeMetal:Alumnio,CobreeAo;
5. Basecomfixaodepaqumetroderelgio;
Metodologia
Primeiromedimosocomprimentoeatemperaturainicialdostubos,montandoosna
base,zeramosopaqumetro,fazendousodacaldeiraparaaqueceragua,utilizamosovapor
produzidoparaaquecerostubosdemetal,apscertotempo,medimosdevoltaa
temperaturaeocomprimento,colocandoestesdadosnaformula:
o =
l
l

. I

Podemoscalcularocoeficientededilataotrmicadomaterial.

DadosAdquiridos:
Ao Alumnio Cobre
l

700mm 700mm 700mm


I

23,4C 23,0C 24,0C


l
]
701,52mm 701,22mm 700,94mm
I
]
92,5C 92,0C 95,0C

153

Clculos:
o
uo
=
u,6
7uu.69,1
= 1,24x1u
-5
mm
mm
C
o
uIumno
=
1,22
700.69
= 2,SSx1u
-5
mm
mm
C
o
cobc
=
u,94
7uu.71
= 1,89x1u
-5
mm
mm
C

154

7PROPRIEDADESMAGNTICAS
7.1EXPERIMENTOSDEPROPRIEDADESMAGNTICAS
7.1.1OBSEVAODECAMPOELETROMAGNTICO
Materiais;
1. MaquinadeSoldaeltrica;
2. Limalhasdematerialmagnticoenomagntico;
Metodologia
Duranteoprocessodesoldagem,comacorrenteeltricaquepassapeloscabos,
formaseumcampoeletromagntico,comumasuperfciebrancafuradaaomeioparaa
passagemdocabodamaquinadesoldagem,observamosaorganizaodaslimalhasde
materialmagnticonaorientaodocampoformadopelaeletricidade.

155

7.1.2VARIVEISDOSCAMPOSELETROMAGNTICOS
Material:
1. FonteEstabilizada;
2. Transformadorde110vpara12v;
3. Multmetro;
4. Fiosdecobreesmaltados;
5. 2barrasdeao1045isoladas.

Metodologia
Variandoonmerodevoltas(N),ocomprimentodaespiral(l)eacorrenteeltrica(i),
verificamosasmudanasnocampoeletromagntico,atravsdoexperimentoedaformula:
E =
N. i
l

Podemosdeduzirqueocomprimentodaespiralinversamenteproporcionala
intensidadedocampoeletromagntico(H),quantomaiorocomprimentodaespiralmenora
intensidadedocampo,equeonmerodevoltaseacorrenteeltricasodiretamente
proporcionaisaintensidadedocampo.

Aoladotemosumarepresentaogrficadestes
acontecimentos,adensidadedefluxomagntico(B)emum
slidoigualapE,ondeapermeabilidadedesteslido.

156

8PROPRIEDADESELTRICAS
As propriedades eltricas servem para distinguir os materiais:
- geral: metal / no-metal
- especfico: supercondutor ou no
Compreender as propriedades eltricas
METAIS
TEORIA DE BANDAS CONDUTORES
SEMICONDUTORES
ISOLANTES
Classificao
geral dos
materiais
segundo suas
propriedades
eltricas

8.1CONCEITOS
Condutividade eltrica o movimento
de cargas eltricas (eltrons ou ons)
de uma posio para outra.
= 1/= n.q.
= condutividade eltrica (ohm
-1
.cm
-1
)
= resistividade eltrica (ohm.cm)
n= nmero de portadores de carga por cm
3
q= carga carregada pelo portador (coulombs) [q
do eltron= 1,6x10
-19
coulombs]
= mobilidade dos portadores de carga (cm
2
/V.s)
R = . l/A
Para o conhecimento da teoria de bandas alguns conceitos devem estar presentes:
Resistncia eltrica (R) de
um fluxo de corrente
determinada pelas
dimenses do material e
por sua resistividade.

157

Resistividades eltricas e condutividades eltricas de alguns materiais


RESUMINDO
Metais: > 104
-1
m
-1
Semicondutores: 10
-3
a 10
4

-1
m
-1
Isolantes: <10
-3

-1
m
-1
O diagrama mostra o range de
condutividade eltrica para alguns
materiais, bem como sua classificao.

8.2MECANISMOSDECONDUODEBANDASDEENERGIA
A condutividade eltrica do material depende:
- n de condutores ou transportadores de cargas por unidade de
volume (n)
- da carga de cada condutor (q)
- da mobilidade do condutor (m)
n e m dependem da temperatura
condutores podem ser: nions
ctions
eltrons
holes
= nqm

158

LQUIDOS condutividade inica


SLIDOS principais transportadores de carga so os eltrons
tomo isolado e- em nveis e subnveis de energia
cristal nveis de energia se superpe BANDAS
Origem das bandas de energia devido a aproximao dos tomos.
A banda de energia corresponde um
nvel de energia de um tomo isolado
- As bandas de energia nem
sempre se sobrepem
- As bandas de energia podem
comportar no mximo dois
eltrons

Bandas de energia:
banda de valncia
banda proibida Eg: energia do gap
- o espao entre as bandas de energia
- o que distingue um semicondutor de um condutor ou
isolante
banda de conduo
Nvel de Fermi (E
F
): definido como o
nvel de energia abaixo do qual todos os
estados de energia esto ocupados a 0K.
E
F
Probabilidade 0,0 1,0
Banda de
valncia
E
eltron

159

8.2.1TIPOSCARACTERSTICOSDEESTRUTURASDEBANDASDEENERGIAEMSLIDOS
Condutor
metlico
Banda de
conduo
parcialmente
ocupada
Condutor
metlico
Superposio da
banda de valncia
com a banda de
conduo vazia
Isolante Semicondutor
Metal
monovalente
Metal
bivalente
Apresentam banda proibida
E
g
isolante > E
g
semicondutor

8.2.2METAIS
- eltrons no preenchem todos os estados possveis da banda de valncia e
a conduo ocorre na banda de valncia alta condutividade eltrica bandas
energia parcialmente preenchidas
- vazios entre os estados ocupados campo acelera e
-
e produz
eltrico corrente eltrica
- passagem de e- da banda de valncia para de conduo fcil
- dificultar o movimento de e- significa reduzir a
condutividade eltrica.
Ex.: - vibrao trmica
- solutos
- defeitos cristalinos
Nvel de fermi
Banda de
valncia
incompleta

160

8.2.3SEMICONDUTORES
- banda de valncia preenchida e banda de conduo vazia
- largura da banda proibida pequena e pode ser suplantada facilmente levando e
-

banda de conduo ativao trmica
dopantes
- exemplos de largura de diamante - 6eV
banda proibida: SiC - 3eV
silcio - 1,1eV
germnio - 0,7ev
InSb - 0,18eV
estanho cinzento - 0,08eV
Nvel de fermi
BANDA
DE
CONDUO
BANDA
DE
VALNCIA
GAP DE ENERGIA

8.2.4ISOLANTES
- polmeros
- cermicos
- banda proibida muito larga
e difcil de ser suplantada
CONDUTIVIDADE ELTRICA
MUITO BAIXA
Nvel de fermi
BANDA
DE
CONDUO
BANDA
DE
VALNCIA
GAP DE ENERGIA

161

8.2.5EFEITODATEMPERATURA
- metais: diminui a condutividade eltrica a agitao trmica reduz o livre percurso
mdio dos eltrons, a mobilidade dos mesmos
e como conseqncia a condutividade.
- semicondutores
- isolantes
Efeito da condutividade
eltrica em vrios
materiais
O aumento da temperatura fornece energia que
liberta transportadores de cargas adicionais.
T aumenta a
condutividade
eltrica

8.3RESISTIVIDADEELTRICADEMETAISELIGAS
- alta condutividade eltrica grande n de e
-
livres podem ser
promovidos acima de E
F
- rede cristalina sem defeitos e vibraes (0 K) nula
- resistncia eltrica resulta do espalhamento de e- devido:
vibraes da rede
tomos de impureza
defeitos cristalinos
- resistividade eltrica de um material monofsico (Matthiessen)

t
vibraes trmicas

i
impurezas

d
deformao
=
t
+
i
+
d

162

8.3.1EFEITODATEMPERATURAEDAESTRUTURANARESISTIVIDADEDOMATERIAL
Variao da resistividade eltrica com a
temperatura para o Cu puro e trs solues slidas
Cu-Ni. O efeito da deformao na resistividade da
liga Cu 1,2Ni tambm apresentado.

- contribuio dos tomos de soluto em soluo slida descrita por Nordheim

i
= Ac
i
(1-c
i
)
A - constante
c
i
- frao atmica de soluto
Variao da resistividade eltrica com a
composio para o sistema Ag-Au, para
trs diferentes temperaturas.
Obs.:Em ligas bifsicas
uma propriedade
aditiva

163

ESTRUTURA PERFEITA A
BAIXA TEMPERATURA
MOVIMENTO DOS ELTRONS A MAIS
ALTA TEMPERATURA
MOVIMENTO DOS ELTRONS
EM UMA ESTRUTURA COM IMPUREZAS

8.4CONDUTIVIDADEELTRICADOSMATERIAISINICOS
- resultado das contribuies eletrnica e inica
- importncia de cada contribuio pureza e temperatura
- modelo de bandas vlido, porm o n de e
-
na banda de
conduo muito baixo portanto predomina a inica
- difuso dos ons depende da presena de defeitos pontuais
- condutividade eltrica de slidos inicos temperatura
abruptamente na
fuso

164

i
= Ne
2
D/kT = (Ne
2
/kT) D
0
exp(-Q/kT)
N - nde posies inicas de um mesmo sinal por unidade de volume
e - carga do eltron
D - difusividade
k - constante de Boltzman
T - temperatura em K
Q - energia de ativao para a difuso
Condutividade inica:
i

8.5CONDUTIVIDADEELTRICADOSMATERIAISCOVALENTES
- estrutura em bandas de polmeros tpica dos isolantes
- 10
-10
a 10
-17

-1
m
-1
- polmeros de alta pureza a conduo eletrnica
- conduo inica pode ser ativada pela presena de impurezas
restos de monmeros
catalisadores
aumento da temperatura
- aditivos condutores podem aumentar entre 1 e 50
-1
m
-1
como
em borrachas de silicones
- exemplos de polmeros condutores: poliacetileno e polianilina

165

GRAFITA: comportamento eltrico diferenciado


- plano basal (0001) de condutores metlicos
- na direo c (0001) 10
5
vezes menor
- conduo eletrnica origem na
mobilidade eletrnica da cada anel hexagonal de
tomos de C, ao longo de cada camada
- introduo de tomos estranhos entre as camadas
aumenta o nmero de transportadores de carga e a
condutividade eltrica

8.6SEMICONDUTORESCONDUTIVIDADEELETRNICA
PROPRIEDADES: Temresistividade entre metais e isolantes
10
-6
-10
-4
.cm 10
10
-10
20
.cm
- A condutividade aumenta com o aumento de temperatura (ao contrrio dos
metais)
- Acondutividade aumenta coma adio de certas dopantes (impurezas)
- Acondutividade diminui coma presena de imperfeies nos cristais.
EXEMPLOS DE SEMICONDUTORES
- silcio, germnio (Grupo IV da Tabela Peridica)
- GaAs, GaN, InP, InSb, etc. (Grupo III-V da Tabela Peridica)
- PbS, CdTe, galena, (Grupo II-VI da Tabela Peridica)
Observe: 95% dos dispositivos eletrnicos so fabricados com silcio
65% dos dispositivos de semicondutores do grupo III-V so para uso
militar

166

Num semicondutor, os eltrons podem ser excitados para a banda de


conduo por energia eltrica, trmica ou ptica (fotoconduo)
e
-
excitado banda de conduo
buraco ou uma vacncia na banda de valncia contribui para
a corrente
Dois tipos de conduo
conduo intrnseca semicondutor intrnseco
conduo extrnseca semicondutor extrnseco
vai para
deixa
UTILIZAO: FABRICAO DE DISPOSITIVOS ELETRNICOS E
OPTOELETRNICOS
- Transistor
- LEDS
- Clulas solares
- Diodos
-Circuito integrado

8.6.1CONDUOINTRINSECA
Conduo resultante dos movimentos eletrnicos nos materiais puros
Um semicondutor pode ser tipo "p" ( conduo devido aos buracos)
tipo "n" (conduo devidos aos eltrons)
Este tipo de conduo se origina devido presena de uma imperfeio
eletrnica ou devido presena de impurezas residuais intrnsecas.
CONDUO INTRNSECA (SEMICONDUTOR
INTRNSECO)
CONDUO INTRNSECA

167

8.6.2CONDUOEXTRNSICA
Quando adiciona-se intencionalmente uma impureza dopante para
proporcionar eltrons ou buracos extras.
Os semicondutores extrnsecos podem ser:
Tipo p: com impurezas que proporcionam buracos extras
Tipo n: com impurezas que proporcionam eltrons extras
Os processos utilizados para dopagem so: difuso
implantao inica
Deve-se considerar:
Os eltrons tem maior mobilidade que os buracos
A presena de impurezas pode alterar o tamanho do gap de energia do
semicondutor
CONDUO EXTRNSECA (SEMICONDUTOR
EXTRNSECO)

SEMICONDUTOR EXTRNSECO TIPO P


Quando adiciona-se intencionalmente uma impureza dopante
buracos extras
Impurezas tipo "p" ou aceitadores proporcionam buracos extra
Exemplo: Dopagemdo Si (valncia 4) com boro (valncia 3)
BORO UM DOPANTE TIPO P PARA
O SILCIO PORQUE PROPORCIONA
BURACOS EXTRA
NIVEL DE FERMI
Nvel aceitador

168

SEMICONDUTOR EXTRNSECO TIPO N


Quando adiciona-se intencionalmente uma impureza dopante
Impurezas tipo n" ou doadores proporcionam eltrons extra
Exemplo: Dopagemdo Si (valncia 4) com fsforo (valncia 5)
FSFORO UM DOPANTE TIPO N
PARA O SILCIO PORQUE
PROPORCIONA ELTRONS EXTRA
NIVEL DE FERMI
Eltrons doadores

Exemplos de materiais cermicos


semicondutoresextrnsecos tipo n, p e
anfteros.
Tipo n
TiO
2
Nb
2
O
5
CdS Cs
2
Se BaTiO
3
Hg
2
S
V
2
O
5
MnO
2
CdS
e
BaO PbCr
O
4
ZnF
2
U
3
O
8
CdO SnO
2
Ta
2
O
5
Fe
3
O
4
ZnO Ag
2
S Cs
2
S WO
3
Tipo p
Ag
2
O CoO Cu
2
O
SnS Bi
2
Te
3
Mo
O
2
Cr
2
O
3
SnO Cu
2
S Sb
2
S
3
Te Hg
2
O
MnO NiO Pr
2
O
3
CuI Se
Anftero
Al
2
O
3
SiC PbTe Si Ti
2
S
Mn
3
O
4
PbS UO
2
Ge
Co
3
O
4
PbSe IrO
2
Sn

169

APLICAO
Dispositivos eletrnicos como
transistores, circuitos integrados, chips,
usam a combinao de semicondutores
extrnsecos tipo p e tipo n
DIODO umdispositivo que permite a
corrente fluir em um sentido e no em outro.
construdo juntando um semicondutor tipo
n e tipo p.
JUNO P-N
- Quando uma voltagem aplicada como no esquema
(A), os dois tipos de cargas se movero em direo
juno onde se recombinaro. A corrente eltrica ir
fluir.
- No esquema (B), a voltagem causar o movimento de
cargas para longe da juno. A corrente no ir fluir
no dispositivo.
(A)
(B)

8.7SUPERCONDUTIVIDADEELTRICA
- ocorre quando a resistividade do material for nula
- temperatura crtica (T
c
) resistividade torna-se bruscamente nula
- at 1986 melhores supercondutores T
c
< 23 K material
deveria ser resfriado em hlio lquido para tornar-se supercondutor
- mais tarde: supercondutores cermicos com T
c
mais altas:
Y
1
Ba
2
Cu
3
O
7-x
T
c
100K
nitrognio lquido suficiente para resfriar
- supercondutividade desaparece: acima da T
c
campo magntico
corrente eltrica
PARMETROS QUE DEFINEM
UM SUPERCONDUTOR

170

8.8COMPORTAMENTODIELTRICO
- MATERIAL DIELTRICO: material isolante
- RIGIDEZ DIELTRICA: tenso mxima que o material pode suportar antes de perder as
caractersticas de ser isolante para vidros, polmeros e cermicos 10 a 40 V/mm
Constante dieltrica:
Capacitor constitudo de duas placas metlicas paralelas separadas por uma distncia
"d" e de rea "A".
capacitnciamedida da habilidade de armazenar uma carga eltrica.
adio de um dieltrico aumenta a capacitncia por um
fator , proporcionalmente.
C = k A : constante dieltrica
d e: permeabilidade do meio
Propriedades Bsicas dos Materiais Dieltricos

8.8.1COMPORTAMENTOFERROELTRICO
FERROELTRICOS
- no tm um centro de simetria formam um momento dipolar
- polarizao permanente propriedades PIEZOLETRICAS
Estrutura do BaTiO
3
. (a) Acima de 120C cbica. (b) Abaixo de 120C levemente tetragonal,
apresentando um momento dipolar eltrico.

171

8.8.2COMPORTAMENTOPIEZOELTRICO
- materiais dieltricos onde a polarizao pode ser induzida pela
aplicao de foras
Esquema dos dipolos eltricos em um material piezoeltrico.
(a) Material em condies normais. (b) Tenso compressiva causa uma ddp.
(c) A aplicao de uma voltagem causa uma diferena dimensional.
PIEZOELTRICOS

9PROPRIEDADESTICAS
Propriedades ticas resposta oureao de ummaterial incidncia de
radiao eletromagntica, e emparticular a luz visvel
Luz fenmenoondulatrio
evidncia: ocorrncia de difrao
Trabalhoexperimental a luz uma onda
eletromagntica
Einstein feixe de luz consiste empequenos
pacotesde energia
quanta de luz: FTON
Fton incidindo na superfcie de ummetal
transfere energia para o eltron,
que pode escapar do material
Radiao eletromagntica
mecnica clssica ondas
mecnica quntica ftons
Formas de radiao eletromagntica: luz,
calor, ondas de radar, ondas de rdio e raios X
Espectro de radiaes eletromagnticas

172

9.1CONCEITOSBSICOS
Todos os corpos emitem radiao eletromagntica movimento trmico de tomos e
molculas
radiao trmica visvel depende de T
Ex.: 300C radiao infravermelha
800C radiao visvel
Luz visvel espectro de radiaes pequeno 0,4m 0,7m CORES
Radiao eletromagntica atravessa o vcuo com a
velocidade da luz
c = velocidade da luz 3x108 m/s

0
= permissividade eltrica no vcuo

0
= permeabilidade magntica no vcuo
c = 1
(
0

0
)

0,40 a 0,45 m violeta


0,45 a 0,50 m azul
0,50 a 0,55 m verde
0,55 a 0,60 m amarelo
0,60 a 0,65 m laranja
0,65 a 0,70 m vermelho Feixe de luz incide no slido comintensidade I
0
parte transmitida I
t
parte absorvida I
a
relacionadas por:
parte refletida I
r
I
0
= I
t
+ I
a
+ I
r
(em W/m
2
)
ou
T + A + R = 1
T = transmitncia (I
t
/I
0
)
A = absorbncia (I
a
/I
0
)
R = refletncia (I
r
/I
0
)
Se: T >> A+R: materiais transparentes
T << A+R: materiais opacos
T pequeno: materiais translcidos

9.2PROPRIEDADESTICASDOSMATERIAISMETLICOS
Radiao incidente com
visvel
absorvida por e
-
parte da radiao absorvida reemitida na superfcie
luz visvel de = incidente
POR QU?
e- que foram promovidos acima do nivel de Fermi pela
absoro de ftons de luz, decaem para nveis menores de
energia e emitem luz.
Refletncia dos metais entre 0,90 e 0,95 dissipao do calor
Metais so opacos a radiaes eletromagnticas de
ondas de rdio, TV, microondas, infravermelho, luz visvel
Metais so transparentes a radiaes eletromagnticas de
raios X e raios

173

Cor do metal: distribuio dos comprimentos de onda refletidos


Ex.: o ouro reflete quase que
completamente a luz vermelha e a
amarela e absorve parcialmente
mais curtos. A prata reflete
eficientemente quase todos os
do espectro visvel, por isso sua
cor esbranquiada.

9.3PROPRIEDADESTICASDOSMATERIAISNOMETLICOS
Cermicos e polmeros no apresentam e- livres (que absorvem ftons de luz) e podem ser
transparentes luz visvel
Fenmenosimportantes: Refrao, Transmisso, Reflexo e Absoro
REFRAO(n) E REFLEXO (R)
Velocidade de propagaoda luz no slido transparente () menor que no ar
feixe de luz muda de direo na interface ar/slido
ndice de refrao:
= permissividade eltrica do material
= permeabilidade magntica do material
n = c = ()

(
0

0
)

ndice de refrao de alguns materiais cermicos


Material ndice de refrao
Vidro de slica 1,458
Vidro pyrex 1,47
Vidro ptico flint 1,65
Al
2
O
3
1,76
MgO (periclsio) 1,74
Quartzo 1,55
R
Quanto maior n do
material, maior R

174

REFRAO(n) E REFLEXO(R)
Se um dos meios for o ar n
1
= 1
R = n
2
- n
1

n
2
+n
1
R = n
2
- 1
n
2
+1
Variao das fraes da luz
incidente que so
transmitida, absorvida e
refletida por um determinado
vidro em funo do
comprimento de onda
Cermicos cristalinos Cbicos e vidros ndices de
refrao isotrpicos
Cristais no cbicos ndices de refrao
maior em direes mais densas
Luz passa de um meio n
1
para outro n
2
parte da luz refletida na interface dos meios
Como o n depende de da luz incidente, R tambmdepende de

ABSORO(A) E TRANSMISSO (T)


Maioria dos materiais transparentes so coloridos
a cor dos materiais transparentes uma combinao dos comprimentos transmitidos
Absoro de ftons por e
-
da banda de
valncia promovendo-os banda de conduo
em no-metais tambm possvel, desde que os
e
--
superema banda proibida.
Energia associada com (E = hc/)
determina-se e E mximos e mnimos cedidos
aos e- pela luz visvel

min
= 0,4 m E
max
= 3,1eV

max
= 0,7mE
min
= 1,8eV
Comprimentos de onda absorvidos (nm) e cores complementares
Concluso: i) a luz pode ser absorvida por materiais com banda proibida
menor que 1,8 eV (SEMICONDUTORES) estes materiais so
opacos ex.:Si, Ge, AsGa
ii) materiais com banda proibida entre 1,8 e 3,1 eV absorvem
apenas alguns comprimentos de ondas estes materiais so
coloridos ex.:GaP, CdS
iii) a luz visvel no pode ser absorvida por este mecanismo em
materiais com banda proibida maior que 3,1 eV

175

ABSORO(A) E TRANSMISSO (T)


Impurezas podemcontribuir para que alguns comprimentos de onda sejamabsorvidos
Ex.: safira e rubi
Safira: cristal puro de Al
2
O
3
, isolante,
transparente
Rubi: safira onde uma pequena quantidade
de ons Cr
+3
substitui o Al
+3
, causa
absoro na regio de luz azul do espectro
visvel. Cristal resultante: vermelho
Cor dos vidros de slica, cal, soda e chumbo pode ser
modificada pela adio de xidos de elementos de
transio
Ex.: adio de 0,01 a 0,03% de CoO - colorao azulada
adio de 0,2% de NiO - colorao prpura
adio de 1,0% de FeO - amarelo esverdeada
Cor pode ser resultado do desvio da estequiometria
ou da presena de defeitos cristalinos
Ex.: cristais puros de NaCl, KBr e KCl so incolores se
forem recozidos em atmosfera de metais alcalinos ou
irradiados comraios X ou neutrns
colorao: NaCl amarelo
KBr azul
KCl magenta
Criou-se defeitos:
centro de cor

ABSORO (A) E TRANSMISSO (T)


R, A e T dependemdo material, do caminho tico, incidente
Defeitos no material espalhama luz e podemtorn-lo
transparente, translcido ou opaco
Ex.: monocristal de safira (Al
2
O
3
) transparente
policristal de safira semporos translcido
policristal de safira com5% poros opaco
Variao da transmitncia com incidente para diversos materiais.
Exemplo: lmpada de sdio
(1000
o
C) com tubo de alumina
(100 lmens/W convencional 15
lmens/W)
Alumina convencional (opaca) Alumina translcida
porosidade: 3% porosidade: 0,3

176

10BIBLIOGRAFIA
Callister,WilliamD.,1940
Materialsscienceandengineering:anintroduction/WilliamD.Callister,Jr.7thed.
Bergmann,C.P.
CinciadosMateriais,DEMATEEUFRGS.
10.1Webgrafia
WIKIPEDIA
1. http://pt.wikipedia.org/wiki/Capacidade_t%C3%A9rmica
2. http://pt.wikipedia.org/wiki/Calor_espec%C3%ADfico
3. http://pt.wikipedia.org/wiki/Condutividade_t%C3%A9rmica

177

11ANEXOS
11.1ExercciosResolvidos