1 ELECTRONICA radio-grfica

EL TRANSISTOR
EN SU 50
ANIVERSARIO
Comienza la revolucin digital
En el ltimo nmero de diciembre de 1997, la
revista Time design como el hombre del ao a
Andrew Grove, cofundador de Intel, y no precisa-
mente por la sencillez extrema que lo caracteri-
za, sino por la influencia determinante que a
nivel mundial ejercen los productos de esa gi-
gantesca compaa.
Intel es la empresa que fabric por primera
vez un microprocesador, una pastilla de circuito
integrado que contiene todos los elementos
necesarios para realizar los complejos clculos
numricos y lgicos que se ejecutan en una com-
putadora. Nos referimos al ya legendario 4004,
un microprocesador con apenas 2300 transis-
tores, pero con la misma capacidad de cmputo
que la ENIAC, la primera computadora (1947), la
cual contena unas 18 mil vlvulas, ocupaba una
habitacin entera para albergar sus gigantescas
proporciones y pesaba 30 toneladas (figura 1).
La industria de los microprocesadores y sus
productos complementarios (monitores, discos
duros, memorias, tarjetas de interface, sistemas
operativos, programas de aplicaciones, etc.), cons-
EL TRANSISTOR
EN SU 50
ANIVERSARIO
Carlos Garca Quiroz y
Leopoldo Parra Reynada
La electrnica de estado slido
descansa en los semiconductores
como medios para la amplificacin
y rectificacin de seales, la
conmutacin de estados lgicos,
etc. Desde su descubrimiento, hace
50 aos, los semiconductores
mostraron ventajas con respecto a
las vlvulas de vaco, pues
permitieron construir dispositivos
ms pequeos, con un consumo
mnimo de energa, eficientes,
confiables, fciles de producir y de
conectar. El transistor es el
elemento ms importante de los
dispositivos semiconductores, pues
es el ladrillo con el que se
construye el edificio de la tecnologa
electrnica moderna.
2 ELECTRONICA radio-grfica
tituyen el motor de las modernas economas,
especialmente de la norteamericana, donde tan
slo Silicon Valley, una pequea regin de Cali-
fornia, produce alrededor de 200 mil millones de
dlares al ao (ms de la mitad de todo lo que
produce Mxico en el mismo perodo!). No es
gratuito que los especialistas econmicos afir-
men que los pases desarrollados tienden hacia
una economa digital.
Pero los microprocesadores no son sino un
eco o resultado de otro invento sobre el que en
ltima instancia se fundamenta la revolucin
digital: el transistor.
Hace 50 aos, el 23 de diciembre de 1947,
cientficos de los Laboratorios Bell demostraron
que un dispositivo construido con base en mate-
riales slidos, poda comportarse de forma prc-
ticamente idntica a las vlvulas de vaco, pero
sin sus inconvenientes. Aunque desde un princi-
pio se supuso que el invento tendra mucha im-
portancia en el futuro, sus inventores jams ima-
ginaron la revolucin que estaba a punto de co-
menzar en la tecnologa electrnica, con repercu-
siones en todas las reas del quehacer huma-
no. Por su descubrimiento, William Shockley, John
Bardeen y Walter Brattain fueron acreedores al
Premio Nobel de Fsica en 1956 (figura 2).
En el principio fue la vlvula de vaco
El transistor vino a desplazar a otro gran disposi-
tivo en el que descans por dcadas la incipiente
tecnologa electrnica: la vlvula triodo, inven-
tada en 1906 por Lee De Forest, quien a su vez
se apoy en la vlvula diodo, inventada en 1905
por John A. Fleming, basndose en un fenmeno
(el efecto Edison) descubierto por Tomas A. Edi-
son durante las investigaciones que lo llevaron
a inventar la bombilla incandescente.
Lee de Forest encontr que una rejilla de
alambre electrificada originaba un flujo de elec-
trones cuando se le colocaba dentro de un tubo
o vlvula de vaco. Dicho flujo poda ser contro-
lado de distintas maneras: se le poda interrum-
pir, reducir o incluso detener por completo; as
por ejemplo, una muy baja corriente de electro-
nes en la entrada del tubo llegaba a ser ampli-
ficada por ste, a fin de producir una intensa co-
rriente en la salida, por lo que este dispositivo
fue utilizado en televisores, radios y en cualquier
otro equipo electrnico en el que se requiriera
aumentar el nivel de una seal de entrada.
La vlvula de vaco pudo ser aprovechada para
la rectificacin de corrientes (vlvula diodo), para
la amplificacin (vlvula triodo) y para un gran
nmero de aplicaciones especializadas (vlvulas
pentodo, tetrodo y otras ms, figura 3). Con todo
este potencial en el control de la electricidad, el
hombre pudo manejar seales electrnicas (elec-
tricidad transportando informacin); y as surgie-
ron y se desarrollaron nuevas formas de comu-
nicacin como la radio y la televisin, y nuevos
avances tecnolgicos, como el radar y las prime-
ras computadoras.
Surge el transistor
Las investigaciones de las que surgi el tran-
sistor, como todo desarrollo humano, estuvieron
rodeadas de acontecimientos diversos en los que
Figura 1
Cientficos de los
laboratorios Bell
que desarrollaron el
transistor. Al frente,
Shockley, atrs
izquierda, Bardeen
y atrs derecha
Brattain.
Figura 2
A
r
c
h
i
v
o

d
e

A
T
&
T
3 ELECTRONICA radio-grfica
intervinieron las deducciones lgicas, el ensayo,
el error, la suerte y la pericia.
El primer transistor fue construido en una
base plstica en forma de C, en la cual se monta-
ron dos piezas de un elemento por entonces no
muy conocido, el germanio, sostenidas por un
resorte elaborado en ltimo momento con un clip
de oficina. De las terminales de esta estructura
salan delgados hilos de oro, que hacan las veces
de conectores para la entrada y salida de seales
(figura 4). Con este dispositivo tan rudimentario,
los investigadores pudieron amplificar seales
de igual forma como lo hubieran hecho con una
vlvula triodo; y no haba necesidad de una
envoltura de cristal al vaco, de filamentos incan-
descentes o de elevados voltajes de operacin.
En efecto, el transistor (llamado as debido a
que transfiere la seal elctrica a travs de un
resistor) pudo realizar las mismas funciones del
tubo al vaco, pero con notorias ventajas: no slo
sustituy el complejo y delicado tubo por un sen-
cillo montaje que consiste bsicamente en un
conjunto de finos alambres bigotes de gato,
acoplado en un pequeo cristal semiconductor,
sino que hizo innecesaria la condicin de vaco.
Adems, no requera de previo calentamiento
para empezar a funcionar, y tampoco de un gran
volumen para su encapsulado; su estructura fija
haca de l un dispositivo ms confiable y dura-
dero; y su consumo de energa era insignificante.
Qu es un semiconductor?
Para saber cmo trabaja un transistor, se debe
entender la manera en que la corriente elctrica
es conducida a travs de un slido y el principio
de operacin de los semiconductores.
Bsicamente, la conduccin de electricidad en
un slido depende del grado de libertad de sus
electrones. Sabemos que el cobre es un buen con-
ductor, puesto que tiene un electrn en su rbita
o capa externa, el cual se libera fcilmente, pro-
vocando un flujo de electrones y por consiguiente
conduccin de electricidad. Y como la mayora
de los metales mantiene esa condicin en sus
electrones, resultan ser buenos conductores.
Por su parte, los llamados aislantes son
elementos que, como en el caso del azufre, por
tener sus electrones contenidos en estrechos
enlaces con los ncleos y con otros tomos, no
conducen electricidad.
Pero existe un tercer de tipo de materiales que
no se comportan ni como conductores ni como
aislantes puros: los semiconductores; espordi-
camente, stos proporcionan un electrn libre o
un espacio hueco para permitir la conduccin
de la corriente.
Entre los semiconductores ms comunes
puede mencionarse al silicio y al germanio, que
tienen aproximadamente un electrn libre por
cada mil tomos; esto contrasta con el cobre,
que suministra un electrn por cada tomo.
Los fsicos manifestaron gran inters por
dichos materiales, pues al ser posible controlar
su nmero de electrones libres, podan compor-
tarse como conductores ante ciertas condiciones
y como aisladores ante otras. Precisamente, una
investigacin especfica sobre las propiedades
elctricas de los semiconductores, fue lo que
condujo al desarrollo del transistor. Con el pro-
Los bulbos o vlvulas de vaco
aprovechaban para su operacin la
transferencia de electrones entre
un ctodo y un nodo colocados
en el vaco, e introduciendo
algunas rejillas de control,
actuaban como amplificadores.
Figura 3
Imagen del primer
transistor. Los
cristales de
germanio eran la
pequea pieza en
forma de cilindro
(emisor) conectada
al tringulo (base)
y a la placa inferior
(colector). Todos
los dems
elementos son de
soporte.
Figura 4
A
r
c
h
i
v
o

d
e

A
T
&
T
4 ELECTRONICA radio-grfica
psito de apreciar el comportamiento elctrico
de una de estas sustancias, veamos la figura 5A.
Podemos observar un cristal de germanio (o
silicio) que tiene en su capa externa cuatro elec-
trones, llamados electrones de valencia, que
en conjunto enlazan a los tomos. Precisamen-
te, como todos los electrones se encuentran ocu-
pados en unir a los tomos, no estn disponibles
para generar electricidad. (Gracias a la estructura
cristalina, los tomos comparten momentnea-
mente sus electrones exteriores, de modo que
viendo una fotografa instantnea del conjunto
se podra suponer que en todos los tomos hay
ocho electrones en su rbita exterior, condicin
que resulta sumamente estable, puesto que no
deja ningn electrn libre para la conduccin de
electricidad.)
Ahora, supongamos que alguna impureza con
cinco electrones en la rbita de valencia (por
ejemplo, un tomo de fsforo) entra al cristal.
Esto provoca que cuatro de los electrones formen
enlaces con los tomos de germanio, pero el
quinto queda libre para conducir la corriente (fi-
gura 5B).Otro caso similar muy interesante, es
el del tomo de boro introducido en el cristal de
germanio (figura 5C). El tomo de boro es una
impureza con tres electrones de valencia.
Aqu, uno de los puntos necesarios para la
unin con los tomos de germanio est ausente;
se crea entonces un estado de desequilibrio,
donde alguno de los tomos de la estructura tan
slo cuenta con siete electrones, lo que deja un
espacio libre que puede ser llenado con un
electrn viajero. Por consecuencia, la falta de un
electrn (a la que se considera una entidad fsica
y se le denomina hueco) posee todas las propie-
dades de esta partcula; es decir, tiene masa y
carga; aunque, como est ausente, su carga es
positiva en vez de negativa.
De acuerdo con este comportamiento, se pudo
establecer que un cristal semiconductor es capaz
de conducir electricidad cuando se da la presen-
cia de impurezas. Con base en ello, fue diseado
un mtodo de control de electrones o huecos en
un cristal, que los cientficos de los laboratorios
Bell consideraron en el invento del transistor. De-
pendiendo del tipo de impurezas introducidas en
el cristal, existen dos tipos de material: el mate-
rial tipo N o negativo (que posee algunos elec-
trones libres) y el material tipo P o positivo (con
algunos huecos libres). Estos materiales se com-
binan entre s para construir diversos tipos de
dispositivos, siendo el ms comn de todos ellos
el transistor bipolar, cuya operacin explicare-
mos a continuacin.
Principio de operacin de un transistor
A los transistores con las caractersticas citadas
se les denomina bipolares, y su estructura
interna es como se muestra en la figura 6A. Note
que se forma con tres capas alternadas de mate-
rial semiconductor: una N, otra P y finalmente
otra N (es por ello que se les llama NPN). Observe
tambin que a la terminal conectada en la parte
superior del dispositivo se le denomina colec-
tor, a la capa intermedia base y a la inferior
emisor. Veamos cmo funciona el conjunto.
En primer lugar, para que un transistor fun-
cione tiene que estar polarizado en cierta forma;
en el caso que nos ocupa (transistor NPN), esta
polarizacin implica un voltaje positivo aplicado
entre colector y emisor y una alimentacin posi-
tiva de pequea magnitud entre base y emisor
Figura 5
Si Si Si
Si Si Si
Si Si Si
Electrn libre
(material tipo N)
Hueco libre
(material tipo P)
A B C
Si Si
Si
Si
F
Si
Si
Si Si
Si Si
Si
Si
B
Si
Si
Si Si
5 ELECTRONICA radio-grfica
(figura 6B). Cuando esto sucede y la polarizacin
de base es inferior al voltaje de ruptura del diodo
formado entre base y emisor (0.3 volts para el
germanio, 0.7 volts para el silicio), el voltaje entre
colector y emisor forma un campo elctrico con-
siderable en el interior del dispositivo; pero como
se enfrenta a una estructura semejante a un dio-
do invertido (unin NP de colector a base), no
puede haber un flujo de corriente entre el colec-
tor y el emisor. Sin embargo, se tiene una condi-
cin tal de excitacin de los electrones y huecos
en el dispositivo, que bastara con cualquier
impulso externo para que el conjunto entrara en
conduccin.
Este impulso proviene justamente de la co-
rriente aplicada en la base, misma que se dispara
al momento en que el propio voltaje aplicado en
la base supera el punto de ruptura antes men-
cionado; entonces, la corriente que circula entre
base y emi sor provoca una aval ancha de
electrones entre colector y emisor. Pero esta
avalancha no es desordenada, sino que depende
muy estrechamente de la cantidad de electrones
que circulen a travs de la base (figura 6C); de
hecho, una de las caractersticas principales de
un transistor es un factor de ganancia de
corriente, el cual indica cuntas veces ser
amplificada la corriente de la base en el colector
(la frmula es I
C
=Hfe x I
B
, donde Hfe es el factor
de ganancia de corriente, I
C
= corriente de
colector e I
B
= corriente de base). Para fines
prcticos, esto significa que el transistor ampli-
fica por un factor Hfe la corriente de su entrada.
La estructura NPN no es la nica que se ha
desarrollado, sino que tambin existen transis-
tores con una lgica negativa; esto es, forma-
dos por capas alternas de material P, N y P (de
hecho, el primer transistor construido fue de este
tipo). El comportamiento de tales dispositivos
resulta prcticamente idntico al anterior, slo
variando el sentido de los voltajes de polari-
zacin aplicados en las terminales. Vea en la fi-
gura 6D la simbologa con que se identifica a los
transistores bipolares tipo NPN y PNP.
Transistores contenidos en obleas de silicio
El transistor tuvo un predominio absoluto en los
aos 50, 60 y parte de los 70, desplazando a las
vlvulas de vaco, en tanto elemento activo, en
funciones como amplificador de audio, de sea-
les de TV, de pulsos y como oscilador.
Sin embargo, ya desde fines de los 50s se
adverta que la miniaturizacin de estos elemen-
tos poda alcanzar niveles extraordinarios. Preci-
samente, en 1958 en los laboratorios Fairchild
(gracias a los esfuerzos de un ingeniero muy cre-
ativo: Jean Hoerni) por primera vez se logr algo
que pareca imposible: en la superficie de un blo-
que de silicio se grabaron varios dispositivos a
la vez, conectados entre s para realizar un traba-
jo en conjunto, y se introdujo este cristal semi-
conductor en un encapsulado nico, de tal mane-
ra que se poda manejar como un bloque funcio-
nal. Fue as como nacieron los circuitos integra-
dos, que vendran a ser el siguiente paso en la
evolucin de la tecnologa electrnica. Figura 6
N
P
N
+ + + + + + +
- - - - - - -
- - - -
Colector
Emisor
Base
Vc
V
B
I
B
=0
Campo
elctrico
Ic=0
C
C
E
E
B
B
N
P
N
Vc
V
B
Campo
elctrico
Ic = Hfe x I
B
+ +
-
-
-
-
-
-
-
-
I
B
=0
C
C
E
E
B
B
P
N
P
A B
C
D
> 0.7 V (Si)
> 0.3 V (Ge)
(muy
pequea)
6 ELECTRONICA radio-grfica
Ms adelante, las tcnicas de fabricacin de
cristales de silicio mejoraron, la produccin de
mscaras de grabado se depur y se desarrolla-
ron nuevos e ingeniosos mtodos para el dopado
de los materiales semiconductores. Fue posible,
entonces, fabricar circuitos integrados mediante
un proceso de fotograbado, en el que se tiene una
delgada oblea de silicio (figura 7) sobre la cual
se proyectan las sombras de unas mscaras
donde vienen grabadas las delgadas pistas que
posteriormente se convertirn en las terminales
de los transistores.
Utilizando mtodos fotoqumicos se aprove-
chan las sombras para sembrar impurezas en
el sustrato semiconductor, y al ir apilando capas
alternativas de cristales tipo N y tipo P, finalmente
se obtiene una amplia variedad de dispositivos,
que pueden ir desde diodos hasta transistores
de efecto de campo. Vea en la figura 8 el proceso
de fabricacin de los chips.
Gracias a ello, el transistor pudo ser reducido
hasta alcanzar la dimensin de unas cuantas
micras, es decir, una milsima de milmetro (en
la actualidad un transistor puede llegar a medir
0.25 de micra); precisamente, la experiencia ob-
tenida en la fabricacin de circuitos integrados,
permiti a Intel fabricar en 1971 el primer micro-
procesador en un solo chip: el 4004.
Aqu cabe hacer la aclaracin de que, para
que estos circuitos sean capaces de realizar cl-
culos matemticos complejos en fracciones de
segundo, se aprovecha una caracterstica muy
especial de los transistores: su capacidad de fun-
cionar como switches o interruptores de corrien-
te o voltaje; esto es, un transistor puede presentar
dos estados bsicos: uno de conduccin y otro
de no conduccin. A esta aplicacin de los tran-
sistores se le denomina electrnica digital.
Surgen los microprocesadores
Intel es la empresa pionera en la fabricacin de
microprocesadores. Fue fundada en 1968 por
Gordon E. Moore, Andrew Grove y Ted Hoff,
quienes previamente haban trabajado para IBM
y/ o Fairchild, y por lo tanto tenan experiencia
Oblea de silicio
en donde se
observa la gran
cantidad de
circuitos
idnticos que
se obtienen de
una sola pieza.
Figura 7
Fotoresistencia
Capa de dixido de silicio
Capa de nitruro de silicio
Sustrato de silicio
Oblea de silicio
preparada
Proyeccin
de luz
Retcula
(o mascarilla)
Lente
Los patrones son
proyectados sobre
la oblea repetidamente
La fotoresistencia
expuesta es removida
Las reas no protegidas por la
fotoresistencia son grabadas con gases
Los iones baan las reas
grabadas con impurezas
Regin con impurezas
Conector de metal
La nueva fotoresistencia es girada en la
oblea y los pasos 2 al 4 se repiten
Un ciclo similar es repetido para cubrir las
uniones de metal entre los transistores
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Figura 8
7 ELECTRONICA radio-grfica
en la fabricacin en serie de circuitos integrados,
lo que les permiti manufacturar los primeros
chips de memoria RAM. En 1970, debido a la
buena reputacin que haban ganado en el mer-
cado electrnico sus circuitos de memoria, una
firma japonesa fabricante de calculadoras electr-
nicas (Busicom) los contact para que desarro-
llaran trece nuevos circuitos integrados que se-
ran el corazn de su nueva lnea de modelos.
Enfrentados a este compromiso, los ingenie-
ros de Intel advirtieron que no tendran el tiempo
suficiente para desarrollar los trece circuitos indi-
viduales; pero a dos de sus fundadores e inves-
tigadores ms brillantes (Ted Hoff, reconocido
hasta la fecha como el padre del microproce-
sador, y Gordon E. Moore), se les ocurri la idea
de crear un ncleo comn que sirviera a los trece
modelos por igual; y los pequeos cambios que
atendieran a las particularidades de cada modelo
se grabaran en una memoria ROM independien-
te, en forma de un programa de instrucciones.
Este circuito de propsito general fue el primer
microprocesador de la historia; mas los derechos
de comercializacin no pertenecan a Intel, pues
todo el diseo se haba hecho por encargo de
Busicom. Sin embargo, la fortuna le fue favorable
a Intel, ya que en poco tiempo Busicom se vio
en serias dificultades financieras y le vendi los
derechos de explotacin comercial del circuito
que haba salido de sus laboratorios. Surge as,
en 1971, el primer microprocesador de venta al
pblico: el Intel 4004, un dispositivo que poda
manejar palabras de 4 bits de longitud y que esta-
ba construido a partir de un circuito integrado
de 2,300 transistores.
Este fue el punto de arranque de una extraor-
dinaria industria que a la fecha reporta miles de
millones de dlares al ao de ganancias, y que
han convertido a Intel en la sptima compaa
ms rentable del mundo.
La evolucin de los microprocesadores de Intel
ha marcado de forma definitiva el crecimiento
del mercado de las computadoras personales.
Por ejemplo, cuando present su microprocesador
8080, los estudiantes e investigadores dispusie-
ron de un circuito con la suficiente capacidad de
cmputo para crear una microcomputadora. Y
as surgi la industria de las computadoras per-
sonales, la ms famosa de las cuales fue la ZX
Spectrum. Posteriormente, cuando Intel present
el primer microprocesador de 16 bits, el 8086,
IBM lo eligi como el cerebro de su nueva plata-
forma de computadoras personales. Nace enton-
ces la PC (Personal Computer).
La plataforma PC ha ido evolucionando segn
han aparecido en el mercado los nuevos micro-
procesadores de la serie X86: el 80286 impuls
a la segunda generacin de PCs, el i386 a la ter-
cera, el 486 a la cuarta y el Pentium a la quinta y
posteriores; y aunque hay otros tipos de micro-
procesadores que ofrecen igual o mayor potencia
de cmputo que los circuitos de Intel, gracias a
su enorme posicin de mercado esta compaa
monopoliza algo as como el 90% de las ventas
mundiales de microprocesadores en el mundo.
Y en esta revolucin el transistor es el per-
sonaje principal. Desde el microprocesador 4004
hasta el ms moderno y avanzado diseo de
Intel, el Pentium II, estn construidos con base
en minsculos transistores, combinados de tal
forma que pueden realizar complejsimos cl-
culos en fracciones de segundo; de hecho, segn
se ha ido avanzando en la evolucin de los mi-
croprocesadores, el nmero de transistores in-
cluidos en una de estas pastillas ha ido creciendo
de forma exponencial, pasando de 2,300 en el
4004 hasta 7.5 millones en el Pentium II.
Como podr suponer, agrupar millones de
transistores bipolares en un pequeo bloque de
silicio que apenas rebasa el rea de una ua
(figura 9), requiri de profundas investigaciones
en el mbito de los semiconductores. Fue as
como surgieron tecnologas que permitieron
fabricar nuevos tipos de transistores, como expli-
caremos a continuacin.
Familias MOS y MOSFET
Los transistores que se utilizan en la construc-
cin de circuitos integrados extremadamente
complejos, como microprocesadores o bloques
de memoria, son del tipo semiconductor metal
xido o MOS (figura 10). Estos transistores tienen
dos regiones principales: la fuente (source) y el
drenado (drain); como en este ltimo hay electro-
nes en abundancia, se dice que los transistores
8 ELECTRONICA radio-grfica
son tambin del tipo N. Entre la fuente y el drena-
do se encuentra una regin del tipo P en la que
faltan muchos electrones; como ya se dijo, a
estas regiones se les llama huecos.
En su parte superior, el sustrato de silicio tiene
una capa de dixido de silicio aislante; a su vez,
la parte superior es un metal que corresponde a
la compuerta (gate). Precisamente, de la anterior
combinacin de un metal con un xido se deriva
el nombre de semiconductor metal xido.
Cuando un voltaje positivo es aplicado en la
compuerta de metal, se produce un campo elc-
trico que penetra a travs del aislante hasta el
sustrato. Este campo atrae electrones hacia la
superficie del sustrato, justo abajo del aislante,
permitiendo que la corriente fluya entre la fuente
y el drenado. Dependiendo de la magnitud de
voltaje aplicado en la compuerta, menor o mayor
ser el canal conductor que se abra entre dre-
naje y fuente, de modo que tendremos un com-
portamiento idntico al de un transistor tradi-
cional, pero con la diferencia de que ahora la
corriente de salida es controlada por voltaje, no
por corriente.
La estructura tan sencilla de este tipo de tran-
sistores permiti fabricar, mediante avanzadas
tcnicas fotoqumicas y el uso de dispositivos
pticos muy sofisticados, transistores de dimen-
siones francamente inconcebibles. Como ya se
mencion, en los modernos microprocesadores
un transistor mide alrededor de 0.25 micras, y
se espera que en poco tiempo se desarrolle la
tecnologa para producirlos de 0.18 e incluso 0.13
micras. Y esto, a su vez, ha permitido la inclusin
de cada vez ms dispositivos en un chip sin nece-
sidad de que ste tome proporciones gigantes-
cas y por lo tanto inmanejables.
Esta ha sido la clave para la produccin de
circuitos integrados y microprocesadores cada
vez ms poderosos, sin que ello implique un au-
mento en el costo de fabricacin que los ubique
fuera del mercado; y gracias a ello, en la actuali-
dad podemos tener en nuestro escritorio una
computadora con ms poder de clculo que to-
das las mquinas que se utilizaron para guiar a
la misin Apollo 11 a la Luna.
De hecho, en el mundo de los microprocesa-
dores circula casi como un acto de fe, un princi-
pio que hasta la fecha se ha cumplido casi pun-
tualmente: la ley de Moore, segn la cual cada
aproximadamente 18 meses los circuitos integra-
dos duplican la cantidad de transistores que
Fuente
Compuerta
(metal)
Aislador
Drenado
Electrones
Huecos
Sustrato tipo P
Figura 9
Microprocesador Power PC
620 de Motorola, con 7
millones de transistores.
M
o
t
o
r
o
l
a
Microprocesador Alpha de
500 MHz en su encapsulado.
Figura 10 Figura 11
D
i
g
i
t
a
l

E
q
u
i
p
m
e
n
t
Terminal
Colector
bipolar
Base bipolar
Emisor bipolar
Terminal
Compuerta de polisilicio
Aislador de
xido
Drenado
MOSFET
Sustrato
MOSFET
Fuente
MOSFET
9 ELECTRONICA radio-grfica
utilizan, al tiempo que tambin
multiplican por 2 su potencia de
cmputo.
Transistores de altas
potencias
Otra vertiente en el desarrollo
de los transistores, paralela a la
miniaturizacin, ha sido el ma-
nejo y control de grandes mag-
nitudes de energa. Para ello, se
disearon transistores y, en
general, semiconductores de
switcheo que son capaces de
manejar elevadas potencias.
Los transistores de este nue-
vo tipo, llamados transistores
bipolares de compuerta aisla-
da (IGBT, figura 11), son del ta-
mao de una estampilla postal
y pueden agruparse para mane-
jar incluso 1,000 amperios de corriente en rangos
de hasta varios miles de volts. Lo ms impor-
tante, sin embargo, es que los dispositivos IGBTs
pueden conmutar esas corrientes con una gran
velocidad.
Actualmente, los IGBTs se utilizan en diferen-
tes aplicaciones, componentes y sistemas. Por
ejemplo, en controles de motores elctricos, en
motores que manejan maquinaria, equipo o
robots; los motores del tren bala en Japn (shin-
kansen) son controlados por IGBTs.
Futuro del transistor
Desde su invencin hace 50 aos, el transistor
ha evolucionado de acuerdo con necesidades
especficas de aplicacin en diferentes sistemas
y equipos (figura 12). Los transistores se han
producido en tales cantidades hasta la fecha, que
resultan muy pequeos y baratos; a pesar de ello,
son varias las limitaciones fsicas que han tenido
que superarse para que el tamao de estos dis-
positivos contine reducindose.
Asimismo, puesto que la tarea de interconec-
tar elementos cada vez ms diminutos puede
volverse prcticamente imposible, los investiga-
dores deben considerar tambin el tamao del
circuito. Si los transistores se someten a fuertes
campos elctricos, stos pueden afectar en varias
formas el movimiento de los electrones, produ-
ciendo lo que se conoce como efectos cunticos.
En el futuro, el tamao de los transistores pue-
de ser de tan slo algunos cientos de angstrom
(1 angstrom =una diezmilsima de micra); por
esto mismo, la presencia o ausencia de algunos
tomos, as como su comportamiento, ser de
mayor importancia. Al disminuirse el tamao, se
incrementa la densidad de transistores en un
chip; entonces ste aumenta la cantidad de calor
residual despedido. Adems, tomando en cuenta
que por su reducido tamao los elementos del
circuito pueden quedar por debajo del rango en
que se desenvuelve la longitud de onda de las
formas de radiacin ms comunes, existen mto-
dos de manufactura en riesgo de alcanzar sus
mximos lmites (especficamente el mtodo
fotoqumico que se emplea hasta la fecha para
fabricar circuitos integrados de alta complejidad).
Finalmente, podemos sealar que la revolu-
cin contina y que, tal como ha sucedido en
los ltimos 50 aos, seguiremos viendo progre-
sos ahora insospechados.
Traccin
HVDC
Auto elctrico
Fuentes de alimentacin
de computadoras
Electrnica
automotriz
Estreo
Display
Telecomunicaciones
Plancha de
mano
Balastro de
lmpara fluorescente
Procesador
de alimentos
Aire
acondicionado
Refrigeracin Automatizacin de fbricas
0.01
0.1
1
10
100
1.000
10 100 1,000 10,000
R
a
n
g
o

d
e

c
o
r
r
i
e
n
t
e

d
e
l

d
i
s
p
o
s
i
t
i
v
o

(
a
m
p
e
r
e
s
)
Rango de tensin de bloqueo del dispositivo (volts)
Figura 12