Caracterizacin del transistor BC548 y su aplicacin en circuitos

Valeria Jesiotr Ezequiel Bernatene Emilio Winograd Laboratorio de electrnica, Departamento de Fsica, FCEyN, UBA. Agosto 2005.

Resumen
El objetivo de este trabajo es lograr, mediante el clculo y anlisis de magnitudes caractersticas, una descripcin general del funcionamiento del transistor BC548, as como las diferentes aplicaciones de los mismos en circuitos simples. Se midi la ganancia de corriente del transistor, determinndose una relacin lineal entre la corriente en base con la corriente del emisor, con un factor = 289. Utilizando un transistor, se armaron circuitos de diversas utilidades, como llave, un amplificador de corriente (seguidor por emisor), un amplificador de tensin (amplificador por emisor comn), y se realizaron algunas variantes sobre los mismos.

1. Introduccin
El transistor es un dispositivo de tres terminales que se denominan base, colector y emisor, que tiene la propiedad de poder controlar a voluntad, la intensidad de corriente que circula entre dos de ellas (colector y emisor), a travs de la accin de una pequea corriente, mucho ms baja que la anterior, aplicada a la tercer terminal (base). Dentro de los transistores, existen distintas clases de ellos, que se fabrican con diferentes tecnologas y que tienen caractersticas y propiedades fsicas diferenciadas. Estos son los transistores BIPOLARES, FET, MOSFET y UNIUNION [1]. En el presente trabajo se utiliza un transistor bipolar nicamente. La estructura fsica del transistor bipolar consta de dos uniones del tipo PN dispuestas una a continuacin de la otra. Entre los terminales emisor y base hay una de esas uniones (unin emisora), mientras que la restante se ubica entre el colector y base (unin colectora). Hay dos clases de transistores bipolares: el NPN y el PNP. En el NPN el emisor y colector son semiconductores de tipo N mientras que la base es de tipo P, y lo opuesto ocurre en el transistor bipolar PNP. El diagrama de estos dos transistores, as como sus smbolos circuitales, se observan en la figura 1. Es importante aclarar, que si bien en esta figura se esquematiza al transistor bipolar mediante una construccin simtrica, en realidad sta es mucho ms complicada que la ilustrada, y los terminales colector y emisor no son intercambiables [2].

Figura 1.1: Tipos y smbolos de transistores bipolares. (a) de tipo NPN; (b) de tipo PNP.

En este trabajo utilizamos transistores bipolares del tipo NPN, por lo que se omitir la aclaracin del tipo de transistor bipolar. En las secciones posteriores caracterizaremos el funcionamiento del transistor BC548, en cuanto a cmo es la relacin entre la corriente de base (IB) y la corriente colector-emisor (ICE), la que definir el factor de ganancia del transistor, definido por: = ICE / IB (1)

Tambin se analizarn distintos tipos de circuitos con transistores los cuales son muy utilizados en dispositivos electrnicos.

2.Procedimiento
2.1 Ganancia de corriente del transistor () Para la medicin del factor de ganancia del transistor, se construy el circuito de la figura 2.1.1. El mismo fue formado por un generador de funciones, una fuente de continua de 12V y dos resistencias de 1K y 720K.

Figura 2.1.1: Circuito para la medicin de la ganancia del transistor.

La seal de entrada fue sinusoidal con una frecuencia del orden de los 100 Hz., y con amplitud de 11V. Midiendo las tensiones por medio del osciloscopio, con los canales 1 y 2 como se indica en la fig. 2.1.1, se midi la cada de tensin entre colector y emisor, en forma simultnea con la tensin de la seal. De esta manera, la corriente de base est dada por: IB = (VCH1 - 0,7V)/720K El valor de la resistencia de 720k, fue elegido especialmente alto, de manera de que la cada de tensin medida por el canal 1 del osciloscopio sea principalmente debido a la resistencia y pueda ser buena la aproximacin de 0,7V de cada en el transistor, como as tambin, pueda mantener baja la corriente en base. La corriente en el emisor se aproximar por la corriente de colector, debido a que la corriente en base es despreciable frente a los valores de las mismas, por lo que puede calcularse de la siguiente manera: IE = (12V- VCH2)/ 1k 2.2 El transistor como llave Para estudiar el funcionamiento del transistor como llave, se realiz el circuito de la figura 2.2.1 y se observ cuando la lmpara se mantena encendida y cuando se apagaba.

Figura 2.2.1: Circuito para la utilizacin del transistor como llave.

2.3 Seguidor por emisor Se construy el circuito de la figura 2.3.1, conocido como seguidor por emisor, colocando una seal sinusoidal en la entrada de aproximadamente 100 Hz. de frecuencia. Utilizando los dos canales del osciloscopio, se midieron las tensiones sobre la fuente y sobre la resistencia ubicada en el emisor.

Figura 2.3.1: Circuito seguidor por emisor.

Para medir la impedancia de entrada y salida del seguidor por emisor, se construy el circuito de la figura 2.3.2.

Figura 2.3.2: Circuito seguidor por emisor, adaptado para medir la impedancia de salida.

Para medir la impedancia de entrada, se obtuvo la tensin a ambos lados de la resistencia de 10k; para medir la impedancia de salida se midi sobre la resistencia de 3k3, en dos oportunidades: una en paralelo con el capacitor y la resistencia de 560 (resultando una impedancia que denominamos Z1); y la otra sin ellos. De esta manera, cuando se mide sin estos componentes en paralelo se obtiene una tensin equivalente de Thevenin (Veq) de todo el seguidor por emisor y cuando se realiza la medicin con los componentes mencionados, se mide la cada de tensin en el capacitor y la resistencia de 560 (VZ1), que est en serie con el circuito equivalente de Thevenin. Por lo tanto, el valor de esa impedancia que tiene este circuito equivalente es:

Z int =

Veq i

Veq VZ 1 Veq = .Z1 Z1 = Z1 1 V i VZ 1 Z1

(2)

Para terminar el estudio del circuito seguidor por emisor, tambin se analiz los cambios en su funcionamiento al agregarle dos resistencias como se muestra en la figura 2.3.3.

Figura 2.3.3: Circuito seguidor por emisor con resistencias.

2.4 Amplificador con emisor comn Se construy el circuito de la figura 2.4.1, introduciendo una seal sinusoidal de alrededor de 100Hz., midindose las tensiones sobre la fuente y sobre el colector y tierra.

Figura 2.4.1: Circuito amplificador con emisor comn. 2.5 Amplificador emisor comn con capacitor de bypass Al circuito de la figura anterior, se le agreg un capacitor de la manera que se muestra en la figura 2.5.1, realizndose las mismas mediciones que en 2.4.

Figura 2.5.1: Circuito amplificador con emisor comn con capacitor de Bypass.

2.6 Seguidor por emisor (Buffer)

Por ltimo, se construy el circuito de la figura 2.6.1, que es la unin de un circuito amplificador comn (como el de 2.4) en la entrada y un seguidor por emisor (como el de 2.3) a la salida, midindose como en 2.3. Tambin se hall la impedancia de salida, repitindose el mtodo de 2.3.

Figura 2.6.1: Circuito Buffer.

3. Resultados y discusin
3.1 Curva caracterstica del transistor BC548 Para analizar el comportamiento del transistor BC548, observamos los datos obtenidos en el grfico de la figura 3.1.1. Puede distinguirse claramente un comportamiento lineal en dos regiones con caractersticas completamente distintas. Para valores de corriente negativos de base, la corriente de emisor es nula (se produce un corte en la corriente del emisor), mientras que para valores positivos de corriente de base, la corriente de emisor cumple una relacin lineal con la corriente de base.

0,004

0,003

I emisor [A]

0,002

0,001

0,000

-0,00001

0,00000

0,00001

I base [A]

Figura 3.1.1: Curva caracterstica del transistor.

De la aproximacin de los valores por una recta, en el rgimen en que el sistema no est en corte, se obtuvo el valor de =289+/-, mediante la ecuacin 1 de la introduccin. Esta caracterstica del transistor de poder regular la corriente en el emisor se le atribuye a la capacidad de poder variar su impedancia interna como se observa en la figura 3.1.2, ya que la ley de Ohm debe seguir valiendo: 12V = IC (Ztrans + 1k) Obsrvese que a partir de un determinado valor de corriente en base, para que se siga cumpliendo la expresin anterior, Ztrans debera tomar valores negativos, efecto que no se observa, haciendo que el circuito sature, es decir, se rompe la dependencia lineal entre la corriente de base y la de emisor, permaneciendo esta ltima constante. Este rgimen no se llega a observar en la figura 3.1.1.

300000

250000

Z transistor []

200000

150000

100000

50000

0 0,000000 0,000005 0,000010 0,000015

I base [A]

Figura 3.1.2: Impedancia del transistor vs. corriente de base

3.2 El transistor como llave

El anlisis que se realiza de este circuito es bastante simple. El interruptor al mantenerse abierto, impide la circulacin de corriente por la base del transistor, dando por resultado, una corriente en el emisor nula. Al cerrarse el mismo, empieza a circular corriente por la base, y por ende en el emisor del transistor, permitiendo que se encienda la lmpara, trabajndose en la regin de saturacin. La ventaja que presenta este circuito frente a simplemente utilizar el interruptor, es que permite interrumpir el flujo de una corriente elevada con el control de una corriente pequea.

3.3 Seguidor por emisor

Midiendo la cada de tensin sobre la resistencia de emisor del circuito de la figura 2.3.1 pudo observarse por medio del osciloscopio que la tensin de la seal a la salida no difera apreciablemente de la aplicada a la entrada. La diferencia entre ambas seales era aproximadamente 0.7V (debido a la cada de tensin base-emisor, que puede considerarse como un diodo). Sin embargo, puede apreciarse un aumento en la corriente que circula por el emisor, debido a la ganancia del transistor. En el clculo de la impedancia de salida del circuito de la fig. 2.3.2 se utiliz, para la medicin, una impedancia que contaba con un capacitor y una resistencia. La utilidad del capacitor en esta posicin radica en que asegura que el transistor trabaje lejos de corte y saturacin (fija el punto de trabajo) ya que, si no hubiera capacitor, la mayor parte de la corriente circulara por la resistencia de 560, cambiando el punto de trabajo hacia saturacin. El capacitor nos asegura que la componente continua de la seal circule por la resistencia del emisor. De esta manera, y de acuerdo a la ecuacin 2, de la seccin 2.3, se calcul la impedancia de salida del circuito, siendo sta del orden de los 35.

Puede observarse que Zsal es baja, lo cual concuerda con lo deseado ya que, para que la fuente transmita la mayor potencia posible (ms informacin sin distorsionar), se necesita una menor Zsal. En el clculo de Zent. se encontr que el valor estimativo de sta, fue de 1M. Puede verse el alto valor de Zent, lo cual tambin concuerda con lo pretendido (si la Zent es alta, evita que al conectar el circuito a algn sistema, ste le saque corriente a la fuente, y afecte la calidad de la seal buscada). Para el circuito de la figura 2.3.3 se observ que, colocando las resistencias de 100k y 120k en esas posiciones, la cada base-emisor quedaba determinada. Dado que, Ibase es muy pequea, puede considerarse que los 12V caen sobre estas resistencias. De esta manera, Vbe queda determinada en un valor fijo, fijando a su vez el punto de trabajo del sistema, permitiendo asegurarse que el transistor funciona lejos de corte y saturacin.

3.4 Amplificador con emisor comn

En el circuito de la figura 2.4.1puede observarse una resistencia en el colector. Esta resistencia traduce la ganancia de corriente en ganancia de tensin. De esta manera, la seal introducida en la base, genera una seal aumentada a la salida (alrededor de 10 veces), como puede verse en el grfico de la figura 3.4.1.
Vsalida Vfuente

10 9 8 7 6

Tensin [V]

5 4 3 2 1 0 0 500 1000 1500 2000 2500

tiempo

Figura 3.4.1: Seal amplificada con el circuito de la figura 2.4.1.

En este caso, puede verse que la seal de entrada y la de salida estn desfasadas en . Esto se debe al arreglo experimental, ya que la tensin medida con el osciloscopio V0, puede calcularse como V0= 12V-IR3 (siendo I= Ibase). De esta forma, la tensin medida ser mnima, cuando I sea mxima, que corresponde a un mximo en la seal de entrada. Es importante aclarar que la amplificacin del sistema depende de la frecuencia. Pudo observarse que para frecuencias del orden de los 350mHz., la amplificacin cae a la mitad que para frecuencias mayores. Esto se debe a la presencia del capacitor en la base, ya

que, al funcionar como pasaaltos, presenta una impedancia muy alta para las frecuencias bajas. Si bien el capacitor introduce una dependencia de la ganancia de tensin con la frecuencia de la seal, su presencia permite filtrar la corriente continua que pudiese modificar el punto de trabajo. La impedancia de salida medida en este amplificador es del orden de los 200.

3.5 Amplificador con Bypass

A partir de las mediciones realizadas con el circuito de la figura 2.5.1 se realiz el grfico Vsal vs. Vent , como se observa en la figura 3.5.1.

Tsalida Tfuente
12

10

Tensin [V]

0 0 500 1000 1500 2000 2500

tiempo

Figura 3.5.1: Seal amplificada con el circuito de la figura 2.5.1.

Puede verse un gran aumento en la ganancia de tensin, mayor an que en el amplificador con emisor comn, del orden de las 100 veces. Esto se debe a que, el capacitor colocado en paralelo en el emisor, provoca una disminucin en la impedancia del emisor, con lo que, una mayor tensin deber caer en la resistencia del colector, generando una seal de salida ms amplificada. Es importante aclarar que, al ser mayor la amplificacin lograda, menor ser el rango de trabajo del sistema, puesto que un ligero cambio en la seal de entrada, puede provocar saturacin a la salida. Esto puede observarse en la figura 3.5.1, donde se presenta una deformacin en la seal de salida, dado que la ganancia deja de ser lineal.

3.6 Amplificador Buffer

Podemos analizar a este amplificador, simplemente como la suma del amplificador por emisor comn y un seguidor por emisor.

De esta manera se produce una amplificacin en la seal original en la primer parte del circuito, mientras que en la ltima, se reproduce la seal aumentada. La utilidad de esta aplicacin es que el seguidor por emisor logra reducir la impedancia de salida del amplificador. En este caso, la impedancia de salida medida fue del orden de los 70.

4. Conclusiones
Se logr caracterizar al transistor bipolar de tipo NPN, y analizar distintas aplicaciones del mismo. Se observ que el transistor tena tres comportamientos diferentes, de acuerdo a las distintas relaciones entre tensiones de base, colector y emisor. Dejando siempre al colector a mayor potencial que la base, cuando sta tena menor potencial que el emisor, haba un corte en la seal; cuando la tensin de la base era mayor que la del emisor se observaba dos regmenes: en primer lugar un relacin lineal entre la corriente en la base y en el emisor cuyo factor de proporcionalidad es la ganancia con un valor en este caso de alrededor de =300, y luego para valores mayores de corriente de base se apreciaba una saturacin en la seal del emisor. Se pudo utilizar al transistor como llave, aprovechando su regin de saturacin, lo que permite controlar corrientes altas mediante una ms baja. Se observ que el seguidor por emisor reproduce la seal de entrada, disminuyendo la impedancia de salida. Se pudo obtener seales amplificadas del orden de 10 veces con un amplificador comn y 100 veces con el capacitor by-pass. Referencias [1] Gran enciclopedia de la electrnica. Ed. Nueva Lente. Espaa 1985. Tomo 1, pgs. 38-44. [2] Ramn Brags Barda, Juan Antonio Chvez Domnguez y Llus Prat Vias. Circuitos y dispositivos electrnicos. Ed. Universidad politcnica de Catalunia. 6 ed. Espaa 1999. Captulo 7.