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Eletrnica Bsica

Transistor de Juno Bipolar


1. Introduo
2. Operao Bsica
3. Caractersticas e Parmetros
4. Curvas Caractersticas de Coletor
5. Reta de Carga
6. O Transistor como uma Chave
7. Polarizao DC do Transistor
Fabio Bento
fbento@ifes.edu.br
1. Introduo - Breve histrico
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Ao lado dos diodos, os dispositivos semicondutores mais populares so os
transstores, ou transistores de juno bipolar.
Em uma tarde de 23 de dezembro de 1947, Walter H. Brattain e John Bardeen
demonstraram a ao de amplificao do primeiro transistor nos laboratrios da
Bell Telephone Laboratories.
O primeiro transistor foi chamado de transistor de ponto de contato, o
antecessor ao transistor de juno bipolar inventado por Schockley.
O transistor deu origem a muitas outras invenes, inclusive os circuitos
integrados (CIs), pequenos dispositivos que possuem milhares de transistores.
1. Introduo - Estrutura do Transistor
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Juno PN com polarizao reversa
P N
I
F
N P
I
R
Juno PN com polarizao direta
J
1
J
2
1. Introduo - Estrutura do Transistor
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Polarizao reversa
P N
I
F
N
P
I
R
Polarizao direta
N P P N
J
1
J
2
J
1
J
2
N P N
P N N P
J
2
J
1
P N P
Transistor NPN
Transistor PNP
1. Introduo - Estrutura do Transistor
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
N P N
P N P
Transistor NPN
Transistor PNP
Emissor
Base
Coletor
E
B
C
1. Introduo - Estrutura do Transistor
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Transistor NPN
Coletor
Base
Emissor
E
B
C
1. Introduo - Estrutura do Transistor
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Transistor PNP
1. Introduo - Estrutura do Transistor
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Transistor PNP
Transistor NPN
Coletor
Emissor
Base
Coletor
Emissor
Base
1. Introduo - Estrutura do Transistor
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
2. Operao Bsica
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Polarizao reversa
da juno CB
Polarizao reversa
da juno CB
Polarizao
direta da
juno BE
Polarizao
direta da
juno BE
A juno BC est
polarizada reversamente.
N
P
N
Polarizao do transistor NPN
C
B
E
Nenhuma corrente flui.
2. Operao Bsica
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
A juno BE est
polarizada diretamente.
N
P
N
Polarizao do transistor NPN
C
B
E
Existe corrente
2. Operao Bsica
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Quando as duas junes
esto polarizadas
N
P
N
Polarizao do transistor NPN
C
B
E
H corrente
em todo lugar
Note que I
B
muito
menor que I
E
or I
C
.
I
C
I
B
I
E
2. Operao Bsica
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
N
P
N
C
B
E
Apesar de I
B
ser menor,
ela controla I
E
e I
C
.
I
C
I
B
I
E
Note que quando a chave se
abre todas as corrente vo para
zero.
2. Operao Bsica
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
2. Operao Bsica
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Juno
CB
Juno
BE
Polarizao
direta
Polarizao
reversa
Transistor
NPN
Coletor
Base
Emissor
Corrente
de
eltrons
do coletor
I
C
Corrente de
eltrons da base
I
B
Corrente de
eltrons do emissor
I
E
= I
C
+I
B
Corrente de eltrons
do coletor
I
C
2. Operao Bsica
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
A polarizao direta da juno
BE provoca reduo na barreira
de potencial (resistncia de
baixo valor).
A polarizao reversa da
juno CB provoca aumento da
barreira de potencial e forma
uma resistncia de valor
elevado.
Juno
CB
Juno
BE
Polarizao
direta
Polarizao
reversa
Coletor
Base
Emissor
Corrente
de
eltrons
do coletor
I
C
Corrente de
eltrons da base
I
B
Corrente de
eltrons do emissor
I
E
= I
C
+I
B
Corrente de eltrons
do coletor
I
C
2. Operao Bsica
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Na juno BE, por estar
diretamente polarizada, h fcil
circulao de corrente. Como a
base muito estreita e pouco
dopada, o valor da corrente de
base (I
B
) muito pequeno
Coletor
Base
Emissor
Corrente
de
eltrons
do coletor
I
C
Corrente de
eltrons da base
I
B
Corrente de
eltrons do emissor
I
E
= I
C
+I
B
Corrente de eltrons
do coletor
I
C
Juno
CB
Juno
BE
Polarizao
direta
Polarizao
reversa
Se a juno CB estivesse
isolada, no haveria circulao
de corrente na mesma.
No entanto a injeo de
eltrons na base proveniente do
emissor, propicia a conduo da
corrente I
C
do coletor ao emissor
(sentido convencional), passan-
do pela base que, como
dissemos anteriormente,
muito estreita.
2. Operao Bsica
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
No emissor as correntes de
base e de coletor juntam-se
formando a corrente de emissor
(I
E
)
Coletor
Base
Emissor
Corrente
de
eltrons
do coletor
I
C
Corrente de
eltrons da base
I
B
Corrente de
eltrons do emissor
I
E
= I
C
+I
B
Corrente de eltrons
do coletor
I
C
Juno
CB
Juno
BE
Polarizao
direta
Polarizao
reversa
3. Caractersticas e Parmetros
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
I
B
: Corrente de Base
I
E
: Corrente de Emissor
I
C
: Corrente de Coletor
V
BE
: Tenso na Base com relao ao Emissor
V
CB
: Tenso no Coletor com relao a Base
V
CE
: Tenso no Coletor com relao ao Emissor
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
V
CB
V
BE
V
CE
V
BC
V
EB
V
EC
I
E
= I
C
+ I
B
V
CE
=V
CB
+V
BE
I
E
= I
C
+ I
B
V
EC
=V
BC
+V
EB
3. Caractersticas e Parmetros
3. Caractersticas e Parmetros
Ganhos de corrente DC e
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
B
C
I
I
= |
FE
h = |
E
C
I
I
= o
3. Caractersticas e Parmetros
Exemplo
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Determine e I
E
para um transistor onde I
B
= 50A e I
C
= 3,65mA
73
50
65 , 3
= = =
A
mA
I
I
B
C

|
mA A mA I I I
B C E
70 , 3 50 65 , 3 = + = + =
3. Caractersticas e Parmetros
Anlise de Corrente e Tenso
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
V
BE
~ 0,7 V
V
RB
= V
BB
- V
BE
V
RB
= I
B
R
B
I
B
R
B
= V
BB
- V
BE
R
V V
B
BE BB
B
I

=
V
CE
= V
CC
- V
RC
V
RC
= I
C
R
C
V
CE
= V
CC
I
C
R
C
V
CB
= V
CE
V
BE
3. Caractersticas e Parmetros
Anlise de Corrente e Tenso - Exemplo
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Determine I
B
, I
C
, I
E
, V
CE
, e V
CB
no circuito abaixo. O transistor tem =150
3. Caractersticas e Parmetros
Anlise de Corrente e Tenso - Exemplo
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Determine I
B
, I
C
, I
E
, V
BE
, e V
CB
no circuito abaixo. O transistor tem =150
V
BE
~ 0,7 V
A
k
I
R
V V
B
BE BB
B
430
10
7 , 0 5
=
O

=
mA A I I
B C
5 , 64 ) 430 )( 150 ( . = = = |
mA A mA I I I
B C E
9 , 64 430 5 , 64 = + = + =
V
CE
= V
CC
I
C
R
C
=10(64,5mA)(100)=10 -6,45=3,55 V
V
CB
= V
CE
V
BE
=3,55 0,7 = 2,85 V
V
CB
positivo, portanto a juno CB est reversamente polarizada.
4. Curvas Caractersticas de Coletor
Configuraes do Transistor
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
O transistor, por possuir trs terminais, pode ser utilizado em trs
configuraes distintas, considerando que sempre um dos terminais ser a
entrada do circuito, outro ser sada e outro ser comum entrada e sada.
Cada configurao recebe uma denominao, relativa ao terminal comum
entre a entrada e a sada, a saber:
Emissor Comum (EC);
Base Comum (BC) e;
Coletor Comum (CC).
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
De forma simplificada, as configuraes do transistor esto apresentadas
abaixo:
Base Comum
Base Comum
Coletor Comum
Coletor Comum Emissor Comum
Emissor Comum
Emissor Comum: utilizado na maioria das aplicaes;
Base Comum: pouco utilizado.
Coletor Comum: Utilizado em reas de controle e udio.
NPN
PNP
4. Curvas Caractersticas de Coletor
Configuraes do Transistor
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
As curvas caractersticas de coletor estabelecem relaes entre variveis de
entrada e de sada para a configurao emissor comum.
Nesse circuito, a entrada caracterizada pela corrente de base I
B
e pela tenso
V
BE
, e a sada caracterizada pela corrente de coletor I
C
e pela tenso V
CE
.
Entrada
Sada
4. Curvas Caractersticas de Coletor
Variveis de Entrada e Sada
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
A curva caracterstica de entrada semelhante curva de um diodo
polarizado diretamente, j que a juno BE do transistor tambm deve ser
polarizada diretamente.
Entrada Sada
A curva de sada mostra a curva caracterstica para a configurao emissor
comum.
4. Curvas Caractersticas de Coletor
Variveis de Entrada e Sada
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Entrada Sada
O grfico de sada relaciona, trs variveis simultaneamente, sendo duas de
sada, que so a corrente de coletor I
C
e a tenso V
CE
, e uma entrada que a
corrente de base I
B
4. Curvas Caractersticas de Coletor
Variveis de Entrada e Sada
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Utilizando um circuito igual ao da figura abaixo, possvel gerar um
conjunto de curvas caractersticas de coletor.
Estas curvas mostram como a corrente de coletor (I
C
) varia, em funo da
tenso entre coletor e emissor(V
CE
), para especificadas correntes de base (I
B
).
4. Curvas Caractersticas de Coletor
Circuito para obteno das curvas
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Regio de
Saturao
Regio
Ativa
Regio de
Ruptura
Regio de Corte
Curva I
C
xV
CE
para um valor de I
B
Famlia de curvas I
C
xV
CE
para diversos
valores de I
B
(I
B1
<I
B2
<I
B3
, etc)
4. Curvas Caractersticas de Coletor
Famlia de Curvas
4. Curvas Caracterstica de Coletor
Regio de Saturao
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Para esta condio, as junes BE e e BC esto polarizadas diretamente, com
V
BE
~ 0,7 V e V
CE
< 0,7 V.
Quando ambas junes esto polarizadas diretamente, O transistor est em
sua regio de saturao.
Regio de
Saturao
Regio
Ativa
Regio de
Ruptura
4. Curvas Caracterstica de Coletor
Regio Linear
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Esta situao indicada pela regio entre os pontos B e C da curva abaixo.
Idealmente, quando V
CE
supera 0,7 V, a juno CB fica polarizada
reversamente e o transistor vai para sua regio de linear (ou ativa) de operao.
Visto que a juno CB est polarizada reversamente, a corrente I
C
permanece
aproximadamente constante para um determinado valor de I
B
, medida que V
CE
continua a aumentar.
Nessa regio o valor de I
C
determinado apenas pela j conhecida relao:
I
C
= . I
B
Regio de
Saturao
Regio
Ativa
Regio de
Ruptura
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Quando V
CE
atinge uma tenso suficientemente alta, a juno CB reversamente
polarizada entra em ruptura.
A corrente aumenta rapidamente, conforme indicado na parte da curva
direita do ponto C.
O transistor no deve operar na regio de ruptura.
Regio de
Saturao
Regio
Ativa
Regio de
Ruptura
4. Curvas Caracterstica de Coletor
Regio de Ruptura
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Uma famlia de curvas produzida quando a relao I
C
X V
CE
traada para
vrios valores de I
B
.
Quando I
B
= 0, o transistor est na regio de corte, onde apenas uma pequena
corrente fuga observada no coletor.
Regio de Corte
4. Curvas Caracterstica de Coletor
Regio de Corte
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Esboce uma famlia de curvas de coletor para o circuito da figura abaixo, para
I
B
= 5A a 25A, em incrementos de 5A. Assuma =100 e que VCE no exceda
a tenso de ruptura.
4. Curvas Caracterstica de Coletor
Exemplo
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Utilizando a relao I
C
=.I
B
, os valores de IC so calculados e listados na
tabela abaixo:
IB IC
5 A 0,5 mA
10 A 1,0 mA
15 A 1,5 mA
20 A 2,0 mA
25 A 2,5 mA
Estas curvas so ideais pois foi
desprezado o pequeno aumento em I
C
,
quando VCE aumenta durante a operao na
regio ativa.
4. Curvas Caracterstica de Coletor
Exemplo
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
4. Curvas Caracterstica de Coletor
Limitaes
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
V
P
I
CE
C
C
=
I
C
(mx)
V
CE
(mx)
4. Curvas Caracterstica de Coletor
Potncia Dissipada pelo transistor
Um transistor opera com VCE = 6V.
Se a mxima potncia coletor do transistor 250mW, qual a mxima
corrente de coletor que transistor pode suportar?
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
mA
V
mW
V
P
I
CE
C
C
7 , 41
6
250
= = =
Lembre-se que no necessariamente o mximo I
C
.
O transistor pode manipular uma corrente muito mais elevada se VCE for
reduzido, e a potncia mxima P
Cmx
no seja excedida.
4. Curvas Caracterstica de Coletor
Potncia Dissipada pelo Transistor - Exemplo
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
5. Reta de Carga
Anlise Grfica
O transistor abaixo est polarizado com fontes de tenso varivel V
BB
e V
CC
para obteno de certos valores de I
B
, I
C
, I
E
e V
CE
.
Utilizaremos as curvas caractersticas de coletor abaixo para ilustrar os efetos
da polarizao DC.
Transistor com polarizao DC Curvas caractersticas de coletor
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
5. Reta de Carga
Anlise Grfica
Associaremos 3 valores a I
B
e observaremos o que acontece com V
CE
e I
C
.
Primeiro ajustamos V
BB
para produzir um I
B
de 200A.
Visto que I
C
= .I
B
a corrente no coletor I
C
=20mA, e
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
5. Reta de Carga
Anlise Grfica
V
BB
aumentado para produzir I
B
igual a 300A e um I
C
de 30mA.
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
5. Reta de Carga
Anlise Grfica
V
BB
aumentado para produzir I
B
igual a 400A e um I
C
de 40mA.
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
5. Reta de Carga
Equao da Reta
O significado da reta de carga que o ponto quiescente (de operao) do
transistor s pode estar sobre ela.
medida que V
BB
ajustado para mais e para menos, o ponto de operao DC
do transistor se move ao longo de uma linha reta, chamada reta de carga,
conectando cada ponto de operao.
SATURAO
CORTE
R
V V
C
CE CC
C
I

=
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
5. Reta de Carga
Corte
O transistor encontra-se em corte quando:
V
CE
~ V
CC
A juno BE est polarizada reversamente.
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
5. Reta de Carga
Corte
A reta de carga intercepta o eixo de V
CE
em 10V, no ponto onde V
CE
=V
CC
.
Este o ponto de corte ideal onde I
B
=I
C
=0.
SATURAO
CORTE
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
5. Reta de Carga
Saturao
O transistor encontra-se em saturao quando:
V
CE
< V
BE
A junes BE e CB esto polarizadas diretamente.
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
5. Reta de Carga
Saturao
A reta de carga intercepta o eixo de I
C
em 45,5mA (idealmente
Este o ponto de saturao ideal onde V
CE
=0 e I
C
=V
CC
/R
C
.
SATURAO
CORTE
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Reta de carga em uma famlia de curvas ilustrando o corte e a saturao
5. Reta de Carga
Corte e Saturao
CORTE IDEAL
SATURAO IDEAL
REGIO
ATIVA
R
V V
C
CE CC
C
I

=
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Reta de carga em uma famlia de curvas ilustrando o corte e a saturao
5. Reta de Carga
Corte e Saturao
REGIO
ATIVA
R
V
R
V
C
CE
C
CC
C
I =
R
V
I
C
CC
C
=
V V
CC CE
=
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Reta de carga em uma famlia de curvas ilustrando o corte e a saturao
5. Reta de Carga
Corte e Saturao
CORTE IDEAL
SATURAO IDEAL
REGIO
ATIVA
R
V
I
C
CC
C
=
0 =
IC
V V
CC CE
=
R
V
R
V
C
CE
C
CC
C
I =
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Determine se o transistor da figura abaixo est em saturao.
Assuma V
CE(sat)
=0,2 V
5. Reta de Carga
Corte e Saturao Exemplo
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Determine se o transistor da figura abaixo est em saturao. Assuma
V
CE(sat)
=0,2 V:
5. Reta de Carga
Corte e Saturao Exemplo
Primeiro determine I
C(sat)
:
Ento verifique se I
B
grande o suficiente para produzir I
C
calculado acima:
Isso mostra que com esse ganho, I
B
capaz de produzir um I
C
maior ainda que
I
C(sat)
.
Portanto o transistor est saturado, a corrente de coletor 11,5mA nunca ser
atingida. Mesmo que voc aumente I
B
, a corrente de coletor manter o valor de
I
C(sat)
.
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
A figura abaixo ilustra a atuao do transistor como uma chave.
Na parte (a) , o transistor est em sua regio de corte, pois a juno BE no
est polarizada diretamente. Nessa condio existe, idealmente uma chave
aberta entre o coletor e o emissor.
Na parte (b) o transistor est em saturao pois as junes BE e CB esto
polarizadas diretamente, e a corrente de base est grande o suficiente para
causar uma corrente I
C(sat)
de saturao. Nessa condio o transistor age,
idealmente, como um curto entre coletor e emissor.
6. O Transistor como uma Chave
(a)
(b)
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Conforme mencionado anteriormente, um transistor est na regio de corte
quando a juno BE est polarizada reversamente. Portanto:
V
CE(corte)
~ V
CC
I
C(corte)
=.I
B
(corte) ~ 0
6. O Transistor como uma Chave
Condies para o Corte
(a)
(b)
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Conforme mencionado anteriormente, quando a juno BE est polarizada
diretamente, e h corrente I
B
suficiente para produzir um I
C
mxima de
saturao, o transistor est saturado. Portanto a equao para a corrente
mxima de saturao :
6. O Transistor como uma Chave
Condies para o Saturao
(a)
(b)
R
V V
I
C
sat CE CC
sat C
) (
) (

=
|
I
I
sat C
B
) (
(min)
=
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
a) Qual o valor de V
CE
quando V
IN
=0 no transistor do circuito abaixo?
b) Qual o valor mnimo de I
B
necessrio para que o transistor entre em
saturao se =200? Considere V
CE(sat)
=0.
c) Calcule o mximo valor de R
B
para que o transistor entre em saturao
quando V
IN
=5V.
6. O Transistor como uma Chave
Exemplo
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
a) Quando V
IN
=0, o transistor est em corte (age como uma chave aberta) e
V
CE
= V
CC
= 10V
b) Levando em conta que desprezamos V
CE(sat)
:
Este o valor de IB necessrio para levar o transistor para a saturao.
Qualquer incremento em I
B
saturar ainda mais o transistor.
c) Quando transistor est com V
BE
~0,7V temos que:
6. O Transistor como uma Chave
Exemplo
mA
k
V
R
V
R
V V
I
C
CC
C
sat CE CC
sat C
10
1
10
) (
) (
=
O
= =

=
A
mA
I
I
sat C
B

|
50
200
10
) (
(min)
= = =
V V V V V
BE IN
RB
V
3 , 4 7 , 0 5 = ~ =
O = = = k
A
V
I
V
B
RB
B R
86
50
3 , 4
(min)
(max)

Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar


6. O Transistor como uma Chave
Uma aplicao simples
O LED na figura requer 30 mA para emitir um nvel de luz satisfatrio.
Portanto a corrente de coletor deve ser de aproximadamente 30mA.
Para o circuito abaixo, determine a amplitude da onda quadrada necessria
para assegurar que o transistor sature. Utilize o dobro de I
B
(min) como margem
de segurana. V
CC
=9V; V
CE(sat)
=0,3V; R
C
=270; R
B
=3,3k e =50
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
6. O Transistor como uma Chave
Uma aplicao simples
mA
V V
R
V V
I
C
sat CE CC
sat C
2 , 32
270
3 , 0 9
) (
) (
=
O

=
A
mA
I
I
sat C
B

|
644
50
2 , 32
) (
(min)
= = =
Para assegurar a saturao, utilizaremos o dobro de I
B
(min), ou seja 1,29mA
O

= =
k
V
R
V V
R
V
I
IN
B
BE IN
B
RB
B
3 , 3
7 , 0
O = = k mA R
B
B IN
I V
3 , 3 29 , 1 2 7 , 0
(min)
V k mA
V
IN
96 , 4 7 , 0 3 , 3 29 , 1 = + O =
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
7. Polarizao DC do Transistor
A polarizao DC estabelece um ponto de operao apropriado para a
operao linear de um amplificador.
Quando um amplificador no est polarizado com as tenses DC corretas em
sua entrada e sada, ele pode ir para a saturao ou para o corte quando um
sinal aplicado.
(a) Operao Linear: a sada
amplificada tem a mesma forma
da entrada, exceto que est
invertida
(b) Operao No-linear :
tenso de sada limitada por
corte
(c) Operao No-linear : tenso
de sada limitada (grampeada)
por saturao
Smbolo do
amplificador
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
7. Polarizao DC do Transistor
Polarizar o transistor definir seu ponto de operao (quiescente).
Isso feito por meio de uma fonte de alimentao externa (V
CC
) e de
resistores.
A ligao destes componente de forma conveniente aos terminais do
transistor, garantem a sua correta operao, isto , com a juno base-emissor
polarizada diretamente e juno coletor-base reversamente
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
7. Polarizao DC do Transistor
H basicamente trs tipos de polarizao do transistor na configurao
emissor comum:
Polarizao por Corrente de Base Constante;
Polarizao por Corrente de Emissor Constante e ;
Polarizao por Diviso de Tenso na Base.
Corrente de Base
Constante
Corrente de Emissor
Constante
Divisor de Tenso de
Base
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
7. Polarizao DC do Transistor
Corrente de Base Constante
A tenso VBE praticamente constante e vale aproximadamente 0,7 V para os
transistores de silcio.
Como V
CC
tambm constante, a tenso V
RB
tambm o , de modo que a
corrente de base I
B
constante.
O clculo dos resistores de polarizao R
B
e R
C
deve ser feito a partir das:
Condies desejadas de operao do transistor;
Suas especificaes e;
Tenso da fonte de alimentao V
CC
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
7. Polarizao DC do Transistor
Corrente de Base Constante
A partir da malha externa do circuito, obtemos:
V V I R
CC BE B B
= +
I
V V
R
B
BE CC
B

=
A partir da malha de sada do circuito, obtemos:
V V I R
CC CE C C
= +
I
V V
R
C
CE CC
C

=
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
7. Polarizao DC do Transistor
Corrente de Base Constante
Essa configurao possui alta instabilidade com relao temperatura.
Aplicao restringe-se operao do transistor como uma chave, ou seja,
entre o corte e a saturao.
CORTE IDEAL
SATURAO IDEAL
REGIO
ATIVA
R
V
I
C
CC
C
=
0 =
IC
V V
CC CE
=
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
7. Polarizao DC do Transistor
Corrente de Emissor Constante
Este tipo de polarizao utiliza um resistor no emissor suja funo
estabilizar termicamente o transistor.
Conforme vimos, o resistor R
E
tem a funo de estabilizar termicamente.
Para isso, a tenso sobre ele no precisa ser elevada.
Geralmente se utiliza 10% da tenso V
CC
para polarizar o emissor, de modo
que
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
V I R V V
CC E E CC RE
= = 1 , 0 1 , 0
I
V
R
E
CC
E

=
1 , 0
Como h
FE
>20 para praticamente todos os transistores, pode-se considerar
I
E
~ I
C
. Essa aproximao valida porque o erro que ela insere de, no
mximo 5% no valor da corrente.
Este o mesmo valor da tolerncia de resistores comerciais
tpicos utilizados na polarizao.
7. Polarizao DC do Transistor
Corrente de Emissor Constante
Para o clculo de R
B
e R
C
, devem ser consideradas:
As condies desejadas de operao do transistor;
As suas especificaes e;
A tenso da fonte de alimentao VCC.
A partir da malha externa do circuito, obtemos:
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
V V V I R
CC CC BE B B
= + + 1 , 0
I
V V
R
B
BE CC
B

=
9 , 0
7. Polarizao DC do Transistor
Corrente de Emissor Constante
A partir da malha de sada do circuito, obtemos:
V V I R
CC
CE
CC C C
V = + + 1 , 0
I
V V
R
C
CE CC
C

=
9 , 0
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
7. Polarizao DC do Transistor
Corrente de Emissor Constante
Configurao possui alta instabilidade com relao temperatura.
Aplicao restringe-se operao do transistor como uma chave, ou seja,
entre o corte e a saturao.
CORTE IDEAL
SATURAO IDEAL
REGIO
ATIVA
R R
V
I
E C
CC
C
+
=
0 =
IC
V V
CC CE
=
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
7. Polarizao DC do Transistor
Corrente de Emissor Constante Exemplo (1)
Polarize o transistor BC547 com corrente de emissor constante, na regio
ativa, sendo I
C
=2mA. Use uma fonte de alimentao de 12V.
Especificao do transistor:
Cdigo: BC547 silcio
V
BE
= 0,6 V
h
FEmn
= 110
Dados:
V
CC
= 12 V
I
C
= 2 mA
V
CE
= V
CC
/2
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
7. Polarizao DC do Transistor
Corrente de Emissor Constante - Exemplo (1)
Polarize o transistor BC547 com corrente de emissor constante, na regio
ativa, sendo I
C
=2mA. Use uma fonte de alimentao de 12V.
a) Clculo de R
E
Como h
FEmn
=110, considere: I
E
=I
C
= 2mA
O =

=

600
10 2
12 1 , 0 1 , 0
3 R R E
E
CC
E
I
V
Valor comercial adotado: R
E
= 560
b) Clculo de R
B
A
h
I
I I B
FE
C
B
18
110
10 2
3
=

= =

O =


=

=

k
I
V V
R R B
B
BE CC
B
567
10 18
6 , 0 12 9 , 0 9 , 0
6
Valor comercial adotado: R
B
= 560k
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
7. Polarizao DC do Transistor
Corrente de Emissor Constante - Exemplo (1)
Polarize o transistor BC547 com corrente de emissor constante, na regio
ativa, sendo I
C
=2mA. Use uma fonte de alimentao de 12V.
c) Clculo de R
C
Para polarizar o transistor no centro da regio ativa, pode-se usar:
V
V
V V
CE
CC
CE
6
2
12
2
= = =
O =


=

=

2400
10 2
6 12 9 , 0 9 , 0
3 R R C
C
CE CC
C
I
V V
Valor comercial adotado: R
C
= 2k2
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
7. Polarizao DC do Transistor
Corrente de Emissor Constante - Exemplo (2)
Determine a reta de carga do circuito anterior e localize no grfico o ponto
quiescente Q do transistor.
R
C
= 2k2
R
B
= 560k
R
E
= 560
V
CC
=12 V
V
CE
=6 V
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
7. Polarizao DC do Transistor
Corrente de Emissor Constante - Exemplo (2)
Determine a reta de carga do circuito anterior e localize no grfico o ponto
quiescente Q do transistor.
Ponto de corte
I
Ccorte
~ 0
V
CEcorte
= V
CC
V
CEcorte
= 12V
Ponto de saturao
V
CEsat
~ 0
mA
I
R R
V
I Csat
E C
CC
Csat
3 , 4
560 10 2 , 2
12
3
=
+
=
+
=
Ponto quiescente:
I
C
= 2mA
I
B
= 18A
V
BE
= 0,6 V
V
CE
= 6 V
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
7. Polarizao DC do Transistor
Corrente de Emissor Constante - Exemplo (3)
Dado o circuito da figura abaixo e considerando V
RE
=0,1.V
CC
, determine I
B
, I
C
e
V
CE
quiescente.
Especificao do transistor:
Cdigo: BC550B silcio
V
BE
= 0,6 V
h
FEmn
= 200
Dados:
V
CC
= 5 V
R
B
= 100k
R
C
= 220
R
E
= 22
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
7. Polarizao DC do Transistor
Corrente de Emissor Constante - Exemplo (3)
Dado o circuito da figura abaixo e considerando V
RE
=0,1.V
CC
, determine I
B
, I
C
e
V
CE
quiescente.
a) Clculo de I
B
A I I
R
V V
I
I
V V
R
B B
B
BE CC
B
B
BE CC
B
39
10 100
6 , 0 5 9 , 0 9 , 0 9 , 0
3
1
=


=

=

=
c) Clculo de V
CE
C C CC
CE
C
CE CC
C
I R V
I
V V
V R
.
9 , 0
9 , 0
=

=
V
V V
CE CE
78 , 2 10 8 , 7 220 5 9 , 0
3
= =

b) Clculo de I
C
Como h
FEmin
=200, tem-se que I
C
=I
B
.h
FE
=39.10
-6
.200 I
C
=7,8mA
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
7. Polarizao DC do Transistor
Corrente de Emissor Constante - Exemplo (4)
Especificao do transistor:
Cdigo: BC557A silcio
V
BE
= 0,6 V
h
FEmn
= 125
Dados:
V
CC
= 15 V
I
C
= 10mA
V
EC
= V
CC
/2
Polarize o transistor BC557A com corrente de emissor constante, na regio
ativa, sendo IC=10mA. Use uma fonte de alimentao de 15V.
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
7. Polarizao DC do Transistor
Corrente de Emissor Constante - Exemplo (4)
Polarize o transistor BC557A com corrente de emissor constante, na regio
ativa, sendo IC=10mA. Use uma fonte de alimentao de 15V.
a) Clculo de R
E
Como h
FEmn
=125, considere: I
E
=I
C
= 10mA
O =

=

150
10 10
15 1 , 0 1 , 0
3 R R E
E
CC
E
I
V
Valor comercial adotado: R
E
= 150
b) Clculo de R
B
A
h
I
I I B
FE
C
B
80
125
10 10
3
=

= =

O =


=

=

k
I
V V
R R B
B
EB CC
B
161
10 80
6 , 0 15 9 , 0 9 , 0
6
Valor comercial adotado: R
B
= 150k
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
7. Polarizao DC do Transistor
Corrente de Emissor Constante - Exemplo (4)
Polarize o transistor BC557A com corrente de emissor constante, na regio
ativa, sendo IC=10mA. Use uma fonte de alimentao de 15V.
c) Clculo de R
C
Para polarizar o transistor no centro da regio ativa, pode-se usar:
V
V
V V
EC
CC
EC
5 , 7
2
15
2
= = =
O =


=

=

600
10 10
5 , 7 15 9 , 0 9 , 0
3 R R C
C
EC CC
C
I
V V
Valor comercial adotado: R
C
= 560
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
7. Polarizao DC do Transistor
Diviso de Tenso de Base
Este tipo de polarizao utiliza um divisor de tenso na base composto por
dois resistores, R
B1
e R
B2
.
Esse divisor de tenso, se bem projetado, torna o transistor muito mais
estvel.
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
A ideia bsica dividir a tenso V
CC
em dois valores extremamente estveis,
de modo que a tenso em R
B2
seja constante.
A reduo de V
BE
reduz I
B
e
(consequentemente) de I
C
J vimos que o aumento da temperatura
provoca aumento em I
C
e I
E
, tendendo a
deslocar o ponto quiescente regio de
saturao. O aumento de I
E
provoca o
amento de tenso em R
E
que fora uma
diminuo em V
BE
, j que a tenso em R
B2

constante.
7. Polarizao DC do Transistor
Diviso de Tenso de Base
Isso conseguido fazendo com que a corrente I que atravessa R
B1
seja bem
maior que I
B
, tornando esta ltima desprezvel. Assim a corrente R
B2
ser
tambm igual a I.
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
Para o clculo de R
B1
e R
B2
preciso, ento, definir o valor da corrente I em
funo das caractersticas do transistor.
Novamente a tenso V
RE
10% de V
CC
para que o resistor R
E
possa servir como
sensor de variao de temperatura, isto ,
V
RE
=0,1.V
CC
.
7. Polarizao DC do Transistor
Diviso de Tenso de Base
Vimos que I precisa ser bem maior do que I
B
. Uma relao prtica muito
utilizada considerar I igual a 10% da corrente de coletor I
C
. Assim I=0,1.I
C
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
7. Polarizao DC do Transistor
Diviso de Tenso de Base
A partir da malha externa do circuito, obtemos:
V V I R V V I R
CC BE C B RE BE B
. 1 , 0 . 1 , 0 .
2 2
+ = + =
I
V V
R
C
CC BE
B
. 1 , 0
1 , 0
2
+
=
( ) ( )
V I R R V I R R
CC C B B CC B B
= + = + 1 , 0
2 1 2 1
R
I
V
R
B
C
CC
B 2 1
. 1 , 0
=
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
7. Polarizao DC do Transistor
Diviso de Tenso de Base
Na malha de sada do circuito, temos:
I I R V V
C E E CC RE
. 1 , 0 1 , 0 = =
I
V
R
E
CC
E

=
1 , 0
V V V I R
CC CC CE C C
= + + 1 , 0
I
V V
R
C
CE CC
C

=
9 , 0
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
CORTE IDEAL
SATURAO IDEAL
REGIO
ATIVA
R R
V
I
E C
CC
C
+
=
0 =
IC
V V
CC CE
=
7. Polarizao DC do Transistor
Diviso de Tenso de Base
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
7. Polarizao DC do Transistor
Diviso de Tenso de Base Exemplo (1)
Polarize o transistor 2N3904 com divisor de tenso, na regio ativa, sendo
IC=10mA e usando uma fonte de alimentao de 12V.
Especificao do transistor:
Cdigo: 2N3904 silcio
V
BE
= 0,6 V
H
FEmn
= 100
Dados:
V
CC
= 12 V
I
C
= 10mA
V
CE
= V
CC
/2
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
7. Polarizao DC do Transistor
Diviso de Tenso de Base Exemplo (1)
Polarize o transistor 2N3904 com divisor de tenso, na regio ativa, sendo
IC=10mA e usando uma fonte de alimentao de 12V.
a) Clculo de R
E
Como h
FEmn
=100, considere: I
E
=I
C
= 10mA
O =

=

120
10 10
12 1 , 0 1 , 0
3 R R E
E
CC
E
I
V
Valor comercial adotado: R
E
= 120
b) Clculo de R
B2
O =

+

+
=

k
I
V V
R R B
C
CC BE
B
8 , 1
10 10 1 , 0
12 1 , 0 6 , 0
1 , 0
1 , 0
2 3 2
Valor comercial adotado: R
B2
= 1,8k
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
7. Polarizao DC do Transistor
Diviso de Tenso de Base Exemplo (1)
Polarize o transistor 2N3904 com divisor de tenso, na regio ativa, sendo
IC=10mA e usando uma fonte de alimentao de 12V.
c) Clculo de R
B1
O =

=

=

k R
I
V
R R B
B
C
CC
B
2 , 10 1800
10 10 1 , 0
12
1 , 0
1 3
2
1
Valor comercial adotado: R
B1
= 10k
d) Clculo de R
C
Valor comercial adotado: R
C
= 470
O =


=

=

480
10 10
6 12 9 , 0 9 , 0
3
C C
C
CE CC
C
R R
I
V V
R
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
7. Polarizao DC do Transistor
Diviso de Tenso de Base Exemplo (2)
Dado o circuito da figura abaixo determine I
B
, I
C
e V
CE
quiescente.
Especificao do transistor:
Cdigo: BC547B silcio
V
BE
= 0,6 V
h
FEmn
= 200
Dados:
V
CC
= 9 V
R
C
= 330
R
B1
= 15k
V
RE
= 0,1 V
CC
R
E
= 180
R
B2
= 3,3k
I = 0,1.I
C
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
7. Polarizao DC do Transistor
Diviso de Tenso de Base Exemplo (2)
Dado o circuito da figura abaixo determine I
B
, I
C
e V
CE
quiescente.
a) Clculo de I
C
mA I I
R
V
R
V
I I
C C
E
CC
E
RE
E C
5
180
9 . 1 , 0 1 , 0
= =

= = =
b) Clculo de V
CE
C C CC
CE
C
CE CC
C
I R V
I
V V
V R
.
9 , 0
9 , 0
=

=
V
V V
CE CE
45 , 6 330 10 5 9 9 , 0
3
= =

c) Clculo de I
B
A
h
I
I I B
FE
C
B
25
200
10 5
3
=

= =

Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
7. Polarizao DC do Transistor
Diviso de Tenso de Base Exemplo (3)
Considere o circuito da figura abaixo e determine os valores de V
CE
e I
C
quiescentes pelo traado da reta de carga, sabendo-se que IB=20A.
- Dados:
V
CC
= 30 V
R
C
= 2,2k
R
E
= 800
I
B
= 20A
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
7. Polarizao DC do Transistor
Diviso de Tenso de Base Exemplo (3)
Considere o circuito da figura abaixo e determine os valores de V
CE
e I
C
quiescentes pelo traado da reta de carga, sabendo-se que IB=20A.
Ponto
de corte
I
Ccorte
~ 0
V
CEcorte
= V
CC
V
CEcorte
=
30V
Ponto de
saturao
V
CEsat
~ 0
a) Traado da reta de carga
A
R R
V
I
E C
CC
Csat
800 10 2 , 2
30
3
+
=
+
=
mA
ICsat
10 =
Eletrnica Bsica Transistor de Juno Bipolar
7. Polarizao DC do Transistor
Diviso de Tenso de Base Exemplo (3)
Considere o circuito da figura abaixo e determine os valores de V
CE
e I
C
quiescentes pelo traado da reta de carga, sabendo-se que I
B
=20A.
b) Localizao do ponto Q
Conhecido o valor de I
B
, e como o
ponto Q localiza-se sobre a reta de
carga, o encontro da curva referente
a I
B
=20A com a reta de carga define
o ponto Q
c) Determinao de I
C
quiescente
Pelo ponto Q trace uma perpendicular
ao eixo I
C
, determinando o valor de
I
C
=5mA
d) Determinao de V
CE
quiescente
Pelo ponto Q trace uma perpendicular
ao eixo V
CE
, determinando o valor de
V
CE
=15V