Diodo

El Diodo es un componente elctrico que se desarroll como solucin al problema de transformacin de cualquier tipo de corriente alterna en corriente continua. Este permite el paso de la corriente en un solo sentido, a este proceso se le llama rectificacin. Para esto se inserta en el circuito un dispositivo conocido como rectificador, el cual es el que permite que solo pase la corriente en un sentido, bloqueando la corriente en el otro. Lado P y lado N del diodo Los diodos estn compuestos por dos zonas de material semiconductor (silicio, germanio) formando lo que se denominada unin P-N. La zona P se caracteriza por poseer una escasez de electrones y corresponde a la parte del nodo (positivo). La zona N presenta un exceso de electrones y corresponde a la parte del ctodo (negativo). En el lugar de contacto de las zonas P y N en el diodo, se crea una regin denominada de transicin en donde se genera una diferencia potencial y se crean iones positivo e iones negativos en cada uno de los lados. Para que los electrones se puedan mover se necesita superar esta diferencia potencial, si esto es logrado se producir la corriente elctrica, circulando los electrones de la zona N a la P y la corriente de la P a la N. El diodo posee dos tipos de polarizacin: Directa: Cuando se le aplica una diferencia potencial proveniente de una batera o una fuente de alimentacin, el polo negativo de esta debe estar conectado en el lado N y el positivo en el lado P. Inversa: El lado negativo de la fuente alimentadora o batera debe estar en contacto con el lado P y el positivo con el lado N. El primer diodo, denominado de vaco, consista en un receptculo de vidrio o de acero que contena un ctodo y un nodo y estaba exento de aire, ya que este produca una oxidacin del filamento (ctodo), y este filamento estaba rodeado de una placa llamada nodo.

Un diodo es de estructura pequea, posee un solo color a diferencia de las resistencias las cuales son de muchos colores, y una lnea, la cual indica la direccin que llevar la corriente, que en este caso sera de ctodo a nodo. En su base, se ubican 9 patillas de conexin. En la actualidad, el diodo que se emplea est constituido por materiales semiconductores los cuales sometidos a altas temperaturas y mezclados con impurezas o en presencia de luz pueden aumentar notablemente su conductividad. Estos diodos presentan unas ventajas fundamentales:

Su tamao es menor. Lo que permite construir circuitos ms pequeos. Posee dos terminales, lo que facilita su montaje. La cantidad de calor que genera, es mucho menor, ya que no necesita que se caliente ningn filamento. Funcionan con tensiones ms bajas, lo que permite que se emplee en los circuitos alimentados a pilas y bateras. Tambin pueden ser utilizados en equipos que manejen grandes corrientes, en los que de vaco no se podan ocupar, por ser estos muy grandes.

El diodo lo podemos encontrar en las radios, en la cual entra una corriente alterna con un potencial elctrico muy alto, y gracias al diodo, se transforma en continua y con un potencial ms bajo; tambin lo podemos encontrar en la televisin (diodo de Zener) Los diodos admiten slo unos valores mximos de corrientes y si estos son sobrepasados se destruyen.

PRUEBA DE UN DIODO
Hoy en da existen multmetros digitales que permiten probar con mucha facilidad un diodo, pues ya vienen con esta escala incorporada.

Con multmetro analgico

(El que tiene una aguja): Se coloca el selector para medir resistencias (ohmios enx10 x1) y se realizan las dos pruebas siguientes

Con multmetro digital:

Se elige la escala marcada con un diodo y se coloca el cable de color rojo en el nodo del diodo (el lado de diodo que no tiene la franja) y el cable de color negro en el ctodo (este lado tiene la franja).El multmetro inyecta una corriente en el diodo (esto es lo que hace cuando mide resistencias). Si la tensin que se lee est alrededor de 700 mV, indica que el diodo polarizado en directo funciona bien y circula corriente a travs de l (como debe de ser). Si marca 1 u OL, puede ser sntoma de que el diodo est "abierto" y deba de reemplazarlo. Se coloca el cable de color rojo en el ctodo y el cable negro en el nodo. En este caso como en anterior el propsito es hacer circular corriente a travs del diodo, pero ahora en sentido opuesto a la flecha de este. Si marca 1 u OL, nos indica que el diodo se comporta como se esperaba, pues un diodo polarizado en inverso casi no conduce corriente. Si mide una tensin baja 0, significa que el diodo est en "corto y debe de reemplazarlo.

El Transistor Es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de Transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y vdeo, hornos de microondas, lavarropas automticos, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin logrado entre corriente de base y corriente de colector, se denomina Beta del transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros tales como corriente de base, tensin Colector Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas bsicos para utilizacin analgica de los transistores son emisor comn, colector comn y base comn. Tipos de transistor Transistor de punta de contacto. Primer transistor que obtuvo ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de emisor es capaz de modular la resistencia que se ve" en el colector, de ah el nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. Hoy da ha desaparecido. Transistor de unin bipolar , BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un mono cristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de Galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas), normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P).La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas. El mecanismo

que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitelial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin.

Fototransistor, sensible a la radiacin electromagntica, en frecuencias cercanas la de la luz. Transistor de unin unipolar. Transistor de efecto de campo, FET, que controla la corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada. Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN. Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se asla del canal mediante un dielctrico. Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, Significa Metal-xido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal semiconductor por una capa de xido

TRANSISTORES BIPOLARES

El transistor bipolar es un dispositivo semiconductor de tres capas, conoce muestra en la siguiente figura. Consiste en dos bloques semiconductores tipo N y uno extremadamente delgado de tipo P; el bloque P, llamado base (denotado por B), queda entre los dos N. Si ahora se conecta uno de los bloques N, llamado emisor (denotado por E), a la terminal negativa de una batera, y el otro bloque N, llamado colector(denotado por C), a la positiva, entonces los electrones del emisor son repelidos por A y atrados por D, por lo que cruzan la base y llegan al colector, dando lugar a que haya una corriente en el circuito a travs de la batera (y si hubiera una carga como una resistencia, la corriente la atravesara). La magnitud de la corriente que llegue a circular depende de varios factores. Uno de ellos es el voltaje de la batera; mientras mayor sea ste, mayor ser la corriente. Otro de los factores es la polaridad de la base. Si la base es positiva, los electrones que vienen del emisor sern atrados por la base y se acelerarn, por lo cual habr mayor corriente a travs del dispositivo. Si por otro lado la base es negativa, entonces cierto nmero de electrones que vienen del emisor ser rechazado y se regresarn, disminuyendo la corriente neta; en el caso extremo en que la polaridad de la base, siendo negativa, tenga una magnitud muy grande, rechaza todos los electrones y prcticamente no hay corriente. As, la polaridad de la base controla y modifica la corriente que circula a travs del dispositivo. Asimismo, la corriente puede intensificarse, dependiendo del voltaje de la batera. En consecuencia, este dispositivo amplifica la seal que recibe la base. Tambin se puede construir un dispositivo en que un bloque N muy delgado queda entre dos bloques P, llamado transistor PNP. Su funcionamiento es completamente similar al transistor NPN, slo que las polaridades de las tensiones y sentidos de las corrientes quedan invertidas. A los dispositivos que se construyen con combinaciones de bloques formados de semiconductores N y P se les llama genricamente transistores (de: Transfer Resistor).El transistor es un dispositivo de 3 terminales con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E).Durante 1945 a 1949 el grupo de la compaa Bell desarroll la teora delos transistores, la verific experimentalmente y construy diodos transistores. En el ao de 1956 Bardeen, Shockley y Brattain recibieron el Premio Nobel de Fsica por el brillante trabajo que desemboc en la invencin del transistor. Hemos de mencionar que Barden recibi en1972 nuevamente el Premio Nobel de Fsica, ahora en compaa de J. R.Schrieffer y L. N. Cooper, por haber desarrollado la teora de la superconductividad. El invento del transistor abri una nueva era en la civilizacin moderna, ya que se le pudo utilizar de manera muy general en una gran variedad de aparatos. En las dcadas de 1950 y 1960 se construyeron radios, computadoras electrnicas, aparatos de control industrial, etc., que gracias a los transistores adquirieron un tamao relativamente pequeo, porttiles, con necesidades de energa muy reducidos y de larga vida. En gran medida, en las dcadas mencionadas los transistores sustituyeron a los tubos al vaco. Sin embargo, para ciertas aplicaciones muy especficas los tubos han tenido ventajas sobre los transistores. As, se emplean para transmisores de radio de potencia alta y mediana, para amplificadores de microondas y osciladores, para tubos de rayos catdicos como los que se usan en los televisores, monitores, pantallas de diversos aparatos, en equipos profesionales de audio, etctera

En electrnica es muy habitual el hablar de transistores de baja potencia (pequea seal) y de transistores de potencia (gran seal). Es una forma muy sencilla de diferenciar a los transistores que trabajan con potencias relativamente pequeas de los transistores que trabajan con potencias mayores.

Transistores de baja potencia

Se le llama transistor de baja potencia, o pequea seal, al transistor que tiene una intensidad pequea (IC pequea), lo que corresponde a una potencia menor de 0,5 W. En este tipo de transistores interesar obtener bcc grandes (bcc = 100 300).

Transistores de potencia
Se le llama transistor de potencia al transistor que tiene una intensidad grande (IC grande), lo que corresponde a una potencia mayor de 0,5 W. En este tipo de transistores la bcc que se puede obtener en su fabricacin suele ser bastante menor que en los de baja potencia (bcc = 20 100).

Bibliografa

http://html.rincondelvago.com/diodo.html http://es.scribd.com/doc/2514455/diodos-transistores-condensadores-y-resistencias http://es.scribd.com/doc/96569172/INFORME-N%C2%BA-4-MECA http://www.ecured.cu/index.php/Transistor http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema6/Paginas/Pagina6.htm