Clase-III-AM (Modo de Compatibilidad) PDF

MODULACION ANALOGICA: AMPLITUD Modulacin en amplitud: AM, DSB, BLU, USB Esquemas de generacin y deteccin. Seales en tiempo y frecuencias.
ONDAS ELECTROMAGNETICAS , MEDIOS DE TRANSFERENCIA PARA COMUNICACIONES TRANSMISION DE LA INFORMACION
SistemasWireless
AM,FMRadio TVBroadcast SatelliteBroadcast 2wayRadios CordlessPhones SatelliteLinks MobileTelephonySystems WirelessLocalLoop(WLL) MicrowaveLinks WirelessLANs InfraredLANs
Broadcast (analog)
2-way communication (analog)
2-way communication (digital)
BandasdeRadioFrecuencia
Frequency 10kHz 30kHz 30kHz 300kHz 300kHz 3MHz 3MHz30MHz 30MHz300MHz 300MHz3GHz 3GHz 30GHz 30GHz 300
Band VeryLowFrequency LowFrequency MediumFrequency HighFrequency VeryHighFrequency UltraHighFrequency SuperHighFrequency ExtremelyHighFrequency
(VLF) (LF) (MF) (HF) (VHF) (UHF) (SHF) (EHF)
RadioFrecuencia
LasOndasdeRadiosonondaselectromagneticasquesonpropagadaspormediodeantenas. LasondasdeRadiocomoseindicoenelcuadroanteriorempiezanenVLFhastaEMF.
OtrasBandascomunesdefrecuencia
Hayunagranvariedaddebandasdefrecuenciapara diferentesaplicacionestecnologicasdewireless. Algunosejemplos:
Celulares :824 849MHz GPS(GlobalPositioningSystem):12271575MHz Paraabrirgarages :40MHz MIRSpaceStation :145to437MHz DeepSpaceCommunications :2290to2300MHz
FCCylasbandasderadiofrecuencia
EnU.S.A.laFederalCommunicationsCommission(FCC) eslaentidadreguladoradeusodefrecuencias. Porejemplo,lasradioestacionesdeAMdebenusar frecuenciascomprendidasentre535KHzto1.7MHz. FMradiostationsenlabandade88MHzto108MHz. CadaPastienesusentidadesreguladorasdeasignacin defrecuenciasydeotorgarlicenciasdefuncionamiento.
Licenciaparaelespectrocelular
Latelefoniacelularesunaindustriademasaltaganacia enlaactualidad. Porestarazonlaslicenciasparacelularestienenuncosto dependiendodecadapaisentre10sto100smillonesde dolares.
WirelessSystems:Rangosdealcance
1m 10 m 100 m 1 Km 10 Km 100 Km > 1,000 Km
IR
Bluetooth
WLANs
Mobile MW SW Satellite FM Telephony, Radio Radio Radio Links WLL
CS 698T
Propagacion
Propagacin : Ground-wave Propagacin : Sky-wave Propagacin : Line-of-sight
Maxwells Equations (1831)
ONDASELECTROMAGNETICAS
Propagacion de ondas radioelectricas Campo Electrico, Campo Magnetico Energia Vector de Poynting Y Ecuaciones de Maxwell
H Z
Hz = ( / ) Ey Velocidad.. propagacion : v = 1 /( ) Velocidad.. propagacion vacio : v = 1 /( oo ) = 300000km / s

Energia Vector poynting : Pz = ( Ey) x(.Hz)
P X
IonosphericLayers
13
Propagacin Ground Wave
Sigue el contorno de la Tierra Puede propagarse considerables distancias Frecuencias por encima de 2 MHz Ejemplo: AM radio
Propagacin Ground Wave
Propagacin Sky Wave La seal se propaga reflejandose entre las capas de la Ionesfera y la Tierra Ejemplos
AM USB, LSB Amateur radio CB radio Radios de mucha potencia : La Voz de America (World)
Propagacin por Sky Wave
Propagacin Line-of-Sight
Ecuaciones de Line-of-Sight
Linea Optica
d = 3.57 h
Linea Recta o efectiva
d = 3.57 h
d = distancia entre antenas (km) h = altura de antenas (m) K = factor de ajuste (por refraccion K = 4/3)
Ecuaciones de Line-of-Sight Maxima distancia entres dos antenas de LOS propagation:
3.57 h1 + h2
h1 = altura de la antena uno h2 = altura de la antena dos
TransmisionSatelital
Geosynchronous Earth Orbit (GEO) 22,300 miles (in equatorial orbit)
Medium Earth Orbit (MEO) 4000-12000 miles
Low Earth Orbit (LEO) 300-1000 miles

21
TransmisinSatelital
satellite transponder
dish 22,300 miles
dish
uplink station
downlink station
22
TransmisinSatelital
Lossatelitesusanunsetdefrecuenciaspara comunicaciones: Receivetransmission(uplink) Transmitting(downlink). UsanlabandaC:4/6 Uplink :5.925to6.425GHz Downlink :3.7to4.2GHz
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Antenas
Antenas de Transmision: Son estructuras diseadas para radiar eficientemente ondas electromagneticas. La forma y tamao determina cuanto de energia se va
irradiar optimamente en una direccion
Antenas de Recepcion Son estructuras diseadas para recibir eficientemente radiaciones electromagneticas
Se save por Maxwell que los campos electromagneticos inducen corrientes en un conductor. La forma y su tamao determina cuan eficientemente los campos son convertidos en corriente.
Antenas Potencia de radiacin

Las ondas siguen planos de radiacion , en una direccion , las ecuaciones de maxwell que explican este proceso fisico son:
E s = o a r H s and Hs = 1
a r Es
El tiempo promedio y la densidad de energia o potencia esta explicada por la ecuacion del vector de Poynting
Densidad de Potencia
P ( r, , ) = 1
P ( r , , ) = P ( r , , ) ar
* Re E s H s
La potencia total radiada por una antena se encuentra integrando toda una superficie esferica
Potencia Radiada:
Prad =
2 P r , , d S = P r , , r sin d d ( ) ( )
MODULACION
PorqueModular?
Modulacion es elproceso derealizar variaciones mediante lainformacion a transmitir deuno delosparametros (amplitud,frecuencia,fase)delas ondas de las bandas deradiofrecuencia.
Frequency 10kHz 30kHz 30kHz 300kHz 300kHz 3MHz 3MHz30MHz 30MHz300MHz 300MHz3GHz 3GHz 30GHz 30GHz 300 Band VeryLowFrequency LowFrequency MediumFrequency HighFrequency VeryHighFrequency UltraHighFrequency SuperHighFrequency ExtremelyHighFrequency (VLF) (LF) (MF) (HF) (VHF) (UHF) (SHF) (EHF)
Si no se modulara y se transmitiera directamente las seales de audio, las antenas Serian de muchos Km de longitud, veamos algunos ejemplos usando la ecuacin.
v = C =
= f .
Modulacion
Onda Continua
Based on the type of carrier wave
Pulso PAM
Digital ASK FSK PSK, etc
Based on the type of modulating signal
PPM Analogo PWM PCM
Lineal AM
Based on the relationship between modulating and modulated signal
Exponencial FM PM
DSB-SC SSB VSB
Modulacion
Onda Continua
Based on the type of carrier wave
Pulso PAM
Digital ASK FSK PSK, etc
Based on the type of modulating signal
PPM Analogo PWM PCM
Lineal AM
Based on the relationship between modulating and modulated signal
Exponencial FM PM
DSB-SC SSB VSB
MODULACION
E n la Portadora Vc(t) se puede hacer variar
vc(t) = Vcsin(2fct+ )
Amplitud AM Posicion Angular FM - PM
10/3/2013
AM vs. FM
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EspectrodelaVoz
LaVozhumanatienesupropiabandadefrecuencia. Dependiendodelpaisytecnologasusadasseconsidera quelavozinteligibleatransmitirdebeserde Wm=0Hzto4000Hz.
fm (t ) = A cos[mt ]
EspectrodelaVoz
dB 0 -3 -10
-3 dB 300 Hz low frequency 3400 Hz high frequency Los filtros se disean para que solo pase una adecuada seal para tener una seal inteligible. Usualmente se considera la frecuencia de corte Superior en 4 khz
-20
-30
kHz 0
300
3500
Espectrodeunasealsinusoidaldeaudio(untono)
Amplitude
Frecuencia Si la frecuencia aumenta y se hace el doble esta tiene el siguiente espectro Amplitude
Frecuencia
Espectrodedosfuncionessinusoidales
sin(wt)+sin(2wt) Eneldominiodeltiempolaformadelaondasehace
complicada,peroeneldominiodelafrecuenciasu representacinessimple.
Amplitud
Frecuencia
Espectrodemuchasseales,AnchodeBanda
Una seal compleja deaudiopor ejemplo una palabra,puede servistacomo la suma deondas sinusoidales dediferentes amplitudes. sin(wt)+sin(3wt)+17sin(42wt)+... Cada componente contribuye alaenergia totaldelespectro eneldominio dela frecuencia. Elancho debanda para una comunicacion intelegible esta enelrango de: 300~3400Hz,withabandwidthof3100Hz,pero engeneralseconsidera 4Khz
Dominio de la frecuencia
Dominio del Tiempo
SealesAnalogas(Dominiodeltiempo)
Informacion : Voz a Transmitir Tecnicas de AM Tecnicas de FM
AM:Amplitude Modulation (ModulacinporAmplitud)

(AM) (fu analizado por J.R. Carson)
AM
DefiniciondeAM TiposdemodulationAM Analisisdelasseales FormasdeOnda,DominiodeltiempoylaFrecuencia AM,SSBmodulatoranddemodulator VentajasyDesventajas:singlesidebandoverdoubleside band AplicacionesdeAM
AM PorquenecesitamosModular? PorqueAM? PorqueseusaAM?
AMBROADCASTING
Banda de Radiodifusin : 540 Kc y 1600 Kc Nmero de Canales aproximadamente de 100 canales Ancho de Banda 10 Kc Ejemplo algunas emisoras de AM (onda media MF Medium Frecuency) de Lima-Peru RADIO INCA DEL PERU CADENA MODERNA DE COMUNICACION S.A. RADIO PANAMERICANA S.A. EMPRESA RADIO SELECTA S.A. RADIO MIRAFLORES S.A. RADIO COMAS EMPRESA RADIODIFUSORA .. .. RADIO AGRICULTURA DEL PERU 540 kHZ 930 Khz 960 Khz 1130 Khz 1250 Khz 1300 Khz 1590 kHZ
TiposdeAM
1)Doublesidebandfullcarrier(DSBFC) Contiene USB,LSB 2)Doublesidebandsuppressedcarrier(DSBSC) Contiene solamente USB&LSB Elcircuito que produceDSBSCes un modulador Balanceado 3)Singlesideband(SSB) Contiene las bandas laterales LSBorUSB Esunsistema eficiente enterminos depotencia y ancho debanda.
AMANALISIS
LaModulaciondeAmplitudeselprocesode CambiarlaAmplituddeunaportadoradealta frecuenciadeconformidadconlaamplituddela sealmodulante(Informacin). Esteprocesodemodificacinoadecuacindela sealparasutransmisinmaseficientesellama procesodemodulacin
AnlisisAM
. EnlamodulacinporAmplitudsedisponedeunafuentede energiageneradaporunoscilador,denominada
PortadoraoCarrierSignaldealtafrecuencia
f c (t ) = A c cos [ c t + (t )]
(t ) Deestafuncincualquieradelosparametros,Ac,W, puedeservariadodeconformidadconlasealquecontiene informacin
ColpittsLCTunedOscillator EdwinHenryColpitts desarrollelosciladorquellevasunombre,eldiseolohizo cuandotrabajabaenlaWesternElectric,,otrodesustrabajosfuedesarrollarel amplificadorPushPull,asimismologrlascomunicacionesradiotelefnicas continentalesconunabuenarelacinS/N.
Elcircuito depositiveFeedbackes dependiente delafrecuencia.Solouna frecuencia estar presente enlaentrada.Yesta determinado por elinductorLycapacitores C1 yC2. Alprender elequipo una simpleperturbacion como unpequea seal eruido,es lacausa inicial delaoscilacion hasta establecerse alafrecuencia deoscilacion (o ispickedupandamplified).
Analisis:ColpittsLCTunedOscillator
RB1 yRB2 sonresistoresdepolarizacin. RFCesRFChoke(inductor)permitequelacorrienteDCcirculeporelcolector deltransistor,perobloquealacorrienteACdeRF. Uncircuitosimplificadoparafrecuenciasmediassemuestraenlafiguraadjunta dondeelcapacitorbypassCE yelbasecapacitorCB estanencorto. Paramuyaltasfrecuencias,enelanlisissedebeconsiderarlascapacidades interelectrodicasdeltransistor(C yC),porahoraconsideremosdespreciable Enelanalisisesdemostrarquelafrecuenciadeoscilaciones:
fo = 2 1 C 1C 2 L C + C 1
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Analisis:ColpittsLCTunedOscillator
LacorrientequecirculaporC2 es: V I C 2 = = sC2V ZC 2 Despreciandolacorrientedeentradaaltransistor(I 0), V I L = I C 2 = = sC2V ZC 2 EntonceselvoltajedesalidaVo es:
AC circuito equivalente
Vo = V + I L Z L = V + ( sC2V )( sL) = V 1 + s 2 LC2

AplicandoKCLalnodo(C)
1 sC2V + g mV + + sC1 Vo = 0 R 1 sC2V + g mV + + sC1 V 1 + s 2 LC2 = 0 R
I 0
1 LC s 3 LC1C2 + s 2 2 + s(C1 + C2 ) + g m + = 0 R R
Reemplazandos=j
1 2 LC2 gm + + j (C1 + C2 ) 3 LC1C2 = 0 R R
46
Analisis:ColpittsLCTunedOscillator Paraconseguir laoscilacion laparterealeimaginaria debe sey igual acero.

1 2 LC2 gm + + j (C1 + C2 ) 3 LC1C2 = 0 R R
a)
Delaparteimaginaria obtenemos lafrecuencia de oscilacin

3 o (C1 + C2 ) o LC1C2 = 0
C + C2 o = 1 = LC1C2
1 C1C2 L C +C 2 1
2 1 o LC2 gm + =0 R R
fo =
1 C1C 2 2 L C +C 2 1
b)Delaparterealobtenemos larelacion deC2/C1

C + C2 C 2 LC2 = LC2 1 =1+ 2 1 + gm R = o C1 LC1C2 C2 = gm R C1
47
Cristalesdecuarzousadoenosciladores
Cristal de cuarzo silicon dioxide (SiO2) usado en Osciladores de RF fs frecuencia de resonancia serie. fp, frecuencia de resonancia paralelo.
Por efecto piezoelectrico vibra a una relacion constante cuando es expuesto a un campo electrico. El cristal sujeto a dos placas metalicas , se pone a vibrar a una frecuencia de resonancia, generando una seal. La frecuencia es determinado por las dimensiones fisicas.
GeneraciondePortadora
Otra disposicion del Oscilador Colpitts es el que tambien puede ser controlado por cristal
El Crystal actua como un circuito serie resonante a la frecuencia fc El cristal tiene un elevado Q La fc del del circuito oscilador es muy estable
f c (t ) = A c cos [ c t + (t )]
La funcin Portadora generada por el oscilador es una onda de muy alta frecuencia, comparada con la informacion Wc >> Wm
Trabajos para los alumnos

1)Disear unoscilador Colpitts LCTunedpara VHF
Datos a) Frecuencia de oscilacin=150 Mhz b) Transistor : transconductancia= gm = 100 mA/V, R = 0.5 K c) Inductor L= 50 nH
2)Analizar enformasimilareloscilador Hartley
SoluciondiseoosciladorColpittsLCTunedparaVHF
Lafrecuencia deoscilacion dato es 150MHz
o = 2f = 2 150 x106 = 9.4 x108 rad / s

Otro dato deltransistores gm =100mA/V,R=0.5K Por consiguiente obtenemos :
C2 = g m R = (100mA / V )(0.5 K ) = 50 C1 Seconoce L=50nH,entonces calculamos C2,yC1

o =
C2 = C1 + C2 = LC1C2 1 C2 1 + LC2 C 1
1 C2 1 1 = (1 + 50) = 1.13 x10 9 F = 1,130 pF + 2 8 2 L o C1 50nH (9.4 x10 ) 1,130 pF C C1 = 2 = = 23 pF 50 50
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Oscilador Colpitts controlado por cristal
El Crystal actua como un circuito serie resonante a la frecuencia fc El cristal tiene un elevado Q La fc del del circuito oscilador es muy estable
f c (t ) = A c cos [ c t + (t )]
La funcin Portadora generada por el oscilador es una onda de muy alta frecuencia, comparada con la informacion Wc >> Wm
Cristal de cuarzo silicon dioxide (SiO2) usado en Osciladores de RF fs frecuencia de resonancia serie. fp, frecuencia de resonancia paralelo.
Por efecto piezoelectrico vibra a una relacion constante cuando es expuesto a un campo electrico. El cristal sujeto a dos placas metalicas , se pone a vibrar a una frecuencia de resonancia, generando una seal. La frecuencia es determinado por las dimensiones fisicas.
Oscilador Armstrong El transformador es usado para defasar 180 y asi mantener la oscilacin
fc (t ) = Ac cos [ c t + (t )]
Sintetizador de frecuencia
Crystal Reference Oscillator 6MHz
OsciladordeRF(VCO) Controlporlaexactituddelcrystaldereferencia
Feed back control signal Fixed Divider, A Divide by 6000 1kHz Phase Comparator LPF
10MHz RF Out VCO
1kHz FOUT = FCRYSTAL x N/A Programmable Divider, N Sample RF Output Divide by 10000
ANALISISDELAMODULACIONPORAMPLITUD
AnalisisAM
Portadora Modulada en Amplitud La portadora modulada en amplitud puede ser descrita mediante la ecuacin
fc (t ) = K [1 + mfm (t )] cos ct
Seal Moduladora o informacin Consideremos como ejemplo la seal moduladora o informacin dada por una frecuencia audio:
MODULACIONPORAMPLITUD(AM)
La seal de audio hace variar la amplitud de la portadora de RF
Audio Input
f m (t
)=
cos
t]
RF Carrier
fc(t ) = Ac cos[ct + (t )]
AM Signal
fc (t ) = K [1 + mfm(t )] cos c t
AM
TheAMwaveform:alcanzasumaximovalorcuandolaamplitudde lasealmodulantealcanzasumaximovalor. TheAMwaveformalcanzasuminimovalorcuandolaseal modulantealcanzasuvalornegativo. Laenvolventedelaportadoratienelamismaformaquelafuncion quecontieneinformacion. Informacion
3 2
f m (t ) = A cos [ m t ]
AM BASEBAND
Portadora o carrier
-1
fc (t ) = Ac cos [ c t + (t )]
-2
-3
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.4
1.6
1.8
AnalisisAM
Consideremos como seal moduladora o informacion a la siguiente funcin
La frecuencia de esta seal es de audio, y debe cumplir Wm < < Wc Reemplazando en la funcion de portadora modulada se tiene:
fc (t ) = K [1 + mfm (t )] cos ct fc (t ) = K [1 + m cos m (t )] cos ct fc (t ) = K cos ct + mK cos m (t ) cos ct

Usando las igualdades trigonometricas, a esta ecuacion
cos A cos B = [cos(A+B)+cos(A-B)]
AnalisisAM
Aplicando la identidad se obtiene
fc (t ) = K cos ct + K/ 2(m cos(c + m )t + K/ 2(m cos(c m )t )

Observese que esta ecuacion esta constituida por tres terminos; de donde se deduce que la componente de frecuencia original Wm ha sido desplazada hacia la frecuencias altas , y a su vez que ha dado lugar a su division en dos frecuencias laterales , una a cada lado de la portadora Wc
ESPECTROAM
fc (t ) = K cos ct + K/ 2(m cos(c + m )t + K/ 2(m cos(c m )t ) fc (t ) = K cos c t
Portadora sin Modular
K/ 2(m cos(c m )t )
K/ 2(m cos(c + m )t
USB LSB
Carrier LSB: Lower side band USB: Upper side band
fm
fc-fm
fc
fc+fm Frequency
AM Ancho banda (Full AM) Amplitude Modulation ~ de DSBFC

DSBFC Frequency Spectrum Simple frecuencia de audio fm
B = Maximum freq. - minimum freq.
Vc
ma Vc 2 ma Vc 2
= (fc+fm)-(fc-fm) = fc+fm-fc+fm = 2fm
freq fc-fm fC 2fm

10/3/2013 Nurul/DEE 3413/Modulation 63
fc+fm
EspectroAM(VistoconunSpectrumAnalyzer)
Fig(A) Es una portadora no modulada. Fig(B) Portadora de AM modulada, con un solo tono sinusoidal; se ven la portadora y las dos bandas laterales laterales.
Ejemplo1AM
LafrecuenciadeunaondaportadoradeAMesfc=100 kHzylamaximasealmodulanteesunasealdeaudiode fm10kHz,yde5khzdeterminar: a.LSB&USB b.Anchodebanda c.USByLSB,silasealmoduladoraesde5kHz. d.DibujarelespectrodeSalida
Solucin:
Lower side band
Carrier
Upper side band
90kHz fc-fm(max
95kHz fLSF
100kHz fc
105kHz fUSF
110kHz Frequency fc+m(max
Espectrodeunaondasenoidal
Si la onda es pura se representar en el dominio de la frecuencia por una sola Seal espectral, pero si tiene ligera deformacin la onda senoidal aparecer una seal espectral con todas las armnicas
Desired Output
Desired Output
67
IndicedeModulacin
Elindicedemodulacinesunindicadordelacantidaddel cambiodeamplitudpresenteenunaondadeAM. matematicamenteeslasiguienterelacin:
Em m= Ec
m=coeficientedemodulacin Em=PicomximodelaamplituddelaondaAMdesalidamedidaenvolts Ec=picodelaamplitudnomoduladadelaportadora,medidaenvolts PorcentajedeModulacin:
Em M = m 100% = 100% Ec
IndicedeModulacion
Em m= Ec
1.IndicedeModulacion
Silasealdemodulacinespuraydeunasolafrecuencia, elprocesodelamodulacionessimetrico,porconsiguiente:
Em m= Ec
Em=(Vmax Vmin) Ec=(Vmax+Vmin)
DeestanaturalezanosotrospodemosobtenerelindiceM
M =
(Vmax 1 (V 2 max
1 2
(Vmax Vmin ) Vmin ) 100 = 100 (Vmax + Vmin ) + Vmin )
PorcentagedeModulacin
Sub modulacin (<100%)
100% modulado
Sobre Modulado (>100%)
GraphicalRepresentationofModulationDepthandModulationTypes.
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GraphicalRepresentationofModulationDepthandModulationTypes.
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Portadora modulada con indice m=50%
10/3/2013
Nurul/DEE 3413/Modulation
74
Portadora modulada con indice m=100%
75
Sobremodulacion: indice m=150%
m : este indice debe estar entre 0 y 1 to para evitar sobremodulacin
10/3/2013
Nurul/DEE 3413/Modulation
76
2.PotenciadeTransmision
Lapotenciaentregadaacargadelasealnomoduladaes igual: Pc=(Ec)2/2R
donde Pc=carrierpower(W) Ec =peakcarriervoltage(V) R=loadresistance(Ohm)
LapotenciaPT distribuidodurantelamodulacion,es funciondelindicedemodulacionysedefinecomosigue: PT=Pc[1+(m2/2)] Lapotenciadelasbandaslaterales(LSF&USF)esta definidopor: Plsf=Pusf=m2Pc/4
Ejemplos
UnaportadoradeAMtieneunapotenciadesalidade50W. Determinarlapotenciadelasealmoduladaconunindice demodulaciondel80%.
Ejemplos SOLUTION : 1. Total Power : PT = Pc[1 + (m2 /2)] por consiguiente, PT = (50 W)[1 + ((0.8)2 /2)] = 66 W
Espectrodelainformacion
LainformacionpermitidaPorlosdiferentessistemasde transmisionestospuedentenerelsiguienteanchodebanda:
Phone/Voz
SSB 23kHz AM 46kHz FM 515kHz CanalNormalizado4Khz
Digital
PSK31 31Hz RTTY 250Hz
SlowScanTV 3KHz FastScanTV 6Mhz
EspectroAM
El ejemplo anterior se ha hecho solo con dos armonicas, pero cuando se transmite voz o imagen se tiene que representar la Informacion f(t) con una seal periodica de las series de Fourier
f (t) =
n =
jn0 t c e n
c1 c2 c3 cn
La informacion tendra una componente de frecuencia M maxima a transmitir, por consiguiente n= M, luego la serie se expresa:
f (t ) =
n= M
c e
n
jn0t
EspectroAM
Considerando el valor absoluto de Cn la ecuacion anterior se puede escribir como
f (t ) =
n= M
cne
jn n t
= 2 | c n | cos( m t )
n =1
Reemplazando en la funcion moduladora fc(t):
fc (t ) = K [1 + 2m | c n | cos m (t )] cos c t
n =1
Y aplicando nuevamente la ley de los cosenos
fc (t ) = K cos c (t ) + mK | c n | [cos(m + c )t + cos(m - c )t ]

n =1
EspectroAM
Se observa nuevamente el efecto de que produce la AM desplazamiento del espectro frecuencias de la informacion hacia las frecuencias altas
Espectro de la seal original
Fm
fc-Fm
fc
LSB
USB
fc+Fm
Frequency
Cada banda lateral contiene todas las lineas espectrales Con las mismas caracteristicas de amplitud y fase dela seal Original y por lo tanto toda la informacion.
BandasdeAM
Por lo expuesto generalizando el espectro de frecuencias de AM DBSFC es como se muestra:
Lower side band Amplitude Upper side band Carrier Lower side frequencies Upper side frequencies
fc-fm(max
fc
fc+fm(max)Frequency
Frecuencias entre fc-fm(max)
es lower side band (LSB)
f +f Frecuencias entre c m(max) es upper side band (USB)

Por consiguiente el ancho de banda de AM es: AM DBSFC is FB = 2fm (max)
AMBANDAS
Pc = Vc2 /R PT = Pc[1 + (m2 /2)]
DSBFC AM
Plsb= (m2 Pc /4) LSB
Pusb= (m2 Pc /4) USB Pc = Vc2 /R
SSBFC AM
Plsb= 0
Pusb= (m2 Pc /4) USB
PT = Pc + (m2 Pc /4)
SSBSC AM
Pc = 0 Plsb= 0 USB
Pusb= (m2 Pc /4)= Pt
Pc = (0.1Vc)2 /R
PT = 0.01Pc + m2 Pc /2
ISB AM
Plsb= (m2 Pc /4) Ch A
Pusb= (m2 Pc /4) Ch B PT = Pc + m2 Pc /4+ Plsb
VSB AM
Plsb=< Pusb LSB
Pusb= (m2 Pc /4) USB
AM DSB SSB
SpectrumAnalyzer50Khz 3.3Ghz
Spectrum analyzers es ampliamente usado para mediciones de respuesta de frecuencia y ruido, ancho de banda , track de fuentes de interferencia.
Modulacionconunasealcomplejadeinformacion
f (t ) =
n= M
c e
n
jn0t
Cuando varias frecuencias modulan en forma simultanea la amplitud de una Portadora, el ndice de modulacin es la raz cuadrada de la suma de Los cuadrados de los ndices individuales de modulacin
mt = m12 + m2 2 + m3 3 + ...mn 2
La potencia total se vera modificada: Idem la potencia de las bandas laterales
P USB mt2 ) = Pc ( 4 mt2 ) P T = Pc (1 + 2
Ejercicio 1
Un transmisor opera en la frecuencia de 1000 Khz, con un voltmetro de RF Se ha determinado un voltaje mximo de portadora sin modular de 100 Vp Y La carga es una antena a la frecuencia de transmisin tiene una impedancia De 50 ohms: si el ndice de modulacin para una seal de 10Khz es del 80% 1. 2. 3. 4. 5. Calcular la potencia de la seal de portadora La potencia total de la onda modulada La potencia en las bandas laterales Trazar el espectro de potencias en el dominio de la frecuencia Dibujar la portadora modulada, en el dominio del tiempo
Solucin
La potencia de portadora:
V 2 rms (100 / 2 ) 2 Pc = = = 100watts RL 50
La potencia total de la onda modulada m2 0 .8 2 PT = Pc (1 + ) = 100(1 + ) = 164 watts 2 2 La potencia en las bandas laterales
PUSB = PLSB = (m2 ) Pc 100 = (0.82 ) = 16watts 4 4
100W
16 w 990Khz 1000Khz 16 w 1010Khz
Dibujar la portadora modulada al 80%, en el dominio del tiempo

3
AM BASEBAND
2
-1
-2
-3
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.4
1.6
1.8
Ejercicio 2
Un transmisor DSBFC tiene una potencia de portadora no modulada Pc=1000 Watt, que se modula simultaneamente por tres seales cuyos Indices de modulacion son: m1=0.2, m2=0.4, m3=0.5 determinar: a) La potencia de las bandas laterales b) La potencia total transmitida
Solucin
El coeficiente total de modulacin es:
mt = m12 + m2 2 + m3 3 = 0.2 2 + 0.4 2 + 0.53 = 0.67

La potencia de las bandas laterales
P USB mt2 0 . 67 = Pc ( ) = 1000 ( 4 4
2
) = 224 . 45 W
La potencia total transmitida:

mt2 0 . 67 P T = Pc (1 + ) = 1000 (1 + 2 2
2
) = 1224 . 45 W
DispositivosElectrnicosusadosenSistemasde ComunicacionesdeRadiofrecuencia
SOLIDOS
VACIO
DispositivosActivos Radiofrecuencia
DIODOS PIN TUNNEL GUNN EFECT SOLAR CELL VARACTOR TRANSISTOR IGBT TRANSISTOR HF TRANSISTOR MICROWAVE FET MICROWAVE TUBOS DE VACIO TWT Traveling Wave Tube Microwave 1.0 To 18 GHz For Satellite Communications KLYSTRON (RADAR) MAGNETRON
APLICACIONES : OSCILADORES Y MODULADORES DE ALTA FRECUENCIA
1.Moduladoresdebajonivel:DiodoPIN
Es un diodo con alto dopaje en las capas P y N separado por una capa intermedia denominada Intrinsic Layer i
I p i n v
Esta capa adicional i es una capa de alta resistividad , que hace que el diodo tenga una muy alta impedancia a frecuencias altas, Inclusive hasta el rango de las microondas, en polarizacion imversa y muy baja inpedancia para la polarizacion directa. Esto permite usar el diodo para modulacion por amplitud, , atenuadores de microondas, y muchas otras aplicaciones relacionadas con las comunicciones
PIN
Increasewidthofiregion
10/3/2013
EE233 Chang-Hasnain
96
10Gbpin
DiodoTunel
GunnDiode
APLICACION
El diodo Gunn se usa como osciladores de microondas en el rango de 100 Ghz Fue desarrollado por J.B. Gunn en IBM 1963 analizando junturas de Ga-As sometidos a altos campos Entre 2000-4000 V/cm, obserb generacin de ondas de alta frecuencia (microondas)
Como Funciona?
Por medio la generacion de electrones de alta velocidad debido a sus caracteristicas de resistencia negativa.
Ventajas:
Bajo Ruido, Alta frecuencia de operacion

J Densidad de corriente
e- Velocidad Promedio 7
Region de resistencia negativa
10 cm/sec Campo Electrico KV/cm
"GunnEffectDevices
LSA (Limited Space Charge) Audio Headset
3v
R RF Gunn Diode P=a/f2
LSA diode in waveguide to antenna
Radares portatiles (Control de velocidad policial.
Diodos SolarCell
i VCA
Cuando incide luz en una unin PN, la caracterstica del diodo se desplaza hacia el 4 cuadrante.
V
En este caso, el dispositivo genera energia.
Zona uso iCC
Paneles de clulas solares
DiodoVaricap
(Varicap , Varactor or Tuning diode) La unin PN polarizada inversamente puede asimilarse a un condensador de placas planas (zona de transicin). Tenemos pues una capacidad dependiente de la tensin inversa. Se usa en equipos de comunicaciones Control automtico de frecuencia en sintonizadores
Dielctrico
P
+ + + + + + + +
CT 30 pF VI 10 V
TransistoresdeComunicaciones
HF transistors are characterized for broadband amplifier operation and our 2-30MHz devices provide high linear power output for a variety of military, commercial and amateur communication equipment.
HF Transistor
50Volt,ClassABlinear
PARTNUMBER
BIAS POUT PG FREQ. Min. IMD3 JC Min Max. VCE ICQ dBc MHz Watts dB C/W Volts mA (pep) 30 30 75 75 14 14 50.0 50.0 50 50 30 30 2.0 2.0
PACKAGE STYLE
HF7550F HF7550S
.5004LFlg .3804LStud
HF15050F HF15050S HF22050 HF25050 Alltransistorsareconfiguredcommonemitter.
30 30 30 30
150 150 220 250
14 14 13 14
50.0 100 30 50.0 100 30 50.0 150 30 50.0 515 30 0
.5004LFlg 0.75 .5004LStud 0.75 (A) 0.55 0.40 .5004LFlg .5504LFlg
DispositivosActivosdeRF 550Kw
The TH 576 is a ceramic-metal tetrode of coaxial structure, employing Hypervapotron anode cooling, designed for use in AF and RF amplifiers of frequencies up to 50 MHz. This tube brings increased efficiency to medium- and short-wave transmitters. Moreover, the TH 576's Pyrobloc grids result in highly stable operating characteristics. The anode cooling technique guarantees enhanced safety margins with respect to the operating point. The 576 delivers up to 550 kW in SW, with a high gain and a high efficiency
TubosenComunicaciones
Frequency Anodevoltage Anodecurrent Screengridvoltage Screengridcurrent Controlgridvoltage Controlgridcurrent Filamentvoltage Filamentcurrent Anodevoltage Anodedissipation Controlgriddissipation Screengriddissipation Diameter Length Mass 26MHz 14.5kV 41A 1200V 7.0A 700V 2.0A HEATERPOWERSUPPLY 19V 950A MAXIMUMRATINGS 15kV 800kW 4kW 12kW DIMENSIONS 346mm 705mm 110kg
TUBOSRF250Kw
El tubo 4CV100,000C se usa en osciladores y amplificadores Class C de gran potencia. Ejemplo el Collins 821A-1 250 KW PlateDissipation(Max.) ScreenDissipation(Max.) GridDissipation(Max.) FrequencyforMax.Ratings(CW) Cooling Filament Voltage Current 100,000watts 1,750watts 500watts 30MHz VaporandForcedAir ThoriatedTungsten 10.0volts 300amperes
4CV100,000C
AmplificationFactor(g1g2) Base RecommendedAirSystemSocket MaximumSeal&Envelope Temperature MaximumLength(lessBoiler) MaximumDiameter(lessBoiler) Weight(approximate)(lessBoiler)

OperatingPosition
4.5 Special,GraduatedRings SK1500A 250C 17.24in;437.90mm 10.07in;255.80mm 68lb;30.9kg

Vertical,baseup
CircuitosdeAM
1. Moduladores Moduladores de bajo Nivel Moduladores de Alto Nivel 2. Amplificadores de RF Clase A Clase AB Clase B Clase C 3. Amplificadores Tipos de Sintonia Sintonia Simple Sintonia Doble
ModuladoresdeAM
LoscircuitosModuladoresusanlosdispostivosactivosDiodos Pin,Tunel,Transistores,TubosdeVacio,loscualesseusanendos clasesdemoduladoresdenominadosbajonivelyaltonivel. ModulacinenBajoNivel Usodelaleycuadraticadelosdiodos,transistores Lamodulacionseiniciaenetapaprevias,estosmoduladores puedenserdeClaseA,AB,B. ModulacinenAltoNivel Lamodulacionocurreenlaultimaetapadondelaportadora esmoduladaenamplitud UsualmentesondedeClaseC,tambiensedenominan CollectorModulator porquelasealmodulanteseaplica directamentealcircuitomodulador.
Modulacionenbajonivel:AM Elproductodelasealportadoraylaseal moduladorasegenera,aplicandoambasseales adispositivosnolinealescomoesundiodo. Leycuadrticadeldiodo: eo= a1ei + a2e + a e + .. ei = coswct + f(t)
Reemplazando y filtrando las armonicas no deseados se obtiene:
2 i 3 3 i
eo= a1coswct [
1 + (2a2/a1) f(t) ]
DiododeJuntura
Teorico
Real
I = I 0 (eVA VT 1)
eo= a1ei + a2e + a e + ..
2 i
3 3 i
AM Diodo
eo= a1coswct [
1 + (2a2/a1) f(t) ]
AM Diodo Espectro
eo= a1coswct [
1 + (2a2/a1) f(t) ]
AM LowLevelAM:PINDiodeModulator EldiodoPINesunatenuadorvariable,produce AMafrecuenciasdeVHF,UHF,ymicrowave. DiodoPINsondiseadosparaoperaren frecuenciasde100MHz. CuandoeldiodoPINsepolarizadirectamente, operacomounresistorvariable. LaatenuacioncausadaporeldiodoPINvariacon laamplituddelasealmodulante.
PinModulator
High-frequency amplitude modulators using PIN diodes.
2ModuladorenbajoNivel:SimpleTransistor
LSB: Lower side band
Carrier
USB: Upper side band
Frequency
fc-fm
fc
fc+fm
f c ( t ) = K cos c t + K/ 2 ( m cos( c + m ) t + K/ 2 ( m cos( c m ) t )
2.TRANSISTOR MODULACIONAM
Ic
Vbe
ic= a1Vbei + a
2 2Vbei
+a
3 3Vbe
eo= a1coswct [
1 + (2a2/a1) f(t) ]
2.TRANSISTORMODULACIONAMCLASE:C
Tank circuit (C1 and L1) filters output (fr = fc with bandwidth of fc fm) C1 charges to Vcc + Vm when Q1 is on and discharges through L1 when Q1 is off L1 discharges, charging C1 to (Vcc + Vm) known as flywheel effect
Bypass Capacitor RF Bypass Capacitor Neutralizing Capacitor
10/3/2013
AM vs. FM
118
RF FET
Vds
La corriente de Drain Id = f(Vgs) sigue una ley cuadratica,parte util Para modular ondas de Radiofrecuencia, por consiguiente la tension Desarrollada en la carga es Vds,que sigue la misma ley. Vds = a1Vgs + a2Vgs + a3Vgs + .. Vds= a1[ 1 + (2a2/a1) f(t) ] Coswct
2 3
FET AMMODULATOR
ID
Ley cuadratica
IDSS IDsat V GS

2
V GSoff
(< 0 siempre)
I Dsat
V GSQ
= I DSS
V GS 1 V GSoff
120
ModulaciondeAMenBajoNivel
Ventajas Requieresealesmoduladorasdebajonivel,paraobtener unalto%demodulacin Usaetapasmoduladorasdeaudiodebajaspotencias. Desventajas RequierequelaetapasiguienteseaunamplificadordeRF muylineal,parapreservarlamodulacion.
Amplif de bajo nivel Amplif Linealde Alta potencia
AM Transmitters Low-level AM DSBFC Transmitter
Portadora
1. RF carrier oscillator 2. Buffer amplifier 3. Carrier drive
Audio
1. 2. 3. 4. Modulating signal source Band pass filter Preamplifier Modulating signal driver
Amplificador de RF
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. Modulador Band Pass filter Linear Intermediate P.A. Linear P.A. Band Pass filter Coupling Network Antena
AM Transmitters High-level DSBFC AM Transmitter
1.Rf Carrier oscillator : 1 Mhz 2. Modulating Signal : 4 Khz 3. AM Modulator, Power amplifier: (1 Mhz 4Khz) a (1Mhz + 4Khz) 4. Band Pass Filter : 8 Khz
123
ResumendelosBloquesdeAMtransmiter
LOW LEVEL
Portadora
1. RF carrier oscillator 2. Buffer amplifier 3. Carrier drive
Audio
1. 2. 3. 4. Modulating signal source Band pass filter Preamplifier Modulating signal driver
Amplificador de RF
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. Modulador Band Pass filter Linear Intermediate P.A. Linear P.A. Band Pass filter Coupling Network Antena
HIGH LEVEL
Portadora
1. Rf carrier oscillator 2. Buffer amplifier 3. Carrier Drive
Audio
1. 2. 3. 4. 5. Modulating signal source Band pass filter Preamplifier Modulating signal driver amplifier Modulating Signal power amplifier
Amplificador de RF
1. AM Modulator and Power amplifier 2. Band Pass Filter 3. Matching Network 4. Antena
EficienciadelosAmplificadoresRF
EficienciadelosAmplificadoresRF
ClassAamplifier ClassBamplifier ClassABamplifiers ClassCamplifier
AmplificadorclaseA
Vcc IC (sat ) = RC + RE
VCE ( cutoff ) = VCC
AmplificadorclaseA
El punto Q de operacion es al medio de la recta AC de carga. Al estar constantemente en conduccion (always biased on) Esto hace que sea el mas inficiente de la clase de amplificadores.
Rango de Variaciones de las seales de entrada y salida
IBQ
IBQ
ICQ
Q - point
VCEQ
ICQ
Q - point
VCEQ
AnalisisdePotenciaclaseA
a) PotenciaDCenelpuntoQ Lapotenciadedisipacionsinseal(Vin=0)eselproductodela corrienteylatensionenelpuntoQdeoperacion
P( DQ
b)
= V CEQ I CQ
La potencia en Rc con seal (power delivered to load)
V C (max) = I CQ R C
I C (max) = V CEQ RC
0 . 707 V C (max)
valores (rms)
0 . 707 I C
(max)
C) Maxima potencia de salida :
Pout (max) = ( 0 . 707 I C )( 0 .707 V C ) Pout (max) = 0 . 5 I CQ V CEQ
Eficiencia
La eficiencia del amplificador esta definido como la habilidad del amplificador de convertir la potencia DC de bateria en potencia AC de salida. La potencia promedio (average power supply current) ICC es igual a ICQ y voltaje de fuente 2VCEQ
PD C = I C C V C C = 2 I C Q V C E Q
Considerando la potencia de salida determinada anteriormente:
Pout (max) = 0 . 5 I CQ V CEQ

Se obtiene la eficiencia como la realcion de la potencia con seal y la potencia dad por la fuente de alimentacion DC
0 . 5 I CQ V CEQ Pout % (max) = = = 0 . 25 = 25 % PDC 2 I CQ V CEQ
Eficiencia Amplificador Clase B PushPullSimetria complementaria
AmplificadorRFClaseByClaseABPushPull
Clase Bopera180grados deciclo deonda. Clase ABesta polarizado para conducir ligeramente mayorque 180 . Laventaja deestos amplificadores es su alta eficiencia comparado con elclase A Sudesventaja es laalinealidad que producen. Requieren unbuen apareamiento delostransistores (iguales caracteristicas) Siseusa transformadores serequieren unexactasimetria delos devanados secundarios
ClassBPushPullAmplifiers
Haydostiposdeamplificadores: i. TransformerCoupling ii. ComplementarySymmetryTransistor
ClassABPushPullAmplifiers
La disposicion de diodos divisores de Tension corrigen la alinealidad de este amplificador. D1,D2 estan en conduccion constante por accion de Vcc
Determinaciondelaeficiencia
La tension entre emisor y colector es : Vcc/2
El Maximo : Output Power
Pout = Iout ( rms )Vout ( rms ) Iout ( rms ) = 0.707 I out ( peak ) = 0.707 Ic ( sat ) Vout ( rms ) = 0.707Vout ( peak ) = 0.707VCEQ Pout = 0.5Ic ( sat )VCEQ VCEQ = 2 Pout = 0.25Ic ( sat )VCC VCC
Vcc/2 Vcc/2
Determinaciondelaeficiencia DC Input Power
PD C = I C C V C C ICC = PD C = I c ( sa t )
I c ( s a t )V C C
Determinaciondelaeficiencia Efficiency
Pout efficiency, = PDC
max
Pout = PDC 0.25 I c ( sat )VCC = = 0.25 I c ( sat )VCC
max = 0.79 = 79%
Ejercicio
Determinar el voltage pico de salida y corriente del siguiente circuito (Respuesta 10V, 625mA)
+20V
470
470
16
Eficiencia delamplificador Clase C
EficienciadelAmplificadorClaseC
+Vcc RC
Vin
Vout C RB
Vout
Vin
VBB
Clase C conduce un angulo menor que 180. Este amplificador es polarizado por debajo del punto de corte con una tension negativa VBB
AmplificadorClaseCSintonizado
+Vcc
C2
L1 C3
IC
C1 RB Vin VBB
Vout
Vout
Para producir onda completa de salida al amplificado clase C se usa un circuito tanque paraleo sintonizado La frecuencia de resonancia esta dado por :
fr = 1 2 LC
Acciondelcircuitoresonante
+Vcc
a) C se carga a +Vcc cuando conduce el transistor
Transistor conducts (approximates a short)

+Vcc
0 -Vcc
b) C se descarag sobre L hasta 0V
Transistor turns off (approximates an open)
Acciondelcircuitoresonante
+Vcc
+Vcc _
C
0 -Vcc
c) L recarga C en direccion opuesta
Transistor remains off
+Vcc
+Vcc
C L
0 -Vcc
d) C se descarga hasta 0V
Transistor remains off
Accion delcircuito resonante

+Vcc
+Vcc 0
L
_
C
-Vcc
e) L recarga C
Se produce una oscilacion que gradualmente tiende a desvanecerse al perder la energia Pero la presenicia de constantes pulsos de corriente de colector hace que la oscilacion sea sostenida y se fome una onda completa
Transistor is off just prior to conducting again to start another cycle
Vr 0
Accion delcircuito resonante

IC
Vr
La oscilacion a la frecuencia fundamental puede ser sostenida por pulsos cortos de corriente de colector.
IC
Vr
Se puede producir una oscilacion por segunda rmonica, sie el tanque no esta bien sintonizado.
Potenciamaximadesalida
El voltaje desarrollado a traves del circuito tanque tiene un pico a pico de aproximadamente : 2Vcc. La maxima potencia de salida es entonces:
Po u t Po u t
2 V r2 ( 0 .7 0 7 V ) ms CC = = RC RC
0 .5 V C2C = RC
Total power:
PT = Po u t + PD ( a v g )
Efficiency:
Pout = Pout + PD ( avg )
Falta determinar la potencia de disipacin
PowerDissipation
La potencia de disipacion de un transistor en clase C es muy bajo porque solo conduce como se ha explicado un porcentaje pequeo de ciclo de onda. En la figura se muestra una corriente ideal (pulsada) para clase C: Maxima corriente : Amplitud = IC(sat) minimo voltage : Amplitude = Vce(sat)
IC(sat) Vin IC
0 0
ton Vce
IC
Vce(sat)
Collector current pulses
Ideal class C waveforms
PowerDissipation La potencia de disipacion del transistor es:
P D ( o n ) = I c ( s a t )V c e ( s a t )
La potencia promedio de disipacion considerando el tiempo de conduccion comparado con un ciclo completo (duty cicle) es:
PD ( avg )
ton = T
ton PD ( on ) = I c ( sat )Vce ( sat ) T
Pout = Pout + PD ( avg )
Eficiencia deunamplificador Clase C De las ecuaciones anteriores:

=
Pout = Pout + Pd 1 Pd 1+ Pout
(on )
PD
( avg )
t = o n PD T
t = o n I c ( s a t )V c e ( s a t ) T
Pd ( avg ) Pout
ton Ic ( sat )Vce( sa ) = T 0 100% 2 0.5Vcc Rc
Si la tencin de saturacin del transistor es muy pequea , y a su vez el tiempo De conduccin de la corriente de colector sea lo mas corto posible, se puede afirmar que la eficiencia puede aproximarse al 100 %, es por esta razn se dice que estos amplificadores son las mas eficientes, usualmente alcanza al 99 %
EficienciadeAmplificadoresdeRF
Enelmejordeloscasosestosamplificadorespuedenalcanzaruna eficienciamenoral: ClaseA <50% ClaseAB <60% ClaseB <78.5% ClaseC <100%
Ejercicio
Un amplificador clase C tiene una seal de entrada de 200kHz . El transistor esta en conduccion durante 1s y el amplificador opera al 100% sobre su recta de carga, si Ic(sat)=100mA y Vce(sat)=0.2V, cual es la potencia promedio (average power dissipation? ) (Respuesta : 4mW)
Ejercicio
Supongase un clase C con PD(avg) = 4mW tiene Vcc = 24V y la carga Rc=100. Determinar la eficiencia. (Respuesta : 99.9%)
TAREA:ANALIZARELSIGUIENTECIRCUITODERF
RL
Vin
Rce Cce
CL RL V0
Circuito equivalente
Demostrar que la ganancia es:

| Vo gm |= Vi g 1 1+ Q2(
g =
o 2 ) o
1 1 1 = + R R ce RL
ce
C = C
Q=
+ C
oc
g
2
Angulo de fase
o = arcTang [ Q ( )] o
1 LC
Graficar la curva de ganancia y fase haciendo uso del EXCEL
AnalisisdeuncircuitosintonizadocontransistordeRF
V o = IZ = I Vo I gm 1 = x = V in Y V in Y Y
Vin
Rce Cce
CL RL V0
Y =
1 1 1 + + + j (C ce + C L ) R ce R L j L
C = C
ce
+ C
Circuito equivalente Capacidades interelectrodicas mas del circuito tanque Conductancia total inversa de (Resistencia de salida del transistor Mas la resistencia del circuito de carga).
g =
1 1 1 = + R R ce RL
1 ) LC
2
Y = g + jwc (1
Definimos como frecuencia de resonancia 0 2 =
2o Y = g + jwc (1 2 ) 2o o o o oc o ( ) = g + j oc ( ) = g [1 + j ( )] Y = g + j c (1 2 ) = g + j c o o g o
1 LC
Definimos como factor de sintona

Y = g [1 + jQ ( Vo o )] = Vi o
Q=
oc
g
gm / g 1 + jQ (
o ) o
Curva deresonancia deuncircuito sintonizado contransistordeRF

Vo = Vi gm / g 1 + jQ (
w/wo 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2 2.1 2.2 2.4 2.5 2.6 2.7
o ) o
1
Vo gm | |= Vi g
1+ Q2(
o 2 ) o
Vo gm |= K Vi g
Q=10 K(Q=10) 0.01 0.02 0.03 0.05 0.07 0.09 0.14 0.22 0.43 1.00 0.46 0.26 0.19 0.14 0.12 0.10 0.09 0.08 0.07 0.07 0.06 0.06 0.05 0.05 0.05 0.04
Q=100 K(Q=100) 0.00 0.00 0.00 0.00 0.01 0.01 0.01 0.02 0.05 1.00 0.05 0.03 0.02 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.00 0.00 0.00
1.20 1.00 0.80 0.60 0.40 0.20 0.00
K
Qazul = 10 Qrojo = 100
0.20 0
0.5
1.5
2.5
ii(t)
+ vo(t) _
Curva defase deuncircuito sintonizado contransistordeRF

tan g =
o complejo = Q( ) real o
arcTang 1.56 1.55 1.54 1.52 1.50 1.48 1.43 1.35 1.13 0.00 1.09 1.30 1.38 1.43 1.45 1.47 1.48 1.49 1.50 1.50 1.51 1.51 1.52 1.52 1.53 1.53
= arcTang [ Q (
o )] o
FactorQ w/wo 10 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2 2.1 2.2 2.4 2.5 2.6 2.7
2.00 1.50 1.00 0.50 0.00 0.50 1.00 1.50 2.00 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
FactordeCalidad (QualityFactor)
w/wo
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9
log(K)
1.18 1.03 0.87 0.66 0.37 0.00 0.33 0.58 0.73 0.84 0.92 0.99 1.05 1.10 1.14
0.00
-3 db
0 0.20 0.40 0.60
0.5
1.5
logk 0.80 1.00 1.20 1.40
f
w/wo
Otra definicion defactordecalidad (Q)es relacionando lafrecuencia de f . resonancia yelancho debanda a3db
Q=
o
f
FactordeCalidad(QualityFactor)
A mayor Q se hace mas selectivo
SelectividaddeCircuitossintonizadosdeRF
R1 M C1 L1
k= M L1 L2
L2
C2
R2
R1
Ck C1 L1
k= Ck C1 C2
L2 C2
R2
R1 C1 L1
k=
M L2
M L1L2
C2
R2
R1 C1 L1
k=
R2 L2 Lk
Lk L1 L2
C2
RespuestadeunCircuitodeDobleSintonia
ModuladorAMClaseB AltoNivel
The Low-Level AM Modulator
Operacin del circuito. La figura muestra un modulador de AM que utiliza una combinacin de modulaciones de emisor y colector. La seal de modulacin se alimenta simultneamente a los colectores de los moduladores de push-pull (Q2 y Q3) y al colector del amplificador del excitador (Q1)
ModuladorClaseAB BajoNivel
La seal modulada debe amplificarse linealmente, el amplificador de salida funciona en clase B y se acopla a la salida mediante un transformador y un circuito de acoplamiento a la lnea de transmisin y la antena. En la figura se ilustra un amplificador de potencia de estado slido para un transmisor de 1.5 Kw.
ModuladordeAltaPotenciaClaseC AltoNivel
High-Level AM Modulator
En muy Altas potencias se sigue todavia usuando actualmente tubos de vacio para la modulacion de la Portadora.
ClaseC:ModuladorAM
R1
M C1 L1
k= M L1 L2
L2
C2
R2
Los amplificadores clase C permiten la transmisin de Altas frecuencias con buen rendimiento de conversion, Por esta razn las estaciones de radiodifusin utilizan Estos tipos de amplificadores.
ModuladoresenAltoNivel
Ventajas UnaVentajadeusaramplificadoresenClaseCen(BroadcastAM transmitter)esqueestasehacelamodulacion. EstaamplificadorclaseCrequierededriverdemenorespotencia. Desventajas Elamplificadordeaudiodeberasertambienunaetapadeigualo ligeramentemenorencuantoserefierealapotenciadesalidadel transmisor Tradicionalmenteseusatransformadoresdeaudioparanoafectarla potencia.
AmplificadordeclaseB: Formasdeonda = 180

Im Ic0
2 2
ic
V1 Vcc
vc
= 0t
167
AmplificadordeclaseAB: Formasdeonda > 180

Im ic
V1 Vcc
2 vc
= 0t
168
AmplificadordeclaseC: Formasdeonda < 180

V0 Vbb vb
= 0t
Im Ic0
ic
0
V1 Vcc vc
169 0
= 0t
ModuladordeRFconIGBT AltoNivel
+V
ClaseC:ModuladorAM
high-level collector modulator.
TransmisoresdeAM
Ejemplo:TransmisorAM
PowerfulAMtransmitter ThecircuitforapowerfulAMtransmitterusingceramicresonator/filterof3.587 MHzispresentedhere.Resonators/filtersofotherfrequenciessuchas5.5MHz,7 MHzand10.7MHzmayalsobeused.Useofdifferentfrequencyfilters/resonators willinvolvecorrespondingvariationinthevalueofinductorusedinthetankcircuit ofoscillatorconnectedatthecollectoroftransistorT1. TheAFinputformodulationisinsertedinserieswithemitteroftransistorT1(and resistorR4)usingatransistorradiotypeaudiodrivertransformerasshowninthe circuit.ModulatedRFoutputisdevelopedacrossthetankcircuitwhichcanbetuned toresonancefrequencyofthefilter/resonatorwiththehelpofgangcondenserC7. ThenexttwostagesformedusinglownoiseRFtransistorsBF495are,infact, connectedinparallelforamplificationofmodulatedsignalcoupledfromcollectorof transistorT1tobasesoftransistorsT2andT3.Thecombinedoutputfromcollectors ofT2andT3isfedtoantennavia100pFcapacitorC4. ThecircuitcanbeeasilyassembledonageneralpurposePCB.Therangeofthe transmitterisexpectedtobeonetotwokilometers.Thecircuitrequiresregulated9 voltpowersupplyforitsoperation.Note:Dottedlinedindicatesadditional connectionifa3pinfilterisusedinplace
Ejemplo:TransmisorAM
Ejemplo:TransmisoresdeAM100KW
La Serie 4MX de Transmisores AM Transmisor de amplitud modulada analgicos y HD Radio Disponibles en potencias hasta 100 kW y diseados para las demandas de la transmisin analgica tanto como digital, los transmisores AM de la serie 4MX se basan en una nueva tcnica de modulacin patentada desarrollada por BE Modelo Descripcin 4MX 25 Transmisor 250 W a 28 kW 4MX 50 Transmisor 250 W a 55 kW 4MX 100 Transmisor 500 W a 100 kW
TransmisordeAM100Kw
CARACTERISTICAS Nuevo sistema de modulacin patentado 4M Compacto y liviano: ocupa un tercio de la superficie y pesa un cuarto de los modelos de la competencia AM analgica, HD y DRM Sistemas redundantes Monitor de 15" para diagnstico y operacin Control, status y diagnstico va IP Operable desde 250 watts Factor de potencia mayor que 0,99 Fabricado en USA por Broadcast Electronics
TransmisorAMde500Kw
Transmisor Thomson 500 kW ondas cortas TSW 2500 D, permite a los (broadcasters) elegir entre una transmision clasica AM Analoga y una operacion DRM digital. Los niveles de potencia son de 100 a 500 kW con tecnologias modernas
TransmisorAMde500Kw
Usa tubos de Vacio
ModuladorTipico
Para potencias superiores a unos 10 kw continan utilizndose vlvulas de vaco en modulacin es en alto nivel.
ModernAMTransmitterDesign
RecientesesfuerzoshamejoradolostransmisoresdeAMusando dispositivosactivoscomoeselIGBTparaelcontroldepotencia, duraciondepulsosparamodularyamplificadoresdeswitchingpara elprocesodelamodulacin
IGBT
C. Frank Wheatley desarroll en mayo del 1999
El Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) es un dispositivo de portadores minoritarios con una muy alta impedancia de entrada , y un manajo de gran corriente bipolar. IGBT su entrada es MOS input, un transistor BJT, JFET conbina sus mejores atributos en un solo dispositivo , su circuito equivalente es.
Equivalent circuit model of an IGBT
IGBT Circuit Symbol
IGBT
IGBT high voltage modules IHV Devices for high power Product range 3,300 V, 200 A - 1,500 A 6,500 V, 200 A - 750 A
Transmisor500KwconIGBT
TSW 2500 500 kW SW TRANSMITTER High quality design for best reliability High overall efficiency New IGBT technology Menu-driven control system Computer-assisted operation BITE - Built-In Testing Equipment Simple maintenance Transmitter benefits - Low energy consumption - Very low distortion - Full remote-control facilities
THALES TSW 2500
Adaptadoresdeantena (TunningNetwork)
Adaptador de impedancia , con sistema de giro para resinonizar Mediante u giro hasta de 135 con red Pi Network LC Ceramic & mica caps Fixed 50 ohm output
TecnologiasactualesdeAM
AmplificadoresdeRFde estadosolido Modulaciondeanchode pulso Modulacindeamplitud digital
AMModulacionDigital
SSB
Single Side Band (SSB) 1. Mtodo de fases 2. Mtodo de supresion de banda 3. Mtodo de Weaver
DSBFCAM
Pc = Vc2 /R PT = Pc[1 + (m2 /2)] Plsb= (m2 Pc /4) Pusb= (m2 Pc /4) USB
DSBFC AM
LSB
Al observar la grafica del espectro de una onda modulada en amplitud se observa que la informacion que deseamos transmitir esta contenida en cada una de las bandas ;laterales. La transmision del espectro completo representa un desperdicio de ancho de banda, tambien significa un desperdicio de energia. Por consiguiente, se desea:
Optimizar el Ancho de Banda y la Potencia a Transmitir
1.AMSingleSidebandSuppressedCarrier(SSBSC) Enestesistema,laportadorayunadelasbandas estotalmentesuprimida. Lapotenciadelabandaatransmitir,constituye el100%delapotenciatotal

SSBSC
Pc = 0 Plsb= 0 USB Pusb= (m2 Pc /4)= Pt
Generacin deSSB ELModulador balanceado
EsuncircuitoquegenerasealdeDSB, suprimelaportadoradejandolasbandas laterales. ALasalidadelmoduladorbalanceado,unde lasbandaspuedesereliminadoporelproceso defiltradoocircuitosdephaseshiftingyasi generarsealSSB. Unejemplodemoduladorbalanceadoes elcircuitointegradolattice,1496/1596IC
Moduladorbalanceado
ModuladorLattice
Esunmoduladorbalanceadomuyampliamente usadoestaconstituidoporcircuitosdediodos, DiodeRing,latticemodulator. ElmoduladorLatticeconsistedeunaentradade transformador4diodosconectadosenpuentey unsegundotrasnformadordesalida.
Moduladorbalanceado
La seal de portadora es aplicada a los puntos medios de los transformadores. La seal modulante es aplicada a la entrada del primer transformador. La seal desalida se toma del segundo transformador.
ModuladorBalanceadoLattice
Laamplituddelaportadoraesmayorquelaamplituddela sealmodulante,asiqueestecontrolalaconducciono Cortedeloscuatrodiodos.
D1 D3 D4
T1
Modulating signal input
Output signal
D2 Carrier input
T2
ModuladorBalanceado Lattice
T1 D1 on T2
+ + D2 on
Output signal modulating signal
Carrier + input
Cuandolapolaridaddelaportadoraesdirecta: D1yD2sonpolarizadosdirectamente:ON D3yD4sonpolarizadosinversamente:OFF LasealenT2eslasealSSB
ModuladorBalanceado Lattice
T1 T2
+ -
D3on
Output signal modulating signal reversed
D4on
Carrier - input +
CuandolapolaridaddelaportadoraesInversa: D1yD2esinversa:OFF D3yD4esdirecta:ON Lasealmodulanteesta180 fueradefaseantesde alcanzareltransformadorT2
2.SSB ModuladordepuentedeDiodos
Balancemodulator
Los diodos del modulador en puente pueden ser considerados como, conmutadores comandados por la portadora.que hace acambiar de estado,y asi suprimir la 196 portadora
DSBFC AM
SSBSC AM
197
2.SSB ModuladordepuentedeDiodos
ICBalancedModulators
ElIC1496/1596seusaenaplicacionesde comunicacionesoperaen100MHz. Suprimelaportadoraconunaatenuaciondel oreden50a65dB. ElIC1496/1596operacomomoduladorde amplituud.Detectordeproductoodetector sincronico.
SSBCircuits
GeneraciondeSSB:ConFiltro
Lasalidadelmoduladorbalanceadoes(DSB). UnasealSSBesproducidaporpasarlasealDSB atravesdeunfiltroselectivopasabandadecorte abrupto. Conestemetodosesuprimecualquieradelas bandas.
SSBCircuits
An SSB transmitter using the filter method.
45:SSBCircuits
Figure 4-38 A balanced modulator used as a product detector to demodulate an SSB signal.
45:SSBCircuits
GeneratingSSBSignals:PhasingMethod
Thephasingmethod ofSSBgenerationusesaphase shifttechniquethatcausesoneofthesidebandstobe canceledout. Thephasingmethodusestwobalancedmodulators whicheliminatethecarrier. Thecarrieroscillatorisappliedtotheupperbalanced modulatoralongwiththemodulatingsignal.
45:SSBCircuits
GeneratingSSBSignals:PhasingMethod
Thecarrierandmodulatingsignalsareboth shiftedinphaseby90degreesandappliedto anotherbalancedmodulator. Phaseshiftingcausesonesidebandtobecanceled outwhenthetwomodulatoroutputsareadded together.
45:SSBCircuits
Figure 4-33 An SSB generator using the phasing method.
45:SSBCircuits
DSBandSSBDemodulation
TorecovertheintelligenceinaDSBorSSBsignal, thecarrierthatwassuppressedatthereceiver mustbereinserted. Aproductdetector isabalancedmodulatorused inareceivertorecoverthemodulatingsignal. Anybalancedmodulatorcanbeusedasaproduct detectortodemodulateSSBsignals.
1.ModuladorBalanceado
Elemento alineal af(t)
i1
af(t)
Cos wct
f(t)
af(t)
RL i2
Elemento alineal
Cos wct
Una manera de suprimir el termino de portadora es mediante el circuito de la figura. Se utiliza dos elementos alineales dispuestos en un circuito Balanceado o simetrico. El dispositivo resultante es un Modulador Balanceado o tambien denominado Modulador de producto.
ModuladorBalanceado
Para demostrar el efecto de supresin, supongamos que el transformador es ideal, El modulador ve, entonces, una carga Resistiva RL. Las corrientes, que circulan por el transformador pueden escribirse en la forma: I1 =K [ 1 + mf(t) ] Senwct I2 =K [ 1 - mf(t) ] Senwct La tension desarrollada en carga es proporcional a la diferencia : fd(t) = I1- 12 = 2Kmf(t) Senwc(t) Esta ecuacion nos dice que solo hay transmision si f(t) Que es la informacion existe, solo si se habla hay emision
fd(t) = 2Kmf(t) Senwc(t)
GeneraciondeSSBmetododedesplazamientodeFase
Este mtodo se basa en el hecho de que, como se ha observado que las componentes de frecuencia Correspondiente a USB y LSB, difieren en el signo de los ngulos de Fase, esta propiedad se usa para Eliminar una de las bandas laterales del sistema DSB. Se demostr que el modulador balanceado produce la seal de SSB dada por la funcin:
fd(t) = 2Kmfm(t) Senwc(t) si la informacin fm(t) es una funcin senoidal fm(t) = Senwm(t)
GeneraciondeSSBmetododedesplazamientodefase
fd(t) = 2Km [Senwm(t) Senwc(t) ] , sea 2Km=1 por lo tanto fd1(t) = Senwm(t) Senwc(t) Aplicando propiedades del producto de funciones trigonometricas Y Desplazando fd1(t) 90 grados para obtener fd2(t)
cos Acos B=[cos(A+B)+cos(AB)] sen Asen B=[cos(A+B)+cos(AB)]
GeneraciondeSealesSSB
fd1(t) = Senwm(t) Senwc(t) = 1 / 2[cos(c + m )t + cos(c m )t ]
Si rotamos 90 grados la funcion informacion y la portadora se tendra otra funcion fd2(t) en terminos de cosenos
fd2(t) = CosWmt.Coswct = 1 / 2[(cos(c m )t cos(c + m )t ]
Sumando estas ecuaciones se tiene:
fd 1(t ) + fd 2(t ) = cos(c m )t

Aplicando el circuito del modulador balanceado o modulador de producto que sigue estos cambios de fase para transmitir SSB Se tiene, dibujemos la mitad, y la otra mitad con rotacion de fase.
SSBGeneration
1. Metodo de fases m(t)
Product Modulator Product Modulator -90o Phase Shift
s(t)
-90o Phase Shift Carrier
2. Metodo de filtros
m(t)
Product Modulator Sideband Filter
s(t)
Carrier
3. Mtodo de Weaver
TransmisionSSB:MetododedesplamientodeFase
Si sin ( 2 f mt ) la informacion y sin ( 2 f ct ) la portadora, a la salida del modulador balanceado se tiene producto de funciones senoidales
sin ( 2 f mt )
Modulador balanceado
sin ( 2 f mt )sin ( 2 f ct )
sin ( 2 f ct )
sin ( 2 f mt )sin ( 2 f ct )
1 cos {2 ( fc f m )t} = 2 cos {2 ( fc + f m )t}
TransmisionSSB:metododeDesplazamientodeFase
sin ( 2 f mt ) 1 cos {2 ( fc f m )t} 2 cos {2 ( fc + f m )t}
Balanced modulator
sin ( 2 f mt )
Modulating signal input 90 Phase shifter
+ +
cos {2 ( fc f m )t}
cos ( 2 f mt ) sin ( 2 fct )

sin ( 2 fct )
Carrier Balanced modulator 90 Phase shifter
cos ( 2 fct )
1 cos {2 ( fc f m )t} 2 + cos {2 ( fc + f m )t}
1.Transmisor ReceptorSSB metododedesplazamientodefase

300 200 100 0 -100 -200 -300 T im e ( se c ) Voltage (V)
Receptor SSB
sin ( 2 fct )
sin ( 2 fct )
Transmisor SSB
sin ( 2 fmt )
cos{2 ( fc fm )t}
cos( 2 fct )
cos ( 2 f mt )
2.TransmisorSSBmetododesupresiondebanda
SSB transmitter - supresion de la banda superior - USB
2.FiltrosSupresoresdeBanda
Crystal filter Mechanical filter

Supresion de Banda Por filtro de Cristal
LSB Pc = Vc2 /R Pusb= (m2 Pc /4) USB PT = Pc[1 + (m2 /2)]
2.CristalesPasabanda
#95 Detailedimages
CualidadesdelfiltroSSB
Elfactordecalidaddelfiltro(Q)delfiltroparaSBB (singlesideband)debecumplirlasiguienteecuacion
f c 10 Q= 4f
S 20
f c (log S / 20) = 4f
1/ 2
Q = Factor de calidad fc = frecuencia de central de portadora S = dB nivel de la banda indeseada f = separacion de frecuencia entre la alta frecuencia de LSB y la alta frecuencia de la USB.
Ejemplo
Determinarelfactordecalidad(Q)necesarioparaun filtroSSBcon1MHzdefrecuenciadeportadora,80dB desupresiondelabandanodeseada,sielespectroes:
Filter response
LSB 0.997 MHz 1MHz f = 200kHz USB 1.003 MHz
Solucion:
1MHz (log 1 80 / 20)1 / 2 = 125000 Q= 4(200)
3.GeneracinSSBMetododeWeaver
El metodo de Weaver es similar al Metodo de fase ambos requieren Desfasar las seales 90 grados (cuadratura), la diferencia entre estos Metodos es que el metodo de Weaver usa un subportadora de baja Frecuencia de 1.8Khz , que se mezcla con la seal de audio, y una Parte simetrica donde las seales estan defasadas en 90 grados, este Metodo es exacto en fase y amplitud y tiene mejor rechazo a la banda indeseada.
3.GeneracionSSBMetododeWeaver
1.8 Khz
sin ( 2 f m t )
sin ( 2 f c t )
1.8 Khz
Potenciapicoapicodeenvolvente
EntransmisoresdeSSBlapotenciadesalidaseexpresaen terminosdepeakenvelopepower(PEP),lamaximapotencia producidaporlaamplituddelavoz.Ysecalculaporla ecuacion:
300 200 100 Voltage (V) 0 -100 -200 -300 T ime (sec)
PEP =
2 Vrms
V ( =
peak
/ 2
VentajadelaSSB
Ancho de Banda:
Se requiere solamente la mitad de AM.
Potencia :
Al remover la portadora ,toda la energa queda concentrada en la banda lateral a transmitir . P = P + (m2 P /4)
T c c
Fading :
menor probalidad que la AM al desbanecimiento de la seal.
Reduccin de Ruido:
El ruido ermico es menor debido a que el ancho de banda es reducido a la mitad.
224
DesventajadelaTransmisionSSB
Receptores Complejos Se requiere de receptores ms elaborados, y por consiguiente ms costosos porque la deteccin de seal no sigue, la deteccin de envolvente, como lo hace AM. Sintonia (Tuning Difficulties) Mayor dificultad la calibracin sintonia de las etapas LC que un receptor de AM , requiere sintonia de presicin.
225
ReceptorAM
ReceptorAM
AMRadio
AMRadio
CircuitBoard
ReceptordeAM
Portadora
Oscilador Local
Seal de audio
ReceptorSuperhetoridino
El receptor superheterodino Todas las portadoras recibidas las convierte en una frecuencia nica de amplificacin denominada Frecuencia intermedia, o FI, utilizando una frecuencia fija, con lo que se consiguen ajustes ms precisos en los circuitos, de todas las etapas amplificadoras que usan filtros. En los receptores domsticos de AM (Onda media), la frecuencia intermedia es de 455 o 470 kHz
SecciondeRF
Preselector Elfiltropasabandasesintonizaalafrecuenciacentralde laemisorasintonizada Debeproveerinicialmenteunalimitaciondebandapara preveniremisorasderadioindeseadasointerferencias (imagefrequency) Reducirelruido AmplificadordeRFdebetener: Granganancia,altasensibilidad Rechazodefrecuenciasimagenes. Buenarelacinseal/ruido Excelenteselectividad
ReceptordeAM
Espectro de la seal original
Fm
fc-Fm
LSB
USB
fc
fc+Fm
El receptor recupera el espectro de la seal original transmitido mediante El proceso de la conversion de frecuencia FI, y Deteccion de seal.
FI
Etapas en cascada de amplificadores de FI

Frf: Seal de Antena
f lo = f R F + f IF
Frecuencia del oscilador Local
Fi = Fol - F rf
filters 234
FI
Carrier LSB: Lower side band
USB: Upper side band
fm
Fi
fc-fm
fc
fc+fm Frequency
El receptor recibe Fc, despeues se convierte a FI, finalmente se recupera La informacion fm
Deteccion
Clipping
El proceso de recuperar la seal moduladora a partir de una Portadora modulada se llama desmodulacin o deteccin. Este es un proceso que tambien requiere de dispositivos alineales La deteccion de AM se recupera aplicando la seal modulada a un Rectificador de media onda. La salida se flltra obteniendo asi la informacion.
DetecciondeAM
f m( max ) =
RC= Constante de tiempo de Deteccion de AM
( m ) 1
1
2
2 RC
f m( max )
1 = 2 RC
for m=70.7%
El capacitor sirve para filtrado las componenetes de alta frecuencia La eleccion de este capacitor debe tener un valor de modo que responda a las variaciones de la envolvente, de lo contrario se produce el efecto Clipping, si la constante de tiempo RC es demasiado grande.
RadioPortatil AM
RadioPortatilAM
Transistor Q1 Sirve como oscilador local y mezclador;el circuito sintonizado conectado a su emisor est acoplado en forma magntica a la bobina en el circuito del colector, dando lugar a la oscilacin a una frecuencia que determina el capacitor variable, el cual a su vez, est acoplado en forma mecnica al capacitor de sintona en la bobina de antena de tal manera que se logra el rastreo simultneo de fc y fOL No existe amplificacin, pero el circuito de la bobina de antena produce rechazo de imagen y entrega la frecuencia portadora deseada a la base de Q1.
RadioPortatilAM
Transistor Q2 La no linealidad produce las frecuencias fc + fOL y fc - fOL en la corriente del colector y fFI = fc - fOL se selecciona por medio del circuito de colector sintonizado y acoplado al amplificador de FI. Diodo D La salida de FI impulsa al diodo D, por medio de acoplamiento magntico, y la seal de envolvente se aplica a la primera etapa del amplificador de audio Q3 a travs del control de volumen. Adems, el voltaje promedio de envolvente se realimenta a Q2 para modificar la polarizacin de base para proporcionar control automtico de volumen. Transistores Q4 y Q5 Constituyen un amplificador de audio clase B que impulsa al altoparlante.
ReceptorAMConRFIntegrado
ReceptorSSB
La deteccion de AM utiliza deteccion de envolvente En cambio en SSB se utiliza conversion de frecuencia Para desplazar la seal a la banda de audio. Aunque la seal de SSB contiene la informacin f(t), la envolvente de la seal de SSB no es una reproduccion de f(t), por esta razon, no puede usarse un detector de envolvente.
MetodosdeGeneracionSSB
Hay tres metodos de generacion de SSB. Los tres usan el modulador balanceado a) Metodo de fases b) Filtros c) Derivacion de fase o metodo de Weaver Lo reciproco de la funcion de generacin es emplear para producir deteccion de banda lateral. La generacion se empieza con la seal de audio para producir seal SSB, el detector recibe seal de SSB y reproduce audio. El proceso se comprende analizando las funciones trigonometricas.
ReceptorSSB
Debido a que la portadora no esta presente en la seal recibida, el receptor, debera Proveer para la apropiada deteccion de audio. Esta seal del oscilador local, es aplicado al Mixer o multiplicador, junto con la seal de SSB para asi producir deteccion. Esta tecnica se llama deteccion de producto, y es necesario en todos los metodos de SSB. El mayor problema en los receptores de SSB es la habilidad para mantener exacto esta frecuencia, del oscilador local (LO) para prevenir el desplazamiento del espectro de frecuencias de audio. Un pequeo error resulta en un sonido llamado Donald Duck, sonidos inenteligibles, por errores de desplazamiento del espectro de audio.
ReceptoresSSB
La figuras muestran los tres metodos de generacion y deteccion de SSB, debido a que la operacion es reciproca, los circuitos de generacion y deteccion son similares en los tres metodos.
1. Metodo de Fases sin ( 2 f m t )
90 Phase shifter Balanced modulator +
sin ( 2 f m t )
1 2
cos {2 ( f c f m ) t } + f f t cos 2 ( ) { } c m
cos ( 2 f m t )
sin ( 2 f c t )
Carrier 90 Phase shifter Balanced modulator
cos {2 ( f c f m ) t }
sin ( 2 f c t )
cos ( 2 f c t )
1 2
cos {2 ( f c f m ) t } + cos {2 ( f c + f m ) t }
1.ReceptorSSBmetodopordesplazamientodefase
cos {2 ( f c f m ) t }
3 0 0 2 0 0 1 0 0 Voltage (V) 0 -1 0 0 -2 0 0 -3 0 0 Tim e(sec)
cos ( 2 f c t )
Seal de audio
sin ( 2 f m t )
RECEPTOR SSB
sin ( 2 f c t )
transmitting mixers.
2.ReceptorSSBmetododefiltro
3.ReceptorSSBMetododeWeaver
El metodo de Weaver es similar al Metodo de fase ambos requieren Desfasar las seales 90 grados (cuadratura), la diferencia entre estos Metodos es que el metodo de Weaver usa un subportadora de baja Frecuencia de 1.8Khz , que se mezcla con la seal de audio, y una Parte simetrica donde las seales estan defasadas en 90 grados, este Metodo es exacto en fase y amplitud y tiene mejor rechazo a la banda indeseada. El sistema de recepcion usa el mismo concepto que la transmison para obtener la seal de audio.
3.ReceptorSSBMetododeWeaver
1.8 Khz
RF SSB Input
sin ( 2 f c t )
Audio Output
1.8 Khz
Metodo de Weaver para recepcion de SSB
NuevastecnologasdeSSB
Las partes criticas de los sitemas anteriores es exactitud y Cuadratura (desface 90 grados) en los circuitos que van al Mezclador, usualmente se utiliza circuitos LC los cuales resuelven el problema pero hay que hacer un tunning en forma correcta para lograr exactiud. Otra tendencia es usar circuitod digitales usando flip-flop tipo D para hacer divisiones y asi obtener Cuatro cuadraturas o desfaces de 0, 90, 180,270 grados de portadora
90 Clock
180 0 270
Clock Input
NuevastecnologiasdeSSB
Otra tecnica es usar PLL , la ventaja de este circuito respecto a Los flip-flop, es que el clock es identico a la frecuencia de operacin
VCO VCO VCO
Detector de fase
sin ( 2 f c t )
cos ( 2 f c t )
BITX20 bidirectional SSB transceiver
FIN
Sealesbinarias
Haymuchastecnicasdemodulacin. Seusatecnicasdebinaryphaseshiftkeying(BPSK).
Voz (seal analoga) Analog to Digital Converter
1 0
Onda senoidal 11 0 -1
1 -1
Radio Waves Antenna
AnalogversusDigital
Lassealesanalogassonfuncionescontinuasdeltiempo, tienenunrangodevalorescontinuos. Lasealesdigitalesusavalorescuantitizadossiguiendo unalgicabinaria.
Quantization
MedidoresdePotencia
Miden la potencia a su vez permite determinar el correcto matched (Adapatacion) entre la linea de transmision y la antena.
Antenas Patterns de radiacion

Intensidad Normalizada de Radiacion
Pn ( , ) = P ( r, , ) Pmax
Antena Isotropica: Es la antena que radia ondas electromagneticas en igual intensidad por todas las direcciones.
Pn ( , )iso = 1
Antenas Patterns de radiacion

A polar plot
Las antenas direccionales radian y reciben en una direccion. El plot polar se da en terminos en db
En ( , ) = E ( r, , ) Emax
En ( , )( dB ) = 20 log [ En ( , )]
A rectangular plot
Idem el pattern de potencia en dB.

Pn ( , )( dB ) = 10 log [ Pn ( , )]
Antenas Patterns de radiacin

Radiation Pattern: Estan constituidas por Lobulos principales y se cundarios (Back-Lobes), estos deben ser lo mas pequeo posible.
A polar plot
Ancho del Haz de radiacin

A rectangular plot
Una medida de la direccionalidad del haz es lo que se denomina Half-power beamwidth o 3-dB beamwidth.
Radiacion CellularTower
Latorredeantenaspuederadiarsupotencia,produciendolos lobulosindicados,peropuedehaberzonasdondenosepuede recibirseal,seproduceelefecto(birdseyeview).
No seales en esta direccion
User 1
User 3
User 2
Cellular Base Station User 4
Antenas Pattern Angulo Solido

El angulo solido diferencial, d, en sr, esta definido por
d = sin d d .
Para una esfera el angulo solido se encuentra por integracion

2
=0 =0
sin d d = 4 ( sr ).
En una antena el pattern del angulo solido es

p = Pn ( , ) d
Toda la radiacion emitida por una antena es concentrada en un cono de angulo solido p sobre el cual la radiacion es constante e igual el maximo valor de irradiacion.
Ganancia de Antena Ganancia de Antena Potencia de Salida , en una particular direccion, comparado con la producida en cualquier direccion de una antena omnidireccional. Area efectiva Relacionado con el tamao fisico y forma de la antena.
Ganancia de Antena Relacion entre la ganancia de antena y el area efectiva.
G=

4Ae
G = Ganancia de Antena Ae = Area efectiva f = Frecuencia de portadora c = Velocidad de la Luz ( 3 108 m/s) = Longitud de onda de Portadora
4f Ae = c2
2
Antenas Directividad
El Directive gain de una antena es la relacion normalizada de una potencia en una direccion con respecto a una potencia normalizada promedio ena particular direccion
D ( , ) =
Pn ( , )avg Pn ( , )
The directividad maxima, Dmax, es la maxima directividad de ganancia

Dmax = D ( , )max = Pn ( , )max Pn ( , )avg
Dmax =
4 p
Using
Pn ( , )max = 1
AnchodelHaz
HP ,1 = 45o and
HP ,2 = 135o
z
Beamwidth ( BW ) = 135o 45o = 90o
Pattern Solid Angle p (Integrando sobre toda la esfera)

p = Pn ( , ) d
P = sin sin d d =
2 2
HP ,1 = 45o Pn = 0.5 HP ,2 = 135o
BW = 90o
3 2 4 8 d d d d sin sin 2 = = = ( ) 3 0 0 0 3
3
Pn = 0.5
Directividad Dmax
Dmax =
4 4 2 = = = 1.5 P 8 3 3
Antenas Eficiencia
La potencia alimentada a una antena en forma de T (dipolo) se detrmina considerando que la antena es
Z ant = Rant + jX ant .
Donde R esla resistencia de radiacion.

Rant = Rrad + Rdis
La potencia radiada por la antena es
Prad = 1 2 I o2 Rrad
La potencia disipada o de perdida es 1 2 Pdiss = I o Rdiss 2
La eficiencia de la antena queda definido por la potencia radiada y la potencia total alimentada a la antena
e= Prad Prad + Pdiss = Rrad Rrad + Rdiss
Medio de transmision
Transmission Medium
Medios de enlace entre el transmiso y el receptor
Guias
Las ondas son guiadas por medios solidos ej: copper twisted pair copper coaxial cable, optical fiber
Direccionalidad de las Ondas de Radio- frecuencia Microwave (1 GHz to 40 GHz)

Haz direccional Transmision punto a punto Usado en comunicaciones satelitales
Radio frequency (30 MHz to 1 GHz)

Es para aplicaciones Omnidirecionales)
Infrared frequency ( 3x1011 to 2x1014 Hz)

Usedos en multipunto en areas confinadas.
Tipos de Antenas
Antenas Isotropicas Radia la misma potencia en todas las direcciones Antenas Dipolo Antenas dipolo de Media Onda (o Hertz antena) Antena Vertical de Cuarto de Onda (o Marconi antena)
Antena Parabolica Reflectiva
MultiplesAntenasCellPhone
EstacionesBasede celularesusantorres conmultiplesantenas paramejorarlacalidad delavozydemas informacionrecibidaen celulares.
Antenas terrestres de Microondas Descripcion de antenas comunes de microondas

Parabolicas "dish", 3 m in diameter Fijas Rigidas, Haz angosto focolizado Ubicados en antenas de gran Altura
Aplicaciones
Servicios de telecomunicaciones Enlaces cortos por ejemplo entre edificios
Broadcast Radio Antenas Descripcion

Omnidirecional Estas Antenas necesitan soportes rigidos
Aplicaciones
Broadcast radio
VHF , UHF band; 30 MHZ to 1GHz Cubre FM radio y UHF - VHF television
BroadcastRadioantenas
Tipos vertical, horizontal Una antena vertical consiste de un solo elemento radiante perpendicular a a la superficie terrestre. La antena Horizintal es un simple dipolo montado con otro varios elemntos directores paralelos a la superficie de la tierra.
273
Yagi
Es una antena direccional.

274
AdaptaciondeImpedancias (OutputImpedanceMatching) Lostransmisoressondiseadosparaoperarcon cargasde50 Ohmporconsiguientedebede habereunapareaminetoentreelcableque transmitelaenergiaylaantenaparapoder transmitirlamaximapotencia.
Coax Cable Signal Loss (Attenuation) in dB per 100ft

Loss
1MHz 10MHz 50MHz 100MHz 200MHz 400MHz 700MHz 900MHz 1GHz Imped
RG174
1.9dB 3.3dB 6.6dB 8.9dB 11.9dB 17.3dB 26.0dB 27.9dB 32.0dB 50ohm
RG-58
RG-8X
RG213
RG-6
0.2dB 0.6dB 1.4dB 2.0dB 2.8dB 4.3dB 5.6dB 6.0dB 6.1dB
RG-11
9913
LMR-400
276
75ohm 75ohm 50ohm

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MODULACION ANALOGICA: AMPLITUD Modulacin en amplitud: AM, DSB, BLU, USB Esquemas de generacin y deteccin. Seales en tiempo y frecuencias.

ONDAS ELECTROMAGNETICAS , MEDIOS DE TRANSFERENCIA PARA COMUNICACIONES TRANSMISION DE LA INFORMACION

2-way communication (analog)

2-way communication (digital)

Band VeryLowFrequency LowFrequency MediumFrequency HighFrequency VeryHighFrequency UltraHighFrequency SuperHighFrequency ExtremelyHighFrequency

(VLF) (LF) (MF) (HF) (VHF) (UHF) (SHF) (EHF)

Mobile MW SW Satellite FM Telephony, Radio Radio Radio Links WLL

Hz = ( / ) Ey Velocidad.. propagacion : v = 1 /( ) Velocidad.. propagacion vacio : v = 1 /( oo ) = 300000km / s

Propagacin Ground Wave

Propagacin Ground Wave

Propagacin por Sky Wave

Linea Recta o efectiva

Ecuaciones de Line-of-Sight Maxima distancia entres dos antenas de LOS propagation:

Geosynchronous Earth Orbit (GEO) 22,300 miles (in equatorial orbit)

Medium Earth Orbit (MEO) 4000-12000 miles

Low Earth Orbit (LEO) 300-1000 miles

dish 22,300 miles

Antenas Potencia de radiacin

Based on the type of carrier wave

Digital ASK FSK PSK, etc

Based on the type of modulating signal

PPM Analogo PWM PCM

Based on the relationship between modulating and modulated signal

DSB-SC SSB VSB

Based on the type of carrier wave

Digital ASK FSK PSK, etc

Based on the type of modulating signal

PPM Analogo PWM PCM

Based on the relationship between modulating and modulated signal

DSB-SC SSB VSB

Dominio del Tiempo

Informacion : Voz a Transmitir Tecnicas de AM Tecnicas de FM

AM:Amplitude Modulation (ModulacinporAmplitud)

AM PorquenecesitamosModular? PorqueAM? PorqueseusaAM?

ColpittsLCTunedOscillator EdwinHenryColpitts desarrollelosciladorquellevasunombre,eldiseolohizo cuandotrabajabaenlaWesternElectric,,otrodesustrabajosfuedesarrollarel amplificadorPushPull,asimismologrlascomunicacionesradiotelefnicas continentalesconunabuenarelacinS/N.

Vo = V + I L Z L = V + ( sC2V )( sL) = V 1 + s 2 LC2

Analisis:ColpittsLCTunedOscillator Paraconseguir laoscilacion laparterealeimaginaria debe sey igual acero.

Delaparteimaginaria obtenemos lafrecuencia de oscilacin

b)Delaparterealobtenemos larelacion deC2/C1

Trabajos para los alumnos

2)Analizar enformasimilareloscilador Hartley

o = 2f = 2 150 x106 = 9.4 x108 rad / s

C2 = g m R = (100mA / V )(0.5 K ) = 50 C1 Seconoce L=50nH,entonces calculamos C2,yC1

1 C2 1 1 = (1 + 50) = 1.13 x10 9 F = 1,130 pF + 2 8 2 L o C1 50nH (9.4 x10 ) 1,130 pF C C1 = 2 = = 23 pF 50 50

10MHz RF Out VCO

fc (t ) = K [1 + mfm (t )] cos ct fc (t ) = K [1 + m cos m (t )] cos ct fc (t ) = K cos ct + mK cos m (t ) cos ct

fc (t ) = K cos ct + K/ 2(m cos(c + m )t + K/ 2(m cos(c m )t )

AM Ancho banda (Full AM) Amplitude Modulation ~ de DSBFC

= (fc+fm)-(fc-fm) = fc+fm-fc+fm = 2fm

freq fc-fm fC 2fm

Lower side band

Upper side band

110kHz Frequency fc+m(max

(Vmax Vmin ) Vmin ) 100 = 100 (Vmax + Vmin ) + Vmin )

Sub modulacin (<100%)

Sobre Modulado (>100%)

No se puede mostrar la imagen en este momento.

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Portadora modulada con indice m=50%

Portadora modulada con indice m=100%

Sobremodulacion: indice m=150%

m : este indice debe estar entre 0 y 1 to para evitar sobremodulacin

LapotenciaPT distribuidodurantelamodulacion,es funciondelindicedemodulacionysedefinecomosigue: PT=Pc[1+(m2/2)] Lapotenciadelasbandaslaterales(LSF&USF)esta definidopor: Plsf=Pusf=m2Pc/4