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UNIDAD II: CRISTALIZACIN Contenido: Introduccin. Fundamentos de la cristalizacin. Diagrama de equilib rio. Pureza de productos. Balance de entalpa.

Mecanismos de Nucleacin. Nucleacin homognea y heterognea. Crecimiento de cristales. Coeficientes de crecimientos superficial. Coeficientes numricos de transferencia. Equipos de cristalizacin. Aplicacin de principio para el diseo, distribucin por nmeros-tamao, distribucin masa-tamao. Objetivo: Identificar los parmetros y variables que determinan los procesos de cr istalizacin para el anlisis y diseo de procesos. INTRODUCCIN Es una operacin unitaria en la que se separa un componente de una solucin l iquida saturada transfirindolo a la fase slida en forma de cristales que precipitan. En esta se separan los componentes de la disolucin por contacto con la fase solida. TQ y TM. Es influenc iada por las caractersticas individuales de cada material.

Estos cristales son slidos de tomos, molculas o iones dispuestos en una serie repet itiva y ordenada (Red espacial), cuyas distancias interatmicas son constantes y c aractersticas de ese material, otorgndole propiedades fsicas que se reflejan en el creci miento y nucleacin durante la formacin del material cristalino a partir de una solucin mad re. Ventajas: Es capaz de producir muy alta pureza a partir de productos impuras con muy baja energa de entrada.

de soluciones

Las separaciones se pueden realizar en un solo paso, dando un producto de buena apariencia con alta densidad aparente y buenas caractersticas de manipulacin. El producto final tiene requerimientos de secado mnimos debido al bajo conteni do de humedad de la torta. Usos: En la industria agroalimentaria, puede servir para la recuperacin de los producto s cristalinos; para la eliminacin de ciertos componentes indeseables y para la modificacin de cie

rtos productos con el fin de obtener una estructura deseable. CINETICA DE LA CRISTALIZACIN El proceso de cristalizacin implica dos etapas: La Nucleacin y el Crecimiento de los Cristales. La Nucleacin: Es sencillamente el nacimiento de cuerpos muy pequeos en el interio r de una fase homognea a partir de una solucin en un estado termodinmico de alta sobresaturacin d erivando en la agregacin del soluto en pequeos grupos estables y caracterizados por elementos de la red cristalina. NUCLEACIN HOMOGNEA La restringida a la formacin de nuevas partculas dentro de una fase no influenciad a en absoluto por ningn tipo de slidos o partculas submicroscopicas de sustancias extraas. El producto se forma a partir de los diferentes tipos de partculas como molculas, t omos o iones, debido a su movimiento al azar asocindose para formar un Cluster, Embrin, Nucleo y finalmente un Cristal. NUCLEACIN HETEROGNEA Aquella que tiene lugar cuando partculas solidas o submicroscopicas extraas influy en sobre el proceso catalizando un aumento de su velocidad de crecimiento, reduciendo la ene rga necesaria para la formacin del ncleo. II1: Calcule es el tamao de un ncleo de un cristal de azcar en equilibrio a 20 C co n LM a un 115% de sobresaturacin? La tensin superficial en la interfase lquido-cristal se est ima que es 0,003 J/m2. La densidad del cristal de azcar es 1600 kg/m3. Wsac=342 II2: Suponiendo que la velocidad de NHe del KCl es consistente con una tensin ap arente en la superficie de contacto de 2.5 ergs/cm2. Determine la velocidad de nucleacin en fu ncin de S a una temperatura de 80 oF. Considere que el peso molecular es 74.56 y la densidad del cristal es 1.988 g/cm3 (Solucin Externa) CRECIMIENTO DE LOS CRISTALES Es un proceso difusional modificado por el efecto de las superficies solidas y c omo resultado de la deposicin de molculas de soluto a partir de la solucin sobresaturada sobre la super ficie del ncleo, organizndose dentro de una red cristalina. Por lo tanto su velocidad de crecimiento (G), se define como la masa incremental

de soluto (dm) depositado por unidad de superficie (A), por unidad de tiempo (dt). CRECIMIENTO DE LOS CRISTALES Coeficientes de Crecimiento Superficial y de Transferencia de Masa Geometra de los Cristales La disposicin en forma ordenada tridimensional de un cristal se conoce como red e spacial y es su caracterstica mas importante, presentndose como poliedros con vrtices agudos y plan os cuando estos se forman sin interferencias externas. Sistemas Cristalogrficos Geometra de los Cristales Desde el punto de vista industrial, el hbito cristalino o morfolgico se refiere a los tamaos relativos de sus caras y este se determina por la estructura interna y las influ encias externas, como la tasa de crecimiento, el disolvente utilizado, y impurezas El hbito de productos comerciales es de gran importancia. Cristales largos acicul ares tienden a romperse fcilmente durante la centrifugacin y secado. Cristales laminares planos, son muy difciles de eliminar durante la filtracin o centrifugacin, resultando en tasas de f iltracin relativamente bajas. Cristales complejos o maclados tienden a ser ms fcil de romperse en el transporte que los de hbito Grueso o Compacto. Los cristales esfricos o redondeados tienden a present ar mucho menos problemas de apelmazamiento que los cbicos o compactos. GENERALIDADES DE LA CRISTALIZACIN 1) El inters radica en la forma de precipitacin de los C, el crecimiento a un tam ao adecuado y su distribucin. 2) Precipitacin: Evaporacin del Solvente o Disminucin del la Solubilidad por enfriamiento. 3) Las tasas de crecimientos de los cristales son mas altas a > T. 4) La presencia de suciedades puede causar ciclos en el tamao de los cristales

5) El sembrado debe estar libre de finos si se quieren alcanzar grandes tamaos. 6) Durante el crecimiento de los cristales estos contienen LM que pueden afecta r su pureza. 7) La oclusin se reduce aumentando el tiempo de residencia.

8) Los dispositivos de circulacin (Bombas, Centrifugas) pueden generar desgate me cnico en el cristal. 9) La alimentacin al cristalizador debe estar ligeramente insaturada. SOLUBILIDAD Y DIAGRAMAS DE FASE C1: Solubilidad Normal . R por Enfriamiento o Evaporacin . IQ: Altos T entre el medio de calefaccin y la Solucin C2: Solubilidad no con la T. R por Evaporacin o Precipitacin . IQ: Altos T entre el medio de calefaccin y la Solucin C3: Solubilidad disminuye con la T. R por Evaporacin o Pre cipitacin . IQ: Bajos T entre el medio de calefaccin y la Solucin C4: Solubilidad empinada. R por Enfriamiento de la S, siguiendo la curva para evitar aglomerados. SOLUBILIDAD Y DIAGRAMAS DE FASE Las lneas continuas se representan bien por polinomios de segundo grado en funcin de la T y X de un modelo tipo Clapeyron: SOLUBILIDAD Y DIAGRAMAS DE FASE Lneas: *rea EyI: Sln No S. *Lnea eagfhij: Varias S. de S. fases solidas.

*Zona pae: Hielo + Sln 16.5% *Lnea +16.5% abcdq: Curva

*Punto a: Eutctico. *rea cihb: MgSO4.7H2O *rea dkjc: MgSO4.6H2O *rea qdk: MgSO4.H2O

BALANCE DE MATERIA Expresar las masas y [*] en funcin del producto hidratado y del agua libre PUREZA Y RENDIMIENTOS DE LA CRISTALIZACIN. Un cristal (C) solido es casi puro, pero retiene liquido madre (LM) cuando se el imina del magna (M) y si la cosecha contiene agregados cristalinos es posible ocluir LM dentro del c ristal cuando este se seca contaminando el Px, por lo que es necesario su centrifugacin, cuya efecti vidad depender del tamao y uniformidad de los cristales. (Pureza) En los procesos industriales los C y el LM saturado al final del proceso estn en contacto para alcanzar el equilibrio, por lo que su Rendimiento se calcula a partir de la [Sln Original] y la Solubilidad a la Temperatura final. Cuando la cosecha contiene agua es preciso t enerla en cuenta en el balance. II3: Una solucin consistente en 30% de MgSO4 y 70% de H2O se enfra hasta 60 oF. Du rante el enfriamiento se evapora 5% del agua total. Realice una representacin esquemtica y determine cuantos kilogramos de (C) y de (LM) se obtendrn por 1000 kg de (MO) . Considere l os pesos moleculares del MgSO4 y del MgSO4.7H2O como 120.4 y 246.5 BALANCE DE ENTALPIA *La coordenada de los puntos l M. Xm e isoterma lleva a h para la MO y e

II4 Una solucin de 32.5 % de MgSO4 a 120 oF se enfra sin evaporacin apreciable hast a 70 oF en un cristalizador discontinuo refrigerado con agua. Que cantidad de Q es nec esario retirar de la solucin por tonelada de C? BALANCE DE ENTALPIA II5: Un C continuo de vacio se alimenta con una MO insaturada de MgSO4 al 31%. Se sabe que la Tequilibrio del M 86 oF y la EPE de la S es de 2 oF.. De esta se obtiene un producto en el M 5 ton/h ( 4536 kg/h de Pc). En el M existe una relacin en volumen de [C/M] de 0.15 y la densidad de los C y el LM son 105 y 82.5 lb/ft3 respectivamente. Considere que durante la cristalizacin se produce una evaporacin del solvente Con base en esta informacin realice una

representacin esquemtica del proceso y determine MO, D, TMO y Q (Solucin Externa)

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