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Introduccin A la
Electrnica de potencia
Catedrtico: Ing. Cosme Ral Alvarado Meza Asignatura: Electrnica de potencia Alumnos: Erick Jos Carrasco Arredondo # 08061156
Estos problemas pueden solucionarse mediante filtros pasivos y/o activos o mejorando las estrategias de conmutacin de los puentes electrnicos.
Las principales razones tcnicas para la utilizacin de sistemas electrnicos y de potencia son a menudo la gran velocidad y la dinmica de regulacin que se asocia a sus dispositivos. La soldadura sin proyeccin, el tren de levitacin
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Ventajas
*Menor costo. *Menor tamao. *Mayor rapidez de conmutacin. *Libres de mantenimiento (excepto limpieza exterior). *Capacidad en manejo de altas corrientes. *Operacin silenciosa. *No necesitan de sistemas de enfriamiento. *Fuertes resistencias a los choques y aceleraciones. *Ausencia de vibraciones (no hay arco elctrico). *Insensibilidad a las sobrecargas.
Desventajas
*No provee aislamiento elctrico (los relevadores s).
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Sistemas de control que se han desplazado a partir de la utilizacin del SCR o de los tiristores
Con la aparicin del SCR, se materializo un cambio muy significativo en los dispositivos elctricos y electrnicos de potencia, tanto en la concepcin como en la realizacin de inversores y conversores de potencia elctrica. El SCR sustituyo a primera instancia al tiratrn en los circuitos empleados en electrnica industrial; en este sentido se puede decir que, como componente activo de los circuitos electrnicos el SCR represento un gran adelanto respecto a aquel. Si bien ambos componentes son semejantes en cuanto a su forma de actuar, no lo son en sus caractersticas elctricas, en las que resulta muy
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-Antecedentes histricosLa electrnica de potencia data del ao de 1900, con la introduccin del rectificador de arco de mercurio. Luego se descubre el rectificador de tanque metlico, el rectificador de tubo al vacio de rejilla controlada, el ignitrn y el tiratrn. Estos dispositivos tuvieron su aplicacin en el control de la energa hasta la dcada de 1950. La primera evolucin tecnolgica ocurri en 1948 con la invencin del transistor de silicio en los Bel Telephone Laboratories. La mayora de las tecnologas electrnicas avanzadas tienen su origen en dicho descubrimiento. En 1956, el mismo laboratorio, incorporo el transistor de disparo PNPN, que se defini como un Tiristor o rectificador controlado de silicio (SCR). La segunda revolucin de la electrnica empez en 1957 con el desarrollo del Tiristor comercial por General Electric Company. Ese fue el principio de una nueva era en la electrnica de potencia. Desde entonces se han introducido diversos tipos de dispositivos semiconductores de potencia y tcnicas de conversin. En la actualidad la revolucin de la electrnica de potencia est dando la capacidad de formar y controlar grandes cantidades de energa con una eficiencia cada vez mayor. Cabe mencionar que la electrnica de potencia vino a cubrir necesidades como la conversin de energa para el control de los motores elctricos, as como tambin encargarse de los dispositivos de estado slido para el procesamiento de seales para lograr los objetivos de control deseados.
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Al agregar un electrodo plano (placa), cuando el filamento se calienta se produce una agitacin de los tomos del material que lo recubre, y los electrones de las rbitas de valencia son acelerados, alcanzando velocidades de escape, con lo que se forma una nube de electrones por encima del mismo. La nube termoinica, fuertemente atrada por la placa, debido al potencial positivo aplicado en la misma, da lugar a la circulacin de una corriente electrnica a travs de la vlvula entre el filamento y el nodo. A este fenmeno se le denomina Efecto Edison-Richardson o termoinico. Llegados a este punto, tenemos que la vlvula termoinica ms simple est constituida por una ampolla de vidrio, similar a la de las lmparas de incandescencia, a la que se le ha practicado el vaco y en la que se hallan encerrados dos electrodos, denominados ctodo y nodo. Fsicamente, el ctodo, consiste en un filamento de wolframio, recubierto por una sustancia rica en electrones libres, que se calienta mediante el paso de una corriente. El nodo est formado por una placa metlica que rodea al filamento a una cierta distancia y a la que se aplica un potencial positivo. Por constar de dos electrodos a la vlvula antes descrita se le denomina diodo. En tanto en cuanto que la funcin de ctodo es realizada directamente por el filamento, se trata de una vlvula de caldeo directo. Cuando se quieren obtener mayores corrientes a travs de la vlvula y un aislamiento elctrico entre la fuente de corriente de caldeo del filamento y la de nodo-ctodo, se utiliza un ctodo independiente constituido por un pequeo tubo metlico revestido o "pintado" con algn material rico en electrones libres,
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Los diodos de uso general estn disponibles hasta para 5000v, 5000 a, a frecuencia de 1khz y tiempo de conmutacin de 100 microsegundos. Los diodos de alta velocidad son esenciales en convertidores de potencia a alta frecuencias, y tienen tiempos de recuperacin inversa que varan de 0.1 a 5 microseg y potencias de 3000 v, 1000a. Para los diodos schottky la recuperacin inversa puede ser del orden de ns, y potencia de 40v, 60 a.. Los tiristores estn conformados por una extensa familia de dispositivos de alta y baja potencia, como son: scr, triac,gto, diac, sus, sbs, put, scs, lascr y su aplicacin principal es el control y la conversin de la energa elctrica.
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Thyratrons, relys, ignitrons, rheostats, motor starters, transformers, contactors, variable autotransformers, vacuum tubes, machanical speed changers, etc.
-Vlvulas Electrnicas-
La vlvula electrnica, tambin llamada vlvula termoinica, vlvula de vaco, tubo de vaco o bulbo, es un componente electrnico utilizado para amplificar, conmutar, o modificar una seal elctrica mediante el control del movimiento de los electrones en un espacio "vaco" a muy baja presin, o en presencia de gases especialmente seleccionados. La vlvula originaria fue el componente crtico que posibilit el desarrollo de la electrnica durante la primera mitad del siglo XX, incluyendo la expansin y comercializacin de la radiodifusin, televisin, radar, audio, redes telefnicas, computadoras analgicas y digitales, control industrial, etc. Algunas de estas aplicaciones son anteriores a la vlvula, pero vivieron un crecimiento explosivo gracias a ella.
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El Tiratrn
En 1929 se introduce el Tiratrn, desarrollado por A. Whull. ste es un tubo de ctodo caliente que contiene gas inerte o vapor de mercurio a baja presin. Laintroduccin del gas en un tubo electrnico trodo altera radicalmente suscar actersticas de funcionamiento. El Tiratrn acta como un diodo rectificador a gas con una rejilla de control. Se llama tiratrn a una vlvula termoinica parecida a un triodo que estuviera lleno de gas. Se utiliza para el control de grandes potencias y corrientes, lo que en un dispositivo de vaco es muy difcil debido al nmero limitado de electrones que puede producir un ctodo termoinico. Aadiendo un gas inerte que se ioniza, inicialmente por medio de los electrones termoinicos, se tiene un nmero mucho mayor de portadores de corriente que en el triodo. A diferencia del trodo, la corriente de nodo no es proporcional a la tensin de rejilla, sino que cuando se dispara, se produce la ionizacin del gas que lleva al dispositivo a su resistencia mnima.
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La forma de onda del voltaje de carga y de la corriente de carga BA (figura 1.7b), indica que el comienzo de la conduccin se ha retrasado hasta el instante correspondiente a B, esto se debe por la aplicacin de una polarizacin negativa a la rejilla de control. Durante el intervaloCD en que el tubo esta conduciendo, la corriente en la rejilla disminuye aproximadamente hasta cero.
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Ignitrn
Este es un rectificador de mercurio lquido de tres electrodos. Su nombre fue derivado del mtodo de encendido del arco. El Ignitrn es una vlvula grande de ctodo frio que se usa para conmutar corrientes intensas. El nodo es generalmente un bloque de carbono y el ctodo es una bolsa de mercurio. El electrodo activador o encendedor es una varilla de carburo de silicio especialmente conformada y parcialmente sumergida en el mercurio. Cuando pasa por el encendedor (interruptor) una corriente muy intensa se produce una emisin electrnica en los puntos de contacto con el mercurio que se evapora para formar un paso conductor entre los electrodos. Las versiones mayores de ignitrones tienen cubiertas compuestas de metal y vidrio con un sistema de enfriamiento por agua, similar al de los rectificadores de arco de mercurio de los cuales se ha derivado este. Este dispositivo puede soportar tensiones de hasta 20000 V y corrientes de varios miles de amperes, siendo la cada de tensin en conduccin de 15 a 20 V. Su estructura bsica y caractersticas de voltaje y corriente se muestran a continuacin:
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La conduccin se provoca en el momento deseado aplicando un impulso de20 a 50A y unos cientos de voltios entre la terminal de disparo llamado ignitor y el ctodo, elctricamente conectado a la cubeta que contiene mercurio. El nodo debe estar previamente polarizado a tensin positiva respecto al ctodo.
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Controles de relevador. Recortadores. Circuitos de retardo de tiempo. Ciclo conversores. Fuentes de alimentacin reguladas.
Interruptores estticos. Controles de fase. Circuitos de proteccin. Controles de calefaccin. Cargadores de bateras.
El Triac
Es un dispositivo semiconductor que pertenece a la familia de los dispositivos de control tiristores.
El triac es en esencia la conexin de dos tiristores en paralelo pero conectados en sentido opuesto y compartiendo la misma compuerta. Slo se utiliza en corriente alterna y al igual que el tiristor, se dispara por la compuerta. Como el triac funciona en corriente alterna, habr una parte de la onda que ser positiva y otra negativa.
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El triac controla el paso de la corriente alterna a la lmpara (carga), pasando continuamente entre los estados de conduccin (cuando la corriente circula por el triac) y el de corte (cuando la corriente no circula)
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Notas: - La diferencia de fase o la fase entre dos seales u ondas se define como el ngulo (diferencia de tiempo) que existe entre los dos orgenes de las mismas. - En este documento se utiliza el trminotiristor como sinnimo de SCR. Aplicaciones ms comunes Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas. Una de ellas es su utilizacin como interruptor esttico ofreciendo muchas ventajas sobre los interruptores mecnicos convencionales y los rels. Funciona como interruptor electrnico y tambin a pila. Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como atenuadores de luz, controles de velocidad para motores elctricos, y en los sistemas de control computarizado de muchos elementos caseros. No obstante, cuando se utiliza con cargas inductivas como motores elctricos, se deben tomar las precauciones necesarias para asegurarse que el TRIAC se apaga correctamente al final de cada semiciclo de la onda de Corriente alterna. Debido a su poca estabilidad en la actualidad su uso es muy reducido.
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En la curva caracterstica se observa que cuando - +V o - V es menor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un circuito abierto - +V o - V es mayor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un cortocircuito
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Estructura interna de Diac: APLICACIONES DEL DIAC La aplicacin caracterstica del DIAC es la formacin de impulsos aprovechando eltiempo de carga variable de un condensador C, alimentado a travs de unpotencimetro P, como muestra en la figura 31. Cuando alcanza C el valor de disparo en cada semiciclo se produce el paso de corrientea travs del DIAC y del circuito puerta-ctodo del SCR, con lo que se ceba este ltimoy la carga recibe el suministro de potencia. El tiempo que en cada semiciclo tarda encargarseC, y consecuentemente cebarse el DIAC y el SCR, se regula con P, el cualcontrola la potencia que el SCR suministra a la carga.
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Aplicaciones de el SUS: Este l un circuito donde se utiliza el SUS para el control de velocidad de un motor. SBS (Silicon Bilateral Switch) Es una clase de tiristor bidireccional. Est formado por dos SUS conectados en anti paralelo. A diferencia de otros tiristores, el SBS, desde un punto de vista tecnolgico, no es una versin mejorada del diodo npnp, sino que es un circuito integrado que incorpora diodos Zener conectados a la puerta, transistores y resistencias. Esto le da la ventaja de poder aparear estrechamente los
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dispositivo. Se usan normalmente para el disparo de triacas, las especificaciones son idnticas a las del SUS a excepcin del Vr que pierde todo significado. Control de potencia de una carga con un SBS. Seal de salida del SBS. Los siguientes circuitos son utilizados para el control del disparo de un SBS. En el primero, con la seleccin adecuada de dos resistencias se puede regular la corriente que circula por la compuerta del SBS y por lo tanto permite ajustar su ngulo de disparo y la potencia entregada a una carga cualquiera. Ntese que los ngulos de disparo en los dos semiciclos son iguales. En el segundo y tercer circuito se controla indirectamente la potencia entregada a la carga, al controlar directamente el disparo de un SCR y TRIAC, respectivamente. Dependiendo de los valores de resistencias y capacitancias seleccionados, as mismo ser el tiempo de carga y descarga del condensador (constante RC); al cargarse el condensador hasta un voltaje determinado, el SBS se disparar y le entregar pulsos de voltaje al SCR o TRIAC para que se disparen y le entreguen la potencia a la carga. El segundo circuito es comnmente utilizado para el control de motoresDC, mientras que el tercero es frecuentemente usado para control de iluminacin (luces) y calentadores elctricos.
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GTO: Tiristor de desactivacin por compuerta Entre las mejoras ms recientes que se le han hecho al tiristor est el apagado por compuerta (GTO). Un tiristor GTO es un SCR que puede apagarse por una pulsacin suficientemente grande en su compuerta de entrada, aun si la corriente iD excede IH. Aunque los tiristores GTO se han venido usando desde 1960, solamente se volvieron prcticos para las aplicaciones de control de motores, al final de los aos setenta. Estos dispositivos se han vuelto ms y ms comunes en las unidades de control de motores, puesto que ellos eliminaron la necesidad de componentes externos para apagar los SCR en circuitos de cc. En aplicaciones de control de potencia de CD, los semiconductores de potencia necesitan circuitos de proteccion. Su curva caracteristica obedece en forma muy parecida a la del SCR, pero con la facilidad del GTO de poder conmutar a apagado mediante un pulso de corriente negativa en su compuerta.
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SCS (Siliconcontroldswitch) El conmutador controlado de silicio se construye en forma similar al SCR excepto que ambas capas centrales se conectan a compuertas; una se denomina compuerta de nodo y la otra, compuerta de ctodo. La operacin bsica del SCS puede comprenderse refirindose al equivalente con transistores que se muestra siguiente figura. Se supone que ambos Q1 y Q2 estn apagados y que, por lo tanto, el SCS no conduce. Un pulso positivo en la compuerta andica lleva al Q2 hacia la conduccin y proporciona as una trayectoria para la corriente de base al Q1. Cuando ste se enciende, su corriente de colector proporciona excitacin de base al Q2, manteniendo as el estado encendido del dispositivo. Esta accin regenerativa es la misma en que el proceso de encendido del SCR y el diodo Shockley y .El SCS tambin puede encenderse con un pulso negativo en la compuerta del nodo. Esto energiza al Q1 hacia conduccin, en el que a su vez proporciona corriente de base para el Q2. Una vez que el Q2 est encendido, proporciona una trayectoria para la corriente de base del Q1, sosteniendo as el estado encendido. Para apagar SCS se aplica un pulso positivo a la compuerta del nodo. Esta accin polariza e inversa a la unin base-emisor del Q1 y lo apaga. El Q2 a su vez, se apaga y el SCS deja de conducir como se muestra en la parte (b). El SCS tiene comnmente un tiempo de apagado ms rpido que el SCR. Adems del pulso positivo en la compuerta del nodo o el negativo en la del ctodo, existen otros mtodos para apagar un SCS. En cada caso, el transistor opera como un interruptor. Tiene aplicaciones semejantes a las del SCR y en aplicaciones digitales como contadores, registradores y circuitos de sincronizacin.
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Aplicaciones Prcticas del Diodo Shockley El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de lgica TTL. Por ejemplo los tipos ALS y AS permiten que los tiempos de conmutacin entre los transistores sean mucho menores puesto que son ms superficiales y de menor tamao por lo que se da una mejora en la relacin velocidad/potencia. El tipo ALS permite mayor potencia y menor velocidad que la LS, mientras que las AL presentan el doble de velocidad que las Schottky TTL con la misma potencia.
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El SIDAC (SiliconDiodeforAlternatingCurrent) es un dispositivo bilateral de disparo de alta tensin y corriente. Es bsicamente un diodo de cuatro capas con unas caractersticas elctricas simtricas. El SIDAC se utiliza en aplicaciones en la cuales se necesita una tensin de disparo tpicamente comprendida entre 104 y 280 V Forma parte de la familia de los Tiristores, comunmente llamados diodos tiristores bi-direccionales, es tcnicamente especificado como un interruptor conmutado de tensin bilateral. El SIDAC es un dispositivo de conmutacin activado por voltaje y utilizado en circutos de encendido de lmparas compuestas por halogenuros metlicos as como en la iluminacin de calles y exteriores en circuitos de encendido de lmparas de vapor de sodio de alta presin. Los SIDAC se distinguen de los DIACs por el hecho de que estn diseados para manejar mayor potencia que los segundos, es decir, que generalmente presentan un mayor voltaje de disrupcin y puede transportar una mayor cantidad de corriente que los DIACs. El SIDAC, es un interruptor de silicio semiconductor de mltiples capas. Este componente es conmutado por tensin y puede ser operado como interruptor bidireccional. Por lo general, los SIDAC se utilizan en el suministro de potencia de alta tensin, o de circuitos de encendido.El SIDAC posee una estructura similar a la del Diodo Shockley con la singular caracterstica de tener una quinta capa P en su estructura. Es un dispositivo compuesto, en principio, por cuatro capas semiconductoras NPNP ms una capa P. Esencialmente, es un dispositivo interruptor que al aplicrsele tensin positiva entre el nodo y el ctodo, tendr polarizacin directa entre dos de las uniones PN y una polarizacin inversa en las uniones NP. En estas condiciones, nicamente circula corriente muy baja y el dispositivo se encuentra en estado de corte o bloqueo. Al aumentar esta tensin, se llega a un voltaje de ruptura o avalancha, en el cual la corriente crece de forma abrupta y la cada de tensin decrece de idntico modo. En este momento, el SIDAC ha conmutado desde el estado de bloqueo al de conduccin.
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-Parmetros o caractersticas elctricas ms generales de los dispositivos*Voltaje Inverso de Ruptura La tensin de ruptura del dispositivo (Breakdown Voltage) o, lo que es lo mismo, la mxima tensin inversa que puede soportar el dispositivo cuando ste est bloqueado (Polarizacin inversa) *Corriente nodo-Ctodo *Voltaje Directo de Ruptura
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VFOM: Mxima tensin directa sin cebado (VG = 0)IF: Mxima corriente directa permitida.PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo.VGT-IGT: Mxima tensin o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebadoErick Jos Carrasco Arredondo Pgina 31
Elevadores
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Reductores-Elevadores
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Convertidor Flyback
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Convertidor Cuk
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Convertidor AC-AC
Un ciclo conversor es un convertidor esttico de potencia que convierte un voltaje AC, como el suministro de conducto principal, a otro voltaje AC. La amplitud y la frecuencia del voltaje de entrada tienden a ser fijas, mientras que tanto la amplitud como la frecuencia del voltaje de salida pueden ser variables dependiendo del control. A diferencia de otros convertidores estticos, en este equipo la conversin se hace directamente de corriente alterna a corriente alterna, sin que exista un enlace intermedio de corriente continua ni elementos almacenadores de energa. Para ello, y mediante la conmutacin de semiconductores, la forma de onda del voltaje de salida se va construyendo por segmentos de la forma de onda de los voltajes de entrada. Es por esto que adems la forma de onda resultante es necesariamente de menor frecuencia que la de entrada.
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-Estructura
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Una manera sencilla de entender el funcionamiento de este diodo consiste en separar su estructura fsica en dos mitades (figura 12.2.a). La mitad izquierda es un transistor NPN y la mitad derecha PNP, resultando el circuito mostrado en la figura 12.3.b que normalmente es referido como candado.
SBS
El SBS o Silicon Bidirectional Switch es un dispositivo de baja potencia simtrico para aplicaciones de disparo ms verstil que el SIDAC. Tiene adems un terminal adicional (gate o G) que permite modificar sus caractersticas de disparo con pequeos pulsos de corriente (decenas de A). Su reducido coste, alta velocidad y capacidad para disparar puertas de tiristores con altos valores de corriente hace que este dispositivo sea muy til en muchas aplicaciones. EL SBS no es solamente un versin mejorada del diodo de cuatro capas, sino que es fabricado como un circuito integrado constituido por transistores, diodos y resistencias.
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SIDAC
El SIDAC es un dispositivo bilateral de disparo de alta tensin y corriente. Es bsicamente un diodo de cuatro capas con unas caractersticas elctricas simtricas. En la figura 12.4.a se describe su estructura fsica, en la figura 12.4.b el smbolo de este dispositivo y en la figura 12.4.c sus caractersticas elctricas simtricas. El SIDAC se utiliza en aquellas aplicaciones que se necesitan una tensin de disparo VBO cuyos valores estn comprendidos entre 120 V y 270 V (tpicos).
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PUT
El PUT o programmable unijunction transistor perteneciente a la familia de los dispositivos uniunin y sus caractersticas son similares al SCR. En la figura 12.17.a se indica su smbolo. Es un dispositivo de disparo nodo-puerta (anode-gate) puesto que su disparo se realiza cuando la puerta tenga una tensin ms negativa que el nodo, es decir, la conduccin del PUT se realiza por control de las tensiones en sus terminales.
TRIAC
Un TRIAC (TRIode for Alternative Current) es un SCR bidireccional que se comporta como dos SCR en paralelo e invertidos, de tal manera que este dispositivo puede controlar corriente en cualquier direccin. Normalmente, tiene una tensin de ruptura alta y el procedimiento normal de hacer entrar en conduccin a un TRIAC es a travs de un pulso de disparo de puerta (positivo o negativo).
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UJT
El transistor de uni-unin (unijunction transistor) o UJT est constituido por dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor. En la figura 12.21.a aparece la estructura fsica de este dispositivo. El emisor est fuertemente dopado con impurezas p y la regin n dbilmente dopado con n. Por ello, la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es elevada (de 5 a 10K estando el emisor abierto).
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Las Siglas IGBT corresponden a las iniciales de isolated gate bipolar transistor o sea transistor bipolar de puerta de salida o de compuerta aislada, es un dispositivo semiconductor de potencia hibrido que combina los atributos del BJT y del MOSFE. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrad. El gate maneja voltaje como el MOSFET. Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenmeno de ruptura secundario como el BJT, es un dispositivo electrnico que generalmente se aplica a circuitos de potencia para la conmutacin en sistemas de alta tensin. El IGBT de la figura es una conexin integrada de un MOSFET y un BJT. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT. Simbologa Es un componente de 3 terminales que se denominan GATE, Colector & Emisor y su smbolo corresponde a la siguiente Figura.
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Su estructura microelectrnica es bastante compleja por ello que se describe en base a su esquema equivalente.
Si se considera que el IGBT se encuentra bloqueado inicialmente, es decir, no existe ningn voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero. La corriente ID persiste para el tiempo tal en que la seal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S. La seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al gate. Este Voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 v, puede causar que el tiempo de encendido sea menos a 1s , despus de lo cual la corriente de drain ID es igual a la corriente de carga IL(asumida como constante), una vez encendido, el dispositivo se mantiene asi por una seal de voltaje para el gate. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de potencia en el gate es muy baja.
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Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista seal en el gate, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el nodo, pero existe una corriente de figa (IA). Con un voltaje de polarizacin en directa el GTO se bloquea hasta un voltaje de ruptura VAK=VBO es alcanzado. En ese punto existe un proceso dinmico de encendido VAK=3v y la corriente IA es determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la aplicacin de un voltaje en inversa, solo existe una pequea corriente de fuga (IA) una polarizacin en inversa VAK puede ser alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del voltaje de ruptura inverso depende del mtodo de fabricacin para la creacin de una regeneracin interna para facilitar el proceso de apagado. Con un voltaje de polarizacin directo aplicado al nodo y un pulso de corriente positiva aplicado al gate, el GTO se enciende y permanece de esa forma, para esta condicin existen 2 formas de apagarlo, una forma es reduciendo la corriente de nodo IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding IH, en el cual la accin regenerativa interna no es efectiva.
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Instituto Tecnolgico de Chihuahua 2013 -BibliografaMUHAMMAD H. RASHID Electrnica de potencia EDICION 2.Prentice Hall. Daniel W. Hart-Introduccin a la electrnica de potencia http://tec.upc.es/el/TEMA-2%20EP%20%28v1%29.pdf Electrnica industrial de potencia: Timothy j maloney Manual del SCR: general electric Electrnica de potencia: mohan http://www.buenastareas.com http://www.unicrom.com/Tut_scr.asp www.wikipedia.com
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