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Nanoestruturas Magnticas
Walkiria Eyre wkeyre@gmail.com
Objetivos-- Explorar a base da nano-cincia enfatizando sua vertente magntica, alm de citar as possibilidades de aplicaes do magnetismo em nano-escala. Resumo--Este texto uma viso geral sobre um ramo especfico da nanocincia e nanotecnologia, qual seja, o nanomagnetismo. Assim sendo, alguns conceitos introdutrios sobre o magnetismo so necessrios. Aps esses conceitos, introduzimos a nanocincia sua origem e como possvel trabalhar na escala nanoscpica. Finalmente, esclarecemos o que so as nanoestruturas magnticas e citamos algumas aplicaes. Palavras-chave--Nanomagnetismo, nanotecnologia, nanoestruturas, nanocincia.

Contedo-- I. Introduo II. Conceitos de Magnetismo A. No princpio era o tomo B. Eltron, orbital e spin C. Momento magntico D. Diamagnetismo E. Paramagnetismo F. Ferromagnetismo G. Domnios magnticos H. Histerese III. Conceitos de Nanocincia A. Instrumentos B. Auto-organizao IV. Nanoestruturas Magnticas A. Filmes finos e magnetoresistncia gigante B. SQUID V. Aplicaes I. INTRODUCO

magnetismo um campo muito vasto e o estudo das implicaes do magnetismo dos materiais de suma importncia para a sociedade moderna. Os avanos tecnolgicos, principalmente no que concerne aos computadores, esto intrinsecamente ligados com a pesquisa nessa rea do conhecimento, dado que durante um bom tempo, a tecnologia de fabricao de microprocessadores e memrias estava concentrada em aumentar a capacidade e a eficincia,

diminuindo, porm, o tamanho dos dispositivos. Entretanto, diminuir o tamanho dos transistores e aumentar sua quantidade em um processador, com o intuito de melhorar seu desempenho, no to vivel quanto j foi um dia. As complicaes inerentes ao processo fazem com que as pesquisas nesse mbito no concordem com as exigncias de mercado, pois uma quantidade cada vez maior de dispositivos cada vez menores, faz com que o aquecimento seja extremamente alto, a ponto de danificar os prprios componentes do processador. Sendo assim, os maiores problemas so referentes ao resfriamento do processador e, as tecnologias necessrias para manter um tal dispositivo numa temperatura opervel e com vida til satisfatria, so muito caras, inviabilizando seu uso a nvel de mercado. Este apenas um dos inmeros exemplos de barreiras tecnolgicas que a cincia tenta transpor. Diante desse quadro, muitos cientistas esto apostando em uma cincia nova, a qual pode-se dizer que ainda est engatinhando, mas promete andar com passos firmes em um futuro no muito distante. A nanocincia, ou nanotecnologia, vem se apresentando como a cincia do futuro, com inmeras aplicaes e um campo de pesquisa gigantesco. Desde a nanobiotecnologia e os modelos de computadores baseados no mais em bits, mas qubits, at o teletransporte quntico[1], existem inmeras aplicaes e pesquisas nesse novo ramo da cincia. Essa monografia ir comtemplar um ramo ainda mais especfico da nanocincia: nanoestruturas magnticas. Para tanto, iremos explorar primeiramente alguns conceitos sobre o magnetismo para, posteriormente, adentrar na nanocincia. coerente explicitar que essa cincia muito recente e seu estudo s possvel devido aos avanos na aparelhagem que trata da escala nanomtrica. Tudo o que conhecemos, a composio de toda a natureza e dos objetos que nos rodeiam, ainda assunto complexo e cheio de questes no respondidas. A pesquisa de compostos e substncias cada vez menores exige uma cincia totalmente diferente da que estamos acostumados a lidar no cotidiano, as teorias que funcionam muito bem quando trabalhamos com objetos de dimenses palpveis inviabilizada no estudo de nanoestruturas. Ademais, a prpria teoria magntica muda quando o objeto de estudo tem dimenso atmica ou molecular, e teremos de fazer uso de conceitos que vo alm da teoria clssica.
[1] Dik Bouwmeester, Jian-Wei Pan, Klaus Mattle, Manfred Eibl, Harald Weinfurter, e Anton Zeilinger, Institut fr Experimentalphysik, Universitt, Innsbruck, Technikerstr. 25, A-6020 Innsbruck, Austria (December 10, 1997).

2 A fase atual investigativa, mas j so altas as apostas de que no seu despertar, a nanotecnologia ser a prxima grande revoluo tecnolgica. O presente trabalho visa ser apenas uma introduo ao assunto, j que, apesar de recente, h uma gama enorme de profundas pesquisas sobre o tema. Apenas para citar a importncia do estudo do magnetismo das nanoestruturas, cabe dizer que recentemente (de 14 a 18 de novembro de 2005) foi realizado na UnB, mais precisamente no CIFMC Centro Internacional de Fsica da Matria Condensada um workshop sobre o assunto, que reuniu cientistas de vrios pases. Durante este evento, houve a exposio dos resultados das pesquisas mais recentes na rea. II. CONCEITOS DE MAGNETISMO O magnetismo pode ser estudado de diferentes formas, dependendo do objeto de estudo. Na formulao macroscpica, lidamos com dois vetores de campo, B (induo magntica) e H (intensidade magntica). O movimento dos eltrons em torno do tomo fechado, como num circuito. Chamamos esse circuito decorrente do movimento dos eltrons de corrente atmica. Uma corrente atmica pode ser descrita como um dipolo magntico. Sendo mi o momento de dipolo magntico do tomo de ndice i, a magnetizao, M, a soma vetorial de todos os momentos de dipolo num pequeno elemento de volume por volume. todos os orbitais de um mesmo subnvel tm a mesma energia. No caso de tomos em seu estado fundamental, podem existir quatro subnveis (de acordo com a tabela peridica dos elementos encontrados at hoje). Esses subnveis so designados por s, p, d, f e possuem, respectivamente, 1, 3, 5 e 7 orbitais. Na configurao eletrnica de um tomo encontramos informaes sobre os nmeros qunticos, relativos situao dos eltrons. Estes nmeros so os seguintes: Nmero quntico principal: O nmero quntico principal, que pela letra n representado, indica a camada em que o eltron se encontra, e s pode assumir valores inteiros e positivos; Nmero quntico secundrio ou azimutal: Representado por l o nmero quntico azimutal, especifica a subcamada e, assim, a forma do orbital. Pode assumir os valores 0, 1, 2 e 3, correspondentes s subcamadas s , p , d , f; Nmero quntico magntico: O nmero quntico magntico, representado por ml, fornece informaes sobre a orientao de um orbital no espao; Nmero quntico de spin: O nmero quntico de spin, representado por ms, especifica o spin do eltron e possui valor + 1/2 ou - 1/2. Este ltimo nmero quntico o que nos interessa, pois exerce papel fundamental no magnetismo de nanoestruturas. O spin sempre quantizado e mltiplo de (no caso do eltron, assume sempre -1/2 ou +1/2), mas o eltron no o nico a possuir spin. Ncleos de tomos tambm possuem spin, esse spin nuclear a soma vetorial dos momentos angulares associados aos movimentos orbitais e dos spins dos prtons e nutrons que formam o ncleo. Cada ncleo tem seu spin, e, consequentemente, esse spin levar ao surgimento de um momento magntico. Assim como o spin do eltron e de outras partculas, o spin nuclear quantizado. Ncleos atmicos de hidrognio e carbono, possuem ambos spin 1/2, e o de sdio, spin 3/2. Quando ncleos atmicos esto sujeitos a um campo magntico, eles ganham energia magntica cujo valor depende basicamente de seus spins e da intensidade do campo. C.Momento Magntico Classicamente, podemos interpretar o spin como um movimento de rotao do eltron em torno de um eixo, assim como o movimento de rotao da Terra. Como o eltron uma partcula que possui carga, este momento angular intrnseco spin provoca um momento magntico. A magnetizao de um material seria o momento magntico total de uma certa quantidade dessa substncia por unidade de volume, como j enunciado. Devido a esse momento magntico, os eltrons tendem a se alinhar quando submetidos a um campo magntico externo.

1 M = lim mi v 0 v i

Assim, relacionamos os vetores B e H atravs da equao B=0(H+M). Na teoria microscpica do magnetismo, a distino entre B e H desaparece, como conseqncia do fato de lidarmos com um agrupamento de molculas, ou seja, um agrupamento de dipolos magnticos. Assim, no nosso estudo, B=0H. A. No princpio era o tomo No princpio era o tomo. E o tomo era indivisvel, e ele era a menor partcula da matria. Porm, mais de 2500 anos depois, descobriu-se que o tomo havia se dividido em muitas partculas. A teoria clssica no suficiente para compreender os fenmenos que ocorrem a nvel nanoscpico, porm o conhecimento quntico no est mapeado em seus detalhes, sendo um dos campos mais obscuros ainda da fsica. Utilizaremos, portanto, uma filosofia clssico-quntica. B. Eltron, Orbital e Spin De acordo com as teorias correntes, a mecnica quntica exige que haja no modelo atmico a idia de nveis de energias eletrnicas quantizadas. Assim, possvel ao eltron possuir um certo nvel de energia de acordo com a posio que ocupa. O locus que o eltron pode vir a ocupar chamado orbital. Os orbitais esto agrupados de acordo com certos subnveis de energia possveis. Na ausncia de campo magntico externo,

3 Vamos supor que o eltron circula ao redor do ncleo de um tomo numa rbita circular de raio R, em um plano que forma ngulos retos com um campo magntico aplicado. Para uma resoluo adequada preciso fazer uso da equao de Schrdinger para um eltron em um campo magntico. No entanto, utilizando clculo clssico, possvel encontrar a ordem de grandeza correta da susceptibilidade diamagntica. Antes da aplicao do campo de induo magntica, temos o eltron orbitando em estado de equilbrio. A fora eltrica que mantm o eltron nesse estado dada por:

Figura 1 - comportamento do eltron em relao ao seu spin.

Fq = me

Na maioria do tomos o spin total nulo, isso devido maneira como os eltrons ocupam os orbitais - satisfazendo o princpio de Linus Pauling mas, para alguns elementos o spin total no nulo, como o caso do ferro, cobalto, nquel, mangans, gadolnio e eurpio. O spin total diferente de zero faz com que esses elementos possuam um momento magntico permanente. Podemos classificar as substncias, dentro de um panorama semiclssico[2], em trs grupos diferentes, de acordo com seu comportamento na presena de um campo magntico externo: substncias diamagnticas, paramagnticas e ferromagnticas. Veremos o que faz com que um material se comporte de uma dessas maneiras. H uma extensa classe de materiais, para os quais possvel estabelecer uma relao aproximadamente linear entre M e H. Se estivermos tratando de um material linear e isotrpico, estabelecemos a seguinte relao:

Aplicando um campo magntico aparecer, sobre o eltron, uma fora adicional. Vamos supor que o eltron permanea na sua rbita. A frequncia angular do eltron sofre uma variao e, com isso, o eltron acelera ou diminui a velocidade, dependendo do sentido do produto vetorial da velocidade com o campo induo magntica. De qualquer modo, a variao no momento magntico orbital ser sempre em sentido oposto ao campo aplicado.

Fq e RB = me 2 R
A variao na frequncia angular dada por:

e B 2m e

M = mH
Hx +

Esta quantidade escalar adimensional m denominada susceptibilidade magntica. Se o material for linear mas anisotrpico, substituiremos a relao acima por relaes tensoriais:

Mx =

m , 11

m , 12

Hy +

E a quantidade (e/2me)B conhecida como frequncia de Larmor. Para que o eltron permanea em sua rbita, como admitimos, a sua variao de energia cintica deve ser compatvel com esta ltima equao. Com a imposio do campo, temos uma variao de fluxo atravs da rbita, e este fluxo atravessa n espiras eletrnicas (onde esse n o nmero de revolues feitas pelo eltron durante o tempo em que o campo varia. Esse fluxo varivel produz a seguinte f.e.m. de acordo com a lei de Faraday:

m , 13

Hz

= R2

A susceptibilidade magntica funo da temperatura e pode variar drasticamente com esta. Essa susceptibilidade a grandeza que caracteriza um material magntico segundo sua resposta a um campo magntico aplicado. D.Diamagnetismo O diamagnetismo o resultado da Lei de Lenz operando numa escala atmica. Veremos isso calculando a susceptibilidade diamagntica.

dB dn n = R2 B dt dt

A energia que o eltron ganha com este processo e, e esta energia ir aparecer como uma variao na sua energia cintica como se segue:

1 m eR 2 2 2

)=

e R 2

dn B dt

[2] De maneira geral os principais tipos comportamentos magnticos conhecidos so: diamagntico, paramagntico, ferromagntico, ferrimagntico e antiferromagntico. Existem ainda vrios outros tipos de comportamento como metamagntico, superparamagntico, vidro de spin, speromagntico, helimangtico, etc.., e, na verdade, aquele que ser de nosso interesse o comportamento superparamagntico.

Como dito anteriormente, o diamagnetismo resultado da lei de Lenz em escala atmica, assim, depois que aplicamos um campo magntico, as correntes eletrnicas em cada tomo so modificadas de tal maneira que tendem a enfraquecer o efeito deste campo. A variao da velocidade angular que vimos acima provoca variao no momento magntico, variao esta dada por:

e e e2 2 2 m= R B= R 0H 2 2m e 4m e

4 Finalmente, a susceptibilidade diamagntica para uma substncia contendo N molculas dada por (desde que os eltrons circulem em planos perpendiculares ao campo H):

Ne 2 0 = 4m e

Ri2

Na verdade, os comportamentos diamagntico, paramagntico e ferromagntico podem coexistir na matria, porm um deles pode ocorrer to mais intensamente que os efeitos dos outros se tornam mascarados ou pouco significativos. E. Paramagnetismo O paramagnetismo resultado de uma tendncia de alinhamento da soma vetorial dos momentos orbital e de spin dos eltrons de uma molcula, ou seja, a tendncia que tem o momento molecular de se alinhar a um campo aplicado. Para uma substncia composta por um nico tipo de molcula, possuindo cada molcula um momento magntico m0, e contendo essa substncia N molculas por unidade de volume, a magnetizao ser dada por:

uu r 1 M = Nm0 coth y y
onde y ser dado por:

y=

m 0 0 H kT

A menos de situaes onde a temperatura est prxima do zero absoluto, a funo de Langevin (que d a orientao fracional aproximada da substncia), pode ser dada, aproximadamente, pelo primeiro termo da srie de potncias:

Figura 2 - Dados experimentais do momento magntico atmico de diversos sais paramagnticos de metais. A linha a funo de Brillouin. Note o momento de saturao.

r Nm0 2 r M= 0H 3kT
o que gera a nossa susceptibilidade paramagntica:

Nm0 2 0 m= 3 kT
A quantidade m0 de alguns magnetons de Bohr (1 magneton de Bohr igual a eh/4me, onde h a constante de Planck). Assim, a matria que apresenta um comportamento paramagntico possui em seus tomos ou molculas momentos magnticos permanentes que tendem a se orientar ao campo aplicado. Os momentos magnticos moleculares precessionam em torno do campo magntico individualmente, e no em unissonncia. Em geral, essa magnetizao est bem abaixo do valor de saturao que seria obtido caso os momentos do dipolo estivessem todos alinhados.
Figura 3 - Susceptibilidades tpicas diamagnticas e paramagnticas.

5 F. Ferromagnetismo Nos materiais ditos ferromagnticos, os momentos magnticos atmicos ou moleculares esto naturalmente ou seja, isso uma propriedade do material alinhados, mesmo na ausncia de um campo aplicado. Heisenberg demonstrou, fundamentado na mecnica quntica que, quando os spins dos tomos vizinhos mudam de alinhamento paralelo para alinhamento antiparalelo, deve ocorrer uma variao simultnea na distribuio da carga eletrnica nos tomos. Essa variao na distribuio de carga ocasiona alterao da energia eletrosttica do sistema e h casos em que favorece o alinhamento paralelo. Nesses casos, o material em questo ferromagntico. Essa propriedade de magnetizao espontnea magnetizao na ausncia de campo externo aplicado funo da temperatura. Para entender como a magnetizao de um material ferromagntico varia com a temperatura, podemos fazer uso da teoria de Weiss-Heisenberg, que descreve o ferromagnetismo como um caso limite do paramagnetismo sob efeito de um campo magntico muito grande. As equaes de magnetizao so as seguintes: G.Domnios Magnticos Os materiais ferromagnticos esto divididos em domnios. essa diviso em domnios que faz com que uma amostra de material ferromagntico possa ser magnetizada at quase a saturao, independente de seu histrico, abaixo de uma temperatura chamada Tc e, ainda assim, parecer macroscopicamente desmagnetizado. O que ocorre que, cada domnio est totalmente magnetizado mas, diferentes domnios esto orientados em diferentes direes, aleatoriamente, dando ao material o aspecto desmagnetizado. Essa idia de domnios foi postulada em 1907 por Pierre Weiss. Na figura 4, vemos a idia de domnios magnticos:

1 M = Nm0 coth y y

M =
Onde y dado por:

kTy 0 m0
Figura 4 domnios magnticos.

y=

m 0 0 H > 3 kT

A magnetizao espontnea a uma dada temperatura obtida solucionando as duas equaes de magnetizao acima simultaneamente. Segue, na tabela 1 abaixo, um resumo da susceptibilidade e permeabilidade magnticas dos materiais.

Material Diamagntico Paramagntico Ferromagntico Ferrimagntico Antiferromagntico

<0 >0 >>0 >>0 >0

<1 >1 >>1 >>1 >1

A magnetizao em campos aplicados fracos varia de acordo com o movimento das paredes do domnio, que so as fronteiras entre domnios com orientaes diferentes (linhas brancas na figura 4). Em materiais puros, isto , de uma fase, o movimento da parede reversvel at certo ponto. J sob efeito de campos mais intensos, o movimento da parede pode tornar irreversvel e, assim, o material se torna permanentemente magnetizado mesmo aps a remoo do campo externo aplicado. Nas figuras 5 e 6 so observadas duas tcnicas diferentes para a visualizao dos domnios magnticos. Na figura 5 os domnios so delineados com partculas coloidais de xido de ferro e, na figura 6, vemos uma estrutura de domnios obtida por microscopia.

Tabela 1 relao entre o comportamento do material, sua susceptibilidade magntica e sua permeabilidade magntica.

Figura 5 domnios magnticos obtidos por fotomicrografia.

Figura 6 estrutura de domnios magnticos observada mediante microscopia.

A temperatura Tc citada acima denominada de temperatura de Curie, e a partir da Tc, a magnetizao espontnea nula, os domnios desaparecem e o material passa a se comportar como uma substncia paramagntica. Na tabela 2 temos alguns exemplos da temperatura de Curie para elementos ferromagnticos. Elemento Ferro Cobalto Nquel Gadolnio
Tabela 2 temperatura ou ponto Curie.

A figura 7 um exemplo da curva de histerese tpica de um material ferromagntico. Se a intensidade magntica aumentada, a relao B-H descreve uma curva, a curva de magnetizao. Agora, se a intensidade magntica, H, for diminuda, a relao B-H no retornar pela mesma curva, mas se deslocar ao longo de uma outra curva e a magnetizao, uma vez estabelecida isto , o material teve a saturao alcanada no desaparecer com a retirada de H. Pontos importantes do ciclo de histerese: Densidade de fluxo residual (remanente) - Br - a densidade de fluxo que permanece, mesmo aps H ter sido retirado. Tambm chamada de retentividade. Fora Coercitiva - Hc - Representa a intensidade de campo magntica necessria para se obter B =0 (ou seja, eliminar o campo remanente). Tambm chamada de coercitividade. Curva de desmagnetizao - o segundo quadrante do ciclo de histerese. uma caracterstica utilizada para a obteno dos parmetros de ims permanentes. III. CONCEITOS DE NANOCINCIA A histria da nanocincia se inicia quando, em 29 de dezembro de 1959, o fsico Richard Feynman disse em sua palestra na American Physical Society, "there's plenty of room at the bottom", algo como "h mais espaos l embaixo". Porm, somente algum tempo depois que essas palavras comearam a fazer sentido. Foram necessrios avanos nos aparelhos utilizados - microscpios de tunelamento, de fora atmica e de campo prximo - e tambm nas tcnicas de manipulao de estruturas na escala nanomtrica. A manipulao de tomos a base da nanocincia e um dos feitos mais importantes para o desenvolvimento dessa cincia foi a inveno em 1981 do microscpio de varredura por tunelamento eletrnico (scanning tunneling microscope STM) por Gerd Binning e Heinrich Roher, do laboratrio da IBM em Zurique. E com a ajuda desse STM que a IBM, em 1989, manipulando 35 tomos de elemento qumico xennio, conseguir escrever com eles a sua marca em uma placa de nquel.

Ponto Curie 770oC 1131oC 358oC 16oC

H.Histerese

Figura 7 Curva de histerese de material ferromagntico.

Figura 8 logotipo da IBM feito de tomos de xennio sobre um substrato de nquel.

7 ressaltar que, para que haja essa corrente de tunelamento o substrato deve ser condutor, ou seja, materiais isolantes no podem ser varridos pela tcnica de STM.

Figura 9 imagem obtida por escaneamento (varredura) do decaimento exponencial da corrente de tunelamento.

A. Instrumentos O STM rendeu o prmio Nobel aos seus criadores em 1986. Aps a inveno do STM muitos outros instrumentos que visavam o estudo da matria em escalas nanomtricas foram construdos e uma nova classe de aparelhos surgiu, os instrumentos de microscopia por varredura, ou scanning probe microscopy. Abaixo segue uma relao com a sigla e o nome desses instrumentos (por questes de convenincia, foram mantidos os termos em ingls). STM: scanning tunneling microscope AFM: atomic force microscope contact AFM non contact AFM dynamic contact AFM MFM: magnetic force microscope EFM: electrostatic force microscope SVM: scanning voltage microscope KPFM: kelvin probe force microscope SCM: scanning capacitance microscope FMM: force modulation microscope SThM: scanning thermal microscope NSOM: near-field scanning optical microscope SNOM: scanning near-field optical microscope O funcionamento do STM emprega princpios da mecnica quntica. Uma ponta muito fina que pode ser constituda de alguns poucos tomos, ou mesmo um nico tomo, varre uma superfcie de uma distncia de menos de um nanmetro. Uma voltagem aplicada e, dependendo dessa voltagem, eltrons podem tunelar[3] da ponta para a superfcie (ou o inverso, dependendo da polaridade), e isso resulta numa fraca corrente eltrica. O tamanho dessa corrente exponencialmente dependente da distncia entre a ponta e a superfcie (ou substrato). Com base nessa corrente de tunelamento um computador constri uma imagem extremamente ampliada da superfcie, na qual ficam visveis os seus tomos. importante

Figura 10 - esquema da tcnica de STM.

As mais novas tecnologias na rea so o FIRAT, Force sensing Integrated Readout and Active Tip (ponta ativa e leitor de foras integrados), desenvolvido por cientistas da Universidade da Gergia, Estados Unidos, que no apenas gera imagens muito mais detalhadas, mas tambm permite que se faam filmes das nanoestruturas, e um novo equipamento que se trata da unio de um microscpio de rastreamento eletrnico e um microscpio de feixes de ons. Esse novo equipamento, capaz de revelar as estruturas internas de nanomateriais em trs dimenses, resultado do esforo dos pesquisadores do Instituto Max Planck da Alemanha. B. Auto-organizao Ento, de acordo com o acima exposto, todas as apostas na nanocincia seriam baseadas no domnio que teramos sobre a manipulao de tomos e molculas a ponto de montar tudo que quisssemos, como se fosse um lego ? No. Na verdade, existe uma princpio de auto-organizao das estruturas e, mesmo se fosse inteno dos pesquisadores e cientistas da rea de nanocincia e nanotecnologia, manipular as nanoestruturas, as dificuldades nesse processo seriam muitas, os tomos e molculas no se comportam como pequenos tijolos, eles possuem como que uma personalidade sua reatividade -, e, alm disso, a estequeometria e requisitos energticos so complicaes difceis de transpr. Nesse nterim, teorias que predizem processos espontneos e auto-organizacionais tomam lugar na nanocincia. Um exemplo disso o caso onde, atravs da modificao planejada de uma dada molcula com um derivado de base nuclica, foi possvel induzir sua associao espontnea por meio de ligaes de hidrognio, gerando rosetas, que acabam se empilhando atravs de foras de van der Waals e produzindo nanotubos (figura 11).
[3] Mais detalhes sobre tunelamento quntico no apndice.

8 tcnicas utilizadas permitem a fabricao de filmes finos simples e multicamadas, com camadas magnticas e nomagnticas intercaladas. Essa estruturas magnticas artificiais fabricadas em escala nanomtrica possuem propriedades que no eram observadas em materiais de dimenses maiores, alm disso, essas novas propriedades fizeram surgir novos ramos de pesquisa em magnetismo. Um fenmeno derivado da tcnica de filmes finos multicamadas a magnetoresistncia gigante. O fenmeno observado em filmes multicamadas intercalando filmes finos magnticos como os feitos de ferro, cobalto e nquel e filmes finos no-magnticos como os de cromo, cobre e rutnio. Dependendo da espessura dos filmes no-magnticos ao redor de 1 nanmetro h uma enorme variao da resistncia do sistema em funo do campo magntico alpicado. A descoberta do fenmeno da magnetoresistncia gigante recente, 1988, e o principal pesquisador do grupo de trabalho que o descobriu o gacho Mrio Baibich[4]. O artigo original da descoberta da magnetoresistncia gigante um dos mais citados da Physical Review Letters. Alm deste, outros fenmenos fazem surgir uma infinidade de pesquisas e abrem um leque de aplicaes. No ramo da eletrnica, e.g., isto se faz ver na tecnologia chamada spintrnica. B. SQUID SQUID a sigla de Superconducting Quantum Interference Device (chave de interferncia quntica supercondutora) e um sensor de fluxo magntico ultra-sensvel. O SQUID usa junes Josephson e propriedades do eltron para detectar campos magnticos muito pequenos. Basicamente, o SQUID consiste de um anel supercondutor interrompido por uma ou duas junes Josephson. A juno Josephson composta pela seqncia de materiais supercondutor-isolante-supercondutor, onde a camada isolante geralmente um xido de poucos nanometros de espessura. A figura 12 um exemplo simples de um SQUID, onde podemos ver as ligaes mais fracas nos pontos W e X. Esses pontos possuem uma corrente crtica, ic, que muito menor que a corrente crtica do anel. Essa corrente crtica o valor de corrente que faz o material transitar de supercondutor para normal, e neste dispositivo ela uma funo peridica do fluxo magntico que o atravessa apresentando perodo que corresponde a um nico quantum de fluxo magntico h/2e (2,07x10-15 Wb), onde h a constante de Planck e e a carga do eltron. As aplicaes do SQUID vo desde dispositivos lgicos ultra-rpidos e ressonncia magntica nuclear (NMR), at autenticao de obras de arte. Na Figura 13 temos imagens de microSQUIDs com duas junes de Dayen fabricado pelo laboratrio de magnetismo do CBPF (Centro Brasileiro de Pesquisas Fsicas) no Rio de Janeiro. Nas imagens ao centro e a direita as junes so mostradas em detalhes obtidos por microscopia eletrnica e de fora atmica. A dimenso lateral dessa juno de 80nm.

Figura 11 - Exemplo de autoestruturao e auto-organizao a partir da modificao de um politer cclico com um derivado de base nuclica os traos pontilhados representam ligaes com outras unidades , gerando primeiramente uma roseta e depois um nanotubo.

IV. NANOESTRUTURAS MAGNTICAS O comportamento magntico de uma partcula pode ser extremamente sensvel em relao ao tamanho e temperatura. Os materiais de dimenses normais sempre procuram ficar numa configurao de mnima energia potencial, para tanto, os momentos magnticos dos domnios ficam em orientaes aleatrias. No entanto, existe um tamanho crtico para o qual esse tipo de configurao no mais energeticamente vantajosa. Esse tamanho crtico da ordem de algumas dezenas de nanmetros. Quando esse tamanho alcanado, a partcula passa para um estado denominado de monodomnio, permanecendo, assim, espontaneamente magnetizada. Nesse estado de magnetizao permanente espontnea, o momento magntico total a soma vetorial de todos os momentos atmicos, resultando em um momento magntico gigante. Algumas partculas podem apresentar um comportamento extremamente sensvel temperatura e, com isso, seu momento magntico gigante ir mudar de direo constantemente, mas sempre como um nico vetor efeito de uma fora de origem quntica que mantm os tomos alinhados (fora de troca). Esse fenmeno conhecido como superparamagnetismo. A. Filmes finos e magnetoresistncia gigante Os filmes finos so feitos por deposio gradual de tomos ou molculas sobre uma superfcie de suporte ou substrato. As

[4] M.N. Baibich et al., Phys. Rev. Lett. 61, 2472 (1988)

9 campo magntico, note que o perodo de um nico quantum de fluxo magntico.

Figura 14 Dependncia da corrente crtica com o campo magntico que atravessa o SQUID, o perodo igual a um quantum de fluxo magntico.

Na Figura abaixo so ilustradas imagens de todo o sistema que compem o microSQUID com as regies de contato e a bobina externa de aplicao de campo magntico. O microSQUID est bem ao centro da imagem e s visvel na Figura da direita.

Figura 12 - Superconducting quantum interference device (SQUID)

Figura 15 Imagens do sistema completo composto pelos microSQUIDs, contatos e bobina de aplicao de campo magntico. Os quadrados nas imagens a esquerda e ao centro tm dimenses de 100 x 100 mm2, so os contatos para os microSQUIDs. Na imagem da direita vemos em detalhe a junes de Dayen.

V. APLICAES A. Exemplos de Aplicaes Nanopartculas de materiais semicondutores, como por exemplo, seleneto de cdmio (CdSe) e sulfeto de zinco (ZnS), j esto sendo utilizadas como marcadores biolgicos fluorescentes em funo de sua maior estabilidade em relao aos corantes orgnicos tradicionais, possibilitando o rastreamento das molculas receptoras por tempos mais longos. Outro exemplo interessante o das nanopartculas de materiais ferromagnticos, como o xido de ferro, que podem gerar ferrofluidos, bem como sistemas capazes de transportar drogas controlados por meio de campos magnticos. A associao de anticorpos s nanopartculas magnticas pode auxiliar na identificao de clulas tumorais e ainda ser usada em sua destruio por hipertermia. Essa terapia baseada na maior sensibilidade das clulas tumorais a aumentos bruscos de temperatura provocados pela aplicao de campos magnticos

Figura 13 Imagens de microSQUIDs mostrando detalhes das junes de 80nm de largura. A primeira imagem foi obtida por um microscpio eletrnico de varredura e a segunda por um microscpio de fora atmica.

Na Figura 14 ilustrado a variao da corrente crtica com o

10 oscilantes sobre essas nanopartculas, que tambm poderiam ser utilizadas na captao seletiva de substncias e na remoo de poluentes de guas contaminadas. Na rea espacial, em ambientes hostis e outras reas afins, as aplicaes dos nanodispositivos e nanosensores so fundamentais para o desenvolvimento de novas tecnologias ultra-avanadas, que se utilizam de nanopartculas embebidas nos materiais avanados (partculas estas conhecidas como pontos qunticos e com dimenses de alguns nanmetros), associado a sntese de novos materiais tais como plsticos especiais, cermicas e outros materiais de alta confiabilidade que podero produzir, por exemplo, vestimentas protetoras especiais, capazes de alterar suas propriedades fsico-qumicas tais como: maleabilidade, dureza, resistncia mecnica, e resistncia corroso quando sob o efeito de um agente catalisador. Este agente catalisador, externo ou interno ao sistema em questo (vestimenta especial) poderia controladamente deflagrar uma reao ou processo (fsico, qumico ou ambos) num material especfico proporcionando alteraes na morfologia, rigidez e resistncia do material com que uma dada vestimenta possa vir a ser feita. Seria possvel, que a presena de nanopartculas e nanodispositivos embebidos em uma vestimenta, pudesse servir como um bloqueio sua deteco por infravermelho, o que seria uma aplicaao militar (teramos soldados invisveis). Mas tambm, atravs de reaes catalticas espacialmente localizadas, proporcionar que regies especficas da vestimenta sofram processos de endurecimento ou de autoregenerao. A prpria roupa do indivduo poderia servir como material para 'engessamento' de alguma parte do corpo com fratura ssea. Mesmo nos dias de hoje j possvel sintetizar materiais plsticos e cermicos que so resistentes a perfuraes por projteis ou corroso por agentes qumicos. B. Pesquisas no Brasil Pesquisas em desenvolvimento no Instituto de Fsica da USP-SP, por exemplo, concentram esforos na produo de materiais nanoestruturados e dispositivos optoeletrnicos base de nitreto de glio (GaN) e que podero levar ao desenvolvimento da tecnologia nacional para a produo de nanodispositivos emissores de luz (LEDs e Lasers) na regio do visvel (verde e azul). Tais nanodispositivos tm aplicaes importantes no armazenamento de dados (gravao e leitura de DVDs), painis eletrnicos, iluminao de trnsito etc. Entre as diversas linhas de pesquisa em desenvolvimento nos departamentos de Fsica da UFPE e UFC concentra-se a pesquisa em materiais e nanoestruturas de dispositivos base de silcio e carbeto de silcio, com importantes aplicaes na optoeletrnica, fotnica e fsica mdica. Pesquisadores dessas instituies tm desenvolvido fotodetetores e nanodispositivos conversores de luz. Os fotodetetores permitem a deteco e quantificao de radiaes de alta energia (partculas alfa, e radiao beta e gama) de grande importncia na rea mdica e no tratamento de cncer e outras doenas. Nanodispositivos moleculares conversores de luz desenvolvidos por pesquisadores da rede, tm-se mostrado altamente promissores na deteco e quantificao de doses de radiao ultravioleta oriundas da radiao solar, e podem ser utilizados na preveno de cncer de pele. Outras atividades de pesquisa desenvolvidas na USP-So Paulo e So Carlos e por pesquisadores da UERJ e PUC-Rio direcionam-se ao entendimento das propriedades magnticas spin - em nanoestruturas semicondutoras, que podem vir a ser de grande utilidade num futuro prximo na rea de gravao magntica, utilizando-se do controle de correntes eletrnicas e das propriedades associadas com a polarizao de spin. Tais avanos podem levar em breve a um aumento substancial na capacidade de gravao e armazenamento em discos rgidos utilizando-se dessas novas propriedades magnticas de nanoestruturas semicondutoras. O efeito da magnetoresistncia gigante esta sendo explorado para utilizao em um novo modelo de memria.Essa memria ultra-rpida e pode reter os dados armazenados quando a mquina estiver desligada, consumindo energia somente quando estiver lendo ou escrevendo, e ser bem menor do que os capacitores que armazenam dados nos mais avanados chips de memria convencionais. Aqui na Universidade de Braslia, o instituto de fsica conta com um grupo de estudos de nanoestruturas semicondutoras e magnticas. Na linha de magnetismo, destaca-se a produo, caracterizao e aplicaes biotecnolgicas e industriais de nanopartculas magnticas dispersas na forma coloidal ou em matrizes polimricas. As aplicaes esto voltadas para o desenvolvimento de sistemas de magnetoforese, agentes de contraste para imagem por RMN e magnetotermocitlise. VI. CONCLUSO Este trabalho demonstra algumas vertentes da tecnologia sob uma nova perspectiva. notrio a quantidade de novas pesquisas e a imensidade de possveis aplicaes das nanoestruturas. Os investimentos nessas novas tecnologias ultrapassam as cifras de investimentos no projeto genoma. S nos EUA, por exemplo, no ano de 2001 o total investido foi de US$ 463 milhes, em 2002 chegou a U$ 604 milhes e, no ano de 2003, ficou por volta de US$ 710 milhes. No Brasil os nmeros so bem menores mas o Ministrio da Cincia e Tecnologia (MCT) e o Conselho Nacional de Desenvolvimento Cientfico e Tecnolgico (CNPq) iniciaram uma ao de apoio pesquisa nessa rea. De um futuro razoavelmente prximo, podemos esperar grandes avanos na tecnologia. APNDICE Um apndice sobre o tunelamento est anexo ao documento (o apndice apresentado fora do padro deste documento por razes tcnicas as equaes so muito grandes...).

11 AGRADECIMENTO Agradeo ao professor Antnio Azevedo da Universidade Federal de Pernanmbuco UFPE por esclarecer conceitos e enviar material que foi de grande ajuda. Agradeo, tambm, ao professor Mikhail E. Portnoi da Universidade de Exeter, Inglaterra, que trabalha no grupo de propriedades pticas e de transporte das nanoestruturas, pois esclareceu dvidas concernentes teoria presente no texto. REFERNCIAS
[1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] REITZ, John R, MILFORD, Frederic J. e CHRISTY, Robert W. Fundamentos da Teoria eletromagntica. REZENDE, S. M. A fsica de materiais e dispositivos eletrnicos, Recife, Editora da UFPE, 1996. KNOBEL, Marcelo, Aplicaes do magnetismo, Cincia Hoje, vol. 36 n. 215. REZENDE, S. Magnetismo em Terra Brasilis na Revista Brasileira de Ensaio de Fsica, vol.22, n.3, 2003. KNOBEL, M. Os superpoderes dos nanomagnetos em Cincia Hoje, abril de 2000. KNOBEL, M. e GOYA, G. Ferramentas Magnticas na Escala do tomo em Scientific American Brasil, dezembro de 2004. Sites Diversos na Internet.

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Apndice Clculo clssico-quntico envolvido no tunelamento quntico:

Vamos considerar a Equao de Schrdinger independente do tempo para uma partcula, em uma dimenso, sob a influncia de uma barreira potencial (hill potential)* V(x).

Agora vamos remodelar a funo de onda (x) como a exponencial de uma funo. (x) = e(x)

Agora vamos separar '(x) em suas partes real e imaginria.

B'(x) 2A(x)B(x) = 0 Em seguida, iremos utilizar de uma aproximao semi-clssica para resolver isso. Isso significa que vamos expandir cada funo como uma srie de potncia em . possvel perceber que a srie de potncia dever comear com pelo menos uma ordem de para satisfazer a parte real da equao. Mas como queremos um limite clssico, tambm queremos comear com a mais alta potncia da constante de Planck possvel.

* - Esse potencial conhecido como hill potential, pois estamos estudando um caso onde se faz uma analogia com

13 uma bola e um monte, onde caso a bola no tenha uma energia suficiente, ela no atravessa o monte, o que a viso clssica. O tunelamento exatamente o efeito onde, por uma questo probabilstica, possvel, na mecnica quntica, que a bola atravesse o monte, ou seja, que seja atravessada uma barreira potencial. Nesse contexto, ocorre o tunelamento quntico do eltron, i. e., o eltron atravessa uma barreira potencial mesmo que no tenha energia para tal.

Temos ento, nos termos de ordem mais baixa, o seguinte:

A0(x)B0(x) = 0

Se a amplitude varia lentamente comparada com a fase, fazemos A0(x) = 0 e temos

Isto somente vlido quando tem-se mais energia do que potencial (movimento clssico). Aps o mesmo procedimento na prxima ordem da expanso, temos.

Por outro lado, se a fase varia lentamente comparada amplitude, fazemos B0(x) = 0 e temos

O que, claro, somente vlido quando tem-se mais potencial do que energia (movimento de tunelamento). Considerando o prximo termo da expanso, temos

Do denominador, fica aparente que essas solues aproximadas esto longe do ponto de mudana clssico, E = V(x), quando toda a energia cintica torna-se potencial e, depois, cintica novamente. O que temos so as solues aproximadas para um caso distante da barreira potencial e um caso

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abaixo da barreira potencial. Distante da barreira potencial, a partcula atua como se fosse uma onda, com a fase oscilando. Abaixo da barreira potencial, a partcula submete-se a mudanas exponenciais na amplitude. Em um problema de tunelamento especfico, podemos suspeitar que a amplitude da transio fosse proporcional a e ento o tunelamento exponencialmente amortecido por grandes divergncias do movimento permitido classicamente. Ainda temos que encontrar a soluo aproximada para qualquer ponto alcanando assim uma soluo mais global. Temos que ajustar os coeficientes de modo a aproximar a soluo do ponto de mudana clssico E = V(x). Vamos chamar de x1 o ponto de mudana clssico. Agora, como estamos prximos de E = V(x1), podemos facilmente expandir em srie de potncia.

Vamos aproximar ordem linear

Essa equao diferencial parece simples. Com alguns truques matemticos podemos transform-la numa equao de Bessel. A soluo a seguinte:

A idia que esta soluo conecte os nossos casos anteriores (distante e abaixo da barreira). Dados os 2 coeficientes de um lado do ponto de mudana clssico, deveramos ser capazes de determinar os 2 coeficientes do outro lado do ponto de mudana clssico usando essa soluo local para conectlos. Deveramos ser capazes de encontrar uma relao entre C, and C + ,C .

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Felizmente, as solues da funo de Bessel sero assntotas s funes seno, cosseno e exponencial nos limites apropriados. As relaes encontradas so as seguintes.

Agora podemos facilmente construir solues globais e resolver problemas de tunelamento.

O coeficiente de transmisso, barreira potencial ser:

, para uma partcula tunelando atravs de uma nica

Onde x1,x2 so os 2 classical turning points para a barreira potencial. Se tomarmos o limite clssico de todos os outros parmetros fsicos muito maiores que a constante de Planck, ou seja, fazendo , ento podemos ver que, coerentemente com o esperado, o coeficiente de transmisso vai para zero.