Electrnica: Diseo de amplificadores con transistores bipolares de unin

Indice 1. Anlisis de redes de dos puertos 2. Aplicaciones de los amplificadores con transistores 3. Acoplamiento de amplificadores 4. Divisor de fase 1. Anlisis de redes de dos puertos Frmula de ganancia de impedancia Se deriva una relacin importante entre las cantidades de ca de ganancia de tensin, Av, y de ganancia de corriente, Ai. La formula de tensin se define como

y la ganancia de corriente como

La ecuacin (3.1) se llama formula de ganancia de impedancia y se utiliza a lo largo de este texto. Parmetros hbridos En un sistema de cuatro terminales existen cuatro variables de circuito: la tensin y la corriente de entrada, y la tensin y corriente de salida. Estas cuatro variables se pueden relacionar por medio de algunas ecuaciones, dependiendo de cuales variables se consideren independientes y cuales dependientes. El par de ecuaciones de parmetros hbridos (parmetros h) (y su circuito equivalente) se utiliza a menudo para anlisis de circuitos con BJT. Cuando se utilizan los parmetros h para describir una red de transistores, el par de ecuaciones se escribe como sigue:

Donde los parmetros h se definen como: hi = h11 = resistencia de entrada del transistor hr = h12 = ganancia de tensin inversa del transistor hf = h21 = ganancia directa de corriente del transistor h0 = h22 = conductancia de salida del transistor Cuando los parmetros h se aplican a redes de transistores, toman un significado prctico en relacin con el desempeo del transistor. Cuando los parmetros de entrada y de salida se igualan en forma individual a cero, cada parmetro hbrido representa ya sea una resistencia, una conductancia , una razn de dos tensiones o una razn de dos corrientes. Es muy til cd contar con alguna forma de distinguir entre las tres configuraciones, es decir, EC, CC y BC. Se aade un segundo subndice a cada parmetro hbrido para proporcionar esta distincin. Por ejemplo, un circuito en EC suele tener h i en el circuito de base, y se cambia a hie. De manera similar para BC, hi se cambia por hib, y para CC, se cambia a hic. Los tres valores se relacionan entre s como sigue

El valor es real de funcin del punto de operacin (ICQ) del transistor es. En la porcin plana de la curva de iC contra vCE con iB constante, el cambio empieza a es pequeo. Conforme el transistor se aproxima a la saturacin, en tambin se aproxima acaer. A medida que el transistor se aproxima a corte, cero.

Resistencia de entrada en cortocircuito Se explora el valor de los parmetros antes de abordar la utilizacin de los circuitos equivalentes para el diseo y anlisis. Primero se desarrollan las ecuaciones para h ie y hib, que muestran la dependencia de estos parmetros respecto a la ubicacin del punto de operacin.

La ecuacin anterior es til para estimar el valor de hib. Parmetros en EC Las ecuaciones que definen los parmetros de amplificacin en ca se resumen en la tabla 3.1 y se derivan en las siguientes secciones. Obsrvese que la tabla proporciona dos ecuaciones de definicin para cada parmetro. Estas se denominan como forma larga y forma corta. La ecuacin en forma corta es una versin simplificada de la ecuacin en forma larga y se deriva haciendo suposiciones acerca de los tamaos relativos de algunos de los parmetros. Se anotan suposiciones necesarias conforme se deriva cada ecuacin; las suposiciones se encuentran en la tabla. Resistencia de entrada, Ren Se utiliza el circuito de parmetros hbridos para derivar la ecuacin de la resistencia de entrada para cada tipo de configuracin del amplificador. En circuito equivalente de la figura 3.5 (b) se utiliza para derivar la resistencia de entrada, R en. En general, es bastante grande para aproximar 1 + como . La corriente en RE es, por tanto, aproximadamente igual a ib.

(3.10) Si RB es despreciable comparada con RE, la ecuacin (3.10) se puede simplificar ms hacia la forma. Ganancia de tensin, Av La relacin de divisin de corriente aplicada a la salida de la figura 3.5(b) da

El signo negativo resulta de la direccin opuesta de ib con respecto a iL. Entonces

(3.12)

Ganancia de corriente, Ai La ganancia de corriente se encuentra a partir de la formula de ganancia de impedancia, ecuacin (3.1). Resistencia de salida, R0 La fuente de corriente ideal exhibe una impedancia infinita, ya que se mide la resistencia de salida como la entrada en circuito abierto (es decir, i b = 0). La resistencia de salida para el transistor EC es entonces

Por lo general, el parmetro hoe es bastante pequeo como para ser despreciado en los clculos, de modo que la magnitud de la resistencia de salida del transistor se vuelve infinita. Alinealidades de los BJT En la seccin 2.4.2 se vio que un transistor opera en forma lineal excepto en las regiones de corte y saturacin. La operacin en estas regiones o cerca de ellas provoca una reproduccin distorsionada de la seal de entrada. Por tanto, se deben evitar las regiones sombreadas. Parmetros para el amplificador CC (ES) Resistencia de entrada, Ren El circuito ES (emisor-seguidor) se muestra en la figura 3.10. Como antes, C1 y C2 se consideran cortocircuitos para frecuencias medias. Ren = RB Ganancia de tensin, Av La ganancia de tensin esta dada por Si hib es pequea comparada con RE RL, como es comn, se obtiene la expresin en forma corta Av = 1 Ganancia de corriente, Ai Como Ai = RB/RL

Resistencia de salida, R0 La resistencia de salida depende de los parmetros de entrada R s y RB, a diferencia del resultado para el amplificador EC, donde R0 depende solo de RC. Parmetros para el amplificador BC El circuito BC se dibuja a menudo con orientacin horizontal, como se ve en la figura 3.12(a). Sin embargo, el circuito es ms fcil de entender cuando se dibuja como la figura 3.12(b). De esta configuracin, es fcil ver que la polarizacin es idntica a la del amplificador EC. Resistencia de entrada, Ren La ecuacin en forma larga para Ren se deriva en seguida. La corriente en Ren es ien + (1+ )ib.

(3.25) La ecuacin en forma corta se obtiene suponiendo que hib << RE y RB << RE. Entonces Ren = hib + RB/ (3.26) Ganancia de corriente, Ai La ganancia de corriente para el circuito de la figura 3.13 se encuentra de la siguiente forma:

(3.27) Entonces, si RB << RE y hib << RE, se obtiene la expresin en forma corta de la ecuacin (3.28) Ganancia de tensin, Av La formula de ganancia de impedancia de la ecuacin (3.1) se utiliza para encontrar Av. Se usan Ai de la ecuacin (3.27) y Ren de la ecuacin (3.25) para obtener la expresin en forma larga de la ecuacin No se puede simplificar ms la ecuacin (3.29) ya que hib es aproximadamente igual

a RB/ . Si se aade un capacitor de paso entre base y tierra, RB/ se elimina de la ecuacin (3.29) y la expresin se simplifica a Resistencia de salida, R0 Como en el caso del amplificador EC, el generador de corriente dependiente, ib, presenta una resistencia elevada por tanto, R0 = RC 2. Aplicaciones de los amplificadores con transistores Se ha encontrado que el amplificador EC posee ganancias de tensin y de corriente significativas con altas impedancia de entrada y salida. La impedancia de entrada alta es deseable, mientras que la impedancia de salida alta tiene algunos problemas. Notse que a mayor impedancia de salida, menor es la corriente que se puede extraer del amplificador sin que haya una cada significativa en la tensin de salida. En ese se utiliza ms para amplificacin de tensin. Puede proporcionar una exclusin grande en la tensin de salida, que se convierte en la entrada de la siguiente etapa del sistema El amplificador ES (CC) proporciona ganancia de corriente alta con impedancia de salida baja. Se puede utilizar como una especie de compuerta de potencia entre un EC y una carga que demandante corriente. El CC es un amplificador de potencia y tambin una etapa de acoplamiento de impedancia. Este amplificador se encuentra normalmente en la etapa final de salida de un amplificador de seal, pues no slo baja el valor de la impedancia sino que proporciona la potencia necesaria para excitar la carga. El amplificador BC tiene una impedancia de entrada baja y una impedancia de salida relativamente alta. El BC se pueden utilizar como amplificador de tensin. Este amplificador es menos sensible a la frecuencia que los otros tipos de amplificador, y se utiliza a menudo entre circuitos integrados para proporcionar una salida con intervalo amplio de frecuencia. 3. Acoplamiento de amplificadores Cuando un sistema est compuesto por ms de una etapa de transistores, es necesario conectar, o acoplar, los transistores entre s. Existen muchas formas comunes de lograr esta interpretacin entre amplificadores. En las siguientes

secciones se analizan los acoplamientos directo, capacitivo, por transformador y ptico. Acoplamiento directo Dos amplificadores estn acoplar es directamente si la salida del primer amplificador se conecta en forma directa a la entrada del segundo sin utilizar capacitores. La salida en ca de la primera etapa est superpuesta con el nivel de cd esttico de la segunda etapa. El nivel de cd de la salida de la etapa anterior se suma al nivel de cd de polarizacin de la segunda etapa. Para compensar los cambios en los niveles de polarizacin, en amplificador utiliza diferentes valores de fuentes de tensin de cd en lugar de una fuente de Vcc sencilla. El acoplamiento directo se pueden utilizar de manera efectiva al acoplar en amplificador EC a uno ES. El amplificador acoplado directamente tiene una buena respuesta en frecuencias pues no existen elementos de almacenamiento en serie (es decir, sensibles a la frecuencia) que afecten la seal de salida en baja frecuencia. Acoplamiento capacitivo Constituye la forma ms simple y efectiva de desacoplar los efectos del nivel de cd de la primera etapa amplificador, de aquellos de la segunda etapa. En capacitor separa el componente de cd de la seal de ca. Por tanto, la etapa anterior no afecta la polarizacin de la siguiente. Para asegurar que la seal no cambie de manera significativa por la adicin de un capacitor, es necesario que est se comporte como cortocircuito para todas las frecuencias a amplificar. Acoplamiento por transformador Se puede utilizar un transformador para acoplar dos etapas del amplificador. Este tipo de acoplamiento se utiliza a menudo cuando se amplifican seales de alta frecuencia. Los transformaciones son ms costosos que los capacitores, aunque sus ventajas pueden justificar el costo adicional. A travs de una eleccin adecuada de la razn de vueltas, se puede utilizar un transformador para aumentar ya sea la ganancia de tensin o bien la de corriente fondo. Por ejemplo, encina etapa de salida de el amplificador vez potencia, en transformador se utiliza para aumentar la ganancia de corriente. Existen otros beneficios asociados con el uso de un transformador. Por ejemplo, el transformador se puede sintonizar para resonar de manera que se convierta en un filtro pasa-banda (filtro que pasa las frecuencias deseadas y atena las frecuencias que quedan fuera de la banda requerida).

Acoplamiento ptico Muchas aplicaciones requieren el acoplamiento ptico de circuitos electrnicos. Estas aplicaciones se pueden clasificar como sigue: - dispositivos sensibles a la luz y emisores de luz. - detectores y emisores discretos para sistemas de fibra ptica. - mdulos interruptor/ reflector que detectan objetos que modifican la trayectoria de la luz. - aisladores /acopladores que transmiten seales elctricas sin conexiones elctricas. 4. Divisor de fase El divisor de fase, mostrado en la figura 3.22, es un amplificador que simultneamente es EC y sesenta. Se eligen Rc = RE = RL tal y la tensin de salida en el colector tenga igual magnitud que la tensin de salida en emisor, pero estas tensiones se hallan 180 fuera de fase. Las dos seales de salida de este circuito son aproximadamente iguales en amplitud a la seal de entrada: esto est, las razones de ganancia de tensin son aproximadamente iguales a uno, en magnitud. Las dos salidas resultantes de una entrada sonoridad se muestra en la figura. En el emisor, la salida est en fase con la seal de entrada, mientras que la salida de colector estaciones 180 fuera de fase con la seal de entrada. Anlisis del amplificador multietapa A menudo los amplificadores se conectan en serie (cascada), como se muestra en la figura 3.23. La carga en el primer amplificador es la resistencia de entrada del segundo amplificador. No es necesario que las diferentes etapas tengan las mismas ganancias que tensin y de corriente. En la prctica, las etapas iniciales suelen ser amplificadores de tensin y la ltima o las dos ltimas son amplificadores de corriente. La ganancia en una etapa se determina por la carga de sta, que se gobierna por la resistencia de entrada de la siguiente etapa. Por tanto, cuando se disean o analizan amplificadores multietapa, se inicia en la salida y se contina hacia la entrada. Dispositivos de cuatro capas Se han analizado dispositivos de dos capas (diodo) y de tres capas (transistores). El xito de los dispositivos de tres capas, como el BJT y el transistor de efecto de campo (FET, field-effect transistor) condujo a los investigadores al concepto del

dispositivo de cuatro capas. Con la capacidad de manufactura aumentada, los dispositivos de cuatro capas no presentan mayores problemas de fabricacin. Rectificador controlado de silicio (SCR) El rectificador controlado de silicio (SCR, silicon-controlled rectifier) es un dispositivo de cuatro capas (pnpn) con caractersticas de conmutacin muy utilies. Se trata de un miembro de la familia de tiristores y se utiliza en controles de relevadores, calentamiento por induccin, limpieza ultrasnica y circuitos de control. Los SCR se pueden construir para control de potencia en la regin de megawatts y soportan corrientes hasta de 1500 A a 2000 V. Los intervalos de frecuencia estn un poco limitados, pero algunos SCR son capaces de trabajar a frecuencias de hasta 50 kHz. Conmutador controlado de silicio (SCS) El conmutador controlado de silicio (SCS silicon-controlled switch) se construye en forma similar al SCR excepto que ambas capas centrales se conectan a compuertas; una se denomina compuerta de nodo y la otra, compuerta de ctodo. DIAC y TRIAC El DIAC, o diodo de disparo, es un dispositivo de dos terminales que se puede disparar en cualquier direccin. El dispositivo opera en la regin inversa y la ruptura se produce en cualquier direccin cuando la tensin aumenta hasta el nivel necesario. Estos dispositivos se utilizan a menudo en el circuito de compuerta de un SCR para empezar la accin de compuerta. El TRIAC es similar al DIAC excepto que tiene una terminal de compuerta para controlar el encendido para cualquier polaridad de tensin entre los dos nodos. Trabajo enviado por: Alberto Guillermo Lozano Romero