POLARIZACIN DEL TRANSISTOR BJT

Sandra Chacha.
Universidad Politcnica Salesiana, Facultad de Ingeniera, Cuenca, Ecuador. schacha@est.ups.edu.ec

Abstract The practice was t show and study the the characteristic of the transistor , and were calculated the different parameters for each circuit of polarization. Index Terms fuente de alimentacin , polarizacin, transistor,

* Como un elemento amplificador de seales Por medio de una pequea corriente aplicada a la base se pueden gobernar otra mucho mas intensa entre colector y emisor Esto significa que pequeas corrientes se pueden

I. A)

OBJETIVOS

transformar en otras mas fuertes El transistor est compuesto por tres zonas de dopado,

Obtain the characteristic of the transistor. como se ve en la figura:

B) Design, calculate and verify the operation of these circuits BJT transistor biasing obtaining the graphs of the lines and load operating points. a. Circuit with two power sources. b. Circuit with one power source. c.Circuit with a voltage divider d. Circuits with autSelf bias circuit. e. Emitter circuit resistance. f. Design a circuit that has the ability to Move from to of the load line . II. MARCO TERICO Transistor: es un dispositivo semiconductor que permite el control y la regulacin de una corriente grande mediante una seal muy pequea. Un transistor es un componente que tiene, bsicamente, dos funciones: *El transistor como interruptor: El transistor funciona como interruptor cerrado cuando aplicamos una corriente a la base El transistor funciona como interruptor abierto cuando NO aplicamos una corriente a la base

Fig. 1 (Simbologa de transistor con 3 zonas) La zona superior es el "Colector", la zona central es la "Base" y la zona inferior es el "Emisor". El Emisor est muy impurificado, la Base tiene una impurificacin muy baja, mientras que el Colector posee una impurificacin intermedia. En este ejemplo concreto el transistor es un dispositivo npn, aunque tambin podra ser un pnp. Transistor de Unin Bipolar (BJT)

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales donde la seal de uno de los terminales controla las otras dos. Los transistores se utilizan para amplificacin, regulacin de potencia y como interruptores. El transistor de unin bipolar (BJT) est formado por la unin de dos semiconductores tipo n y uno tipo p, o dos tipo p y uno tipo n. Se conoce como transistor bipolar ya que la corriente es

producida tanto por electrones como por huecos. La figura continuacin muestra la construccin de un BJT tipo npn (dos semiconductores tipo n separados por un

*Circuito de polarizacin de Base comn. En el caso la base es comn a los lados de entrada y salida de la configuracin, adems es usualmente la terminal ms cercana o en un potencial de tierra.

semiconductor tipo p) y su correspondiente smbolo esquemtico. Los terminales del transistor se identifican como Colector (C), Emisor (E) y Base (B). La figura adems muestra un BJT tipo pnp.

Consta de tres cristales semiconductores (usualmente de silicio) unidos entre s. Segn como se coloquen los cristales hay dos tipos bsicos de transistores bipolares. Fig. 3 ( Circuito de polarizacin de Base comn.) En la configuracin de emisor comn las caractersticas de la salida sern una grfica de la corriente de salida (IC) versus el voltaje de salida (VCE) para un rango de valores de la corriente de entrada (IB).

( Fig. 2 (transistor BJT 2N3904 tipo npn identificando base, emisor y colector.)

*Circuito de polarizacin con realimentacin de emisor Este tipo de polarizacin proporciona mayor estabilidad del punto de operacin. El efecto de retroalimentacin radia en el hecho de que si por alguna razn (incremento de por ejemplo) Ic incremente , entonces el voltaje en Re aumenta, lo que a su ves produce decremento en la tensin de RB . SI el voltaje RB disminuye entonces IB disminuye los cual obliga q que Ic se disminuya. En entonces se concluye que Ic queda parcialmente balanceado.

Fig. 2 (transistor BJT 2N3006 tipo pnp identificando base, emisor y colector.) Polarizacin del transistor:

Polarizacin del transistor Se entiende por polarizacin del transistor las conexiones adecuadas que hay que realizar con corriente continua para que pueda funcionar correctamente. Con la unin PN de la base-emisor polarizada directamente y la unin PN de la base-colector polarizado inversamente. Siempre que la tensin de la baseemisor supere 0,7 V, diremos que el transistor est polarizado, es decir, que funciona correctamente.

Fig. 4(Circuito de polarizacin con realimentacin de emisor.)

( (

) ) Fig. 6 (representacin de transistor identificando base, emisor y colector. Indicando la respectiva corriente)

*Circuito de polarizacin de por divisor de tensin

Fig.5 (Circuito de polarizacin de por divisor de tensin) -Exacta

Fig.7 (Curva de corriente del transistor.) Curva caracterstica de del transistor

Los transistores tienen mltiples formas de comportarse, dependiendo de las tensiones entre sus terminales. Cuando un usuario adquiere un transistor, necesita saber este comportamiento para ponerlo en prctica en su circuito y utilizarlo como ms le convenga. ( ( -Aproximada ) ) Los fabricantes proporcionan esta informacin para evitar que el usuario la tenga que deducir a base de hacer medidas, para determinar esta informacin que consiste en dar la curva caracterstica del transistor. La curva caracterstica de un transistor es una grfica donde, en el eje horizontal, est representado el valor del potencial entre el colector y el emisor, VCE y en el eje vertical el valor de la corriente del colector, IC. Cada lnea, a su vez, corresponde a una corriente de base, IB, distinta

( ) ( ( Corrientes del transistor: ) )

En el transistor tambin tomamos criterios, todas la corrientes entrantes, es como un nudo.

Fig. 8 (Curva caracterstica del transistor.)

Zonas de funcionamiento del transistor bipolar:

Unin baseemisor Directa Directa Inversa Inversa

Unin basecolector Inversa Directa Inversa Directa

Modo de funcionamiento Activa directa Saturacin Corte Activa inversa

Activa directa: El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente).Este parmetro lo suele proporcionar el fabricante dandonos un mximo y un mnimo para una corriente de colector dada (Ic); adems de esto, suele presentar una variacin acusada con la temperatura y con la corriente de colector, por lo que en principio no podemos conocer su valor. Algunos polmetros son capaces de medir este parmetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una indicacin, ya que el polmetro mide este parmetro para un valor de corriente de colector distinta a la que circular por el BJT una vez en el circuito. Saturacin: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor. Corte: el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prcticamente nulas (y en especial Ic). Activa inversa: Esta zona se puede considerar como carente de inters

La recta de carga

Los lmites de la recta de carga nos definir una pareja de valores VCE-IC que fijar los posibles puntos que podr ocupar el punto de funcionamiento del transistor. Si retomamos la ecuacin de la malla del colector de esta polarizacin, nos queda

Para obtener uno de los extremos de la recta de carga, anulamos la corriente de colector. Entonces se dice que el transistor estar trabajando en corte.

Si anulamos ahora la tensin VCE obtendremos el otro extremo de la recta de carga. En estas circunstancias, el transistor estar trabajando en saturacin.

Fig.9 (Regiones de operacin del transistor BJT) Modos de funcionamiento Si polarizamos las dos uniones en directa, diremos que el transistor est trabajando en la zona de saturacin. En el caso de que la unin de emisor la polaricemos en directa y la unin de colector en inversa, estaremos en la zona activa. Cuando las dos uniones se polarizan en inversa, se dice que el transistor est en la zona de corte. Por ltimo, si la unin de emisor se polariza en inversa y la unin de colector Fig.10 (representacin de la recta de carga.)

Representacin del punto de carga:

-3 transistores (2N3906) -1potenciometro 50 k -Resistencias(510,120,330,680) - Resistencias (2,5- 470-1-470-220-75-100-100-470-139)K IV. 1. DESARROLLO

En la figura se muestra la representacin grfica del punto de trabajo Q de transistor, especificado a travs de tres parmetros: ICQ, IBQ y la VCEQ. Este punto se encuentra localizado dentro de una recta denominada recta de carga esttica: si Q se encuentra en el lmite superior de la recta el transistor estar saturado, en el lmite inferior en corte y en los puntos intermedios en la regin lineal. Esta recta se obtiene a travs de la ecuacin del circuito que relaciona la IC con la VCE que, representada en las curvas caractersticas del transistor de la figura corresponde a una recta.

Obtener la curva caracterstica del transistor.

A) Con el circuito de polarizacin fija con dos fuentes obtener se debe tomar mediciones para 10 valores diferentes de VCC y para Vi constante y obtener la curva caracterstica del transistor IC vs VCE
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
1 1,01 18,5 1.13 0.69 2 2,03 24,9 1.13 0.70 4 4,0 6 35 1.1 3 0.7 1 5 5,1 3 41 1.1 3 0.7 1 6 6,1 2 45, 8 1.1 3 0.7 1 7 7,1 8 50 1.1 3 0.7 2 8 8,2 2 54 1.1 3 0.7 2 9 9,2 2 58 1.1 3 0.7 2 10 10, 26 61, 8 1.1 3 73 12 12, 35 69, 1 1.1 3 0.7 3

Tabla de mediciones para Vcc variable y Vi constante Fig. 11 (circuito de polarizacin.) 15 10 IC 5 0 0 20 40 VCE 60 80 Fig. 12 (Representacin grfica del punto de trabajo Q.) B) Realizar las mismas mediciones tomando a Vcc fijo y esta vez variando VI para obtener la grfica VBE vs IB.
( ) 1 6 6.31V 0,03 0,68 2 10 174. 7 0,12 0,71 4 10. 04 11 7.8 0,3 2 0,7 2 5 10. 06 10 5.8 0,4 2 0,7 2 6 10. 07 96. 7 0,5 2 0,7 2 7 10. 08 89. 8 0,6 2 0,7 2 8 10. 08 84. 1 0,7 2 0,7 2 9 10. 09 79. 5 0,8 2 0,7 3 10 10. 09 75. 5 0,9 1 0,7 3 12 10. 09 69. 2 1,1 2 0.7 3 ( ) ( )

III. -Generador de funciones -Protoboard -Fuente de alimentacion -Cable multipar -3 transistores (2N3904)

MATERIALES

) ( )

Tabla de mediciones para Vi variable y Vcc constante

1.2 1 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 5 VBE 10 15

IB

2. Disear, calcular y comprobar el funcionamiento de los siguientes circuitos de polarizacin del transistor BJT obteniendo las grficas de las rectas de carga y puntos de trabajo. A) Circuito con dos fuentes de alimentacin.
Fig. 15 (Simulacin voltajes para el circuito de polarizacin con dos fuentes de alimentacin del transistor 2N3904)

V3 10 V

R2 2.5k

U6

B=259

npn

9.215u

1.355m
-

U5 DC 1e-009Ohm

DC 1e-009Ohm R3

U4

Valor comercial aproximado = 470 K

470k V4 5V

2N3904

Fig. 1 (Simulacin corrientes para el circuito de polarizacin con dos fuentes de alimentacin del transistor 2N3904)

Valor comercial =1,5+1k *Simulaciones de voltaje y corriente del circuito ( ( Calculados ) 2.2 ( ) 4 ) 9.26 ( ) Medidos 2.63 3.9 9.2 0.66 Simulados 1.355 6.62 9.21 0.67

Tabla1 valores calculados , medidos y calculados del circuito *Graficas de punto de punto de trabajo y recta de carga

Valor comercial 1K
( )

DC 10MOhm

*Simulaciones de voltaje y corriente del circuito

Fig. 16 (Grfica de la recta de carga y punto de trabajo del circuito de polarizacin con dos fuentes de alimentacin)

R2 1k

U4 R5 470k 2N3906
+

-6.611
-

U5 DC 10MOhm

U6
-0.744
V

V4 12 V
Fig. 17(Grfica de la recta de carga y punto de trabajo del circuito de polarizacin con dos fuentes de alimentacin) Fig. 19 (Simulacin voltajes para el circuito de polarizacin con una fuente de alimentacin del transistor 2N3906)

R1 1k
+

U2
-5.484m
A

DC 1e-00

U1 R3 470k 2N3906
Fig. 18 (Grfica de la recta de carga y punto de trabajo del circuito de polarizacin con dos fuentes de alimentacin)
+

U3
-0.023m
A

B) Circuito con una fuente de alimentacin.

V1 12 V

B=230 pnp

Fig. 20 (Simulacin voltajes para el circuito de polarizacin con una fuente de alimentacin del transistor 2N3906)

DC 1e-009Ohm

Fig. 1 (Simbologa de transistor con 3 zonas) Calculados ( ( ) 5.5 ( ) 6 ) 23.91 ( ) Medidos 5.62 5.9 22.5 0.66 Simulados 5.48 6.6 23 0.744

Tabla2 valores calculados , medidos y calculados del circuito *Graficas de punto de punto de trabajo y recta de carga
Fig. 23 (Grfica de la recta de carga y punto de trabajo del circuito de polarizacin con una fuente de alimentacin)

C) Circuito con divisor de tensin.

B=186 npn

Fig.2 1 (Grfica de la recta de carga y punto de trabajo del circuito de polarizacin con una fuente de alimentacin)

Fig. 22 (Grfica de la recta de carga y punto de trabajo del circuito de polarizacin con una fuente de alimentacin)

*Simulaciones de voltaje y corriente

V4 15 V

R9 750 R8 220k DC 10MOhm

+

Q3 U2
0.725
V +

2N3904 R10 75k

7.774
-

U1 DC 10MOhm

Fig. 26 (Grfica de la recta de carga y punto de trabajo del circuito de polarizacin con divisor de tensin)

Fig. 24 (Simulacin voltajes para el circuito de polarizacin con divisor de tensin del transistor 2N3904)
V1 15 V

R2 750 R1 220k Q1
+ +

Fig. 1 (Grfica de la recta de carga y punto de trabajo del circuito de polarizacin con divisor de tensin)
9.643m
A

U4 DC 1e-009Ohm

7.774
-

U1 + -0.055m DC 10MOhm
-

U3
A

2N3904 R3 75k

DC 1e-009Ohm

Fig. 25 (Simulacin corrientes para el circuito de polarizacin con divisor de tensin del transistor 2N3904) Calculados ( ) 10 ( ) 7.5 ( ) 53,76 ( ) Medidos 9.89 7.61 55.2 0.792 Simulados 9.6 7.77 55 0.725

Fig. 27 (Grfica de la recta de carga y punto de trabajo del circuito de polarizacin con divisor de tensin)

D) Circuito con auto polarizacin. Vcc= 12V VCE=5V = 225 pnp IC=10mA

Tabla3 valores calculados , medidos y calculados del circuito *Graficas de punto de punto de trabajo y recta de carga

VBE=0.7V

R1 680
+

U3
-9.690m
A

DC 1e-009Ohm

U1 R3

IB=44.44A IE= IC + IB

100k U2
+

2N3906
A

-0.046m

V1 12 V

Fig. 1 (Simulacin corrientes para el circuito con auto polarizacin del transistor 2N3906)

valor comercial.

Calculados ( ) 10 DC 1e-009Ohm ( ) 5 (
DC 10MOhm

Medidos 10.40 4.97 43.7 0.68

Simulados 9.69 5.43 46 0.76

) 44.44 ( )

*Simulaciones de voltaje y corriente del circuito

R2 680

Tabla4 valores calculados , medidos y calculados del circuito

*Graficas de punto de punto de trabajo y recta de carga

+

U4 R5 100k 2N3906
+

U5
-5.436
V

DC 10MOhm

U6
-0.761
V

V4 12 V
Fig. 29 (Grfica de la recta de carga y punto de trabajo para el circuito con auto polarizacin )

Fig. 28 (Simulacin voltajes para el circuito con auto polarizacin del transistor 2N3906)

Valor comercial 1K

Fig. 30(Grfica de la recta de carga y punto de trabajo para el circuito con auto polarizacin)

*Simulaciones de voltaje y corriente del circuito

R9 1k R8 470k U2
+

-5.924

U3
+

U1 DC 10MOhm

2N3906 R1 330 V4 12 V

-0.740

Fig. 31 (Grfica de la recta de carga y punto de trabajo para el circuito con auto polarizacin)

DC 10MOhm

E) Circuito con resistencia al emisor. B=240 pnp

Fig. 32 (Simulacin voltajes para el circuito de polarizacin con resistencia al emisor del transistor 2N3906)

) (

( ( ) ( )

)(

) )

( ( )

)( )(

) )

R3 1k R2 470k U4
+

-4.635m
-

U5 DC 1e-009Ohm

U6
+

-0.021m

2N3906 R4 330 V1 12 V

DC 1e-009Ohm

Fig. 35 (Grfica de la recta de carga y punto de trabajo para el circuito de polarizacin con resistencia al emisor )

Fig.33 (Simulacin corrientes para el circuito de polarizacin con resistencia al emisor del transistor 2N3906)

Calculados ( ( ) 5.8 ( ) 4 ) 24.17 ( )

Medidos 4.9 5.6 23.2 0.67

Simulados 4.6 5.924 21 0.74

Fig.36 (Grfica de la recta de carga y punto de trabajo para el circuito de polarizacin con resistencia al emisor )

F) Disear un Circuito que tenga la capacidad de Moverse desde hasta de la recta de carga

Tabla5 valores calculados , medidos y calculados del circuito *Graficas de punto de punto de trabajo y recta de carga

Para Vce = 3v

Fig. 34 (Grfica de la recta de carga y punto de trabajo con valores )

V2 12 V R4 120

Utilizando un potencimetro de 50K R1 = 90.41 k - 50k R= 40.41 K Valor comercial : 39 K

U6
+

R5 39k R6 50k Key=A 100% U4

0.022
-

U5 DC 1e-009Ohm

2N3904

0.126m

DC 1e-009Ohm

Para 89 k ( Para el potencimetro en cero )

Fig. 38 (Simulacin corrientes para el circuito de polarizacin para de la recta de carga del transistor 2N3904)

Calculados ( ( ) 25.2 ( ) 8.9 ) 126 ( )

Medidos 23.6 9.24 123 0.68

Simulados 22 9.37 126 0.75

) 3/4 vcc

Tabla6 valores calculados , medidos y calculados del circuito *Graficas de punto de punto de trabajo y recta de carga

*Simulaciones de voltaje y corriente del circuito

V1 12 V

R3 39k R1

R2 120

U1 50k 100% Key=A 2N3904 U3

+ +

U2
9.378
V

Fig. 39 (Grfica de la recta de carga y punto de trabajo)

0.750
V

Fig. 37 (Simulacin voltajes para el circuito de polarizacin para de la recta de carga del transistor 2N3904)
DC 10MOhm DC 10MOhm

V1 12 V

R3 39k R1

R2 120

U1
Fig. 40 (Grfica de la recta de carga y punto de trabajo)

50k 0% Key=A 2N3904 U3

+

U2
6.848
V

0.775

Fig.42 (Simulacin voltajes para el circuito de polarizacin para 1 de la recta de carga del transistor 2N3904)

DC 10MOhm DC 10MOhm
V2

Fig. 41 (Grfica de la recta de carga y punto de trabajo)

12 V R4 120 R5 39k R6

0.043
-

U5 DC 1e-009Ohm

*Simulaciones de voltaje y corriente del circuito

3/4 vcc

50k Key=A 0%

U4

2N3904

U6
+

0.288m

DC 1e-009Ohm

Fig. 43 (Simulacin corrientes para el circuito de polarizacin para de la recta de carga del transistor 2N3904)

Calculados

Medidos

Simulados

( (

) 57.9 ( ) 5.05 ) 289 ( )

55 6.63 225 0.71

43 6.84 288 0.77

V.

CONCLUSIONES

The conclusions fro this practice is that we can study and understand the operation with its respective purpose in which it was noted that the HFE transistors are different. Que la recta de carga en la salida todas las grficas son las mismas solo que en el ltimo del punto dos en donde se peda que se mueva sobre la recta de carga no se pudo realizar con variaciones de resistencia en el circuito por lo que se vio necesario poner un potencimetro con lo cual se logr obtener un circuito que para los parmetros de y de la recta de carga. De la grfica de la curva caracterstica del transistor se observ que estas determinan la forma de funcionamiento del transistor. Entonces una tensin constante de colectoremisor, si se producen pequeas variaciones de la corriente de base se originara unas variaciones en la corriente de colector mucho ms elevadas En cuanto a las grficas de la lnea de carga y el punto carga se pudo observar que Este punto se encuentra localizado dentro de una recta denominada recta de carga esttica: si Q se encuentra en el lmite superior de la recta el transistor estar saturado, en el lmite inferior en corte y en los puntos intermedios en la regin activa

Tabla7 valores calculados , medidos y calculados del circuito *Graficas de punto de punto de trabajo y recta de carga

Fig.44 (Grfica de la recta de carga y punto de trabajo )

Al concluir la prctica puedo decir que los transistores son elementos importantes en la electrnica que nos rodea hoy en da, que para su comprensin hay que estar al tanto de ciertos conocimientos relativos a su funcionamiento y comportamiento Los transistores son de gran versatilidad, se pueden implicar en muchos aspectos con el propsito de resolver algn problema. Para m la uno de los aspectos ms importantes del transistor es que no se quedan en un solo tipo de transistor y ms bien se ha desarrollado el transistor en formas que extienden su rea de aplicacin.

Fig. 45 (Grfica de la recta de carga y punto de trabajo)

VI.

BIBLIOGRAFIA

http://www.uam.es/personal_pdi/ciencias/jsoler/docencia/lab_informatico s/guiones/rc.pdf http://www.hispavila.com/3ds/lecciones/lecc9.htm www.uam.es/personal_pdi/ciencias/jsoler/docencia/lab.../rc.pdf linux0.unsl.edu.ar/~rvilla/c3m09/prt07.pdf > [7]R.Boylestad ,L.Nashelsky, Electrnica : teora de circuitos y dispositivos electrnicos .8va edicin. PearsonEducation

Fig. 46 (Grfica de la recta de carga y punto de trabajo)

http://ocw.bib.upct.es/pluginfile.php/7885/mod_resource/content/1/Capitul o_5_-_Polarizaciones_en_cc_de_BJTs.pdf https://sites.google.com/a/goumh.umh.es/circuitos-electronicosanalogicos/transparencias/tema-3