Você está na página 1de 17

BJT- Resumo da Teoria SEL313 EESC USP Rev 03

P. R. VERONESE Pgina 1 18/6/2009


SEL313 Circuitos Eletrnicos I - Veronese

BJT Resumo da Teoria

1. Circuito de Polarizao

possvel determinar-se um circuito de polarizao para o BJT que seja estvel
termicamente e razoavelmente independente dos parmetros internos do dispositivo. A
Figura 1 apresenta o circuito de polarizao mais usado na prtica. Pela anlise da relao
de dependncia do ponto de repouso com os parmetros internos, conclui-se, tambm, que
mais estvel ser esse ponto quanto maior for o resistor R
E
e menor for o resistor R
B
. O
fator de estabilidade S, dado pela Equao 1, define as faixas de maior ou menor
estabilidade do circuito.

E
B
R
R
S + 1 [-] (1)

Baseando-se em resultados prticos, pode-se estabelecer que:

1 < S 10 pontos de polarizao super estveis.
10 < S 20 pontos de polarizao estveis.
20 < S 30 pontos de polarizao pouco estveis.
S > 30 pontos de polarizao instveis.

Pelo fato do resistor R
E
introduzir perdas de insero ao circuito, ele no pode ser de valor
muito elevado e, por isso, a faixa 10 < S 20 geralmente preferida na prtica.
Por outro lado, o emprego de resistncias R
B
pequenas um procedimento invivel, pois
acarreta em correntes de base muito elevadas. Para contornar esse inconveniente, usando-se
o Teorema de Thvenin aplicado malha de base, substitui-se o resistor R
B
por um divisor
de tenso resistivo, como mostra a Figura 1a.
O circuito da Figura 1b totalmente equivalente ao circuito da Figura 1a, se o Teorema de
Thvenin for satisfeito nessa malha, isto , se:

2 1
2 1
B B
B B
B
R R
R R
R
+
= [] (2)
e
CC
B
B
CC
B B
B
BB
V
R
R
V
R R
R
V =
+
=
1 2 1
2
[V] (3)

Como, pela Equao 3, V
BB
<< V
CC
, pode-se usar, no circuito da Figura 1b, uma resistncia
bem menor para R
B
do que o valor usado no circuito de polarizao convencional e, assim,
obter-se um valor de S menor sem alterar as caractersticas do ponto de repouso do
transistor.
BJT- Resumo da Teoria SEL313 EESC USP Rev 03
P. R. VERONESE Pgina 2 18/6/2009

Figura 1 - Circuito de Polarizao com Estabilizao do Ponto Quiescente. a.) Com Divisor de Tenso
na Malha de Base. b.) Circuito Equivalente.

O circuito da Figura 1a , portanto, o mais indicado e o mais usado para se obter um ponto
de polarizao estvel e as Equaes 4 e 5, deduzidas por somatria de correntes nas
malhas, calculam esse ponto em funo dos parmetros internos do transistor, das
grandezas eltricas externamente aplicadas e do fator de estabilidade pretendido.

( )
( )
( )
CBo
E B
BEQ BB
CBo
E B
B
B
BEQ
B
CC
C
I S
R R
V V
I S
R R
R
R
V
R
V
I
Q
+
+ +

= +
+ +

=
1 1
) (
1

[A] (4)
e
CQ E C CC CE
I R R V V
Q

|
|

\
|

+
+ =

1
[V] (5)

2. Roteiro Para Clculo de Pontos de Polarizao Estveis

Segue-se um roteiro que permite o clculo de pontos de polarizao estveis e bem
independentes dos parmetros internos do BJT, usados para amplificadores de pequenos
sinais e baseados no circuito da Figura 1. As pequenas variantes apresentadas acontecem
em funo do tipo de amplificador ao qual o circuito se prestar. Os tipos de
amplificadores, que sero estudados posteriormente, so:

EC Amplificador Emissor-Comum.
BC Amplificador Base-Comum.
CC Amplificador Coletor-Comum.

BJT- Resumo da Teoria SEL313 EESC USP Rev 03
P. R. VERONESE Pgina 3 18/6/2009
Roteiro:

a.) Escolher V
CC
(3 V V
CC
V
CEmax
).
b.) Escolher I
CQ
(10 I
CQ
10 m).
c.) Escolher V
E
(
CC E
V V = ), onde:

0,05 0,2; sendo
tip
=0,1 p/ EC e BC.
0,25 0,75; sendo
tip
=0,5 p/ CC.

d.) Calcular R
E
:
Q
C
E
E
I
V
R []

arredondar R
E
para o valor comercial mais prximo.

e.) Escolher S (usar os critrios de estabilidade apresentados na Seco 1).
f.) Calcular R
B
:
E B
R S R = ) 1 (

g.) Calcular V
BB
:

( )
Q Q
BE C
B E
BB
V I
R R
V +
+ +
=

1


h.) Calcular R
B1
:

B
BB
CC
B
R
V
V
R =
1
[]

arredondar R
B1
para o valor comercial mais prximo.

i.) Calcular R
B2
:

B B
B B
B
R R
R R
R

=
1
1
2
[]

arredondar R
B2
para o valor comercial mais prximo.

j.) Recalcular R
B
e I
CQ
em funo dos valores de R
B1
, R
B2
e R
E
arredondados:

2 1
2 1
B B
B B
B
R R
R R
R
+

=
e
BJT- Resumo da Teoria SEL313 EESC USP Rev 03
P. R. VERONESE Pgina 4 18/6/2009
( )
CBo
E B
B
B
BE
B
CC
C
I S
R R
R
R
V
R
V
I
Q
Q
+
+ +

=
1
) (
1



Obs.: I
CBo
pode ser considerada desprezvel em temperatura ambiente (10C 30C).

k.) Calcular R
C
:

Para EC e BC:

Q
Q Q
C
C E CE CC
C
I
I R V V
R

|
|

\
| +

=

1
[]

arredondar R
C
para o valor comercial mais prximo.

Para CC:
0 =
C
R []

O valor de V
CEQ
usado no item 1.k depende da classe do amplificador. Para amplificadores
de pequenos sinais classe A

Para EC e BC:
CC CE
V V
Q
2
1
[V]
Para CC:
CC CE
V V
Q
[V]

l.) Recalcular V
CEQ
em funo do valor de R
C
arredondado:

Q Q
C E C CC CE
I R R V V
|
|

\
| +
+ =

1
[V]

3. Parmetros Incrementais

Os parmetros incrementais de pequenos sinais do BJT permitem que seja estipulado um
modelo linearizado para o dispositivo, como mostra a Figura 2, calculado nas vizinhanas
do ponto quiescente pr-determinado e vlido apenas para sinais alternados (AC). Esses
parmetros so calculados como a seguir:

3.1 Transcondutncia:


BJT- Resumo da Teoria SEL313 EESC USP Rev 03
P. R. VERONESE Pgina 5 18/6/2009

Figura 2 - Modelo Simplificado, para Pequenos Sinais, do BJT.

t F
C
BE
C
m
V N
I
V
I
g
Q
=

= [/V]

3.2 Resistncia Incremental de Entrada:

m
AC
B
BE
g I
V
r

= []

3.3 Resistncia Incremental de Sada:

Q
Q Q
C
BE CE AF
C
CE
o
I
V V V
I
V
r
+
=

= []

3.4 Capacitncia Incremental de Base:

( )
( )
( )
(
(

+ + + =
+
JE
BE je
je C
m
C JE F m
V
V m
m F F C g C
Q
je
1 1 1
1

[F]

3.5 Capacitncia Incremental de Coletor:
BJT- Resumo da Teoria SEL313 EESC USP Rev 03
P. R. VERONESE Pgina 6 18/6/2009

Figura 3 - Amplificador Emissor-Comum Genrico.

jc
Q Q
m
JC
CE BE
JC
V
V V
C
C
|
|

\
|

=
1

[F]

3.6 Freqncia de Transio:

A freqncia de transio ( f
T
) do BJT definida como sendo a freqncia na qual o ganho
dinmico de corrente cai unidade, isto ,
AC
1 para f f
T
. Embora no seja um
parmetro de modelagem, essa grandeza pode ser calculada no ponto quiescente e vale:

( )

C C
g
f
m
T
+

2
[Hz]

4. Resumo das Equaes Para Amplificadores Bsicos

4.1 Emissor-Comum

Equaes referentes ao circuito genrico da Figura 3, no qual o transistor foi substitudo
pelo modelo linearizado para pequenos sinais, mostrado na Figura 2:

4.1.1 Ganho de Tenso:

BJT- Resumo da Teoria SEL313 EESC USP Rev 03
P. R. VERONESE Pgina 7 18/6/2009
( )
( ) ( ) [ ]

r g r R R R r R r
R r r g R
A
m o C AC E C o AC E
C o m AC E
+ + + + +

=
1
*
) (
*
) (
*
) (
[V/V]

) (
*
AC E
C
R
R
A

[V/V]

4.1.2 Resistncia de Sada:

( ) ( ) [ ]
( ) ( ) [ ]
) (
'
) (
) (
'
) (
1
1
AC E m o C C o AC E
C m AC E o o AC E
o
R r g r R r R r R
R r g R r r r R
R
+ + + + +
+ + +
=


[]

C o
C o
o
R r
R r
R
+
[]

4.1.3 Resistncia de Entrada Vista na Base:

) (
) (
*
*
*
AC E
AC E C o
o m C o
i
R
R R r
r r g R r
r R
+ +
+ +
+ =

[]

) (
*
AC E AC i
R r R

+ []

4.1.4 Resistncia de Entrada:

) (
*
) (
*
AC B i
AC B i
i
R R
R R
R
+
= []

4.1.5 Freqncia de Corte nas Altas ( p/ R
E(AC)
= 0 ):

|
|

\
|
+ + + +

*
1 1
1 2
L m
S
S
S
CA
R g
R r
C C
R r
r R
f

[Hz]

4.1.6 Freqncia de Corte nas Altas ( p/ R
E(AC)
0 ):

( )

|
|

\
|
+ + + +
+

*
) (
1 1
1 2
1
L m
S
AC E m
S
S
CA
R g
R r
C C
R g
r R
r R
f

[Hz]

BJT- Resumo da Teoria SEL313 EESC USP Rev 03
P. R. VERONESE Pgina 8 18/6/2009
4.1.7 Freqncia de Corte nas Baixas ( p/ C
E
0 ):

( )
( ) ( ) [ ]
( ) ( ) [ ]


r g r R R R r R r
r g r R R R r R r
R R C
f
m o C AC E C o AC E
m o C E C o E
E E E
CB
+ + + + +
+ + + + +

1
1
2
1
*
) (
*
) (
'
* * '
3 2
[Hz]

Nesse caso deve-se ter:
E C B
p p p pp

4.1.8 Freqncia de Corte nas Baixas ( p/ C
E
= 0 ):

2
6
2 2 4 4 2 2
C B C B C B
CB
p p p p p p
f
+ + + +
= [Hz]

4.1.9 Equaes Auxiliares:

2 1 E E E
R R R + = []

1
3 2
3 2
) ( E
E E
E E
AC E
R
R R
R R
R +
+
= []

b B a B B
R R R
1 1 1
+ = []

2 1
2 1
B B
B B
B
R R
R R
R
+
= []

b B B
b B B
AC B
R R
R R
R
1 2
1 2
) (
+
= []

L C
L C
C
R R
R R
R
+
=
*
[]

*
*
*
C o
C o
L
R r
R r
R
+
= []

) (
) (
AC B ger
AC B ger
S
R R
R R
R
+

= []

S
R r r + =

'
[]

( )
ger i B
B
R R C
p
+
=
2
1
[Hz]


BJT- Resumo da Teoria SEL313 EESC USP Rev 03
P. R. VERONESE Pgina 9 18/6/2009

Figura 4 - Amplificador Coletor-Comum Genrico.

( )
L o C
C
R R C
p
+
=
2
1
[Hz]

4.2 Coletor-Comum

Equaes referentes ao circuito genrico da Figura 4, no qual o transistor foi substitudo
pelo modelo linearizado para pequenos sinais, mostrado na Figura 2:

4.2.1 Ganho de Tenso:

( )
( ) ( )

r R R r R r g r R
R r g r R
A
E C o E m o C
E m o C
+ + + + +
+ +
=
* *
*
] 1 [
] 1 [
[V/V]

1

A [V/V]

4.2.2 Resistncia de Sada:

)] 1 ( [ ) (
) (
'
'

r g r R R r R R r
r R R r
R
m o C E o C E
o C E
o
+ + + + +
+
= []


E m
E
o
R g
R
R
+

1
[]

BJT- Resumo da Teoria SEL313 EESC USP Rev 03
P. R. VERONESE Pgina 10 18/6/2009
4.2.3 Resistncia de Entrada Vista na Base:

*
*
*
) 1 (
E
C E o
m o C
i
R
R R r
r g r R
r R
+ +
+ +
+ =

[]


* *
E AC i
R r R

+ []

4.2.4 Resistncia de Entrada:

) (
*
) (
*
AC B i
AC B i
i
R R
R R
R
+
= []

4.2.5 Freqncia de Corte nas Altas (c/ R
C
= 0):

{ } ] ) 1 ( [ ) ( 2
) 1 (
* * *
* *
L L m S L S
L S L m
CA
R R g r R C R R r C
R R R g r
f
+ + + +
+ + +

[Hz]

A equao acima vlida para R
ger
1 k. Para R
ger
< 1 k a resposta em freqncias nas
altas estende-se teoricamente a infinito, ficando limitada, apenas, por reatncias parasitas
externas e pela freqncia de transio do transistor.

4.2.6 Freqncia de Corte nas Baixas:

2
6
2 2 4 4 2 2
E B E B E B
CB
p p p p p p
f
+ + + +
= [Hz]

4.2.7 Equaes Auxiliares:

b B a B B
R R R
1 1 1
+ = []

2 1
2 1
B B
B B
B
R R
R R
R
+
= []

b B B
b B B
AC B
R R
R R
R
1 2
1 2
) (
+
= []

L E
L E
E
R R
R R
R
+
=
*
[]



BJT- Resumo da Teoria SEL313 EESC USP Rev 03
P. R. VERONESE Pgina 11 18/6/2009

Figura 5 - Amplificador Base-Comum Genrico.

*
*
*
) (
E C o
E C o
L
R R r
R R r
R
+ +
+
= []

) (
) (
AC B ger
AC B ger
S
R R
R R
R
+

= []

Onde r
x
a resistncia de perdas internas da base, isto , r
BB
calculada no ponto quiescente.
Normalmente pode-se considerar r
x
=0.


r R r
S
+ =
'
[]

) ( 2
1
ger i B
B
R R C
p
+
=

[Hz]

) ( 2
1
L o E
E
R R C
p
+
=

[Hz]

4.3 Base-Comum

Equaes referentes ao circuito genrico da Figura 5, no qual o transistor foi substitudo
pelo modelo linearizado para pequenos sinais, mostrado na Figura 2:

4.3.1 Ganho de Tenso:
BJT- Resumo da Teoria SEL313 EESC USP Rev 03
P. R. VERONESE Pgina 12 18/6/2009
*
) (
)
1
(
L
AC B
m
o
R
R r
r g
r
A
+
+ =

[V/V]

*
L m
R g A

[V/V]

4.3.2 Resistncia de Sada:

( )
C o
C o
m o S o S AC B
S o m
m o C S o C S AC B
C o S o m
o
R r r
R r r
r g r R r R R r
R r r g
r
r g r R R r R R R r
R r R r r g
r
R
+ +
+

+ + + +
+
+ + + + + +
+
+
=
'
'
) (
2
'
) (
'
) 1 ( ) )( (
)] 1 ( [ ) )( (
) (

[]

C o
R R []

4.3.3 Resistncia de Entrada Vista no Emissor:

) 1 (
) )( (
*
) (
) (
*
*

r g r R R r
R r R r
R
m o C AC B
AC B C o
i
+ + + +
+ +
= []

Com R
B(AC)
desacoplada por C
B


m
i
g
R
1
*
[]

4.3.4 Resistncia de Entrada:

E i
E i
i
R R
R R
R
+
=
*
*
[]

E m
E
i
R g
R
R
+

1
[]

4.3.5 Freqncia de Corte nas Altas ( c/ R
B(AC)
= 0

):

*
2
1
L
CA
R C
f

[Hz]

4.3.6 Freqncia de Corte nas Baixas ( c/ p
B
<< p
E
e p
B
<< p
C
):

BJT- Resumo da Teoria SEL313 EESC USP Rev 03
P. R. VERONESE Pgina 13 18/6/2009
2
6
2 2 4 4 2 2
E C E C E C
CB
p p p p p p
f
+ + + +
= [Hz]

4.3.7 Equaes Auxiliares:

2 1
2 1
B B
B B
B
R R
R R
R
+

= []

Com C
B
= 0
2 1
2 1
) (
B B
B B
AC B
R R
R R
R
+

= []

Com C
B
0
0
) (
=
AC B
R

L C
L C
C
R R
R R
R
+
=
*
[]

*
*
*
C o
C o
L
R r
R r
R
+
= []

E ger
E ger
S
R R
R R
R
+
= []

S AC B
S AC B
R R r
R R r
r
+ +
+
=
) (
) (
'
) (

[]

) ( 2
1
L o C
C
R R C
p
+
=

[Hz]

) ( 2
1
ger i E
E
R R C
p
+
=

[Hz]

B B
B
R C
p
2
1
= [Hz]

5. Modelagem Simplificada de Grandes Sinais

5.1 Modelo de Ebers-Moll Modificado

BJT- Resumo da Teoria SEL313 EESC USP Rev 03
P. R. VERONESE Pgina 14 18/6/2009

Figura 6 - Modelo Simplificado de Grandes Sinais do BJT.

5.1.1 Circuito Equivalente:

Programas simuladores de circuitos eletrnicos baseados no SPICE usam, para modelar o
BJT, um modelo de grandes sinais conhecido com de Gummel-Poon evoludo. Nesse
modelo procura-se englobar o equacionamento primrio, oriundo da fsica de
semicondutores, e todos os efeitos de segunda ordem que afetam o dispositivo, efeitos esses
provenientes de observaes e equacionamentos empricos. O modelo final,
conseqentemente, complexo e inadequado para o uso em clculos manuais. O modelo de
Ebers-Moll, por outro lado, demasiadamente simplificado e, embora cmodo para
clculos manuais, mostrase excessivamente impreciso.
Prope-se aqui um modelo intermedirio, chamado de Ebers-Moll modificado, que
suficientemente simples para ser usado em clculos manuais e razoavelmente preciso na
regio ativa direta do BJT.
So equacionados, nesse modelo, os seguintes efeitos de segunda ordem: o efeito trmico
sobre o transistor, o efeito Early e os efeitos dinmicos das capacitncias das junes. No
so equacionados: o efeito de baixa injeo, o efeito Kirk e as perdas internas hmicas de
terminais.
Os modelos aproximados no valem plenamente, portanto, para as regies de corte,
saturao e regio ativa reversa e so imprecisos para as regies de baixa e alta injeo do
BJT. Conclui-se ento que esse modelo vlido para transistores de pequenos sinais com
correntes de polarizao de coletor situadas na faixa: 300A I
CQ
10mA.
O circuito eltrico equivalente que retrata o BJT no modelo de grandes sinais de Ebers-Moll
modificado apresentado na Figura 6, onde:

a.) Corrente no diodo da juno B-C:

BJT- Resumo da Teoria SEL313 EESC USP Rev 03
P. R. VERONESE Pgina 15 18/6/2009
(

|
|

\
|
= 1 exp
t R
BC
S bc
V N
V
I I

b.) Corrente no diodo da juno B-E:

(

|
|

\
|
= 1 exp
t F
BE
S be
V N
V
I I

c.) Corrente do Efeito Transistor:

b
bc be
T
q
I I
I

=

d.) Efeito Early direto:

BC AF
AF
b
V V
V
q

=

e.) Correntes externas:

0 = + +
E C B
I I I

5.1.2 Equacionamento:

15 , 273 + = T [K]

T V
t
=
6
10 1708037125 , 86 [V] p/ PSpice
T V
t
=
6
10 1734215226 , 86 [V] p/ LTspice

(

\
|
|

\
|
=
t
X
S St
V
T T
I I
TI
11 , 1
1
15 , 300
exp
15 , 300
[A]

TB
X
F Ft
T
|

\
|
=
15 , 300
[A/A]

TB
X
R Rt
T
|

\
|
=
15 , 300
[A/A]

Q Q Q
CE BE BC
V V V = [V]

BJT- Resumo da Teoria SEL313 EESC USP Rev 03
P. R. VERONESE Pgina 16 18/6/2009
Q
BC AF
AF
b
V V
V
q
+
= [-]

(
(

|
|

\
|
+
(
(

|
|

\
|
= 1 exp 1 exp
t R
BC
Rt
St
t F
BE
Ft
St
B
V N
V
I
V N
V
I
I
Q Q
Q

[A]

e

(
(

|
|

\
|

|
|

\
|
+
(
(

|
|

\
|
= 1 exp 1 1 exp
t R
BC
Rt
b
b
St
t F
BE
b
St
C
V N
V
q
q
I
V N
V
q
I
I
Q Q
Q

[A]

( )
( )
( )
(
(

+ + + =
+
JE
BE JE
JE C
m
C JE F m
V
V m
m F F C g C
Q
JE
1 1 1
1

[F]

JC
Q
m
JC
BC
JC
V
V
C
C
|
|

\
|

=
1

[F]

) ( 2

C C
g
f
m
T
+
= [Hz]

5.2 Transistores:

Nos exerccios que envolvem parmetros de modelagem de Gummel-Poon, sero usados
modelos simplificados de Ebers-Moll modificado para trs transistores npn, chamados de
QnA, QnB e QnC, que so aproximadamente equivalentes aos transistores comerciais
BC548A, BC548B e BC548C, respectivamente, e para trs transistores pnp, chamados de
QpA, QpB e QpC, que so aproximadamente equivalentes aos transistores comerciais
BC558A, BC558B e BC558C, respectivamente, na faixa central da regio ativa direta. Os
modelos aproximados no valem plenamente para as regies de corte, saturao e regio
ativa reversa e so imprecisos para as regies de baixa e alta injeo do BJT.
Os dezesseis parmetros que compem esses modelos esto listados a seguir, para uma
temperatura de juno de 27C, no mesmo formato usado nas bibliotecas dos programas
simuladores, lembrando-se que: BF =
F
, BR =
R
e TF =
F
. Deve-se lembrar, ainda, que,
nas bibliotecas, as unidades dimensionais (V, A, , F, etc.) no precisam ser colocadas e as
vrgulas devem ser trocadas por pontos. As potenciaes de dez das grandezas so
entendidas indiferentemente por smbolos ou por notaes cientficas e, portanto, as
declaraes IS=19,605587f e IS=19,605587e-15 tm o mesmo significado. As bibliotecas
so montadas em programas editores de texto convencionais, so insensveis a letras
maisculas ou minsculas e devem ser salvas em arquivos com extenso .lib.

BJT- Resumo da Teoria SEL313 EESC USP Rev 03
P. R. VERONESE Pgina 17 18/6/2009
4.2.1 Parmetros @ 27 C:
**************************************************************
**************************************************************
.model QnA NPN (IS=19,605587fA BF=173,65534 VAF=110,4V NF=1,0022
+ BR=13 NR=1
+ CJC=6,517pF VJC=0,6148V MJC=0,3362
+ CJE=12,5pF VJE=0,6V MJE=0,55
+ TF=810ps XTI=5,24 XTB=0,4 FC=0,5)
***************************************************************
.model QnB NPN (IS=19,22105fA BF=272,7546 VAF=66,4V NF=1,0022
+ BR=10 NR=1
+ CJC=6,517pF VJC=0,6148V MJC=0,3362
+ CJE=12,5pF VJE=0,6V MJE=0,55
+ TF=820ps XTI=5,98 XTB=0,3 FC=0,5)
***************************************************************
.model QnC NPN (IS=18,068052fA BF=461,09356 VAF=33,38V NF=1,0022
+ BR=6 NR=1
+ CJC=6,517pF VJC=0,6148V MJC=0,3362
+ CJE=12,5pF VJE=0,6V MJE=0,55
+ TF=830ps XTI=5,54 XTB=0,3 FC=0,5)
***************************************************************
***************************************************************
.model QpA PNP (IS=2,3623fA BF=165,3933 VAF=47,682V NF=0,9123
+ BR=8,35 NR=1
+ CJC=12,0pF VJC=0,55V MJC=0,333
+ CJE=20,0pF VJE=0,696V MJE=0,50
+ TF=930ps XTI=10 XTB=0,4 FC=0,5)
***************************************************************
.model QpB PNP (IS=25,0343fA BF=254,8935 VAF=30,9V NF=1,0
+ BR=5 NR=1
+ CJC=12,0pF VJC=0,55V MJC=0,333
+ CJE=20,0pF VJE=0,696V MJE=0,50
+ TF=940ps XTI=5,95 XTB=0,4 FC=0,5)
***************************************************************
.model QpC PNP (IS=30,4532fA BF=438,4653 VAF=23,0V NF=1,01
+ BR=2,45 NR=1
+ CJC=12,0pF VJC=0,55V MJC=0,333
+ CJE=20,0pF VJE=0,696V MJE=0,50
+ TF=950ps XTI=4 XTB=0,4 FC=0,5)
***************************************************************
***************************************************************