Transistor IGBT

El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del ingls Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrnica de potencia. Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no haban sido viables hasta entonces, en particular en los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en mquinas elctricas y convertidores de potencia que nos acompaan cada da y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso: automvil, tren, metro, autobs, avin, barco, ascensor, electrodomstico, televisin, domtica, Sist emas de Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc.

Caractersticas

El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 100 kHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energa como fuente conmutada, control de la traccin en motores y cocina de induccin. Grandes mdulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios. Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington hbrido. Tiene la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conduccin. Sin

embargo las corrientes transitorias de conmutacin de la base pueden ser igualmente altas. En aplicaciones de electrnica de potencia es intermedio entre los tiristores y los mosfet. Maneja ms potencia que los segundos siendo ms lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros.

Circuito equivalentede un IGBT.

Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta.

Smbolos de circuito
Existen distintos smbolos que se utilizan para representar el transistor MOSFET. El diseo bsico consiste en una lnea recta para dibujar el canal, con lneas que salen del canal en ngulo recto y luego hacia afuera del dibujo de forma paralela al canal, para dibujar el surtidor y el drenador. En algunos casos, se utiliza una lnea segmentada en tres partes para el canal del MOSFET de enriquecimiento, y una lnea slida para el canal del MOSFET de empobrecimiento. Otra lnea es dibujada en forma paralela al canal para destacar la compuerta.

Canal P

Canal N

JFET

MOSFET Enriq.

MOSFET Enriq. (sin sustrato)

MOSFET Empob.

Para aquellos smbolos en los que la terminal del sustrato se muestra, aqu se representa conectada internamente al surtidor. Esta es la configuracin tpica, pero no significa que sea la nica configuracin importante. En general, el MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales, y en los circuitos integrados muchos de los MOSFET comparten una conexin comn entre el sustrato, que no est necesariamente conectada a las terminales del surtidor de todos los transistores.

Funcionamiento
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS.

LOS MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO se basan en la creacin de un canal entre el drenador

y el surtidor, al aplicar una tensin en la compuerta. La tensin de la compuerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una regin de inversin, es decir, una regin con dopado opuesto al que tena el sustrato originalmente. El trmino enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad elctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la regin correspondiente al canal. El canal puede formarse con un incremento en la concentracin de electrones (en un nMOSFET o NMOS), o huecos (en un pMOSFET o PMOS). De este modo un transistor NMOS se construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n, mientras que un transistor PMOS se construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p.

LOS MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO tienen un canal conductor en su estado de reposo,

que se debe hacer desaparecer mediante la aplicacin de la tensin elctrica en la compuerta, lo cual ocasiona una disminucin de la cantidad de portadores de carga y una disminucin respectiva 4 de la conductividad.

Estructura metal-xido-semiconductor

Estructura Metal-xido-semiconductor construida con un sustrato de silicio tipo p

Una estructura metal-xido-semiconductor (MOS) tradicional se obtiene haciendo crecer una capa de dixido de silicio (SiO2) sobre un sustrato de silicio, y luego depositando una capa de metal

o silicio policristalino, siendo el segundo el ms utilizado. Debido a que el dixido de silicio es un material dielctrico, esta estructura equivale a un condensador plano, en donde uno de los electrodos ha sido reemplazado por un semiconductor. Cuando se aplica un potencial a travs de la estructura MOS, se modifica la distribucin de cargas en el semiconductor. Si consideramos un semiconductor de tipo p (con una densidad de aceptores NA), p es la densidad de huecos; p = NA en el silicio intrnseco), una tensin positiva VGBaplicada entre la compuerta y el sustrato (ver figura) crea una regin de agotamiento debido a que los huecos cargados positivamente son repelidos de la interfaz entre el aislante de compuerta y el semiconductor. Esto deja expuesta una zona libre de portadores, que est constituida por los iones de los tomos aceptores cargados negativamente (ver Dopaje (semiconductores)). Si VGB es lo suficientemente alto, una alta concentracin de portadores de carga negativos formar una regin de inversin localizada en una franja delgada contigua a la interfaz entre el semiconductor y el aislante. De manera distinta al MOSFET, en donde la zona de inversin ocasiona que los portadores de carga se establezcan rpidamente a travs del drenador y el surtidor, en un condensador MOS los electrones se generan mucho ms lentamente mediante generacin trmica en los centros de generacin y recombinacin de portadores que estn en la regin de agotamiento. De forma convencional, la tensin de compuerta a la cual la densidad volumtrica de electrones en la regin de inversin es la misma que la densidad volumtrica de huecos en el sustrato se llama tensin de umbral. Esta estructura con un sustrato de tipo p es la base de los transistores nMOSFET, los cuales requieren el dopado local de regiones de tipo n para el drenador y el surtidor.

Estructura MOSFET y formacin del canal

Formacin del canal en un MOSFET NMOS: Superior: Una tensin de compuerta dobla las bandas de energa, y se agotan los huecos de la superficie cercana a la compuerta (izquierda). La carga que induce el doblamiento de bandas se equilibra con una capa de cargas negativas de iones aceptores (derecha). Inferior: Una tensin todava mayor aplicada en la compuerta agota los huecos, y la banda de conduccin disminuye de forma que se logra la conduccin a travs del canal.

Un transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor (MOSFET) se basa en controlar la concentracin de portadores de carga mediante un condensador MOS existente entre los

electrodos del sustrato y la compuerta. La compuerta est localizada encima del sustrato y aislada de todas las dems regiones del dispositivo por una capa de dielctrico, que en el caso del MOSFET es un xido, como el dixido de silicio. Si se utilizan otros materiales dielctricos que no sean xidos, el dispositivo es conocido como un transistor de efecto de campo metal-aislantesemiconductor (MISFET). Comparado con el condensador MOS, el MOSFET incluye dos terminales adicionales (surtidor y drenador), cada uno conectado a regiones altamente dopadas que estn separadas por la regin del sustrato. Estas regiones pueden ser de tipo p o n, pero deben ser ambas del mismo tipo, y del tipo opuesto al del sustrato. El surtidor y el drenador (de forma distinta al sustrato) estn fuertemente dopadas y en la notacin se indica con un signo '+' despus del tipo de dopado. Si el MOSFET es de canal n (NMOS) entonces las regiones de dopado para el surtidor y el drenador son regiones 'n+' y el sustrato es una regin de tipo 'p'. Si el MOSFET es de canal p (PMOS) entonces las regiones de dopado para el surtidor y el drenador son regiones 'p+' y el sustrato es una regin de tipo 'n'. El surtidor se denomina as porque es la fuente de los portadores de carga (electrones en el canal n, huecos en el canal p) que fluyen a travs del canal; de forma similar, el drenador es el punto en el cual los portadores de carga abandonan el canal. La ocupacin de las bandas de energa en un semiconductor est determinada por la posicin del nivel de Fermi con respecto a los bordes de las bandas de energa del semiconductor. Como se describe anteriormente, y como se puede apreciar en la figura, cuando se aplica una tensin de compuerta suficiente, el borde de la banda de valencia se aleja del nivel de Fermi, y los huecos presentes en el sustrato son repelidos de la compuerta. Cuando se polariza todava ms la compuerta, el borde de la banda de conduccin se acerca al nivel de Fermi en la regin cercana a la superficie del semiconductor, y esta regin se llena de electrones en una regin de inversin o un canal de tipo n originado en la interfaz entre el sustrato tipo p y el xido. Este canal conductor se extiende entre el drenador y el surtidor, y la corriente fluye a travs del dispositivo cuando se aplica un potencial entre el drenador y el surtidor. Al aumentar la tensin en la compuerta, se incrementa la densidad de electrones en la regin de inversin y por lo tanto se incrementa el flujo de corriente entre el drenador y el surtidor. Para tensiones de compuerta inferiores a la tensin de umbral, el canal no tiene suficientes portadores de carga para formar la zona de inversin, y de esta forma slo una pequea corriente de subumbral puede fluir entre el drenador y el surtidor. Cuando se aplica una tensin negativa entre compuerta-surtidor (positiva entre surtidor-compuerta) se crea un canal de tipo p en una superficie del sustrato tipo n, de forma anloga al canal n, pero con polaridades opuestas para las cargas y las tensiones. Cuando una tensin menos negativa que la tensin de umbral es aplicada (una tensin negativa para el canal tipo p) el canal desaparece y slo puede fluir una pequea corriente de subumbral entre el drenador y el surtidor.