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EL TRANSISTOR En lneas generales, el transistor ciadas: puede trabajar de dos formas diferen-
1} Bloqueado, es decir, sin circulacin de corriente, al no estar polarizada la base del transistor lo suficiente. En la figura Ap-4 la base tiene O V, o sea, la miSma tensin que el emisor y se recordar que para empezar a conducir un transistor de silicio, NPN, precisa que la base sea positiva respecto al emisor en unos 0,7 V. Cuando el transistor est bloqueado su tensin de salida es la mxima.
C(N)
ff0fRABjAr~;:-;>
~N.:f~~A:.~~~~~~
B (p)
E(N)
~;~~~~E~9~;
+5V
le' o
+-+---- v
av
SAL -
5V
2) Saturado, lo que supone Que el transistor es atravesado por la mxima corriente posible, le SATURACION, con lo que la tensin de alimentacin del circuito se queda, prcticamente toda, en la resistencia de carga situada en el colector del transistor, mientras que en el colector la tensin de salida es nula. Esta situacin es slo terica, puesto Que si no tuviese tensin el colector, el transistor no conducira. En la prctica, cuando el transistor est saturado, la tensin entre colector y emisor es del orden de 0,3 V. (Ver la figura Ap-5.) Cuando la VBE directa del transistor origina la saturacin del mismo ya no se mantiene la relacin entre la le y la lB' que en la zona lineal era hFE; en este caso es superior y para asegurar la saturacin del transistor la relacin por lo menos debe llegar al doble que en la zona lineal, o sea, a 2 . hFE
+5V
-.-----i
"f
I
VSAL
-ov
"
En la figura Ap-6 se observa el comportarnientode un transistor trabajando en saturacin. La seal cuadrada de entrada se obtiene a la salida invertida. Sobre la figura Ap-6 se pueden deducir las siguientes condiciones de trabajo del transistor.
~--.-----<:...---.Vs
ENTRADA
SAUDA
VE'---~--t---.--4~
::JL
CORTE
ENTRADA SATUR_
~,co"'~rUDA
VCESAT
SATUR
Vs
= VeE
SAT
= 0,25
V;
le
Finalmente en la figura Ap-7 se muestra el esquema de dos transistores con las polarizacines tpicas ntre sus electrodos: a la izquierda en funcionamiento en la zona lineal y a la derecha trabajando en saturacin, En el primer caso le 'a . hFE, Y en el segundo caso, le la ' '/2 . hFE. (El factor 1/2 se toma para asegurar la saturacin).
ii -
l't4 ~17L
!
! I
'e
+
3V 12V
0'6 V
:;
If
E
-J
+ +
-_, __ E
017vl
Teniendo en cuenta estas caractersticas fundamentales del comportamiento de los diodos y transistores, a continuacin se exponen seis ejemplos de clculo y diseo de circuitos con transistores. Los tres primeros se refieren al trabajo del transistor en conmutacin y los tres finales al trabajo en la zona lineal y clculo de etapas amplificadoras,
se
107 (NPN)
DATOS:
+10V
= 100 mA
le = 60mA
(SATURACIONI
= 0'7 (lC::::60mAI
'SL \ ov
Ve
( +5 V. (SATl
.<
VBE
..
lB
= 07
VSAT
.s::
1. Clculo de Rc. En la figura Ap-9 se ha dibujado la curva de mxima potencia para conocer la zona permitida de trabajo del transistor. Tambin se ha trazado la recta de . carga, puesto Que Quedan determinados dos puntos: . 'c=O, VCE= 10V y el le=60mA. VeE=OV
Se ha calculado la Re sobre la misma figura Ap-9, plicando la ley de Ohm en el punto de saturacin, habiendo obtenido un valor terico para ella de 166 ohmios. En la prctica se tomar como resistencia de carga una de valor normalizado de 170 ohmios.
(SATURACION)
hFE
.4
EN SATURACION
100
ZONA PROHIBIDA
= 250mW.
2 '<.::::-.:::;:.~~.~:-:':---'
". o
- -
.:
...--:~
= 2--=
0,6 mA.
la saturaci6n
Il
e=
GOmA
+5V-------r--l---~~r
5-07 RB = 0,00~6
7 K (aproximadamente).
Finalmente, en la figura Ap-10 bis se muestra el circuito completo una vez diseado.
+10V
'C=60mA SALIDA
(+5V)~.sL
ENTRADA
lLJ -o
1
2. o EJERCICIO DISEO DE UN CIRCUITO DE CONMUTACION PARA
LA AlIMENTACION
DE UN LEO
Disear un circuito basado en el transistor se 107 (NPN) Que, trabajando en saturacin, al aplicarle a su base 2,7 V conduzca una corriente de 20 mA para activar un diodo LEO, que en esta situacin absorbe 1,7 V ..La alimentacin del circuito, que se refleja en la figura Ap-11, es de 6 V Y el coeficiente hFE para-esta le ser de 90. .: 1.
Clculo de la Re suplementaria
al diodo LEO.
+VeE
Vc=leRe+VL
V (aproximadamente)
Ve-VL le
6-1,7
-----------
-------
-----~--
El valor de la resistencia normalizada ms prximo es de 220 ohmios. 2.Q Clculo de la le. En la prctica, cuando el transistor est saturado:
=OA4mA.
1
3.Q Clculo de Re.
Teniendo en cuenta que en un transistor de Si la BE de saturacin es del orden de los 0.7 V, aplicando la ley de Ohm al circuito de entrada mostrado en la figura Ap-12:
'B=
O"44mA
YSE = 0"7 V
/ -..J,..
2,7-0,7
---'---= 0,00044 El circuito, una 4.545 ohmios (normalizada: 4K7).
Ve = 2'7V
RB
= 4K7
se
107
..
+5Ve--~~--_~
~ Si el transistor del circuito de la figura Ap-14 est saturado y en su diseo se ha usado un coeficiente de seguridad 2. es decir. lB = 2 . Ic/hFE averiguar: 1.0 hFE; 2. Validez de la Re = 470 Resistencia de carga mnima.
n. y
c-
'
10mA;
5-0.7
la
0.5mA
8.000
10 2-= 40
hFE
le 2-=
lB
0,5
2. Es vlida la Re = 470 ohmios? La Potmax del transistor como carga? es 20 mW. Cul es la Rmin que puede colocarse
En la figura Ap-15 se omienza dibujando la curva de mxima potencia para 20 mW y despus la recta de carga para 470 ohmos. que al quedar en la zona permitida s es vlida.
'cImA)
16
'\ '\
\ 14 \
'\
\ 12
,
'\
\
\
10
"
'1
ZONA PROHIBIDA
Pa,r~ calcular I~ Rmin se traza en la figura Ap-15 la recta tangente a la curva de m~xlma potencia y se analiza. para deducir el valor de la resistencia correspendiente, el punto de saturacin: le = 16 mA Y VeE = O, de donde: Re min = -------~_.
5
0,016
= 312
ohrnios.