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5.

EL TRANSISTOR TRABAJANDO EN CONMUTACION

EL TRANSISTOR En lneas generales, el transistor ciadas: puede trabajar de dos formas diferen-

1." En la zona lineal de una recta de carga.


2.a En conmutacin, es decir, bloqueado y saturado. Cuando el transistor trabaja en la zona lineal. el principio de su funcionamiento es el "control de corriente, que consiste en que pequeas variaciones de la corriente de entrada lB originan variaciones ms importantes en la corriente de salida le. En esta zona, la relacin entre le e lB es el parmetro hfE, tal como se expresa de forma grfica en la figura Ap-3. El funcionamiento lidades de trabajo: del transistor en conmutacin, slo le permite dos posibi-

1} Bloqueado, es decir, sin circulacin de corriente, al no estar polarizada la base del transistor lo suficiente. En la figura Ap-4 la base tiene O V, o sea, la miSma tensin que el emisor y se recordar que para empezar a conducir un transistor de silicio, NPN, precisa que la base sea positiva respecto al emisor en unos 0,7 V. Cuando el transistor est bloqueado su tensin de salida es la mxima.
C(N)

ff0fRABjAr~;:-;>
~N.:f~~A:.~~~~~~

B (p)

E(N)

~;~~~~E~9~;
+5V

le' o

+-+---- v
av

SAL -

5V

2) Saturado, lo que supone Que el transistor es atravesado por la mxima corriente posible, le SATURACION, con lo que la tensin de alimentacin del circuito se queda, prcticamente toda, en la resistencia de carga situada en el colector del transistor, mientras que en el colector la tensin de salida es nula. Esta situacin es slo terica, puesto Que si no tuviese tensin el colector, el transistor no conducira. En la prctica, cuando el transistor est saturado, la tensin entre colector y emisor es del orden de 0,3 V. (Ver la figura Ap-5.) Cuando la VBE directa del transistor origina la saturacin del mismo ya no se mantiene la relacin entre la le y la lB' que en la zona lineal era hFE; en este caso es superior y para asegurar la saturacin del transistor la relacin por lo menos debe llegar al doble que en la zona lineal, o sea, a 2 . hFE

+5V

-.-----i

"f
I

VSAL

-ov

"

En la figura Ap-6 se observa el comportarnientode un transistor trabajando en saturacin. La seal cuadrada de entrada se obtiene a la salida invertida. Sobre la figura Ap-6 se pueden deducir las siguientes condiciones de trabajo del transistor.

~--.-----<:...---.Vs
ENTRADA

SAUDA

VE'---~--t---.--4~

::JL
CORTE

ENTRADA SATUR_

~,co"'~rUDA
VCESAT

SATUR

Bloqueo IC=O Saturacin.-Cuando Y

Ve y Re permiten se cumpla que

Vs

= VeE

SAT

= 0,25

V;

le

Finalmente en la figura Ap-7 se muestra el esquema de dos transistores con las polarizacines tpicas ntre sus electrodos: a la izquierda en funcionamiento en la zona lineal y a la derecha trabajando en saturacin, En el primer caso le 'a . hFE, Y en el segundo caso, le la ' '/2 . hFE. (El factor 1/2 se toma para asegurar la saturacin).

ii -

l't4 ~17L
!

! I

'e

+
3V 12V

0'6 V

:;

If
E

-J

+ +
-_, __ E

017vl

Teniendo en cuenta estas caractersticas fundamentales del comportamiento de los diodos y transistores, a continuacin se exponen seis ejemplos de clculo y diseo de circuitos con transistores. Los tres primeros se refieren al trabajo del transistor en conmutacin y los tres finales al trabajo en la zona lineal y clculo de etapas amplificadoras,

1.er EJERCICIO DISEO DE UN CIRCUITO SIMPLE DE CONMUTACION


Dadas las caractersticas del transistor se 107, hallar los valores de las resistencias Rs Y Rc Que forman el circuito de conmutacin de la figura Ap-8; teniendo en cuenta que en saturacin se desea que circule una le SAT = 60 mA. .. Los niveles lgicos aplicados a las bases para el bloqueo y la saturacin son de O y 5 V, respectivamente, y la polarizacin del circuito es de 10 V.

se

107 (NPN)

DATOS:

PTOTAL = 25mW. le mx hFE VBE

+10V

= 100 mA

200 !le::: 60 mAl

le = 60mA
(SATURACIONI

= 0'7 (lC::::60mAI

'SL \ ov
Ve

( +5 V. (SATl

.<

VBE

..

lB

= 07

VSAT

.s::

1. Clculo de Rc. En la figura Ap-9 se ha dibujado la curva de mxima potencia para conocer la zona permitida de trabajo del transistor. Tambin se ha trazado la recta de . carga, puesto Que Quedan determinados dos puntos: . 'c=O, VCE= 10V y el le=60mA. VeE=OV

Se ha calculado la Re sobre la misma figura Ap-9, plicando la ley de Ohm en el punto de saturacin, habiendo obtenido un valor terico para ella de 166 ohmios. En la prctica se tomar como resistencia de carga una de valor normalizado de 170 ohmios.

2.Q Clculo de la lB en saturacin.


lB> I
_C_

(SATURACION)

hFE

.4

EN SATURACION

100

ZONA PROHIBIDA

= 250mW.

2 '<.::::-.:::;:.~~.~:-:':---'
". o

- -

-; -:- rz.: _.,.--

.:

--- - - - _:~._ .. _-':~~ -~. ~~--."" -: .-~-::

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.CiFI;uito.~Con u:: r?cta .d. carga ~'l.. 'cuLv':::'de -' ~ -

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En la prctica, para mayor seguridad: le 60

lB = 2-hFE, 3.2 Clculo de' RB para permitir Segn la figura Ap.l O,

= 2--=

0,6 mA.

200 con 5 V de entrede

la saturaci6n

Il

e=

GOmA

+5V-------r--l---~~r

5-07 RB = 0,00~6

7 K (aproximadamente).

Finalmente, en la figura Ap-10 bis se muestra el circuito completo una vez diseado.
+10V

'C=60mA SALIDA

(+5V)~.sL

ENTRADA

lLJ -o

1
2. o EJERCICIO DISEO DE UN CIRCUITO DE CONMUTACION PARA

LA AlIMENTACION

DE UN LEO

Disear un circuito basado en el transistor se 107 (NPN) Que, trabajando en saturacin, al aplicarle a su base 2,7 V conduzca una corriente de 20 mA para activar un diodo LEO, que en esta situacin absorbe 1,7 V ..La alimentacin del circuito, que se refleja en la figura Ap-11, es de 6 V Y el coeficiente hFE para-esta le ser de 90. .: 1.

Clculo de la Re suplementaria

al diodo LEO.
+VeE

Vc=leRe+VL

Ve-VL -VeE Re = --::_-=---==le Si el transistor est saturado, VCE .;-. = Re =


------------------------

V (aproximadamente)

Ve-VL le

= --'---= 215 ohmios.


0,020

6-1,7

-----------

-------

-----~--

El valor de la resistencia normalizada ms prximo es de 220 ohmios. 2.Q Clculo de la le. En la prctica, cuando el transistor est saturado:

le 0,020 Ig=2=2 hFE 90

=OA4mA.

1
3.Q Clculo de Re.
Teniendo en cuenta que en un transistor de Si la BE de saturacin es del orden de los 0.7 V, aplicando la ley de Ohm al circuito de entrada mostrado en la figura Ap-12:

'B=

O"44mA

YSE = 0"7 V

/ -..J,..

2,7-0,7
---'---= 0,00044 El circuito, una 4.545 ohmios (normalizada: 4K7).

vez diseado por completo, se ofrece en la figura Ap-13.

Ve = 2'7V

RB

= 4K7

se

107

..

3, er EJERCICIO: CARACTERISTICAS DE UN TRANSISTOR EN SATURACION

+5Ve--~~--_~

~ Si el transistor del circuito de la figura Ap-14 est saturado y en su diseo se ha usado un coeficiente de seguridad 2. es decir. lB = 2 . Ic/hFE averiguar: 1.0 hFE; 2. Validez de la Re = 470 Resistencia de carga mnima.

n. y

1. Clculo de hFF. 15-03


470

c-

'

10mA;

5-0.7
la

0.5mA

8.000
10 2-= 40

hFE

le 2-=

lB

0,5

2. Es vlida la Re = 470 ohmios? La Potmax del transistor como carga? es 20 mW. Cul es la Rmin que puede colocarse

En la figura Ap-15 se omienza dibujando la curva de mxima potencia para 20 mW y despus la recta de carga para 470 ohmos. que al quedar en la zona permitida s es vlida.

'cImA)
16
'\ '\

\ 14 \
'\

\ 12

,
'\

\
\

10

"

'1
ZONA PROHIBIDA

Pa,r~ calcular I~ Rmin se traza en la figura Ap-15 la recta tangente a la curva de m~xlma potencia y se analiza. para deducir el valor de la resistencia correspendiente, el punto de saturacin: le = 16 mA Y VeE = O, de donde: Re min = -------~_.

5
0,016

= 312

ohrnios.

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