Diodos

Introduo
Para iniciar este texto, vamos falar sobre um componente que, at algumas dcadas atrs, era de grande importncia nos circuitos eletrnicos: a vlvula eletrnica, que tem como base uma inveno muito conhecida e de inquestionvel relevncia para a humanidade: a lmpada de incandesc ncia, inventada por !homas "lva #dison$ %urante experi ncias com seu novo invento, #dison observou que a presena, dentro do bulbo, de uma lmpada incandescente acesa, de uma placa metlica ligada a uma fonte positiva de energia, fa&ia com que eltrons circulassem do filamento da lmpada at a placa$ 'as como isso era poss(vel, se a placa sequer encostava no filamento da lmpada)

#xperimento de #dison *omo no havia ligao direta entre a placa e o filamento, #dison dedu&iu ento que o circuito s+ podia estar sendo fechado atravs do espao va&io entre eles, como mostra a figura acima, atravs das setas que indicam o sentido convencional da corrente ,do positivo para o negativo-$ #dison tambm observou que, quando a polaridade da bateria ligada . placa era invertida, a passagem de corrente cessava$ " este fenmeno foi dado o nome de /efeito #dison0, que explicado da seguinte forma: quando um corpo material aquecido, ele se dilata e os eltrons que comp1em sua estrutura adquirem energia, libertando2se de suas +rbitas e formando uma /nuvem de eltrons0, da mesma forma que as part(culas de gua formam vapor quando a gua ferve$ "ssim, quando o filamento da lmpada entra em incandesc ncia, isto , fica em brasa, em volta dele aparece uma nuvem de eltrons$ *onvm notar que isso s+ acontecer se for feito o /vcuo0 dentro da lmpada, ou se3a, se for retirado o ar de seu interior, pois, o ar, tambm formado por tomos, no deixaria espao suficiente para movimento dos eltrons$

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" um dispositivo como a lmpada de #dison, acrescida da placa receptora de eltrons, d2se o nome de diodo termoinico : porque possui dois eletrodos, que so o filamento da placa$ 'as, dispositivos como as vlvulas apresentavam inconvenientes, como grande dimenso e baixo rendimento$ Para se ter uma idia, um receptor de rdio comum, contendo cinco vlvulas, retirava cerca de quarenta ;atts de energia da rede de alimentao< 'uitas pesquisas foram reali&adas para descobrir um substituto para as vlvulas eletrnicas, que tivesse suas qualidades e no possu(sse seus principais defeitos$ !ais pesquisas foram coroadas com xito quando cientistas descobriram os componentes eletrnicos baseados nos elementos semicondutores$

Semicondutores
= prefixo /semi0 da expresso semicondutor sugere sua caracter(stica, pois normalmente aplicado a um n(vel intermedirio entre dois limites : condutor e isolante$ = termo condutor usado para qualquer material que permite a circulao de um fluxo de eltrons, quando aplicada uma tenso entre seus terminais$ >m isolante o material que no permite a circulao de eltrons, quando submetido a uma tenso eltrica$ "tualmente, os materiais mais importantes na fabricao de componentes semicondutores so: o germnio, o sil(cio, o (ndio, o ars nico e o f+sforo$ *omo voc pode perceber, o semicondutor , portanto, um mau condutor de eletricidade$ #ntretanto, quando se adiciona alguma substncia ao semicondutor, suas propriedades eltricas sofrem profundas modifica1es$ " substncia que se adiciona a um semicondutor chamada de impure&a e o processo de adicion2las ao semicondutor chamado de dopagem.

Dopagem
" dopagem um processo qu(mico, que tem por finalidade introdu&ir tomos estranhos a uma substncia na sua estrutura cristalina$ 6ormalmente, reali&ada em laborat+rios, com o ob3etivo mais espec(fico de colocar no interior da estrutura de um cristal uma quantidade correta de uma determinada impure&a, para que o cristal se comporte conforme as condi1es necessrias, em termos eltricos$ 6os cristais semicondutores ,germnio e sil(cio, principalmente-, a dopagem reali&ada para atribuir ao material certa condutibilidade eltrica$ " forma como o cristal ir condu&ir a corrente eltrica e a sua condutibilidade dependem do tipo de impure&a utili&ada e da quantidade de impure&a aplicada$ *onsiderando2se estes fatores, podem ser obtidos atravs da dopagem dois tipos de semicondutores, o !ipo 6 e o !ipo P$

Semicondutores Tipo N
?uando o processo de dopagem introdu& na estrutura cristalina uma quantidade de tomos com mais de quatro eltrons na @ltima camada, forma2se uma nova estrutura cristalina, denominada cristal 6$ !ome2se como exemplo a introduo de tomos de f+sforo, que possuem cinco eltrons na @ltima camada no cristal$ %os cinco eltrons externos do f+sforo, apenas quatro encontram um par no cristal, que possibilite a formao covalente$
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%opagem com tomos de mais de quatro eltrons na @ltima camada = quinto eltron do f+sforo no forma ligao covalente, porque no encontra um eltron na estrutura que possibilite esta formao$ #ste eltron isolado tem a caracter(stica de se libertar facilmente do tomo, passando a vagar livremente dentro da estrutura do cristal, constituindo2se um portador livre de carga eltrica$

Semicondutores Tipo P
" utili&ao de tomos com menos de quatro eltrons na @ltima camada para o processo de dopagem d origem a um tipo de estrutura chamada de cristal P$ = tomo de (ndio, por exemplo, que tem tr s eltrons na @ltima camada, d origem a um cristal P quando utili&ado na dopagem$ ?uando os tomos de (ndio so colocados na estrutura do cristal puro, verifica2se a falta de um eltron para que os elementos tetravalentes se combinem de forma covalente$

%opagem com tomos de menos de quatro eltrons na @ltima camada #sta aus ncia no interior do cristal denominada de lacuna, sendo representada por uma carga eltrica positiva na estrutura qu(mica$ " lacuna no propriamente uma carga positiva, mas sim, a aus ncia de uma carga negativa$ =s cristais dopados com tomos de menos de quatro eltrons na camada externa so denominados de cristais P, porque a conduo de corrente eltrica no seu interior se d pela movimentao das lacunas$
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"travs do processo de dopagem, os semicondutores ficam prontos para formar os componentes eletrnicos baseados nesta tecnologia$ = diodo um dos mais simples componentes eletrnicos baseados em semicondutores, mas exerce um papel vital em sistemas eletroeletrnicos, com suas caracter(sticas assemelhando2se .s de uma simples chave$

Diodos
= diodo semicondutor um componente que utili&a os dois tipos de materiais semicondutores 3 estudados e representado nos esquemas pelo s(mbolo apresentado na figura:

5(mbolo do diodo = terminal da seta representa o material P, denominado de "nodo do diodo, enquanto o terminal da barra representa o material 6, denominado de *atodo do diodo$

!erminais do diodo " identificao dos terminais ,anodo e catodo- no componente real pode aparecer de duas formas:

5(mbolo impresso sobre o corpo do componente

>ma barra impressa que indica o catodo

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Construo do Diodo
= diodo se constitui na 3uno de duas pastilhas de material semicondutor: uma de material 6 e uma de material P$

*onstruo do diodo semicondutor "s duas pastilhas, P e 6, so unidas por fuso atravs de intenso aquecimento$ " pastilha resultante da fuso denominada 3uno P6$

Comportamento dos Cristais aps a Juno

6o momento em que materiais so unidos por fuso, os eltrons e buracos na regio de 3uno se combinam, ou se3a, o excesso de eltrons do material 6 tende a migrar para as lacunas no material P, resultando em uma aus ncia de portadores na regio da 3uno$ " regio onde ocorre este fenmeno chamada de regio de %epleo$

*amada de depleo do diodo

#ssa regio fica ioni&ada, cria2se uma diferena de potencial na 3uno chamada de barreira de potencial, que a ADE * de aproximadamente F,G H para os diodos de sil(cio, e de F,B H para os diodos de germnio$ 6o poss(vel medir com um volt(metro a tenso da barreira de potencial, porque este efeito gerado internamente no componente$
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Polarizao do Diodo Semicondutor

Polari&ar um diodo aplicar uma tenso eltrica nos seus terminais$ *omo este componente tem somente dois terminais, poss(vel polari&2lo de duas formas: polari&ao direta e polari&ao inversa$ " polari&ao do diodo denominada de polari&ao direta quando a tenso positiva aplicada ao material P e a tenso negativa ao material 6$

Polari&ao direta do diodo " polari&ao direta fa& com que o diodo permita a circulao de corrente eltrica no circuito, atravs do movimento dos portadores livres$

*onduo de corrente eltrica atravs de diodo semicondutor ?uando o diodo est polari&ado diretamente, condu&indo corrente eltrica, di&2se que o diodo est em conduo$ >m diodo semicondutor polari&ado diretamente , passagem de corrente eltrica$ - entra em conduo, permitindo a

" polari&ao do diodo denominada de polarizao inversa quando ocorre a aplicao de tenso positiva no material 6 e negativa no material P$

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Polari&ao inversa do diodo " polari&ao inversa se fa& com que o diodo impea a circulao de corrente no circuito eltrico$ ?uando o diodo est polari&ado inversamente, impedindo a circulao de corrente di&2se que o diodo est em bloqueio$

9loqueio da passagem de corrente eltrica pelo diodo semicondutor >m diodo semicondutor polari&ado inversamente , passagem de corrente eltrica$ - entra em bloqueio, no permitindo a

Curva Caracterstica do Diodo Semicondutor

= comportamento dos componentes eletrnicos pode ser expresso atravs de uma curva caracter(stica que permite determinar a condio de funcionamento do dispositivo em um grande n@mero de situa1es$ " curva caracter(stica do diodo mostra o seu comportamento na conduo e no bloqueio$ " figura abaixo apresenta a curva do diodo com os dois quandrantes: de conduo ,quadrante superior direito- e de bloqueio ,quadrante inferior esquerdo-$

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*urva caracter(stica do diodo %urante a conduo do diodo ,quadrante superior direito-, devido . exist ncia da barreira de potencial e da resist ncia interna no diodo, verifica2se a presena de um pequeno valor de tenso sobre o diodo ,tenso da barreira de potencial-$ "travs da curva, verifica2se tambm que, enquanto a tenso sobre o diodo est abaixo de F,GH ,no caso do sil(cio- ou F,B ,no diodo de germnio-, a corrente circulante muito pequena$ 7sto se deve ao fato de que a barreira de potencial se op1e ao fluxo de cargas no diodo$ %evido . exist ncia desta barreira de potencial, a regio t(pica de funcionamento dos diodos fica acima da tenso de conduo caracter(stica$ 6o bloqueio, o diodo semicondutor no atua como isolante perfeito, permitindo a circulao de uma corrente de fuga, de valor muito pequeno ,da ordem de microampres-$ #sta corrente de fuga aumenta, . medida que a tenso inversa sobre o diodo aumenta$

speci!icao do Diodo
"lguns dados so muito importantes na especificao de um diodo, como por exemplo: corrente direta mxima, tenso direta, tenso de ruptura e corrente de fuga$

Corrente direta m"#ima $I%&' valor mximo de corrente que poder passar pelo diodo, quando ligado na polari&ao direta$
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Tenso direta $(%&' valor da queda de tenso sobre o diodo semicondutor$ #ste valor considerado para o valor de corrente direta$ Tenso de ruptura $()&' tambm denominada de tenso inversa$ K a tenso mxima admiss(vel sobre o diodo quando polari&ado inversamente, se este valor no for obedecido, o diodo se rompe$ Corrente de !uga $I)&' valor mximo de corrente que pode circular no diodo quando polari&ado inversamente, para o valor de tenso de ruptura HL, este valor na ordem de mili ou nano amperes$ #xemplo de dados do diodo 76CFFC: *orrente direta mxima ,7M!enso %ireta ,HM !enso de Luptura ,HL*orrente de Muga ,7L4" 4,BH CFFH 4F N"

C"lculos em Circuitos com Diodos

*omo voc 3 viu, o diodo quando polari&ado diretamente, funciona praticamente como uma chave fechada e a tenso na carga ser Hcc$ " corrente que circula no circuito nesse momento chamada de corrente de saturao ,75-$

"nalogia entre o diodo e uma chave

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*onforme a lei de =hm, e desconsiderando a queda de tenso na barreira de potencial ,aprox$ F,G H- do diodo, podemos afirmar que:

=nde: 7s: Hcc: LQ: *orrente de saturaoP !enso de alimentaoP Lesist ncia de carga

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