LABORATORIO DE ELECTRONICA 543243

Jorge Salgado Sagredo jorgesalgado@udec.cl Fofic: 220 3513 Fcel : 94589183

TRANSISTORES BIPOLARES
Resumen de conceptos fundamentales de transistores bipolares. Anlisis y diseo de amplificadores en configuracin emisor-comn.

Transistores bipolares de juntura.

Amplificadores con transistores
Introduccin El transistor es un dispositivo activo de estado slido. En el ao 1948 los investigadores John Bardeen, Walter H. Brattain y Williams Shockey, de los laboratorios Bell Telephone, construyeron y ensayaron el primer transistor. Fue un dispositivo rstico con baja ganancia, con propsitos de laboratorio. Mientras reinaba en forma suprema el tubo al vaco, en aplicaciones de consumo ordinario, como aplicaciones militares.

 Sin embargo, haban ciertas aplicaciones en que los tubos resultaban extremadamente caros. An peor, no era posible realizar ciertas tareas usando lo tubos al vaco. Los ingenieros vieron las ventajas del transistor en aplicaciones tamaos reducidos y porttiles. Durante la dcada de los sesenta se mejoraron los procesos y lo mtodos de manufactura, de tal forma que el transistor result confiable. Como consecuencia creci exponencialmente la fabricacin y consumo de productos baratos y porttiles. Se logr aumentar las frecuencias de operacin y confiabilidad de los transistores, en ese perodo. El transistor remplaz al tubo al vaco, salvo en altas frecuencias y en altas potencias.

Transistores bipolares
El transistor es un dispositivo de tres terminales. La fig. 2.4(a) ilustra la representacin esquemtica de un transistor.

Las tres capas o secciones diferentes se identifican como emisor, base y colector. El emisor est muy dopado, es una capa de tamao mediano, diseado para o inyectar electrones. La base tiene un dopaje medio, la capa de menor tamao, diseada para permitir el paso de los electrones. El colector est intensamente dopado, es la capa de mayor tamao, diseada para recolectar los electrones. El transistor puede idealizarse como dos junturas pn colocadas en forma inversa. Esta estructura recibe el nombre de transistor bipolar de juntura (BJT).

Fig. 2.4 (b)

Una forma simple, pero muy efectiva de explicar la operacin de un transistor npn, es usando el diagrama de barreras de potencial (potential-hill) de la fig. 2.4 (b).

 Cuando la juntura base-emisor se polariza en la forma directa, y la juntura base-colector se polariza en la direccin inversa, los electrones que abandonan el material n del emisor, vern slo una pequea colina de potencial en la juntura np. Ya que la cuesta de potencial es pequea, la mayora de los electrones tendrn energa suficiente para escalar la colina. Una vez en la cima de la colina, los electrones se mueven fcilmente a travs del material p (base) a la juntura pn (base-colector). Cuando los electrones se aproximan a aquella juntura, los electrones estn bajo la influencia de un potencial positivo y se mueven hacia adelante rpidamente, cuesta abajo en la colina del potencial.

 Si se reduce el potencial directo en la juntura base-emisor, se eleva la barrera de potencial. Los electrones que abandonan el emisor tendrn mayores dificultades para alcanzar la cima. Los electrones que alcanzan el tope son los que tienen la mayor cantidad de energa, y son aquellos que continan al colector. La reduccin de la polarizacin directa causa una reduccin considerable de la corriente a travs del transistor. Por otro lado, el incremento de la polarizacin directa sobre la juntura base-emisor, reducir la barrera de potencial y permitir que ms electrones del emisor fluyan a travs del transistor.

 Los transistores bipolares de juntura exhiben una alta ganancia de corriente, la cual se usa para amplificar seales.
En la fig. 2.5 se muestra un circuito simplificado equivalente de un transistor npn.

Este modelo es adecuado para el anlisis y diseo de la mayora de los circuitos.

 El circuito de la fig. 2.6(a) se usa para producir ganancia de corriente. Se aplic una fuente de Tensin a travs de la baseemisor, y se conect una resistencia de carga entre el colector y el emisor. En la fig. 2.6 (b) se muestra el mismo circuito, en el cual se ha reemplazado el transistor por el modelo de la fig. 2.5 . La corriente del terminal de base, controla la corriente desde el colector al emisor (fuente de corriente dependiente).

Configuracin BC

Se desea encontrar una relacin entre las corrientes de colector y base.

Fig. 2.8 (b)

La corriente de colector se encuentra observando la fig. 2.8 (b):

Combinando las ecuaciones (2.1) y (2.2), se obtiene la corriente total,

(2.3)

Se puede eliminar iE desde la ecuacin (2.3), reescribiendo la ecuacin (2.2) como:

20/57_90

Circuitos con transistores

Existen tres configuraciones utilizadas en circuitos con transistores: Emisor-comn (EC) Colector-comn (CC); tambin llamado seguidor emisor Base-comn (BC) En la fig. 2.9 se muestran ejemplos de esas configuraciones de amplificadores, usando transistores n-p-n.

Se considerar el diseo de la polarizacin, o circuito dc.

El diseo est caracterizado por el resistor de base, RB, el resistor de emisor, RE, la resistencia de colector, RC, y la fuente de voltaje, VCC. La tcnica de polarizacin para el amplificador EC, es la misma que para la configuracin BC, de tal forma que pueden ser tratados juntos. La tcnica de polarizacin para la configuracin CC se considera en forma separada. Cuando se usan transistores pnp, las polaridades de los voltajes de VBB y VCC son invertidas, pero el circuito equivalente ac, que se ha desarrollado , permanece igual.

Fig. 2.9 Circuitos amplificadores

Curvas caractersticas
Ya que el transistor es un dispositivo no lineal, una forma de definir su operacin es mediante una serie de curvas caractersticas, en forma similar a la usada con el diodo en el captulo anterior. Existe un conjunto de curvas para cada tipo de transistor. Las ecuaciones involucran a lo menos tres variables. Por tanto se usan curvas paramtricas para describir el comportamiento del transistor. La fig. 2.10 muestra dos dibujos tpicos. La fig. 2.10 (a) muestra la corriente de emisor como una funcin del voltaje entre base y emisor, cuando vCE se mantiene constante.

Ntese que esta curva es similar a la curva del diodo, ya que es la caracterstica de la corriente en una sola juntura.

Se ha dibujado una recta de carga usando las intersecciones con ambos ejes. Cuando iE = 0, vBE = VBB La otra interseccin ocurre cuando vBE = 0 El punto donde la lnea de carga cruza la curva de iE versus vBE, se llama punto de reposo, o simplemente punto Q (quiescent). La pendiente de la lnea de raga es -1/(RE+RB). Es simplemente la resistencia equivalente , (RE+RB) vista desde los terminales base y emisor. La pendiente de la curva caracterstica es 1/rd, donde rd es la resistencia dinmica de la juntura emisor-base del transistor. Esta pendiente puede calcularse a partir de la ecuacin (1.1)

En este texto se utiliza n=1 y nVT = 26 mV para transistores de silicio. Una extensin en lnea recta de la curva caracterstica del diodo, intersectara el eje vBE en 0,7 V para transistores de silicio, 0,2 V para transistores de germanio, y en 1,2 V para dispositivos de arseniuro de galio. Si ahora mantenemos constante iB, el circuito colector-emisor se define por la curva de iC versus vCE, mostrada en la fig . 2.10(b) siguiente:

Puede observarse desde esa curva tpica, que la corriente de colector, iC , es casi independiente del voltaje entre el colector y el emisor, vCE, a travs del rango lineal de operacin.
Cuando iB es cercano a cero, iC se aproxima a cero en forma no lineal. Esta zona se conoce como regin de operacin de corte.

30/90

En la seccin de la curva caracterstica donde vCE es cercano a cero, iC es mximo. Esta regin, es conocida como regin de saturacin; tampoco se usa en amplificacin, debido a la operacin no lineal. Las curvas caractersticas del transistor iC versus vCE, son paramtricas, donde iB es un parmetro. La fig. 2.11 muestra un ejemplo de esta familia de tales curvas. Cada transistor tiene su propio y nico conjunto de curvas caractersticas.

Como un ejemplo del uso de las curvas caractersticas analizaremos el circuito de la fig. 2.12.
Aplicando LKV alrededor del loop colectoremisor, se obtiene:
(2.7)

Ya que iE es aproximadamente igual a iC, la ecuacin (2.7) puede simplificarse, adoptando la forma (2.8):
(2.8)

La ec. (2.8) define una relacin de una lnea recta entre iC y vCE,
(2.9)

Puntos de la recta de carga sobre los ejes: Si iC = 0, vCE = Vcc Si vCE = 0, iC = VCC/(RC + RE) La recta de carga dc est graficada sobre las curvas caractersticas de la fig. 2.11.
Cuando discutamos el diseo, veremos como seleccionar los parmetros del circuito. Por ahora, supondremos que el punto de operacin, punto-Q, puede ser seleccionado en cualquier lugar de la lnea de carga.

El punto Q tendr las coordenadas VCEQ e ICQ, que son los valores en reposo de vCE e iC, respectivamente. El punto de reposo es el valor cero de la seal de vCE e iC.

El amplificador emisor comn (CE)

El amplificador emisor-comn (CE), recibe ese nombre porque la corriente de base y del colector se combinan en el emisor. La fig. 2.13 muestra la configuracin del amplificador, con un transistor npn.

Fig. 3.13 Amplificador con un transistor npn, en configuracin emisor-comn

Primero analizaremos el circuito 2.13 bajo condiciones de cc.

Aplicando la LKV alrededor del lazo de la base, con la fuente variable vs=0, se tiene:
(2.10)

Recalcando que VBE es 0,6 a 0,7 V para transistores de silicio; usaremos 0,7 V. Escribiendo la ecuacin de KVL alrededor del loop colectoremisor, se obtiene:

(2.11)

La ecuacin (2.11) define una recta de carga, la cual se ha graficado sobre las curvas caractersticas en la fig. 2-14(a).

Fig. 2.14 (a) Curvas caractersticas para el amplificador CE. Obsrvese la recta de carga DC

 Ahora se elige un punto Q de operacin, el cual est definido como el punto de seal cero, sobre la lnea de carga. Si ahora se asume una entrada ac, la salida puede encontrarse grficamente. Moviendo el punto de operacin hacia arriba y hacia abajo a lo largo de la lnea de carga, a medida que iB vara, podemos graficar iC, iB, y vCE, como se muestra en la fig. 2.14.

Determinemos ahora la razn entre el cambio en la corriente del colector, para un determinado cambio en la corriente de base.

Esta razn es la ganancia de corriente, Ai.

Fig. 2.14 Curvas de corriente de entrada (iB) y corriente de salida (iC) en un amplificador emisor-comn.

Amplificador emisor-comn con resistencia en el emisor

40/57 (90)

Fig. 2.15 Amplificador EC con resistencia en el emisor

La fig. 2.15 ilustra un circuito amplificador EC al cual se le ha agregado un resistor en el emisor. Escribiendo las ecuaciones de Kirchhoff alrededor del lazo emisor-colector, para determinar la lnea de carga dc, se encuentra:

En orden a evitar dos fuentes de alimentacin separadas, se utiliza una red divisora de tensin, para proporcionar la fuente dc al circuito de base, tal como se muestra en el circuito de la fig. 2.16.

Fig. 2.16 Circuito transistorizado con una sola fuente

 Los valores de R1 y R2 determinan la localizacin del punto Q. Si la combinacin de resistores y fuente son conectados a la base del circuito de la fig. 2.16 (equivalentes de Thevenin), este nuevo circuito es equivalente al de la fig. 2.15. El voltaje de Thevenin equivalente y la resistencia de base a tierra son,

Podemos resolver para R1 y R2, sustituyendo la ec. (2.14) en (2.15),

Ok.

Introduccin al diseo y al anlisis

En problemas de anlisis, el circuito est especificado completamente. Por tanto, el punto Q es conocido, ya que ambas resistencias R1 y R2 son dadas. El punto de polarizacin puede estar no estar en el lugar ptimo, y de hecho el transistor puede estar en corte o en saturacin. Como el circuito est completamente especificado, slo se pueden introducir los valores a las ecuaciones y calcular los resultados. En problemas de diseo, el circuito no est totalmente especificado.

Ejemplo 2.1

50/57(90)

Anlisis del amplificador Emisor comn. En la fig. 2.17 se muestra un amplificador CE, con sus elementos ya dimensionados.

Fig. 2.17. Amplificador CE para el ejemplo 2.1

Solucin: Primero, se encuentra el equivalente de Thevenin de la red resistiva conectada a la base.

Ahora usamos KVL en el circuito de base, ecuacin 2.13, obteniendo: Tarea:

Calcular VCEQ Solucin: 5,95 V

Ejemplo 2.2

Diseo de un amplificador emisor-comn

Solucin: La especificacin del punto Q en el centro de la recta de carga, requiere que VCEQ = Vcc/2

Despus , usando la KLV alrededor del circuito emisorcolector, para encontrar ICQ, tenemos:

Problemas de ejercitacin

Fin primera parte