POLARIZACION DEL FET I.- OBJETIVOS Verificar el funcionamiento de un JFET Experimentar circuitos de polarizacin del JFET II.

- FUNDAMENTO TEORICO En los transistores bipolares, una pequea corriente de entrada (corriente de base) controla la corriente de salida (corriente de colector); en los casos de los FET, es un pequeo voltaje de entrada que controla la corriente de salida. La corriente que circula en la entrada es generalmente despreciable (menos de un pico amperio). Esto es una gran ventaja, cuando la seal proviene de un dispositivo tal como un micrfono de condensador o un transductor piezo elctrico, los cuales proporcionan corrientes insignificantes. Los FETs, bsicamente son de dos tipos: - El transistor de efecto de campo de Juntura o JFET. - El transistor de efecto de campo con compuerta aislada o IGFET, tambin conocido como semiconductor de xido de metal, MOS, o simplemente MOSFET. EL JFET

El JFET est constituido por una barra de silicio tipo N o canal N, introducido en una barra o anillo de silicio tipo P tal como se muestra en la Fig. A Los terminales del canal N son denominados SURTIDOR (SOURCE) y DRENADOR (DRAIN). El anillo forma el tercer terminal del JFET llamado COMPUERTA (GATE). Inicialmente circula una corriente por la compuerta, pero posteriormente la corriente circula nicamente desde el surtidor al Drenador sin cruzar la juntura PN.
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El control de esta corriente se efecta por medio de la aplicacin de un voltaje de polarizacin inverso, aplicado entre la compuerta y el surtidor (VGS), formando un campo elctrico el cual limita el paso de la corriente a travs del canal N (Fig.B). Al aumentar el voltaje inverso, aplicado a la compuerta, aumenta el campo elctrico, y la corriente de Surtidor a Drenador disminuye. Tambin se construyen JFETs con barra de silicio tipo P y anillos de silicio tipo N, denominndose JFET canal P. El voltaje aplicado entre el Drenador y el Surtidor (VDS), no debe sobrepasar el voltaje de ruptura (tpicamente 50V) porque destruira el dispositivo. Si se aplica polarizacin directa a la compuerta, circular una alta corriente por la compuerta que puede destruir el JFET si no est limitada por una resistencia en serie con la compuerta.

VALORES COMERCIALES PARA EL JFET Voltaje VDS (V) 25,30,40,50 Potencia (W) 0.15,0.3,1.8,30 Para comprar un JFET se debe indicar su cdigo. PRUEBA DEL JFET Se comprueba con un ohmmetro en la escala de Rx1 Rx10. Entre compuerta y surtidor o compuerta y Drenador debe marcar como si fuera un diodo de silicio; es decir alta resistencia en un sentido y baja en el inverso. Entre Drenador y surtidor, el valor hmico exclusivamente del material del canal. Su valor vara entre 2K y 10K, siendo el mismo en ambos sentidos. III.- EQUIPO Y MATERIALES
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Dos fuentes de voltaje ajustables de 0 a 15 V. Un transistor 2N3904 Un multitester digital o analgico Un JFET K373 Un LED de color (verde, rojo o amarillo) Resistores W: de 270 , 470, 33K, 4.7K, 100K, 1.8K, 2K, 1M. Potencimetro de 10K. IV.- PROCEDIMIENTO MEDICION DE IDSS Y VP

1 Arme el circuito mostrado en la Fig. 1A, coloque un ampermetro entre el circuito y la fuente de voltaje, encienda esta y observe tanto el ampermetro como el LED, si no pasa corriente (LED apagado), apague la fuente e invierta las conexiones del LED. (Verifique la posicin del LED). 2 Arme y conecte el divisor de voltaje de la Fig. 1B y conecte el terminal central a la compuerta (retirarla previamente del nivel de referencia), gire el potencimetro y observe la corriente, con el voltmetro mida la tensin VGS en el momento en que ID se hace cero. Los resultados para la Fig. 1A, se muestran en la siguiente tabla:

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D1
LED-BIRG D1(A2) V=7.80498 Q1(G) V=0

MAGNITUD VDS VGS VGD IS

VALOR MEDIDO 7.8V 0V 7.8V 5 mA 5.5 mA 0 mA

Q1
k373

c V=0 c

ID IG

Los resultados para la Fig. 1B, se muestran en la siguiente tabla: VALOR MEDIDO 9.9 V -2.5 V 12.9 V 0 mA 0 mA 0 mA
x

MAGNITUD
D2
RV1(3) V=-2.49997 LED-BIRG D2(A2) V=9.94586

VDS VGS VGD IS

RV1 Q2
2N3819

B2
5V 10k c V=0

ID IG

De donde deducimos que:

IDSS = 5 mA -

VP = - 1.85 V

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POLARIZACION FIJA

Arme el siguiente circuito, ubique en forma adecuada los instrumentos tal que pueda medir ID y VGS; encienda las fuentes y anote los valores de ID y VGS as tambin VDS. De ser posible cambie el transistor con otra mesa y anote las nuevas medidas. Los resultados se muestran en la siguiente tabla:
x

R2
2k Q3(D) V=8.17321 R1(1) V=-0.69799

MAGNITUD VDS VGS VGD

Q3
k373

VALOR MEDIDO 8V -0.7V 7.47V 2mA 1.8mA 0mA

VALOR CALCULADO 6.13V -0.7V 6.83V 1.93mA 1.93mA 0mA

R1
1M

Q3(S) V=0

IS ID

B3
0.7V

IG

VALORES TEORICOS CALCULADOS

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Sabemos que IG = 0, adems: Tenemos adems que ID = IS VDS = 10V (RD) (ID) VDS = 10V (2K) (1.93mA) VDS = 6.13 V VGS = -VGG = -0.7V VGD = VD VG = 6.13V (-0.7V) = 6.83V AUTOPOLARIZACION Arme el circuito mostrado. Conecte adecuadamente los instrumentos para medir ID y VGS, encienda las fuente y anote los valores de ID, VGS y las dems tensiones del circuito. Todo circuito debe ser armado con las fuentes apagadas previamente ajustadas al valor dado en el diagrama.

Los resultados se muestran en la siguiente tabla:

MAGNITUD VDS VGS VGD IS ID IG

VALOR MEDIDO 5.8 V -0.5 V 6.2 V 2 mA 2.3 mA 0 mA

VALOR CALCULADO 5.23 V - 0.65 V 5.86 V 2.3 mA 2.3 mA 0 mA

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R3
1.8k R3(2) V=6.32824

Q4(G) V=0.00200767

Q4
k373 Q4(S) V=0.550568

R5
1M

R4
270

VALORES TEORICOS CALCULADOS VGS = - ID. RS Eligiendo ID = 4 mA Tenemos: VGS = - (4 mA) (270) VGS = - 1.1 V Estos dos datos nos permiten graficar y mediante la superposicin de grficas se obtienen los siguientes datos: IDQ = 2.3 mA VGSQ = - 0.65 V Tenemos adems que ID = IS VDS = 10V (ID) (RD+ RS) VDS = 10V (2.3 mA) (1800+270) VDS = 5.23 V VD = 10V (2.3 mA) (1800) VD = 5.86 V VG = 0V VGD = VD VG = 5.86 V 0 = 5.86 V

POLARIZACION POR DIVISOR DE TENSION Arme el circuito mostrado y haga las medidas de ID as como las tensiones en los diferentes nudos y puntos del circuito.

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R8(2) V=2.48088

R8
100k

R9
270

Q5
k373

R7
33k

R6
1.5k

Los resultados se muestran en la siguiente tabla: MAGNITUD VDS VGS VGD IS ID IG VALORES TEORICOS CALCULADOS VG = (R2.VDD)/ (R1 +R2) VG = (33K x 10V)/ (100K +33K) VG = 2.48 V Sabemos que VGS = VG ID.RS
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VALOR MEDIDO 6.2 V - 0.65 V 6.5 V 2 mA 2.1 m A 0 mA

VALOR CALCULADO 6.28 V - 0.7 V 6.95 V 2.1 mA 2.1 mA 0 mA

V=3.03147 Q5(S)

V=9.45283 Q5(D)

VGS = 2.48 V ID (1.5K) Cuando ID = 0 mA, entonces VGS = +2.48V Cuando VGS = 0 V entones ID = 1.6 mA Estos dos datos nos permiten graficar y mediante la superposicin de grficas se obtienen los siguientes datos: IDQ = 2.1 mA VGSQ = - 0.7 V Tenemos adems que ID = IS VDS = 10V (ID) (RD+ RS) VDS = 10V (2.1 mA) (270+1500) VDS = 6.28 V VD = 10V (2.1 mA) (270) VD = 9.43 V VG = 2.48V VGD = VD VG = 9.43 V 2.48 = 6.95 V POLARIZACION POR FUENTE DE CORRIENTE Arme el circuito mostrado y realice las medidas de ID, IC y las tensiones entre terminales de los dispositivos (JFET Y BJT) as como en los dems puntos del circuito.

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R12(1)

R12
470 Z1(D) V=9.07296 Z1(G) V=1.00785e-06

Z1
k373 Z1(S) V=0.985564

R10
100k

Q6
2N3904

R11
4.7k

R11(2)

Los resultados se muestran en la siguiente tabla: MAGNITUD VDS VGS VGD IS ID IG VALOR MEDIDO 8.5 V - 0.6 V 8.3 V 1.97 mA 2 mA 0 mA VALOR CALCULADO 8.27 V - 0.80 V 9V 1.97 mA 1.97 mA 0 mA

VALORES TEORICOS CALCULADOS VE = -10V - (-0.7V)

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VE = - 9.3 V Luego IE = (9.3V)/(4.7K) IE = 1.97 mA Adems: IE = IC = ID = IS Usando el valor de ID = 1.97 mA, se puede determinar el valor VGS mediante la grfica mostrada en papel milimetrado. VGS = - 0.80 V VC = VB VGS = 0 V (-0.80V) VC = 0.8 V VDS = 10V (ID) (RD) - VC VDS = 10V (1.97 mA) (470) 0.8 V VDS = 8.27 V VGD = VD VG = 9 V 0 V = 9 V V.- CUESTIONARIO Explicar con sus propias palabras como funciona un JFET? El FET es un dispositivo controlado por voltaje y no por corriente como lo es el transistor BJT. El control de esta corriente (IDS) se efecta por medio de la aplicacin de un voltaje de polarizacin inverso, aplicado entre la compuerta y el surtidor (VGS), formando un campo elctrico el cual limita el paso de la corriente a travs de Drenador y Source. Al aumentar el voltaje inverso, aplicado a la compuerta, aumenta el campo elctrico, y la corriente de Source a Drenador disminuye. Qu diferencia y similitudes existen entre el JFET y el BJT? La diferencia principal entre las dos clases de transistores es el hecho de que el BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que el transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje. En otras palabras, la corriente IC es una funcin directa del nivel de IB. Para el FET la corriente ID ser una funcin del voltaje VGS aplicado a la entrada del circuito. La semejanza que hay entre el JFET y un transistor bipolar es que ambos dispositivos tienen tres terminales de conexin externas, ambos tiene dos diodos internos con una barrera de potencial de 0.7 V y ambos tienen tres regiones de inters. Adems ambos
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pueden amplificar una seal de entrada y son dispositivos de control de corriente IC ID. Investigue cuales son las ventajas y desventajas del FET. El JFET tiene una impedancia de entrada casi infinita, pero el precio que se paga por esto es una prdida de control sobre la corriente de salida. En otras palabras, un JFET es menos sensible a cambios de voltaje de entrada que un transistor bipolar. En casi cualquier FET un cambio en VGS de 0.1 V produce una variacin de la corriente de Drenador menor que 10 m. Pero en un transistor bipolar el mismo cambio en VBE produce una variacin en la corriente de salida mayor que 10 mA. Qu significa esto? Significa que un amplificador JFET tiene mucha menor ganancia de voltaje que un amplificador bipolar. Por esta razn la primera regla de diseo que gobierna a los dispositivos es sta: utilice bipolares para ganancia de voltaje alta y emplee JFET para alta impedancia de entrada. Disee un circuito experimental donde intervenga un FET.

Cuando un receptor se sintoniza de una estacin dbil a una estacin fuerte, la bocina produce un sonido muy intenso a menos que el volumen se reduzca inmediatamente. O el volumen pueda variar debido a un desvanecimiento, una variacin en la fuerza de la seal causada por un cambio elctrico en la trayectoria entre las antenas de recepcin y transmisin. Para evitar cambios no deseados en el volumen, la mayora de los receptores utilizan control de ganancia automtica (CGA). 5.- Justifique tericamente los voltajes y medidas experimentales. Considere IDSS = 6 mA y VP = -2V Los voltajes y medidas experimentales se calcularon anteriormente en cada una de las polarizaciones.
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6.- Analizar la grfica obtenida ID = f (VGS) y determine el valor de IDSS y VP En la grfica se puede observar que cuando el voltaje VGS = 0 se tiene una corriente mxima de Drenador de 4.78 mA. Adems mientras se aumenta el voltaje negativo de compuerta la corriente de Drenador va disminuyendo tal como se puede observar en la grfica en papel milimetrado mostrado. Cuando el voltaje negativo de compuerta est en 1.6 V se tiene una corriente de 0 mA. De donde se deduce que: IDSS = 4.7 mA Y VP = -1.6 V En la mediciones experimentales se pudo observar adems que la corriente de compuerta es igual a cero (IG = 0) ANEXO Para graficar la curva de transferencia se tomaron 17 datos del voltaje VGS y la corriente ID, los cuales nos permitieron encontrar el valor de: IDSS = 4.78 mA VP = -1.6 V Los datos tomados se muestran en la siguiente tabla: VGS(V) -1.6 V - 1.5 V - 1.4 V - 1.3 V - 1.2 V - 1.1 V -1V - 0.9 V - 0.8 V - 0.7 V - 0.6 V - 0.5 V - 0.4 V - 0.3 V ID(mA) 0 mA 0.02 mA 0.08 mA 0.20 mA 0.37 mA 0.56 mA 0.77 mA 1.18 mA 1.38 mA 1.70 mA 2.30 mA 2.44 mA 2.85 mA 3.28 mA
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- 0.2 V - 0.1 V 0V

3.78 mA 4.26 mA 4.78 mA

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